JPH09129976A - Semiconductor laser end face passivation method - Google Patents
Semiconductor laser end face passivation methodInfo
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- JPH09129976A JPH09129976A JP7284272A JP28427295A JPH09129976A JP H09129976 A JPH09129976 A JP H09129976A JP 7284272 A JP7284272 A JP 7284272A JP 28427295 A JP28427295 A JP 28427295A JP H09129976 A JPH09129976 A JP H09129976A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より簡単な方法により、端面をパッシベーシ
ョンすることにより、素子作製時間短縮、及び歩留まり
向上を図ることができる半導体レーザの端面パッシベー
ション方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザの端面パッシベーション方
法において、空気中で半導体レーザ用ウエハ２１を劈開
することによりレーザ共振器を有するレーザ・バー２７
を形成する工程と、このレーザ・バー２７を無声放電に
よるオゾン雰囲気中に入れ、紫外線照射を行う工程と、
前記レーザ・バーの劈開面のカーボン及び有機物を除去
する工程と、前記レーザ・バーの劈開面の出射側の端面
及び反射側の端面の光学的処理を行う工程と、レーザ・
バー２７を個々の素子に分離してヒートシンク、ヘッダ
ーに取り付ける工程とを施す。
(57) An object of the present invention is to provide an end face passivation method for a semiconductor laser, which can shorten the device manufacturing time and improve the yield by passivating the end face by a simpler method. In a semiconductor laser end face passivation method, a laser bar 27 having a laser resonator by cleaving a semiconductor laser wafer 21 in air.
And a step of irradiating the laser bar 27 in an ozone atmosphere by silent discharge and irradiating ultraviolet rays.
A step of removing carbon and organic matter on the cleaved surface of the laser bar; a step of performing optical treatment on the emission side end surface and the reflection side end surface of the cleaved surface of the laser bar;
A step of separating the bar 27 into individual elements and attaching them to a heat sink and a header is performed.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザのレ
ーザ光の出射部分である端面にパッシベーション膜を形
成する方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a passivation film on an end face of a semiconductor laser, which is an emitting portion of laser light.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザの端面パッ
シベーション方法については、例えば、特開平３−１０
１１８３号公報に開示されるものがあった。かかる半導
体レーザはリッジ導波路型構造をしており、レーザ発振
を得るために通常劈開によりレーザのミラー（端面と同
義語であり、以下端面と言う）を形成することで、向か
い合った劈開面による端面により共振器が形成され、レ
ーザを発振する。半導体レーザの劣化に最も大きく影響
を与えている原因として、この端面部分での汚染、界面
準位などによる光学的破壊がある。これまで端面での劣
化を抑える、つまり、信頼性向上のために様々なレーザ
端面のパッシベーション方法が提案されてきており、そ
の中に上記文献の方法が含まれている。2. Description of the Related Art Conventionally, an end face passivation method for a semiconductor laser of this kind is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-10.
There was one disclosed in Japanese Patent No. 1183. Such a semiconductor laser has a ridge waveguide type structure, and in order to obtain laser oscillation, a laser mirror (which is synonymous with an end face and is hereinafter referred to as an end face) is usually formed by cleavage to form a laser with a facing cleavage face. A resonator is formed by the end faces and oscillates a laser. The cause of the greatest influence on the deterioration of the semiconductor laser is contamination at the end face portion and optical destruction due to the interface state. Until now, various passivation methods for laser end faces have been proposed in order to suppress deterioration at the end faces, that is, in order to improve reliability, and among them, the method of the above document is included.
【０００３】このような従来の方法において、端面劣化
の改善について主に次の２つのことが注目されている。
すなわち、（１）１つは端面が汚染されていない状態
で、パッシベーションを行う。（２）２番目はパッシベ
ーションの材料がレーザを形成している材料（この文献
では、ＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓである。）と反応しない
材料を用いることである。In such a conventional method, the following two points are mainly focused on improving the deterioration of the end surface.
That is, (1) one is passivation in a state where the end face is not contaminated. (2) The second is to use a material whose passivation material does not react with the material forming the laser (AlGaAs and GaAs in this document).
