JPH09129611A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH09129611A JPH09129611A JP7302138A JP30213895A JPH09129611A JP H09129611 A JPH09129611 A JP H09129611A JP 7302138 A JP7302138 A JP 7302138A JP 30213895 A JP30213895 A JP 30213895A JP H09129611 A JPH09129611 A JP H09129611A
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- gas
- etching
- mtorr
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- processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板上の酸化シリコン系材料層をＣ4
Ｆ8ガスを用いてエッチングするにあたり、ＣＯを添加
せずとも高いエッチングレートが確保でき、かつデポの
少ないエッチング特性を得る。 【解決手段】 減圧自在な処理室２内に所定の処理ガス
を導入し、数ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ程度の減圧
度の下で処理室２内にプラズマを発生させて、ウエハＷ
上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、
処理ガスとしてＣ4Ｆ8ガス／希ガス／Ｏ2を用いると共
に、Ｃ4Ｆ8ガスの分圧を０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴ
ｏｒｒ、Ｃ4Ｆ8ガス：Ｏ2の比を１：１．５〜５に設定
してエッチングする。
Ｆ8ガスを用いてエッチングするにあたり、ＣＯを添加
せずとも高いエッチングレートが確保でき、かつデポの
少ないエッチング特性を得る。 【解決手段】 減圧自在な処理室２内に所定の処理ガス
を導入し、数ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ程度の減圧
度の下で処理室２内にプラズマを発生させて、ウエハＷ
上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、
処理ガスとしてＣ4Ｆ8ガス／希ガス／Ｏ2を用いると共
に、Ｃ4Ｆ8ガスの分圧を０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴ
ｏｒｒ、Ｃ4Ｆ8ガス：Ｏ2の比を１：１．５〜５に設定
してエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
てエッチング処理を施すためのエッチング方法に関する
ものである。
てエッチング処理を施すためのエッチング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、半導体デバイスの高集積化は益々
進み、例えば０．３μｍのコンタクトホールを高いアス
ペクト比で形成するためのエッチング技術が要求されて
おり、とりわけ層間絶縁膜として広く使用されている酸
化シリコン系材料層、例えばシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）を高い選択比でエッチングする技術が重要になっ
てきている。
進み、例えば０．３μｍのコンタクトホールを高いアス
ペクト比で形成するためのエッチング技術が要求されて
おり、とりわけ層間絶縁膜として広く使用されている酸
化シリコン系材料層、例えばシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）を高い選択比でエッチングする技術が重要になっ
てきている。
【０００３】そして前記したシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2）のエッチングに際しては、エッチングガスを処理
室内に導入すると共に、当該処理室内にプラズマを発生
させるエッチング方法が用いられている。この場合、使
用するエッチングガスとしては、いわゆるＣｘＦｙ系ガ
スが一般的であり、その中でも高い選択比と高速エッチ
ングレートとのバランスが良好な前記ｘ：ｙが１：２の
ガス、例えばＣ4Ｆ8ガスが代表的である。
Ｏ2）のエッチングに際しては、エッチングガスを処理
室内に導入すると共に、当該処理室内にプラズマを発生
させるエッチング方法が用いられている。この場合、使
用するエッチングガスとしては、いわゆるＣｘＦｙ系ガ
スが一般的であり、その中でも高い選択比と高速エッチ
ングレートとのバランスが良好な前記ｘ：ｙが１：２の
ガス、例えばＣ4Ｆ8ガスが代表的である。
【０００４】前記Ｃ4Ｆ8ガスを使用する場合、従来はエ
ッチングレートと下地との選択比のバランスを考慮し
て、ＣＯ（一酸化炭素）ガスを混合して処理室内に導入
し、プラズマを発生させて前記Ｃ4Ｆ8の解離を促進さ
せ、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）のエッチングを行って
いた。この場合の主たるエッチャントは、ＣＦ3 +であ
り、解離の際に多量に生成されてデポ種となるＣＦ
+は、添加したＣＯ中のＯで除去するようになってい
る。
ッチングレートと下地との選択比のバランスを考慮し
て、ＣＯ（一酸化炭素）ガスを混合して処理室内に導入
し、プラズマを発生させて前記Ｃ4Ｆ8の解離を促進さ
せ、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）のエッチングを行って
いた。この場合の主たるエッチャントは、ＣＦ3 +であ
り、解離の際に多量に生成されてデポ種となるＣＦ
+は、添加したＣＯ中のＯで除去するようになってい
る。
【０００５】その他代表的なエッチングガスしては、Ｃ
ＨＦ3ガスが従来から使用されているが、このＣＨＦ3ガ
スも、エッチングレートと下地との選択比のバランスを
考慮して、ＣＯ（一酸化炭素）ガスと混合して使用され
ている例が多い。
ＨＦ3ガスが従来から使用されているが、このＣＨＦ3ガ
スも、エッチングレートと下地との選択比のバランスを
考慮して、ＣＯ（一酸化炭素）ガスと混合して使用され
ている例が多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記したＣ4
