JPH0913166A - 膜結晶性の制御方法 - Google Patents
膜結晶性の制御方法Info
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- JPH0913166A JPH0913166A JP16050595A JP16050595A JPH0913166A JP H0913166 A JPH0913166 A JP H0913166A JP 16050595 A JP16050595 A JP 16050595A JP 16050595 A JP16050595 A JP 16050595A JP H0913166 A JPH0913166 A JP H0913166A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体上に膜を形成するにあたり、該膜の結晶
性を制御する方法を提供する。 【構成】 基体上に膜を形成するにあたり、膜形成にフ
ォトン照射を併用することで膜の結晶性を制御する膜結
晶性の制御方法、又は、基体上に膜を形成するにあた
り、膜形成にフォトン照射及びイオン照射を併用するこ
とで膜の結晶性を制御する膜結晶性の制御方法。
性を制御する方法を提供する。 【構成】 基体上に膜を形成するにあたり、膜形成にフ
ォトン照射を併用することで膜の結晶性を制御する膜結
晶性の制御方法、又は、基体上に膜を形成するにあた
り、膜形成にフォトン照射及びイオン照射を併用するこ
とで膜の結晶性を制御する膜結晶性の制御方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体上に形成される膜
の結晶性を制御する方法に関する。
の結晶性を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種基体が有する諸特性、例えば機械的
特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、磁気的特
性等を改善させたり、又、新たな特性を付与したりする
目的で該基体上に各種膜を形成するために、様々な方法
が試みられている。このような成膜方法としては、真空
蒸着法、スパッタ蒸着法、これら方法にイオン照射アシ
ストを併用するイオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法等を例示することができる。
特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、磁気的特
性等を改善させたり、又、新たな特性を付与したりする
目的で該基体上に各種膜を形成するために、様々な方法
が試みられている。このような成膜方法としては、真空
蒸着法、スパッタ蒸着法、これら方法にイオン照射アシ
ストを併用するイオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法等を例示することができる。
【０００３】これら成膜方法のうち真空蒸着法、スパッ
タ蒸着法、イオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法はＣＶＤ
法に比して低温下で膜形成できるので、工業的に広く利
用されている。
タ蒸着法、イオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法はＣＶＤ
法に比して低温下で膜形成できるので、工業的に広く利
用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような各種の方法
により形成された膜は、その結晶性が該膜の内部応力や
誘電率等の特性に強い影響を及ぼすことが知られてい
る。例えば、Surface andCoatings Technology 、vol.6
6、p.310 （エルゼビア社、１９９４年）によると、ニ
ッケル（Ｎｉ）の蒸着とアルゴン（Ａｒ）イオン照射を
併用して形成したＮｉ膜において、該膜の結晶性が高い
ほど圧縮応力が強くなり、該膜の結晶性が低いほど引張
応力が強くなることが報告されている。また、Nuclear
Instrumentsand Methods in Physics research 、vol.B
59/60、p.229 （ノース・ホーランド・フィジクス出
版、１９９１年）によると、アルミニウム（Ａｌ）の蒸
着と窒素イオン照射を併用して形成した窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）膜において、該膜の結晶性が高いほど誘電
率が向上することが報告されている。