【０００４】上記（１）の方法として、５×１０-8Ｐａ
の超高真空中（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｖａｃｃｕｍ：
ＵＨＶ）で劈開して、その同じ真空中でパッシベーショ
ンするものである。この様なＵＨＶ中では劈開した部分
の端面は完全に汚染が無く、理想的な状態である。上記
（２）の方法として、パッシベーションを酸素を含まな
い材料、つまり、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）を劈開した同じＵＨＶのチャ
ンバーの内部で電子線蒸着法によりコーティングする。As the method (1) above, 5 × 10 −8 Pa
In an ultra high vacuum (Ultra High Vaccum:
Cleavage by UHV) and passivation in the same vacuum. In such a UHV, the end face of the cleaved portion is completely free of contamination and is in an ideal state. As the method (2) above, passivation is performed using a material containing no oxygen, that is, silicon (Si), germanium (G).
e), antimony (Sb) is coated by the electron beam evaporation method inside the cleaved UHV chamber.
【０００５】その結果として、これらの方法を用いない
レーザは、光出力が短時間に０ｍＷ（つまり劣化して、
故障）になるが、この方法を用いたレーザは初期の光出
力を３００時間以上変化無く動作を続けている。As a result, lasers which do not use these methods have a light output of 0 mW (that is, deterioration,
However, the laser using this method continues to operate without changing the initial optical output for 300 hours or more.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法においては、５×１０-8Ｐａという超高真
空を要することになるが、まず、この真空を作りだすの
が容易ではない。一般に大がかりな真空装置では達成し
うる真空度であるが、真空度を保つために必要なメンテ
ナンスはかなり困難な作業である。However, in the above-mentioned conventional method, an ultrahigh vacuum of 5 × 10 −8 Pa is required, but first, it is not easy to create this vacuum. Generally, the degree of vacuum can be achieved by a large-scale vacuum device, but the maintenance required to maintain the degree of vacuum is a fairly difficult task.
【０００７】更に、この真空中でレーザ端面を形成する
ための劈開を行う必要があるが、通常半導体レーザの共
振器は０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ程度の非常に短いもので
あり（通常幅０．３〜０．５ｍｍ程度素子で、これが数
１０個つながった状態：文献中ではレーザ・バーとなっ
ている）、これを５×１０-8ＰａというＵＨＶ中で遠隔
操作を行うことは困難をきわめる。Further, it is necessary to perform cleavage to form the laser end face in this vacuum, but the resonator of a semiconductor laser is usually very short, about 0.3 mm to 1.5 mm (normal width 0). It is difficult to perform remote control in a UHV of 5 × 10 -8 Pa with a device of about 3 mm to 0.5 mm and several tens of these connected: a laser bar in the literature. Scream.
【０００８】また、この困難をきわめた作業の後、同一
チャンバー内部で劈開面にのみパッシベーション膜（Ｓ
ｉ，Ｇｅ，またはＳｂ）を形成するために、劈開したレ
ーザ素子を移動、回転させなければならない。しかも、
レーザ・バーを同時に多数劈開し、バッシベーションす
ることは不可能に近い。つまり、以上述べたように、通
常考えられる範囲においては、不可能に近い困難な作業
を要するために、素子作製時間、及び素子歩留まりが非
常に悪くなると考えられる。[0008] After the work of making this difficult, a passivation film (S) is formed only on the cleavage plane inside the same chamber.
The cleaved laser element must be moved and rotated to form i, Ge, or Sb). Moreover,
It is almost impossible to cleave and passivate a large number of laser bars at the same time. That is, as described above, it is considered that the device manufacturing time and the device yield are extremely deteriorated because the difficult work which is almost impossible is required in the normally considered range.
