JPH09128772A - 光学ピックアップ - Google Patents
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成により、フォーカスエラー信号も
検出されるようにした、モノリシック集積型受発光素子
と、これを利用した光学ピックアップ及び光ディスク装
置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１３上に形成された半導体レ
ーザ素子１４及びその前面に対向して斜めに配設された
反射鏡１５から成る発光部と、上記半導体レーザ素子の
前面から出射され、反射鏡で反射された光ビームを光デ
ィスク等に照射し、その戻り光を共焦点近傍で受光する
ように半導体基板に形成された光検出器１７とを含み、
半導体レーザ素子の後面に対向するように半導体基板に
形成された第二の反射鏡１６と、半導体レーザ素子の後
面から出射された光ビームが対物レンズを介して光ディ
スクに照射し、光ディスクで反射された第二の戻り光を
共焦点近傍で受光するように半導体基板に形成された第
二の光検出器１８と、を含むように、受発光素子１１を
構成する。
検出されるようにした、モノリシック集積型受発光素子
と、これを利用した光学ピックアップ及び光ディスク装
置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１３上に形成された半導体レ
ーザ素子１４及びその前面に対向して斜めに配設された
反射鏡１５から成る発光部と、上記半導体レーザ素子の
前面から出射され、反射鏡で反射された光ビームを光デ
ィスク等に照射し、その戻り光を共焦点近傍で受光する
ように半導体基板に形成された光検出器１７とを含み、
半導体レーザ素子の後面に対向するように半導体基板に
形成された第二の反射鏡１６と、半導体レーザ素子の後
面から出射された光ビームが対物レンズを介して光ディ
スクに照射し、光ディスクで反射された第二の戻り光を
共焦点近傍で受光するように半導体基板に形成された第
二の光検出器１８と、を含むように、受発光素子１１を
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学ピックアップ
に関し、特にコンパクトディスク等の光ディスク状記録
媒体に対して用いられる光学ピックアップに関するもの
である。
に関し、特にコンパクトディスク等の光ディスク状記録
媒体に対して用いられる光学ピックアップに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような光ディスクの再生を行
なうための光学ピックアップは、例えば図１０に示すよ
うに、受発光素子２及び対物レンズ３を備えている。
なうための光学ピックアップは、例えば図１０に示すよ
うに、受発光素子２及び対物レンズ３を備えている。
【０００３】上記受発光素子２は、図示のように、一つ
の半導体基板２ａ上に一体に構成されている。この受発
光素子２は、発光部が、半導体基板２ａ上に形成された
半導体レーザ素子２ｂと、半導体基板２ａの表面から傾
斜して形成された反射鏡２ｃとから構成され、また光検
出器が、半導体基板２ａ上にて共焦点近傍に形成された
フォトダイオードから成る光検出器２ｄとから構成され
ている。半導体レーザ素子２ｂは、半導体の再結合発光
を利用した発光素子であり、図示の場合には、水平共振
器を有する構成であって、発光部として使用される。半
導体レーザ素子２ｂの前面から水平方向に出射した光ビ
ームは、反射鏡２ｃに導かれる。
の半導体基板２ａ上に一体に構成されている。この受発
光素子２は、発光部が、半導体基板２ａ上に形成された
半導体レーザ素子２ｂと、半導体基板２ａの表面から傾
斜して形成された反射鏡２ｃとから構成され、また光検
出器が、半導体基板２ａ上にて共焦点近傍に形成された
フォトダイオードから成る光検出器２ｄとから構成され
ている。半導体レーザ素子２ｂは、半導体の再結合発光
を利用した発光素子であり、図示の場合には、水平共振
器を有する構成であって、発光部として使用される。半
導体レーザ素子２ｂの前面から水平方向に出射した光ビ
ームは、反射鏡２ｃに導かれる。
【０００４】反射鏡２ｃは、例えば４５度の傾斜角を有
するように、半導体基板２ａに設けられた斜面に対し
て、例えば金属膜や誘電体多層膜等から成る反射膜を形
成することにより、構成されている。これにより、反射
鏡２ｃは、半導体レーザ素子２ｂからの光ビームを、図
面にて上方に反射するようになっている。上方に反射さ
れたレーザ光は、対物レンズ３を介して、光ディスク４
の信号記録面に収束され、ここで反射されて戻り光とな
る。この戻り光は再び、対物レンズ３を介して、受発光
素子２の光検出器２ｄに入射するようになっている。
するように、半導体基板２ａに設けられた斜面に対し
て、例えば金属膜や誘電体多層膜等から成る反射膜を形
成することにより、構成されている。これにより、反射
鏡２ｃは、半導体レーザ素子２ｂからの光ビームを、図
面にて上方に反射するようになっている。上方に反射さ
れたレーザ光は、対物レンズ３を介して、光ディスク４
の信号記録面に収束され、ここで反射されて戻り光とな
る。この戻り光は再び、対物レンズ３を介して、受発光
素子２の光検出器２ｄに入射するようになっている。
【０００５】対物レンズ３は、凸レンズであって、受発
光素子２からの光ビームを、図示しない駆動手段によっ
て回転駆動される光ディスク４の信号記録面の所望のト
ラック上に結像させる。
光素子２からの光ビームを、図示しない駆動手段によっ
て回転駆動される光ディスク４の信号記録面の所望のト
ラック上に結像させる。
【０００６】尚、前記光検出器２ｄは、例えば図１０に
おいて左右方向及び紙面に垂直な方向に関して分割され
ることにより、４つのセンサ部を備えている。そして、
光検出器２ｄの各センサ部の検出信号は、図示しない処
理回路において、それぞれヘッドアンプにより増幅され
た後、演算回路によって、それぞれ再生信号，トラッキ
ングエラー信号が演算されるようになっている。
おいて左右方向及び紙面に垂直な方向に関して分割され
ることにより、４つのセンサ部を備えている。そして、
光検出器２ｄの各センサ部の検出信号は、図示しない処
理回路において、それぞれヘッドアンプにより増幅され
た後、演算回路によって、それぞれ再生信号，トラッキ
ングエラー信号が演算されるようになっている。
【０００７】このような構成の光学ピックアップ１によ
れば、半導体レーザ素子２ｂから出射された光ビーム
は、半導体基板２ａ上の反射鏡２ｃにより反射され、対
物レンズ３を介して、光ディスク４の信号記録面に収束
される。
れば、半導体レーザ素子２ｂから出射された光ビーム
は、半導体基板２ａ上の反射鏡２ｃにより反射され、対
物レンズ３を介して、光ディスク４の信号記録面に収束
される。
【０００８】光ディスク４の信号記録面で反射される戻
り光ビームは、再び対物レンズ３を透過し、受発光素子
２の光検出器２ｄに入射する。これにより、受発光素子
２の光検出器２ｄの各センサ部からの出力信号に基づい
て、再生信号そしてトラッキングエラー信号が演算され
る。
り光ビームは、再び対物レンズ３を透過し、受発光素子
２の光検出器２ｄに入射する。これにより、受発光素子
２の光検出器２ｄの各センサ部からの出力信号に基づい
て、再生信号そしてトラッキングエラー信号が演算され
る。
【０００９】この場合、図１１及び図１２に示すよう
に、半導体レーザ素子２ｂの出射光の直径φｓが数μｍ
程度の大きさに構成されることにより、対物レンズ３の
回折限界φｓ（例えば１０μｍ程度）まで集光された場
合、戻り光のうちいわば最終的戻り光Ｌｒが、光検出器
