JPH09134667A - 陰極線管の製造方法 - Google Patents
陰極線管の製造方法Info
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- JPH09134667A JPH09134667A JP7290066A JP29006695A JPH09134667A JP H09134667 A JPH09134667 A JP H09134667A JP 7290066 A JP7290066 A JP 7290066A JP 29006695 A JP29006695 A JP 29006695A JP H09134667 A JPH09134667 A JP H09134667A
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
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- H01J2229/966—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube associated with the gun structure
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内蔵抵抗分割板を配した電子銃を備えた陰極
線管の製造方法において、電子銃の左右に蒸着用の金属
リボンを配し、高周波加熱して夫々対応する部分のネッ
ク部内壁等に電位安定化のための金属蒸着膜を形成する
に際し、左右同程度の金属蒸着膜を形成できるようにす
る。 【解決手段】 電子銃の１対のビードガラス４及び５の
うちの一方のビードガラス４に内蔵抵抗分割板９が配さ
れ、内蔵抵抗分割板９を含んで各ビードガラス４及び５
の夫々の一部に蒸着用の金属リボン１５及び１６が配さ
れてなる陰極線管に対して、高周波誘導加熱手段２６で
蒸着用の金属リボン１５及び１６を加熱蒸発させてネッ
ク部内壁、ビードガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に電
位安定化のための金属蒸着膜を形成するに際して、他方
のビードガラス５側の金属リボン１６に対向する部分に
金属板２５を設けた高周波誘導加熱手段を用いて、夫々
の金属リボン１５及び１６を高周波誘導加熱する。
線管の製造方法において、電子銃の左右に蒸着用の金属
リボンを配し、高周波加熱して夫々対応する部分のネッ
ク部内壁等に電位安定化のための金属蒸着膜を形成する
に際し、左右同程度の金属蒸着膜を形成できるようにす
る。 【解決手段】 電子銃の１対のビードガラス４及び５の
うちの一方のビードガラス４に内蔵抵抗分割板９が配さ
れ、内蔵抵抗分割板９を含んで各ビードガラス４及び５
の夫々の一部に蒸着用の金属リボン１５及び１６が配さ
れてなる陰極線管に対して、高周波誘導加熱手段２６で
蒸着用の金属リボン１５及び１６を加熱蒸発させてネッ
ク部内壁、ビードガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に電
位安定化のための金属蒸着膜を形成するに際して、他方
のビードガラス５側の金属リボン１６に対向する部分に
金属板２５を設けた高周波誘導加熱手段を用いて、夫々
の金属リボン１５及び１６を高周波誘導加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管においては、各グリッドが１対
のビードガラスで保持された電子銃をネック部内に封入
して構成される。通常、高圧が印加されることによっ
て、電子銃に対応するネック部内壁、ビードガラス表面
に浮遊電荷が帯電し、管体内の電位が不安定になるを防
止する処理がなされる。この処理は、１対のビードガラ
スの一部に夫々蒸着用金属部材である金属リボン、例え
ば幅１．０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍのステンレス薄材を巻
装して置き、ネック部外周から、高周波誘導加熱手段を
用いてステンレス薄材を加熱、蒸発させ、対応する部分
のネック部内壁面、ビードガラス表面に金属蒸着膜を被
着形成するようになしている。
のビードガラスで保持された電子銃をネック部内に封入
して構成される。通常、高圧が印加されることによっ
て、電子銃に対応するネック部内壁、ビードガラス表面
に浮遊電荷が帯電し、管体内の電位が不安定になるを防
止する処理がなされる。この処理は、１対のビードガラ
スの一部に夫々蒸着用金属部材である金属リボン、例え
ば幅１．０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍのステンレス薄材を巻
装して置き、ネック部外周から、高周波誘導加熱手段を