【０００９】本発明は、上記問題点を除去し、より簡単
な方法で、端面をパッシベーションすることにより、素
子作製時間短縮、及び歩留まり向上を図ることができる
半導体レーザの端面パッシベーション方法を提供するこ
とを目的とするものである。The present invention eliminates the above problems and provides a semiconductor laser end face passivation method which can shorten the device manufacturing time and improve the yield by passivating the end face by a simpler method. The purpose is.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体レーザの端面パッシベーション方法におい
て、空気中で半導体レーザ用ウエハを劈開することによ
りレーザ共振器を有するレーザ・バーを形成する工程
と、このレーザ・バーを無声放電によるオゾン雰囲気中
に入れ、紫外線照射を行う工程と、前記レーザ・バーの
劈開面のカーボン及び有機物を除去する工程と、前記レ
ーザ・バーの出射側の端面及び反射側の端面の光学的処
理を行う工程と、前記レーザ・バーを個々の素子に分離
してヒートシンク、ヘッダーに取り付ける工程とを施す
ようにしたものである。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides: (1) In a semiconductor laser end face passivation method, a laser having a laser resonator by cleaving a semiconductor laser wafer in air. A step of forming a bar, a step of placing the laser bar in an ozone atmosphere by silent discharge and irradiating with an ultraviolet ray, a step of removing carbon and organic matter on the cleaved surface of the laser bar, and the laser bar The step of optically treating the end surface on the emitting side and the end surface on the reflecting side, and the step of separating the laser bar into individual elements and attaching them to a heat sink and a header are performed.
【００１１】したがって、空気中でレーザ・バーに劈開
することが可能であり、しかも、オゾン処理は特別な真
空装置の必要はなく、多くのレーザ・バーを一度に処理
できるために、作業性が非常に良くなる。また、このパ
ッシベーションにより素子の長寿命化を図ることができ
る。 （２）半導体レーザの端面パッシベーション方法におい
て、空気中で半導体レーザ用ウエハを劈開することによ
りレーザ共振器を有する素子を形成する工程と、個々の
素子をヒートシンク、ヘッダーに取り付ける工程と、こ
の素子を無声放電によるオゾン雰囲気中に入れ、紫外線
照射を行う工程と、前記素子の劈開面のカーボン及び有
機物を除去する工程と、前記素子の出射側の端面及び反
射側の端面の光学的処理を行う工程とを施すようにした
ものである。Therefore, the laser bar can be cleaved in the air, and the ozone treatment does not require a special vacuum device, and many laser bars can be treated at one time. Get very good. Further, the life of the element can be extended by this passivation. (2) In a semiconductor laser end face passivation method, a step of forming an element having a laser resonator by cleaving a semiconductor laser wafer in air, a step of attaching each element to a heat sink, a header, and Putting in an ozone atmosphere by silent discharge, irradiating with ultraviolet rays, removing carbon and organic matter on the cleaved surface of the element, and performing optical treatment on the end surface on the emitting side and the end surface on the reflecting side of the element It is designed to be applied.
【００１２】したがって、特に、半導体レーザの組み立
てた後にオゾン処理を行うために、組み立て中の端面の
汚染を取り除くことができる。Therefore, in particular, since the ozone treatment is performed after the semiconductor laser is assembled, the contamination of the end face during the assembly can be removed.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示す半導体レーザの端面のパッシベーション工程
の一部を示す図である。 〔Ａ〕（１）まず、半導体レーザの共振器を形成するた
めの劈開を空気中で行う。劈開の方法としては一般的な
方法を用いる。例えば、図１（ａ）に示すようなレーザ
構造を有するウエハ２１を用意し、図１（ｂ）に示すよ
うに、そのレーザ構造を有するウエハ２１を粘着力の弱
いテープ、またはセロハン２２，２３で挟み、劈開する
位置にダイアモンドカッターなどで、長さ５０〜１００
μｍの溝（傷）２４，２５を付ける。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a part of a passivation process of an end face of a semiconductor laser showing a first embodiment of the present invention. [A] (1) First, cleavage for forming a resonator of a semiconductor laser is performed in air. A general method is used as the cleavage method. For example, a wafer 21 having a laser structure as shown in FIG. 1A is prepared, and as shown in FIG. 1B, the wafer 21 having the laser structure is attached to a tape having a weak adhesive force or cellophane 22, 23. 50 ~ 100 length with a diamond cutter etc. at the cleavage position.
Grooves (scratches) 24 and 25 of μm are formed.
【００１４】（２）その後、図１（ｃ）に示すように、
金属製のブロック２６上に基板側が下になるようにおい
て、劈開の位置とブロックの一辺を目視にて合わせ、図
のＡの部分を手で下に押すようにする。 （３）これを連続的に行いテープを剥がすと、図１
（ｄ）に示すように、同時に多数のレーザ・バー２７が
容易に作製できる。また、ここでは説明しないが、空気
中で行うことができるので、これに近い操作を機械で自
動的に行うことで、更に、効率よくレーザ・バー２７を
作製することができる。(2) After that, as shown in FIG.