２ｄに入射するようになっているので、効率の良い受光
が可能となっている。
に、半導体レーザ素子２ｂの出射光の直径φｓが数μｍ
程度の大きさに構成されることにより、対物レンズ３の
回折限界φｓ（例えば１０μｍ程度）まで集光された場
合、戻り光のうちいわば最終的戻り光Ｌｒが、光検出器
２ｄに入射するようになっているので、効率の良い受光
が可能となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された光学ピックアップ１においては、フォー
カスエラー信号を得るためには、戻り光の光路中に、シ
リンドリカルレンズ等の外部光学部品を設けて、非点収
差を発生させる必要がある。このため、部品点数が多く
なり、部品コストや組立コストが高くなってしまう。
さらに、このような外部光学部品を使用してフォーカス
エラー信号を得る場合、環境変化等によって、これらの
外部光学部品が所定位置からずれてしまうと、受発光素
子の光検出器上に形成される戻り光のスポットが初期状
態から移動してしまうことになり、フォーカスサーボの
精度が低下してしまうことになる。かくして、高精度を
目指したモノリシック集積型受発光素子２の信頼性が損
なわれてしまうことになる。
うに構成された光学ピックアップ１においては、フォー
カスエラー信号を得るためには、戻り光の光路中に、シ
リンドリカルレンズ等の外部光学部品を設けて、非点収
差を発生させる必要がある。このため、部品点数が多く
なり、部品コストや組立コストが高くなってしまう。
さらに、このような外部光学部品を使用してフォーカス
エラー信号を得る場合、環境変化等によって、これらの
外部光学部品が所定位置からずれてしまうと、受発光素
子の光検出器上に形成される戻り光のスポットが初期状
態から移動してしまうことになり、フォーカスサーボの
精度が低下してしまうことになる。かくして、高精度を
目指したモノリシック集積型受発光素子２の信頼性が損
なわれてしまうことになる。
【００１１】本発明は、以上の点に鑑み、フォーカスエ
ラー信号も検出されるようにした、小型な集積型受発光
素子と、これを利用した光学ピックアップ及び光ディス
ク装置を提供することを目的としている。
ラー信号も検出されるようにした、小型な集積型受発光
素子と、これを利用した光学ピックアップ及び光ディス
ク装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、半導体基板上に形成された水平共振器を有する半
導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の前面に対向
して斜めに配設された反射体から成る発光部と、前記半
導体レーザ素子の前面から出射され、前記反射体で反射
された光ビームが照射対象に対して照射され、その戻り
光が共焦点近傍で受光されるように半導体基板に形成さ
れた光検出器と、前記半導体レーザ素子の後面に対向す
るように半導体基板に形成された第二の反射体と、半導
体レーザ素子の後面から出射された光ビームが対物レン
ズを介して照射対象に対して照射され、この照射対象に
て反射された第二の戻り光を共焦点近傍で受光するよう
に半導体基板に形成された第二の光検出器とを備える、
受発光素子により、達成される。
れば、半導体基板上に形成された水平共振器を有する半
導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の前面に対向
して斜めに配設された反射体から成る発光部と、前記半
導体レーザ素子の前面から出射され、前記反射体で反射
された光ビームが照射対象に対して照射され、その戻り
光が共焦点近傍で受光されるように半導体基板に形成さ
れた光検出器と、前記半導体レーザ素子の後面に対向す
るように半導体基板に形成された第二の反射体と、半導
体レーザ素子の後面から出射された光ビームが対物レン
ズを介して照射対象に対して照射され、この照射対象に
て反射された第二の戻り光を共焦点近傍で受光するよう
に半導体基板に形成された第二の光検出器とを備える、
受発光素子により、達成される。
【００１３】上記構成によれば、受発光素子の発光部の
半導体レーザ素子の前面から出射された光ビームは、反
射体としての例えば反射鏡により反射された後、対物レ
ンズを介して回転する光ディスクの信号記録面に照射さ
れる。光ディスク状記録媒体の信号記録面により反射さ
れる戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発光素
子の光検出器に入射することになる。かくして、光検出
器の出力信号に基づいて、再生信号及びトラッキングエ
ラー信号が検出されることになる。
半導体レーザ素子の前面から出射された光ビームは、反
射体としての例えば反射鏡により反射された後、対物レ
ンズを介して回転する光ディスクの信号記録面に照射さ
れる。光ディスク状記録媒体の信号記録面により反射さ
れる戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発光素
子の光検出器に入射することになる。かくして、光検出
器の出力信号に基づいて、再生信号及びトラッキングエ
ラー信号が検出されることになる。
【００１４】さらに、受発光素子の発光部の半導体レー
ザ素子の後面から出射された光ビームは、第二の反射
体，例えば第二の反射鏡により反射された後、対物レン
ズを介して光ディスクの信号記録面に照射される。光デ
ィスク状記録媒体の信号記録面により反射された第二の
戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発光素子の
第二の光検出器に入射することになる。かくして、この
第二の光検出器の出力信号に基づいて、フォーカスエラ
ー信号が検出されることになる。
ザ素子の後面から出射された光ビームは、第二の反射
体，例えば第二の反射鏡により反射された後、対物レン
ズを介して光ディスクの信号記録面に照射される。光デ
ィスク状記録媒体の信号記録面により反射された第二の
戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発光素子の
第二の光検出器に入射することになる。かくして、この
第二の光検出器の出力信号に基づいて、フォーカスエラ
ー信号が検出されることになる。
【００１５】上記半導体レーザ素子の後面からの出射光
の光路中に、非点収差を発生させる光学要素、例えば光
軸に対して斜めに配設された平行平板状の光学部品また
は曲面を備えた第二の反射鏡が配設されている場合に
は、第二の戻り光がこれらの光学要素を透過する際また
は反射される際に、非点収差が付与されることになる。
従って、第二の光検出器がこの非点収差の方向及び垂直
な方向に関して四分割されることにより、分割された各
センサ部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー
信号が得られることになる。
の光路中に、非点収差を発生させる光学要素、例えば光
軸に対して斜めに配設された平行平板状の光学部品また
は曲面を備えた第二の反射鏡が配設されている場合に
は、第二の戻り光がこれらの光学要素を透過する際また
は反射される際に、非点収差が付与されることになる。
従って、第二の光検出器がこの非点収差の方向及び垂直
な方向に関して四分割されることにより、分割された各
センサ部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー
信号が得られることになる。
【００１６】上記第二の反射鏡が、光軸に関して一側の
半分のみの光ビームを反射させるように形成されている
