JPH09128080A - 電圧調整器回路 - Google Patents
電圧調整器回路Info
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- JPH09128080A JPH09128080A JP8230763A JP23076396A JPH09128080A JP H09128080 A JPH09128080 A JP H09128080A JP 8230763 A JP8230763 A JP 8230763A JP 23076396 A JP23076396 A JP 23076396A JP H09128080 A JPH09128080 A JP H09128080A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロードダンプ条件を取扱うことが可能であり
且つ低電圧プロセスを使用して製造することの可能な電
圧調整器回路を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、2つの調整回路とこれ
ら2つの調整回路を制御する比較器とを持った電圧調整
器回路が提供される。該比較器の入力は電源電圧へ接続
しており、電源電圧が約8Vの所定の電圧に到達する
と、比較器の出力は状態を変化させる。第一調整回路が
イネーブルされて、比較器が状態を変化させる約8Vに
電源電圧が到達するまで、バッテリ電圧からVccを供
給する。その点において、第一調整回路がディスエーブ
ルされ且つ第二調整回路がイネーブルされて電源電圧か
らVcc電圧を供給する。
且つ低電圧プロセスを使用して製造することの可能な電
圧調整器回路を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、2つの調整回路とこれ
ら2つの調整回路を制御する比較器とを持った電圧調整
器回路が提供される。該比較器の入力は電源電圧へ接続
しており、電源電圧が約8Vの所定の電圧に到達する
と、比較器の出力は状態を変化させる。第一調整回路が
イネーブルされて、比較器が状態を変化させる約8Vに
電源電圧が到達するまで、バッテリ電圧からVccを供
給する。その点において、第一調整回路がディスエーブ
ルされ且つ第二調整回路がイネーブルされて電源電圧か
らVcc電圧を供給する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧を調整するた
めに使用される電子回路に関するものであって、更に詳
細には、自動車におけるVcc電圧を調整するために使
用される電子回路に関するものである。
めに使用される電子回路に関するものであって、更に詳
細には、自動車におけるVcc電圧を調整するために使
用される電子回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本発明によって対処される問題は自動車
業界において遭遇されるものである。エンジンが稼動中
でない場合に、自動車へ電力を供給するために使用され
るバッテリを自動車が持っていることは、自動車業界に
おいて常識である。バッテリは、更に、自動車のモータ
をスタートさせるために必要な電力も供給する。モータ
がスタートされると、オルタネータ即ち発電機がバッテ
リを充電するのに必要な電圧を供給する。然しながら、
エンジンが稼動している場合に自動車のバッテリケーブ
ルをそのバッテリから切断すると、バッテリケーブル上
の電圧は過剰なものとなる場合があり且つそれに接続さ
れている装置を損傷する場合がある。この条件は「ロー
ドダンプ(load dump)」と呼ばれている。ロ
ードダンプ条件期間中に、バッテリケーブル上の電圧は
60V又はそれ以上の電圧に到達する場合がある。従っ
て、バッテリ回路へ接続されている回路の全てが高電圧
のロードダンプ条件に耐えることが可能であることが望
ましい。
業界において遭遇されるものである。エンジンが稼動中
でない場合に、自動車へ電力を供給するために使用され
るバッテリを自動車が持っていることは、自動車業界に
おいて常識である。バッテリは、更に、自動車のモータ
をスタートさせるために必要な電力も供給する。モータ
がスタートされると、オルタネータ即ち発電機がバッテ
リを充電するのに必要な電圧を供給する。然しながら、
エンジンが稼動している場合に自動車のバッテリケーブ
ルをそのバッテリから切断すると、バッテリケーブル上
の電圧は過剰なものとなる場合があり且つそれに接続さ
れている装置を損傷する場合がある。この条件は「ロー
ドダンプ(load dump)」と呼ばれている。ロ
ードダンプ条件期間中に、バッテリケーブル上の電圧は
60V又はそれ以上の電圧に到達する場合がある。従っ
て、バッテリ回路へ接続されている回路の全てが高電圧
のロードダンプ条件に耐えることが可能であることが望
ましい。
【0003】更に、市場からの圧力及び政府の規制によ
って、自動車製造業者は自動車の汚染物の排出を減少さ
せながら燃費を向上させることを余儀なくされている。
更に、市場からの圧力は、自動車の信頼性を継続して改
善し且つコストを低下させることを要求している。これ
らの目標を達成するために点火制御システム等に対して
エレクトロニクスをますます使用することが自動車業界
において公知である。当業者によって理解されるよう
に、エレクトロニクスの使用を増加させると、自動車の
エレクトロニクスへ安定で且つ一定の電圧を供給するた
めに電圧調整及び前調整回路を使用することを増加させ
ることとなる。
って、自動車製造業者は自動車の汚染物の排出を減少さ
せながら燃費を向上させることを余儀なくされている。
更に、市場からの圧力は、自動車の信頼性を継続して改
善し且つコストを低下させることを要求している。これ
らの目標を達成するために点火制御システム等に対して
エレクトロニクスをますます使用することが自動車業界
において公知である。当業者によって理解されるよう
に、エレクトロニクスの使用を増加させると、自動車の
エレクトロニクスへ安定で且つ一定の電圧を供給するた
めに電圧調整及び前調整回路を使用することを増加させ
ることとなる。
【0004】図1を参照すると、従来公知の電圧調整器
が示されている。この回路においては、調整された電圧
Vccが未調整のバッテリ電圧Vbattから発生され
る。一般的に、この回路は電流バイアス回路と、パス要
素と、調整回路とを持っているものとして考えることが
可能である。
が示されている。この回路においては、調整された電圧
Vccが未調整のバッテリ電圧Vbattから発生され
る。一般的に、この回路は電流バイアス回路と、パス要
素と、調整回路とを持っているものとして考えることが
可能である。
【0005】電流バイアス回路は、抵抗2,8,16、
ダイオード4,6及びトランジスタ10,12,14か
ら構成されている。それらの動作は、電圧調整回路によ
って使用されるトランジスタ38のベースにおいてバイ