用いてステンレス薄材を加熱、蒸発させ、対応する部分
のネック部内壁面、ビードガラス表面に金属蒸着膜を被
着形成するようになしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、本出願人は、先
に図３〜図５に示すようなカラー陰極線管を提案した。
この陰極線管１の電子銃２は、図５の拡大図で示すよう
に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）に対応する３つの
カソードＫR ，ＫG 及びＫB がインライン配列され、之
等３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB に対して共通とな
る第１グリッドＧ 1 、第２グリッドＧ2 、第３グリッド
Ｇ3 、第４グリッドＧ4 、第５グリッドＧ 5 、第６グリ
ッドＧ6 及び第７グリッドＧ7 が順次配列され、各第１
グリッドＧ 1 〜第７グリッドＧ7 に夫々３つのカソード
ＫR ，ＫG 及びＫB からの電子ビームを透過する３つの
ビーム透過孔３R ，３G ，３B が形成されて成る。
に図３〜図５に示すようなカラー陰極線管を提案した。
この陰極線管１の電子銃２は、図５の拡大図で示すよう
に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）に対応する３つの
カソードＫR ，ＫG 及びＫB がインライン配列され、之
等３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB に対して共通とな
る第１グリッドＧ 1 、第２グリッドＧ2 、第３グリッド
Ｇ3 、第４グリッドＧ4 、第５グリッドＧ 5 、第６グリ
ッドＧ6 及び第７グリッドＧ7 が順次配列され、各第１
グリッドＧ 1 〜第７グリッドＧ7 に夫々３つのカソード
ＫR ，ＫG 及びＫB からの電子ビームを透過する３つの
ビーム透過孔３R ，３G ，３B が形成されて成る。
【０００４】そして、例えば、第１グリッドＧ1 には０
Ｖが印加され、第２グリッドＧ2 と第４グリッドＧ4 は
共通接続されて之に７００Ｖが印加され、第３グリッド
Ｇ3と第５グリッドＧ5 は共通接続されて之に６ｋＶが
印加され、第６グリッドＧ6には６ｋＶ〜６．５ｋＶが
印加され、第７グリッドＧ7 にはアノード電圧である例
えば２５ｋＶが印加されて、バイポテンシャル型電子銃
として構成される。各カソードＫR ，ＫG 及びＫB から
出射された電子ビームは、各グリッドＧ1〜Ｇ7 の夫々
のビーム透過孔３R ，３G ，３B を通じて蛍光面（図示
せず）上でコンバージェンスされる。
Ｖが印加され、第２グリッドＧ2 と第４グリッドＧ4 は
共通接続されて之に７００Ｖが印加され、第３グリッド
Ｇ3と第５グリッドＧ5 は共通接続されて之に６ｋＶが
印加され、第６グリッドＧ6には６ｋＶ〜６．５ｋＶが
印加され、第７グリッドＧ7 にはアノード電圧である例
えば２５ｋＶが印加されて、バイポテンシャル型電子銃
として構成される。各カソードＫR ，ＫG 及びＫB から
出射された電子ビームは、各グリッドＧ1〜Ｇ7 の夫々
のビーム透過孔３R ，３G ，３B を通じて蛍光面（図示
せず）上でコンバージェンスされる。
【０００５】この電子銃２は、図３に示すように、各グ
リッドＧ1 〜Ｇ7 が１対のビードガラス４及び５によっ
て一体に支持され、陰極線管１のネック部１Ｎ内に封入
される。そして、第７グリッドＧ7 は、之より一体に延
長する高圧供給用の接触片６をアノードボタンに接続さ
れた内装カーボン膜７に接触することによってアノード
電圧である例えば２５ｋＶが印加される。
リッドＧ1 〜Ｇ7 が１対のビードガラス４及び５によっ
て一体に支持され、陰極線管１のネック部１Ｎ内に封入
される。そして、第７グリッドＧ7 は、之より一体に延
長する高圧供給用の接触片６をアノードボタンに接続さ
れた内装カーボン膜７に接触することによってアノード
電圧である例えば２５ｋＶが印加される。
【０００６】一方、第３グリッドＧ3 及び第５グリッド
Ｇ5 への６ｋＶの印加は、内蔵抵抗分割板９を通じて行
われる。この内蔵抵抗分割板９は、図５及び図６に示す
ように、セラミック基板１０上に内部抵抗体１１を形成
し、その両端と中間部に電極端子ｔ1 ，ｔ2 及びｔ3 を
形成し、各端子ｔ1 ，ｔ2 及びｔ3 を除いて内部抵抗体
１１をガラス層１２で絶縁被覆し、さらにセラミック板
１０の裏面も薄いガラス層１２でコーティングして構成
される。
Ｇ5 への６ｋＶの印加は、内蔵抵抗分割板９を通じて行
われる。この内蔵抵抗分割板９は、図５及び図６に示す
ように、セラミック基板１０上に内部抵抗体１１を形成
し、その両端と中間部に電極端子ｔ1 ，ｔ2 及びｔ3 を