Ｆ8ガス＋ＣＯガスを用いたプロセスでは、人体に有害
なＣＯを用いているため、取り扱い、及び処理装置周り
には特に注意する必要があった。しかもデポ種となるＣ
Ｆが多量に生成されるため、適宜ＣＯ中の酸素でこれを
除去するようにしても、依然としてデポが生じやすく、
その結果処理装置のチャンバー内のクリーニング頻度も
比較的高かった。
Ｆ8ガス＋ＣＯガスを用いたプロセスでは、人体に有害
なＣＯを用いているため、取り扱い、及び処理装置周り
には特に注意する必要があった。しかもデポ種となるＣ
Ｆが多量に生成されるため、適宜ＣＯ中の酸素でこれを
除去するようにしても、依然としてデポが生じやすく、
その結果処理装置のチャンバー内のクリーニング頻度も
比較的高かった。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、ＣＯガスを使用せずに高いエッチン
グレートが実現でき、かつ処理装置のチャンバー内（処
理室内）のデポの付着を抑えたエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
あり、その目的は、ＣＯガスを使用せずに高いエッチン
グレートが実現でき、かつ処理装置のチャンバー内（処
理室内）のデポの付着を抑えたエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】ＣＯガスを単に使用しな
いというのでは、Ｃ4Ｆ8ガスの解離の促進が問題とな
り、またデポ種となるＣＦの処理にも困る。そこで本願
発明では、Ｃ4Ｆ8ガスの分圧を従来より低く設定し、さ
らに別途ＣＦ除去のためのＯ2ガスを添加することによ
って課題の解決を図った。但し、Ｃ4Ｆ8の解離をコント
ロールして、エッチャントとなるＣＦ3 +とデポ種となる
ＣＦ+との比を制御する必要があるので、Ｃ4Ｆ8ガスと
Ｏ2ガスとの割合も考慮した。
いというのでは、Ｃ4Ｆ8ガスの解離の促進が問題とな
り、またデポ種となるＣＦの処理にも困る。そこで本願
発明では、Ｃ4Ｆ8ガスの分圧を従来より低く設定し、さ
らに別途ＣＦ除去のためのＯ2ガスを添加することによ
って課題の解決を図った。但し、Ｃ4Ｆ8の解離をコント
ロールして、エッチャントとなるＣＦ3 +とデポ種となる
ＣＦ+との比を制御する必要があるので、Ｃ4Ｆ8ガスと
Ｏ2ガスとの割合も考慮した。
【０００９】かかる観点から前記目的を達成するため、
請求項１に記載されたエッチング方法は、減圧自在な処
理室内に、所定の処理ガスを導入して、所定の減圧雰囲
気の下でこの処理室内にプラズマを発生させ、処理室内
の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングす
る方法であって、処理ガスとしてＣ4Ｆ8ガスと希ガスと
Ｏ2との混合ガスを用いると共に、Ｃ4Ｆ8ガスのプロセ
ス圧に対する分圧を０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴｏｒ
ｒ、及びＣ4Ｆ8ガス：Ｏ2の比を１：１．５〜５に設定
してエッチングすることを特徴とするものである。
請求項１に記載されたエッチング方法は、減圧自在な処
理室内に、所定の処理ガスを導入して、所定の減圧雰囲
気の下でこの処理室内にプラズマを発生させ、処理室内
の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングす
る方法であって、処理ガスとしてＣ4Ｆ8ガスと希ガスと
Ｏ2との混合ガスを用いると共に、Ｃ4Ｆ8ガスのプロセ
ス圧に対する分圧を０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴｏｒ
ｒ、及びＣ4Ｆ8ガス：Ｏ2の比を１：１．５〜５に設定
してエッチングすることを特徴とするものである。
【００１０】また請求項２のエッチング方法は、エッチ
ングガスとしてＣＨＦ3ガスと希ガスとＯ2との混合ガス
を用いると共に、ＣＨＦ3ガスの分圧を５ｍＴｏｒｒ〜
２０ｍＴｏｒｒ、ＣＨＦ3ガス：Ｏ2の比を１：４〜９に
設定してエッチングすることを特徴とするものである。
ングガスとしてＣＨＦ3ガスと希ガスとＯ2との混合ガス
を用いると共に、ＣＨＦ3ガスの分圧を５ｍＴｏｒｒ〜
２０ｍＴｏｒｒ、ＣＨＦ3ガス：Ｏ2の比を１：４〜９に
設定してエッチングすることを特徴とするものである。
【００１１】なお本願各請求項でいうところの希ガスに
は、例えばＡｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガ
ス、Ｘｅ（キセノン）ガス、Ｋｒ（クリプトン）ガス、
Ｎｅ（ネオン）ガスが挙げられる。もちろんこれら各希
ガスを組み合わせて用いてもよい。そしてこれら各希ガ
スの流量を調節することにより、Ｃ4Ｆ8ガスやＣＨＦ3
ガスのプロセス圧に対する所定の分圧を得ることができ
る。
は、例えばＡｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガ
ス、Ｘｅ（キセノン）ガス、Ｋｒ（クリプトン）ガス、
Ｎｅ（ネオン）ガスが挙げられる。もちろんこれら各希
ガスを組み合わせて用いてもよい。そしてこれら各希ガ
スの流量を調節することにより、Ｃ4Ｆ8ガスやＣＨＦ3
ガスのプロセス圧に対する所定の分圧を得ることができ
る。
【００１２】請求項１のエッチング方法によれば、Ｃ4
Ｆ8ガスの分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴｏｒｒ
に設定されているのでＣ4Ｆ8の解離が促進され、かつＣ
4Ｆ8ガス：Ｏ2の比が１：１．５〜５に設定されている
から、発明者らの知見によれば、エッチャントとなるＣ
Ｆ3イオンとデポ種となるＣＦイオンへの解離のコント
ロールが行え、ＣＦ3イオン：ＣＦイオンの比が１．５
〜２．４：１の値を得ることができる。従って、デポの
発生を抑えるとともに多量のエッチャントによる高速エ
ッチングレートが実現できる。なお本発明は、比較的低
圧プロセス、即ち処理室内の圧力が数ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒのプロセスで特に有効である。もちろんＣ
Ｏを用いていないので、安全である。
Ｆ8ガスの分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜１．５ｍＴｏｒｒ
に設定されているのでＣ4Ｆ8の解離が促進され、かつＣ
4Ｆ8ガス：Ｏ2の比が１：１．５〜５に設定されている
から、発明者らの知見によれば、エッチャントとなるＣ
Ｆ3イオンとデポ種となるＣＦイオンへの解離のコント
ロールが行え、ＣＦ3イオン：ＣＦイオンの比が１．５