アス電流を発生させるものとして要約することが可能で
ある。
ダイオード4,6及びトランジスタ10,12,14か
ら構成されている。それらの動作は、電圧調整回路によ
って使用されるトランジスタ38のベースにおいてバイ
アス電流を発生させるものとして要約することが可能で
ある。
【0006】NPNバイポーラトランジスタ46は電圧
調整器のパス要素である。当該技術分野において理解さ
れているように、パス要素は一定の出力電圧が維持され
るように調整回路の関数として電圧調整器の出力電流を
制御するものである。
調整器のパス要素である。当該技術分野において理解さ
れているように、パス要素は一定の出力電圧が維持され
るように調整回路の関数として電圧調整器の出力電流を
制御するものである。
【0007】調整回路は、バンドギャップ回路と電圧ス
テップアップ回路とから構成されている。バンドギャッ
プ回路は、抵抗18,24,26,28及びトランジス
タ20,22,30,32を有している。このバンドギ
ャップ形態においては、当該技術分野において公知の如
く、トランジスタ22及び32のベースにおいて熱的に
安定な電圧が発生される。この調整回路は、更に、抵抗
48及び50で形成された分圧器回路を有している。分
圧器からのスケールされた電圧はバンドギャップ回路へ
フィードバックされ、当該技術分野において公知の如
く、出力電圧が減少又は増加することに応答してパスト
ランジスタ46の電流出力を増加又は減少させる。
テップアップ回路とから構成されている。バンドギャッ
プ回路は、抵抗18,24,26,28及びトランジス
タ20,22,30,32を有している。このバンドギ
ャップ形態においては、当該技術分野において公知の如
く、トランジスタ22及び32のベースにおいて熱的に
安定な電圧が発生される。この調整回路は、更に、抵抗
48及び50で形成された分圧器回路を有している。分
圧器からのスケールされた電圧はバンドギャップ回路へ
フィードバックされ、当該技術分野において公知の如
く、出力電圧が減少又は増加することに応答してパスト
ランジスタ46の電流出力を増加又は減少させる。
【0008】自動車への適用例においては、Vbatt
電圧は、通常、12Vであり且つVcc電圧は典型的に
約5Vである。然しながら、Vbattは上述したロー
ドダンプ条件下においては60Vを超えて上昇する場合
がある。ロードダンプ条件を取扱う典型的な従来の解決
方法は、高電圧条件を取扱うことの可能なパストランジ
スタを使用することであった。然しながら、この従来技
術の解決方法は、高電圧プロセスに対する集積化プロセ
ス技術を制限することとなる。
電圧は、通常、12Vであり且つVcc電圧は典型的に
約5Vである。然しながら、Vbattは上述したロー
ドダンプ条件下においては60Vを超えて上昇する場合
がある。ロードダンプ条件を取扱う典型的な従来の解決
方法は、高電圧条件を取扱うことの可能なパストランジ
スタを使用することであった。然しながら、この従来技
術の解決方法は、高電圧プロセスに対する集積化プロセ
ス技術を制限することとなる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した如
き従来技術における欠点を解消し、ロードダンプ条件を
取扱うことが可能であるが低電圧プロセスを使用して製
造することの可能な電圧調整器を提供することを目的と
する。
き従来技術における欠点を解消し、ロードダンプ条件を
取扱うことが可能であるが低電圧プロセスを使用して製
造することの可能な電圧調整器を提供することを目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、2個の調整回
路とこれら2個の調整回路を制御するための比較器とを
具備する電圧調整器として要約することが可能である。
該比較器の入力端は電源電圧へ接続しており、電源電圧
が約8Vの所定電圧へ到達する場合に、比較器の出力が
状態を変化させる。第一調整回路は、比較器が状態を変
化させる約8Vに電源電圧が到達するまで、バッテリ電
圧からVccを供給するようにイネーブル即ち動作可能
状態とされる。その点において、第一調整回路がディス
エーブル即ち動作不能状態とされ且つ第二調整回路がイ
ネーブル即ち動作可能状態とされて電源電圧からVcc
電圧を供給する。電源電圧はロードダンプ高電圧に到達
することはないので、第二パストランジスタは高電圧条
件に露呈されることはない。更に、第一トランジスタ
は、そのベースが接地されているので、より高い電圧に
耐えることが可能である。従って、以下に説明する本発
明の調整回路は低電圧集積化プロセス技術を使用して製
造することが可能である。
路とこれら2個の調整回路を制御するための比較器とを
具備する電圧調整器として要約することが可能である。
該比較器の入力端は電源電圧へ接続しており、電源電圧
が約8Vの所定電圧へ到達する場合に、比較器の出力が
状態を変化させる。第一調整回路は、比較器が状態を変
化させる約8Vに電源電圧が到達するまで、バッテリ電
圧からVccを供給するようにイネーブル即ち動作可能
状態とされる。その点において、第一調整回路がディス
エーブル即ち動作不能状態とされ且つ第二調整回路がイ
ネーブル即ち動作可能状態とされて電源電圧からVcc
電圧を供給する。電源電圧はロードダンプ高電圧に到達
することはないので、第二パストランジスタは高電圧条
件に露呈されることはない。更に、第一トランジスタ
は、そのベースが接地されているので、より高い電圧に
耐えることが可能である。従って、以下に説明する本発
明の調整回路は低電圧集積化プロセス技術を使用して製
造することが可能である。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の好適実施例に基づいて構
成した電圧調整器回路について説明する。図2を参照す
ると、本発明の電圧調整器回路は、バイアス電流回路、
バンドギャップをベースとした調整器回路、2個の電圧
レベルシフト回路、及び2個のパス要素を有するものと
して説明することが可能である。
成した電圧調整器回路について説明する。図2を参照す
ると、本発明の電圧調整器回路は、バイアス電流回路、
バンドギャップをベースとした調整器回路、2個の電圧
レベルシフト回路、及び2個のパス要素を有するものと
して説明することが可能である。
【0012】バイアス回路は、Pチャンネルトランジス
タM106のソース及びPチャンネルトランジスタM1
05のソースを自動車のエレクトロニクスにおけるスタ
ティックメモリを維持するために通常使用される調整電
圧であるスタンバイ電圧へ接続することによって構成さ
れている。トランジスタM106のドレインはNチャン
ネルトランジスタM6のドレイン及びトランジスタM1
05のゲートへ接続している。トランジスタM106及
びM6のゲートはイネーブル信号を受取るべく結合され