形成し、各端子ｔ1 ，ｔ2 及びｔ3 を除いて内部抵抗体
１１をガラス層１２で絶縁被覆し、さらにセラミック板
１０の裏面も薄いガラス層１２でコーティングして構成
される。
【０００７】この内蔵抵抗分割板９を一方のビードガラ
ス４上に配置し、その第１の電極端子ｔ1 を第７グリッ
ドＧ7 に接続し、第２の電極端子ｔ2 をアース端子に接
続し、中間の第３の電極端子ｔ3 を共通接続体１３を通
じて第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に接続す
る。
ス４上に配置し、その第１の電極端子ｔ1 を第７グリッ
ドＧ7 に接続し、第２の電極端子ｔ2 をアース端子に接
続し、中間の第３の電極端子ｔ3 を共通接続体１３を通
じて第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に接続す
る。
【０００８】このような電子銃２を封入した陰極線管１
では、その電子銃２の例えば第５グリッドＧ5 に対応す
る部分のビードガラス４及び５に蒸着用の金属リボン１
５及び１６が夫々巻装される。一方の金属リボン１５は
内蔵抵抗分割板９を含んでビードガラス１５に巻装さ
れ、他方の金属リボン１６はビードガラスのみに巻装さ
れる。
では、その電子銃２の例えば第５グリッドＧ5 に対応す
る部分のビードガラス４及び５に蒸着用の金属リボン１
５及び１６が夫々巻装される。一方の金属リボン１５は
内蔵抵抗分割板９を含んでビードガラス１５に巻装さ
れ、他方の金属リボン１６はビードガラスのみに巻装さ
れる。
【０００９】そして、図７及び図８に示すように、金属
リボン１５及び１６に対応するネック管１Ｎの外周に高
周波誘導加熱手段、即ち高周波加熱コイル１８を配置
し、この高周波加熱コイル１８に高周波誘導電流１９を
流すことによって、一様な磁束２０を発生させ、金属リ
ボン１５及び１６に誘導電流が流れ、金属リボン１５及
び１６を加熱し、蒸発させて図９に示すように、金属リ
ボン１５及び１６に対応する部分のネック部内壁、ビー
ドガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に金属蒸着膜２１及
び２２を形成するようにしている。この場合、金属リボ
ン１５及び１６が蒸発によって熔断しないように蒸着し
なければならない。
リボン１５及び１６に対応するネック管１Ｎの外周に高
周波誘導加熱手段、即ち高周波加熱コイル１８を配置
し、この高周波加熱コイル１８に高周波誘導電流１９を
流すことによって、一様な磁束２０を発生させ、金属リ
ボン１５及び１６に誘導電流が流れ、金属リボン１５及
び１６を加熱し、蒸発させて図９に示すように、金属リ
ボン１５及び１６に対応する部分のネック部内壁、ビー
ドガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に金属蒸着膜２１及
び２２を形成するようにしている。この場合、金属リボ
ン１５及び１６が蒸発によって熔断しないように蒸着し
なければならない。
【００１０】ところで、電子銃２の構造上、一方の金属
リボン１５がビードガラス４と内蔵抵抗分割板９の双方
を巻き込み、他方の金属リボン１６がビードガラス１６
のみを巻き込むようにしているので、金属リボンとして
は左右非対称であり、しかも金属リボン１５及び１６と
接する部位の熱伝導が異なっているため、即ち、金属リ
ボン１５はビードガラスとセラミック板に接し、金属リ
ボン１６はビードガラスのみに接するため、蒸着膜２１
及び２２が左右同じ程度に被着されない。
リボン１５がビードガラス４と内蔵抵抗分割板９の双方
を巻き込み、他方の金属リボン１６がビードガラス１６
のみを巻き込むようにしているので、金属リボンとして
は左右非対称であり、しかも金属リボン１５及び１６と
接する部位の熱伝導が異なっているため、即ち、金属リ
ボン１５はビードガラスとセラミック板に接し、金属リ
ボン１６はビードガラスのみに接するため、蒸着膜２１
及び２２が左右同じ程度に被着されない。
【００１１】即ち、金属リボン（１５，１６）は、温度
上昇に伴なって、熱伝導率の異なったビードガラス、セ
ラミック板の表面に接するため、放熱の違いにより、蒸
着温度に到達するまでの時間に差が生じ、即ちビードガ
ラスのみの方が早く蒸着温度に達し、蒸着膜２１と２２
の付き方に差が生じる。そのため、条件面において、余
裕度が少なく、片側が蒸着しなかったり、もう一方の金
属リボンが熔けて切断する等の問題が発生していた。
上昇に伴なって、熱伝導率の異なったビードガラス、セ
ラミック板の表面に接するため、放熱の違いにより、蒸
着温度に到達するまでの時間に差が生じ、即ちビードガ
ラスのみの方が早く蒸着温度に達し、蒸着膜２１と２２
の付き方に差が生じる。そのため、条件面において、余
