JPH09130218A - 演算増幅器およびディジタル信号伝達回路 - Google Patents
演算増幅器およびディジタル信号伝達回路Info
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- JPH09130218A JPH09130218A JP7283673A JP28367395A JPH09130218A JP H09130218 A JPH09130218 A JP H09130218A JP 7283673 A JP7283673 A JP 7283673A JP 28367395 A JP28367395 A JP 28367395A JP H09130218 A JPH09130218 A JP H09130218A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハイからローに変化するノイズ等が入力信号
に混合した場合でも、出力電圧はそのノイズによって急
激に低下しない演算増幅器およびデジタル信号伝達回路
を提供する。 【解決手段】 本発明は、コレクタがアースに接続され
る第1のトランジスタとエミッタが第1のトランジスタ
のエミッタに接続される第2のトランジスタとによって
構成される差動対トランジスタと、この差動対トランジ
スタの出力ノードにコレクタが接続される第3のトラン
ジスタと、ベースが第3のトランジスタのベースに接続
される第4のトランジスタとから構成されるカレントミ
ラー回路と、コレクタが出力端に接続されベースがカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第5のトラン
ジスタと、カレントミラー回路の出力ノードと出力端と
の間に接続される容量性素子とから構成される。
に混合した場合でも、出力電圧はそのノイズによって急
激に低下しない演算増幅器およびデジタル信号伝達回路
を提供する。 【解決手段】 本発明は、コレクタがアースに接続され
る第1のトランジスタとエミッタが第1のトランジスタ
のエミッタに接続される第2のトランジスタとによって
構成される差動対トランジスタと、この差動対トランジ
スタの出力ノードにコレクタが接続される第3のトラン
ジスタと、ベースが第3のトランジスタのベースに接続
される第4のトランジスタとから構成されるカレントミ
ラー回路と、コレクタが出力端に接続されベースがカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第5のトラン
ジスタと、カレントミラー回路の出力ノードと出力端と
の間に接続される容量性素子とから構成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、入力にノイズが
入っても、その影響を出力に及ぼさないようなノイズ除
去機能を有する演算増幅器およびその演算増幅器を用い
たディジタル信号伝達回路に関するものである。
入っても、その影響を出力に及ぼさないようなノイズ除
去機能を有する演算増幅器およびその演算増幅器を用い
たディジタル信号伝達回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ディジタル信号にたとえノイズが重畳さ
れたとしても、そのノイズを除去して出力する回路、つ
まりディジタル信号フィルタとして機能するディジタル
信号伝達回路として図15に示すような回路が知られて
いる。
れたとしても、そのノイズを除去して出力する回路、つ
まりディジタル信号フィルタとして機能するディジタル
信号伝達回路として図15に示すような回路が知られて
いる。
【0003】図15に示した回路は、まず、抵抗Rとコ
ンデンサCとからなるCRフィルタによってディジタル
入力信号(図16の(a)参照)を受け、このCRフィ
ルタによって高周波成分からなるノイズを除去する。C
Rフィルタによってノイズが除去された入力信号は、C
Rフィルタの時定数により波形がなまる(図16の
(b)参照)ので、差動型の比較器において波形整形し
てノイズが除去されたディジタル信号(図16の(c)
参照)を出力として得るものである。
ンデンサCとからなるCRフィルタによってディジタル
入力信号(図16の(a)参照)を受け、このCRフィ
ルタによって高周波成分からなるノイズを除去する。C
Rフィルタによってノイズが除去された入力信号は、C
Rフィルタの時定数により波形がなまる(図16の
(b)参照)ので、差動型の比較器において波形整形し
てノイズが除去されたディジタル信号(図16の(c)
参照)を出力として得るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このように
構成された回路にあっては、CRフィルタを用いている
ため、入力信号に重畳されるノイズを十分に除去するた
めには、CRフィルタのコンデンサCの値を大きくする
必要がある。したがって、比較器と共に半導体集積回路
化することが困難であり、そのためにコンデンサCを外
付けとせざるを得ず、部品点数が多くなると共に取り扱
いが面倒であり、費用面でも問題のある回路であった。
構成された回路にあっては、CRフィルタを用いている
ため、入力信号に重畳されるノイズを十分に除去するた
めには、CRフィルタのコンデンサCの値を大きくする
必要がある。したがって、比較器と共に半導体集積回路
化することが困難であり、そのためにコンデンサCを外
付けとせざるを得ず、部品点数が多くなると共に取り扱
いが面倒であり、費用面でも問題のある回路であった。
【0005】この発明は、たとえノイズが重畳されたデ
ィジタル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタ
ル信号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したデ
ィジタル信号伝達回路を得ることを目的とするものであ
る。
ィジタル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタ
ル信号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したデ
ィジタル信号伝達回路を得ることを目的とするものであ
る。
【0006】また、この発明は入力信号にハイからロー
に急激に変化するノイズ等が重畳されても、その重畳さ
れたノイズ等による影響を抑制できる演算増幅器を得る
ことを目的とするものである。
に急激に変化するノイズ等が重畳されても、その重畳さ
れたノイズ等による影響を抑制できる演算増幅器を得る
ことを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、制御電極に入
力信号を受け、一方の主電極が第1の電源電位ノードに
接続される第1導電型の第1のトランジスタと、制御電
極に出力信号を受け、他方の主電極が第1のトランジス
タの他方の主電極に接続される第1導電型の第2のトラ
ンジスタとを有し、この第2のトランジスタの一方の主
電極が出力ノードとなる差動対トランジスタと、この差
動対トランジスタの出力ノードに一方の主電極と制御電
極とが接続され、他方の主電極が第1の電源電位ノード
に接続される第2導電型の第3のトランジスタと、制御
電極が第3のトランジスタの制御電極に接続され、他方
の主電極が第1の電源電位ノードに接続される第2導電
型の第4のトランジスタとを有し、この第4のトランジ
スタの一方の主電極が出力ノードとなるカレントミラー
回路と、一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電
極が第1の電源電位ノードに接続され、制御電極がカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、カレントミラー回路の出力ノー
ドと出力端との間に接続される容量性素子とを備えるよ
うに構成される。
力信号を受け、一方の主電極が第1の電源電位ノードに
接続される第1導電型の第1のトランジスタと、制御電
極に出力信号を受け、他方の主電極が第1のトランジス
タの他方の主電極に接続される第1導電型の第2のトラ
ンジスタとを有し、この第2のトランジスタの一方の主
電極が出力ノードとなる差動対トランジスタと、この差
動対トランジスタの出力ノードに一方の主電極と制御電
極とが接続され、他方の主電極が第1の電源電位ノード
に接続される第2導電型の第3のトランジスタと、制御
電極が第3のトランジスタの制御電極に接続され、他方
の主電極が第1の電源電位ノードに接続される第2導電
型の第4のトランジスタとを有し、この第4のトランジ
スタの一方の主電極が出力ノードとなるカレントミラー
回路と、一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電
極が第1の電源電位ノードに接続され、制御電極がカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、カレントミラー回路の出力ノー
ドと出力端との間に接続される容量性素子とを備えるよ
うに構成される。
【0008】さらに、本発明は、非反転入力端にディジ
タル入力信号を受ける演算増幅器と、この演算増幅器の
出力を非反転入力端に受け、反転入力端に基準電圧を受
ける比較器とを備えたディジタル信号伝達回路におい
て:その演算増幅器は、制御電極が非反転入力端に接続
される第1の導電型の第1のトランジスタと、制御電極
に基準電圧を受け、他方の主電極が第1のトランジスタ
の他方の主電極に接続される第1の導電型の第2トラン
ジスタとを有する差動対トランジスタと、第2のトラン
ジスタの一方の主電極に一方の主電極と制御電極とが接
続され、他方の主電極が第1の電源電位ノードに接続さ
れる第2導電型の第3のトランジスタと、制御電極が第
3のトランジスタの制御電極に接続され、一方の主電極
が第1のトランジスタの一方の主電極に接続され、他方
の主電極が第1の電源電位ノードに接続される第2導電
型の第4のトランジスタとを有し、この第4のトランジ
スタの一方の主電極が出力ノードとなるカレントミラー
回路と、一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電
極が第1の電源電位ノードに接続され、制御電極がカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、カレントミラー回路の出力ノー
ドと出力端との間に接続される容量性素子とを備えるよ
うに構成される。
タル入力信号を受ける演算増幅器と、この演算増幅器の
出力を非反転入力端に受け、反転入力端に基準電圧を受
ける比較器とを備えたディジタル信号伝達回路におい
て:その演算増幅器は、制御電極が非反転入力端に接続
される第1の導電型の第1のトランジスタと、制御電極
に基準電圧を受け、他方の主電極が第1のトランジスタ
の他方の主電極に接続される第1の導電型の第2トラン
ジスタとを有する差動対トランジスタと、第2のトラン
ジスタの一方の主電極に一方の主電極と制御電極とが接
続され、他方の主電極が第1の電源電位ノードに接続さ
れる第2導電型の第3のトランジスタと、制御電極が第
3のトランジスタの制御電極に接続され、一方の主電極
が第1のトランジスタの一方の主電極に接続され、他方
の主電極が第1の電源電位ノードに接続される第2導電
型の第4のトランジスタとを有し、この第4のトランジ
スタの一方の主電極が出力ノードとなるカレントミラー
回路と、一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電
極が第1の電源電位ノードに接続され、制御電極がカレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、カレントミラー回路の出力ノー
ドと出力端との間に接続される容量性素子とを備えるよ
うに構成される。
【0009】
実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す演
算増幅器、具体的には電流帰還型と電圧帰還型の混在し
たオペアンプを構成する演算増幅器を示すものであり、
たとえノイズが重畳されたディジタル信号が入力して
も、ノイズを除去してディジタル信号を伝達でき、か
つ、半導体集積回路化に適したディジタル信号伝達回路
を得ることができる。しかも、通常のオペアンプとして
使用してもよく、この場合、入力信号にハイからローに
急激に変化するノイズ等が信号に重畳されても、その重
畳されたノイズ等による影響が抑制できる効果が得られ
る。さらに、ノイズ除去回路として用いることもでき
る。
算増幅器、具体的には電流帰還型と電圧帰還型の混在し
たオペアンプを構成する演算増幅器を示すものであり、
たとえノイズが重畳されたディジタル信号が入力して
も、ノイズを除去してディジタル信号を伝達でき、か
つ、半導体集積回路化に適したディジタル信号伝達回路
を得ることができる。しかも、通常のオペアンプとして
使用してもよく、この場合、入力信号にハイからローに
急激に変化するノイズ等が信号に重畳されても、その重
畳されたノイズ等による影響が抑制できる効果が得られ
る。さらに、ノイズ除去回路として用いることもでき
る。
【0010】図1においてトランジスタQ1はベース電
極が入力信号を受ける非反転入力端+に接続され、コレ
クタが接地されたPNPトランジスタ、I1は電源電位
ノードVccとトランジスタQ1のエミッタとの間に接
続され、定電流i1を上記PNPトランジスタQ1のエ
ミッタ電極に与える定電流源であり、通常知られている
ようにバイポーラトランジスタによって構成されている
ものであり、上記PNPトランジスタQ1と組み合わさ
れて第1の入力バッファを構成している。
極が入力信号を受ける非反転入力端+に接続され、コレ
クタが接地されたPNPトランジスタ、I1は電源電位
ノードVccとトランジスタQ1のエミッタとの間に接
続され、定電流i1を上記PNPトランジスタQ1のエ
ミッタ電極に与える定電流源であり、通常知られている
ようにバイポーラトランジスタによって構成されている
ものであり、上記PNPトランジスタQ1と組み合わさ
れて第1の入力バッファを構成している。
【0011】Q6はベース電極が出力端に接続され、コ
レクタが接地されたPNPトランジスタで、上記PNP
トランジスタQ1と同じ特性を持ったトランジスタであ
る。I3は上記電源電位ノードVccと上記トランジス
タQ6のエミッタ電極との間に接続され、定電流i3を
PNPトランジスタQ6のエミッタ電極に与える定電流
源であり、通常知られているようにバイポーラトランジ
スタによって構成されているものであり、上記PNPト
ランジスタQ6と組み合わせて第2の入力バッファを構
成しており、上記定電流源I1と同じ特性をもった定電
流源である。
レクタが接地されたPNPトランジスタで、上記PNP
トランジスタQ1と同じ特性を持ったトランジスタであ
る。I3は上記電源電位ノードVccと上記トランジス
タQ6のエミッタ電極との間に接続され、定電流i3を
PNPトランジスタQ6のエミッタ電極に与える定電流
源であり、通常知られているようにバイポーラトランジ
スタによって構成されているものであり、上記PNPト
ランジスタQ6と組み合わせて第2の入力バッファを構
成しており、上記定電流源I1と同じ特性をもった定電
流源である。
【0012】Q2はベース電極に上記第1の入力バッフ
ァを介して非反転入力端+に入力される入力信号を受
け、コレクタ電極が接地されたPNPトランジスタで、
ベース電極は上記PNPトランジスタQ1のエミッタ電
極に接続されている。Q3はベース電極に上記第2の入
力バッファを介して上記出力端(出力端に直接接続され
た反転入力端)に現れる出力信号を受け、エミッタ電極
が上記PNPトランジスタQ2のエミッタ電極に接続さ
れたPNPトランジスタで、ベース電極は上記PNPト
ランジスタQ6のエミッタ電極に接続されており、上記
PNPトランジスタQ2と組み合わされて差動対トラン
ジスタを構成し、コレクタ電極が差動対トランジスタの
出力ノードとなるものである。このトランジスタQ3
は、上記PNPトランジスタQ2と同じ特性を有し、ベ
ース電極に印加される電位がPNPトランジスタQ2の
ベース電極に印加される電位と同じ場合、コレクタ電
流、つまり差動対トランジスタQ3の出力電流はPNP
トランジスタQ2のコレクタ電流と同じ値になる。
ァを介して非反転入力端+に入力される入力信号を受
け、コレクタ電極が接地されたPNPトランジスタで、
ベース電極は上記PNPトランジスタQ1のエミッタ電
極に接続されている。Q3はベース電極に上記第2の入
力バッファを介して上記出力端(出力端に直接接続され
た反転入力端)に現れる出力信号を受け、エミッタ電極
が上記PNPトランジスタQ2のエミッタ電極に接続さ
れたPNPトランジスタで、ベース電極は上記PNPト