ている。トランジスタM106のドレインは抵抗Rbi
asの第一端部へ接続しており、抵抗Rbiasの第二
端部はNPNトランジスタQ20のコレクタ及びベース
へ接続している。NチャンネルトランジスタM6のソー
ス及びトランジスタQ20のエミッタは接地へ接続して
いる。トランジスタQ20のベースはトランジスタQ1
9のベースへ接続している。NPNトランジスタQ19
のエミッタは接地へ接続している。PNPトランジスタ
Q118及びQ119はダイオードとして構成されてい
る。トランジスタQ118及びQ119のエミッタは電
圧VIN1へ接続している。電圧VIN1は自動車のバ
ッテリ電圧を表わしている。トランジスタQ118のベ
ース及びコレクタはPNPトランジスタQ116のベー
ス及びNチャンネルトランジスタM11のドレインへ接
続している。トランジスタM11のゲートは信号Dif
f1へ結合されている。トランジスタQ119のベース
及びコレクタはNPNトランジスタQ117のベース及
びNチャンネルトランジスタM12のドレインへ接続し
ている。トランジスタM12のゲートは信号Diff2
へ結合している。トランジスタM11のソースはトラン
ジスタM12のソース及びトランジスタQ19のコレク
タへ接続している。
タM106のソース及びPチャンネルトランジスタM1
05のソースを自動車のエレクトロニクスにおけるスタ
ティックメモリを維持するために通常使用される調整電
圧であるスタンバイ電圧へ接続することによって構成さ
れている。トランジスタM106のドレインはNチャン
ネルトランジスタM6のドレイン及びトランジスタM1
05のゲートへ接続している。トランジスタM106及
びM6のゲートはイネーブル信号を受取るべく結合され
ている。トランジスタM106のドレインは抵抗Rbi
asの第一端部へ接続しており、抵抗Rbiasの第二
端部はNPNトランジスタQ20のコレクタ及びベース
へ接続している。NチャンネルトランジスタM6のソー
ス及びトランジスタQ20のエミッタは接地へ接続して
いる。トランジスタQ20のベースはトランジスタQ1
9のベースへ接続している。NPNトランジスタQ19
のエミッタは接地へ接続している。PNPトランジスタ
Q118及びQ119はダイオードとして構成されてい
る。トランジスタQ118及びQ119のエミッタは電
圧VIN1へ接続している。電圧VIN1は自動車のバ
ッテリ電圧を表わしている。トランジスタQ118のベ
ース及びコレクタはPNPトランジスタQ116のベー
ス及びNチャンネルトランジスタM11のドレインへ接
続している。トランジスタM11のゲートは信号Dif
f1へ結合されている。トランジスタQ119のベース
及びコレクタはNPNトランジスタQ117のベース及
びNチャンネルトランジスタM12のドレインへ接続し
ている。トランジスタM12のゲートは信号Diff2
へ結合している。トランジスタM11のソースはトラン
ジスタM12のソース及びトランジスタQ19のコレク
タへ接続している。
【0013】バンドギャップをベースとした調整器は、
抵抗R101の第一端部をVcc電圧へ接続することに
よって構成されている。抵抗R101の第二端部はPN
PトランジスタQ101のエミッタへ接続している。ト
ランジスタQ101のベース及びコレクタはトランジス
タQ102のベース及びNPNトランジスタQ1のコレ
クタへ接続している。トランジスタQ1のベースはNP
NトランジスタQ2のベースへ接続している。トランジ
スタQ1のエミッタは抵抗R1の第一端部へ接続してい
る。抵抗R1の第二端部はトランジスタQ2のエミッタ
及び抵抗R2の第一端部へ接続している。抵抗R2の第
二端部は接地へ接続している。トランジスタQ102の
エミッタは抵抗R102の第二端部へ接続している。ト
ランジスタQ102のコレクタはトランジスタQ2のコ
レクタ及びコンデンサC14の第一端部へ接続すると共
に、PチャンネルトランジスタM101及びM102の
ドレインへ接続している。コンデンサC14の第二端部
は接地へ接続している。
抵抗R101の第一端部をVcc電圧へ接続することに
よって構成されている。抵抗R101の第二端部はPN
PトランジスタQ101のエミッタへ接続している。ト
ランジスタQ101のベース及びコレクタはトランジス
タQ102のベース及びNPNトランジスタQ1のコレ
クタへ接続している。トランジスタQ1のベースはNP
NトランジスタQ2のベースへ接続している。トランジ
スタQ1のエミッタは抵抗R1の第一端部へ接続してい
る。抵抗R1の第二端部はトランジスタQ2のエミッタ
及び抵抗R2の第一端部へ接続している。抵抗R2の第
二端部は接地へ接続している。トランジスタQ102の
エミッタは抵抗R102の第二端部へ接続している。ト
ランジスタQ102のコレクタはトランジスタQ2のコ
レクタ及びコンデンサC14の第一端部へ接続すると共
に、PチャンネルトランジスタM101及びM102の
ドレインへ接続している。コンデンサC14の第二端部
は接地へ接続している。
【0014】第二電圧レベルシフト回路は、トランジス
タM102のドレインをコンデンサC14の第一端部へ
接続することによって構成されている。トランジスタM
101のゲートは信号EP3へ結合されている。トラン
ジスタM101のソースはPNPトランジスタQ112
のベースへ接続している。トランジスタQ112のエミ
ッタはPNPトランジスタQ114のベース及び抵抗R
114の第二端部へ接続している。トランジスタQ11
2のコレクタはトランジスタQ114のコレクタ及び接
地へ接続している。トランジスタQ114の第一端部は
トランジスタQ114のエミッタ及びNPNトランジス
タQ16のエミッタへ接続している。トランジスタQ1
6のコレクタ及びベースはトランジスタQ117のコレ
クタ、パストランジスタQ18のベース、及びNチャン
ネルトランジスタM18のドレインへ接続している。ト
ランジスタQ117のエミッタは電圧VIN1へ接続し
ている。トランジスタM18のゲートは信号Pcomp
2へ結合している。トランジスタM18のソースは接地
へ接続している。
タM102のドレインをコンデンサC14の第一端部へ
接続することによって構成されている。トランジスタM
101のゲートは信号EP3へ結合されている。トラン
ジスタM101のソースはPNPトランジスタQ112
のベースへ接続している。トランジスタQ112のエミ
ッタはPNPトランジスタQ114のベース及び抵抗R
114の第二端部へ接続している。トランジスタQ11
2のコレクタはトランジスタQ114のコレクタ及び接
地へ接続している。トランジスタQ114の第一端部は
トランジスタQ114のエミッタ及びNPNトランジス
タQ16のエミッタへ接続している。トランジスタQ1
6のコレクタ及びベースはトランジスタQ117のコレ
クタ、パストランジスタQ18のベース、及びNチャン
ネルトランジスタM18のドレインへ接続している。ト
