JPH09129977A - 温度制御型電気光変換器 - Google Patents
温度制御型電気光変換器Info
- Publication number
- JPH09129977A JPH09129977A JP28484195A JP28484195A JPH09129977A JP H09129977 A JPH09129977 A JP H09129977A JP 28484195 A JP28484195 A JP 28484195A JP 28484195 A JP28484195 A JP 28484195A JP H09129977 A JPH09129977 A JP H09129977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature control
- electro
- temperature
- laser diode
- bias current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度計を用いることなく、レーザダイオード
の温度変化を検出して温度制御を行うことが可能な技術
を提供すること。 【解決手段】 電気を光に変換する電気光変換素子と、
該電気光変換素子の出力を予め設定された値に制御する
光出力制御手段と、前記電気光変換素子を冷却もしくは
加熱する温調素子と、該温調素子の特性を制御する温調
素子制御手段とからなる温度制御型電気光変換器におい
て、前記光出力制御手段は、変換される電気の量をバイ
アス電流によって変化させる電気量制御手段と、前記バ
イアス電流を検出するバイアス電流検出手段とを有し、
前記バイアス電流が予め設定された値より大きいとき
は、前記電気光変換素子を前記温調素子により冷却し、
前記バイアス電流値が予め設定された値より小さいとき
は、前記電気光変換素子を前記温調素子により加熱す
る。
の温度変化を検出して温度制御を行うことが可能な技術
を提供すること。 【解決手段】 電気を光に変換する電気光変換素子と、
該電気光変換素子の出力を予め設定された値に制御する
光出力制御手段と、前記電気光変換素子を冷却もしくは
加熱する温調素子と、該温調素子の特性を制御する温調
素子制御手段とからなる温度制御型電気光変換器におい
て、前記光出力制御手段は、変換される電気の量をバイ
アス電流によって変化させる電気量制御手段と、前記バ
イアス電流を検出するバイアス電流検出手段とを有し、
前記バイアス電流が予め設定された値より大きいとき
は、前記電気光変換素子を前記温調素子により冷却し、
前記バイアス電流値が予め設定された値より小さいとき
は、前記電気光変換素子を前記温調素子により加熱す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度制御型電気光
変換器に関し、特に、半導体レーザ等を用いた通信等に
用いる技術において、温度変化に関係なく光出力を一定
にする温度制御型電気光変換器に適応して有効な技術に
関するものである。
変換器に関し、特に、半導体レーザ等を用いた通信等に
用いる技術において、温度変化に関係なく光出力を一定
にする温度制御型電気光変換器に適応して有効な技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の温度制御型電気光変換器は、図３
に示すように、電気を光に変換するための電気光変換素
子であるレーザダイオード１、レーザダイオード１が発
光し、出力する光（レーザビーム）の一部を分岐した分
岐光（モニタビーム）とレーザダイオード１から漏れて
くる漏洩光とを受光するモニタＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉ
ｏｄｅ：フォトダイオード）２、レーザダイオード１に
密着されており、レーザダイオード１の温度を所定の値
に保つために発光時に発生する熱を吸熱あるいは加熱す
る温調素子（ペルチェ素子等の熱電変換素子）、レーザ
ダイオード１に密着あるいは近接して設置されており、
レーザダイオード１の温度を検出するための温度計（た
とえば、サーミスタ等の感温素子）７と、レーザダイオ
ード１に供給するバイアス電流の量を制御して、レーザ
ダイオード１から出力されるレーザビームの光強度を制
御する電気量制御手段３、レーザダイオード１の温度を
制御する温調素子制御手段８とから構成されており、レ
ーザダイオード１から出力されるレーザビームを光ファ
イバ９に入射していた。
に示すように、電気を光に変換するための電気光変換素
子であるレーザダイオード１、レーザダイオード１が発
光し、出力する光（レーザビーム）の一部を分岐した分
岐光（モニタビーム）とレーザダイオード１から漏れて
くる漏洩光とを受光するモニタＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉ
ｏｄｅ：フォトダイオード）２、レーザダイオード１に
密着されており、レーザダイオード１の温度を所定の値
に保つために発光時に発生する熱を吸熱あるいは加熱す
る温調素子（ペルチェ素子等の熱電変換素子）、レーザ
ダイオード１に密着あるいは近接して設置されており、
レーザダイオード１の温度を検出するための温度計（た