With the substrate side facing down on the metal block 26, the cleavage position is visually aligned with one side of the block, and the portion A in the drawing is pushed downward by hand. (3) When this is done continuously and the tape is peeled off,
As shown in (d), a large number of laser bars 27 can be easily manufactured at the same time. Although not described here, since it can be performed in air, the laser bar 27 can be manufactured more efficiently by automatically performing an operation close to this in a machine.
【００１５】〔Ｂ〕上記のようにして形成したレーザ・
バーを、オゾン−ＵＶクリーナ装置に入れて、無声放電
によるオゾンに紫外線を照射した雰囲気に曝して処理す
る。従来、このオゾン−ＵＶクリーナ装置はＳｉを用い
た半導体素子（ＩＣなど）の製造におけるフォトレジス
ト、及び有機物の除去を目的として開発された装置であ
る。つまり、無声放電によるオゾンを水銀ランプにより
紫外線を照射することにより、ウエハダメージを低く抑
えたまま、フォトレジストの除去レートを高くして、実
用に耐えるようにしたものである。レジストを除去した
後にはオゾンにより、酸化物が形成される。[B] Laser formed as described above
The bar is placed in an ozone-UV cleaner and exposed to an atmosphere of ultraviolet irradiation of ozone by silent discharge for processing. Conventionally, this ozone-UV cleaner is an apparatus developed for the purpose of removing a photoresist and an organic substance in the production of a semiconductor element (IC or the like) using Si. That is, by irradiating ozone generated by silent discharge with ultraviolet rays from a mercury lamp, the removal rate of the photoresist is increased while keeping the wafer damage low, so that the wafer can be used practically. After removing the resist, ozone forms oxides.
【００１６】通常、Ｓｉを用いたＩＣなどではＳｉ上に
ＳｉＯ2 などの酸化物を形成するために、このオゾンに
よる酸化現象は問題にならない。しかし、レーザの端面
への照射においては、従来技術の文献にあるように端面
は清浄表面であり、酸素を含まない材料を用いることが
有効であると考えられている。本発明においては、あえ
て、酸化物を形成する処理方法を用いた。この処理によ
り、除去されるものは、空気中で、しかもテープを使用
しているための劈開であるために多くのカーボン（Ｃ）
及び有機物である。酸化物の厚さは処理時間及び処理温
度によるが、今回は８０℃、３０分の処理を行った。有
機物及びＣが除去される時間、温度の条件で処理する。Usually, in an IC using Si, since an oxide such as SiO 2 is formed on Si, this oxidation phenomenon by ozone does not pose a problem. However, in irradiating the end face of the laser, the end face is a clean surface as described in the literature of the prior art, and it is considered effective to use a material containing no oxygen. In the present invention, a treatment method of forming an oxide is used. This process removes a large amount of carbon (C) because it is cleaved in the air and because the tape is used.
And organic matter. The thickness of the oxide depends on the treatment time and the treatment temperature, but this time, the treatment was performed at 80 ° C. for 30 minutes. The treatment is performed under the conditions of temperature and time for removing the organic matter and C.
【００１７】この処理の後は、通常のレーザ素子作製を
プロセス通り行い、出射側の端面に反射率が低くなるよ
うにＡｌ2 Ｏ3 を、後ろ側に反射率が高くなるようにＡ
ｌ2Ｏ3 ／Ｓｉの多層膜を通常のスパッタ装置、電子ビ
ーム蒸着装置を用いて形成する。レーザ・バー２７を個
々の素子に分離してヒートシンク、ヘッダーに取り付け
る。After this treatment, a normal laser device is manufactured through the process, and Al 2 O 3 is applied to the end face on the emitting side so that the reflectance is low, and A is applied so that the reflectance is high on the rear side.
A l 2 O 3 / Si multilayer film is formed by using an ordinary sputtering apparatus or electron beam evaporation apparatus. The laser bar 27 is separated into individual elements and attached to a heat sink and a header.