ランジスタQ117のエミッタは電圧VIN1へ接続し
ている。トランジスタM18のゲートは信号Pcomp
2へ結合している。トランジスタM18のソースは接地
へ接続している。
【0015】第二パス要素は、NPNトランジスタQ1
8のコレクタを電圧VIN2へ接続することによって構
成されている。トランジスタQ18のエミッタは本電圧
調整器回路の出力端を形成しており且つ抵抗R51の第
一端部へ接続している。抵抗R51の第二端部は抵抗R
50の第一端部及びトランジスタQ1及びQ2のベース
へ接続している。抵抗R50の第二端部は接地へ接続し
ている。
8のコレクタを電圧VIN2へ接続することによって構
成されている。トランジスタQ18のエミッタは本電圧
調整器回路の出力端を形成しており且つ抵抗R51の第
一端部へ接続している。抵抗R51の第二端部は抵抗R
50の第一端部及びトランジスタQ1及びQ2のベース
へ接続している。抵抗R50の第二端部は接地へ接続し
ている。
【0016】動作について説明すると、本調整器回路
は、自動車における電子回路を駆動するために使用され
る通常の5Vへ供給電圧を供給するブロカウセル(Br
okaw Cell)に基づいた利得を向上させたバン
ドギャップ回路である。ベースを結合させた差動対Q1
及びQ2及び抵抗R1及びR2がこのバンドギャップを
ベースとした調整器の核を構成している。トランジスタ
Q1及びQ2を介して流れる電流は抵抗R1によって設
定され、抵抗R1は、更に、バンドギャップ回路の利得
を決定する。この差動対に対する能動負荷は、出力イン
ピーダンスを増加させるために設けられている抵抗R1
01及びR102と共にトランジスタQ101及びQ1
02によって与えられている。このバンドギャップ回路
の出力はトランジスタQ2のコレクタにおいてとられ
る。ループ安定性は、10pF補償コンデンサであるコ
ンデンサC14で確立されている。
は、自動車における電子回路を駆動するために使用され
る通常の5Vへ供給電圧を供給するブロカウセル(Br
okaw Cell)に基づいた利得を向上させたバン
ドギャップ回路である。ベースを結合させた差動対Q1
及びQ2及び抵抗R1及びR2がこのバンドギャップを
ベースとした調整器の核を構成している。トランジスタ
Q1及びQ2を介して流れる電流は抵抗R1によって設
定され、抵抗R1は、更に、バンドギャップ回路の利得
を決定する。この差動対に対する能動負荷は、出力イン
ピーダンスを増加させるために設けられている抵抗R1
01及びR102と共にトランジスタQ101及びQ1
02によって与えられている。このバンドギャップ回路
の出力はトランジスタQ2のコレクタにおいてとられ
る。ループ安定性は、10pF補償コンデンサであるコ
ンデンサC14で確立されている。
【0017】適切にバイアスされると、約1.27Vの
温度に対して独立性の電圧がトランジスタQ1及びQ2
のベースにおいて存在する。出力段におけるレベルシフ
ト用のバイアス電流は抵抗Rbias及びトランジスタ
Q19及びQ20によって確立される。トランジスタQ
19及びQ20によって形成されるカレントミラーはこ
のスタンバイ電圧が供給される。イネーブルピン上に論
理1が存在するとこのカレントミラーはターンオンされ
る。電圧VI2が8V未満であると、トランジスタM1
1がターンオンされ且つトランジスタQ116のベース
は約4.3Vへ降下する。このことはトランジスタQ1
16,Q15,Q113,Q111によって構成される
バイアス枝をターンオンさせる。トランジスタM101
はオンであり且つバンドギャップ回路の出力はトランジ
スタQ111によってバッファされ且つトランジスタQ
17のベースにおいて約5.7Vへレベルシフトされ
る。Vccにおける電圧は公称的に5Vである。
温度に対して独立性の電圧がトランジスタQ1及びQ2
のベースにおいて存在する。出力段におけるレベルシフ
ト用のバイアス電流は抵抗Rbias及びトランジスタ
Q19及びQ20によって確立される。トランジスタQ
19及びQ20によって形成されるカレントミラーはこ
のスタンバイ電圧が供給される。イネーブルピン上に論
理1が存在するとこのカレントミラーはターンオンされ
る。電圧VI2が8V未満であると、トランジスタM1
1がターンオンされ且つトランジスタQ116のベース
は約4.3Vへ降下する。このことはトランジスタQ1
16,Q15,Q113,Q111によって構成される
バイアス枝をターンオンさせる。トランジスタM101
はオンであり且つバンドギャップ回路の出力はトランジ
スタQ111によってバッファされ且つトランジスタQ
17のベースにおいて約5.7Vへレベルシフトされ
る。Vccにおける電圧は公称的に5Vである。
【0018】約1.27Vのバンドギャップ電圧に基づ
いて5V出力を得るためには、バンドギャップ基準電圧
は抵抗R50及びR51を包含する抵抗回路網を使用す
ることによって利得が増加されねばならない。バンドギ
ャップ電圧は抵抗R50の第一端部へ印加される。抵抗
R51及びR50は、パス要素Q17によってバイアス
された場合に、5Vの結合された電圧降下を有する。R
51/R50の異なる比を選択することによって、異な
る出力電圧を得ることが可能である。
いて5V出力を得るためには、バンドギャップ基準電圧
は抵抗R50及びR51を包含する抵抗回路網を使用す
ることによって利得が増加されねばならない。バンドギ
ャップ電圧は抵抗R50の第一端部へ印加される。抵抗
R51及びR50は、パス要素Q17によってバイアス
された場合に、5Vの結合された電圧降下を有する。R
51/R50の異なる比を選択することによって、異な
る出力電圧を得ることが可能である。
【0019】バンドギャップ回路は、その供給電圧が利
得を増加させたバンドギャップ電圧から派生されるとい
う点においてブートストラップされる。このような態様
でバンドギャップ回路に供給電圧を供給することによっ
て、電源リップルに対する高い免疫性が達成される。
得を増加させたバンドギャップ電圧から派生されるとい
う点においてブートストラップされる。このような態様
でバンドギャップ回路に供給電圧を供給することによっ
て、電源リップルに対する高い免疫性が達成される。
【0020】電圧VIN2が約8Vを超えると、出力電
圧バイアス電流はトランジスタQ18によって供給され
る。電圧VIN2の電圧レベルを検知し且つパストラン
ジスタをスイッチさせるために使用される比較器につい
ては後述する。トランジスタM12がターンオンし且つ
トランジスタM11がターンオフして、トランジスタQ
117,Q16,Q114,Q112から構成されるバ
イアス枝に対するバイアス電流を供給する。トランジス
タM102がターンオンし且つバンドギャップ回路の出
力をエミッタホロワQ112のベースへ供給する。この
電圧はトランジスタQ18のベースにおいて上述したも
のと同様に、約5.7Vへレベルシフトされる。従っ