裕度が少なく、片側が蒸着しなかったり、もう一方の金
属リボンが熔けて切断する等の問題が発生していた。
【００１２】本発明は、上述の点に鑑み、左右の異なる
蒸着用金属部材に対して高周波誘導加熱を均一にして、
ネック内壁等に左右同程度の金属蒸着膜を形成できるよ
うにした陰極線管の製造方法を提供するものである。
蒸着用金属部材に対して高周波誘導加熱を均一にして、
ネック内壁等に左右同程度の金属蒸着膜を形成できるよ
うにした陰極線管の製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る陰極線管の
製造方法は、電子銃の１対のビードガラスのうちの一方
のビードガラスに内蔵抵抗分割板が配され、内蔵抵抗分
割板を含んで各ビードガラスの夫々の一部に蒸着用金属
部材が配されてなる陰極線管に対して、高周波誘導加熱
手段で蒸着用金属部材を加熱、蒸発させてネック部内
壁、ビードガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に電位安定
化のための金属蒸着膜を形成するに際し、他方のビード
ガラス側の蒸着用金属部材に対向する部分に金属板を設
けた高周波誘導加熱手段を用いて、夫々の蒸着用金属部
材を加熱する。
製造方法は、電子銃の１対のビードガラスのうちの一方
のビードガラスに内蔵抵抗分割板が配され、内蔵抵抗分
割板を含んで各ビードガラスの夫々の一部に蒸着用金属
部材が配されてなる陰極線管に対して、高周波誘導加熱
手段で蒸着用金属部材を加熱、蒸発させてネック部内
壁、ビードガラス表面、内蔵抵抗分割板表面に電位安定
化のための金属蒸着膜を形成するに際し、他方のビード
ガラス側の蒸着用金属部材に対向する部分に金属板を設
けた高周波誘導加熱手段を用いて、夫々の蒸着用金属部
材を加熱する。
【００１４】部分的に金属板を設けた高周波誘導加熱手
段に高周波誘導電流を流すと、金属板により磁束の密度
が変わり、蒸着用金属部材に誘導される電流が左右で異
なる。即ち、金属板に対応する側の蒸着用金属部材に生
ずる誘導電流量が減る。従って、金属板が対応しない
側、従って内蔵抵抗分割板を含んで配された側の一方の
蒸着用金属部材と、ビードガラスのみの他方の蒸着用金
属部位の加熱がバランスされ、夫々に同じ程度の金属蒸
着膜が形成される。
段に高周波誘導電流を流すと、金属板により磁束の密度
が変わり、蒸着用金属部材に誘導される電流が左右で異
なる。即ち、金属板に対応する側の蒸着用金属部材に生
ずる誘導電流量が減る。従って、金属板が対応しない
側、従って内蔵抵抗分割板を含んで配された側の一方の
蒸着用金属部材と、ビードガラスのみの他方の蒸着用金
属部位の加熱がバランスされ、夫々に同じ程度の金属蒸
着膜が形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００１６】図１及び図２は本発明の陰極線管の製造方
法、即ち電子銃のビードガラスの一部に巻装した蒸着用
金属部材に対する加熱方法の実施例を説明する。
法、即ち電子銃のビードガラスの一部に巻装した蒸着用
金属部材に対する加熱方法の実施例を説明する。
【００１７】本実施例に適用される陰極線管は、前述の
図３〜図５で説明したと同様の電子銃２を備えてなる陰
極線管である。即ち、重複説明するも、電子銃２は、図
５の拡大図で示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青
（Ｂ）に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB が
インライン配列され、之等３つのカソードＫR ，ＫG 及
びＫB に対して共通の第１グリッドＧ1 、第２グリッド
Ｇ2 、第３グリッドＧ3 、第４グリッドＧ4 、第５グリ
ッドＧ5 、第６グリッドＧ6 及び第７グリッドＧ7 が順
次配列され、各第１グリッドＧ1 〜第７グリッドＧ7 に
夫々３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB からの電子ビー
ムを透過させる３つのビーム透過孔３R ，３G ，３B が
形成されて成る。
図３〜図５で説明したと同様の電子銃２を備えてなる陰
極線管である。即ち、重複説明するも、電子銃２は、図
５の拡大図で示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青
（Ｂ）に対応する３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB が
インライン配列され、之等３つのカソードＫR ，ＫG 及
びＫB に対して共通の第１グリッドＧ1 、第２グリッド
Ｇ2 、第３グリッドＧ3 、第４グリッドＧ4 、第５グリ