場合には、第二の戻り光が第二の光検出器上に形成する
スポットが半円状になり、フォーカス状態によって、こ
の半円状スポットの位置が代わることにより、第二の光
検出器が半円スポットの位置に対応して二分割されるこ
とにより、分割された各センサ部からの検出信号に基づ
いて、所謂フーコー法によって、フォーカスエラー信号
が得られることになる。
半分のみの光ビームを反射させるように形成されている
場合には、第二の戻り光が第二の光検出器上に形成する
スポットが半円状になり、フォーカス状態によって、こ
の半円状スポットの位置が代わることにより、第二の光
検出器が半円スポットの位置に対応して二分割されるこ
とにより、分割された各センサ部からの検出信号に基づ
いて、所謂フーコー法によって、フォーカスエラー信号
が得られることになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図９を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
を図１乃至図９を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
【００１８】図１及び図２は、本発明による光学ピック
アップの一実施形態を示しており、この場合、光学ピッ
クアップ１０は、往復同一光路型の光学ピックアップで
ある。図１において、光学ピックアップ１０は、受発光
素子１１及び対物レンズ１２を含んでいる。
アップの一実施形態を示しており、この場合、光学ピッ
クアップ１０は、往復同一光路型の光学ピックアップで
ある。図１において、光学ピックアップ１０は、受発光
素子１１及び対物レンズ１２を含んでいる。
【００１９】上記受発光素子１１は、図２に詳細に示す
ように、一つの半導体基板１３上に一体に構成されてい
る。即ち、受発光素子１１は、発光部が、半導体基板１
３上に形成された半導体レーザ素子１４と、半導体レー
ザ素子１４の前面側にて半導体基板１３の表面に形成さ
れた第一の反射体としての第一の反射鏡鏡１５と、半導
体レーザ素子１４の後面側にて半導体基板１３の表面に
形成された第二の反射体としての第二の反射鏡１６とを
備えている。
ように、一つの半導体基板１３上に一体に構成されてい
る。即ち、受発光素子１１は、発光部が、半導体基板１
３上に形成された半導体レーザ素子１４と、半導体レー
ザ素子１４の前面側にて半導体基板１３の表面に形成さ
れた第一の反射体としての第一の反射鏡鏡１５と、半導
体レーザ素子１４の後面側にて半導体基板１３の表面に
形成された第二の反射体としての第二の反射鏡１６とを
備えている。
【００２０】また光検出器が、半導体基板１３上にて、
上記二つの反射鏡１５，１６の周囲に形成されたフォト
ダイオードから成る第一の光検出器１７及び第二の光検
出器１８とから構成されている。半導体レーザ素子１４
は、半導体の再結合発光を利用した発光素子であり、図
示の場合には、水平共振器を有する構成であって、発光
部として使用される。半導体レーザ素子１４の前面から
水平方向に出射した第一の光ビームＬ１は、第一の反射
鏡１５に導かれると共に、半導体レーザ素子１４の後面
から水平方向に出射した第二の光ビームＬ２は、第二の
反射鏡１６に導かれる。
上記二つの反射鏡１５，１６の周囲に形成されたフォト
ダイオードから成る第一の光検出器１７及び第二の光検
出器１８とから構成されている。半導体レーザ素子１４
は、半導体の再結合発光を利用した発光素子であり、図
示の場合には、水平共振器を有する構成であって、発光
部として使用される。半導体レーザ素子１４の前面から
水平方向に出射した第一の光ビームＬ１は、第一の反射
鏡１５に導かれると共に、半導体レーザ素子１４の後面
から水平方向に出射した第二の光ビームＬ２は、第二の
反射鏡１６に導かれる。
【００２１】ここで、第一の反射鏡１５は、例えば４５
度の傾斜角を有するように、半導体基板１３に設けられ
た平坦な斜面に対して、例えば金属膜や誘電体多層膜等
から成る反射膜を形成することにより、構成されてい
る。これにより、第一の反射鏡１５は、半導体レーザ素
子１４の前面からの光ビームＬ１を、図面にて上方に向
かって垂直に反射するようになっている。上方に反射さ
れたレーザ光Ｌ１は、上述のように、対物レンズ１２を
介して、光ディスク１９の信号記録面に収束され、光デ
ィスク１９の信号記録面に照射されたレーザ光は、光デ
ィスク１９上で反射されて戻り光となる。この戻り光Ｌ
１は、再び、対物レンズ１２を介して、受発光素子１１
の第一の光検出器１７に入射するようになっている。
度の傾斜角を有するように、半導体基板１３に設けられ
た平坦な斜面に対して、例えば金属膜や誘電体多層膜等
から成る反射膜を形成することにより、構成されてい
る。これにより、第一の反射鏡１５は、半導体レーザ素
子１４の前面からの光ビームＬ１を、図面にて上方に向
かって垂直に反射するようになっている。上方に反射さ
れたレーザ光Ｌ１は、上述のように、対物レンズ１２を
介して、光ディスク１９の信号記録面に収束され、光デ
ィスク１９の信号記録面に照射されたレーザ光は、光デ
ィスク１９上で反射されて戻り光となる。この戻り光Ｌ
１は、再び、対物レンズ１２を介して、受発光素子１１
の第一の光検出器１７に入射するようになっている。
【００２２】また、第二の反射鏡１６は、ほぼ４５度の
傾斜角を有し、且つ光を反射させる際に非点収差を付与
するように、半導体基板１３に設けられた曲率を有する
斜面に対して、例えば金属膜や誘電体多層膜等から成る
反射膜を形成することにより、構成されている。これに
より、第二の反射鏡１６は、半導体レーザ素子１４の後
面からの光ビームＬ２を、図面にて上方に向かってほぼ
垂直に、即ち対物レンズ１２の中心に向かって反射する
ようになっている。上方に反射されたレーザ光Ｌ２は、
上述のように、対物レンズ１２を介して、光ディスク１
９の信号記録面に収束され、光ディスク１９の信号記録
面に照射されたレーザ光は、光ディスク１９上で反射さ
れ、再び、対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の
第二の光検出器１８に入射するようになっている。
傾斜角を有し、且つ光を反射させる際に非点収差を付与
するように、半導体基板１３に設けられた曲率を有する
斜面に対して、例えば金属膜や誘電体多層膜等から成る
反射膜を形成することにより、構成されている。これに
より、第二の反射鏡１６は、半導体レーザ素子１４の後
面からの光ビームＬ２を、図面にて上方に向かってほぼ
垂直に、即ち対物レンズ１２の中心に向かって反射する
ようになっている。上方に反射されたレーザ光Ｌ２は、
上述のように、対物レンズ１２を介して、光ディスク１
９の信号記録面に収束され、光ディスク１９の信号記録
面に照射されたレーザ光は、光ディスク１９上で反射さ
れ、再び、対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の
第二の光検出器１８に入射するようになっている。
【００２３】ここで、上記受発光素子１１の第二の反射
鏡１６は、図３に示すようにして製造される。尚、図３
においては、図１及び図２に比較して、受発光素子１１
の反対側から見た斜視図として示されているので、反射
鏡１６は、半導体レーザ素子１４の反対側即ち左側に示
されている。図３において、先づステップＳＴ１にて、
第一の導電型例えばｎ型のＧａＡｓまたはＩｎＰ化合物
半導体から成る基板２１上に、例えばＭＯＣＶＤ法等に
より、ＡｌＧａＡｓ等の第一の導電型であるｎ型の第一
のクラッド層２２と、ＧａＡｓまたはクラッド層２２に
対してＡｌ濃度の低いＡｌＧａＡｓ等による活性層２３