て、トランジスタQ18は抵抗R51及びR50からな
る抵抗回路網をバイアスする。
圧バイアス電流はトランジスタQ18によって供給され
る。電圧VIN2の電圧レベルを検知し且つパストラン
ジスタをスイッチさせるために使用される比較器につい
ては後述する。トランジスタM12がターンオンし且つ
トランジスタM11がターンオフして、トランジスタQ
117,Q16,Q114,Q112から構成されるバ
イアス枝に対するバイアス電流を供給する。トランジス
タM102がターンオンし且つバンドギャップ回路の出
力をエミッタホロワQ112のベースへ供給する。この
電圧はトランジスタQ18のベースにおいて上述したも
のと同様に、約5.7Vへレベルシフトされる。従っ
て、トランジスタQ18は抵抗R51及びR50からな
る抵抗回路網をバイアスする。
【0021】次に、図3を参照して、図2の電圧調整器
の好適実施例を制御するために使用される比較器の好適
実施例について説明する。該比較器は、抵抗R4の第一
端部、PNPトランジスタQ103のエミッタ、PNP
トランジスタ104及び105のエミッタを、自動車の
どこかにおける電源によって発生された電圧である電圧
VIN2へ接続させることによって構成されている。抵
抗R4の第二端部は、抵抗R5の第一端部、及びNPN
トランジスタQ1及びQ2のベースへ接続している。ト
ランジスタQ37,Q38,Q39はダイオードとして
構成されており且つトランジスタQ1及びQ2のベース
及び接地を横断して直列接続されている。トランジスタ
Q103のベースはトランジスタQ104,Q105,
Q4のベース及びトランジスタQ105及びNPNトラ
ンジスタQ4のコレクタへ接続している。トランジスタ
Q103のコレクタはPNPトランジスタQ101のベ
ース及びトランジスタQ1のコレクタへ接続している。
トランジスタQ104のコレクタはトランジスタQ10
1,Q102,Q102Bのエミッタへ接続している。
トランジスタQ102のベースはトランジスタQ102
Bのベースへ接続すると共にトランジスタQ4のエミッ
タ及びトランジスタQ2のコレクタへ接続している。
の好適実施例を制御するために使用される比較器の好適
実施例について説明する。該比較器は、抵抗R4の第一
端部、PNPトランジスタQ103のエミッタ、PNP
トランジスタ104及び105のエミッタを、自動車の
どこかにおける電源によって発生された電圧である電圧
VIN2へ接続させることによって構成されている。抵
抗R4の第二端部は、抵抗R5の第一端部、及びNPN
トランジスタQ1及びQ2のベースへ接続している。ト
ランジスタQ37,Q38,Q39はダイオードとして
構成されており且つトランジスタQ1及びQ2のベース
及び接地を横断して直列接続されている。トランジスタ
Q103のベースはトランジスタQ104,Q105,
Q4のベース及びトランジスタQ105及びNPNトラ
ンジスタQ4のコレクタへ接続している。トランジスタ
Q103のコレクタはPNPトランジスタQ101のベ
ース及びトランジスタQ1のコレクタへ接続している。
トランジスタQ104のコレクタはトランジスタQ10
1,Q102,Q102Bのエミッタへ接続している。
トランジスタQ102のベースはトランジスタQ102
Bのベースへ接続すると共にトランジスタQ4のエミッ
タ及びトランジスタQ2のコレクタへ接続している。
【0022】トランジスタQ2のエミッタは抵抗R1の
第一端部及びNPNトランジスタQ5のコレクタへ接続
している。抵抗R1の第二端部はトランジスタQ1のエ
ミッタ及び抵抗R2の第一端部へ接続している。抵抗R
2の第二端部は接地へ接続している。トランジスタQ5
のベースはNPNトランジスタQ6のベース及びコレク
タ及びトランジスタQ102のコレクタへ接続してい
る。トランジスタQ6のエミッタは接地へ接続してい
る。トランジスタQ101のコレクタはNPNトランジ
スタQ3のベース及び抵抗R3の第一端部へ接続してい
る。抵抗R3の第二端部は接地へ接続している。抵抗R
27の第一端部はスタンバイ電圧へ接続しており、一方
抵抗R27の第二端部はトランジスタQ3のコレクタ及
びインバータ204の入力端へ接続している。インバー
タ204の出力端はインバータ202の入力端及びNA
NDゲート210の入力端へ接続している。NANDゲ
ート210への他方の入力端はイネーブル信号が結合さ
れる。NANDゲート210の出力端は、信号Pcom
p2を有しており且つインバータ212の入力端へ接続
している。インバータ212の出力端は信号Diff2
を発生する。インバータ202の出力端はNANDゲー
ト206の入力端へ接続している。NANDゲート20
6の他方の入力端はイネーブル信号を受取る。NAND
ゲート206の出力端は信号Pcomp1を発生し、且
つインバータ208の入力端へ接続している。インバー
タ208の出力端は信号Diff1を発生する。
第一端部及びNPNトランジスタQ5のコレクタへ接続
している。抵抗R1の第二端部はトランジスタQ1のエ
ミッタ及び抵抗R2の第一端部へ接続している。抵抗R
2の第二端部は接地へ接続している。トランジスタQ5
のベースはNPNトランジスタQ6のベース及びコレク
タ及びトランジスタQ102のコレクタへ接続してい
る。トランジスタQ6のエミッタは接地へ接続してい
る。トランジスタQ101のコレクタはNPNトランジ
スタQ3のベース及び抵抗R3の第一端部へ接続してい
る。抵抗R3の第二端部は接地へ接続している。抵抗R
27の第一端部はスタンバイ電圧へ接続しており、一方
抵抗R27の第二端部はトランジスタQ3のコレクタ及
びインバータ204の入力端へ接続している。インバー
タ204の出力端はインバータ202の入力端及びNA
NDゲート210の入力端へ接続している。NANDゲ
ート210への他方の入力端はイネーブル信号が結合さ
れる。NANDゲート210の出力端は、信号Pcom
p2を有しており且つインバータ212の入力端へ接続
している。インバータ212の出力端は信号Diff2
を発生する。インバータ202の出力端はNANDゲー
ト206の入力端へ接続している。NANDゲート20
6の他方の入力端はイネーブル信号を受取る。NAND
ゲート206の出力端は信号Pcomp1を発生し、且
つインバータ208の入力端へ接続している。インバー
タ208の出力端は信号Diff1を発生する。
【0023】動作について説明すると、これは、内蔵電
圧基準としてバンドギャップ電圧を有する破壊したバン
ドギャップ技術に基づく比較器である。この比較器は、
電圧VIN2を検知し且つ組合わせ論理を使用してどの
トランジスタ、即ちどのパス要素Q17又はQ18が電
圧調整器回路用のパス要素として作用するかを決定す
る。この比較器の核は、構成要素としてのトランジスタ
Q1,Q2,Q193,Q105及び抵抗R1及びR2
から構成されている。分圧器R4及びR5は電圧VIN
2を検知し且つこの電圧の一部をトランジスタQ1及び