とえば、サーミスタ等の感温素子）７と、レーザダイオ
ード１に供給するバイアス電流の量を制御して、レーザ
ダイオード１から出力されるレーザビームの光強度を制
御する電気量制御手段３、レーザダイオード１の温度を
制御する温調素子制御手段８とから構成されており、レ
ーザダイオード１から出力されるレーザビームを光ファ
イバ９に入射していた。
【０００３】図３に示す従来の温度制御型電気光変換器
は、レーザダイオード１の温度を制御する場合、レーザ
ダイオード１に密着あるいは近接して設置した温度計７
により、レーザダイオード１の温度を検出し、その検出
した温度に基づき温調素子制御手段８が温調素子（ペル
チェ素子等）６を制御することによって、レーザダイオ
ード１の温度を所定の温度に保っていた。
は、レーザダイオード１の温度を制御する場合、レーザ
ダイオード１に密着あるいは近接して設置した温度計７
により、レーザダイオード１の温度を検出し、その検出
した温度に基づき温調素子制御手段８が温調素子（ペル
チェ素子等）６を制御することによって、レーザダイオ
ード１の温度を所定の温度に保っていた。
【０００４】一方、レーザダイオード１の出力を制御す
る場合、すなわち、光ファイバ９に入力されるレーザビ
ームの光強度を制御する場合は、レーザダイオード１の
分岐光および漏洩光をモニタＰＤ２を用いて検出し、そ
の検出レベルと予め設定した設定電圧とを電気量制御手
段３で比較し、光出力が一定となるようにレーザダイオ
ード１の電流を制御していた。
る場合、すなわち、光ファイバ９に入力されるレーザビ
ームの光強度を制御する場合は、レーザダイオード１の
分岐光および漏洩光をモニタＰＤ２を用いて検出し、そ
の検出レベルと予め設定した設定電圧とを電気量制御手
段３で比較し、光出力が一定となるようにレーザダイオ
ード１の電流を制御していた。
【０００５】なお、１０は電気光変換部を示しており、
レーザダイオード１、モニタＰＤ２、温調素子６および
温度計７から構成される。
レーザダイオード１、モニタＰＤ２、温調素子６および
温度計７から構成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００７】従来の温度制御型電気光変換器は、レーザ
ダイオード１に近接して設置した温度計７によりレーザ
ダイオード１の温度を検出し、この検出した温度に基づ
いてレーザダイオードの温度を制御していたために、電
気光変換部１０を小型化できないという問題があった。
ダイオード１に近接して設置した温度計７によりレーザ
ダイオード１の温度を検出し、この検出した温度に基づ
いてレーザダイオードの温度を制御していたために、電
気光変換部１０を小型化できないという問題があった。
【０００８】また、電気光変換部１０を小型化もしくは
特殊な形にした場合等で、レーザダイオード１の近傍に
温度計７を設置できない場合には、レーザダイオード１
の温度の変化を迅速に検出することができないので、レ
ーザダイオードの温度制御ができないという問題があっ
た。
特殊な形にした場合等で、レーザダイオード１の近傍に
温度計７を設置できない場合には、レーザダイオード１
の温度の変化を迅速に検出することができないので、レ
ーザダイオードの温度制御ができないという問題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、温度計（感温素子）を用
いることなく、レーザダイオードの温度変化を検出して
温度制御を行うことが可能な技術を提供することにあ
る。
いることなく、レーザダイオードの温度変化を検出して
温度制御を行うことが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１２】（１）電気を光に変換する電気光変換素子
と、該電気光変換素子の出力を予め設定された値に制御
する光出力制御手段と、前記電気光変換素子の温度を制
御する温度制御手段とを有し、該温度制御手段は、前記
電気光変換素子を冷却もしくは加熱する温調素子と、該
温調素子の特性を制御する温調素子制御手段とからなる
温度制御型電気光変換器において、前記光出力制御手段
は、変換される電気の量をバイアス電流によって変化さ
せる電気量制御手段と、前記バイアス電流を検出するバ
イアス電流検出手段とを有し、前記バイアス電流が予め
設定された値より大きいときは、前記電気光変換素子を
前記温調素子により冷却し、前記バイアス電流値が予め
設定された値より小さいときは、前記電気光変換素子を
前記温調素子により加熱する。
と、該電気光変換素子の出力を予め設定された値に制御
する光出力制御手段と、前記電気光変換素子の温度を制
御する温度制御手段とを有し、該温度制御手段は、前記
電気光変換素子を冷却もしくは加熱する温調素子と、該
温調素子の特性を制御する温調素子制御手段とからなる
温度制御型電気光変換器において、前記光出力制御手段
は、変換される電気の量をバイアス電流によって変化さ
せる電気量制御手段と、前記バイアス電流を検出するバ
イアス電流検出手段とを有し、前記バイアス電流が予め
設定された値より大きいときは、前記電気光変換素子を
前記温調素子により冷却し、前記バイアス電流値が予め
設定された値より小さいときは、前記電気光変換素子を