ッドＧ5 、第６グリッドＧ6 及び第７グリッドＧ7 が順
次配列され、各第１グリッドＧ1 〜第７グリッドＧ7 に
夫々３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB からの電子ビー
ムを透過させる３つのビーム透過孔３R ，３G ，３B が
形成されて成る。
【００１８】そして、例えば、第１グリッドＧ1 には０
Ｖが印加され、第２グリッドＧ2 と第４グリッドＧ4 が
共通接続されて之に７００Ｖが印加され、第３グリッド
Ｇ3と第５グリッドＧ5 が共通接続されて之に６ｋＶが
印加され、第６グリッドＧ6に６ｋＶ〜６．５ｋＶが印
加され、第７グリッドＧ7 にアノード電圧である例えば
２５ｋＶが印加されて、バイポテンシャル型電子銃が構
成される。３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB から出射
された各電子ビームは、夫々のビーム透過孔３ R ，
３G ，３B を通過して蛍光面上でコンバージェンスされ
る。
Ｖが印加され、第２グリッドＧ2 と第４グリッドＧ4 が
共通接続されて之に７００Ｖが印加され、第３グリッド
Ｇ3と第５グリッドＧ5 が共通接続されて之に６ｋＶが
印加され、第６グリッドＧ6に６ｋＶ〜６．５ｋＶが印
加され、第７グリッドＧ7 にアノード電圧である例えば
２５ｋＶが印加されて、バイポテンシャル型電子銃が構
成される。３つのカソードＫR ，ＫG 及びＫB から出射
された各電子ビームは、夫々のビーム透過孔３ R ，
３G ，３B を通過して蛍光面上でコンバージェンスされ
る。
【００１９】電子銃２は、図３及び図４に示すように各
第１グリッドＧ1 〜第７グリッドＧ 7 が１対のビードガ
ラス４及び５によって一体に保持されると共に、一方の
ビードガラス４に内蔵抵抗分割板９が配された状態で、
ネック部１Ｎ内に封入される。第７グリッドＧ7 には、
之より一体に延長する高圧供給用の接触片６をアノード
ボタンに接続された内装カーボン膜７に接触することに
よってアノード電圧である、例えば２５ｋＶが印加され
る。
第１グリッドＧ1 〜第７グリッドＧ 7 が１対のビードガ
ラス４及び５によって一体に保持されると共に、一方の
ビードガラス４に内蔵抵抗分割板９が配された状態で、
ネック部１Ｎ内に封入される。第７グリッドＧ7 には、
之より一体に延長する高圧供給用の接触片６をアノード
ボタンに接続された内装カーボン膜７に接触することに
よってアノード電圧である、例えば２５ｋＶが印加され
る。
【００２０】一方、第３グリッドＧ3 及び第５グリッド
Ｇ5 への６ｋＶの印加は、内蔵抵抗分割板９により行わ
れる。内蔵抵抗分割板９は、図５及び図６に示すよう
に、セラミック基板１０上に内部抵抗体１１を形成し、
その両端と中間部に電極端子ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 を形成
し、各端子ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 を除いて内部抵抗体１１を
ガラス層１２で絶縁被覆し、さらにセラミック板１０の
裏面も薄いガラス層１２でコーティングして構成され
る。
Ｇ5 への６ｋＶの印加は、内蔵抵抗分割板９により行わ
れる。内蔵抵抗分割板９は、図５及び図６に示すよう
に、セラミック基板１０上に内部抵抗体１１を形成し、
その両端と中間部に電極端子ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 を形成
し、各端子ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 を除いて内部抵抗体１１を
ガラス層１２で絶縁被覆し、さらにセラミック板１０の
裏面も薄いガラス層１２でコーティングして構成され
る。
【００２１】この内蔵抵抗分割板９が一方のビードガラ
ス４上に配置され、第１の電極端子ｔ1 を第７グリッド
Ｇ7 に接続し、第２の電極端子ｔ2 をアース端子に接続
し、中間の第３の電極端子ｔ3 を共通接続体１３を通じ
て第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に接続するよ
うになされる。これによって、抵抗分割で得られた６ｋ
Ｖが第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に印加され
ることになる。
ス４上に配置され、第１の電極端子ｔ1 を第７グリッド
Ｇ7 に接続し、第２の電極端子ｔ2 をアース端子に接続
し、中間の第３の電極端子ｔ3 を共通接続体１３を通じ
て第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に接続するよ