Q2の共通ベースへ印加する。R5/R4の比は、電圧
VIN2が約8Vに到達すると、バンドギャップ電圧が
トランジスタQ1及びQ2のベースへ印加されるように
選択されている。共通ベース電圧はトランジスタQ3
7,Q38,Q54を使用することによって3個のダイ
オード電圧へクランプされる。
圧基準としてバンドギャップ電圧を有する破壊したバン
ドギャップ技術に基づく比較器である。この比較器は、
電圧VIN2を検知し且つ組合わせ論理を使用してどの
トランジスタ、即ちどのパス要素Q17又はQ18が電
圧調整器回路用のパス要素として作用するかを決定す
る。この比較器の核は、構成要素としてのトランジスタ
Q1,Q2,Q193,Q105及び抵抗R1及びR2
から構成されている。分圧器R4及びR5は電圧VIN
2を検知し且つこの電圧の一部をトランジスタQ1及び
Q2の共通ベースへ印加する。R5/R4の比は、電圧
VIN2が約8Vに到達すると、バンドギャップ電圧が
トランジスタQ1及びQ2のベースへ印加されるように
選択されている。共通ベース電圧はトランジスタQ3
7,Q38,Q54を使用することによって3個のダイ
オード電圧へクランプされる。
【0024】電圧VIN2がスレッシュホールド電圧未
満である場合には、トランジスタQ2はトランジスタQ
1を介して流れる無視可能な電流にわたり殆ど電圧降下
なしで導通させる。トランジスタQ101及び分割トラ
ンジスタQ102及びQ102Bから構成される差動対
が設けられている。電圧VIN2が増加中のスレッシュ
ホールド電圧未満である場合には、差動対Q102及び
Q102Bは電流を導通させ且つトランジスタQ101
はオフである。トリップ点に到達すると、トランジスタ
Q1及びQ2における電流は等しい。トランジスタQ5
及びQ6の組合わせが、電流の一部を接地へそらせるこ
とによって回路に対しヒステリシスを付加している。こ
のことは、電流を等しくさせるために、トランジスタQ
1及びQ2のベース電圧が実際にバンドギャップ電圧を
超えることを必要とする。トランジスタQ1及びQ2に
おける電流が等しい場合には、トランジスタQ101が
ターンオンし且つインバータQ3へベース電流を供給す
る。
満である場合には、トランジスタQ2はトランジスタQ
1を介して流れる無視可能な電流にわたり殆ど電圧降下
なしで導通させる。トランジスタQ101及び分割トラ
ンジスタQ102及びQ102Bから構成される差動対
が設けられている。電圧VIN2が増加中のスレッシュ
ホールド電圧未満である場合には、差動対Q102及び
Q102Bは電流を導通させ且つトランジスタQ101
はオフである。トリップ点に到達すると、トランジスタ
Q1及びQ2における電流は等しい。トランジスタQ5
及びQ6の組合わせが、電流の一部を接地へそらせるこ
とによって回路に対しヒステリシスを付加している。こ
のことは、電流を等しくさせるために、トランジスタQ
1及びQ2のベース電圧が実際にバンドギャップ電圧を
超えることを必要とする。トランジスタQ1及びQ2に
おける電流が等しい場合には、トランジスタQ101が
ターンオンし且つインバータQ3へベース電流を供給す
る。
【0025】共通ベース電圧がスレッシュホールド電圧
よりも大きく且つ減少している場合には、トランジスタ
Q102及びQ102Bはオフであり且つトランジスタ
Q2のベースから電流が引き出されることはない。その
ベース電圧がトリップ点を通過すると、トランジスタQ
101がターンオフし且つトランジスタQ3のコレクタ
は抵抗R27を介して高状態へ移行される。
よりも大きく且つ減少している場合には、トランジスタ
Q102及びQ102Bはオフであり且つトランジスタ
Q2のベースから電流が引き出されることはない。その
ベース電圧がトリップ点を通過すると、トランジスタQ
101がターンオフし且つトランジスタQ3のコレクタ
は抵抗R27を介して高状態へ移行される。
【0026】イネーブル信号の論理状態と共に、トラン
ジスタQ3のコレクタ電圧は、トランジスタQ17又は
Q18のいずれかが調整回路に対する出力トランジスタ
として作用するかを決定する。そのイネーブル信号が論
理1であり且つトランジスタQ3のコレクタにおける電
圧が高状態である場合には、電圧VIN2は8V未満で
あり且つ共通ベース電圧はスレッシュホールド電圧未満
である。調整回路の出力トランジスタはこれらの条件下
の下ではトランジスタQ17である。スイッチM11は
論理1の値を持った信号Diff1によってイネーブル
即ち動作可能状態とされる。信号Pcomp1はトラン
ジスタM101をイネーブル即ち動作可能とさせ且つト
ランジスタQ2におけるコレクタ電圧がレベルシフトさ
れ且つトランジスタQ17のベースへ印加されることを
可能とさせる。信号Diff2はトランジスタM12を
ターンオフし、トランジスタM102は信号Pcomp
2によってターンオフされ、トランジスタM18は、パ
ス要素Q18がそのベースを接地電圧とさせることによ
ってオフされることを確保する。
ジスタQ3のコレクタ電圧は、トランジスタQ17又は
Q18のいずれかが調整回路に対する出力トランジスタ
として作用するかを決定する。そのイネーブル信号が論
理1であり且つトランジスタQ3のコレクタにおける電
圧が高状態である場合には、電圧VIN2は8V未満で
あり且つ共通ベース電圧はスレッシュホールド電圧未満
である。調整回路の出力トランジスタはこれらの条件下
の下ではトランジスタQ17である。スイッチM11は
論理1の値を持った信号Diff1によってイネーブル
即ち動作可能状態とされる。信号Pcomp1はトラン
ジスタM101をイネーブル即ち動作可能とさせ且つト
ランジスタQ2におけるコレクタ電圧がレベルシフトさ
れ且つトランジスタQ17のベースへ印加されることを
可能とさせる。信号Diff2はトランジスタM12を
ターンオフし、トランジスタM102は信号Pcomp
2によってターンオフされ、トランジスタM18は、パ
ス要素Q18がそのベースを接地電圧とさせることによ
ってオフされることを確保する。
【0027】電圧VIN2がスレッシュホールド電圧よ
りも大きい場合におけるように、トランジスタQ3のコ
レクタ電圧が低状態であると、調整回路の出力トランジ
スタはトランジスタQ18である。信号Diff2がト
ランジスタM12をイネーブル即ち動作可能状態とさせ
且つトランジスタQ117のベースを駆動する。信号P
comp2がトランジスタM102をイネーブル即ち動
作可能状態とさせ且つトランジスタQ2におけるコレク
タ電圧がレベルシフトし且つトランジスタQ18のベー
スへ印加させることを可能とする。信号Diff1がト
ランジスタM11をターンオフし、信号Pcomp2が
トランジスタM101をターンオフし、トランジスタM
17は、パス要素Q17がそのベースを接地電圧へ移行
させることによってオフとなることを確保する。
りも大きい場合におけるように、トランジスタQ3のコ