前記温調素子により加熱する。
【００１３】前述した（１）の手段によれば、電気光変
換素子を駆動するためのバイアス電流を、バイアス電流
検出手段が予め設定された温度における電流値との差を
温度制御手段に出力し、この温度制御手段の温調素子制
御手段がバイアス電流検出手段からの出力に基づき温調
素子の冷却および加熱を制御することにより、電気光変
換素子の温度を制御するので、電気光変換素子の近傍に
温度計を設けることなく、電気光変換素子の温度を制御
できる。
換素子を駆動するためのバイアス電流を、バイアス電流
検出手段が予め設定された温度における電流値との差を
温度制御手段に出力し、この温度制御手段の温調素子制
御手段がバイアス電流検出手段からの出力に基づき温調
素子の冷却および加熱を制御することにより、電気光変
換素子の温度を制御するので、電気光変換素子の近傍に
温度計を設けることなく、電気光変換素子の温度を制御
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、発明の実
施の形態（実施例）とともに図面を参照して詳細に説明
する。
施の形態（実施例）とともに図面を参照して詳細に説明
する。
【００１５】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】図１は、本発明の一実施の形態の温度制御
型電気光変換器の概略構成を示すブロック図であり、１
はレーザダイオード（電気光変換素子）、２はモニタＰ
Ｄ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：フォトダイオード）、３
は電気量制御手段（ＡＰＣ回路：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ回路）、４はバイアス電流
検出手段、５は温調素子制御手段、６は温調素子、９は
光ファイバ、１１は電気光変換部を示す。
型電気光変換器の概略構成を示すブロック図であり、１
はレーザダイオード（電気光変換素子）、２はモニタＰ
Ｄ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：フォトダイオード）、３
は電気量制御手段（ＡＰＣ回路：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ回路）、４はバイアス電流
検出手段、５は温調素子制御手段、６は温調素子、９は
光ファイバ、１１は電気光変換部を示す。
【００１７】図１において、レーザダイオード１は周知
のレーザダイオードであり、電気量制御手段３の出力す
る電流値とレーザダイオード１自信の温度とに応じた強
度の光（レーザビーム）を出力する。
のレーザダイオードであり、電気量制御手段３の出力す
る電流値とレーザダイオード１自信の温度とに応じた強
度の光（レーザビーム）を出力する。
【００１８】モニタＰＤ２は、入力される光強度を検出
するための素子であり、たとえば、周知のフォトダイオ
ードを使用することにより、入力される光の強度に応じ
た抵抗値の変化に変換することができる。
するための素子であり、たとえば、周知のフォトダイオ
ードを使用することにより、入力される光の強度に応じ
た抵抗値の変化に変換することができる。
【００１９】電気量制御手段３は、モニタＰＤ２を流れ
る電流値、すなわち、モニタＰＤ２の抵抗値からレーザ
ダイオード１のレーザビームの光強度を測定し、レーザ
ダイオード１のレーザビームが所定の光強度となるよう
に、レーザダイオード１に供給する電流（バイアス電
流）の値を制御する。
る電流値、すなわち、モニタＰＤ２の抵抗値からレーザ
ダイオード１のレーザビームの光強度を測定し、レーザ
ダイオード１のレーザビームが所定の光強度となるよう
に、レーザダイオード１に供給する電流（バイアス電
流）の値を制御する。
【００２０】なお、電気量制御手段３の詳細について
は、文献１の「光半導体データ・ブック，ｐｐ．２８−
３１，１９９３．」を参照されたい。
は、文献１の「光半導体データ・ブック，ｐｐ．２８−
３１，１９９３．」を参照されたい。
【００２１】バイアス電流検出手段４は、所定の温度に
対するバイアス電流値とレーザダイオード１を駆動する
バイアス電流値との差分を温調素子制御手段５に出力す
る、オぺアンプ等からなる周知の差動増幅回路である。
対するバイアス電流値とレーザダイオード１を駆動する
バイアス電流値との差分を温調素子制御手段５に出力す
る、オぺアンプ等からなる周知の差動増幅回路である。
【００２２】温調素子制御手段５は、バイアス電流検出
手段４の出力に基づき、温調素子６に出力する電流の向
きを制御することにより、温調素子６の熱交換の方向、
すなわち、温調素子６に接触して配置される図示しない
放熱板と、レーザダイオード１との熱交換の方向を制御
する。
手段４の出力に基づき、温調素子６に出力する電流の向
きを制御することにより、温調素子６の熱交換の方向、
すなわち、温調素子６に接触して配置される図示しない
放熱板と、レーザダイオード１との熱交換の方向を制御
する。
【００２３】温調素子６はペルチェ効果を有する周知の
熱電変換素子であり、図示しない放熱板とレーザダイオ
ード１とで挟まれるように設置されており、温調素子制