【００１８】このように構成したので、第１実施例によ
れば、空気中でレーザ・バー２７に劈開することが可能
であり、しかもオゾン処理は特別な真空装置の必要はな
く、多くのレーザ・バー２７を一度に処理できるため
に、作業性が非常に良くなる。更に、この処理により、
従来技術では考えられなかったことであるが、端面がオ
ゾンにより酸化され、酸化物が形成されているにも関わ
らず信頼性が良いことがわかった。With this construction, according to the first embodiment, the laser bar 27 can be cleaved in the air, and the ozone treatment does not require a special vacuum device, and many lasers can be used. -Because the bar 27 can be treated at one time, workability is greatly improved. In addition, this process
Although not considered in the prior art, it was found that the reliability was good despite the fact that the end face was oxidized by ozone and an oxide was formed.
【００１９】図２は一定光出力（２５℃で１００ｍＷの
光出力）を維持するための動作電流と動作時間の関係を
示す図であり、横軸はタイム（時間）、縦軸は動作電流
（ｍＡ）を示している。素子ａは本発明によりオゾン処
理を施したものであり、素子ｂはオゾン処理を除いて同
じ作製方法により作製した素子である。素子ａは１１０
０時間以上でも動作電流の変化が少なく安定に動作して
いる。一方、素子ｂは百数十時間以内に急激に動作電流
が増加（素子が劣化したために一定の光出力を保つため
には動作電流を増加する必要がある）して、故障に至っ
ている。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an operating current and an operating time for maintaining a constant optical output (optical output of 100 mW at 25 ° C.), the horizontal axis represents time (hour), and the vertical axis represents operating current ( mA) is shown. The element a is an element that has been subjected to ozone treatment according to the present invention, and the element b is an element that is manufactured by the same manufacturing method except for ozone treatment. Element a is 110
Even after 0 hours, there is little change in the operating current and stable operation is achieved. On the other hand, the operating current of element b rapidly increases within a hundred and several tens of hours (it is necessary to increase the operating current in order to maintain a constant light output because the element has deteriorated), leading to failure.
【００２０】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。上記した第１実施例ではオゾン処理をレーザ・バー
の状態で行った。第２実施例では、図３に示すように、
まず、レーザ・バーを１個づつのレーザ素子３１に切り
離した後に、放熱用のヒートシンク３２、及びヘッダー
３３に組み立てる。その後に、オゾン処理以降を行う。
すなわち、１個づつのレーザ素子３１を無声放電による
オゾン雰囲気中に入れ、ＵＶランプ照射を行う工程と、
カーボン及び有機物を除去する工程と、出射側の端面は
反射率が低くなるようにＡｌ2 Ｏ3 を、後ろ側は反射率
が高くなるようなＡｌ2 Ｏ3 ／Ｓｉの多層膜を形成する
工程とを施す。Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the above-mentioned first embodiment, the ozone treatment was performed in the state of the laser bar. In the second embodiment, as shown in FIG.
First, the laser bars are separated into individual laser elements 31, and then assembled into a heat sink 32 for heat dissipation and a header 33. After that, the ozone treatment and the subsequent steps are performed.
That is, each laser element 31 is placed in an ozone atmosphere by silent discharge and UV lamp irradiation is performed,
Removing the carbon and organics, step end face on the exit side of the Al 2 O 3 so that the reflectance decreases, the rear side to form a multilayer film of Al 2 O 3 / Si as the reflectance increases And apply.
【００２１】上記したように構成したので、第１実施例
と同じ効果に加えて、半導体レーザを組み立てた後にオ
ゾン処理を行うために、組み立て中の端面の汚染を取り
除くことができる。また、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が
可能であり、それらを本発明の範囲から排除するもので
はない。With the above construction, in addition to the same effect as in the first embodiment, since the ozone treatment is carried out after the semiconductor laser is assembled, the contamination of the end face during the assembly can be removed. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible based on the gist of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明は
次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、空気中でレーザ・
バーに劈開することが可能であり、しかも、オゾン処理
は特別な真空装置の必要はなく、多くのレーザ・バーを
一度に処理できるために、作業性が非常に良くなる。As described above in detail, the present invention can exert the following effects. (1) According to the invention of claim 1, the laser
It can be cleaved into bars, and the ozone treatment does not require a special vacuum device, and many laser bars can be treated at one time, which greatly improves workability.