により形成された膜は、その結晶性が該膜の内部応力や
誘電率等の特性に強い影響を及ぼすことが知られてい
る。例えば、Surface andCoatings Technology 、vol.6
6、p.310 （エルゼビア社、１９９４年）によると、ニ
ッケル（Ｎｉ）の蒸着とアルゴン（Ａｒ）イオン照射を
併用して形成したＮｉ膜において、該膜の結晶性が高い
ほど圧縮応力が強くなり、該膜の結晶性が低いほど引張
応力が強くなることが報告されている。また、Nuclear
Instrumentsand Methods in Physics research 、vol.B
59/60、p.229 （ノース・ホーランド・フィジクス出
版、１９９１年）によると、アルミニウム（Ａｌ）の蒸
着と窒素イオン照射を併用して形成した窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）膜において、該膜の結晶性が高いほど誘電
率が向上することが報告されている。
【０００５】そこで本発明は、基体上に膜を形成するに
あたり、該膜の結晶性を制御する方法を提供することを
課題とする。
あたり、該膜の結晶性を制御する方法を提供することを
課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、次のの膜結晶性の制御方法を提供す
る。 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形成にフォト
ン照射を併用することで該膜の結晶性を制御することを
特徴とする膜結晶性の制御方法。 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形成にフォト
ン照射及びイオン照射を併用することで該膜の結晶性を
制御することを特徴とする膜結晶性の制御方法。
に、本発明は、次のの膜結晶性の制御方法を提供す
る。 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形成にフォト
ン照射を併用することで該膜の結晶性を制御することを
特徴とする膜結晶性の制御方法。 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形成にフォト
ン照射及びイオン照射を併用することで該膜の結晶性を
制御することを特徴とする膜結晶性の制御方法。
【０００７】本発明の及びの方法における膜形成方
法としては、真空蒸着法、スパッタ蒸着法、レーザアブ
レーション法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法等が考えられる。真空蒸
着法については、蒸着物質の加熱手段は特に制限はな
く、例えば電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段
を挙げることができる。また、スパッタ蒸着法について
も、蒸着物質をスパッタする手法は特に制限はなく、例
えばイオンビーム、マグネトロン、高周波等の手段によ
り蒸着物質をスパッタすることができる。レーザアブレ
ーション法については、照射するレーザとして、エキシ
マレーザ、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ等を挙げるこ
とができるが、レーザの種類には特に制限はない。
法としては、真空蒸着法、スパッタ蒸着法、レーザアブ
レーション法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法等が考えられる。真空蒸
着法については、蒸着物質の加熱手段は特に制限はな
く、例えば電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段
を挙げることができる。また、スパッタ蒸着法について
も、蒸着物質をスパッタする手法は特に制限はなく、例
えばイオンビーム、マグネトロン、高周波等の手段によ
り蒸着物質をスパッタすることができる。レーザアブレ
ーション法については、照射するレーザとして、エキシ
マレーザ、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ等を挙げるこ
とができるが、レーザの種類には特に制限はない。
【０００８】本発明の及びの方法において、膜形成
にフォトン照射或いはフォトン照射及びイオン照射を併
用するにあたり、膜形成と同時、交互、又はその後にフ
ォトン或いはフォトン及びイオンを照射することが考え
られる。また、前記の方法においては、フォトン照射
とイオン照射は必ずしも同時に行う必要はなく、それぞ
れ独立して、膜形成と同時、交互又はその後に行うこと