と、第二の導電型例えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第二
のクラッド層２４と、これと同じ導電型であるＧａＡｓ
等によるキャップ層２５とを順次にエピタキシャル成長
させることにより、半導体基板２０ができる。
鏡１６は、図３に示すようにして製造される。尚、図３
においては、図１及び図２に比較して、受発光素子１１
の反対側から見た斜視図として示されているので、反射
鏡１６は、半導体レーザ素子１４の反対側即ち左側に示
されている。図３において、先づステップＳＴ１にて、
第一の導電型例えばｎ型のＧａＡｓまたはＩｎＰ化合物
半導体から成る基板２１上に、例えばＭＯＣＶＤ法等に
より、ＡｌＧａＡｓ等の第一の導電型であるｎ型の第一
のクラッド層２２と、ＧａＡｓまたはクラッド層２２に
対してＡｌ濃度の低いＡｌＧａＡｓ等による活性層２３
と、第二の導電型例えばｐ型のＡｌＧａＡｓによる第二
のクラッド層２４と、これと同じ導電型であるＧａＡｓ
等によるキャップ層２５とを順次にエピタキシャル成長
させることにより、半導体基板２０ができる。
【００２４】次に、ステップＳＴ２にて、上記半導体基
板２０のキャップ層２５上から、最終的に半導体レーザ
素子の共振器を構成する領域を挟むように、電流阻止領
域２６を、第一の導電型例えばｎ型の不純物をイオン注
入することにより、形成する。
板２０のキャップ層２５上から、最終的に半導体レーザ
素子の共振器を構成する領域を挟むように、電流阻止領
域２６を、第一の導電型例えばｎ型の不純物をイオン注
入することにより、形成する。
【００２５】その後、ステップＳＴ３にて、上記半導体
基板２０の上記電流阻止領域２６に隣接した位置にて、
表面からほぼ４５度の角度の斜め方向に、基板２１に達
する深さのストライプ状の斜め溝２７ａをＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）等の異方性エッチングにより形成
する。ここで、斜め溝２７ａは、前述した反射鏡１６の
曲面に対応した曲面２７ｂを有するように、形成され
る。
基板２０の上記電流阻止領域２６に隣接した位置にて、
表面からほぼ４５度の角度の斜め方向に、基板２１に達
する深さのストライプ状の斜め溝２７ａをＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）等の異方性エッチングにより形成
する。ここで、斜め溝２７ａは、前述した反射鏡１６の
曲面に対応した曲面２７ｂを有するように、形成され
る。
【００２６】さらに、ステップＳＴ４にて、上記斜め溝
２７ａのストライプ方向に沿ってその近傍に、ストライ
プ状の幅が例えば数μｍの垂直溝２７を、ＲＩＥ等によ
る基板面に対して垂直方向に基板２１に至る深さに掘り
込んで形成する。これにより、斜め溝２７ａ及び曲面２
７ｂと反対側の垂直溝２７の内側面により、半導体レー
ザ素子１４の一方の共振器端面（後面）２８ａを形成す
る。
２７ａのストライプ方向に沿ってその近傍に、ストライ
プ状の幅が例えば数μｍの垂直溝２７を、ＲＩＥ等によ
る基板面に対して垂直方向に基板２１に至る深さに掘り
込んで形成する。これにより、斜め溝２７ａ及び曲面２
７ｂと反対側の垂直溝２７の内側面により、半導体レー
ザ素子１４の一方の共振器端面（後面）２８ａを形成す
る。
【００２７】続いて、ステップＳＴ５にて、上記半導体
基板２０の斜め溝２７ａ及び曲面２７ｂの垂直溝２７と
は反対側の斜面に対して、金属膜や誘電体多層膜等より
成る反射膜を被着して、反射鏡１６を形成する。これに
より、この領域における半導体レーザ素子１４と、その
後面に対向する反射鏡１６が構成されることになる。
基板２０の斜め溝２７ａ及び曲面２７ｂの垂直溝２７と
は反対側の斜面に対して、金属膜や誘電体多層膜等より
成る反射膜を被着して、反射鏡１６を形成する。これに
より、この領域における半導体レーザ素子１４と、その
後面に対向する反射鏡１６が構成されることになる。
【００２８】また、ステップＳＴ６にて、上記半導体基
板２０のキャップ層２５のうち、半導体レーザ素子１４
と対向する領域を除去して、窓部２５ａを形成し、窓部
２９内を受光面としてフォトダイオードＰＤより成る光
検出器１８を構成する。最後に、半導体レーザ素子１４
及び光検出器１８に対応するキャップ層２５の上に、そ
れぞれ一方の電極２９ａ及び２９ｂをオーミックに被着
成形すると共に、基板２１の下面に、他方の共通電極２
９ｃを形成する。かくして、受発光素子１１の反射鏡１
６の領域における反射鏡１６，半導体レーザ素子１４及
び光検出器１８が構成されるが、反射鏡１５そして第一
の光検出器１７と半導体レーザ素子１４の反射鏡１５側
も同様にして、反射鏡１６及び第二の光検出器１８と同
時に形成される。尚、上記の製造工程及び構成材料は、
例示したものであり、他の工程や材料が使用されること
は明らかである。
板２０のキャップ層２５のうち、半導体レーザ素子１４
と対向する領域を除去して、窓部２５ａを形成し、窓部
２９内を受光面としてフォトダイオードＰＤより成る光
検出器１８を構成する。最後に、半導体レーザ素子１４
及び光検出器１８に対応するキャップ層２５の上に、そ
れぞれ一方の電極２９ａ及び２９ｂをオーミックに被着
成形すると共に、基板２１の下面に、他方の共通電極２
９ｃを形成する。かくして、受発光素子１１の反射鏡１
６の領域における反射鏡１６，半導体レーザ素子１４及
び光検出器１８が構成されるが、反射鏡１５そして第一
の光検出器１７と半導体レーザ素子１４の反射鏡１５側
も同様にして、反射鏡１６及び第二の光検出器１８と同
時に形成される。尚、上記の製造工程及び構成材料は、
例示したものであり、他の工程や材料が使用されること
は明らかである。
【００２９】かくして、受発光素子１１は、その半導体
レーザ素子１４と第一の反射鏡１５，第二の反射鏡１６
及び第一の光検出器１７，第二の光検出器１８が、共通
の半導体基板２１上に形成されるので、発光部と受光部
との間隔が数μｍ程度にできると共に、これら相互の位
置も正確に設定されることになる。
レーザ素子１４と第一の反射鏡１５，第二の反射鏡１６
及び第一の光検出器１７，第二の光検出器１８が、共通
の半導体基板２１上に形成されるので、発光部と受光部
との間隔が数μｍ程度にできると共に、これら相互の位
置も正確に設定されることになる。
【００３０】尚、前記第一の光検出器１７は、図１の左
右方向に分割された二つのセンサ部から成り、また第二
の光検出器１８は、図４に示すように、４つのセンサ部
ａ，ｂ，ｃ，ｄに分割されている。そして、第一の光検
出器１７の各センサ部からの検出信号は、図示しない処
理回路において、それぞれヘッドアンプにより増幅され
た後、図示しない処理回路に出力される。また、第二の
光検出器１８の各センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信
号は、図示しない処理回路において、それぞれヘッドア
ンプにより増幅された後、図示しない演算回路に出力さ
れる。
右方向に分割された二つのセンサ部から成り、また第二
の光検出器１８は、図４に示すように、４つのセンサ部
ａ，ｂ，ｃ，ｄに分割されている。そして、第一の光検
出器１７の各センサ部からの検出信号は、図示しない処
理回路において、それぞれヘッドアンプにより増幅され
た後、図示しない処理回路に出力される。また、第二の
光検出器１８の各センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの検出信
号は、図示しない処理回路において、それぞれヘッドア
ンプにより増幅された後、図示しない演算回路に出力さ