レクタ電圧が低状態であると、調整回路の出力トランジ
スタはトランジスタQ18である。信号Diff2がト
ランジスタM12をイネーブル即ち動作可能状態とさせ
且つトランジスタQ117のベースを駆動する。信号P
comp2がトランジスタM102をイネーブル即ち動
作可能状態とさせ且つトランジスタQ2におけるコレク
タ電圧がレベルシフトし且つトランジスタQ18のベー
スへ印加させることを可能とする。信号Diff1がト
ランジスタM11をターンオフし、信号Pcomp2が
トランジスタM101をターンオフし、トランジスタM
17は、パス要素Q17がそのベースを接地電圧へ移行
させることによってオフとなることを確保する。
【0028】電圧調整回路及び比較器回路がイネーブル
ピン上の低レベル信号によってディスエーブル即ち動作
不能状態とされると、高温度におけるトランジスタQ1
16におけるリーク電流がVccにおける電圧レベルを
増加させる可能性がある。このことはVccへ接続され
ているその他のバイアススイッチをして不本意に電流を
導通させる可能性がある。このことが発生する可能性を
減少させるために、イネーブル信号が低状態である場合
には、信号Pcomp1及びPcomp2は夫々トラン
ジスタM17及びM18をターンオンさせる。従って、
出力装置のベース内へのリーク電流はこれらの低抵抗ス
イッチを介して接地へそらせる。
ピン上の低レベル信号によってディスエーブル即ち動作
不能状態とされると、高温度におけるトランジスタQ1
16におけるリーク電流がVccにおける電圧レベルを
増加させる可能性がある。このことはVccへ接続され
ているその他のバイアススイッチをして不本意に電流を
導通させる可能性がある。このことが発生する可能性を
減少させるために、イネーブル信号が低状態である場合
には、信号Pcomp1及びPcomp2は夫々トラン
ジスタM17及びM18をターンオンさせる。従って、
出力装置のベース内へのリーク電流はこれらの低抵抗ス
イッチを介して接地へそらせる。
【0029】以下の表は電圧VIN2及びイネーブル信
号の関数としての比較器に対する種々の出力信号の状態
の要約を示している。
号の関数としての比較器に対する種々の出力信号の状態
の要約を示している。
【0030】 VIN2<Vthreshold VIN2>Vthreshold イネーブル 0 1 0 1 Diff1 0 1 0 0 Diff2 0 0 0 1 Pcomp1 1 0 1 1 Pcomp2 1 1 1 0 上述した電圧調整器を使用することによって、低電圧集
積化プロセスを使用することが可能である。何故なら
ば、電源電圧は決してロードダンプ高電圧に到達するこ
とはなく、従って第二パストランジスタは高電圧条件に
露呈されることがないからである。更に、第一トランジ
スタは、そのベースが接地されているので、例えばロー
ドダンプ条件等においてより高い電圧に耐えることが可
能である。上述した本発明は、従来の電圧調整器と比較
して、低電圧集積化プロセス技術を使用して製造するこ
とが可能であるという点において有利である。
積化プロセスを使用することが可能である。何故なら
ば、電源電圧は決してロードダンプ高電圧に到達するこ
とはなく、従って第二パストランジスタは高電圧条件に
露呈されることがないからである。更に、第一トランジ
スタは、そのベースが接地されているので、例えばロー
ドダンプ条件等においてより高い電圧に耐えることが可
能である。上述した本発明は、従来の電圧調整器と比較
して、低電圧集積化プロセス技術を使用して製造するこ
とが可能であるという点において有利である。
【0031】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図1】 従来公知の電圧調整回路を示した概略図。
【図2】 本発明の好適実施例に基づいて構成した電圧
調整器回路を示した概略図。
調整器回路を示した概略図。
【図3】 電圧調整器回路の好適実施例を制御するため
に使用される比較器の好適実施例を示した概略図。
に使用される比較器の好適実施例を示した概略図。
C14 コンデンサ Diff2 信号 M6 Nチャンネルトランジスタ M11 Nチャンネルトランジスタ M12 Nチャンネルトランジスタ M18 Nチャンネルトランジスタ M101,M102 Pチャンネルトランジスタ M105,M106 Pチャンネルトランジスタ Q1,Q2 NPNトランジスタ Q16 NPNトランジスタ Q18 NPNトランジスタ Q19,Q20 NPNトランジスタ Q101 PNPトランジスタ Q112,Q114 PNPトランジスタ Q116 PNPトランジスタ Q117 NPNトランジスタ Q118,Q119 PNPトランジスタ R1,R2 抵抗 R50,R51 抵抗 R101 抵抗 R114 抵抗 Rbias 抵抗 VIN1 自動車バッテリ電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリック ジェイ. ダンストローム アメリカ合衆国, ミシガン 48336, ファーミントン ヒルズ, アーデ パー ク ドライブ 25740 (72)発明者 ミッチェル アンソニー ベルサー アメリカ合衆国, ミシガン 48335, ファーミントン ヒルズ, ウッドビュー コート 24969, ナンバー 203 (72)発明者 ウイリアム アーネスト エドワーズ アメリカ合衆国, ミシガン 48381, ミルフォード, ヒッコリー 625
Claims (16)
- 【請求項1】 電圧調整器回路において、 バッテリ電圧によって電力が供給される第一回路であっ
て、出力端を具備すると共に前記第一回路をイネーブル
させる手段を有する第一回路、 電源電圧によって電力が供給される第二回路であって、
前記第一回路の出力端へ接続している出力端であって且
つ本電圧調整器回路の出力端を形成している出力端を具
備すると共に前記第二回路をイネーブルさせる手段を具
備する第二回路、 前記電源電圧へ接続している入力端を具備すると共に前
記第一回路をイネーブルさせる手段へ結合されている出
力端を具備しており且つ前記第二回路をイネーブルさせ
る手段へ結合されている反転出力端を具備している比較
器、を有しており、前記電源電圧が所定の電圧より低い
場合には前記第一回路がイネーブルされ且つ前記第二回
路がディスエーブルされ、且つ前記電源電圧が所定電圧
よりも高い場合には前記第一回路がディスエーブルされ
且つ前記第二回路がイネーブルされることを特徴とする
電圧調整器回路。 - 【請求項2】 請求項1において、前記所定の電圧が約
9Vであることを特徴とする電圧調整器回路。 - 【請求項3】 請求項1において、前記第一回路が第一
パス要素と、第一調整回路と、第一トランジスタとを有
しており、且つ前記第二回路が第二パス要素と、第二調
整回路と、第二トランジスタとを有していることを特徴