〜２．４：１の値を得ることができる。従って、デポの
発生を抑えるとともに多量のエッチャントによる高速エ
ッチングレートが実現できる。なお本発明は、比較的低
圧プロセス、即ち処理室内の圧力が数ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒのプロセスで特に有効である。もちろんＣ
Ｏを用いていないので、安全である。
【００１３】請求項２のエッチング方法によれば、ＣＨ
Ｆ3ガス／希ガス／Ｏ2を用いると共に、ＣＨＦ3ガスの
分圧を５ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒ、ＣＨＦ3ガス：
Ｏ2の比を１：４〜９に設定してエッチングするので、
請求項１の場合と同様、ＣＯを用いず、デポの付着が少
なくてかつ高速なエッチングが可能である。しかもＣＯ
を用いていないので、安全性も高い。
Ｆ3ガス／希ガス／Ｏ2を用いると共に、ＣＨＦ3ガスの
分圧を５ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒ、ＣＨＦ3ガス：
Ｏ2の比を１：４〜９に設定してエッチングするので、
請求項１の場合と同様、ＣＯを用いず、デポの付着が少
なくてかつ高速なエッチングが可能である。しかもＣＯ
を用いていないので、安全性も高い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は、本実施の形態にかかるエッ
チング方法を実施するために用いたエッチング装置１の
断面を示しており、このエッチング装置１における処理
室２は、気密に閉塞自在な酸化アルマイト処理されたア
ルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器３内に形成
され、当該処理容器３自体は接地線４を介して接地され
ている。前記処理室２内の底部にはセラミックなどの絶
縁支持板５が設けられており、この絶縁支持板５の上部
に、被処理基板、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエ
ハ」という）Ｗを載置するための下部電極を構成する略
円柱状のサセプタ６が、上下動自在に収容されている。
基づいて説明する。図１は、本実施の形態にかかるエッ
チング方法を実施するために用いたエッチング装置１の
断面を示しており、このエッチング装置１における処理
室２は、気密に閉塞自在な酸化アルマイト処理されたア
ルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器３内に形成
され、当該処理容器３自体は接地線４を介して接地され
ている。前記処理室２内の底部にはセラミックなどの絶
縁支持板５が設けられており、この絶縁支持板５の上部
に、被処理基板、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエ
ハ」という）Ｗを載置するための下部電極を構成する略
円柱状のサセプタ６が、上下動自在に収容されている。
【００１５】このサセプタ６は、前記絶縁支持板５及び
処理容器３の底部を遊貫する昇降軸７によって支持され
ており、この昇降軸７は、処理容器３外部に設置されて
いる駆動モータ８によって上下動自在である。従ってこ
の駆動モータ８の作動により、前記サセプタ６は、図１
中の往復矢印に示したように、上下動自在となってい
る。なお処理室２の気密性を確保するため、前記サセプ
タ６と絶縁支持板５との間には、前記昇降軸７の外方を
囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ９が設
けられている。
処理容器３の底部を遊貫する昇降軸７によって支持され
ており、この昇降軸７は、処理容器３外部に設置されて
いる駆動モータ８によって上下動自在である。従ってこ
の駆動モータ８の作動により、前記サセプタ６は、図１
中の往復矢印に示したように、上下動自在となってい
る。なお処理室２の気密性を確保するため、前記サセプ
タ６と絶縁支持板５との間には、前記昇降軸７の外方を
囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ９が設
けられている。
【００１６】サセプタ６は、表面が酸化処理されたアル
ミニウムからなり、その内部には、温度調節手段、例え
ばセラミックヒータなどの加熱手段（図示せず）や、外
部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を循環させるため
の冷媒循環路（図示せず）が設けられており、サセプタ
６上のウエハＷを所定温度に維持することが可能なよう
に構成されている。またサセプタ６の温度は、温度セン
サ（図示せず）、温度制御機構（図示せず）によって自
動的に制御される構成となっている。
ミニウムからなり、その内部には、温度調節手段、例え
ばセラミックヒータなどの加熱手段（図示せず）や、外
部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を循環させるため
の冷媒循環路（図示せず）が設けられており、サセプタ
６上のウエハＷを所定温度に維持することが可能なよう
に構成されている。またサセプタ６の温度は、温度セン
サ（図示せず）、温度制御機構（図示せず）によって自
動的に制御される構成となっている。
【００１７】サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持す
るための静電チャック１１が設けられている。この静電
チャック１１は、図２に示したように、導電性の薄膜１
２をポリイミド系の樹脂１３によって上下から挟持した
構成を有し、処理容器３の外部に設置されている高圧直
流電源１４からの電圧、例えば１．５ｋＶ〜２ｋＶの電
圧が前記薄膜１２に印加されると、その際に発生するク
ーロン力によって、ウエハＷは静電チャック１１の上面
に吸着保持されるようになっている。
るための静電チャック１１が設けられている。この静電
チャック１１は、図２に示したように、導電性の薄膜１
２をポリイミド系の樹脂１３によって上下から挟持した
構成を有し、処理容器３の外部に設置されている高圧直
流電源１４からの電圧、例えば１．５ｋＶ〜２ｋＶの電
圧が前記薄膜１２に印加されると、その際に発生するク
ーロン力によって、ウエハＷは静電チャック１１の上面
に吸着保持されるようになっている。
【００１８】また前記サセプタ６内には、図２に示した
ように、サセプタ６内を上下動してウエハＷを静電チャ
ック１１上からリフトアップして、ウエハＷを授受する