れる。
【００３１】これにより、第一の光検出器１７の各セン
サ部からの検出信号に基づいて、演算回路により、それ
ぞれ和信号により再生信号が、また差信号によりトラッ
キングエラー信号が演算される。また、第二の光検出器
１８の各センサ部からの検出信号に基づいて、図示しな
い演算回路により、フォーカスエラー信号ＦＣＳが、
サ部からの検出信号に基づいて、演算回路により、それ
ぞれ和信号により再生信号が、また差信号によりトラッ
キングエラー信号が演算される。また、第二の光検出器
１８の各センサ部からの検出信号に基づいて、図示しな
い演算回路により、フォーカスエラー信号ＦＣＳが、
【数１】 により得られる。尚、第一の光検出器１７は、その受光
面の少なくとも一部が、半導体レーザ素子１４から光ビ
ームの波長をλ，対物レンズ１２の開口数をＮＡとする
とき、この受光面の配置基準面を横切る光ビームの光軸
からの距離が、例えば１．２２λ／ＮＡ以内の位置に設
けられている。
面の少なくとも一部が、半導体レーザ素子１４から光ビ
ームの波長をλ，対物レンズ１２の開口数をＮＡとする
とき、この受光面の配置基準面を横切る光ビームの光軸
からの距離が、例えば１．２２λ／ＮＡ以内の位置に設
けられている。
【００３２】本実施形態による光学ピックアップ１０は
以上のように構成されており、半導体レーザ素子１４の
前面から出射された光ビームＬ１は、半導体基板１３上
の反射鏡１５により反射され、対物レンズ１２を介し
て、光ディスク１９の信号記録面に収束される。
以上のように構成されており、半導体レーザ素子１４の
前面から出射された光ビームＬ１は、半導体基板１３上
の反射鏡１５により反射され、対物レンズ１２を介し
て、光ディスク１９の信号記録面に収束される。
【００３３】光ディスク１９の信号記録面で反射される
戻り光ビームＬ１は、再び対物レンズ１２を透過し、第
一の光検出器１７に入射する。かくして、第一の光検出
器１７の各センサ部からの出力信号に基づいて、再生信
号及びトラッキングエラー信号が演算される。
戻り光ビームＬ１は、再び対物レンズ１２を透過し、第
一の光検出器１７に入射する。かくして、第一の光検出
器１７の各センサ部からの出力信号に基づいて、再生信
号及びトラッキングエラー信号が演算される。
【００３４】また、半導体レーザ素子１４の後面から出
射された光ビームＬ２は、半導体基板１３上の反射鏡１
６により反射されると共に、その曲面により非点収差を
付与されて、対物レンズ１２を介して、光ディスク１９
の信号記録面に収束される。
射された光ビームＬ２は、半導体基板１３上の反射鏡１
６により反射されると共に、その曲面により非点収差を
付与されて、対物レンズ１２を介して、光ディスク１９
の信号記録面に収束される。
【００３５】光ディスク１９の信号記録面で反射された
戻り光ビームＬ２は、再び対物レンズ１２を透過し、第
二の光検出器１８に入射する。かくして、第二の光検出
器１８の各センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの出力信号に基
づいて、フォーカスエラー信号が演算される。この場
合、光ディスク１９が相対的に合焦位置にある場合に
は、第二の光検出器１８に形成される戻り光Ｌ２のスポ
ットは、図４の上段に示すように、円形となるので、各
センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄへの入射光量は同じであり、フ
ォーカスエラー信号ＦＣＳはゼロとなる。
戻り光ビームＬ２は、再び対物レンズ１２を透過し、第
二の光検出器１８に入射する。かくして、第二の光検出
器１８の各センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄからの出力信号に基
づいて、フォーカスエラー信号が演算される。この場
合、光ディスク１９が相対的に合焦位置にある場合に
は、第二の光検出器１８に形成される戻り光Ｌ２のスポ
ットは、図４の上段に示すように、円形となるので、各
センサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄへの入射光量は同じであり、フ
ォーカスエラー信号ＦＣＳはゼロとなる。
【００３６】これに対して、光ディスク１９が相対的に
合焦位置より近い場合には、上記スポットは図４の中段
に示すように、また光ディスク１９が相対的に合焦位置
より遠い場合には、上記スポットは図４の下段に示すよ
うになる。従って、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、そ
れぞれ負または正となる。尚、この場合、半導体レーザ
素子１４の後面からの光ビームＬ２の光ディスク１９へ
の照射位置は、半導体レーザ素子１４の前面からの光ビ
ームＬ１の光ディスク１９への照射位置からずれること
になるが、このずれ量は、反射鏡１５，１６の距離が例
えば約２００μｍ程度の場合には、対物レンズの倍率が
１／５のとき４０μｍ程度であり、フォーカス検出の点
においては問題とはならない。
合焦位置より近い場合には、上記スポットは図４の中段
に示すように、また光ディスク１９が相対的に合焦位置
より遠い場合には、上記スポットは図４の下段に示すよ
うになる。従って、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、そ
れぞれ負または正となる。尚、この場合、半導体レーザ
素子１４の後面からの光ビームＬ２の光ディスク１９へ
の照射位置は、半導体レーザ素子１４の前面からの光ビ
ームＬ１の光ディスク１９への照射位置からずれること
になるが、このずれ量は、反射鏡１５，１６の距離が例
えば約２００μｍ程度の場合には、対物レンズの倍率が
１／５のとき４０μｍ程度であり、フォーカス検出の点
においては問題とはならない。
【００３７】図５及び図６は、本発明による光学ピック
アップの第二の実施形態である。図５及び図６におい
て、光学ピックアップ３０は、図１の光学ピックアップ
１０に比較して、半導体レーザ素子１４の後面に対向す
る第二の反射鏡３１が平面鏡であると共に、受発光素子
１１の上方に平行平板状の光学部材、図示の場合ウィン
ドウガラス３２が配設されている点を除いて、他の構成
即ち受発光素子１１，対物レンズ１２については同じ構
成である。上記ウィンドウガラス３２は、図示の場合、
パッケージ３３内に収容された受発光素子１１のカバー
として配設されており、受発光素子１１の半導体基板１
３に対して平行に配設されている。これにより、上記ウ
ィンドウガラス３２は、半導体レーザ素子１４の後面か
ら出射して平面反射鏡３１により反射された光ビームＬ
２に対して、斜めに配設されることになるため、この光
ビームＬ２に対して非点収差を付与することになる。
アップの第二の実施形態である。図５及び図６におい
て、光学ピックアップ３０は、図１の光学ピックアップ
１０に比較して、半導体レーザ素子１４の後面に対向す
る第二の反射鏡３１が平面鏡であると共に、受発光素子
１１の上方に平行平板状の光学部材、図示の場合ウィン
ドウガラス３２が配設されている点を除いて、他の構成
即ち受発光素子１１，対物レンズ１２については同じ構
成である。上記ウィンドウガラス３２は、図示の場合、
パッケージ３３内に収容された受発光素子１１のカバー
として配設されており、受発光素子１１の半導体基板１
３に対して平行に配設されている。これにより、上記ウ
ィンドウガラス３２は、半導体レーザ素子１４の後面か
ら出射して平面反射鏡３１により反射された光ビームＬ
２に対して、斜めに配設されることになるため、この光
ビームＬ２に対して非点収差を付与することになる。