うになされる。これによって、抵抗分割で得られた６ｋ
Ｖが第３グリッドＧ3 及び第５グリッドＧ5 に印加され
ることになる。
【００２２】この電子銃２の例えば第５グリッドＧ5 に
対応する部分の夫々のビードガラス４及び５に蒸着用金
属部材である金属リボン、例えば厚さ０．１ｍｍ、幅１
ｍｍのステンレス薄板からなる金属リボン１５及び１６
が巻装される。即ち、一方の金属リボン１５はビードガ
ラス４と内蔵抵抗分割板９を巻き込むように巻装され、
他方の金属リボン１６はビードガラス５のみに巻装され
る。
対応する部分の夫々のビードガラス４及び５に蒸着用金
属部材である金属リボン、例えば厚さ０．１ｍｍ、幅１
ｍｍのステンレス薄板からなる金属リボン１５及び１６
が巻装される。即ち、一方の金属リボン１５はビードガ
ラス４と内蔵抵抗分割板９を巻き込むように巻装され、
他方の金属リボン１６はビードガラス５のみに巻装され
る。
【００２３】しかして、本実施例においては、かかる陰
極線管１の金属リボン１５及び１６に対する加熱、蒸着
に際し、図１及び図２に示すように、オーバー加熱され
る側、即ち温度上昇の速い他方のビードガラス５側の金
属リボン１６に対向する内側部分に金属板、例えば銅シ
ールド板２５を配置してなる高周波誘導加熱手段、即ち
高周波加熱コイル２６を用いて、加熱するようになす。
極線管１の金属リボン１５及び１６に対する加熱、蒸着
に際し、図１及び図２に示すように、オーバー加熱され
る側、即ち温度上昇の速い他方のビードガラス５側の金
属リボン１６に対向する内側部分に金属板、例えば銅シ
ールド板２５を配置してなる高周波誘導加熱手段、即ち
高周波加熱コイル２６を用いて、加熱するようになす。
【００２４】この高周波加熱コイル２６では、コイル２
６に高周波誘導電流２７を流すと、銅シールド板２５に
より発生する磁束密度が変わる。即ち、銅シールド板２
５に対向する側では小さい磁束密度２８となり、銅シー
ルド板２５が対向しない反射側、即ち内蔵抵抗分割板側
では大きな磁束密度２９となる。従って、ビードガラス
５側の金属リボン１６の誘導電流量は内蔵抵抗分割板９
側の金属リボン１５の誘導電流量に比べて減少する。こ
れによって、左右の金属リボン１５及び１６の加熱状態
はバランスされ、両金属リボン１５及び１６の蒸着温度
差が縮まり、均等の金属蒸着膜（図９の２１，２２参
照）を左右のネック部内壁、ビードガラス表面、内蔵抵
抗分割板表面等に形成することができる。
６に高周波誘導電流２７を流すと、銅シールド板２５に
より発生する磁束密度が変わる。即ち、銅シールド板２
５に対向する側では小さい磁束密度２８となり、銅シー
ルド板２５が対向しない反射側、即ち内蔵抵抗分割板側
では大きな磁束密度２９となる。従って、ビードガラス
５側の金属リボン１６の誘導電流量は内蔵抵抗分割板９
側の金属リボン１５の誘導電流量に比べて減少する。こ
れによって、左右の金属リボン１５及び１６の加熱状態
はバランスされ、両金属リボン１５及び１６の蒸着温度
差が縮まり、均等の金属蒸着膜（図９の２１，２２参
照）を左右のネック部内壁、ビードガラス表面、内蔵抵
抗分割板表面等に形成することができる。
【００２５】因みに、本実施例と比較例との蒸着の比較
を表１に示す。
を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】この表１から明らかなように、本実施例で
は、ビードガラス５側と内蔵抵抗分割板９を構成するセ
ラミック側の温度差が縮まり、金属蒸着膜（図９の２
１，２２参照）の付き方に差が生じにくくなり、共に良
好であった。
は、ビードガラス５側と内蔵抵抗分割板９を構成するセ
ラミック側の温度差が縮まり、金属蒸着膜（図９の２
１，２２参照）の付き方に差が生じにくくなり、共に良
好であった。
【００２８】上述したように、本実施例によれば、夫々
異なる熱伝導率の部位に巻装された左右異なる蒸着用の
金属リボン１５，１６を、互いに同程度に高周波加熱す
ることができるので、左右同じ程度の金属蒸着膜を形成
することができる。従って、ネック部内壁、ビードガラ
ス表面、内蔵抵抗分割板表面に電荷が帯電するを阻止
し、之等の各部で電位が安定した陰極線管を提供するこ
とができる。
異なる熱伝導率の部位に巻装された左右異なる蒸着用の
金属リボン１５，１６を、互いに同程度に高周波加熱す
ることができるので、左右同じ程度の金属蒸着膜を形成
することができる。従って、ネック部内壁、ビードガラ
ス表面、内蔵抵抗分割板表面に電荷が帯電するを阻止
し、之等の各部で電位が安定した陰極線管を提供するこ
とができる。
【００２９】尚、上例では、３つの電子ビームが夫々グ
リッドＧ1 〜Ｇ7 内を直進して蛍光面上でコンバージェ
ンスさせる電子銃を備えた陰極線管に適用したが、その
他、内蔵抵抗分割板を有し、３つの電子ビームを主電子