ができる。
にフォトン照射或いはフォトン照射及びイオン照射を併
用するにあたり、膜形成と同時、交互、又はその後にフ
ォトン或いはフォトン及びイオンを照射することが考え
られる。また、前記の方法においては、フォトン照射
とイオン照射は必ずしも同時に行う必要はなく、それぞ
れ独立して、膜形成と同時、交互又はその後に行うこと
ができる。
【０００９】本発明の及びの方法において、フォト
ン照射に用いるレーザ照射装置は特に制限はなく、例え
ばエキシマレーザ照射装置、炭酸ガスレーザ照射装置、
ＹＡＧレーザ照射装置等を用いることができる。本発明
の及びの方法において、フォトン照射を併用して膜
結晶性を制御するにあたり、基体上に到達する膜構成原
子数とフォトン数との比（フォトン輸送比）を適宜調整
することが考えられる。
ン照射に用いるレーザ照射装置は特に制限はなく、例え
ばエキシマレーザ照射装置、炭酸ガスレーザ照射装置、
ＹＡＧレーザ照射装置等を用いることができる。本発明
の及びの方法において、フォトン照射を併用して膜
結晶性を制御するにあたり、基体上に到達する膜構成原
子数とフォトン数との比（フォトン輸送比）を適宜調整
することが考えられる。
【００１０】本発明のの方法における、照射イオンと
しては、膜構成元素を含むイオンの他、不活性ガスイオ
ン（ヘリウム（Ｈｅ）イオン、ネオン（Ｎｅ）イオン、
アルゴン（Ａｒ）イオン、クリプトン（Ｋｒ）イオン、
キセノン（Ｘｅ）イオン）等を用いることができる。本
発明のの方法において、イオン照射を併用して膜結晶
性を制御するにあたり、イオン種、イオン加速エネル
ギ、基体上に到達する（イオンに由来しない）膜構成原
子数とイオン数との比等を適宜調整することが考えられ
る。
しては、膜構成元素を含むイオンの他、不活性ガスイオ
ン（ヘリウム（Ｈｅ）イオン、ネオン（Ｎｅ）イオン、
アルゴン（Ａｒ）イオン、クリプトン（Ｋｒ）イオン、
キセノン（Ｘｅ）イオン）等を用いることができる。本
発明のの方法において、イオン照射を併用して膜結晶
性を制御するにあたり、イオン種、イオン加速エネル
ギ、基体上に到達する（イオンに由来しない）膜構成原
子数とイオン数との比等を適宜調整することが考えられ
る。
【００１１】また、イオン照射に用いるイオン源の方式
は特に限定はなく、例えばバケット型、カウフマン型等
のものが考えられる。
は特に限定はなく、例えばバケット型、カウフマン型等
のものが考えられる。
【００１２】
【作用】本発明のの方法によると、基体上への膜形成
にフォトン照射を併用することで該膜の結晶性を制御で
きる。通常、フォトン照射量を多くすると該膜の結晶性
は向上する。本発明のの方法によると、基体上への膜
形成にフォトン照射及びイオン照射を併用することで該
膜の結晶性を制御できる。通常、フォトン照射量を多く
すると該膜の結晶性は向上する。また、該膜の結晶性は
イオン加速エネルギ及びイオン種に依存する。
にフォトン照射を併用することで該膜の結晶性を制御で
きる。通常、フォトン照射量を多くすると該膜の結晶性
は向上する。本発明のの方法によると、基体上への膜
形成にフォトン照射及びイオン照射を併用することで該
膜の結晶性を制御できる。通常、フォトン照射量を多く
すると該膜の結晶性は向上する。また、該膜の結晶性は
イオン加速エネルギ及びイオン種に依存する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の膜結晶性の制御方法の実施に用い
る成膜装置の概略構成を示している。この装置は真空容
器１を有し、容器１内には被成膜基体Ｓを支持するホル
ダ２及びホルダ２に対向する位置には蒸発源３及びイオ
ン源４が設けられている。また、容器１外にはレーザ照
射装置５が設けられ、レーザ光を反射鏡５ａで反射させ
た後、容器１壁の一部に設けられた光透過窓１１を通し
てホルダ２上に載置される基体Ｓに照射できるようにな
っている。また、容器１内の所定の位置に膜厚モニタ３
１、イオン電流測定器４１及びレーザエネルギ測定器５
１が配置され、それぞれ、基体Ｓに対する蒸着量、イオ
ン照射量、フォトン照射量を測定できるようになってい
る。なお、真空容器１には排気装置１２が付設されてお
り、容器１内を所定の真空度にすることができる。
する。図１は本発明の膜結晶性の制御方法の実施に用い
る成膜装置の概略構成を示している。この装置は真空容
器１を有し、容器１内には被成膜基体Ｓを支持するホル
ダ２及びホルダ２に対向する位置には蒸発源３及びイオ
ン源４が設けられている。また、容器１外にはレーザ照
射装置５が設けられ、レーザ光を反射鏡５ａで反射させ
た後、容器１壁の一部に設けられた光透過窓１１を通し
てホルダ２上に載置される基体Ｓに照射できるようにな