【００３８】このような構成の光学ピックアップ３０に
よれば、受発光素子１１からの光ビームＬ１は、対物レ
ンズ１２を介して、光ディスク１９の信号記録面に収束
される。そして、光ディスク１９からの戻り光Ｌ１は、
対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の第一の光検
出器１７に入射する。他方、受発光素子１１からの光ビ
ームＬ２は、平坦な反射鏡３１により反射され、ウィン
ドウガラス３２及び対物レンズ１２を介して、光ディス
ク１９の信号記録面に収束される。そして、光ディスク
１９からの戻り光Ｌ２は、対物レンズ１２を介して、受
発光素子１１の第二の光検出器１８に入射する。この場
合、光ビームＬ２は、ウィンドウガラス３２を透過する
際に、非点収差を付与されるので、図１に示した光学ピ
ックアップ１０の場合と同様にして、第二の光検出器１
８にフォーカシング状態に応じた形状のスポットを形成
する。これにより、各光検出器１７，１８からの検出信
号に基づいて、同様にして、再生信号及びトラッキング
エラー信号と、フォーカスエラー信号ＦＣＳがそれぞれ
検出されることになる。
よれば、受発光素子１１からの光ビームＬ１は、対物レ
ンズ１２を介して、光ディスク１９の信号記録面に収束
される。そして、光ディスク１９からの戻り光Ｌ１は、
対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の第一の光検
出器１７に入射する。他方、受発光素子１１からの光ビ
ームＬ２は、平坦な反射鏡３１により反射され、ウィン
ドウガラス３２及び対物レンズ１２を介して、光ディス
ク１９の信号記録面に収束される。そして、光ディスク
１９からの戻り光Ｌ２は、対物レンズ１２を介して、受
発光素子１１の第二の光検出器１８に入射する。この場
合、光ビームＬ２は、ウィンドウガラス３２を透過する
際に、非点収差を付与されるので、図１に示した光学ピ
ックアップ１０の場合と同様にして、第二の光検出器１
８にフォーカシング状態に応じた形状のスポットを形成
する。これにより、各光検出器１７，１８からの検出信
号に基づいて、同様にして、再生信号及びトラッキング
エラー信号と、フォーカスエラー信号ＦＣＳがそれぞれ
検出されることになる。
【００３９】図７及び図８は、本発明による光学ピック
アップの第三の実施形態である。図７及び図８におい
て、光学ピックアップ４０は、図１の光学ピックアップ
１０に比較して、半導体レーザ素子１４の後面に対向す
る第二の反射鏡４１が平面鏡であって、且つ図示の場
合、半導体レーザ素子１４の後面からの光ビームＬ２の
光軸の下側部分のみに形成されている。また受発光素子
１１の第二の光検出器１８の代わりに、図９に示すよう
に構成された第二の光検出器４２が配設されている点を
除いて、他の構成即ち受発光素子１１，対物レンズ１２
については同じ構成である。第二の光検出器４２は、図
９に示すように、図７にて光軸から左右に分割された二
つのセンサ部４２ａ，４２ｂから成る。
アップの第三の実施形態である。図７及び図８におい
て、光学ピックアップ４０は、図１の光学ピックアップ
１０に比較して、半導体レーザ素子１４の後面に対向す
る第二の反射鏡４１が平面鏡であって、且つ図示の場
合、半導体レーザ素子１４の後面からの光ビームＬ２の
光軸の下側部分のみに形成されている。また受発光素子
１１の第二の光検出器１８の代わりに、図９に示すよう
に構成された第二の光検出器４２が配設されている点を
除いて、他の構成即ち受発光素子１１，対物レンズ１２
については同じ構成である。第二の光検出器４２は、図
９に示すように、図７にて光軸から左右に分割された二
つのセンサ部４２ａ，４２ｂから成る。
【００４０】このような構成の光学ピックアップ４０に
よれば、受発光素子１１からの光ビームＬ１は、対物レ
ンズ１２を介して、光ディスク１９の信号記録面に収束
される。そして、光ディスク１９からの戻り光Ｌ１は、
対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の第一の光検
出器１７に入射する。他方、受発光素子１１からの光ビ
ームＬ２は、反射鏡４１により反射されて、光軸から下
半分のみが反射され、対物レンズ１２を介して、光ディ
スク１９の信号記録面に収束される。そして、光ディス
ク１９からの戻り光Ｌ２は、対物レンズ１２を介して、
受発光素子１１の第二の光検出器１８に入射する。この
場合、光ビームＬ２は、反射鏡４１により反射される際
に、光軸から上半分がカットされることになるので、第
二の光検出器４２上に半円状のスポットを形成すること
になる。かくして、第二の光検出器４２の各センサ部４
２ａ，４２ｂからの出力信号に基づいて、フォーカスエ
ラー信号ＦＣＳは、
よれば、受発光素子１１からの光ビームＬ１は、対物レ
ンズ１２を介して、光ディスク１９の信号記録面に収束
される。そして、光ディスク１９からの戻り光Ｌ１は、
対物レンズ１２を介して、受発光素子１１の第一の光検
出器１７に入射する。他方、受発光素子１１からの光ビ
ームＬ２は、反射鏡４１により反射されて、光軸から下
半分のみが反射され、対物レンズ１２を介して、光ディ
スク１９の信号記録面に収束される。そして、光ディス
ク１９からの戻り光Ｌ２は、対物レンズ１２を介して、
受発光素子１１の第二の光検出器１８に入射する。この
場合、光ビームＬ２は、反射鏡４１により反射される際
に、光軸から上半分がカットされることになるので、第
二の光検出器４２上に半円状のスポットを形成すること
になる。かくして、第二の光検出器４２の各センサ部４
２ａ，４２ｂからの出力信号に基づいて、フォーカスエ
ラー信号ＦＣＳは、
【数２】 により演算される。
【００４１】この場合、光ディスク１９が相対的に合焦
位置にある場合には、第二の光検出器４２上に形成され
る戻り光Ｌ２のスポットは、図９の上段に示すように、
対物レンズ１２の回折限界のほぼ円形となるので、各セ
ンサ部４２ａ，４２ｂへの入射光量は同じであり、差信
号によるフォーカスエラー信号ＦＣＳはゼロとなる。こ
れに対して、光ディスク１９が相対的に合焦位置より近
い場合には、上記スポットは図９の中段に示すように、
右半分のスポットとなり、また光ディスク１９が相対的
に合焦位置より遠い場合には、上記スポットは図９の下
段に示すように、左半分のスポットとなる。従って、差
信号によるフォーカスエラー信号ＦＣＳは、それぞれ負
または正となる。かくして、光検出器１７からの検出信
号に基づいて、再生信号ＭＯとトラッキングエラー信号
が検出され、また光検出器４２からの検出信号に基づい
て、所謂フーコー法により、フォーカスエラー信号ＦＣ
Ｓが検出されることになる。
位置にある場合には、第二の光検出器４２上に形成され
る戻り光Ｌ２のスポットは、図９の上段に示すように、
対物レンズ１２の回折限界のほぼ円形となるので、各セ
ンサ部４２ａ，４２ｂへの入射光量は同じであり、差信
号によるフォーカスエラー信号ＦＣＳはゼロとなる。こ
れに対して、光ディスク１９が相対的に合焦位置より近
い場合には、上記スポットは図９の中段に示すように、
右半分のスポットとなり、また光ディスク１９が相対的
に合焦位置より遠い場合には、上記スポットは図９の下
段に示すように、左半分のスポットとなる。従って、差
信号によるフォーカスエラー信号ＦＣＳは、それぞれ負
または正となる。かくして、光検出器１７からの検出信
号に基づいて、再生信号ＭＯとトラッキングエラー信号
が検出され、また光検出器４２からの検出信号に基づい
て、所謂フーコー法により、フォーカスエラー信号ＦＣ
Ｓが検出されることになる。
【００４２】このように以上の実施形態では、受発光素