ための支持部材として機能するリフターピン２０が複数
本、例えば３本収容されている。
ように、サセプタ６内を上下動してウエハＷを静電チャ
ック１１上からリフトアップして、ウエハＷを授受する
ための支持部材として機能するリフターピン２０が複数
本、例えば３本収容されている。
【００１９】サセプタ６上の周辺には、前記静電チャッ
ク１１を囲むようにして、平面が略環状の内側フォーカ
スリング２１が設けられている。この内側フォーカスリ
ング２１は導電性を有する単結晶シリコンからなってお
り、プラズマ中のイオンを効果的にウエハＷに入射させ
る機能を有している。
ク１１を囲むようにして、平面が略環状の内側フォーカ
スリング２１が設けられている。この内側フォーカスリ
ング２１は導電性を有する単結晶シリコンからなってお
り、プラズマ中のイオンを効果的にウエハＷに入射させ
る機能を有している。
【００２０】前記内側フォーカスリング２１の外周に
は、さらに平面が略環状の外側フォーカスリング２２が
設けられている。この外側フォーカスリング２２は絶縁
性を有する石英からなっている。この外側フォーカスリ
ング２２の外周上縁部は、外側に凸の湾曲形状に成形さ
れており、かかる形状によってガスが澱まず円滑に排出
されるようになっている。この外側フォーカスリング２
２は、後述のシールドリング５３と共に、サセプタ６と
後述の上部電極５１との間に発生したプラズマの拡散を
抑制する機能を有している。
は、さらに平面が略環状の外側フォーカスリング２２が
設けられている。この外側フォーカスリング２２は絶縁
性を有する石英からなっている。この外側フォーカスリ
ング２２の外周上縁部は、外側に凸の湾曲形状に成形さ
れており、かかる形状によってガスが澱まず円滑に排出
されるようになっている。この外側フォーカスリング２
２は、後述のシールドリング５３と共に、サセプタ６と
後述の上部電極５１との間に発生したプラズマの拡散を
抑制する機能を有している。
【００２１】前記サセプタ６の周囲には、例えば絶縁性
の材質からなるバッフル板２３が配され、さらにこのバ
ッフル板２３の内周部は、石英の支持体等を介してボル
ト等の固着手段によってサセプタ６に固定されている。
従って、サセプタ６の上下動に伴ってこのバッフル板２
３も上下動する構成となっている。このバッフル板２３
には多数の透孔２３ａが形成されており、ガスを均一に
排出させる機能を有している。
の材質からなるバッフル板２３が配され、さらにこのバ
ッフル板２３の内周部は、石英の支持体等を介してボル
ト等の固着手段によってサセプタ６に固定されている。
従って、サセプタ６の上下動に伴ってこのバッフル板２
３も上下動する構成となっている。このバッフル板２３
には多数の透孔２３ａが形成されており、ガスを均一に
排出させる機能を有している。
【００２２】前記処理室２の上部には、絶縁支持材３
１、及びアルミニウムからなる冷却部材３２を介して、
エッチングガスやその他のガスを処理室２内に導入する
ための拡散部材３３が設けられている。冷却部材３２内
の上部には、冷媒循環路３４が形成されており、外部か
ら供給されるチラー（冷媒）が循環することによって、
後述の上部電極５１を所定温度にまで冷却する機能を有
している。
１、及びアルミニウムからなる冷却部材３２を介して、
エッチングガスやその他のガスを処理室２内に導入する
ための拡散部材３３が設けられている。冷却部材３２内
の上部には、冷媒循環路３４が形成されており、外部か
ら供給されるチラー（冷媒）が循環することによって、
後述の上部電極５１を所定温度にまで冷却する機能を有
している。
【００２３】前記拡散部材３３は、図２にも示したよう
に、下面側に上下二段のバッフル板３５を持った中空構
造を有しており、さらにこれら上下二段のバッフル板３
５の各々には、上下に重合しない位置となるように多数
の拡散孔３５ａがそれぞれ形成されている。この拡散部
材３３の中央にはガス導入口３６が設けられ、さらにバ
ルブ３７を介してガス導入管３８が接続されている。そ
してこのガス導入管３８には、バルブ３９、４０、４１
及び対応した流量調節のためのマスフローコントローラ
４２、４３、４４を介して、それぞれ対応するガス供給
源４５、４６、４７が各々接続されている。
に、下面側に上下二段のバッフル板３５を持った中空構
造を有しており、さらにこれら上下二段のバッフル板３
５の各々には、上下に重合しない位置となるように多数
の拡散孔３５ａがそれぞれ形成されている。この拡散部
材３３の中央にはガス導入口３６が設けられ、さらにバ
ルブ３７を介してガス導入管３８が接続されている。そ
してこのガス導入管３８には、バルブ３９、４０、４１
及び対応した流量調節のためのマスフローコントローラ
４２、４３、４４を介して、それぞれ対応するガス供給
源４５、４６、４７が各々接続されている。
【００２４】そしてガス供給源４５からは希ガスとして
Ａｒ（アルゴン）ガスが供給自在であり、ガス供給源４
６からはＯ2（酸素）ガスが供給自在であり、ガス供給
源４７からはＣ4Ｆ8ガスが供給自在となっている。
Ａｒ（アルゴン）ガスが供給自在であり、ガス供給源４
６からはＯ2（酸素）ガスが供給自在であり、ガス供給
源４７からはＣ4Ｆ8ガスが供給自在となっている。
【００２５】これらガス供給源４５、４６、４７からの
前記各ガスは、前記ガス導入管３８から前記導入口３
６、拡散部材３３の拡散孔３５ａを通じて処理室２内に
導入されるようになっている。また冷却部材３２の下面
には、吐出口５０ａが多数形成された冷却プレート５０
が密着しており、図２に示したように、拡散部材３３の
バッフル板３５に形成されたバッフル空間Ｓ内のガス
を、下方に均一に吐出させるようになっている。
前記各ガスは、前記ガス導入管３８から前記導入口３
６、拡散部材３３の拡散孔３５ａを通じて処理室２内に
導入されるようになっている。また冷却部材３２の下面
には、吐出口５０ａが多数形成された冷却プレート５０
が密着しており、図２に示したように、拡散部材３３の
バッフル板３５に形成されたバッフル空間Ｓ内のガス
を、下方に均一に吐出させるようになっている。
【００２６】前記冷却プレート５０の下面には、サセプ
タ６と対向するように、上部電極５１が固定されてい
る。この上部電極５１は導電性を有する単結晶シリコン
からなり、図示しないボルトによって前記冷却プレート
５０の下面周辺部に固着され、冷却プレート５０と導通
している。この上部電極５１にも、多数の吐出口５１ａ
が形成されており、前記冷却プレート５０の吐出口５０
ａと接続されている。従ってバッフル空間Ｓ内のガス
は、この吐出口５０ａと上部電極５１の吐出口５１ａを
通じて、静電チャック１１上のウエハＷに対して均一に