レンズで交叉させ発散させたのち、４枚の偏向電極板か
らなるコンバージェンス手段によって蛍光面上でコンバ
ージェンスさせる電子銃を備えた陰極線管にも適用でき
る。
リッドＧ1 〜Ｇ7 内を直進して蛍光面上でコンバージェ
ンスさせる電子銃を備えた陰極線管に適用したが、その
他、内蔵抵抗分割板を有し、３つの電子ビームを主電子
レンズで交叉させ発散させたのち、４枚の偏向電極板か
らなるコンバージェンス手段によって蛍光面上でコンバ
ージェンスさせる電子銃を備えた陰極線管にも適用でき
る。
【００３０】本発明は、このように高周波誘導で加熱す
る方法を用いるものにおいて温度分布をコントロールす
る場合に有効な方法であり、高周波加熱、高周波焼き入
れに適用できる。
る方法を用いるものにおいて温度分布をコントロールす
る場合に有効な方法であり、高周波加熱、高周波焼き入
れに適用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、内蔵抵抗分割板を有す
る電子銃の夫々のビードガラスに巻装した蒸着用金属部
材に対して夫々同程度に高周波加熱することができ、電
位を安定化させるための蒸着膜を左右同程度に形成する
ことができる。従って、信頼性の高い陰極線管を製造す
ることができる。
る電子銃の夫々のビードガラスに巻装した蒸着用金属部
材に対して夫々同程度に高周波加熱することができ、電
位を安定化させるための蒸着膜を左右同程度に形成する
ことができる。従って、信頼性の高い陰極線管を製造す
ることができる。
【図１】本発明に係る陰極線管の製造方法の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明に係る陰極線管の製造方法の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明に適用される陰極線管の要部を示す断面
図である。
図である。
【図４】図３の９０°向きを変えた断面図である。
【図５】電子銃の構成図である。
【図６】内蔵抵抗分割板の構成図である。
【図７】比較例に係る陰極線管の製造方法を示す構成図
である。
である。
【図８】図７の断面図である。
【図９】陰極線管の説明に供する断面図である。
１ 陰極線管 １Ｎ ネック部 ２ 電子銃 Ｇ1 〜Ｇ7 グリッド ４，５ ビードガラス ９ 内蔵抵抗分割板 １５，１６ 蒸着用の金属リボン ２５ 銅シールド板 ２６，１８ 高周波加熱コイル ２０，２８，２９ 磁束密度
Claims (1)
- 【請求項１】 電子銃の１対のビードガラスのうちの一
方のビートガラスに内蔵抵抗分割板が配され、 該内蔵抵抗分割板を含んで前記各ビードガラスの夫々の
一部に蒸着用金属部材が配されてなる陰極線管に対し
て、 高周波誘導加熱手段で前記蒸着用金属部材を加熱蒸発さ
せてネック部内壁、ビードガラス表面及び内蔵抵抗分割
板表面に電位安定化のための金属蒸着膜を形成するに際
して、 前記他方のビードガラス側の前記蒸着用金属部材に対向
する部分に金属板を設けた高周波誘導加熱手段を用い
て、 前記夫々の蒸着用金属部材を高周波誘導加熱することを
特徴とする陰極線管の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290066A JPH09134667A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 陰極線管の製造方法 |
| US08/743,675 US5857887A (en) | 1995-11-08 | 1996-11-06 | Method of manufacturing a cathode-ray tube |
| SG1996011081A SG43441A1 (en) | 1995-11-08 | 1996-11-07 | Method of manufacturing a cathode-ray tube |
| GB9623237A GB2307098B (en) | 1995-11-08 | 1996-11-07 | Method of manufacturing a cathode-ray tube |