子の発光部の半導体レーザ素子の後面から出射された光
ビームが、第二の反射鏡により反射された後、対物レン
ズを介して光ディスクの信号記録面に照射される。そし
て、光ディスク状記録媒体の信号記録面により反射され
た第二の戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発
光素子の第二の光検出器に入射することになる。これに
より、この第二の光検出器の出力信号に基づいて、フォ
ーカスエラー信号が検出されることになる。
子の発光部の半導体レーザ素子の後面から出射された光
ビームが、第二の反射鏡により反射された後、対物レン
ズを介して光ディスクの信号記録面に照射される。そし
て、光ディスク状記録媒体の信号記録面により反射され
た第二の戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発
光素子の第二の光検出器に入射することになる。これに
より、この第二の光検出器の出力信号に基づいて、フォ
ーカスエラー信号が検出されることになる。
【００４３】従って、外部光学部品等を使用することな
く、フォーカスエラー信号が検出されるので、小型に構
成されることになり、第二の反射鏡は第一の反射鏡と同
じ工程で製造されるので、コストが低減されると共に、
正確な位置決めが可能であり、非常に信頼性の高い受発
光素子，光学ピックアップそして光ディスク装置が提供
されることになる。
く、フォーカスエラー信号が検出されるので、小型に構
成されることになり、第二の反射鏡は第一の反射鏡と同
じ工程で製造されるので、コストが低減されると共に、
正確な位置決めが可能であり、非常に信頼性の高い受発
光素子，光学ピックアップそして光ディスク装置が提供
されることになる。
【００４４】上述した第三の実施形態においては、反射
鏡４２は、光ビームＬ２の下半分のみを反射させるよう
に構成されているが、これに限らず、フーコー法による
フォーカスエラー信号の検出ができればよいことから、
光ビームＬ２の上半分のみを反射させるようにしてもよ
い。
鏡４２は、光ビームＬ２の下半分のみを反射させるよう
に構成されているが、これに限らず、フーコー法による
フォーカスエラー信号の検出ができればよいことから、
光ビームＬ２の上半分のみを反射させるようにしてもよ
い。
【００４５】また、光ビームＬ２の左右何れかの半分の
みを反射させるようにしてもよいことは明らかである。
この場合には、第二の光検出器４２は、対応した方向に
て分割されることになる。さらに、上述した実施形態に
おいては、何れも光学ピックアップに組み込まれた受発
光素子に関して説明したが、これに限らず、受発光素子
単体にも、また光ディスク装置においても、本発明を適
用し得ることは明らかである。また、この発明の受発光
素子は、適当な偏光分離素子や、他の光検出器と組み合
わせることで、光磁気検出用の光学ピックアップに用い
ることもできる。
みを反射させるようにしてもよいことは明らかである。
この場合には、第二の光検出器４２は、対応した方向に
て分割されることになる。さらに、上述した実施形態に
おいては、何れも光学ピックアップに組み込まれた受発
光素子に関して説明したが、これに限らず、受発光素子
単体にも、また光ディスク装置においても、本発明を適
用し得ることは明らかである。また、この発明の受発光
素子は、適当な偏光分離素子や、他の光検出器と組み合
わせることで、光磁気検出用の光学ピックアップに用い
ることもできる。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、フ
ォーカスエラー信号も検出されるようにした、小型の集
積型受発光素子と、これを利用した光学ピックアップ及
び光ディスク装置を提供することができる。
ォーカスエラー信号も検出されるようにした、小型の集
積型受発光素子と、これを利用した光学ピックアップ及
び光ディスク装置を提供することができる。
【図１】本発明による光学ピックアップの第一の実施形
態の全体構成を示す概略図である。
態の全体構成を示す概略図である。
【図２】図１の光学ピックアップにおける受発光素子の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】図２の受発光素子の第二の反射鏡部分の製造工
程の一例を順次に示す工程図である。
程の一例を順次に示す工程図である。
【図４】図１の光学ピックアップにおける第二の光検出
器におけるスポット形成を示す拡大平面図である。
器におけるスポット形成を示す拡大平面図である。
【図５】本発明による光学ピックアップの第二の実施形
態の全体構成を示す概略図である。
態の全体構成を示す概略図である。
【図６】図５の光学ピックアップにおける受発光素子の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図７】本発明による光学ピックアップの第三の実施形
態の全体構成を示す概略図である。
態の全体構成を示す概略図である。
【図８】図７の光学ピックアップにおける受発光素子の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図９】図７の光学ピックアップにおける第二の光検出
器におけるスポット形成を示す拡大平面図である。
器におけるスポット形成を示す拡大平面図である。
【図１０】従来の光学ピックアップの一例の構成を示す
概略図である。
概略図である。
【図１１】図１０の光学ピックアップにおける対物レン
ズの回折限界を示す拡大斜視図である。
ズの回折限界を示す拡大斜視図である。
【図１２】図１１の対物レンズの回折限界と出射光及び
光検出器との関係を示す拡大斜視図である。
光検出器との関係を示す拡大斜視図である。
１０ 光学ピックアップ １１ 受発光素子 １２ 対物レンズ １３ 半導体基板 １４ 半導体レーザ素子 １５ 第一の反射鏡 １６ 第二の反射鏡 １７ 第一の光検出器 １８ 第二の光検出器 １９ 光ディスク ３０ 光学ピックアップ ３１ 第二の反射鏡 ３２ ウィンドウガラス ３３ パッケージ ４０ 光学ピックアップ ４１ 第二の反射鏡 ４２ 第二の光検出器
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された水平共振器を
有する半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子の前面に対向して斜めに配設され
た反射体から成る発光部と、 前記半導体レーザ素子の前面から出射され、前記反射体
で反射された光ビームが照射対象に対して照射され、そ
の戻り光が共焦点近傍で受光されるように半導体基板に
形成された光検出器と、 前記半導体レーザ素子の後面に対向するように半導体基
板に形成された第二の反射体と、 半導体レーザ素子の後面から出射された光ビームが対物
レンズを介して照射対象に対して照射され、この照射対
象にて反射された第二の戻り光を共焦点近傍で受光する
ように半導体基板に形成された第二の光検出器とを備え
ることを特徴とする受発光素子。 - 【請求項２】 前記半導体レーザ素子の後面からの出射
光の光路中に、非点収差を発生させる光学要素が配設さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の受発光素
子。 - 【請求項３】 前記光学要素が、光軸に対して斜めに配
設された平行平板状の光学部品であることを特徴とする
請求項２に記載の受発光素子。 - 【請求項４】 前記光学要素として、第二の反射体が、
非点収差を発生させるように曲面を備えていることを特
徴とする請求項２に記載の受発光素子。 - 【請求項５】 前記第二の反射体が、光軸に関してほぼ