吐出されるようになっている。
タ６と対向するように、上部電極５１が固定されてい
る。この上部電極５１は導電性を有する単結晶シリコン
からなり、図示しないボルトによって前記冷却プレート
５０の下面周辺部に固着され、冷却プレート５０と導通
している。この上部電極５１にも、多数の吐出口５１ａ
が形成されており、前記冷却プレート５０の吐出口５０
ａと接続されている。従ってバッフル空間Ｓ内のガス
は、この吐出口５０ａと上部電極５１の吐出口５１ａを
通じて、静電チャック１１上のウエハＷに対して均一に
吐出されるようになっている。
【００２７】上部電極５１の下面周縁部には、前出の図
示しない固定用のボルトを被うようにして、シールドリ
ング５３が配置されている。このシールドリング５３
は、石英からなり、前出外側フォーカスリング２２と
で、静電チャック１１と上部電極５１との間のギャップ
よりも狭いギャップを形成し、プラズマの拡散を抑制す
る機能を有している。なおこのシールドリング５３の上
端部と処理容器３の天井壁との間には、フッ素系の合成
樹脂からなる絶縁リング５４が設けられている。
示しない固定用のボルトを被うようにして、シールドリ
ング５３が配置されている。このシールドリング５３
は、石英からなり、前出外側フォーカスリング２２と
で、静電チャック１１と上部電極５１との間のギャップ
よりも狭いギャップを形成し、プラズマの拡散を抑制す
る機能を有している。なおこのシールドリング５３の上
端部と処理容器３の天井壁との間には、フッ素系の合成
樹脂からなる絶縁リング５４が設けられている。
【００２８】処理容器３の側面には、処理容器３内の真
空度を検出する圧力センサ５５が装着されている。この
圧力センサ５５で検出された真空度の検出信号は、後述
のコントローラ７４に入力され、処理容器３内の真空度
は常時監視されている。
空度を検出する圧力センサ５５が装着されている。この
圧力センサ５５で検出された真空度の検出信号は、後述
のコントローラ７４に入力され、処理容器３内の真空度
は常時監視されている。
【００２９】一方処理容器３の下部には、真空ポンプな
どの真空引き手段６１に通ずる排気管６２が接続されて
おり、サセプタ６の周囲に配置された前出バッフル板２
３を介して、処理室２内は、例えば数ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒまでの任意の真空度にまで真空引きして、
これを維持することが可能となっている。
どの真空引き手段６１に通ずる排気管６２が接続されて
おり、サセプタ６の周囲に配置された前出バッフル板２
３を介して、処理室２内は、例えば数ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒまでの任意の真空度にまで真空引きして、
これを維持することが可能となっている。
【００３０】次にこのエッチング装置１の高周波電力の
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては、周波数が数百ｋＨｚ程度、例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する高周波電源６３からの
電力が、整合器６４を介して供給される構成となってい
る。一方上部電極５１に対しては、整合器６５を介し
て、周波数が前記高周波電源６３よりも高い１ＭＨｚ以
上の周波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出
力する高周波電源６６からの電力が、前出冷却部材３
２、冷却プレート５０を通じて供給される構成となって
いる。
供給系について説明すると、まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては、周波数が数百ｋＨｚ程度、例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する高周波電源６３からの
電力が、整合器６４を介して供給される構成となってい
る。一方上部電極５１に対しては、整合器６５を介し
て、周波数が前記高周波電源６３よりも高い１ＭＨｚ以
上の周波数、例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出
力する高周波電源６６からの電力が、前出冷却部材３
２、冷却プレート５０を通じて供給される構成となって
いる。
【００３１】また処理容器３の側部には、ゲートバルブ
７１を介してロードロック室７２が隣接している。この
ロードロック室７２内には、被処理基板であるウエハＷ
を処理容器３内の処理室２との間で搬送するための、搬
送アームなどの搬送手段７３が設けられている。
７１を介してロードロック室７２が隣接している。この
ロードロック室７２内には、被処理基板であるウエハＷ
を処理容器３内の処理室２との間で搬送するための、搬
送アームなどの搬送手段７３が設けられている。
【００３２】次にこのエッチング装置１の制御系につい
て説明すると、サセプタ６を上下動させる駆動モータ
８、高圧直流電源１４、サセプタ６内のリフターピン２
０、バルブ３９、４０、４１、マスフローコントローラ
４２、４３、４４、真空引き手段６１、高周波電源６
３、６６はそれぞれコントローラ７４によって制御され
ている。
て説明すると、サセプタ６を上下動させる駆動モータ
８、高圧直流電源１４、サセプタ６内のリフターピン２
０、バルブ３９、４０、４１、マスフローコントローラ
４２、４３、４４、真空引き手段６１、高周波電源６
３、６６はそれぞれコントローラ７４によって制御され
ている。
【００３３】本実施形態にかかるエッチング方法を実施
するためのエッチング装置１の主要部は以上のように構
成されており、コントローラ７４による制御に基づいて
例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ2）に対し
てエッチング処理する場合の作用等について説明する
と、まずゲートバルブ７１が開放された後、搬送手段７
３によってウエハＷが処理室２内に搬入される。このと
き駆動モータ８の作動により、サセプタ６は下降し、リ
フターピン２０が静電チャック１１上に突き出たウエハ
Ｗ受け取りの待機状態にある。そして搬送手段７３によ
って処理室２内に搬入されたウエハＷは、静電チャック
１１上に突き出るリフターピン２０上に受け渡される。
こうしてウエハＷをリフターピン２０上に受け渡した
後、搬送手段７３は待避してゲートバルブ７１は閉鎖さ
れる。
するためのエッチング装置１の主要部は以上のように構
成されており、コントローラ７４による制御に基づいて