とする電圧調整器回路。 - 【請求項4】 電圧調整器回路において、 出力端を具備しているバンドギャップをベースとした調
整回路、 前記バンドギャップをベースとした調整回路の出力端へ
結合している入力端を具備する第一電圧レベルシフト回
路であって、前記第一電圧レベルシフト回路をイネーブ
ルさせる手段を具備すると共に出力端を具備している第
一電圧レベルシフト回路、 第一端部と第二端部とを具備する電流経路を持っており
且つ制御要素を持っている第一パス要素であって、前記
電流経路の第一端部がバッテリ電圧へ結合されており、
且つ前記制御要素が前記第一電圧レベルシフト回路の出
力端へ結合している第一パス要素、 前記バンドギャップをベースとした調整回路の出力端へ
結合している入力端を具備する第二電圧レベルシフト回
路であって、前記第二電圧レベルシフト回路をイネーブ
ルさせる手段を具備すると共に出力端を具備する第二電
圧レベルシフト回路、 第一端部と第二端部とを具備する電流経路を持っており
且つ制御要素を持っている第二パス要素であって、前記
電流経路の第一端部は電源電圧へ結合しており、前記制
御要素は前記第二電圧レベルシフト回路の出力端へ結合
しており、且つ前記電流経路の第二端部は前記第一パス
要素の電流経路の第二端部へ接続しており且つ本電圧調
整器回路の出力端を形成している第二パス要素、 前記電源電圧へ結合している入力端を持っており、内部
基準電圧を持っており、前記第一電圧レベルシフト回路
をイネーブルさせる手段へ結合している出力端を持って
おり、且つ前記第二電圧レベルシフト回路をイネーブル
させる手段へ結合されている反転出力端を持っている比
較器回路、 を有しており、前記電源電圧が前記内部基準電圧と比較
されて、前記電源電圧が所定電圧よりも低い場合には、
前記第一パス要素がターンオンされ且つ前記第二パス要
素がターンオフされ、且つ前記電源電圧が所定電圧より
も高い場合には、前記第一パス要素がターンオフされ且
つ前記第二パス要素がターンオンされることを特徴とす
る電圧調整回路。 - 【請求項5】 請求項4において、前記比較器回路にお
ける所定電圧が約9Vであることを特徴とする電圧調整
器回路。 - 【請求項6】 請求項4において、前記比較器における
基準電圧が破壊したバンドギャップ回路を使用して発生
されることを特徴とする電圧調整器回路。 - 【請求項7】 請求項4において、前記第一及び第二パ
ス要素がバイポーラトランジスタを有することを特徴と
する電圧調整器回路。 - 【請求項8】 請求項6において、前記第一及び第二パ
ス要素がNPNバイポーラトランジスタを有することを
特徴とする電圧調整器回路。 - 【請求項9】 電圧調整器回路によって電力が供給され
るオンボードのエレクトロニクスを有する自動車におい
て、 出力端を具備しているバンドギャップをベースとした調
整回路、 前記バンドギャップをベースとした調整回路の出力端へ
結合している入力端を持った第一電圧レベルシフト回路
であって、前記第一電圧レベルシフト回路をイネーブル
させる手段を持っており、且つ出力端を持っている第一
電圧レベルシフト回路、 第一端部と第二端部とを具備する電流経路を持っており
且つ制御要素を持っている第一パス要素であって、前記
電流経路の第一端部がバッテリ電圧へ結合しており、且
つ前記制御要素が前記第一電圧レベルシフト回路の出力
端へ結合している第一パス要素、 前記バンドギャップをベースとした調整回路の出力端へ
結合している入力端を持っている第二電圧レベルシフト
回路であって、前記第二電圧レベルシフト回路をイネー
ブルする手段を持っており且つ出力端を持っている第二
電圧レベルシフト回路、 第一端部と第二端部とを具備する電流経路を持っており
且つ制御要素を持っている第二パス要素であって、前記
電流経路の第一端部が電源電圧へ結合しており、前記制
御要素が前記第二電圧レベルシフト回路の出力端へ結合
しており、且つ前記電流経路の第二端部が前記第一パス
要素の電流経路の第二端部へ接続すると共に本電圧調整
器回路の出力端を形成している第二パス要素、 前記電源電圧へ結合している入力端を持っており、内部
基準電圧を持っており、前記第一電圧レベルシフト回路
をイネーブルさせるための手段へ結合している出力端を
持っており、且つ前記第二電圧レベルシフト回路をイネ
ーブルさせるための手段へ結合している反転出力端を持
っている比較器回路、 を有しており、前記電源電圧が前記内部基準電圧と比較
されて、前記電源電圧が所定電圧よりも低い場合には、
前記第一パス要素がターンオンされ且つ前記第二パス要
素がターンオフされ、且つ前記電源電圧が所定電圧より
も高い場合には、前記第一パス要素がターンオフされ且
つ前記第二パス要素がターンオンされることを特徴とす
る電圧調整器回路。 - 【請求項10】 請求項9において、前記比較器回路に
おける所定電圧が約9Vであることを特徴とする電圧調
整器回路。 - 【請求項11】 請求項9において、前記所定電圧が破
壊されたバンドギャップ電圧回路で発生されることを特
徴とする電圧調整器回路。 - 【請求項12】 請求項9において、前記第一及び第二
パス要素がバイポーラトランジスタを有することを特徴
とする電圧調整器回路。 - 【請求項13】 請求項12において、前記第一及び第
二バイポーラトランジスタがNPNトランジスタを有す
ることを特徴とする電圧調整器回路。 - 【請求項14】 自動車における電圧を調整する方法に
おいて、 電源電圧が使用可能でない場合には電圧調整器回路をバ
ッテリで電力供給し、 電源電圧が使用可能である場合には電圧調整器回路を電
源電圧で電力供給する、上記各ステップを有することを
特徴とする方法。 - 【請求項15】 請求項14において、更に、 電源電圧を基準電圧と比較し、 前記電源電圧が所定電圧を超えることに応答して前記電
圧調整器回路を電源電圧で電力供給する、上記各ステッ
プを有することを特徴とする方法。 - 【請求項16】 請求項15において、前記所定電圧が
約9Vであることを特徴とする方法。
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|---|---|---|---|
| US52134495A | 1995-08-30 | 1995-08-30 | |
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| JP (1) | JPH09128080A (ja) |
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- 1996-08-30 JP JP8230763A patent/JPH09128080A/ja active Pending
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1997
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