ランジスタQ6のエミッタ電極に接続されており、上記
PNPトランジスタQ2と組み合わされて差動対トラン
ジスタを構成し、コレクタ電極が差動対トランジスタの
出力ノードとなるものである。このトランジスタQ3
は、上記PNPトランジスタQ2と同じ特性を有し、ベ
ース電極に印加される電位がPNPトランジスタQ2の
ベース電極に印加される電位と同じ場合、コレクタ電
流、つまり差動対トランジスタQ3の出力電流はPNP
トランジスタQ2のコレクタ電流と同じ値になる。
【0013】I2は上記電源電位ノードVccと上記P
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
【0014】Q5はコレクタ電極が上記差動対トランジ
スタの出力ノード、つまり、PNPトランジスタQ3の
コレクタ電極に接続され、ベース電極がコレクタ電極に
接続されたNPNトランジスタ、R1はこのNPNトラ
ンジスタQ5のエミッタ電極と接地ノードとの間に接続
された抵抗素子である。
スタの出力ノード、つまり、PNPトランジスタQ3の
コレクタ電極に接続され、ベース電極がコレクタ電極に
接続されたNPNトランジスタ、R1はこのNPNトラ
ンジスタQ5のエミッタ電極と接地ノードとの間に接続
された抵抗素子である。
【0015】Q7はベース電極が上記NPNトランジス
タQ5のベース電極に接続されたNPNトランジスタ
で、上記NPNトランジスタQ5とでカレントミラー回
路を構成しており、コレクタ電極がカレントミラー回路
の出力ノードとなるものであり、上記NPNトランジス
タQ5とのコレクタ電流比がn:1、つまり、上記NP
NトランジスタQ5とのコレクタ電流に対して1/nの
コレクタ電流が流れるように構成されているものであ
る。R2はこのNPNトランジスタQ7のエミッタ電極
と接地ノードとの間に接続された抵抗素子で、抵抗比が
1:n、つまり抵抗素子R1の抵抗値のn倍になってい
る。
タQ5のベース電極に接続されたNPNトランジスタ
で、上記NPNトランジスタQ5とでカレントミラー回
路を構成しており、コレクタ電極がカレントミラー回路
の出力ノードとなるものであり、上記NPNトランジス
タQ5とのコレクタ電流比がn:1、つまり、上記NP
NトランジスタQ5とのコレクタ電流に対して1/nの
コレクタ電流が流れるように構成されているものであ
る。R2はこのNPNトランジスタQ7のエミッタ電極
と接地ノードとの間に接続された抵抗素子で、抵抗比が
1:n、つまり抵抗素子R1の抵抗値のn倍になってい
る。
【0016】I4は上記電源電位ノードVccと上記N
PNトランジスタQ7のコレクタ電極との間に接続さ
れ、定電流i4を上記NPNトランジスタQ7のコレク
タ電極に与える定電流源で、通常知られているようにバ
イポーラトランジスタによって構成されているものであ
り、非反転入力端+の電位とトランジスタQ6のベース
が接続されている反転入力端との電位が同じ場合にオフ
セットがなくなるように、定電流i4は定電流源I2の
定電流i2の1/2n倍、すなわち、i2=2×i2’
=2×n×i4となるように設定さる。
PNトランジスタQ7のコレクタ電極との間に接続さ
れ、定電流i4を上記NPNトランジスタQ7のコレク
タ電極に与える定電流源で、通常知られているようにバ
イポーラトランジスタによって構成されているものであ
り、非反転入力端+の電位とトランジスタQ6のベース
が接続されている反転入力端との電位が同じ場合にオフ
セットがなくなるように、定電流i4は定電流源I2の
定電流i2の1/2n倍、すなわち、i2=2×i2’
=2×n×i4となるように設定さる。
【0017】Q8はベース電極が上記カレントミラー回
路の出力ノード、つまり、NPNトランジスタのコレク
タ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端に接続さ
れ、エミッタ電極が接地された出力用トランジスタとな
るNPNトランジスタ、I5は上記電源電位ノードVc
cとこのトランジスタQ8のコレクタ電極との間に接続
され、定電流i5を上記NPNトランジスタQ8のコレ
クタ電極に与える定電流源で、通常知られているように
バイポーラトランジスタによって構成されているもので
ある。
路の出力ノード、つまり、NPNトランジスタのコレク
タ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端に接続さ
れ、エミッタ電極が接地された出力用トランジスタとな
るNPNトランジスタ、I5は上記電源電位ノードVc
cとこのトランジスタQ8のコレクタ電極との間に接続
され、定電流i5を上記NPNトランジスタQ8のコレ
クタ電極に与える定電流源で、通常知られているように
バイポーラトランジスタによって構成されているもので
ある。
【0018】C1は上記カレントミラー回路の出力ノー
ド、つまり、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極
と、上記出力端、つまり上記NPNトランジスタQ8の
コレクタ電極との間に接続された容量性素子である。
ド、つまり、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極
と、上記出力端、つまり上記NPNトランジスタQ8の
コレクタ電極との間に接続された容量性素子である。
【0019】次に、このように構成された演算増幅器の
動作について説明する。まず、非反転入力端+の電位と
出力端(すなわち、トランジスタQ3のベース)の電位
が同じ場合、つまり、動作として安定している場合につ
いて説明する。この場合、差動対トランジスタを構成す
るPNPトランジスタQ2およびQ3のベース電極には
同じ値の電位が印加されており、PNPトランジスタQ
2およびQ3のコレクタ電流は同じ値、つまり、定電流
源I2によって供給される定電流i2の1/2の値の電
流となる。
動作について説明する。まず、非反転入力端+の電位と
出力端(すなわち、トランジスタQ3のベース)の電位
が同じ場合、つまり、動作として安定している場合につ
いて説明する。この場合、差動対トランジスタを構成す
るPNPトランジスタQ2およびQ3のベース電極には
同じ値の電位が印加されており、PNPトランジスタQ
2およびQ3のコレクタ電流は同じ値、つまり、定電流
源I2によって供給される定電流i2の1/2の値の電
流となる。
【0020】PNPトランジスタQ3のコレクタ電流i
2’が1/2×i2であるため、NPNトランジスタQ
5のコレクタ電流も1/2×i2になり、NPNトラン
ジスタQ7のコレクタ電流は1/2×i2×1/nとな
る。
2’が1/2×i2であるため、NPNトランジスタQ
5のコレクタ電流も1/2×i2になり、NPNトラン
ジスタQ7のコレクタ電流は1/2×i2×1/nとな
る。
【0021】NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に
流れる電流がi2の1/2n倍であり、定電流源I4か
ら供給される定電流i4もi2の1/2n倍にされてい
るため、NPNトランジスタQ8および容量性素子C1
に定電流I4から流れ込む電流もなく、NPNトランジ
スタQ7に流れ出す電流もない。
流れる電流がi2の1/2n倍であり、定電流源I4か
ら供給される定電流i4もi2の1/2n倍にされてい
るため、NPNトランジスタQ8および容量性素子C1
に定電流I4から流れ込む電流もなく、NPNトランジ
スタQ7に流れ出す電流もない。
【0022】したがって、NPNトランジスタQ7は同
じ状態を維持しつづけ、出力端の電位はそのまま維持さ
れると共に、出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ
こむ電流もない。
じ状態を維持しつづけ、出力端の電位はそのまま維持さ
れると共に、出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ
こむ電流もない。
【0023】このような状態において、入力信号をうけ
て、非反転入力端+の電位が突然出力端の電位より上が
る場合、つまり入力信号がディジタル信号で、ローから
ハイに変化した場合は次のように動作するものである。
て、非反転入力端+の電位が突然出力端の電位より上が
る場合、つまり入力信号がディジタル信号で、ローから
ハイに変化した場合は次のように動作するものである。
【0024】すなわち、非反転入力端+の電位がローか
らハイに変化すると、その電位変化が差動対トランジス
タを構成するPNPトランジスタQ2のベース電極に第
1の入力バッファを介して伝わる。その結果、PNPト
ランジスタQ2のベース電極の電位がPNPトランジス
タQ3のベース電極の電位より高くなるため、PNPト
ランジスタQ2の導通度がPNPトランジスタQ3の導
通度より低くなり、PNPトランジスタQ2に流れるコ
レクタ電流は1/2×i2より小さく(1/2×i2−
α)なり、PNPトランジスタQ3に流れるコレクタ電
流は1/2×i2より大きく(1/2×i2+α)な
る。ここで、αは電流の増減分を示す。
らハイに変化すると、その電位変化が差動対トランジス
タを構成するPNPトランジスタQ2のベース電極に第
1の入力バッファを介して伝わる。その結果、PNPト
ランジスタQ2のベース電極の電位がPNPトランジス
タQ3のベース電極の電位より高くなるため、PNPト
ランジスタQ2の導通度がPNPトランジスタQ3の導
通度より低くなり、PNPトランジスタQ2に流れるコ
レクタ電流は1/2×i2より小さく(1/2×i2−
α)なり、PNPトランジスタQ3に流れるコレクタ電
流は1/2×i2より大きく(1/2×i2+α)な
る。ここで、αは電流の増減分を示す。
【0025】PNPトランジスタQ3のコレクタ電流i
2’が(1/2×i2+α)であるため、NPNトラン
ジスタQ5のコレクタ電流も(1/2×i2−α)にな
り、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流は(1/2
×i2+α)×1/nなる電流が流れる。
2’が(1/2×i2+α)であるため、NPNトラン
ジスタQ5のコレクタ電流も(1/2×i2−α)にな
り、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流は(1/2
×i2+α)×1/nなる電流が流れる。
【0026】NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に
流れる電流が(1/2×i2+α)×1/nになるた
め、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に流れる電
流は、定電流源I4から供給される定電流i4よりもα
/n大きく、この差分α/nなる電流はNPNトランジ
スタQ8のベース電極および容量性素子C1から引き抜
く電流によって補われることになる。
流れる電流が(1/2×i2+α)×1/nになるた
め、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に流れる電
流は、定電流源I4から供給される定電流i4よりもα
/n大きく、この差分α/nなる電流はNPNトランジ
スタQ8のベース電極および容量性素子C1から引き抜
く電流によって補われることになる。
【0027】その結果、NPNトランジスタQ8の導通
度は低くなり、出力端の電位を上昇させると共に、定電
流源I5から供給される定電流i5の一部が出力端から
流れ出すことになる。この出力端の電位の上昇に伴い、
この電位の変化が第2の入力バッファを介して差動対ト
ランジスタを構成するPNPトランジスタQ3のベース
電極に伝わる。PNPトランジスタQ3のベース電極の
電位がPNPトランジスタQ2のベース電位と同じにな
るまで、上記動作が行われる。
度は低くなり、出力端の電位を上昇させると共に、定電
流源I5から供給される定電流i5の一部が出力端から
流れ出すことになる。この出力端の電位の上昇に伴い、
この電位の変化が第2の入力バッファを介して差動対ト
ランジスタを構成するPNPトランジスタQ3のベース
電極に伝わる。PNPトランジスタQ3のベース電極の
電位がPNPトランジスタQ2のベース電位と同じにな
るまで、上記動作が行われる。
【0028】PNPトランジスタQ3のベース電極の電
位とPNPトランジスタQ2のベース電位と同じになる
と上記で説明した状態になり、非反転入力端+の電位と
出力端の電位が同じになり、出力端の電位は非反転入力
端+の電位、つまり入力信号の電位と同じ値を維持し、
出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ込む電流もな
くなる。したがって、入力信号がローからハイに変化す
ると、出力端からは所定のスルーレートをもってローか
らハイに変化したディジタル信号が出力されることにな
り、入力信号が出力信号として伝達されることになる。
位とPNPトランジスタQ2のベース電位と同じになる
と上記で説明した状態になり、非反転入力端+の電位と
出力端の電位が同じになり、出力端の電位は非反転入力
端+の電位、つまり入力信号の電位と同じ値を維持し、
出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ込む電流もな
くなる。したがって、入力信号がローからハイに変化す
ると、出力端からは所定のスルーレートをもってローか
らハイに変化したディジタル信号が出力されることにな
り、入力信号が出力信号として伝達されることになる。
【0029】一方、入力信号を受けて、非反転入力端+
の電位が出力端の電位より下がる場合、つまり入力信号
がディジタル信号で、ハイかローに変化した場合は次の
ように動作するものである。すなわち、非反転入力端+
の電位がハイからローに変化すると、その電位変化が差
動対トランジスタを構成するPNPトランジスタQ2の
ベース電極に第1の入力バッファを介して伝わる。その
結果、PNPトランジスタQ2のベース電極の電位がP
NPトランジスタQ3のベース電極の電位より低くなる
ため、PNPトランジスタQ2の導通度がPNPトラン
ジスタQ3の導通度より高くなり、PNPトランジスタ
Q2に流れるコレクタ電流は1/2×i2より大きく
(1/2×i2+α)になり、PNPトランジスタQ3
に流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく(1/
2×i2−α)になる。
の電位が出力端の電位より下がる場合、つまり入力信号
がディジタル信号で、ハイかローに変化した場合は次の
ように動作するものである。すなわち、非反転入力端+
の電位がハイからローに変化すると、その電位変化が差
動対トランジスタを構成するPNPトランジスタQ2の
ベース電極に第1の入力バッファを介して伝わる。その
結果、PNPトランジスタQ2のベース電極の電位がP
NPトランジスタQ3のベース電極の電位より低くなる
ため、PNPトランジスタQ2の導通度がPNPトラン
ジスタQ3の導通度より高くなり、PNPトランジスタ
Q2に流れるコレクタ電流は1/2×i2より大きく
(1/2×i2+α)になり、PNPトランジスタQ3
に流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく(1/
2×i2−α)になる。
【0030】PNPトランジスタQ2のコレクタ電流i
2’が(1/2×i2−α)であるため、NPNトラン
ジスタQ5のコレクタ電流も(1/2×i2−α)にな
り、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流は(1/2
×i2−α)×1/nなる電流となる。
2’が(1/2×i2−α)であるため、NPNトラン
ジスタQ5のコレクタ電流も(1/2×i2−α)にな
り、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流は(1/2
×i2−α)×1/nなる電流となる。
【0031】NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に
流れる電流が(1/2×i2−α)×1/n×i2にな
るため、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に流れ
る電流は、定電流源I4から供給される定電流i4より
もα/n小さく、この差分α/nなる電流は定電流源I
4からNPNトランジスタQ8のベース電極および容量
性素子C1に流れ込む電流となる。
流れる電流が(1/2×i2−α)×1/n×i2にな
るため、NPNトランジスタQ7のコレクタ電極に流れ
る電流は、定電流源I4から供給される定電流i4より
もα/n小さく、この差分α/nなる電流は定電流源I
4からNPNトランジスタQ8のベース電極および容量
性素子C1に流れ込む電流となる。
【0032】その結果、NPNトランジスタQ8の導通
度は高くなり、出力端の電位を下降させると共に、出力
端から電流を引き込むことになる。この出力端の電位の
下降に伴い、この電位の変化が第2の入力バッファを介
して差動対トランジスタを構成するPNPトランジスタ
Q3のベース電極に伝わる。PNPトランジスタQ3の
ベース電極の電位がPNPトランジスタQ2のベース電
位と同じになるまで、上記動作が行われる。
度は高くなり、出力端の電位を下降させると共に、出力
端から電流を引き込むことになる。この出力端の電位の
下降に伴い、この電位の変化が第2の入力バッファを介
して差動対トランジスタを構成するPNPトランジスタ
Q3のベース電極に伝わる。PNPトランジスタQ3の
ベース電極の電位がPNPトランジスタQ2のベース電
位と同じになるまで、上記動作が行われる。
【0033】PNPトランジスタQ3のベース電極の電
位がPNPトランジスタQ2のベース電位と同じになる
と上記で説明した状態になり、非反転入力端+の電位と
出力端の電位が同じになり、出力端の電位は非反転入力
端+の電位、つまり入力信号の電位と同じ値を維持し、
出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ込む電流もな
くなる。したがって、入力信号がハイからローに変化す
ると、出力端からは所定のスルーレートをもってハイか
らローに変化したディジタル信号が出力されることにな
る。
位がPNPトランジスタQ2のベース電位と同じになる
と上記で説明した状態になり、非反転入力端+の電位と
出力端の電位が同じになり、出力端の電位は非反転入力
端+の電位、つまり入力信号の電位と同じ値を維持し、
出力端から流れ出す電流も、出力端に流れ込む電流もな
くなる。したがって、入力信号がハイからローに変化す
ると、出力端からは所定のスルーレートをもってハイか
らローに変化したディジタル信号が出力されることにな
る。
【0034】このように入力信号がハイからローに変化
する時、PNPトランジスタQ2のエミッタ電極の電位
は一時的に下降し、PNPトランジスタQ3のベース−
エミッタ間およびPNPトランジスタQ6のベース−エ
ミッタ間に逆バイアスが加わり、PNPトランジスタQ
3による逆バイアス電流が一時的に流れるものの、この
逆バイアス電流はPNPトランジスタQ2を介して接地
ノードに流れるため、カレントミラー回路および出力ト
ランジスタであるNPNトランジスタQ8には何ら影響
を与えることがないので、出力端には入力信号がハイか
らローに変化したことに応じて、ハイからローに変化す
る。
する時、PNPトランジスタQ2のエミッタ電極の電位
は一時的に下降し、PNPトランジスタQ3のベース−
エミッタ間およびPNPトランジスタQ6のベース−エ
ミッタ間に逆バイアスが加わり、PNPトランジスタQ
3による逆バイアス電流が一時的に流れるものの、この
逆バイアス電流はPNPトランジスタQ2を介して接地
ノードに流れるため、カレントミラー回路および出力ト
ランジスタであるNPNトランジスタQ8には何ら影響
を与えることがないので、出力端には入力信号がハイか
らローに変化したことに応じて、ハイからローに変化す
る。
【0035】そして、このように構成された演算増幅器
においては、スルーレートを持たせることができるた
め、所定の周波数より高い周波数が非反転入力端+に入
力されても、出力させないことができ、高周波のノイズ
が除去できるものである。
においては、スルーレートを持たせることができるた
め、所定の周波数より高い周波数が非反転入力端+に入
力されても、出力させないことができ、高周波のノイズ
が除去できるものである。
【0036】具体的には、このように構成された演算増
幅器におけるカットオフ周波数fは次のような式によっ
て求めることができる。 f=I4/{2CV・exp(−3/20)} ここで、Vは入力電圧、CはコンデンサC1の容量、R
1=R2=0Ωとし、トランジスタQ5のサイズはトラ
ンジスタQ7のサイズと同じする(n=1の場合)。
幅器におけるカットオフ周波数fは次のような式によっ
て求めることができる。 f=I4/{2CV・exp(−3/20)} ここで、Vは入力電圧、CはコンデンサC1の容量、R
1=R2=0Ωとし、トランジスタQ5のサイズはトラ
ンジスタQ7のサイズと同じする(n=1の場合)。
【0037】この時、低いカットオフ周波数を得るため
には、PNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6
のスイッチングスピードをスルーレートより速くしてお
く必要がある。したがって、上記の演算増幅器において
はPNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のス
イッチングスピードがスルーレートより速くなるよう
に、定電流源I1、I2およびI3からの定電流i1、
i2およびi3の電流値を設定してある。
には、PNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6
のスイッチングスピードをスルーレートより速くしてお
く必要がある。したがって、上記の演算増幅器において
はPNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のス
イッチングスピードがスルーレートより速くなるよう
に、定電流源I1、I2およびI3からの定電流i1、
i2およびi3の電流値を設定してある。
【0038】また、カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタQ5とトランジスタQ7とのカレントミラー比
n:1のnを1より大きくすれば、定電流源I4の定電
流i4の値を小さくして、カットオフ周波数を低くして
も、定電流源I2の定電流i2の値を大きくでき、PN
PトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のスイッチ
ングスピードをスルーレートよりより速くできる。
ンジスタQ5とトランジスタQ7とのカレントミラー比
n:1のnを1より大きくすれば、定電流源I4の定電
流i4の値を小さくして、カットオフ周波数を低くして
も、定電流源I2の定電流i2の値を大きくでき、PN
PトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のスイッチ
ングスピードをスルーレートよりより速くできる。
【0039】以上に述べたことから明らかなように、上
記の演算増幅器にあっては、非反転入力端+に入力され
るディジタル入力信号に重畳される所定の周波数より高
い周波数を除去して出力端からディジタル出力信号とし
て出力でき、かつ大きな容量値をもつコンデンサを必要
としないため、ノイズを除去してディジタル信号を伝達
できる。また、この演算増幅器は半導体集積回路化に適
したディジタル信号伝達回路およびノイズ除去回路に適
用でき、しかも、入力信号がハイからローに急激に変化
したとしても、その変化によって入力端から出力端に影
響を与えないようにできる。
記の演算増幅器にあっては、非反転入力端+に入力され
るディジタル入力信号に重畳される所定の周波数より高
い周波数を除去して出力端からディジタル出力信号とし
て出力でき、かつ大きな容量値をもつコンデンサを必要
としないため、ノイズを除去してディジタル信号を伝達
できる。また、この演算増幅器は半導体集積回路化に適
したディジタル信号伝達回路およびノイズ除去回路に適
用でき、しかも、入力信号がハイからローに急激に変化
したとしても、その変化によって入力端から出力端に影
響を与えないようにできる。
【0040】しかも、上記の演算増幅器にあっては、非
反転入力端+にアナログ信号を入力させた場合にあって
も、その入力信号にたとえノイズが重畳されたとして
も、図13に示すように、ノイズによる変動を受けず、
ノイズが除去されたアナログ信号として出力端から出力
できるため、この演算増幅器をそのままノイズフィル夕
またはノイズ除去回路として用いることができるもので
ある。
反転入力端+にアナログ信号を入力させた場合にあって
も、その入力信号にたとえノイズが重畳されたとして
も、図13に示すように、ノイズによる変動を受けず、
ノイズが除去されたアナログ信号として出力端から出力
できるため、この演算増幅器をそのままノイズフィル夕
またはノイズ除去回路として用いることができるもので
ある。
【0041】実施の形態2.図2は、本発明の実施の形
態2の演算増幅器を示す図である。図2は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3を、NPNトランジスタで置
き換えた構成の演算増幅器である。PNPトランジスタ
をNPNトランジスタに置き換えることにより、回路中
の他のPNPトランジスタはNPNトランジスタに置き
換えられ、電流源の位置は電源側から接地側に移動する
がそれらは当業者によく知られているので説明を省略す
る。
態2の演算増幅器を示す図である。図2は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3を、NPNトランジスタで置
き換えた構成の演算増幅器である。PNPトランジスタ
をNPNトランジスタに置き換えることにより、回路中
の他のPNPトランジスタはNPNトランジスタに置き
換えられ、電流源の位置は電源側から接地側に移動する
がそれらは当業者によく知られているので説明を省略す
る。
【0042】また、この実施の形態2においては、差動
対トランジスタを構成するトランジスタをNPNトラン
ジスタによって構成したので、実施の形態1における第
1および第2の入力バッファ回路を削除しても良く、N
PNトランジスタQ2のベース電極が直接非反転入力端
+に接続され、NPNトランジスタQ3のベース電極が
直接出力端(反転入力端)に接続される。
対トランジスタを構成するトランジスタをNPNトラン
ジスタによって構成したので、実施の形態1における第
1および第2の入力バッファ回路を削除しても良く、N
PNトランジスタQ2のベース電極が直接非反転入力端
+に接続され、NPNトランジスタQ3のベース電極が
直接出力端(反転入力端)に接続される。
【0043】このように構成された演算増幅器も、上記
の実施の形態1に示した演算増幅器と同様に動作し、同
様の効果を奏するものである。なお、実施の形態2を示
す図2において、実施の形態1を示す図1に示した符号
と同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様
の機能を奏するものである。
の実施の形態1に示した演算増幅器と同様に動作し、同
様の効果を奏するものである。なお、実施の形態2を示
す図2において、実施の形態1を示す図1に示した符号
と同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様
の機能を奏するものである。
【0044】実施の形態3.図3は、本発明の実施の形
態3の演算増幅器を示す図である。図3は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3をPチャネルMOSトランジ
スタに置き換え、NPNトランジスタQ5、Q7、Q8
を、NチャネルMOSトランジスタで置き換えた構成の
演算増幅器である。同様に定電流源I2、I4およびI
5も、通常知られているようにMOSトランジスタによ
って構成されているものである。
態3の演算増幅器を示す図である。図3は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3をPチャネルMOSトランジ
スタに置き換え、NPNトランジスタQ5、Q7、Q8
を、NチャネルMOSトランジスタで置き換えた構成の
演算増幅器である。同様に定電流源I2、I4およびI
5も、通常知られているようにMOSトランジスタによ
って構成されているものである。
【0045】また、この実施の形態3においては、差動
対トランジスタを構成するトランジスタをPチャネルM
OSトランジスタによって構成したので、実施の形態1
における第1および第2の入力バッファ回路を削除して
も良く、PチャネルMOSトランジスタQ2のベース電
極が直接非反転入力端+に接続され、PチャネルMOS
トランジスタQ3のベース電極が直接出力端(反転入力
端)に接続される。
対トランジスタを構成するトランジスタをPチャネルM
OSトランジスタによって構成したので、実施の形態1
における第1および第2の入力バッファ回路を削除して
も良く、PチャネルMOSトランジスタQ2のベース電
極が直接非反転入力端+に接続され、PチャネルMOS
トランジスタQ3のベース電極が直接出力端(反転入力
端)に接続される。
【0046】このように構成された演算増幅器も、上記
の実施の形態1に示した演算増幅器と同様に動作し、同
様の効果を奏するものである。なお、実施の形態3を示
す図3において、実施の形態1を示す図1に示した符号
と同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様
の機能を奏するものである。
の実施の形態1に示した演算増幅器と同様に動作し、同
様の効果を奏するものである。なお、実施の形態3を示
す図3において、実施の形態1を示す図1に示した符号
と同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様
の機能を奏するものである。
【0047】実施の形態4.図4は本発明の実施の形態
4の演算増幅器を示すものである。この実施の形態4は
上記の実施の形態2がトランジスタとしてバイポーラト
ランジスタを用いて構成していたものに対してMOSト
ランジスタを用いて構成した点で相違する。つまり、実
施の形態2におけるNPNトランジスタQ2およびQ3
をNチャネルMOSトランジスタに置き換えたものであ
る。同様に定電流源I2、I4およびI5も、通常知ら
れているようにMOSトランジスタによって構成されて
いるものである。
4の演算増幅器を示すものである。この実施の形態4は
上記の実施の形態2がトランジスタとしてバイポーラト
ランジスタを用いて構成していたものに対してMOSト
ランジスタを用いて構成した点で相違する。つまり、実
施の形態2におけるNPNトランジスタQ2およびQ3
をNチャネルMOSトランジスタに置き換えたものであ
る。同様に定電流源I2、I4およびI5も、通常知ら
れているようにMOSトランジスタによって構成されて
いるものである。
【0048】このように構成された演算増幅器において
も、上記の実施の形態2に示した演算増幅器と同様に動
作し、同様の効果を奏するものである。なお、実施の形
態4を示す図4において、実施の形態2を示す図2に示
した符号と同一符号は同一又は相当部分を示すものであ
り、同様の機能を奏するものである。
も、上記の実施の形態2に示した演算増幅器と同様に動
作し、同様の効果を奏するものである。なお、実施の形
態4を示す図4において、実施の形態2を示す図2に示
した符号と同一符号は同一又は相当部分を示すものであ
り、同様の機能を奏するものである。
【0049】実施の形態5.図5は、本発明の実施の形
態5の演算増幅器を示す図である。図5は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3と同じ特性をもった複数(こ
の実施の形態4においては4つのPNPトランジスタ)
の並列接続PNPトランジスタに置き換え、並列PNP
トランジスタQ3のうちの1つのPNPトランジスタの
コレクタ電極を差動トランジスタの出力ノードとして、
NPNトランジスタQ5のコレクタ電極に接続し、残り
のPNPトランジスタすべてのコレクタ電極を接地した
構成にしたものである。その他の点については図1に示
した実施の形態1と同様である。
態5の演算増幅器を示す図である。図5は、図1のPN
PトランジスタQ2、Q3と同じ特性をもった複数(こ
の実施の形態4においては4つのPNPトランジスタ)
の並列接続PNPトランジスタに置き換え、並列PNP
トランジスタQ3のうちの1つのPNPトランジスタの
コレクタ電極を差動トランジスタの出力ノードとして、
NPNトランジスタQ5のコレクタ電極に接続し、残り
のPNPトランジスタすべてのコレクタ電極を接地した
構成にしたものである。その他の点については図1に示
した実施の形態1と同様である。
【0050】このように構成したことにより、非反転入
力端+の電位と出力端の電位が同じ場合、つまり、動作
として安定している場合に、並列PNPトランジスタQ
2およびQ3のコレクタ電流は同じ値、つまり、定電流
源I2によって供給される定電流i2の1/2の値の電
流になる。また、並列PNPトランジスタQ3を構成す
るPNPトランジスタには均等に電流が流れるため、並
列PNPトランジスタQ3のうちのNPNトランジスタ
Q5のコレクタ電極に接続されたPNPトランジスタの
コレクタ電極に流れる電流i2’は、この実施の形態5
の場合、1/2×i2の1/4になる。
力端+の電位と出力端の電位が同じ場合、つまり、動作
として安定している場合に、並列PNPトランジスタQ
2およびQ3のコレクタ電流は同じ値、つまり、定電流
源I2によって供給される定電流i2の1/2の値の電
流になる。また、並列PNPトランジスタQ3を構成す
るPNPトランジスタには均等に電流が流れるため、並
列PNPトランジスタQ3のうちのNPNトランジスタ
Q5のコレクタ電極に接続されたPNPトランジスタの
コレクタ電極に流れる電流i2’は、この実施の形態5
の場合、1/2×i2の1/4になる。
【0051】したがって、NPNトランジスタQ5のコ
レクタ電流も1/2×i2×1/4になり、NPNトラ
ンジスタQ7のコレクタ電流として1/2×i2×1/
4×1/nなる電流が流れることになり、定電流源I4
の定電流i4の値は1/2×i2×1/4×1/nにな
る。
レクタ電流も1/2×i2×1/4になり、NPNトラ
ンジスタQ7のコレクタ電流として1/2×i2×1/
4×1/nなる電流が流れることになり、定電流源I4
の定電流i4の値は1/2×i2×1/4×1/nにな
る。
【0052】その結果、この実施の形態5においては、
定電流源I2の定電流i2の値と定電流源I4の定電流
i4の値との比を8n対1と大きく取れ、定電流源I4
の定電流i4の値を小さくして、カットオフ周波数を高
くし、かつ、定電流源I2の定電流i2の値を大きくし
て、PNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6の
スイッチングスピードをスルーレートより速くできるも
のである。その他、実施の形態1と同様の効果を奏する
ものである。
定電流源I2の定電流i2の値と定電流源I4の定電流
i4の値との比を8n対1と大きく取れ、定電流源I4
の定電流i4の値を小さくして、カットオフ周波数を高
くし、かつ、定電流源I2の定電流i2の値を大きくし
て、PNPトランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6の
スイッチングスピードをスルーレートより速くできるも
のである。その他、実施の形態1と同様の効果を奏する
ものである。
【0053】実施の形態6.図6は、本発明の実施の形
態6の演算増幅器を示す図である。図6は、図5の並列
トランジスタをマルチコレクタのトランジスタで置き換
えたものであり、その動作は図5に示す実施の形態5の
演算増幅器と同じである。図6においては、トランジス
タQ2、Q3をマルチコレクタにし、Q3の1つのコレ
クタのみをQ5のコレクタに接続するように構成され
る。この実施の形態6においても上述した実施の形態5
と同様の効果を奏するものである。
態6の演算増幅器を示す図である。図6は、図5の並列
トランジスタをマルチコレクタのトランジスタで置き換
えたものであり、その動作は図5に示す実施の形態5の
演算増幅器と同じである。図6においては、トランジス
タQ2、Q3をマルチコレクタにし、Q3の1つのコレ
クタのみをQ5のコレクタに接続するように構成され
る。この実施の形態6においても上述した実施の形態5
と同様の効果を奏するものである。
【0054】実施の形態7.図7は本発明の実施の形態
7を示すものであり、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が生じても、ノイズを除去してディジタル信号
を伝達できるディジタル信号伝達回路を示すものであ
る。この実施の形態7の発明は、半導体集積回路化に適
したディジタル信号伝達回路として用いられるのみでな
く、ノイズ除去回路、もしくはディジタル信号フィル夕
としての機能も有する。
7を示すものであり、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が生じても、ノイズを除去してディジタル信号
を伝達できるディジタル信号伝達回路を示すものであ
る。この実施の形態7の発明は、半導体集積回路化に適
したディジタル信号伝達回路として用いられるのみでな
く、ノイズ除去回路、もしくはディジタル信号フィル夕
としての機能も有する。
【0055】図7において、10は非反転入力端+にデ
ィジタル入力信号が入力され、その反転入力端−がその
出力端に接続され、所定のスルーレートをもったボルテ
ージフォロアとして機能する演算増幅器であり、入力信
号に重畳されるノイズを除去する。この演算増幅器10
には、たとえば、上記の実施の形態1ないし6に示した
演算増幅器が用いられる。
ィジタル入力信号が入力され、その反転入力端−がその
出力端に接続され、所定のスルーレートをもったボルテ
ージフォロアとして機能する演算増幅器であり、入力信
号に重畳されるノイズを除去する。この演算増幅器10
には、たとえば、上記の実施の形態1ないし6に示した
演算増幅器が用いられる。
【0056】20は非反転入力端+に上記演算増幅器1
0の出力端が接続され、反転入力端−に基準電圧(比較
電圧)Vref2が印加され、出力端にノイズが除去された
ディジタル出力信号が出力される比較器である。この比
較器20は、波形整形として機能し、通常用いられてい
る比較器であり、上記演算増幅器10がバイポーラトラ
ンジスタで構成されている場合はバイポーラトランジス
タで構成され、上記演算増幅器10がMOSトランジス
タで構成されている場合は、MOSトランジスタによっ
て構成されているものであり、上記演算増幅器10と共
に1つの半導体集積回路に組み込まれる。
0の出力端が接続され、反転入力端−に基準電圧(比較
電圧)Vref2が印加され、出力端にノイズが除去された
ディジタル出力信号が出力される比較器である。この比
較器20は、波形整形として機能し、通常用いられてい
る比較器であり、上記演算増幅器10がバイポーラトラ
ンジスタで構成されている場合はバイポーラトランジス
タで構成され、上記演算増幅器10がMOSトランジス
タで構成されている場合は、MOSトランジスタによっ
て構成されているものであり、上記演算増幅器10と共
に1つの半導体集積回路に組み込まれる。
【0057】次に、このように構成された回路の動作に
ついて説明する。まず、入力信号としてローおよびハイ
のディジタル信号が入力されたとすると、演算増幅器1
0は、ボルテージフォロアタイプであるため、入力信号
と同じ電位であるローおよびハイのディジタル信号を出
力端へ出力する。このローおよびハイのディジタル信号
を非反転入力端+に受けて比較器20は、反転入力端−
に受けている基準電圧Vref2と電圧比較し、基準電圧V
ref2より低い場合はロー、高い場合はハイのディジタル
信号を出力することになり、入力信号に基づいたローお
よびハイのディジタル信号を出力する。
ついて説明する。まず、入力信号としてローおよびハイ
のディジタル信号が入力されたとすると、演算増幅器1
0は、ボルテージフォロアタイプであるため、入力信号
と同じ電位であるローおよびハイのディジタル信号を出
力端へ出力する。このローおよびハイのディジタル信号
を非反転入力端+に受けて比較器20は、反転入力端−
に受けている基準電圧Vref2と電圧比較し、基準電圧V
ref2より低い場合はロー、高い場合はハイのディジタル
信号を出力することになり、入力信号に基づいたローお
よびハイのディジタル信号を出力する。
【0058】また、ローからハイに入力信号が変化する
と、演算増幅器10は、上記実施の形態1ないし6で説
明したように動作して、その出力端に所定のスルーレー
トを持ってローからハイへ変化する出力信号を出力す
る。演算増幅器10の出力がローからハイに変化する
と、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電圧V
ref2になると出力をローからハイに急峻に立ち上げ、ハ
イのディジタル信号を出力する。
と、演算増幅器10は、上記実施の形態1ないし6で説
明したように動作して、その出力端に所定のスルーレー
トを持ってローからハイへ変化する出力信号を出力す
る。演算増幅器10の出力がローからハイに変化する
と、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電圧V
ref2になると出力をローからハイに急峻に立ち上げ、ハ
イのディジタル信号を出力する。
【0059】一方、ハイからローに入力信号が変化する
と、演算増幅器10は、上記実施の形態1ないし6で説
明したように動作して、その出力端に所定のスルーレー
トをもってハイからローへ変化する出力信号を出力す
る。演算増幅器10の出力がハイからローに変化する
と、比較器20は、演算増幅器10の出力が基準電圧V
ref2になると出力をローからハイに急唆に立ち下げ、ロ
ーの第2ディジタル信号を出力する。
と、演算増幅器10は、上記実施の形態1ないし6で説
明したように動作して、その出力端に所定のスルーレー
トをもってハイからローへ変化する出力信号を出力す
る。演算増幅器10の出力がハイからローに変化する
と、比較器20は、演算増幅器10の出力が基準電圧V
ref2になると出力をローからハイに急唆に立ち下げ、ロ
ーの第2ディジタル信号を出力する。
【0060】そして、演算増幅器10は、上記で説明し
たように、所定のスルーレートをもっているため、たと
えば、入力信号がハイのときにローに変化するノイズが
重畳されたり、ローのときにハイに変化するノイズが重
畳されたとしても、ノイズが所定の周波数以上であれ
ば、演算増幅器10の出力にノイズによる影響がでない
ものである。また、演算増幅器10の出力端に出力の変
化が多少生じたとしても、比較器20に印加される基準
電圧Vref2を超えて変化しなければ、比較器20からの
出力はノイズの影響をなんら受けないものである。
たように、所定のスルーレートをもっているため、たと
えば、入力信号がハイのときにローに変化するノイズが
重畳されたり、ローのときにハイに変化するノイズが重
畳されたとしても、ノイズが所定の周波数以上であれ
ば、演算増幅器10の出力にノイズによる影響がでない
ものである。また、演算増幅器10の出力端に出力の変
化が多少生じたとしても、比較器20に印加される基準
電圧Vref2を超えて変化しなければ、比較器20からの
出力はノイズの影響をなんら受けないものである。
【0061】従って、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が生じても、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信
号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したディジ
タル信号伝達回路を得ることができる。
タル信号が生じても、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信
号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したディジ
タル信号伝達回路を得ることができる。
【0062】実施の形態8 図8および図9は、この発明の実施の形態8を示し、た
とえノイズが重畳されたディジタル信号が入力しても、
ノイズを除去してディジタル信号を伝達でき、かつ、半
導体集積回路化に適したディジタル信号伝達回路を示す
ものである。図8において、10はその非反転入力端+
にその出力が接続され、反転入力端−に第2の基準電圧
(比較電圧)Vref2が印加され、出力端にノイズが除去
されたディジタル信号が出力される比較器であり、波形
整形として機能する通常用いられている比較器であり、
上記演算増幅器10がバイポーラトランジスタで構成さ
れている場合は、バイポーラトランジスタで構成され、
MOSトランジスタで構成されているばあいはMOSト
ランジスタによって構成されているものであり、上記演
算増幅器10と共に1つの半導体集積回路に組み込まれ
る。
とえノイズが重畳されたディジタル信号が入力しても、
ノイズを除去してディジタル信号を伝達でき、かつ、半
導体集積回路化に適したディジタル信号伝達回路を示す
ものである。図8において、10はその非反転入力端+
にその出力が接続され、反転入力端−に第2の基準電圧
(比較電圧)Vref2が印加され、出力端にノイズが除去
されたディジタル信号が出力される比較器であり、波形
整形として機能する通常用いられている比較器であり、
上記演算増幅器10がバイポーラトランジスタで構成さ
れている場合は、バイポーラトランジスタで構成され、
MOSトランジスタで構成されているばあいはMOSト
ランジスタによって構成されているものであり、上記演
算増幅器10と共に1つの半導体集積回路に組み込まれ
る。
【0063】そして、上記の演算増幅器10は図9に示
されているような構成になっているものである。すなわ
ち、図9においてQ2はベース電極に非反転入力端+に
入力される入力信号を受け、コレクタ電極が出力ノード
になる接地されたPNPトランジスタ、Q3はベース電
極に反転入力端−に印加される第1の基準電圧Vref1を
うけ、エミッタ電極が上記PNPトランジスタQ2のエ
ミッタ電極に接続されたPNPトランジスタで、上記P
NPトランジスタQ2と組み合わせて差動トランジスタ
を構成する。トランジスタQ3は上記PNPトランジス
タQ2と同じ特性を有し、そのベース電極に印加される
電位が上記PNPトランジスタQ2のベース電極に印加
される電位と同じ場合、コレクタ電流は差動トランジス
タの出力電流、つまり上記PNPトランジスタQ2のコ
レクタ電流と同じ値になる。
されているような構成になっているものである。すなわ
ち、図9においてQ2はベース電極に非反転入力端+に
入力される入力信号を受け、コレクタ電極が出力ノード
になる接地されたPNPトランジスタ、Q3はベース電
極に反転入力端−に印加される第1の基準電圧Vref1を
うけ、エミッタ電極が上記PNPトランジスタQ2のエ
ミッタ電極に接続されたPNPトランジスタで、上記P
NPトランジスタQ2と組み合わせて差動トランジスタ
を構成する。トランジスタQ3は上記PNPトランジス
タQ2と同じ特性を有し、そのベース電極に印加される
電位が上記PNPトランジスタQ2のベース電極に印加
される電位と同じ場合、コレクタ電流は差動トランジス
タの出力電流、つまり上記PNPトランジスタQ2のコ
レクタ電流と同じ値になる。
【0064】I2は上記電源電位ノードVccと上記P
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
【0065】Q5はコレクタ電極が上記PNPトランジ
スタQ3のコレクタ電極に接続され、ベース電極がコレ
クタ電極に接続され、エミッタ電極が接地されたPNP
トランジスタでカレントミラー回路の入力側トランジス
タとして機能するものである。Q7はコレクタ電極が上
記差動対トランジスタの出力ノード、つまり、上記PN
PトランジスタQ2のコレクタ電極に接続され、ベース
電極がPNPトランジスタQ5とでカレントミラー回路
を構成しており、カレントミラー回路の出力側トランジ
スタとして機能し、コレクタ電極がカレントミラー回路
の出力ノードとなる。この実施の形態8では、トランジ
スタQ7は、上記PNPトランジスタQ5と同じ特性を
有してカレントミラー比が1:1になるようにされてい
る。
スタQ3のコレクタ電極に接続され、ベース電極がコレ
クタ電極に接続され、エミッタ電極が接地されたPNP
トランジスタでカレントミラー回路の入力側トランジス
タとして機能するものである。Q7はコレクタ電極が上
記差動対トランジスタの出力ノード、つまり、上記PN
PトランジスタQ2のコレクタ電極に接続され、ベース
電極がPNPトランジスタQ5とでカレントミラー回路
を構成しており、カレントミラー回路の出力側トランジ
スタとして機能し、コレクタ電極がカレントミラー回路
の出力ノードとなる。この実施の形態8では、トランジ
スタQ7は、上記PNPトランジスタQ5と同じ特性を
有してカレントミラー比が1:1になるようにされてい
る。
【0066】Q8はベース電極が上記カレントミラー回
路の出力ノード、つまりPNPトランジスタQ7のコレ
クタ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端aに接
続され、エミッタ電極が接地された出力用トランジスタ
となるPNPトランジスタである。I5は上記電源電位
ノードトランジスタQ8のコレクタ電極に与える定電流
源で、通常知られているようにバイポーラトランジスタ
によって構成されているものである。C1は上記カレン
トミラー回路の出力ノード、つまり、上記PNPトラン
ジスタQ7のコレクタ電極と上記出力端、つまり上記P
NPトランジスタQ8のコレクタ電極との間に接続され
た容量性素子である。
路の出力ノード、つまりPNPトランジスタQ7のコレ
クタ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端aに接
続され、エミッタ電極が接地された出力用トランジスタ
となるPNPトランジスタである。I5は上記電源電位
ノードトランジスタQ8のコレクタ電極に与える定電流
源で、通常知られているようにバイポーラトランジスタ
によって構成されているものである。C1は上記カレン
トミラー回路の出力ノード、つまり、上記PNPトラン
ジスタQ7のコレクタ電極と上記出力端、つまり上記P
NPトランジスタQ8のコレクタ電極との間に接続され
た容量性素子である。
【0067】次にこのように構成された回路の動作につ
いて説明する。まず、入力信号としてローのディジタル
信号が入力されているとすると、演算増幅器10はロー
のディジタル信号と第1の基準電圧Vref1と比較し、入
力信号が第1の基準電圧Vref1より低いことにより、ロ
ーのディジタル信号を出力端aに出力している。
いて説明する。まず、入力信号としてローのディジタル
信号が入力されているとすると、演算増幅器10はロー
のディジタル信号と第1の基準電圧Vref1と比較し、入
力信号が第1の基準電圧Vref1より低いことにより、ロ
ーのディジタル信号を出力端aに出力している。
【0068】すなわち、差動対トランジスタを構成する
PNPトランジスタQ2にはローレベルの電位が与えら
れ、PNPトランジスタQ3のベース電極にはローレベ
ルの電位より高い第1の基準電圧Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2の導通度はPNPトランジ
スタQ3の導通度より高くなり、PNPトランジスタQ
2に流れるコレクタ電流は、1/2×i2より大きく
(1/2×i2+α)なり、PNPトランジスタQ3に
流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく(1/2
×i2−α)になる。
PNPトランジスタQ2にはローレベルの電位が与えら
れ、PNPトランジスタQ3のベース電極にはローレベ
ルの電位より高い第1の基準電圧Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2の導通度はPNPトランジ
スタQ3の導通度より高くなり、PNPトランジスタQ
2に流れるコレクタ電流は、1/2×i2より大きく
(1/2×i2+α)なり、PNPトランジスタQ3に
流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく(1/2
×i2−α)になる。
【0069】その結果、PNPトランジスタQ2のコレ
クタ電流が(1/2×i2+α)であり、PNPトラン
ジスタQ7が(1/2×i2−α)であるため、その差
分2αの電流がPNPトランジスタQ8のベース電極お
よび容量性素子C1に流れ込む電流となる。したがっ
て、PNPトランジスタQ8の導通度は高く(抵抗値と
しては低くなる)なり、出力端aの電位を下降させると
共に、出力端aから電流を引き込むことになる。よっ
て、出力端aはローレベルになる。
クタ電流が(1/2×i2+α)であり、PNPトラン
ジスタQ7が(1/2×i2−α)であるため、その差
分2αの電流がPNPトランジスタQ8のベース電極お
よび容量性素子C1に流れ込む電流となる。したがっ
て、PNPトランジスタQ8の導通度は高く(抵抗値と
しては低くなる)なり、出力端aの電位を下降させると
共に、出力端aから電流を引き込むことになる。よっ
て、出力端aはローレベルになる。
【0070】出力端aからのローのディジタル信号を非
反転入力端+にうけた比較器20は反転入力端−に受け
ているローレベルの電位より高い第2の基準電圧Vref2
と電圧比較しローのディジタル信号を出力することにな
り、入力信号に基づいたローのディジタル信号を出力す
る。
反転入力端+にうけた比較器20は反転入力端−に受け
ているローレベルの電位より高い第2の基準電圧Vref2
と電圧比較しローのディジタル信号を出力することにな
り、入力信号に基づいたローのディジタル信号を出力す
る。
【0071】一方、入力信号としてハイのディジタル信
号が入力されているとすると、演算増幅器10はハイの
ディジタル信号と第1の基準電圧Vref1を比較し、入力
信号が第1の基準電圧Vref1より高いことにより、ハイ
のディジタル信号を出力端aに出力している。
号が入力されているとすると、演算増幅器10はハイの
ディジタル信号と第1の基準電圧Vref1を比較し、入力
信号が第1の基準電圧Vref1より高いことにより、ハイ
のディジタル信号を出力端aに出力している。
【0072】すなわち、差動対トランジスタを構成する
PNPトランジスタQ2にはローレベルの電位が与えら
れ、PNPトランジスタQ3のベース電極にはハイレベ
ルの電位より低い第1の基準電圧Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2の導通度がPNPトランジ
スタQ3の導通度より低くなり、PNPトランジスタQ
2に流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく1/
2×i2−αになり、PNPトランジスタQ3に流れる
コレクタ電流は1/2×i2より大きく1/2×i2+
αになる。
PNPトランジスタQ2にはローレベルの電位が与えら
れ、PNPトランジスタQ3のベース電極にはハイレベ
ルの電位より低い第1の基準電圧Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2の導通度がPNPトランジ
スタQ3の導通度より低くなり、PNPトランジスタQ
2に流れるコレクタ電流は1/2×i2より小さく1/
2×i2−αになり、PNPトランジスタQ3に流れる
コレクタ電流は1/2×i2より大きく1/2×i2+
αになる。
【0073】PNPトランジスタQ3に流れるコレクタ
電流はPNPトランジスタQ5のコレクタ電流になるた
め、PNPトランジスタQ7のコレクタ電流もPNPト
ランジスタQ3のコレクタ電流と同じ値、つまり、1/
2×i2+αになる。
電流はPNPトランジスタQ5のコレクタ電流になるた
め、PNPトランジスタQ7のコレクタ電流もPNPト
ランジスタQ3のコレクタ電流と同じ値、つまり、1/
2×i2+αになる。
【0074】その結果、PNPトランジスタQ2のコレ
クタ電流が1/2×i2−αでありPNPトランジスタ
Q7のコレクタ電流が1/2×i2+αであるため、そ
の差分2αの電流がPNPトランジスタQ8のベース電
極および容量性素子C1から引き込む電流となる。した
がって、PNPトランジスタQ8の導通度は低く(抵抗
値としては高くなる)なり、出力端aの電位を上昇させ
ると共に、出力端aから電流を流れ出させる。よって、
出力端aはハイレベルになる。
クタ電流が1/2×i2−αでありPNPトランジスタ
Q7のコレクタ電流が1/2×i2+αであるため、そ
の差分2αの電流がPNPトランジスタQ8のベース電
極および容量性素子C1から引き込む電流となる。した
がって、PNPトランジスタQ8の導通度は低く(抵抗
値としては高くなる)なり、出力端aの電位を上昇させ
ると共に、出力端aから電流を流れ出させる。よって、
出力端aはハイレベルになる。
【0075】出力端aからのハイのディジタル信号を非
反転入力端+にうけた比較器20は、反転入力端−に受
けているハイレベルの電位より低い第2の基準電圧V
ref2と電圧比較し、ハイのディジタル信号を出力するこ
とになり、入力信号に基づいたハイのディジタル信号を
出力する。
反転入力端+にうけた比較器20は、反転入力端−に受
けているハイレベルの電位より低い第2の基準電圧V
ref2と電圧比較し、ハイのディジタル信号を出力するこ
とになり、入力信号に基づいたハイのディジタル信号を
出力する。
【0076】また、非反転端子の入力信号がローからハ
イに変化すると、演算増幅器10はハイからローに変化
する信号と第1の基準電圧Vref1と比較し、入力信号の
電位の変化に伴って、差動対トランジスタを構成するP
NPトランジスタQ2の導通度を低くしてそのコレクタ
電流を小さくし、PNPトランジスタQ3の導通度を高
くしてそのコレクタ電流を大きくする。その結果、PN
PトランジスタQ8のベース電極および容量性素子C1
に流れ込む電流は差分2αから小さくなり、最終的にP
NPトランジスタQ8のベース電極および容量性素子C
1から差分2αを引き込むことになる。
イに変化すると、演算増幅器10はハイからローに変化
する信号と第1の基準電圧Vref1と比較し、入力信号の
電位の変化に伴って、差動対トランジスタを構成するP
NPトランジスタQ2の導通度を低くしてそのコレクタ
電流を小さくし、PNPトランジスタQ3の導通度を高
くしてそのコレクタ電流を大きくする。その結果、PN
PトランジスタQ8のベース電極および容量性素子C1
に流れ込む電流は差分2αから小さくなり、最終的にP
NPトランジスタQ8のベース電極および容量性素子C
1から差分2αを引き込むことになる。
【0077】したがって、PNPトランジスタQ8の導
通度は低く(抵抗値としては高くなる)なり、出力端a
の電位を上昇させると共に、出力端aから電流を流れ出
させる。よって、出力端aに所定のスルーレートをもっ
てローからハイに変化する出力信号を出力し、最終的に
出力端aはハイレベルになる。
通度は低く(抵抗値としては高くなる)なり、出力端a
の電位を上昇させると共に、出力端aから電流を流れ出
させる。よって、出力端aに所定のスルーレートをもっ
てローからハイに変化する出力信号を出力し、最終的に
出力端aはハイレベルになる。
【0078】演算増幅器10の出力がローからハイに変
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をローからハイに急唆に立ち上
げ、ハイのディジタル信号を出力する。
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をローからハイに急唆に立ち上
げ、ハイのディジタル信号を出力する。
【0079】一方、非反転端子の入力信号がハイからロ
ーに変化すると、演算増幅器10はローからハイに変化
する入力信号と第1の基準電圧Vref1とを比較し、入力
信号の電位の変化に伴って、差動対トランジスタを構成
するPNPトランジスタQ2の導通度を高くしてそのコ
レクタ電流を大きくし、PNPトランジスタQ3の導通
度を低くしてそのコレクタ電流を小さくする。
ーに変化すると、演算増幅器10はローからハイに変化
する入力信号と第1の基準電圧Vref1とを比較し、入力
信号の電位の変化に伴って、差動対トランジスタを構成
するPNPトランジスタQ2の導通度を高くしてそのコ
レクタ電流を大きくし、PNPトランジスタQ3の導通
度を低くしてそのコレクタ電流を小さくする。
【0080】その結果、PNPトランジスタQ8のベー
ス電極および容量性素子C1から引き込まれる電流は差
分2αから小さくなり、最終的にPNPトランジスタQ
8のベース電極および容量性素子C1に差分2αの電流
が流れ込むことになる。したがって、PNPトランジス
タQ8の導通度は高く(抵抗値としては低くなる)な
り、出力端aの電位を下降させると共に、出力端aから
電流を引き込む。よって、出力端aに所定のスルーレー
トをもってハイからローに変化する出力信号を出力し、
最終的に出力端aはローレベルになる。
ス電極および容量性素子C1から引き込まれる電流は差
分2αから小さくなり、最終的にPNPトランジスタQ
8のベース電極および容量性素子C1に差分2αの電流
が流れ込むことになる。したがって、PNPトランジス
タQ8の導通度は高く(抵抗値としては低くなる)な
り、出力端aの電位を下降させると共に、出力端aから
電流を引き込む。よって、出力端aに所定のスルーレー
トをもってハイからローに変化する出力信号を出力し、
最終的に出力端aはローレベルになる。
【0081】演算増幅器10の出力がハイからローに変
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をハイからローに急唆に立ち下
げ、ローのディジタル信号を出力する。そして、演算増
幅器10は所定のスルーレートを持っているため、たと
えば、入力信号がハイのときにローに変化するノイズが
重畳されたり、ローのときにハイに変化するノイズが重
畳されたとしても、ノイズが所定の周波数以上であれ
ば、演算増幅器10の出力端にノイズによる影響が出な
いものである。また、演算増幅器10の出力端に出力の
変化が多少生じたとしても、比較器20に印加される基
準電圧Vref2を超えて変化しなければ、比較器20から
の出力はノイズの影響を何ら受けないものである。
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をハイからローに急唆に立ち下
げ、ローのディジタル信号を出力する。そして、演算増
幅器10は所定のスルーレートを持っているため、たと
えば、入力信号がハイのときにローに変化するノイズが
重畳されたり、ローのときにハイに変化するノイズが重
畳されたとしても、ノイズが所定の周波数以上であれ
ば、演算増幅器10の出力端にノイズによる影響が出な
いものである。また、演算増幅器10の出力端に出力の
変化が多少生じたとしても、比較器20に印加される基
準電圧Vref2を超えて変化しなければ、比較器20から
の出力はノイズの影響を何ら受けないものである。
【0082】したがって、たとえノイズが重畳されたデ
ィジタル信号が生じても、たとえノイズが重畳されたデ
ィジタル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタ
ル信号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したデ
ィジタル信号伝達回路を得ることができる。
ィジタル信号が生じても、たとえノイズが重畳されたデ
ィジタル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタ
ル信号を伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したデ
ィジタル信号伝達回路を得ることができる。
【0083】このように、ノイズが除去できる点につ
き、図17(添付図)を用いて、入力信号がハイの時に
ローに変化するノイズが重畳されが場合について更に詳
しく説明を加える。すなわち、図17(添付図)の
(a)に示すように入力信号がハイレベルであるとき
に、ローに変化するノイズが加えられたとすると、図1
7(b)に示すように、入力信号がノイズによりハイか
らローの変化に伴って演算増幅器10の出力も所定のス
ルーレートを持ってハイからローに向かって変化し、そ
の後入力信号のノイズがローからハイに変化するとそれ
に伴って演算増幅器10の出力も所定のスルーレートを
もってハイに向かって変化する。
き、図17(添付図)を用いて、入力信号がハイの時に
ローに変化するノイズが重畳されが場合について更に詳
しく説明を加える。すなわち、図17(添付図)の
(a)に示すように入力信号がハイレベルであるとき
に、ローに変化するノイズが加えられたとすると、図1
7(b)に示すように、入力信号がノイズによりハイか
らローの変化に伴って演算増幅器10の出力も所定のス
ルーレートを持ってハイからローに向かって変化し、そ
の後入力信号のノイズがローからハイに変化するとそれ
に伴って演算増幅器10の出力も所定のスルーレートを
もってハイに向かって変化する。
【0084】しかるに、演算増幅器10の出力に現れた
ノイズによる電位の変化が、第2の基準電圧Vref2より
低くならない限り、比較器20〜の出力はなんらノイズ
の影響を受けないものでありノイズを除去した出力信号
が得られることになる。ここで、たとえば、電圧値が0
〜5V、周波数が約3.5MHzのノイズが入ったと
き、これをカットするためには、図15の従来の回路で
はC×R=2×10-7が必要となり、ここで、R=2k
Ωとすると、コンデンサの容量としてはC=100pF
の容量が必要になる。一方、本発明においては、図9に
おいて、I2=10μAに設定するとコンデンサC1の
値は0.56pFですむことになる。ここで、コンパレ
ータ、あるいはオペアンプ内のバイアス電流I2の値を
小さくすることにより、コンデンサC1の値も小さくす
ることができる。
ノイズによる電位の変化が、第2の基準電圧Vref2より
低くならない限り、比較器20〜の出力はなんらノイズ
の影響を受けないものでありノイズを除去した出力信号
が得られることになる。ここで、たとえば、電圧値が0
〜5V、周波数が約3.5MHzのノイズが入ったと
き、これをカットするためには、図15の従来の回路で
はC×R=2×10-7が必要となり、ここで、R=2k
Ωとすると、コンデンサの容量としてはC=100pF
の容量が必要になる。一方、本発明においては、図9に
おいて、I2=10μAに設定するとコンデンサC1の
値は0.56pFですむことになる。ここで、コンパレ
ータ、あるいはオペアンプ内のバイアス電流I2の値を
小さくすることにより、コンデンサC1の値も小さくす
ることができる。
【0085】実施の形態9.図10は本発明の実施の形
態9を示す回路であり、この実施の形態9は上記の実施
の形態8がトランジスタとしてバイポーラトランジスタ
を用いて構成したものに対してMOSトランジスタを用
いて構成して点で相違する。つまり、実施の形態8にお
けるPNPトランジスタQ2およびQ3をPチャネルM
OSトランジスタQ2およびQ3に置き換え、NPNト
ランジスタQ5、Q7およびQ8をNチャネルMOSト
ランジスタQ5、Q7およびQ8に置き換えたものであ
る。同様に定電流源I2およびI5も、通常知られてい
るようにMOSトランジスタによって構成される。
態9を示す回路であり、この実施の形態9は上記の実施
の形態8がトランジスタとしてバイポーラトランジスタ
を用いて構成したものに対してMOSトランジスタを用
いて構成して点で相違する。つまり、実施の形態8にお
けるPNPトランジスタQ2およびQ3をPチャネルM
OSトランジスタQ2およびQ3に置き換え、NPNト
ランジスタQ5、Q7およびQ8をNチャネルMOSト
ランジスタQ5、Q7およびQ8に置き換えたものであ
る。同様に定電流源I2およびI5も、通常知られてい
るようにMOSトランジスタによって構成される。
【0086】このように構成されたものにおいても、上
記の実施の形態8に示したものと同様に動作し、同様の
効果を奏するものである。なお、実施の形態9を示す図
10において、実施の形態8を示す図9に示した符号と
同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様の
効果を奏するものである。
記の実施の形態8に示したものと同様に動作し、同様の
効果を奏するものである。なお、実施の形態9を示す図
10において、実施の形態8を示す図9に示した符号と
同一符号は同一又は相当部分を示すものであり、同様の
効果を奏するものである。
【0087】実施の形態10.図11は本発明の実施の
形態10を示し、たとえノイズが重畳されたディジタル
信号が生じても、たとえノイズが重畳されたディジタル
信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信号を
伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したディジタル
信号伝達回路を示すものであり、上記の実施の形態8に
おける演算増幅器10の構成を変えたものであり、その
他の点については実施の形態8と同様である。
形態10を示し、たとえノイズが重畳されたディジタル
信号が生じても、たとえノイズが重畳されたディジタル
信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信号を
伝達でき、かつ、半導体集積回路化に適したディジタル
信号伝達回路を示すものであり、上記の実施の形態8に
おける演算増幅器10の構成を変えたものであり、その
他の点については実施の形態8と同様である。
【0088】図11において、Q2はベース電極に非反
転入力端+に入力される入力信号を受け、コレクタ電極
が接地されたPNPトランジスタであり、Q3はベース
電極に反転入力端−に印加される第1の基準電圧(比較
電圧)Vref1を受け、エミッタ電極が上記PNPトラン
ジスタQ2のエミッタ電極に接続されたPNPトランジ
スタで、上記PNPトランジスタQ2と組み合わせて差
動対トランジスタを構成し、そのコレクタ電極が差動対
トランジスタの出力ノードとなるものである。トランジ
スタQ3は上記PNPトランジスタQ2と同じ特性を有
し、ベース電極に印加される電位がPNPトランジスタ
Q2のベース電極に印加される電位と同じ場合、コレク
タ電流つまり差動対トランジスタの出力電流はPNPト
ランジスタQ2のコレクタ電流と同じ値になる。
転入力端+に入力される入力信号を受け、コレクタ電極
が接地されたPNPトランジスタであり、Q3はベース
電極に反転入力端−に印加される第1の基準電圧(比較
電圧)Vref1を受け、エミッタ電極が上記PNPトラン
ジスタQ2のエミッタ電極に接続されたPNPトランジ
スタで、上記PNPトランジスタQ2と組み合わせて差
動対トランジスタを構成し、そのコレクタ電極が差動対
トランジスタの出力ノードとなるものである。トランジ
スタQ3は上記PNPトランジスタQ2と同じ特性を有
し、ベース電極に印加される電位がPNPトランジスタ
Q2のベース電極に印加される電位と同じ場合、コレク
タ電流つまり差動対トランジスタの出力電流はPNPト
ランジスタQ2のコレクタ電流と同じ値になる。
【0089】I2は上記電源電位ノードVccと上記P
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
NPトランジスタQ2およびQ3の共通接続されたエミ
ッタ電極との間に接続され、定電流i2を上記PNPト
ランジスタQ2およびQ3のエミッタ電極に与える定電
流源で、通常知られているようにバイポーラトランジス
タによって構成されているものである。
【0090】Q5はそのコレクタ電極が上記差動対トラ
ンジスタの出力ノード、つまり、PNPトランジスタQ
3のコレクタ電極に接続され、ベース電極がコレクタ電
極に接続され、エミッタ電極が接地されたNPNトラン
ジスタで、カレントミラー回路の入力側トランジスタを
構成する。
ンジスタの出力ノード、つまり、PNPトランジスタQ
3のコレクタ電極に接続され、ベース電極がコレクタ電
極に接続され、エミッタ電極が接地されたNPNトラン
ジスタで、カレントミラー回路の入力側トランジスタを
構成する。
【0091】Q7はベース電極が上記NPNトランジス
タQ5のベース電極に接続され、エミッタ電極が接地さ
れたNPNトランジスタで、上記NPNトランジスタQ
5と組み合わせてカレントミラー回路を構成し、カレン
トミラー回路の出力側トランジスタを構成し、コレクタ
電極がカレントミラー回路の出力ノードとなるものであ
り、上記NPNトランジスタQ5とのコレクタ電流比が
n:1、つまり、上記NPNトランジスタQ5のコレク
タ電流に対して1/nのコレクタ電流が流れるように構
成されるものである。
タQ5のベース電極に接続され、エミッタ電極が接地さ
れたNPNトランジスタで、上記NPNトランジスタQ
5と組み合わせてカレントミラー回路を構成し、カレン
トミラー回路の出力側トランジスタを構成し、コレクタ
電極がカレントミラー回路の出力ノードとなるものであ
り、上記NPNトランジスタQ5とのコレクタ電流比が
n:1、つまり、上記NPNトランジスタQ5のコレク
タ電流に対して1/nのコレクタ電流が流れるように構
成されるものである。
【0092】I4は上記電源電位ノードVccと上記N
PNトランジスタQ7のコレクタ電極との間に接続さ
れ、定電流i4を上記NPNトランジスタQ7のコレク
タ電極に与える定電流で、通常知られているようにバイ
ポーラトランジスタによって構成されているものであ
り、定電流i4は定電流i2の1/2n倍にされてい
る。
PNトランジスタQ7のコレクタ電極との間に接続さ
れ、定電流i4を上記NPNトランジスタQ7のコレク
タ電極に与える定電流で、通常知られているようにバイ
ポーラトランジスタによって構成されているものであ
り、定電流i4は定電流i2の1/2n倍にされてい
る。
【0093】Q8はベース電極が上記カレントミラー回
路の出力ノード、つまり上記NPNトランジスタQ7の
コレクタ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端a
に接続され、エミッタ電極が接地された出力用トランジ
スタとなるNPNトランジスタ、I5は上記電源電位ノ
ードVccとこのトランジスタQ8のコレクタ電極との
間に接続され、定電流i5を上記NPNトランジスタQ
8のコレクタ電極に与える定電流源で、通常知られてい
るようにバイポーラトランジスタで構成されているもの
である。
路の出力ノード、つまり上記NPNトランジスタQ7の
コレクタ電極に接続され、コレクタ電極が上記出力端a
に接続され、エミッタ電極が接地された出力用トランジ
スタとなるNPNトランジスタ、I5は上記電源電位ノ
ードVccとこのトランジスタQ8のコレクタ電極との
間に接続され、定電流i5を上記NPNトランジスタQ
8のコレクタ電極に与える定電流源で、通常知られてい
るようにバイポーラトランジスタで構成されているもの
である。
【0094】C1は上記カレントミラー回路の出力ノー
ド、つまりNPNトランジスタQ7のコレクタ電極と、
上記出力端a、つまり、上記NPNトランジスタQ8の
コレクタ電極との間に接続された容量性素子である。
ド、つまりNPNトランジスタQ7のコレクタ電極と、
上記出力端a、つまり、上記NPNトランジスタQ8の
コレクタ電極との間に接続された容量性素子である。
【0095】次にこのように構成された回路の動作につ
いて説明する。まず、非反転端子に入力信号としてロー
のディジタル信号が入力されているとすると、演算増幅
器10はハイのディジタル信号と第1の基準Vref1と比
較し、トランジスタQ2のベースの入力信号が第1の基
準電圧Vref1より高いことにより、ローのディジタル信
号を出力端aに出力している。すなわち、差動対トラン
ジスタを構成するPNPトランジスタQ2にはローレベ
ルの電位がPNPトランジスタQ3のベース電極にはロ
ーレベルの電位より高い第1の基準電位Vref1が与えら
れるため、PNPトランジスタQ2は導通状態、PNP
トランジスタQ3は非導通状態になり、PNPトランジ
スタQ3にはコレクタ電流が流れないため、NPNトラ
ンジスタQ5およびNPNトランジスタQ7にもコレク
タ電流は流れない。
いて説明する。まず、非反転端子に入力信号としてロー
のディジタル信号が入力されているとすると、演算増幅
器10はハイのディジタル信号と第1の基準Vref1と比
較し、トランジスタQ2のベースの入力信号が第1の基
準電圧Vref1より高いことにより、ローのディジタル信
号を出力端aに出力している。すなわち、差動対トラン
ジスタを構成するPNPトランジスタQ2にはローレベ
ルの電位がPNPトランジスタQ3のベース電極にはロ
ーレベルの電位より高い第1の基準電位Vref1が与えら
れるため、PNPトランジスタQ2は導通状態、PNP
トランジスタQ3は非導通状態になり、PNPトランジ
スタQ3にはコレクタ電流が流れないため、NPNトラ
ンジスタQ5およびNPNトランジスタQ7にもコレク
タ電流は流れない。
【0096】その結果、定電流源I4の定電流i4(=
i2/2n)がNPNトランジスタQ8のベース電極お
よび容量性素子C1に流れ込む電流となる。この時の定
電流i4は容量性素子C1の充電電流となり、ローから
ハイへのスルーレートを決定することになる。
i2/2n)がNPNトランジスタQ8のベース電極お
よび容量性素子C1に流れ込む電流となる。この時の定
電流i4は容量性素子C1の充電電流となり、ローから
ハイへのスルーレートを決定することになる。
【0097】したがって、NPNトランジスタQ8の導
通度は高く(抵抗値としては低くなる)なり、出力端a
の電位を下降させると共に、出力端aから電流を引き込
むことになる。よって、出力端aはローレベルになる。
出力端aからのローのディジタル信号を非反転入力端+
に受けた比較記器20は、反転入力端−に受けているロ
ーレベルの電位より高い第2の基準電圧Vref2と電圧比
較し、ローのディジタル信号を出力する。
通度は高く(抵抗値としては低くなる)なり、出力端a
の電位を下降させると共に、出力端aから電流を引き込
むことになる。よって、出力端aはローレベルになる。
出力端aからのローのディジタル信号を非反転入力端+
に受けた比較記器20は、反転入力端−に受けているロ
ーレベルの電位より高い第2の基準電圧Vref2と電圧比
較し、ローのディジタル信号を出力する。
【0098】一方、非反転端子に入力信号としてハイの
ディジタル信号が入力されるとすると、演算増幅器10
はトランジスタQ2のベースのローのディジタル信号と
第1の基準電圧Vref1と比較し、トランジスタQ2の入
力信号が第1の基準電圧Vref1より低いことにより、最
終的にハイのディジタル信号を出力端aに出力する。
ディジタル信号が入力されるとすると、演算増幅器10
はトランジスタQ2のベースのローのディジタル信号と
第1の基準電圧Vref1と比較し、トランジスタQ2の入
力信号が第1の基準電圧Vref1より低いことにより、最
終的にハイのディジタル信号を出力端aに出力する。
【0099】すなわち、差動対トランジスタを構成する
PNPトランジスタQ2のベースにはローレベルの電位
がPNPトランジスタQ3のベース電極にはハイレベル
の電位より低い第1の基準電位Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2は非導通状態に、PNPト
ランジスタQ3は導通状態になり、PNPトランジスタ
Q3に流れるコレクタ電流はi2になる。
PNPトランジスタQ2のベースにはローレベルの電位
がPNPトランジスタQ3のベース電極にはハイレベル
の電位より低い第1の基準電位Vref1が与えられるた
め、PNPトランジスタQ2は非導通状態に、PNPト
ランジスタQ3は導通状態になり、PNPトランジスタ
Q3に流れるコレクタ電流はi2になる。
【0100】PNPトランジスタQ3に流れるコレクタ
電流はNPNトランジスタQ5のコレクタ電流になるた
め、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流はPNPト
ランジスタQ3のコレクタ電流の1/n倍、つまり、i
2×1/nになる。
電流はNPNトランジスタQ5のコレクタ電流になるた
め、NPNトランジスタQ7のコレクタ電流はPNPト
ランジスタQ3のコレクタ電流の1/n倍、つまり、i
2×1/nになる。
【0101】その結果、PNPトランジスタQ7のコレ
クタ電流がi2×1/2nの電流がNPNトランジスタ
Q8のベース電極および容量性素子C1から引き込む電
流となる。この差分i2×1/2nの電流が容量素子C
1の放電電流となり、ハイからローへのスルーレートを
決定することになる。
クタ電流がi2×1/2nの電流がNPNトランジスタ
Q8のベース電極および容量性素子C1から引き込む電
流となる。この差分i2×1/2nの電流が容量素子C
1の放電電流となり、ハイからローへのスルーレートを
決定することになる。
【0102】従って、NPNトランジスタQ8の導通度
は低く(抵抗値としては高くなる、非導通状態であって
もよい)なり、出力端aの電位を上昇させると共に、出
力端aから電流を流れ出させる。よって、出力端aはハ
イレベルになる。
は低く(抵抗値としては高くなる、非導通状態であって
もよい)なり、出力端aの電位を上昇させると共に、出
力端aから電流を流れ出させる。よって、出力端aはハ
イレベルになる。
【0103】出力端aからのハイのディジタル信号を非
反転入力端+に受けた比較器20は、反転入力端−に受
けているハイレベルの電位より低い第2の基準電圧V
ref2と電圧比較し、ハイのディジタル信号を出力するこ
とになり、入力信号に基づいたハイのディジタル信号を
出力する。
反転入力端+に受けた比較器20は、反転入力端−に受
けているハイレベルの電位より低い第2の基準電圧V
ref2と電圧比較し、ハイのディジタル信号を出力するこ
とになり、入力信号に基づいたハイのディジタル信号を
出力する。
【0104】また、非反転端子の入力信号がローからハ
イに変化すると、演算増幅器10のトランジスタQ2の
ベース電位はローからハイに変化する入力信号と第1の
基準電圧Vref1と比較し、入力信号の電位の変化に伴っ
て、差動トランジスタを構成するPNPトランジスタQ
2を導通状態から非導通状態へ、PNPトランジスタQ
3を非導通状態から導通状態へ変化させる。その結果、
NPNトランジスタQ8のベース電極および容量性素子
C1からi2/2nを引き込むことになる。
イに変化すると、演算増幅器10のトランジスタQ2の
ベース電位はローからハイに変化する入力信号と第1の
基準電圧Vref1と比較し、入力信号の電位の変化に伴っ
て、差動トランジスタを構成するPNPトランジスタQ
2を導通状態から非導通状態へ、PNPトランジスタQ
3を非導通状態から導通状態へ変化させる。その結果、
NPNトランジスタQ8のベース電極および容量性素子
C1からi2/2nを引き込むことになる。
【0105】したがって、NPNトランジスタQ8の導
通度は低く(抵抗値としては高くなる、非導通状態であ
ってもよい)なり、出力端aの電位を上昇させると共
に、出力端aから電流を流れ出させる。よって、出力端
aに所定のスルーレート(容量性素子C1の放電時間に
よる)をもってローからハイへ変化する出力信号を出力
し、最終的に出力端aはハイレベルになる。
通度は低く(抵抗値としては高くなる、非導通状態であ
ってもよい)なり、出力端aの電位を上昇させると共
に、出力端aから電流を流れ出させる。よって、出力端
aに所定のスルーレート(容量性素子C1の放電時間に
よる)をもってローからハイへ変化する出力信号を出力
し、最終的に出力端aはハイレベルになる。
【0106】演算増幅器10の出力がローからハイに変
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をローからハイに、急峻に立ち上
げ、ハイのディジタル信号を出力する。
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をローからハイに、急峻に立ち上
げ、ハイのディジタル信号を出力する。
【0107】一方、非反転端子の入力信号がハイからロ
ーに変化すると、演算増幅器10のトランジスタQ2の
ベースの電位がハイからローに変化する入力信号と第1
の基準電圧Vref1と比較し、入力信号の電位の変化に伴
って、差動対トランジスタを構成するPNPトランジス
タQ2は非導通状態から導通状態へ、PNPトランジス
タQ3は導通状態から非導通状態へ変化する。その結
果、NPNトランジスタQ8のベース電極および容量性
素子C1にi2/2nの電極が流れ込むことになる。
ーに変化すると、演算増幅器10のトランジスタQ2の
ベースの電位がハイからローに変化する入力信号と第1
の基準電圧Vref1と比較し、入力信号の電位の変化に伴
って、差動対トランジスタを構成するPNPトランジス
タQ2は非導通状態から導通状態へ、PNPトランジス
タQ3は導通状態から非導通状態へ変化する。その結
果、NPNトランジスタQ8のベース電極および容量性
素子C1にi2/2nの電極が流れ込むことになる。
【0108】したがって、トランジスタQ8の導通度は
高く(抵抗値として低くなる)なり、出力端aの電位を
下降させると共に、出力端aから電流を引き込む。よっ
て、出力端aに所定のスルーレート(容量性素子C1の
充電時間による)をもってハイからローへ変化する出力
信号を出力し、最終的に出力端aはローレベルになる。
高く(抵抗値として低くなる)なり、出力端aの電位を
下降させると共に、出力端aから電流を引き込む。よっ
て、出力端aに所定のスルーレート(容量性素子C1の
充電時間による)をもってハイからローへ変化する出力
信号を出力し、最終的に出力端aはローレベルになる。
【0109】演算増幅器10の出力がハイからローに変
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をハイからローに急峻に立ち下
げ、ローのディジタル信号を出力する。
化すると、比較器20は演算増幅器10の出力が基準電
圧Vref2になると出力をハイからローに急峻に立ち下
げ、ローのディジタル信号を出力する。
【0110】この入力信号がハイからローに変化すると
き、演算増幅器10において、PNPトランジスタQ2
のエミッタ電極の電位は一時的に下降し、PNPトラン
ジスタQ3のベース−エミッタ間に逆バイアスが加わ
り、PNPトランジスタQ2を介して接地ノードに流れ
るため、カレントミラー回路および出力トランジスタで
あるNPNトランジスタQ8には何ら影響を与えること
はないので、演算増幅器10の出力端には入力信号がハ
イからローに変化したことに応じて、ハイからローに変
化する。
き、演算増幅器10において、PNPトランジスタQ2
のエミッタ電極の電位は一時的に下降し、PNPトラン
ジスタQ3のベース−エミッタ間に逆バイアスが加わ
り、PNPトランジスタQ2を介して接地ノードに流れ
るため、カレントミラー回路および出力トランジスタで
あるNPNトランジスタQ8には何ら影響を与えること
はないので、演算増幅器10の出力端には入力信号がハ
イからローに変化したことに応じて、ハイからローに変
化する。
【0111】そして演算増幅器10は、所定のスルーレ
ートをもっているため、たとえば、入力信号がハイの時
ローに変化するノイズが重畳されたり、入力信号がロー
の時ハイに変化するノイズが重畳されたとしても、ノイ
ズが所定の周波数以上であれば、演算増幅器10の出力
端にノイズによる影響が出ないものである。しかも、差
動対トランジスタを構成し、入力信号が入力されるPN
PトランジスタQ2のコレクタ電極が接地しており、P
NPトランジスタQ3のコレクタ電極を差動対トランジ
スタの出力ノードとしているため、非反転端子の入力信
号がハイからローに変化する場合のPNPトランジスタ
Q3による逆バイアス電流による影響を抑制でき、ノイ
ズを十分に除去でき、また、演算増幅器10の出力端に
出力の変化が多少生じたとしても、比較器に印加される
基準電圧Vref2を越えて変化しなければ、比較器20か
らの出力はノイズの影響を何ら受けないものである。
ートをもっているため、たとえば、入力信号がハイの時
ローに変化するノイズが重畳されたり、入力信号がロー
の時ハイに変化するノイズが重畳されたとしても、ノイ
ズが所定の周波数以上であれば、演算増幅器10の出力
端にノイズによる影響が出ないものである。しかも、差
動対トランジスタを構成し、入力信号が入力されるPN
PトランジスタQ2のコレクタ電極が接地しており、P
NPトランジスタQ3のコレクタ電極を差動対トランジ
スタの出力ノードとしているため、非反転端子の入力信
号がハイからローに変化する場合のPNPトランジスタ
Q3による逆バイアス電流による影響を抑制でき、ノイ
ズを十分に除去でき、また、演算増幅器10の出力端に
出力の変化が多少生じたとしても、比較器に印加される
基準電圧Vref2を越えて変化しなければ、比較器20か
らの出力はノイズの影響を何ら受けないものである。
【0112】従って、たとえノイズが重畳されたディジ
タル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信
号を伝達でき、半導体集積回路化に適したディジタル信
号伝達回路が得られる。
タル信号が入力しても、ノイズを除去してディジタル信
号を伝達でき、半導体集積回路化に適したディジタル信
号伝達回路が得られる。
【0113】このように、ノイズが除去できる点につ
き、図14を用いて、入力がハイの時にローに変化する
ノイズが重畳された場合について、更に詳しく説明を加
える。即ち、図14の(a)に示すように入力信号がハ
イレベルであるときに、ローに変化するノイズが加えら
れたとすると、図14の(b)に示すように、入力信号
がノイズによりハイからローへの変化を伴って演算増幅
器10の出力も若干影響を受けて所定のスルーレートを
もってハイからローに向かって変化し、その後、入力信
号がノイズによりローからハイに変化するに伴って演算
増幅器10の出力も所定のスルーレートをもってハイに
向かって変化する。
き、図14を用いて、入力がハイの時にローに変化する
ノイズが重畳された場合について、更に詳しく説明を加
える。即ち、図14の(a)に示すように入力信号がハ
イレベルであるときに、ローに変化するノイズが加えら
れたとすると、図14の(b)に示すように、入力信号
がノイズによりハイからローへの変化を伴って演算増幅
器10の出力も若干影響を受けて所定のスルーレートを
もってハイからローに向かって変化し、その後、入力信
号がノイズによりローからハイに変化するに伴って演算
増幅器10の出力も所定のスルーレートをもってハイに
向かって変化する。
【0114】このとき、ノイズのパルス時間と演算増幅
器10の出力の電圧低下Vは以下の式のようになる。 C1×V−i4×t たとえば、i4=10μA、C1=10pF、t=10
nsとすると低下電圧Vは0.01Vとなる。したがっ
て、第2の基準電圧Vref2の設定は非常に容易なもので
あり、演算増幅器10の出力に現れたノイズによる電位
の変化が、第2の基準電圧Vref2より低くならない限
り、比較器20からの出力は何らノイズの影響を受けな
いものであり、ノイズを除去した出力信号が得られる。
器10の出力の電圧低下Vは以下の式のようになる。 C1×V−i4×t たとえば、i4=10μA、C1=10pF、t=10
nsとすると低下電圧Vは0.01Vとなる。したがっ
て、第2の基準電圧Vref2の設定は非常に容易なもので
あり、演算増幅器10の出力に現れたノイズによる電位
の変化が、第2の基準電圧Vref2より低くならない限
り、比較器20からの出力は何らノイズの影響を受けな
いものであり、ノイズを除去した出力信号が得られる。
【0115】なお、演算増幅器10において、ノイズの
カットオフ周波数は、上記の実施の形態lで説明したも
のと同じ式を用いて得られるものであり、また、ローか
らハイへの立ち上がり時間とハイからローへの立ち下が
り時間は定電流源I2の定電流源i2と定電流源I4の
定電流i4とによって設定でき、上記実施の形態におい
ては、i4=2×i2の関係にして立ち上がり時間とを
同じにしている。
カットオフ周波数は、上記の実施の形態lで説明したも
のと同じ式を用いて得られるものであり、また、ローか
らハイへの立ち上がり時間とハイからローへの立ち下が
り時間は定電流源I2の定電流源i2と定電流源I4の
定電流i4とによって設定でき、上記実施の形態におい
ては、i4=2×i2の関係にして立ち上がり時間とを
同じにしている。
【0116】また、カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタQ5とトランジスタQ7とのカレントミラー比
n:1のnをより大きくすれば、定電流源I4の定電流
i4の値を低くして、カットオフ周波数を低くしても、
定電流源I2の定電流i2の値を大きくでき、PNPト
ランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のスイッチング
スピードをスルーレートより速くできるものである。
ンジスタQ5とトランジスタQ7とのカレントミラー比
n:1のnをより大きくすれば、定電流源I4の定電流
i4の値を低くして、カットオフ周波数を低くしても、
定電流源I2の定電流i2の値を大きくでき、PNPト
ランジスタQ1、Q2、Q3およびQ6のスイッチング
スピードをスルーレートより速くできるものである。
【0117】実施の形態11.図12は本発明の実施の
形態11を示す回路であり、この実施の形態11は上記
の実施の形態10がトランジスタとしてバイポーラトラ
ンジスタを用いて構成していたものに対してMOSトラ
ンジスタを用いて構成して点で相違する。つまり、実施
の形態10におけるPNPトランジスタQ5、Q7およ
びQ8をNチャネルMOSトランジスタQ5、Q7およ
びQ8に置き換えたものである。同様に定電流源I2、
I4およびI5も、通常知られているようにMOSトラ
ンジスタによって構成されているものである。
形態11を示す回路であり、この実施の形態11は上記
の実施の形態10がトランジスタとしてバイポーラトラ
ンジスタを用いて構成していたものに対してMOSトラ
ンジスタを用いて構成して点で相違する。つまり、実施
の形態10におけるPNPトランジスタQ5、Q7およ
びQ8をNチャネルMOSトランジスタQ5、Q7およ
びQ8に置き換えたものである。同様に定電流源I2、
I4およびI5も、通常知られているようにMOSトラ
ンジスタによって構成されているものである。
【0118】このように構成されたものにおいても、上
記の実施の形態8に示したものと同様に動作し、同様の
効果を奏するものである。なお、実施の形態11を示す
図12において、実施の形態10を示す図11と同一の
符号は、同一又は相当部分を示すものであり、同様の機
能を奏するものである。
記の実施の形態8に示したものと同様に動作し、同様の
効果を奏するものである。なお、実施の形態11を示す
図12において、実施の形態10を示す図11と同一の
符号は、同一又は相当部分を示すものであり、同様の機
能を奏するものである。
【図1】 本発明の実施の形態1の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図2】 本発明の実施の形態2の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図3】 本発明の実施の形態3の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図4】 本発明の実施の形態4の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図5】 本発明の実施の形態5の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図6】 本発明の実施の形態6の演算増幅器を示す図
である。
である。
【図7】 本発明の実施の形態7のディジタル信号伝達
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図8】 本発明の実施の形態8のディジタル信号伝達
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図9】 図8中の演算増幅器10の詳細回路を示す図
である。
である。
【図10】 本発明の実施の形態9のディジタル信号伝
達回路を示す図である。
達回路を示す図である。
【図11】 本発明の実施の形態10のディジタル信号
伝達回路を示す図である。
伝達回路を示す図である。
【図12】 本発明の実施の形態11のディジタル信号
伝達回路を示す図である。
伝達回路を示す図である。
【図13】 図1の回路にパルス状のノイズが入力した
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
【図14】 図9の回路にパルス状のノイズが入力した
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
【図15】 従来技術のディジタル信号伝達回路を示す
図である。
図である。
【図16】 従来技術の演算増幅器のディジタル信号伝
達回路の入出力のタイミングチャートを示す図である。
達回路の入出力のタイミングチャートを示す図である。
【図17】 従来の回路にパルス状のノイズが入力した
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
時の演算増幅器の入出力の関係を示すタイミングチャー
トを示す図である。
10 演算増幅器 20 コンパレータ Q1〜Q8トランジスタ C,C1 コンデンサ R,R1,R2 抵抗 I1〜I5 定電流 Vref1,Vref2 基準電圧
Claims (18)
- 【請求項1】 制御電極に入力信号を受け、一方の主電
極が第1の電源電位ノードに接続される第1導電型の第
1のトランジスタと、制御電極に出力信号を受け、他方
の主電極が前記第1のトランジスタの他方の主電極に接
続される第1導電型の第2のトランジスタとを有し、こ
の第2のトランジスタの一方の主電極が出力ノードとな
る差動対トランジスタと、 この差動対トランジスタの出力ノードに一方の主電極と
制御電極とが接続され、他方の主電極が前記第1の電源
電位ノードに接続される第2導電型の第3のトランジス
タと、制御電極が前記第3のトランジスタの制御電極に
接続され、他方の主電極が前記第1の電源電位ノードに
接続される第2導電型の第4のトランジスタとを有し、
この第4のトランジスタの一方の主電極が出力ノードと
なるカレントミラー回路と、 一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電極が前記
第1の電源電位ノードに接続され、制御電極が前記カレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、 前記カレントミラー回路の出力ノードと前記出力端との
間に接続される容量性素子と、を備えたことを特徴とす
る演算増幅器。 - 【請求項2】 請求項1記載の演算増幅器において:前
記第1のトランジスタの制御電極は、制御電極に入力信
号を受け、一方の主電極が第1の電源電位ノードに接続
される第1導電型の第6のトランジスタの他方の主電極
に接続されて、前記入力信号を受け、 前記第2のトランジスタの制御電極は、制御電極が出力
端に接続され、一方の主電極が第1の電源電位ノードに
接続される第1導電型の第7のトランジスタの他方の主
電極に接続されて、出力信号を受けることを特徴とする
演算増幅器。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2のいずれかに記
載の演算増幅器において:前記第1および第2のトラン
ジスタはPNPバイポーラトランジスタであり、第3な
いし第5のトランジスタはNPNトランジスタであり、
各トランジスタの一方の主電極はコレクタ電極、他方の
主電極はエミッタ電極、制御電極はベース電極であり、
第1の電源電位ノードは接地電位であることを特徴とす
る演算増幅器。 - 【請求項4】 請求項1記載の演算増幅器において:前
記第1および第2のトランジスタはNPNバイポーラト
ランジスタであり、第3ないし第5のトランジスタはP
NPトランジスタであり、各トランジスタの一方の主電
極はコレクタ電極、他方の主電極はエミッタ電極、制御
電極はベース電極であり、第1の電源電位ノードには電
源電位が印加されることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項5】 請求項1記載の演算増幅器において:前
記第1および第2のトランジスタはPチャネルMOSト
ランジスタであり、第3ないし第5のトランジスタはN
チャネルMOSトランジスタであり、第1および第2の
各トランジスタの一方の主電極はソース電極、他方の主
電極はドレイン電極、第3ないし第5の各トランジスタ
の一方の主電極はドレイン電極、他方の主電極はソース
電極、制御電極はゲート電極であり、第1の電源電位ノ
ードは接地電位であることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項6】 請求項1記載の演算増幅器において:前
記第1および第2のトランジスタはNチャネルMOSト
ランジスタであり、第3ないし第5のトランジスタはP
チャネルMOSトランジスタであり、第1および第2の
各トランジスタの一方の主電極はソース電極、他方の主
電極はドレイン電極、第3ないし第5の各トランジスタ
の一方の主電極はドレイン電極、他方の主電極はソース
電極、制御電極はゲート電極であり、第1の電源電位ノ
ードは接地電位であることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれかに記
載の演算増幅器において:前記第1のトランジスタは複
数の一方の主電極を有し、すべての一方の主電極が第1
の電源電位ノードに接続され、第2のトランジスタは複
数の一方の主電極を有し、一方の主電極の一部が差動対
トランジスタの出力ノードとなり、残りの一方の主電極
が第1の電源電位ノードに接続されるものであることを
特徴とする演算増幅器。それぞれ複数のトランジスタが
並列接続されることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項8】 請求項7記載の演算増幅器において:前
記第1および第2のトランジスタはマルチコレクタトラ
ンジスタであることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項9】 請求項1ないし請求項8のいずれかに記
載の演算増幅器において:前記カレントミラー回路は、
入力電流に対して出力電流が1/n(nは1より大きい
値)になっていることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項10】 非反転入力端にディジタル入力信号を
受ける演算増幅器と、この演算増幅器の出力を非反転入
力端に受け、反転入力端に基準電圧を受ける比較器とを
備えたことを特徴とするディジタル信号伝達回路。 - 【請求項11】 請求項10記載のディジタル信号伝達
回路において:前記演算増幅器は、その出力端と反転入
力端とが接続されたボルテージフォロアであることを特
徴とするディジタル信号伝達回路。 - 【請求項12】 請求項10記載のディジタル信号伝達
回路において:前記演算増幅器はその反転入力端に基準
電圧を受け比較器として機能することを特徴とするディ
ジタル信号伝達回路。 - 【請求項13】 請求項10記載のディジタル信号伝達
回路において:前記演算増幅器は、 制御電極が非反転入力端に接続される第1の導電型の第
1のトランジスタと、制御電極に基準電圧を受け、他方
の主電極が前記第1のトランジスタの他方の主電極に接
続される第1の導電型の第2トランジスタとを有する差
動対トランジスタと、 前記第2のトランジスタの一方の主電極に一方の主電極
と制御電極とが接続され、他方の主電極が第1の電源電
位ノードに接続される第2導電型の第3のトランジスタ
と、制御電極が前記第3のトランジスタの制御電極に接
続され、一方の主電極が前記第1のトランジスタの一方
の主電極に接続され、他方の主電極が前記第1の電源電
位ノードに接続される第2導電型の第4のトランジスタ
とを有し、この第4のトランジスタの一方の主電極が出
力ノードとなるカレントミラー回路と、 一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電極が第1
の電源電位ノードに接続され、制御電極が前記カレント
ミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の第5
のトランジスタと、 前記カレントミラー回路の出力ノードと前記出力端との
間に接続される容量性素子と、を備えたことを特徴とす
るディジタル信号伝達回路。 - 【請求項14】 請求項13記載のディジタル信号伝
達回路において:第1および第2のトランジスタはPN
Pバイポーラトランジスタであり、第3ないし第5のト
ランジスタはNPNトランジスタであり、各トランジス
タの一方の主電極はコレクタ電極、他方の主電極はエミ
ッタ電極、制御電極はベース電極であり、第1の電源電
位ノードは接地電位であることを特徴とするディジタル
信号伝達回路。 - 【請求項15】 請求項13記載のディジタル信号伝達
回路において:第1および第2のトランジスタはPチャ
ネルMOSトランジスタであり、第3ないし第5のトラ
ンジスタはNチャネルMOSトランジスタであり、第1
および第2の各トランジスタの一方の主電極はソース電
極、他方の主電極はドレイン電極、第3ないし第5の各
トランジスタの一方の主電極はドレイン電極、他方の主
電極はソース電極、制御電極はゲート電極であり、第1
の電源電位ノードは接地電位であることを特徴とするデ
ィジタル信号伝達回路。 - 【請求項16】 請求項10記載のディジタル信号伝達
回路において:前記演算増幅器は、 制御電極が非反転入力端に接続され、一方の主電極が第
1の電源電位ノードに接続される第1導電型の第1のト
ランジスタと、制御電極に基準電圧を受け、他方の主電
極が前記第1のトランジスタの他方の主電極に接続され
る第1導電型の第2トランジスタとを有し、この第2の
トランジスタの一方の主電極が出力ノードとなる差動対
トランジスタと、 この差動対トランジスタの出力ノードに、一方の主電極
と制御電極とが接続され、他方の主電極が前記第1の電
源電位ノードに接続される第2導電型の第3のトランジ
スタと、制御電極が前記第3のトランジスタの制御電極
に接続され、他方の主電極が前記第1の電源電位ノード
に接続される第2導電型の第4のトランジスタとを有
し、この第4のトランジスタの一方の主電極が出力ノー
ドとなるカレントミラー回路と、 一方の主電極が出力端に接続され、他方の主電極が前記
第1の電源電位ノードに接続され、制御電極が前記カレ
ントミラー回路の出力ノードに接続される第2導電型の
第5のトランジスタと、 前記カレントミラー回路の出力ノードと前記出力端との
間に接続される容量性素子と、を備えたことを特徴とす
るディジタル信号伝達回路。 - 【請求項17】 請求項16記載のディジタル信号伝達
回路において:第1および第2のトランジスタはPNP
バイポーラトランジスタであり、第3ないし第5のトラ
ンジスタはNPNトランジスタであり、各トランジスタ
の一方の主電極はドレイン電極、他方の主電極はソース
電極、制御電極はゲート電極であり、第1の電源電位ノ
ードは接地電位であることを特徴とするディジタル信号
伝達回路。 - 【請求項18】 請求項16記載のディジタル信号伝達
回路において:前記第1および第2のトランジスタはP
チャネルMOSトランジスタであり、第3ないし第5の
トランジスタはNチャネルMOSトランジスタであり、
第1および第2の各トランジスタの一方の主電極はソー
ス電極、他方の主電極はドレイン電極、第3ないし第5
の各トランジスタの一方の主電極はドレイン電極、他方
の主電極はソース電極、制御電極はゲート電極であり、
第1の電源電位ノードは接地電位であることを特徴とす
るディジタル信号伝達回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7283673A JPH09130218A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 演算増幅器およびディジタル信号伝達回路 |
| US08/633,356 US5719529A (en) | 1995-10-31 | 1996-04-17 | Operational amplifier and digital signal transfer circuit |
| DE19620839A DE19620839C2 (de) | 1995-10-31 | 1996-05-23 | Operationsverstärker |
| KR1019960017997A KR0181611B1 (ko) | 1995-10-31 | 1996-05-27 | 연산증폭기 및 디지탈신호전달회로 |
| CN96107857A CN1074869C (zh) | 1995-10-31 | 1996-05-28 | 运算放大器及数字信号传输电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7283673A JPH09130218A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 演算増幅器およびディジタル信号伝達回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130218A true JPH09130218A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17668588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7283673A Pending JPH09130218A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 演算増幅器およびディジタル信号伝達回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719529A (ja) |
| JP (1) | JPH09130218A (ja) |
| KR (1) | KR0181611B1 (ja) |
| CN (1) | CN1074869C (ja) |
| DE (1) | DE19620839C2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1811662B1 (en) * | 2006-01-11 | 2009-12-30 | Stmicroelectronics Sa | A lowpass biquad VGA filter |
| JP2010154020A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置、出力回路、及び、半導体装置における入出力バッファ回路の制御方法 |
| US8410824B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-04-02 | Qualcomm, Incorporated | Buffer with active output impedance matching |
| US8183892B2 (en) * | 2009-06-05 | 2012-05-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Monolithic low impedance dual gate current sense MOSFET |
| JP2011061289A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Elpida Memory Inc | 入力バッファ回路 |
| JP2011227953A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | On Semiconductor Trading Ltd | レーザ光検出回路 |
| US8656761B2 (en) * | 2011-05-27 | 2014-02-25 | General Electric Company | Systems and methods for use in providing a sensor signal independent of ground |
| JP6126419B2 (ja) * | 2012-04-30 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器 |
| US9231565B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-01-05 | Infineon Technologies Austria Ag | Circuit with a plurality of bipolar transistors and method for controlling such a circuit |
| US9984624B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, driver IC, and electronic device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2243550A1 (en) * | 1973-09-12 | 1975-04-04 | Texas Instruments Inc | Integrated operational amplifier with input and output stages - with reduced intrinsic transconductance of input stage |
| JPS57203305A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-13 | Nippon Denso Co Ltd | Differential amplifier |
| US4500841A (en) * | 1982-09-13 | 1985-02-19 | Rockwell International Corporation | Universal instrument flag receiver |
| IT1217293B (it) * | 1985-01-31 | 1990-03-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Amplificatore operazionale perfezionato con limitazione della dinamica di uscita |
| US4713625A (en) * | 1986-12-15 | 1987-12-15 | Motorola, Inc. | Circuit for improving power supply rejection in an operational amplifier with frequency compensation |
| US5196741A (en) * | 1989-01-25 | 1993-03-23 | Hewlett-Packard Company | Recycling ramp interpolator |
| JPH0787314B2 (ja) * | 1990-05-10 | 1995-09-20 | 株式会社東芝 | 増幅器 |
| JPH0712857A (ja) * | 1993-02-18 | 1995-01-17 | Tokai Rika Co Ltd | モータ電流検出回路 |
| US5389892A (en) * | 1993-11-09 | 1995-02-14 | At&T Corp. | Input stages for high voltage operational amplifier |
-
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