例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ2）に対し
てエッチング処理する場合の作用等について説明する
と、まずゲートバルブ７１が開放された後、搬送手段７
３によってウエハＷが処理室２内に搬入される。このと
き駆動モータ８の作動により、サセプタ６は下降し、リ
フターピン２０が静電チャック１１上に突き出たウエハ
Ｗ受け取りの待機状態にある。そして搬送手段７３によ
って処理室２内に搬入されたウエハＷは、静電チャック
１１上に突き出るリフターピン２０上に受け渡される。
こうしてウエハＷをリフターピン２０上に受け渡した
後、搬送手段７３は待避してゲートバルブ７１は閉鎖さ
れる。
【００３４】他方、ウエハＷのリフターピン２０上への
受け渡しが終了すると、駆動モータ８の作動によってサ
セプタ６は所定の処理位置、例えば上部電極５１とサセ
プタ６と間のギャップが１０mm〜２０mmの間の所定の位
置まで上昇し、同時にウエハＷを支持しているリフター
ピン２０はサセプタ６内に下降する。こうして、図２に
示すように、ウエハＷが静電チャック１１上に載置され
た状態となる。そして高圧直流電源１４から所定の電圧
が静電チャック１１内の導電性の薄膜１２に印加され
て、ウエハＷは静電チャック１１上に吸着、保持され
る。
受け渡しが終了すると、駆動モータ８の作動によってサ
セプタ６は所定の処理位置、例えば上部電極５１とサセ
プタ６と間のギャップが１０mm〜２０mmの間の所定の位
置まで上昇し、同時にウエハＷを支持しているリフター
ピン２０はサセプタ６内に下降する。こうして、図２に
示すように、ウエハＷが静電チャック１１上に載置され
た状態となる。そして高圧直流電源１４から所定の電圧
が静電チャック１１内の導電性の薄膜１２に印加され
て、ウエハＷは静電チャック１１上に吸着、保持され
る。
【００３５】次いで処理室２内が、真空引き手段６１に
よって真空引きされていき、所定の真空度（減圧度）に
なった後、ガス供給源４５、４６、４７からエッチング
処理に必要なガスが所定の流量で供給され、処理室２の
圧力が所定の真空度、例えば４０ｍＴｏｒｒに設定、維
持される。
よって真空引きされていき、所定の真空度（減圧度）に
なった後、ガス供給源４５、４６、４７からエッチング
処理に必要なガスが所定の流量で供給され、処理室２の
圧力が所定の真空度、例えば４０ｍＴｏｒｒに設定、維
持される。
【００３６】次いで上部電極５１に対して高周波電源６
６から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが例えば２ｋ
Ｗの高周波電力が供給されると、上部電極５１とサセプ
タ６との間にプラズマが生起される。また同時に、サセ
プタ６に対しては高周波電源６４から周波数が８００ｋ
Ｈｚ、パワーが例えば１ｋＷの高周波電力が供給され
る。
６から周波数が２７．１２ＭＨｚ、パワーが例えば２ｋ
Ｗの高周波電力が供給されると、上部電極５１とサセプ
タ６との間にプラズマが生起される。また同時に、サセ
プタ６に対しては高周波電源６４から周波数が８００ｋ
Ｈｚ、パワーが例えば１ｋＷの高周波電力が供給され
る。
【００３７】そして発生したプラズマによって処理室２
内の処理ガスが解離し、その際に生ずるエッチャントイ
オンが、サセプタ６側に供給された相対的に低い周波数
の高周波によってその入射速度がコントロールされつ
つ、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッ
チングしていく。
内の処理ガスが解離し、その際に生ずるエッチャントイ
オンが、サセプタ６側に供給された相対的に低い周波数
の高周波によってその入射速度がコントロールされつ
つ、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）をエッ
チングしていく。
【００３８】この場合、本実施形態においては、エッチ
ングプロセスに用いる処理ガスとして、Ｃ4Ｆ8ガス、Ａ
ｒ（アルゴン）ガス及びＯ2（酸素）が処理室２内に導
入され、処理室２内の圧力が４０ｍＴｏｒｒに設定され
る。またＣ4Ｆ8ガスの分圧は、０．５ｍＴｏｒｒ〜１．
５ｍＴｏｒｒとなるように、適宜Ａｒ（アルゴン）ガス
の流量が設定される。さらにＯ2（酸素）の量について
もＣ4Ｆ8ガスの１．５〜５倍となるように設定される。
ングプロセスに用いる処理ガスとして、Ｃ4Ｆ8ガス、Ａ
ｒ（アルゴン）ガス及びＯ2（酸素）が処理室２内に導
入され、処理室２内の圧力が４０ｍＴｏｒｒに設定され
る。またＣ4Ｆ8ガスの分圧は、０．５ｍＴｏｒｒ〜１．
５ｍＴｏｒｒとなるように、適宜Ａｒ（アルゴン）ガス
の流量が設定される。さらにＯ2（酸素）の量について
もＣ4Ｆ8ガスの１．５〜５倍となるように設定される。
【００３９】こうした各ガスの設定により、処理容器３
の内壁に付着するデポを少なく抑えることができ、しか
も高いエッチングレートが得られる。またエッチャント
種を生成するＣ4Ｆ8ガスとＣＯ（一酸化炭素）とを併用
した従来のエッチング方法と違って、本実施形態にかか
るエッチング方法では、ＣＯを用いていないので、安全
性も向上している。
の内壁に付着するデポを少なく抑えることができ、しか
も高いエッチングレートが得られる。またエッチャント
種を生成するＣ4Ｆ8ガスとＣＯ（一酸化炭素）とを併用
した従来のエッチング方法と違って、本実施形態にかか
るエッチング方法では、ＣＯを用いていないので、安全
性も向上している。
【００４０】また前記エッチング処理の際には、エッチ
ャント種を生成するガスとして、Ｃ4Ｆ8を用いたが、こ
れに代えてＣＨＦ3ガスを用い、その分圧を５ｍＴｏｒ
ｒ〜２０ｍＴｏｒｒに設定すると共に、ＣＨＦ3ガス：
Ｏ2の比を１：４〜９に設定してエッチングしても、処
理容器３の内壁に付着するデポを少なく抑えることがで
き、しかも高いエッチングレートが得られる。もちろん
ＣＯを用いないので、作業上も安全である。
ャント種を生成するガスとして、Ｃ4Ｆ8を用いたが、こ
れに代えてＣＨＦ3ガスを用い、その分圧を５ｍＴｏｒ
ｒ〜２０ｍＴｏｒｒに設定すると共に、ＣＨＦ3ガス：
Ｏ2の比を１：４〜９に設定してエッチングしても、処
理容器３の内壁に付着するデポを少なく抑えることがで
き、しかも高いエッチングレートが得られる。もちろん
ＣＯを用いないので、作業上も安全である。
【００４１】
（第１実施例）前記実施形態で用いたエッチング装置１
を用いて、エッチングプロセスに用いるガスにＣ4Ｆ8ガ
ス／Ａｒ（アルゴン）ガス／Ｏ2の混合ガスを使用し
て、Ｃ4Ｆ8ガスの流量を変化させたときの、エッチング
レートと排気中のイオン分析結果（Ｑ−Ｍａｓｓによる