っている。また、容器１内の所定の位置に膜厚モニタ３
１、イオン電流測定器４１及びレーザエネルギ測定器５
１が配置され、それぞれ、基体Ｓに対する蒸着量、イオ
ン照射量、フォトン照射量を測定できるようになってい
る。なお、真空容器１には排気装置１２が付設されてお
り、容器１内を所定の真空度にすることができる。
【００１４】この装置を用いて、本発明のの膜結晶性
の制御方法を実施するにあたっては、被成膜基体Ｓを容
器１内に搬入し、ホルダ２に支持させた後、排気装置１
２の運転にて容器１内を所定の真空度とする。次いで、
蒸発源３から蒸発物質３ａを蒸発させて基体Ｓ上に成膜
する。そして、これと同時、交互又は該蒸着後に該蒸着
面にレーザ照射装置５から光透過窓１１を通してレーザ
光を照射することにより形成される膜の結晶性を制御す
る。基体Ｓに対する蒸発物質３ａの蒸着量とフォトン照
射量との比は、膜厚モニタ３１で物質３ａの蒸着量をモ
ニタし、レーザエネルギ測定器５１でフォトン照射量を
モニタすることで調整する。なお、イオン源４はここで
は用いない。
の制御方法を実施するにあたっては、被成膜基体Ｓを容
器１内に搬入し、ホルダ２に支持させた後、排気装置１
２の運転にて容器１内を所定の真空度とする。次いで、
蒸発源３から蒸発物質３ａを蒸発させて基体Ｓ上に成膜
する。そして、これと同時、交互又は該蒸着後に該蒸着
面にレーザ照射装置５から光透過窓１１を通してレーザ
光を照射することにより形成される膜の結晶性を制御す
る。基体Ｓに対する蒸発物質３ａの蒸着量とフォトン照
射量との比は、膜厚モニタ３１で物質３ａの蒸着量をモ
ニタし、レーザエネルギ測定器５１でフォトン照射量を
モニタすることで調整する。なお、イオン源４はここで
は用いない。
【００１５】また、この装置を用いて、本発明のの膜
結晶性の制御方法を実施するにあたっては、前記の方
法と同様にして基体Ｓ上への蒸発物質３ａの蒸着を行
い、これと同時、交互又は該蒸着後に、該蒸着面に、そ
れぞれ独立してレーザ照射装置５からのレーザ光照射及
びイオン源４からのイオン照射を行うことにより、形成
される膜の結晶性を制御する。基体Ｓに対する蒸発物質
３ａの蒸着量、フォトン照射量及びイオン照射量のそれ
ぞれの割合は、膜厚モニタ３１で物質３ａの蒸着量をモ
ニタし、レーザエネルギ測定器５１でフォトン照射量を
モニタし、イオン電流測定器４１でイオン照射量をモニ
タすることで調整する。
結晶性の制御方法を実施するにあたっては、前記の方
法と同様にして基体Ｓ上への蒸発物質３ａの蒸着を行
い、これと同時、交互又は該蒸着後に、該蒸着面に、そ
れぞれ独立してレーザ照射装置５からのレーザ光照射及
びイオン源４からのイオン照射を行うことにより、形成
される膜の結晶性を制御する。基体Ｓに対する蒸発物質
３ａの蒸着量、フォトン照射量及びイオン照射量のそれ
ぞれの割合は、膜厚モニタ３１で物質３ａの蒸着量をモ
ニタし、レーザエネルギ測定器５１でフォトン照射量を
モニタし、イオン電流測定器４１でイオン照射量をモニ
タすることで調整する。
【００１６】なお、前記及びの方法において、基体
Ｓへの膜形成を蒸発物質３ａの蒸着により行っている
が、本発明の膜結晶性の制御方法における膜形成はこれ
に限らず、どのような方法で行ってもよい。次に本発明
のの方法によりニッケル（Ｎｉ）膜の結晶性を制御し
た実験例及びその結果得られたＮｉ膜について説明す
る。 実験例１ シリコンからなる基体Ｓを容器１内に搬入し、ホルダ２
に支持させた後、容器１内を５×１０-7Ｔｏｒｒの真空
度とした。次いで、電子ビーム蒸発源３を用いて純度３
Ｎ（９９．９％）のＮｉを蒸気化し、基体Ｓ上に成膜し
た。それと同時に、エキシマレーザ照射装置５からＫｒ
Ｆレーザを光透過窓１１を通して該蒸着面に照射した。
このとき、蒸着Ｎｉ原子１個当たり照射フォトン量が５
００個となるように調整し、膜厚５０００ÅのＮｉ膜を
形成した。 比較例１ 実験例１においてエキシマレーザ照射装置５からのＫｒ
Ｆレーザ照射を行わず、その他の条件は実験例１と同様
にして膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。
Ｓへの膜形成を蒸発物質３ａの蒸着により行っている
が、本発明の膜結晶性の制御方法における膜形成はこれ
に限らず、どのような方法で行ってもよい。次に本発明
のの方法によりニッケル（Ｎｉ）膜の結晶性を制御し
た実験例及びその結果得られたＮｉ膜について説明す
る。 実験例１ シリコンからなる基体Ｓを容器１内に搬入し、ホルダ２
に支持させた後、容器１内を５×１０-7Ｔｏｒｒの真空
度とした。次いで、電子ビーム蒸発源３を用いて純度３