片側の半分のみの光ビームを反射させるように形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の受発光素子。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された水平共振器を
有する半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子の前面に対向して斜めに配設され
た反射体から成る発光部と、 前記半導体レーザ素子の前面から出射され、前記反射体
で反射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合
焦するように照射する対物レンズと、 光ディスクからの戻り光を共焦点近傍で受光する光検出
器と、 半導体レーザ素子の後面に対向するように半導体基板に
形成された第二の反射体と、 半導体レーザ素子の後面から出射された光ビームが対物
レンズを介して光ディスクに照射され、光ディスクで反
射された第二の戻り光を共焦点近傍で受光する第二の光
検出器とを備えており、 第二の光検出器からの検出信号に基づいて、フォーカス
エラー信号が生成される構成としたことを特徴とする光
学ピックアップ。 - 【請求項７】 光ディスクを回転駆動する駆動手段と、 半導体基板上に形成された水平共振器を有する半導体レ
ーザ素子と、 この半導体レーザ素子の前面に対向して斜めに配設され
た反射体から成る発光部と、 前記半導体レーザ素子の前面から出射され、前記反射体
で反射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に合
焦するように照射する対物レンズと、 光ディスクからの戻り光を共焦点近傍で受光する光検出
器と、 光検出器からの出力信号に基づいて、光ディスクの再生
信号を生成する信号処理部と、を含んでいる、光ディス
ク装置において、 半導体レーザ素子の後面に対向するように半導体基板に
形成された第二の反射体と、 半導体レーザ素子の後面から出射された光ビームが対物
レンズを介して光ディスクに照射され、光ディスクで反
射された第二の戻り光を共焦点近傍で受光する第二の光
検出器とを含んでおり、 第二の光検出器からの検出信号に基づいて、フォーカス
エラー信号が生成されることを特徴とする光ディスク装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308220A JPH09128772A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 光学ピックアップ |
| US08/738,540 US5715227A (en) | 1995-11-01 | 1996-10-28 | Optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308220A JPH09128772A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 光学ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09128772A true JPH09128772A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17978376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308220A Pending JPH09128772A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 光学ピックアップ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5715227A (ja) |
| JP (1) | JPH09128772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504812B2 (en) | 1996-05-27 | 2003-01-07 | Sony Corporation | Optical pickup device with a plurality of laser couplers |
| US7038994B1 (en) * | 1996-05-27 | 2006-05-02 | Sony Corporation | Optical pickup device with a plurality of laser couplers |
| US5894467A (en) * | 1997-02-19 | 1999-04-13 | Hewlett-Packard Company | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
| US6950459B1 (en) * | 1999-01-08 | 2005-09-27 | Panasonic Communications Co., Ltd. | Activation of multiple xDSL modems with half duplex and full duplex procedures |
| JP3659089B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッド及びそれを用いた光学的情報媒体記録再生装置 |
| KR100370016B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2003-01-29 | 엘지전자 주식회사 | 광 정보 저장 장치용 마이크로 미러 및 그 제조 방법과,그를 이용한 광픽업 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259584A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積光デフレクタおよびその製造方法 |
| CA2088701C (en) * | 1992-02-05 | 1998-01-27 | Yoshio Yoshida | Optical information reproducing apparatus |
| JPH0696468A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Canon Inc | 光記録再生装置及び半導体レーザアレイ |
| JP3098365B2 (ja) * | 1993-10-19 | 2000-10-16 | 株式会社ピーエフユー | オートチェンジャ装置 |
| JP3541416B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | 光学装置 |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP7308220A patent/JPH09128772A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-28 US US08/738,540 patent/US5715227A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5715227A (en) | 1998-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040210 |