イオン数）を図３のグラフに示す。なお処理室２内のプ
ロセス圧は４０ｍＴｏｒｒに維持し、Ａｒ（アルゴン）
ガスの流量を５６０ｓｃｃｍ、Ｏ2の流量を３ｓｃｃｍ
に固定し、Ｃ4Ｆ8ガスの流量を変化させた。温度は、処
理室２内の下方が２０℃、上方が３０℃、被処理基板と
なる６インチ径のウエハＷの温度は４０℃である。高周
波電力については、上部電極５１に対しては、周波数が
２７．１２ＭＨｚで２０００Ｗの高周波電力を印加し、
一方下部電極となるサセプタ６に対しては周波数が０．
８ＭＨｚで９００Ｗの高周波電力を印加した。
を用いて、エッチングプロセスに用いるガスにＣ4Ｆ8ガ
ス／Ａｒ（アルゴン）ガス／Ｏ2の混合ガスを使用し
て、Ｃ4Ｆ8ガスの流量を変化させたときの、エッチング
レートと排気中のイオン分析結果（Ｑ−Ｍａｓｓによる
イオン数）を図３のグラフに示す。なお処理室２内のプ
ロセス圧は４０ｍＴｏｒｒに維持し、Ａｒ（アルゴン）
ガスの流量を５６０ｓｃｃｍ、Ｏ2の流量を３ｓｃｃｍ
に固定し、Ｃ4Ｆ8ガスの流量を変化させた。温度は、処
理室２内の下方が２０℃、上方が３０℃、被処理基板と
なる６インチ径のウエハＷの温度は４０℃である。高周
波電力については、上部電極５１に対しては、周波数が
２７．１２ＭＨｚで２０００Ｗの高周波電力を印加し、
一方下部電極となるサセプタ６に対しては周波数が０．
８ＭＨｚで９００Ｗの高周波電力を印加した。
【００４２】この図３のグラフによれば、Ｃ4Ｆ8ガスの
流量が１０ｓｃｃｍ〜１５ｓｃｃｍの間、即ち分圧比で
換算すると、１０／（５６０＋３＋１０）〜１５／（５
６０＋３＋１５）つまり０．０１７〜０．０２６、分圧
で示すと０．６９ｍＴｏｒｒ〜１．０４ｍＴｏｒｒの間
で、ほぼ６５０ｎｍ／ｍｉｎ平均の高いエッチングレー
トが得られていることが確認できる。
流量が１０ｓｃｃｍ〜１５ｓｃｃｍの間、即ち分圧比で
換算すると、１０／（５６０＋３＋１０）〜１５／（５
６０＋３＋１５）つまり０．０１７〜０．０２６、分圧
で示すと０．６９ｍＴｏｒｒ〜１．０４ｍＴｏｒｒの間
で、ほぼ６５０ｎｍ／ｍｉｎ平均の高いエッチングレー
トが得られていることが確認できる。
【００４３】またエッチャント種となるＣＦ3 +イオンの
数は、デポ種となるＣＦ+イオンの数よりも常に多くな
っており、ＣＦ3 +／ＣＦ+は、Ｃ4Ｆ8ガスの流量が１０
ｓｃｃｍのときで１．７４、Ｃ4Ｆ8ガスの流量が２０ｓ
ｃｃｍのときでも１．３８という高い値が得られてい
る。従って、デポ種よりもエッチャント種の数が上回っ
て、デポが少なくかつ高いエッチングレートが得られる
エッチングを、ウエハＷ上の酸化シリコン系材料層に対
して実施できる。
数は、デポ種となるＣＦ+イオンの数よりも常に多くな
っており、ＣＦ3 +／ＣＦ+は、Ｃ4Ｆ8ガスの流量が１０
ｓｃｃｍのときで１．７４、Ｃ4Ｆ8ガスの流量が２０ｓ
ｃｃｍのときでも１．３８という高い値が得られてい
る。従って、デポ種よりもエッチャント種の数が上回っ
て、デポが少なくかつ高いエッチングレートが得られる
エッチングを、ウエハＷ上の酸化シリコン系材料層に対
して実施できる。
【００４４】（第２実施例）一方、今度は前記実施形態
で用いたエッチング装置１を用いて、エッチングプロセ
スに用いるガスにＣ4Ｆ8ガス／Ａｒ（アルゴン）ガス／
Ｏ2の混合ガスを使用して、Ｏ2の流量を変化させたとき
の、エッチングレートと排気中のイオン分析結果を図４
のグラフに示す。なお処理室２内のプロセス圧は４０ｍ
Ｔｏｒｒに維持し、Ａｒ（アルゴン）ガスの流量は５６
０ｓｃｃｍ、Ｃ4Ｆ8ガス流量は１０ｓｃｃｍに固定し
た。他の条件は前記第１実施例と同一である。
で用いたエッチング装置１を用いて、エッチングプロセ
スに用いるガスにＣ4Ｆ8ガス／Ａｒ（アルゴン）ガス／
Ｏ2の混合ガスを使用して、Ｏ2の流量を変化させたとき
の、エッチングレートと排気中のイオン分析結果を図４
のグラフに示す。なお処理室２内のプロセス圧は４０ｍ
Ｔｏｒｒに維持し、Ａｒ（アルゴン）ガスの流量は５６
０ｓｃｃｍ、Ｃ4Ｆ8ガス流量は１０ｓｃｃｍに固定し
た。他の条件は前記第１実施例と同一である。
【００４５】これによれば、Ｏ2の流量が２ｓｃｃｍ〜
３ｓｃｃｍの間、即ちＣ4Ｆ8ガスとの比で換算すると、
Ｃ4Ｆ8ガス：Ｏ2＝３．３〜５の間で、ほぼ６５０ｎｍ
／ｍｉｎ平均の高いエッチングレートが得られているこ
とが確認できる。またＣＦ3 +／ＣＦ+は、１．５８〜
１．９５となっており、デポが少なくかつ高いエッチン
グレートが得られるエッチングを、ウエハＷ上の酸化シ
リコン系材料層に対して実施できることが確認できる。
３ｓｃｃｍの間、即ちＣ4Ｆ8ガスとの比で換算すると、
Ｃ4Ｆ8ガス：Ｏ2＝３．３〜５の間で、ほぼ６５０ｎｍ
／ｍｉｎ平均の高いエッチングレートが得られているこ
とが確認できる。またＣＦ3 +／ＣＦ+は、１．５８〜
１．９５となっており、デポが少なくかつ高いエッチン
グレートが得られるエッチングを、ウエハＷ上の酸化シ
リコン系材料層に対して実施できることが確認できる。
【００４６】
【発明の効果】請求項１、２のエッチング方法によれ
ば、ＣＯを用いていないので、従来のＣＯを添加するエ
ッチングプロセスよりも安全性が向上している。しかも
Ｏ2によってエッチャントとなるＣＦ3イオンとデポ種と
なるＣＦイオン比を適切にコントロールしているので、
デポの発生を抑えるとともＣＯを添加した従来のプロセ
スと同等以上の高速なエッチングレートが得られる。従
って、処理装置のチャンバー内のクリーニングサイクル
を従来より長くすることができ、またスループットも向
上させることが可能である。
ば、ＣＯを用いていないので、従来のＣＯを添加するエ
ッチングプロセスよりも安全性が向上している。しかも
Ｏ2によってエッチャントとなるＣＦ3イオンとデポ種と
なるＣＦイオン比を適切にコントロールしているので、
デポの発生を抑えるとともＣＯを添加した従来のプロセ
スと同等以上の高速なエッチングレートが得られる。従
って、処理装置のチャンバー内のクリーニングサイクル
を従来より長くすることができ、またスループットも向
上させることが可能である。
【図１】本発明の実施の形態に用いたエッチング装置の
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】図１のエッチング装置における上部電極付近の
要部拡大説明図である。
要部拡大説明図である。
【図３】本発明の実施例に従って実施したエッチング方
法によるＣ4Ｆ8ガスの流量を変化させたときの、エッチ
ングレートと排気中のイオン分析結果を示すグラフであ
る。
法によるＣ4Ｆ8ガスの流量を変化させたときの、エッチ