Ｎ（９９．９％）のＮｉを蒸気化し、基体Ｓ上に成膜し
た。それと同時に、エキシマレーザ照射装置５からＫｒ
Ｆレーザを光透過窓１１を通して該蒸着面に照射した。
このとき、蒸着Ｎｉ原子１個当たり照射フォトン量が５
００個となるように調整し、膜厚５０００ÅのＮｉ膜を
形成した。 比較例１ 実験例１においてエキシマレーザ照射装置５からのＫｒ
Ｆレーザ照射を行わず、その他の条件は実験例１と同様
にして膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。
【００１７】次に、実験例１及び比較例１により得られ
たＮｉ膜について、Ｘ線回折法により結晶性を評価し
た。Ｘ線回折パターンを図２に示す。図２において、上
段が比較例１による回折パターンを示し、下段が実験例
１による回折パターンを示している。２θ＝４４．５°
のＮｉ（１１１）面からの回折強度は、比較例１による
Ｎｉ膜より実験例１によるＮｉ膜の方が大きく、結晶性
が制御されていることが分かる。
たＮｉ膜について、Ｘ線回折法により結晶性を評価し
た。Ｘ線回折パターンを図２に示す。図２において、上
段が比較例１による回折パターンを示し、下段が実験例
１による回折パターンを示している。２θ＝４４．５°
のＮｉ（１１１）面からの回折強度は、比較例１による
Ｎｉ膜より実験例１によるＮｉ膜の方が大きく、結晶性
が制御されていることが分かる。
【００１８】次に、本発明のの方法によりＮｉ膜の結
晶性を制御した実験例及びその結果得られたＮｉ膜につ
いて説明する。 実験例２ シリコンからなる基体Ｓを容器１内に搬入し、ホルダ２
に支持させた後、容器１内を５×１０-7Ｔｏｒｒの真空
度とした。次いで、電子ビーム蒸発源３を用いて純度３
Ｎ（９９．９％）のＮｉを蒸気化し、基体Ｓ上に成膜し
た。それと同時に、バケット型イオン源４に純度５Ｎ
（９９．９９９％）のＡｒガスを容器１内が５×１０-5
Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、前記蒸着面
に加速エネルギ２ｋｅＶで照射した。また、このとき基
体Ｓ上に到達するＮｉ原子数とＡｒイオン数の比（Ｎｉ
／Ａｒ輸送比）が１５となるように調整した。さらに、
Ｎｉの蒸着及びＡｒイオンの照射と同時に、エキシマレ
ーザ照射装置５からＫｒＦレーザを光透過窓１１を通し
て前記蒸着面に照射した。このとき、蒸着Ｎｉ原子１個
当たり照射フォトン量が５００個となるように調整し、
膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。 比較例２ 実験例２においてエキシマレーザ照射装置５からのＫｒ
Ｆレーザ照射を行わず、その他の条件は実験例２と同様
にして、膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。
晶性を制御した実験例及びその結果得られたＮｉ膜につ
いて説明する。 実験例２ シリコンからなる基体Ｓを容器１内に搬入し、ホルダ２
に支持させた後、容器１内を５×１０-7Ｔｏｒｒの真空
度とした。次いで、電子ビーム蒸発源３を用いて純度３
Ｎ（９９．９％）のＮｉを蒸気化し、基体Ｓ上に成膜し
た。それと同時に、バケット型イオン源４に純度５Ｎ
（９９．９９９％）のＡｒガスを容器１内が５×１０-5
Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、前記蒸着面
に加速エネルギ２ｋｅＶで照射した。また、このとき基
体Ｓ上に到達するＮｉ原子数とＡｒイオン数の比（Ｎｉ
／Ａｒ輸送比）が１５となるように調整した。さらに、
Ｎｉの蒸着及びＡｒイオンの照射と同時に、エキシマレ
ーザ照射装置５からＫｒＦレーザを光透過窓１１を通し
て前記蒸着面に照射した。このとき、蒸着Ｎｉ原子１個
当たり照射フォトン量が５００個となるように調整し、
膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。 比較例２ 実験例２においてエキシマレーザ照射装置５からのＫｒ
Ｆレーザ照射を行わず、その他の条件は実験例２と同様
にして、膜厚５０００ÅのＮｉ膜を形成した。
【００１９】実験例２及び比較例２により得られたＮｉ
膜についてＸ線回折法により結晶性を評価した。Ｘ線回
折パターンを図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示す。図３
（Ｂ）は図３（Ａ）において縦軸を拡大したものであ
る。また、図３（Ａ）及び（Ｂ）において、上段が比較
例２による回折パターンを示し、下段が実験例２による
回折パターンを示している。２θ＝４４．５°のＮｉ
（１１１）面からの回折強度は、比較例２によるＮｉ膜
