JPH09129979A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH09129979A JPH09129979A JP28695795A JP28695795A JPH09129979A JP H09129979 A JPH09129979 A JP H09129979A JP 28695795 A JP28695795 A JP 28695795A JP 28695795 A JP28695795 A JP 28695795A JP H09129979 A JPH09129979 A JP H09129979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- semiconductor laser
- laser device
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性層の温度が変動しても、発振波長が変化
しない半導体レーザ装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 温度上昇に応答して反射率が低下する反
射鏡（下限使用温度における反射率が約８０％である干
渉型波長フィルタ）を、共振器端面の少なくとも一方に
有する半導体レーザ装置である。具体的には、干渉型波
長フィルタは、厚さがλ／４ｎ1 である高屈折率層（ア
モルファスシリコン層）と厚さがλ／４ｎ 2 である低屈
折率層（二酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、二酸化チタン層、または、酸化マグネシウ
ム層）とがこの順序に積層された積層体が複数積層され
ており、低屈折率層のうちおゝむね中央に積層される１
枚の厚さはλ／２ｎ2 とされている。但し、λは発振波
長であり、ｎ1 は高屈折率層の屈折率であり、ｎ2 は低
屈折率層の屈折率である。
しない半導体レーザ装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 温度上昇に応答して反射率が低下する反
射鏡（下限使用温度における反射率が約８０％である干
渉型波長フィルタ）を、共振器端面の少なくとも一方に
有する半導体レーザ装置である。具体的には、干渉型波
長フィルタは、厚さがλ／４ｎ1 である高屈折率層（ア
モルファスシリコン層）と厚さがλ／４ｎ 2 である低屈
折率層（二酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化アル
ミニウム層、二酸化チタン層、または、酸化マグネシウ
ム層）とがこの順序に積層された積層体が複数積層され
ており、低屈折率層のうちおゝむね中央に積層される１
枚の厚さはλ／２ｎ2 とされている。但し、λは発振波
長であり、ｎ1 は高屈折率層の屈折率であり、ｎ2 は低
屈折率層の屈折率である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
の改良に関する。特に、温度が変化しても波長が変化し
ないようにする改良に関する。
の改良に関する。特に、温度が変化しても波長が変化し
ないようにする改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術に係る半導体レーザ装置の１
例の断面図（導波路に沿って切断された断面を示す断面
図）を図１１に示す。図において、１１はｎ型のＩｎＰ
基板であり、１２は、電荷を活性層に閉じ込めて再結合
を促進するとゝもに光を活性層に閉じ込める機能を有す
る下部クラッド層であり、電荷を活性層に閉じ込めるた
めに禁制帯幅を活性層の禁制帯幅より大きくし、光を活
性層に閉じ込めるために屈折率を活性層の屈折率より小
さくする必要があるため、ｎ型のＩｎＰ層が使用され
る。１３は、混晶比が相互に相違するため禁制帯幅が相
互に相違する２種の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）層が交互
に積層されている量子井戸層よりなり、その実効禁制帯
幅が下部クラッド層１２の禁制帯幅より小さく選択され
ている。１４は、電荷を活性層に閉じ込めて再結合を促
進するとゝもに光を活性層に閉じ込める機能を有する上
部クラッド層であり、電荷を活性層に閉じ込めるために
禁制帯幅を活性層より大きくし、光を活性層に閉じ込め
るために屈折率を活性層より小さくする必要があるた
め、ｐ型のＩｎＰ層が使用される。１５は負側電極であ
り、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕが使用される。１６は正側
電極であり、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕが使用される。１７は、
高反射膜よりなる反射鏡であり、厚さが２３０ｎｍの二
酸化シリコン層と厚さが１００ｎｍのアモルファスシリ
コン層との積層体で構成される。
例の断面図（導波路に沿って切断された断面を示す断面
図）を図１１に示す。図において、１１はｎ型のＩｎＰ
基板であり、１２は、電荷を活性層に閉じ込めて再結合
を促進するとゝもに光を活性層に閉じ込める機能を有す
る下部クラッド層であり、電荷を活性層に閉じ込めるた
めに禁制帯幅を活性層の禁制帯幅より大きくし、光を活