ングレートと排気中のイオン分析結果を示すグラフであ
る。
【図４】本発明の実施例に従って実施したエッチング方
法によるＯ2の流量を変化させたときの、エッチングレ
ートと排気中のイオン分析結果を示すグラフである。
法によるＯ2の流量を変化させたときの、エッチングレ
ートと排気中のイオン分析結果を示すグラフである。
１ エッチング装置 ２ 処理室 ３ 処理容器 ６ サセプタ １１ 静電チャック ４５、４６、４７ ガス供給源 ５１ 上部電極 ６１ 真空引き手段 ６３、６６ 高周波電源 Ｗ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを
導入し、所定の減圧度の下でこの処理室内にプラズマを
発生させて、この処理室内の被処理基板上の酸化シリコ
ン系材料層をエッチングする方法であって、処理ガスと
してＣ4Ｆ8ガスと希ガスとＯ2を用いると共に、Ｃ4Ｆ8
ガスのプロセス圧に対する分圧を０．５ｍＴｏｒｒ〜
１．５ｍＴｏｒｒ、Ｃ4Ｆ8ガス：Ｏ2の比を１：１．５
〜５に設定してエッチングすることを特徴とする、エッ
チング方法。 - 【請求項２】 減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを
導入し、所定の減圧度の下でこの処理室内にプラズマを
発生させて、この処理室内の被処理基板上の酸化シリコ
ン系材料層をエッチングする方法であって、処理ガスと
してＣＨＦ3ガスと希ガスとＯ2を用いると共に、ＣＨＦ
3ガスのプロセス圧に対する分圧を５ｍＴｏｒｒ〜２０
ｍＴｏｒｒ、ＣＨＦ3ガス：Ｏ2の比を１：４〜９に設定
してエッチングすることを特徴とする、エッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302138A JPH09129611A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302138A JPH09129611A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129611A true JPH09129611A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17905372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7302138A Withdrawn JPH09129611A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129611A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910117A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Methods for protecting device components from chemical mechanical polish induced defects |
| JP2000077404A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-03-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
| WO2000041228A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Method of plasma processing |
| JP2000200771A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-18 | Tokyo Electron Yamanashi Ltd | プラズマ処理方法 |
| US6200735B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-03-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for forming contact hole by dry etching |
| JP2002533949A (ja) * | 1998-12-28 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
| JP2016500203A (ja) * | 2013-02-20 | 2016-01-07 | クックジェ エレクトリック コリア カンパニー リミテッド | 乾式気相蝕刻装置 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP7302138A patent/JPH09129611A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910117A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Methods for protecting device components from chemical mechanical polish induced defects |
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| US7183219B1 (en) | 1998-12-28 | 2007-02-27 | Tokyo Electron At Limited And Japan Science And Technology Corporation | Method of plasma processing |
| JP2010267981A (ja) * | 1998-12-28 | 2010-11-25 | Lam Res Corp | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
| JP5013632B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2012-08-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
| JP2016500203A (ja) * | 2013-02-20 | 2016-01-07 | クックジェ エレクトリック コリア カンパニー リミテッド | 乾式気相蝕刻装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |