JPH09130294A - 送受信スイッチ - Google Patents
送受信スイッチInfo
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- JPH09130294A JPH09130294A JP8262161A JP26216196A JPH09130294A JP H09130294 A JPH09130294 A JP H09130294A JP 8262161 A JP8262161 A JP 8262161A JP 26216196 A JP26216196 A JP 26216196A JP H09130294 A JPH09130294 A JP H09130294A
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- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 送信の場合に、電力増幅器とアンテナとの間
の挿入損失が低く、受信分路と送信分路との間の絶縁度
が高い送受信スイッチを提供することである。 【解決手段】 上記課題は、スイッチが、並列振動回路
を有する受信分路と直列又は並列振動回路を有する送信
分路を有しており、前記振動回路はそれぞれヘテロバイ
ポーラトランジスタを介して切り換えることができるよ
うに構成されることによって解決される。
の挿入損失が低く、受信分路と送信分路との間の絶縁度
が高い送受信スイッチを提供することである。 【解決手段】 上記課題は、スイッチが、並列振動回路
を有する受信分路と直列又は並列振動回路を有する送信
分路を有しており、前記振動回路はそれぞれヘテロバイ
ポーラトランジスタを介して切り換えることができるよ
うに構成されることによって解決される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、振動回路を介して
送信分岐路及び受信分岐路に切り換えることができる送
受信スイッチとこのスイッチを有する電力の送信及び受
信のための回路とに関する。
送信分岐路及び受信分岐路に切り換えることができる送
受信スイッチとこのスイッチを有する電力の送信及び受
信のための回路とに関する。
【０００２】本発明は、とりわけ通信システムにおい
て、モノリシック集積化することができるフロント・エ
ンドの製造のために利用される。
て、モノリシック集積化することができるフロント・エ
ンドの製造のために利用される。
【０００３】
【従来の技術】スイッチとして、これまでは、比較的良
好なスイッチ特性のためにIII/V族半導体接合により製
造されるＰＩＮダイオード又はＭＥＳＦＥＴが利用され
ていた。シリコン・ベース上のＰＩＮダイオードは同様
に公知であるが、しかし、高い電流を必要とし、ＣＭＯ
Ｓプロセス又はＳｉＧｅプロセスでは集積化できない。
好なスイッチ特性のためにIII/V族半導体接合により製
造されるＰＩＮダイオード又はＭＥＳＦＥＴが利用され
ていた。シリコン・ベース上のＰＩＮダイオードは同様
に公知であるが、しかし、高い電流を必要とし、ＣＭＯ
Ｓプロセス又はＳｉＧｅプロセスでは集積化できない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】それゆえ、本発明の課
題は、送信の場合に、電力増幅器とアンテナとの間の挿
入損失が低く、受信分路と送信分路との間の絶縁度が高
い送受信スイッチを提供することである。この送受信ス
イッチは、受信の場合には、アンテナと受信ミキサーと
の間の挿入損失が低く、送信分岐路におけるインピーダ
ンスが高くならなければならない。
題は、送信の場合に、電力増幅器とアンテナとの間の挿
入損失が低く、受信分路と送信分路との間の絶縁度が高
い送受信スイッチを提供することである。この送受信ス
イッチは、受信の場合には、アンテナと受信ミキサーと
の間の挿入損失が低く、送信分岐路におけるインピーダ
ンスが高くならなければならない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、スイッチ
が、並列振動回路を有する受信分路と直列又は並列振動
回路を有する送信分路を有しており、前記振動回路はそ
れぞれヘテロバイポーラトランジスタを介して切り換え
ることができるように構成されることによって解決され
る。
が、並列振動回路を有する受信分路と直列又は並列振動
回路を有する送信分路を有しており、前記振動回路はそ
れぞれヘテロバイポーラトランジスタを介して切り換え
ることができるように構成されることによって解決され
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、高い電力がヘテロバイ
ポーラトランジスタをほぼ損失なしで通過するという利
点を有する。このことによって、スイッチを送信状態か
ら受信状態に切り換える必要がなくなる。なぜならば、
信号をその電力に基づいて分割することができるからで
ある。
ポーラトランジスタをほぼ損失なしで通過するという利
点を有する。このことによって、スイッチを送信状態か
ら受信状態に切り換える必要がなくなる。なぜならば、
信号をその電力に基づいて分割することができるからで
ある。
【０００７】更に有利な点は、シリコン・ベース上のヘ
テロバイポーラトランジスタを利用することによって、
電力増幅器及びミキサー機能と共にスイッチ機能のモノ
リシック集積化をシリコン技術で実現することができる
点である。
テロバイポーラトランジスタを利用することによって、
電力増幅器及びミキサー機能と共にスイッチ機能のモノ
リシック集積化をシリコン技術で実現することができる
点である。
【０００８】本発明の有利な実施態様又は改良実施例
は、従属請求項から得られる。
は、従属請求項から得られる。
【０００９】
【実施例】本発明を、実施例に基づいて概略図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】図１には、例えば無線送受信機（トランシ
ーバー）のフロント・エンドのための受信分路１及び送
信分路２の原理的な回路が図示されている。受信分路１
は、インダクタンスＬＲとコンデンサＣＲとを有する並
列振動回路３ならびにスイッチとしてヘテロバイポーラ
トランジスタＴＲを有している。
ーバー）のフロント・エンドのための受信分路１及び送
信分路２の原理的な回路が図示されている。受信分路１
は、インダクタンスＬＲとコンデンサＣＲとを有する並
列振動回路３ならびにスイッチとしてヘテロバイポーラ
トランジスタＴＲを有している。
【００１１】送信分路２は、インダクタンスＬＴとコン
デンサＣＴとを有する直列振動回路４ならびにスイッチ
としてヘテロバイポーラトランジスタＴＴを有してい
る。送信の場合には、例えば１Ｗ（３０ｄＢｍ）の高い
高周波電力が電力増幅器ＰＡから供給される。ヘテロバ
イポーラトランジスタは、この高い高周波電力によって
導通接続される。なぜなら、高い高周波電力はこのトラ
ンジスタをほぼ損失なしで導通するからである。直列振
動回路４は、導通接続されたトランジスタによって橋架
される。この直列振動回路４のインピーダンスは、ＬＴ
によって決定される。それゆえ、ＬＴは、ＬＴ≫アンテ
ナのインピーダンス/ωであり、全電力がアンテナＡＮ
Ｔに供給されるように設計されている。 ＬＴは、例え
ば１３ｎＨである。
デンサＣＴとを有する直列振動回路４ならびにスイッチ
としてヘテロバイポーラトランジスタＴＴを有してい
る。送信の場合には、例えば１Ｗ（３０ｄＢｍ）の高い
高周波電力が電力増幅器ＰＡから供給される。ヘテロバ
イポーラトランジスタは、この高い高周波電力によって
導通接続される。なぜなら、高い高周波電力はこのトラ
ンジスタをほぼ損失なしで導通するからである。直列振
動回路４は、導通接続されたトランジスタによって橋架
される。この直列振動回路４のインピーダンスは、ＬＴ
によって決定される。それゆえ、ＬＴは、ＬＴ≫アンテ
ナのインピーダンス/ωであり、全電力がアンテナＡＮ
Ｔに供給されるように設計されている。 ＬＴは、例え
ば１３ｎＨである。
【００１２】受信分路１では、ヘテロバイポーラトラン
ジスタＴＲが、同様に導通接続される。すなわち、並列
振動回路が作動し、送信電力はノイズの少ない前置増幅
器ＬＮＡに供給されない。
ジスタＴＲが、同様に導通接続される。すなわち、並列
振動回路が作動し、送信電力はノイズの少ない前置増幅
器ＬＮＡに供給されない。
【００１３】受信の場合には、例えば１μＷより小さい
低い高周波電力が、アンテナから供給される。電力増幅
器ＰＡからは高周波電力は供給されない。
低い高周波電力が、アンテナから供給される。電力増幅
器ＰＡからは高周波電力は供給されない。
【００１４】ヘテロバイポーラトランジスタＴＲ及びＴ
Ｔは低い電力のために遮断される。送信分路２において
直列振動回路４が作用し、この直列振動回路４は所望の
高いインピーダンスを持つにいたる。送信分路２にはほ
ぼ受信電力が供給されない。受信分路１では、並列振動
回路が作動しない。なぜなら、トランジスタＴＲが遮断
されるからである。受信電力はＬＲを介してＬＮＡに、
そしてさらにミキサーに供給される。ＬＲは、ＬＲ＜入
力インピーダンスＬＮＡ/ω、例えば２５ｎＨであるよ
うに選択される。
Ｔは低い電力のために遮断される。送信分路２において
直列振動回路４が作用し、この直列振動回路４は所望の
高いインピーダンスを持つにいたる。送信分路２にはほ
ぼ受信電力が供給されない。受信分路１では、並列振動
回路が作動しない。なぜなら、トランジスタＴＲが遮断
されるからである。受信電力はＬＲを介してＬＮＡに、
そしてさらにミキサーに供給される。ＬＲは、ＬＲ＜入
力インピーダンスＬＮＡ/ω、例えば２５ｎＨであるよ
うに選択される。
【００１５】図２には、送信分路のための別の実施例が
図示されている。送信分路２は、インダクタンスＬＴと
コンデンサＣＴとを有する並列振動回路５ならびにヘテ
ロバイポーラトランジスタＴＴを有している。送信の場
合には、高い電力が電力増幅器ＰＡから供給され、この
高い電力はトランジスタＴＴをほぼ損失なしで通過し、
アンテナＡＮＴに供給される。受信の場合には、トラン
ジスタＴＴが、アンテナＡＮＴから供給される低い電力
のために遮断される。高いインピーダンスＬＴが作用
し、その結果受信電力は送信分路にはほぼ供給されな
い。
図示されている。送信分路２は、インダクタンスＬＴと
コンデンサＣＴとを有する並列振動回路５ならびにヘテ
ロバイポーラトランジスタＴＴを有している。送信の場
合には、高い電力が電力増幅器ＰＡから供給され、この
高い電力はトランジスタＴＴをほぼ損失なしで通過し、
アンテナＡＮＴに供給される。受信の場合には、トラン
ジスタＴＴが、アンテナＡＮＴから供給される低い電力
のために遮断される。高いインピーダンスＬＴが作用
し、その結果受信電力は送信分路にはほぼ供給されな
い。
【００１６】ヘテロバイポーラトランジスタは、シリコ
ン及びゲルマニウムから製造される。有利には、Ｓｉ/
ＳｉＧｅヘテロバイポーラトランジスタが利用される。
このＳｉ/ＳｉＧｅヘテロバイポーラトランジスタは、
例えば（１０ｄＢｍまでの）小さな高周波電力に対して
はカットオフ・モードで例えば３０ｄＢの絶縁を有し、
飽和した場合に１.５ｄＢより小さい減衰を有する。
ン及びゲルマニウムから製造される。有利には、Ｓｉ/
ＳｉＧｅヘテロバイポーラトランジスタが利用される。
このＳｉ/ＳｉＧｅヘテロバイポーラトランジスタは、
例えば（１０ｄＢｍまでの）小さな高周波電力に対して
はカットオフ・モードで例えば３０ｄＢの絶縁を有し、
飽和した場合に１.５ｄＢより小さい減衰を有する。
【００１７】スイッチはシリコン技術で製造でき、電力
増幅器、ミキサーそしてノイズの少ない前置増幅器と共
にシリコン・ベース上にモノリシック集積化することが
できる。この結果、無線送受信機用の、完全にモノリシ
ック集積化されたフロント・エンドをシリコン技術で製
造することができる。
増幅器、ミキサーそしてノイズの少ない前置増幅器と共
にシリコン・ベース上にモノリシック集積化することが
できる。この結果、無線送受信機用の、完全にモノリシ
ック集積化されたフロント・エンドをシリコン技術で製
造することができる。
【図１】例えば無線送受信機のフロント・エンドのため
の受信分路及び送信分路の原理的な回路図である。
の受信分路及び送信分路の原理的な回路図である。
【図２】送信分路のための別の実施例の回路図である。
１ 受信分路 ２ 送信分路 ３ 並列振動回路 ４ 直列振動回路 ５ 並列振動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コンラート ベーム ドイツ連邦共和国 ブラウシュタイン リ ーゼ−マイトナー−シュトラーセ 13 (72)発明者 ヨハン−フリードリッヒ ルイ ドイツ連邦共和国 ウルム アム エーゼ ルスベルク 44
Claims (5)
- 【請求項１】 振動回路を介して送信分岐路及び受信分
岐路に切り換えることができる送受信スイッチにおい
て、 スイッチは、並列振動回路を有する受信分路と直列又は
並列振動回路を有する送信分路を有しており、 前記振動回路は、それぞれヘテロバイポーラトランジス
タを介して切り換えることができることを特徴とする送
受信スイッチ。 - 【請求項２】 ヘテロバイポーラトランジスタは、シリ
コン及びゲルマニウムから構成されていることを特徴と
する請求項１記載の送受信スイッチ。 - 【請求項３】 スイッチは、シリコン技術によって製造
することができ、フロント・エンドにモノリシック技術
によって集積化することができることを特徴とする請求
項１及び２記載の送受信スイッチ。 - 【請求項４】 請求項１〜３までのうち１項記載のスイ
ッチを有する送信のための回路において、 高い高周波電力が電力増幅器ＰＡにおいて発生させら
れ、スイッチの送信分路（２）に供給され、 該送信分路（２）のヘテロバイポーラトランジスタＴＬ
は、前記高い電力によって導通し、 直列振動回路（４）又は並列振動回路（５）のインピー
ダンスは、ＬＴによって決定され、 前記インピーダンスは、ほぼ全電力をアンテナＡＮＴに
供給するように設計されており、 同時に受信分路（１）において、ヘテロバイポーラトラ
ンジスタＴＲは高い電力によって導通し、並列振動回路
（３）が閉成し、 送信電力は、受信機のノイズの少ない前置増幅器ＬＮＡ
にほぼ供給されないことを特徴とする送信のための回
路。 - 【請求項５】 請求項１〜３までのうち１項記載のスイ
ッチを有する受信のための回路において、 低い低周波電力が、アンテナからスイッチに供給され、 送信分路（２）において、ヘテロバイポーラトランジス
タＴＴは低い電力によって遮断され、直列振動回路
（４）又は並列振動回路（５）が切換接続され、 振動回路（４、５）の高いインピーダンスによって、送
信分路（２）に電力がほぼ供給されず、 受信分路（１）において、ヘテロバイポーラトランジス
タＴＲは低い電力のために遮断され、 受信電力は、ＬＲを介して、受信機のノイズの少ない前
置増幅器ＬＮＡに供給されることを特徴とする受信のた
めの回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19537022.8 | 1995-10-05 | ||
| DE19537022A DE19537022C2 (de) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | Sende-/Empfangs-Schalter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130294A true JPH09130294A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3995739B2 JP3995739B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=7774039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26216196A Expired - Fee Related JP3995739B2 (ja) | 1995-10-05 | 1996-10-02 | 送受信スイッチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5697069A (ja) |
| EP (1) | EP0767542B1 (ja) |
| JP (1) | JP3995739B2 (ja) |
| DE (2) | DE19537022C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6009314A (en) * | 1997-11-17 | 1999-12-28 | Telefonaktiebolaget L/M Ericsson | Monolithic high frequency antenna switch |
| US6950410B1 (en) * | 2000-07-14 | 2005-09-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Frequency multiplexer |
| US6721544B1 (en) * | 2000-11-09 | 2004-04-13 | Intel Corporation | Duplexer structure for coupling a transmitter and a receiver to a common antenna |
| JP2002314373A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Murata Mfg Co Ltd | 可変減衰器 |
| US20020177417A1 (en) * | 2001-05-25 | 2002-11-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transmit/receive switch for an RF transceiver |
| US6608798B2 (en) | 2001-11-21 | 2003-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Transmit-receive switch apparatus and method |
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| US7515881B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-04-07 | Starkey Laboratories, Inc. | Resonance frequency shift canceling in wireless hearing aids |
| US8134799B1 (en) | 2004-04-06 | 2012-03-13 | Oracle America, Inc. | Gripper assembly for data storage system |
| AU2005270744B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-06-18 | Geomole Pty Ltd | Method and device for transceiver isolation |
| CA2576169C (en) * | 2004-08-10 | 2014-07-15 | Geomole Pty Ltd | Method and apparatus for monostatic borehole radar |
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| US8626084B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-01-07 | Qualcomm, Incorporated | Area efficient concurrent matching transceiver |
| WO2019104015A1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | Integrated Device Technology, Inc. | High power silicon on insulator switch |
| US11411596B1 (en) | 2021-05-24 | 2022-08-09 | Apple Inc. | Transmit-receive switch with harmonic distortion rejection and electrostatic discharge protection |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS60124146U (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-21 | 日本電気株式会社 | 空中線切換回路 |
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| US5355524A (en) * | 1992-01-21 | 1994-10-11 | Motorola, Inc. | Integrated radio receiver/transmitter structure |
| US5254492A (en) * | 1992-11-10 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an integrated circuit for providing low-noise and high-power microwave operation |
| DE4343719C2 (de) * | 1992-12-22 | 1997-08-07 | Murata Manufacturing Co | Hochfrequenzschalter |
| JPH06232601A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波スイッチ回路 |
-
1995
- 1995-10-05 DE DE19537022A patent/DE19537022C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-24 DE DE59611140T patent/DE59611140D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-24 EP EP96115264A patent/EP0767542B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-02 JP JP26216196A patent/JP3995739B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-07 US US08/726,421 patent/US5697069A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE19537022A1 (de) | 1997-04-10 |
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| DE19537022C2 (de) | 2003-05-15 |
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| EP0767542B1 (de) | 2004-11-10 |
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