性層に閉じ込めるために屈折率を活性層の屈折率より小
さくする必要があるため、ｎ型のＩｎＰ層が使用され
る。１３は、混晶比が相互に相違するため禁制帯幅が相
互に相違する２種の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）層が交互
に積層されている量子井戸層よりなり、その実効禁制帯
幅が下部クラッド層１２の禁制帯幅より小さく選択され
ている。１４は、電荷を活性層に閉じ込めて再結合を促
進するとゝもに光を活性層に閉じ込める機能を有する上
部クラッド層であり、電荷を活性層に閉じ込めるために
禁制帯幅を活性層より大きくし、光を活性層に閉じ込め
るために屈折率を活性層より小さくする必要があるた
め、ｐ型のＩｎＰ層が使用される。１５は負側電極であ
り、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕが使用される。１６は正側
電極であり、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕが使用される。１７は、
高反射膜よりなる反射鏡であり、厚さが２３０ｎｍの二
酸化シリコン層と厚さが１００ｎｍのアモルファスシリ
コン層との積層体で構成される。
【０００３】活性層１３中では、プランクの定数を活性
層１３の実効禁制帯幅をもって除して得られる値に近い
値を波長とする光が発光し、この光が、長さが３００μ
ｍになるように劈開された活性層１３（共振器）中を反
射往復して、図にＬをもって示す方向に誘導放出され
て、レーザとして作動する。
層１３の実効禁制帯幅をもって除して得られる値に近い
値を波長とする光が発光し、この光が、長さが３００μ
ｍになるように劈開された活性層１３（共振器）中を反
射往復して、図にＬをもって示す方向に誘導放出され
て、レーザとして作動する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ装置の活
性層の実効禁制帯幅はその温度の変動に応答して変動す
るため、１例を上記した従来技術に係る半導体レーザ装
置の発振波長は、温度の変動に応答して０．５ｎｍ／℃
の変化率をもって変動するという欠点がある。
性層の実効禁制帯幅はその温度の変動に応答して変動す
るため、１例を上記した従来技術に係る半導体レーザ装
置の発振波長は、温度の変動に応答して０．５ｎｍ／℃
の変化率をもって変動するという欠点がある。
【０００５】この欠点は、活性層の温度変化に応答して
活性層の実効禁制帯幅が変化することに起因するもので
あり、本質的なものである。この欠点は、分布帰還型構
造を使用すれば、ある程度解消できないこともないが、
その製造方法が繁雑であるため、歩留りが悪く、現実的
ではない。
活性層の実効禁制帯幅が変化することに起因するもので
あり、本質的なものである。この欠点は、分布帰還型構
造を使用すれば、ある程度解消できないこともないが、
その製造方法が繁雑であるため、歩留りが悪く、現実的
ではない。
【０００６】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、活性層の温度が変動しても、発振波長が変化し
ない半導体レーザ装置を提供することにある。
にあり、活性層の温度が変動しても、発振波長が変化し
ない半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体レーザ装置においては、温度
上昇に応答して反射率が低下する反射鏡を、共振器端面
の少なくとも１方に設けることゝしてある。
めに、本発明に係る半導体レーザ装置においては、温度
上昇に応答して反射率が低下する反射鏡を、共振器端面
の少なくとも１方に設けることゝしてある。
【０００８】上記の特性を有する反射鏡は、原理的に
は、幾何光学上公知の干渉型波長フィルタである。
は、幾何光学上公知の干渉型波長フィルタである。
【０００９】上記の干渉型波長フィルタは、高屈折率層
と低屈折率層とがこの順序に複数層積層されており、発
振波長をλとし、高屈折率層の屈折率をｎ1 とし、低屈
折率層の屈折率をｎ2 とするとき、高屈折率層の厚さは
λ／４ｎ1 とされ、低屈折率層の厚さはλ／４ｎ2 とさ
れるが、低屈折率層のうちおゝむね中央に積層される１
層のみの厚さがλ／２ｎ2 とされている積層体によって
形成される。
と低屈折率層とがこの順序に複数層積層されており、発
振波長をλとし、高屈折率層の屈折率をｎ1 とし、低屈
折率層の屈折率をｎ2 とするとき、高屈折率層の厚さは
λ／４ｎ1 とされ、低屈折率層の厚さはλ／４ｎ2 とさ
れるが、低屈折率層のうちおゝむね中央に積層される１
層のみの厚さがλ／２ｎ2 とされている積層体によって
形成される。
【００１０】以上のように構成されたフィルタは、図２
に示すように、波長λの光に対して反射率が極小になる
特性を示すので、室温における発振波長がλより小さい
レーザ装置、好ましくは３０〜５０ｎｍ小さいレーザ装
置に用いることで、温度上昇に応答して反射率が低下す
る反射鏡として機能する。
に示すように、波長λの光に対して反射率が極小になる
特性を示すので、室温における発振波長がλより小さい
レーザ装置、好ましくは３０〜５０ｎｍ小さいレーザ装
置に用いることで、温度上昇に応答して反射率が低下す
る反射鏡として機能する。
【００１１】また、上記の高屈折率層と低屈折率層との
厚さは、λ／８ｎ1 、λ／２ｎ1 、または、λ／１６ｎ
1 とされ、低屈折率層の厚さは、λ／８ｎ2 、λ／２ｎ
2 、または、λ／１６ｎ2 とされ、おゝむね中央に積層
される厚さの厚い低屈折率層の厚さは、それぞれ上記の
組に対して、３λ／８ｎ2 、３λ／４ｎ2 、または、５
λ／１６ｎ2 としても、前記した構成の干渉型波長フィ
ルタとほゞ同等の特性が得られる。
厚さは、λ／８ｎ1 、λ／２ｎ1 、または、λ／１６ｎ
1 とされ、低屈折率層の厚さは、λ／８ｎ2 、λ／２ｎ
2 、または、λ／１６ｎ2 とされ、おゝむね中央に積層
される厚さの厚い低屈折率層の厚さは、それぞれ上記の
組に対して、３λ／８ｎ2 、３λ／４ｎ2 、または、５
λ／１６ｎ2 としても、前記した構成の干渉型波長フィ
ルタとほゞ同等の特性が得られる。
【００１２】一般的に表せば、ａを４以上の整数とし、
ｂをａより小さい自然数とし、λを波長とし、ｎ1 を高
屈折率層の屈折率とし、ｎ2 を低屈折率層の屈折率とし
たとき、高屈折率層の厚さがｂλ／ａｎ1 であり、低屈
折率層の厚さが（ａ−２ｂ）λ／２ａｎ2 であり、この
厚さを有する高屈折率層と低屈折率層とがこの順序に積
層された積層体が複数積層されており、低屈折率層のう
ちおゝむね中央に積層される１枚の厚さが（３ａ−４
ｂ）λ／４ａｎ2 である場合である。
ｂをａより小さい自然数とし、λを波長とし、ｎ1 を高
屈折率層の屈折率とし、ｎ2 を低屈折率層の屈折率とし
たとき、高屈折率層の厚さがｂλ／ａｎ1 であり、低屈
折率層の厚さが（ａ−２ｂ）λ／２ａｎ2 であり、この
厚さを有する高屈折率層と低屈折率層とがこの順序に積
層された積層体が複数積層されており、低屈折率層のう
ちおゝむね中央に積層される１枚の厚さが（３ａ−４
ｂ）λ／４ａｎ2 である場合である。
【００１３】上記の干渉型波長フィルタを構成する高屈
折率層の材料にはアモルファスシリコンが好適であり、
低屈折率層の材料には、二酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化アルミニュウム、二酸化チタン、または、酸化
マグネシウムが好適である。
折率層の材料にはアモルファスシリコンが好適であり、
低屈折率層の材料には、二酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化アルミニュウム、二酸化チタン、または、酸化
マグネシウムが好適である。
【００１４】共振器をなす活性層の少なくとも１方の端
面に、活性層の温度上昇に応答して反射率が低下する反
射鏡が設けられていると、活性層の温度が上昇したと
き、実効禁制帯幅が減少して活性層の発光波長は増加す
るが、反射鏡の反射率が低下するのでミラー損失が増大
し、これにより、しきい値電流密度が増大してバンドフ
ィリング現象が発生して短波長化する。そのため、活性
層の温度が上昇して活性層の実効禁制帯幅が減少して
も、発振波長の増大は発生せず、温度の変動に拘らず発
振波長が安定することになる。
面に、活性層の温度上昇に応答して反射率が低下する反
射鏡が設けられていると、活性層の温度が上昇したと
き、実効禁制帯幅が減少して活性層の発光波長は増加す
るが、反射鏡の反射率が低下するのでミラー損失が増大
し、これにより、しきい値電流密度が増大してバンドフ
ィリング現象が発生して短波長化する。そのため、活性
層の温度が上昇して活性層の実効禁制帯幅が減少して
も、発振波長の増大は発生せず、温度の変動に拘らず発
振波長が安定することになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつゝ、本発明
の実施の形態の１例に係る半導体レーザ装置について説
明する。
の実施の形態の１例に係る半導体レーザ装置について説
明する。
【００１６】図３参照 ＭＢＥ法、ガスソースＭＢＥ法、ＣＢＥ法、または、Ｍ
ＯＣＶＤ法を使用して、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、下記
の半導体層を順次形成する。 イ．ｎ型ＩｎＰ層よりなるｎ側クラッド層１２。 ロ．組成を異にするのＩｎＧａＡｓＰ層の組よりなる歪
量子井戸活性層１３。歪量子井戸はＩｎＧａの混晶比と
ＡｓＰの混晶比とを調整して、禁制帯幅の小さな井戸層
と禁制帯幅の大きなバリヤ層とを交互に積層すれば形成
できる。 ハ．ｐ型ＩｎＰ層よりなる上部クラッド１４層。
ＯＣＶＤ法を使用して、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、下記
の半導体層を順次形成する。 イ．ｎ型ＩｎＰ層よりなるｎ側クラッド層１２。 ロ．組成を異にするのＩｎＧａＡｓＰ層の組よりなる歪
量子井戸活性層１３。歪量子井戸はＩｎＧａの混晶比と
ＡｓＰの混晶比とを調整して、禁制帯幅の小さな井戸層
と禁制帯幅の大きなバリヤ層とを交互に積層すれば形成
できる。 ハ．ｐ型ＩｎＰ層よりなる上部クラッド１４層。
【００１７】上部クラッド１４上に ＳｉＮｘ層を形成
し、これを、レーザの光路となるストライプに沿って伸
延する幅２μｍの領域上以外から除去して、マスク１８
を形成する。
し、これを、レーザの光路となるストライプに沿って伸
延する幅２μｍの領域上以外から除去して、マスク１８
を形成する。
【００１８】図４参照 上記のマスク１８を使用してなすフォトリソグラフィー
法を使用して、ストライプ領域以外から、上部クラッド
１４と活性層１３と下部クラッド層１２の上部とをエッ
チング除去する。
法を使用して、ストライプ領域以外から、上部クラッド
１４と活性層１３と下部クラッド層１２の上部とをエッ
チング除去する。
【００１９】図５参照 ｐ型ＩｎＰ層１９とｎ型ＩｎＰ層２０とを順次形成し
て、電流狭窄層を形成し、その後、使用済みのマスク１
８をを除去する。
て、電流狭窄層を形成し、その後、使用済みのマスク１
８をを除去する。
【００２０】ｎ型ＩｎＰ基板１１の厚さを１００μｍ程
度に減少した後、このｎ型ＩｎＰ層１１の下面に負電極
１５を形成し、上部クラッド１４と電流狭窄層を構成す
るｎ型ＩｎＰ層２０との上面に正電極１６を形成する。
負電極１５の材料にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕが適当で
あり、正電極１６の材料はＴｉ−Ｐｔ−ＡｕまたはＡｕ
−Ｚｎが適当である。
度に減少した後、このｎ型ＩｎＰ層１１の下面に負電極
１５を形成し、上部クラッド１４と電流狭窄層を構成す
るｎ型ＩｎＰ層２０との上面に正電極１６を形成する。
負電極１５の材料にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ／Ａｕが適当で
あり、正電極１６の材料はＴｉ−Ｐｔ−ＡｕまたはＡｕ
−Ｚｎが適当である。
【００２１】図６参照 ストライプに沿う方向の長さ（共振器長）が３００μｍ
になるように劈開して、レーザダイオードバーを形成
し、その１方の端面に、本発明の要旨に係る反射鏡２１
を形成する。
になるように劈開して、レーザダイオードバーを形成
し、その１方の端面に、本発明の要旨に係る反射鏡２１
を形成する。
【００２２】図１参照 図は本発明の要旨に係る反射鏡２１の層構造を示す。図
において、２１１、２１３、２１５、２１７は、高屈折
率層であり、アモルファスシリコンよりなり、その厚さ
はλ／４ｎ1 である。但し、λは発振波長であり、ｎ1
はアモルファスシリコンの屈折率である。２１２、２１
４、２１６、２１８は低屈折率層であり、ＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、または、ＭｇＯよりな
り、層２１４を除き、厚さはλ／４ｎ2 である。但し、
λは発振波長であり、ｎ2 低屈折率層（ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、または、ＭｇＯ）の屈折
率である。層２１４の厚さのみはλ／２ｎ2 である。
において、２１１、２１３、２１５、２１７は、高屈折
率層であり、アモルファスシリコンよりなり、その厚さ
はλ／４ｎ1 である。但し、λは発振波長であり、ｎ1
はアモルファスシリコンの屈折率である。２１２、２１
４、２１６、２１８は低屈折率層であり、ＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、または、ＭｇＯよりな
り、層２１４を除き、厚さはλ／４ｎ2 である。但し、
λは発振波長であり、ｎ2 低屈折率層（ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、または、ＭｇＯ）の屈折
率である。層２１４の厚さのみはλ／２ｎ2 である。
【００２３】この反射鏡はエレクトロンビーム蒸着法を
使用すれば形成できる。
使用すれば形成できる。
【００２４】図２参照 上記の反射鏡（幾何光学上公知の干渉型波長フィルタ）
の、波長に対する反射率は、図に示すようになり、波長
が１２５０ｎｍ〜１３００ｎｍの範囲において、反射率
は温度上昇に応答して低下する。そこで、おゝむね１２
７０ｎｍにおいて反射率は８０％であるから１２７０ｎ
ｍ〜１３００ｎｍの範囲を使用すればよい。
の、波長に対する反射率は、図に示すようになり、波長
が１２５０ｎｍ〜１３００ｎｍの範囲において、反射率
は温度上昇に応答して低下する。そこで、おゝむね１２
７０ｎｍにおいて反射率は８０％であるから１２７０ｎ
ｍ〜１３００ｎｍの範囲を使用すればよい。
【００２５】図７・図８参照 図７・図８は、上記の工程をもって製造した、本発明の
実施の形態の２例に係る半導体レーザ装置（図７は波長
１．３μｍ埋め込み型の場合であり、図８は波長１．５
５μｍ埋め込み型の場合である。）の温度に対する発振
波長の関係を表す。図において、Ａは本発明の結果であ
り、Ｂは従来技術の結果である。図より、温度変化に対
して発振波長が安定していることが明らかである。
実施の形態の２例に係る半導体レーザ装置（図７は波長
１．３μｍ埋め込み型の場合であり、図８は波長１．５
５μｍ埋め込み型の場合である。）の温度に対する発振
波長の関係を表す。図において、Ａは本発明の結果であ
り、Ｂは従来技術の結果である。図より、温度変化に対
して発振波長が安定していることが明らかである。
【００２６】図９・図１０参照 図９・図１０は、上記の工程をもって製造した、本発明
の実施の形態の２例に係る半導体レーザ装置（図７は波
長１．３μｍ埋め込み型の場合であり、図８は波長１．
５５μｍ埋め込み型の場合である。）のしきい値電流対
活性層温度の関係を示す。図において、Ｃは本発明の結
果であり、Ｄは従来技術の例である。図より明らかなよ
うに、しきい値電流対活性層温度の傾向には、本発明と
従来技術との間に変化はない。
の実施の形態の２例に係る半導体レーザ装置（図７は波
長１．３μｍ埋め込み型の場合であり、図８は波長１．
５５μｍ埋め込み型の場合である。）のしきい値電流対
活性層温度の関係を示す。図において、Ｃは本発明の結
果であり、Ｄは従来技術の例である。図より明らかなよ
うに、しきい値電流対活性層温度の傾向には、本発明と
従来技術との間に変化はない。
【００２７】以上の説明は埋め込み型半導体レーザ装置
についてなされているが、埋め込み型半導体レーザ装置
に限らず、リッジ導波路型半導体レーザ装置、埋め込み
型リッジ導波路型半導体レーザ装置、ＶＳＩＳ型半導体
レーザ装置、ＳＡＳ型半導体レーザ装置にも本発明は使
用できる。
についてなされているが、埋め込み型半導体レーザ装置
に限らず、リッジ導波路型半導体レーザ装置、埋め込み
型リッジ導波路型半導体レーザ装置、ＶＳＩＳ型半導体
レーザ装置、ＳＡＳ型半導体レーザ装置にも本発明は使
用できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体レーザ装置は、その少なくとも一方の共振器端面に、
温度上昇に応答して反射率が低下する反射膜が設けられ
ているので、活性層の温度が上昇し、実効禁制帯幅が減
少してその発振波長が長くなっても、反射鏡の反射率が
低下するのでミラー損失が増大し、これにより、しきい
値電流密度が増大してバンドフィリング現象が発生して
短波長化するので、活性層の温度が上昇して活性層の実
効禁制帯幅が減少しても、発振波長の増大は発生せず、
活性層の温度の変動に拘らず発振波長は安定する。
体レーザ装置は、その少なくとも一方の共振器端面に、
温度上昇に応答して反射率が低下する反射膜が設けられ
ているので、活性層の温度が上昇し、実効禁制帯幅が減
少してその発振波長が長くなっても、反射鏡の反射率が
低下するのでミラー損失が増大し、これにより、しきい
値電流密度が増大してバンドフィリング現象が発生して
短波長化するので、活性層の温度が上昇して活性層の実
効禁制帯幅が減少しても、発振波長の増大は発生せず、
活性層の温度の変動に拘らず発振波長は安定する。
【図１】本発明の要旨に係る反射鏡を構成する干渉型波
長フィルタの層構造を示す概念図である。
長フィルタの層構造を示す概念図である。
【図２】本発明の要旨に係る反射鏡を構成する干渉型波
長フィルタの反射率対波長特性を示すグラフである。
長フィルタの反射率対波長特性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の形態の１例に係る半導体レーザ
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
【図４】本発明の実施の形態の１例に係る半導体レーザ
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
【図５】本発明の実施の形態の１例に係る半導体レーザ
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
装置の製造工程を示す図（正面図）である。
【図６】本発明の実施の形態の１例に係る半導体レーザ
装置の製造工程を示す図（側断面図）である。
装置の製造工程を示す図（側断面図）である。
【図７】本発明に係る半導体レーザ装置と従来技術に係
る半導体レーザ装置（波長１．３μｍ埋め込み型）の発
振波長対活性層温度特性を比較して示すグラフである。
る半導体レーザ装置（波長１．３μｍ埋め込み型）の発
振波長対活性層温度特性を比較して示すグラフである。
【図８】本発明に係る半導体レーザ装置と従来技術に係
る半導体レーザ装置（波長１．５５μｍ埋め込み型）の
発振波長対活性層温度特性を比較して示すグラフであ
る。
る半導体レーザ装置（波長１．５５μｍ埋め込み型）の
発振波長対活性層温度特性を比較して示すグラフであ
る。
【図９】本発明に係る半導体レーザ装置と従来技術に係
る半導体レーザ装置（波長１．３μｍ埋め込み型）のし
きい値電流対活性層温度特性を比較して示すグラフであ
る。
る半導体レーザ装置（波長１．３μｍ埋め込み型）のし
きい値電流対活性層温度特性を比較して示すグラフであ
る。
【図１０】本発明に係る半導体レーザ装置と従来技術に
係る半導体レーザ装置（波長１．５５μｍ埋め込み型）
のしきい値電流対活性層温度特性を比較して示すグラフ
である。
係る半導体レーザ装置（波長１．５５μｍ埋め込み型）
のしきい値電流対活性層温度特性を比較して示すグラフ
である。
【図１１】従来技術に係る半導体レーザ装置の側断面図
である。
である。
１１ ｎ型ＩｎＰ層（基板） １２ ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層 １３ 活性層（ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層） １４ ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層 １５ 負電極 １６ 正電極 １７ 従来技術に係る反射鏡 １８ マスク １９ ｐ型ＩｎＰ電流狭窄層 ２０ ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層 ２１ 本発明に係る反射鏡 ２１１、２１３、２１５、２１７ 高屈折率層（λシ
リコン層） ２１２、２１４、２１６、２１８ 低屈折率層（Ｓｉ
Ｏ2 層）
リコン層） ２１２、２１４、２１６、２１８ 低屈折率層（Ｓｉ
Ｏ2 層）
Claims (5)
- 【請求項１】温度上昇に応答して反射率が低下する反射
鏡を、共振器端面の少なくとも一方に有することを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】前記反射鏡は、下限使用温度における反射
率が約８０％である干渉型波長フィルタであることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】前記干渉型波長フィルタは、厚さがλ／４
ｎ1 である高屈折率層と厚さがλ／４ｎ2 である低屈折
率層とがこの順序に積層された積層体が複数積層されて
なり、前記低屈折率層のうちおゝむね中央に積層される
１枚の厚さはλ／２ｎ2 であり、室温における発振波長
がλより小さいことを特徴とする請求項２記載の半導体
レーザ装置。但し、 λは波長であり、 ｎ1 は高屈折率層の屈折率であり、 ｎ2 は低屈折率層の屈折率である。 - 【請求項４】前記干渉型波長フィルタは、厚さがｂλ／
ａｎ1 である高屈折率層と厚さが（ａ−２ｂ）λ／２ａ
ｎ2 である低屈折率層とがこの順序に積層された積層体
が複数積層されてなり、前記低屈折率層のうちおゝむね
中央に積層される１枚の厚さは（３ａ−４ｂ）λ／４ａ
ｎ2 であることを特徴とする請求項２記載の半導体レー
ザ装置。但し、 ａは４以上の整数であり、 ｂはａより小さい自然数であり、 λは波長であり、 ｎ1 は高屈折率層の屈折率であり、 ｎ2 は低屈折率層の屈折率である。 - 【請求項５】前記高屈折率層はアモルファスシリコン層
であり、前記低屈折率層は、二酸化シリコン層、窒化シ
リコン層、酸化アルミニウム層、二酸化チタン層、また
は、酸化マグネシウム層であることを特徴とする請求項
３または４記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28695795A JPH09129979A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28695795A JPH09129979A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129979A true JPH09129979A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17711150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28695795A Pending JPH09129979A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129979A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038235A1 (en) * | 1998-01-26 | 1999-07-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
| JP2001111163A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2005072488A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008244300A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| US10381800B2 (en) | 2017-05-11 | 2019-08-13 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element and method of manufacturing the same |
| JP2023525477A (ja) * | 2020-04-24 | 2023-06-16 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ、ｌｉｄａｒシステム、および半導体レーザを有するレーザシステム |
| JP2024102025A (ja) * | 2023-01-18 | 2024-07-30 | ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド | 改善された波長安定性を伴う多接合レーザダイオード |
-
1995
- 1995-11-06 JP JP28695795A patent/JPH09129979A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999038235A1 (en) * | 1998-01-26 | 1999-07-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
| US6343088B1 (en) | 1998-01-26 | 2002-01-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module |
| JP2001111163A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2005072488A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7215694B2 (en) | 2003-08-27 | 2007-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| KR100754956B1 (ko) * | 2003-08-27 | 2007-09-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저장치 및 레이저시스템 |
| JP2008244300A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| US10381800B2 (en) | 2017-05-11 | 2019-08-13 | Nichia Corporation | Semiconductor laser element and method of manufacturing the same |
| JP2023525477A (ja) * | 2020-04-24 | 2023-06-16 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ、ｌｉｄａｒシステム、および半導体レーザを有するレーザシステム |
| JP2024102025A (ja) * | 2023-01-18 | 2024-07-30 | ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド | 改善された波長安定性を伴う多接合レーザダイオード |
| EP4404400A3 (en) * | 2023-01-18 | 2024-07-31 | II-VI Delaware, Inc. | Multi-junction laser diode with improved wavelength stability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4626686B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPWO2009116140A1 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| KR100827120B1 (ko) | 수직 단면 발광 레이저 및 그 제조 방법 | |
| JP3682367B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS59205787A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| KR100860696B1 (ko) | 수직 공진형 표면 방출 레이저 | |
| JP4077348B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 | |
| JP2723045B2 (ja) | フレア構造半導体レーザ | |
| JPH09129979A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR20050120483A (ko) | 고효율 면발광 반도체 레이저 소자, 상기 레이저 소자용레이저 펌핑부, 그리고 그 제조 방법 | |
| JP3522107B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2005268298A (ja) | 半導体レーザ | |
| US7773652B2 (en) | Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser having an improved diffraction grating | |
| JPS60124887A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| TWI634715B (zh) | 端面射出型半導體雷射 | |
| JP2006128475A (ja) | 半導体レーザ | |
| KR100754956B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 레이저시스템 | |
| JP2001028457A (ja) | ＧａＮ系半導体発光素子 | |
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2004356571A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置 | |
| JPH10303495A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001308452A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2003152272A (ja) | 分散位相シフト構造分布帰還型半導体レーザ | |
| JP4488559B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03225885A (ja) | 半導体多層膜 |