御手段５から供給される電流の向きにより、レーザダイ
オード１で発生した熱を吸熱し、図示しない放熱板に放
熱、あるいは、図示しない放熱板から熱を吸熱し、レー
ザダイオード１に放熱（供給）する。
熱電変換素子であり、図示しない放熱板とレーザダイオ
ード１とで挟まれるように設置されており、温調素子制
御手段５から供給される電流の向きにより、レーザダイ
オード１で発生した熱を吸熱し、図示しない放熱板に放
熱、あるいは、図示しない放熱板から熱を吸熱し、レー
ザダイオード１に放熱（供給）する。
【００２４】光ファイバ９はレーザダイオード１から出
力されるレーザビームを所定の場所に導くためのファイ
バであり、たとえば、石英ガラス系のステップ形多モー
ドの光ファイバを用いる。
力されるレーザビームを所定の場所に導くためのファイ
バであり、たとえば、石英ガラス系のステップ形多モー
ドの光ファイバを用いる。
【００２５】電気光変換部１１はレーザダイオード１、
モニタＰＤ２、温調素子６および図示しない放熱板から
なり、たとえば、電気光変換部１１を小型化するために
モジュールとして一体に構成される。
モニタＰＤ２、温調素子６および図示しない放熱板から
なり、たとえば、電気光変換部１１を小型化するために
モジュールとして一体に構成される。
【００２６】図２は、温度を変化させた場合のレーザダ
イオード１のレーザビームの光強度とバイアス電流との
関係を示すグラフであり、２１はレーザダイオード１の
温度（Ｔ）がＴ1、２２はレーザダイオード１の温度が
Ｔ2、２３はレーザダイオードの温度がＴ3の場合を示
す。
イオード１のレーザビームの光強度とバイアス電流との
関係を示すグラフであり、２１はレーザダイオード１の
温度（Ｔ）がＴ1、２２はレーザダイオード１の温度が
Ｔ2、２３はレーザダイオードの温度がＴ3の場合を示
す。
【００２７】また、Ｉ1はレーザダイオード１の温度が
Ｔ1の時にレーザビームの光強度がＰ0となるバイアス電
流値、Ｉ2はレーザダイオード１の温度がＴ2の時にレー
ザビームの光強度がＰ0となるバイアス電流値、Ｉ3はレ
ーザダイオード１の温度がＴ3の時にレーザビームの光
強度がＰ0となるバイアス電流値を示す。
Ｔ1の時にレーザビームの光強度がＰ0となるバイアス電
流値、Ｉ2はレーザダイオード１の温度がＴ2の時にレー
ザビームの光強度がＰ0となるバイアス電流値、Ｉ3はレ
ーザダイオード１の温度がＴ3の時にレーザビームの光
強度がＰ0となるバイアス電流値を示す。
【００２８】なお、図２においてレーザダイオード１の
温度はＴ3＞Ｔ2＞Ｔ1、バイアス電流はＩ3＞Ｉ2＞Ｉ1で
ある。
温度はＴ3＞Ｔ2＞Ｔ1、バイアス電流はＩ3＞Ｉ2＞Ｉ1で
ある。
【００２９】図２から明らかなように、レーザダイオー
ド１に所定の光強度（Ｐ0）のレーザビームを出力させ
るためには、レーザダイオード１の温度が低い（Ｔ1）
方が小さいバイアス電流で所定の光強度のレーザビーム
が得られる。
ド１に所定の光強度（Ｐ0）のレーザビームを出力させ
るためには、レーザダイオード１の温度が低い（Ｔ1）
方が小さいバイアス電流で所定の光強度のレーザビーム
が得られる。
【００３０】また、レーザダイオード１の電気光変換効
率が非常に低いために、熱が発生してレーザダイオード
１自信の温度が上昇する。
率が非常に低いために、熱が発生してレーザダイオード
１自信の温度が上昇する。
【００３１】次に、図１および図２に基づき本発明の実
施の形態の温度制御型電気光変換器の動作を説明する
と、図示しないオペレータの指示により電源が投入され
ると、電気量制御手段３は所定の光強度のレーザビーム
を出力するようにバイアス電流をレーザダイオード１に
印加する。
施の形態の温度制御型電気光変換器の動作を説明する
と、図示しないオペレータの指示により電源が投入され
ると、電気量制御手段３は所定の光強度のレーザビーム
を出力するようにバイアス電流をレーザダイオード１に
印加する。
【００３２】このとき、電気量制御手段３はモニタＰＤ
２の抵抗値を常時監視しており、このモニタＰＤ２の抵
抗値が予め設定されている抵抗値と等しくなるように、
レーザダイオード１を駆動するためのバイアス電流を制
御する。
２の抵抗値を常時監視しており、このモニタＰＤ２の抵
抗値が予め設定されている抵抗値と等しくなるように、
レーザダイオード１を駆動するためのバイアス電流を制
御する。
【００３３】一方、バイアス電流検出手段４は、レーザ
ダイオード１を駆動するためのバイアス電流値と、予め
設定されている光強度がＰ0となる時の電流値との差分
を出力し、温調素子制御手段５がその差分出力に基づ
き、温調素子６に出力する電流の向きを制御することに
より、レーザダイオード１の温度を所定の温度に保つ。
ダイオード１を駆動するためのバイアス電流値と、予め
設定されている光強度がＰ0となる時の電流値との差分
を出力し、温調素子制御手段５がその差分出力に基づ
き、温調素子６に出力する電流の向きを制御することに
より、レーザダイオード１の温度を所定の温度に保つ。
【００３４】すなわち、レーザダイオード１の温度が所
定の温度より高い場合には、温調素子制御手段５がレー
ザダイオード１と接している側の面を吸熱側、図示しな
い放熱板と接している側の面を放熱側とすることによ
り、レーザダイオード１を冷却する。
定の温度より高い場合には、温調素子制御手段５がレー
ザダイオード１と接している側の面を吸熱側、図示しな
い放熱板と接している側の面を放熱側とすることによ
り、レーザダイオード１を冷却する。
【００３５】一方、レーザダイオード１の温度が所定の
温度より低い場合には、温調素子制御手段５がレーザダ
イオード１と接している側の面を放熱側、図示しない放
熱板と接している側の面を吸熱側とすることにより、レ
ーザダイオード１を加熱する。
温度より低い場合には、温調素子制御手段５がレーザダ
イオード１と接している側の面を放熱側、図示しない放
熱板と接している側の面を吸熱側とすることにより、レ
ーザダイオード１を加熱する。
【００３６】以上説明したように、本実施の形態１の温
度制御型電気光変換器によれば、レーザダイオード１を
駆動するためのバイアス電流を、バイアス電流検出手段
４が予め設定された温度における電流値との差を温調素
子制御手段５に出力し、この温調素子制御手段５がバイ
アス電流検出手段４からの出力（制御信号）をもとに温
調素子６の冷却および加熱を制御することにより、レー
ザダイオード１の温度を制御するので、電気光変換部１
１に温度計７を設けることなく、レーザダイオード１の
温度を制御できる。
度制御型電気光変換器によれば、レーザダイオード１を
駆動するためのバイアス電流を、バイアス電流検出手段
４が予め設定された温度における電流値との差を温調素
子制御手段５に出力し、この温調素子制御手段５がバイ
アス電流検出手段４からの出力（制御信号）をもとに温
調素子６の冷却および加熱を制御することにより、レー
ザダイオード１の温度を制御するので、電気光変換部１
１に温度計７を設けることなく、レーザダイオード１の
温度を制御できる。
【００３７】なお、本実施の形態において、モニタＰＤ
２は入力される光の強度に応じて抵抗値が変化するフォ
トダイオードを使用する場合について説明したが、フォ
トダイオードに限定されるわけではなく、たとえば、ア
モルファスシリコンを使用した太陽電池等の光の強度を
電気信号に変換できる素子ならばよいことはいうまでも
ない。
２は入力される光の強度に応じて抵抗値が変化するフォ
トダイオードを使用する場合について説明したが、フォ
トダイオードに限定されるわけではなく、たとえば、ア
モルファスシリコンを使用した太陽電池等の光の強度を
電気信号に変換できる素子ならばよいことはいうまでも
ない。
【００３８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。
前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。
【００３９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００４０】レーザダイオードを駆動するためのバイア
ス電流値からレーザダイオードの温度を検出し、この結
果に基づいて温度制御を行うことができるので、温度計
（感温素子）を用いることなく、レーザダイオードの温
度制御を行うことができる。
ス電流値からレーザダイオードの温度を検出し、この結
果に基づいて温度制御を行うことができるので、温度計
（感温素子）を用いることなく、レーザダイオードの温
度制御を行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態の温度制御型電気光変換
器の概略構成を示すブロック図である。
器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】温度を変化させた場合のレーザダイオードのレ
ーザビームの光強度とバイアス電流との関係を示すグラ
フである。
ーザビームの光強度とバイアス電流との関係を示すグラ
フである。
【図３】従来の温度制御型電気光変換器の概略構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
１…レーザダイオード、２…モニタＰＤ、３…電気量制
御手段、４…バイアス電流検出手段、５・８…温調素子
制御手段、６…温調素子、７…温度計、９…光ファイ
バ、１０、１１…電気光変換部。
御手段、４…バイアス電流検出手段、５・８…温調素子
制御手段、６…温調素子、７…温度計、９…光ファイ
バ、１０、１１…電気光変換部。
Claims (1)
- 【請求項１】 電気を光に変換する電気光変換素子と、
該電気光変換素子の出力を予め設定された値に制御する
光出力制御手段と、前記電気光変換素子の温度を制御す
る温度制御手段とを有し、該温度制御手段は、前記電気
光変換素子を冷却もしくは加熱する温調素子と、該温調
素子の特性を制御する温調素子制御手段とからなる温度
制御型電気光変換器において、 前記光出力制御手段は、変換される電気の量をバイアス
電流によって変化させる電気量制御手段と、前記バイア
ス電流を検出するバイアス電流検出手段とを有し、前記
バイアス電流が予め設定された値より大きいときは、前
記電気光変換素子を前記温調素子により冷却し、前記バ
イアス電流値が予め設定された値より小さいときは、前
記電気光変換素子を前記温調素子により加熱することを
特徴とする温度制御型電気光変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484195A JPH09129977A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 温度制御型電気光変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484195A JPH09129977A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 温度制御型電気光変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129977A true JPH09129977A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17683721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28484195A Pending JPH09129977A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 温度制御型電気光変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016092146A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP28484195A patent/JPH09129977A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016092146A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2763980B2 (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPS61189657A (ja) | 半導体素子温度制御装置 | |
| JPS61189658A (ja) | 半導体素子温度制御装置 | |
| JP7127548B2 (ja) | 距離測定装置及びそのｓｎ比を改善する方法 | |
| US4884279A (en) | Optical transmission apparatus | |
| EP0762567B1 (en) | Temperature-controlled semiconductor laser apparatus and temperature control method therefor | |
| US6534794B1 (en) | Semiconductor light-emitting unit, optical apparatus and optical disk system having heat sinking means and a heating element incorporated with the mounting system | |
| US6807208B2 (en) | Laser module | |
| CN109213231B (zh) | 温度控制系统 | |
| KR19990072839A (ko) | 레이저출력측정장치 | |
| JP3047352B2 (ja) | 温度制御型光結合構造 | |
| US7061952B2 (en) | Optical module and optical device control circuit | |
| US20090296761A1 (en) | Optical device including a bimorph-type piezoelectric element | |
| JP2814987B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2880890B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| TWI243260B (en) | Transmission device with plastic optical fiber | |
| US20240231023A9 (en) | Optical transceiver module temperature control device and optical transceiver module temperature control method | |
| JPS6055007B2 (ja) | 赤外線検知装置 | |
| US7023889B2 (en) | Laser module | |
| JPH10117041A (ja) | 半導体レーザ素子の電流対光出力特性の測定装置 | |
| JP2006114774A (ja) | 波長安定化半導体レーザ装置 | |
| JPH0532917B2 (ja) | ||
| JP2003273440A (ja) | レーザモジュール | |
| JP2675927B2 (ja) | 光半導体素子固定方法 | |
| JP2004296988A (ja) | レーザダイオードモジュール及び光送信機 |