【００２３】また、このパッシベーションにより素子の
長寿命化を図ることができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、特に、半導体レー
ザーを組み立てた後にオゾン処理を行うために、組み立
て中の端面の汚染を取り除くことができる。Further, the life of the element can be extended by this passivation. (2) According to the second aspect of the invention, in particular, since the ozone treatment is performed after the semiconductor laser is assembled, the contamination of the end face during the assembly can be removed.
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの端面
パッシベーション工程の一部を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a part of an end face passivation process of a semiconductor laser showing a first embodiment of the present invention.
【図２】一定光出力（２５℃で１００ｍＷの光出力）を
維持するための動作電流と動作時間の関係を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an operating current and an operating time for maintaining a constant light output (light output of 100 mW at 25 ° C.).
【図３】本発明の第２実施例を示す半導体レーザの端面
パッシベーション処理を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an end face passivation process for a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention.
２１ レーザ構造を有するウエハ ２２，２３ テープ、またはセロハン ２４，２５ 溝（傷） ２６ 金属製のブロック ２７ レーザ・バー ３１ レーザ素子 ３２ 放熱用のヒートシンク ３３ ヘッダー 21 Wafer having laser structure 22,23 Tape or cellophane 24,25 Groove (scratch) 26 Metal block 27 Laser bar 31 Laser element 32 Heat sink for heat dissipation 33 Header
フロントページの続き (72)発明者 中村 幸治 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内Continued Front Page (72) Inventor Koji Nakamura 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (2)
法において、（ａ）空気中で半導体レーザ用ウエハを劈
開することによりレーザ共振器を有するレーザ・バーを
形成する工程と、（ｂ）該レーザ・バーを無声放電によ
るオゾン雰囲気中に入れ紫外線照射を行う工程と、
（ｃ）前記レーザ・バーの劈開面のカーボン及び有機物
を除去する工程と、（ｄ）前記レーザ・バーの出射側の
端面及び反射側の端面の光学的処理を行う工程と、
（ｅ）前記レーザ・バーを個々の素子に分離してヒート
シンク、ヘッダーに取り付ける工程とを施すことを特徴
とする半導体レーザの端面パッシベーション方法。1. A method for passivating an end surface of a semiconductor laser, comprising: (a) forming a laser bar having a laser resonator by cleaving a semiconductor laser wafer in air; and (b) forming the laser bar. A step of irradiating with ultraviolet rays by placing in an ozone atmosphere by silent discharge,
(C) a step of removing carbon and organic matter on the cleaved surface of the laser bar, and (d) a step of optically treating the emitting side end surface and the reflecting side end surface of the laser bar,
(E) A step of passivating an end face of a semiconductor laser, wherein the laser bar is separated into individual elements and attached to a heat sink and a header.
法において、（ａ）空気中で半導体レーザ用ウエハを劈
開することによりレーザ共振器を有する素子を形成する
工程と、（ｂ）個々の素子をヒートシンク、ヘッダーに
取り付ける工程と、（ｃ）該素子を無声放電によるオゾ
ン雰囲気中に入れ紫外線照射を行う工程と、（ｄ）前記
素子の劈開面のカーボン及び有機物を除去する工程と、
（ｅ）前記素子の出射側の端面及び反射側の端面の光学
的処理を行う工程とを施すことを特徴とする半導体レー
ザの端面パッシベーション方法。2. A semiconductor laser end face passivation method, comprising: (a) a step of forming an element having a laser resonator by cleaving a semiconductor laser wafer in air; and (b) a heat sink and a header for each element. And (c) placing the device in an ozone atmosphere by silent discharge for ultraviolet irradiation, and (d) removing carbon and organic matter on the cleaved surface of the device.
(E) A step of performing optical treatment on the emitting side end face and the reflecting side end face of the element, the end face passivation method of a semiconductor laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284272A JPH09129976A (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Semiconductor laser end face passivation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284272A JPH09129976A (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Semiconductor laser end face passivation method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129976A true JPH09129976A (en) | 1997-05-16 |
Family
ID=17676387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7284272A Pending JPH09129976A (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Semiconductor laser end face passivation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129976A (en) |
Cited By (3)
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