より実験例２によるＮｉ膜の方が大きい。また、比較例
２によるＮｉ膜では２θ＝５１．９°のＮｉ（２００）
面及び２θ＝７６．４°のＮｉ（２２０）面からの回折
が確認されるのに対し、実験例２によるＮｉ膜では確認
されていない。これらのことから、実験例２によるＮｉ
膜では（１１１）面の配向性や結晶化度すなわち結晶性
が制御されていることが分かる。
膜についてＸ線回折法により結晶性を評価した。Ｘ線回
折パターンを図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示す。図３
（Ｂ）は図３（Ａ）において縦軸を拡大したものであ
る。また、図３（Ａ）及び（Ｂ）において、上段が比較
例２による回折パターンを示し、下段が実験例２による
回折パターンを示している。２θ＝４４．５°のＮｉ
（１１１）面からの回折強度は、比較例２によるＮｉ膜
より実験例２によるＮｉ膜の方が大きい。また、比較例
２によるＮｉ膜では２θ＝５１．９°のＮｉ（２００）
面及び２θ＝７６．４°のＮｉ（２２０）面からの回折
が確認されるのに対し、実験例２によるＮｉ膜では確認
されていない。これらのことから、実験例２によるＮｉ
膜では（１１１）面の配向性や結晶化度すなわち結晶性
が制御されていることが分かる。
【００２０】
【発明の効果】本発明方法によると、基体上に膜を形成
するにあたり、該膜の結晶性を制御する方法を提供する
ことができる。
するにあたり、該膜の結晶性を制御する方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明の膜結晶性の制御方法の実施に用いる成
膜装置の概略構成を示す図である。
膜装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の１実施例により得られたＮｉ膜のＸ線
回折パターンを示す図である。
回折パターンを示す図である。
【図３】本発明の他の実施例により得られたＮｉ膜のＸ
線回折パターンを示す図である。
線回折パターンを示す図である。
１ 真空容器 １１ 光透過窓 １２ 排気装置 ２ 基体ホルダ ３ 蒸発源 ３ａ 蒸発物質 ３１ 膜厚モニタ ４ イオン源 ４１ イオン電流測定器 ５ レーザ照射装置 ５ａ 反射鏡 ５１ レーザエネルギ測定器 Ｓ 被成膜基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形
成にフォトン照射を併用することで該膜の結晶性を制御
することを特徴とする膜結晶性の制御方法。 - 【請求項２】 基体上に膜を形成するにあたり、該膜形
成にフォトン照射及びイオン照射を併用することで該膜
の結晶性を制御することを特徴とする膜結晶性の制御方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050595A JPH0913166A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 膜結晶性の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050595A JPH0913166A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 膜結晶性の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0913166A true JPH0913166A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=15716404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16050595A Pending JPH0913166A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 膜結晶性の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0913166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025485A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP16050595A patent/JPH0913166A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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