| CN96121686A CN1072834C (zh) | 1995-11-08 | 1996-11-08 | 制造阴极射线管的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7290066A JPH09134667A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 陰極線管の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134667A true JPH09134667A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17751352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7290066A Pending JPH09134667A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 陰極線管の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5857887A (ja) |
| JP (1) | JPH09134667A (ja) |
| CN (1) | CN1072834C (ja) |
| GB (1) | GB2307098B (ja) |
| SG (1) | SG43441A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090527A (en) * | 1994-03-25 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070145266A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Avi Cohen | Electron microscope apparatus using CRT-type optics |
| US20070145267A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Adler David L | Portable scanning electron microscope |
| CN101783279B (zh) * | 2009-01-15 | 2011-11-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 分离两种材料的方法 |
| US10573483B2 (en) * | 2017-09-01 | 2020-02-25 | Varex Imaging Corporation | Multi-grid electron gun with single grid supply |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4288719A (en) * | 1979-03-09 | 1981-09-08 | Rca Corporation | CRT With means for suppressing arcing therein |
| US4410310A (en) * | 1981-04-23 | 1983-10-18 | Rca Corporation | Degassing a CRT with modified RF heating of the mount assembly thereof |
-
1995
- 1995-11-08 JP JP7290066A patent/JPH09134667A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-06 US US08/743,675 patent/US5857887A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-07 GB GB9623237A patent/GB2307098B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-07 SG SG1996011081A patent/SG43441A1/en unknown
- 1996-11-08 CN CN96121686A patent/CN1072834C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090527A (en) * | 1994-03-25 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1072834C (zh) | 2001-10-10 |
| GB2307098A (en) | 1997-05-14 |
| CN1154565A (zh) | 1997-07-16 |
| SG43441A1 (en) | 1997-10-17 |
| GB2307098B (en) | 2000-06-07 |
| GB9623237D0 (en) | 1997-01-08 |
| US5857887A (en) | 1999-01-12 |
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