JPH09134867A - 膜形成およびパターン形成方法 - Google Patents
膜形成およびパターン形成方法Info
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- JPH09134867A JPH09134867A JP7292466A JP29246695A JPH09134867A JP H09134867 A JPH09134867 A JP H09134867A JP 7292466 A JP7292466 A JP 7292466A JP 29246695 A JP29246695 A JP 29246695A JP H09134867 A JPH09134867 A JP H09134867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レジスト膜が塗布される下地膜（被加工膜ある
いは反射防止膜）が、シリコン以外の材料（窒化シリコ
ン等）であっても良好な形状のレジストパターンを形成
する。 【解決手段】下地膜形成において、下地膜形成の終了前
に、不活性ガスあるいは酸素ガスを導入することによっ
て、上記下地膜の表面に酸化膜あるいは単一原子からな
る膜を形成し、その後、レジスト塗布，ベーク，露光，
露光後ベークおよび現像を行う。
いは反射防止膜）が、シリコン以外の材料（窒化シリコ
ン等）であっても良好な形状のレジストパターンを形成
する。 【解決手段】下地膜形成において、下地膜形成の終了前
に、不活性ガスあるいは酸素ガスを導入することによっ
て、上記下地膜の表面に酸化膜あるいは単一原子からな
る膜を形成し、その後、レジスト塗布，ベーク，露光，
露光後ベークおよび現像を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体，磁
性体，超伝導体，誘電体等の固体素子の製造における微
細パターン形成方法に関する。
性体，超伝導体，誘電体等の固体素子の製造における微
細パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の回路パターン形成では、縮小
投影露光法が広く用いられている。近年、露光法におい
て、露光光の短波長化による解像度の向上が進みつつあ
る。従来から広く用いられてきた水銀ランプに代わっ
て、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）によって
０.２５μｍ レベルのパターンが、ＡｒＦエキシマレー
ザ（波長１９３ｎｍ）によって０.２μｍ レベルの加工
が可能になると考えられている。また、さらに微細なパ
ターンを形成するために、Ｘ線および電子線リソグラフ
ィの検討も進められている。
投影露光法が広く用いられている。近年、露光法におい
て、露光光の短波長化による解像度の向上が進みつつあ
る。従来から広く用いられてきた水銀ランプに代わっ
て、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）によって
０.２５μｍ レベルのパターンが、ＡｒＦエキシマレー
ザ（波長１９３ｎｍ）によって０.２μｍ レベルの加工
が可能になると考えられている。また、さらに微細なパ
ターンを形成するために、Ｘ線および電子線リソグラフ
ィの検討も進められている。
【０００３】短波長光やＸ線および電子線による露光で
は、レジストの光吸収によるパターン形状劣化や感度が
問題となるため、光吸収が少なくかつ高感度な化学増幅
型レジストが開発され、実用化に向けて様々な検討がな
されてきた。その中で、化学増幅型レジストの量産レベ
ルでの実用化を阻む問題点が明らかになってきた。
は、レジストの光吸収によるパターン形状劣化や感度が
問題となるため、光吸収が少なくかつ高感度な化学増幅
型レジストが開発され、実用化に向けて様々な検討がな
されてきた。その中で、化学増幅型レジストの量産レベ
ルでの実用化を阻む問題点が明らかになってきた。
【０００４】化学増幅型レジストにおける代表的な問題
の一つに、種々の下地膜上におけるパターン断面異常が
挙げられる。特に下地膜が窒化シリコン，窒化チタンな
どの窒素原子を含有する膜であった場合にポジ型のレジ
ストが示す裾引き形状は深刻な問題である。窒化シリコ
ン膜はＬＯＣＯＳ形成時のエッチングマスクとして用い
られる。また、窒化シリコンおよび窒化チタンは有望な
無機反射防止膜である。そのため、窒化膜系材料上にお
けるパターニングは必須であり、のようなパターン形状
異常を解決する必要がある。
の一つに、種々の下地膜上におけるパターン断面異常が
挙げられる。特に下地膜が窒化シリコン，窒化チタンな
どの窒素原子を含有する膜であった場合にポジ型のレジ
ストが示す裾引き形状は深刻な問題である。窒化シリコ
ン膜はＬＯＣＯＳ形成時のエッチングマスクとして用い
られる。また、窒化シリコンおよび窒化チタンは有望な
無機反射防止膜である。そのため、窒化膜系材料上にお
けるパターニングは必須であり、のようなパターン形状
異常を解決する必要がある。
【０００５】このようなパターン形状異常の原因として
窒化膜表面の残留アンモニアや環境による汚染アンモニ
アによる酸のトラップ、あるいは膜中の窒素原子の非共
有電子対による酸のトラップなどが考えられてきた。ま
た、解決法としては、窒化シリコン膜表面を酸素プラズ
マによって酸化膜化する方法，中性の有機膜をレジスト
と下地膜の中間にはさむ方法，レジストに塩を加える方
法などが検討されている。これらの解決法は例えば、１
９９４年第４１回春季応用物理学会予稿集，第２分冊，
５６６頁，２９ａ−ＭＢ−１０および２９ｐ−ＭＢ−１
に示されている。
窒化膜表面の残留アンモニアや環境による汚染アンモニ
アによる酸のトラップ、あるいは膜中の窒素原子の非共
有電子対による酸のトラップなどが考えられてきた。ま
た、解決法としては、窒化シリコン膜表面を酸素プラズ
マによって酸化膜化する方法，中性の有機膜をレジスト
と下地膜の中間にはさむ方法，レジストに塩を加える方
法などが検討されている。これらの解決法は例えば、１
９９４年第４１回春季応用物理学会予稿集，第２分冊，
５６６頁，２９ａ−ＭＢ−１０および２９ｐ−ＭＢ−１
に示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題を明らかにするために、レジストパターンが形
成される下地膜（反射防止膜あるいは被加工膜）が窒化
シリコン膜である場合について説明する。
する課題を明らかにするために、レジストパターンが形
成される下地膜（反射防止膜あるいは被加工膜）が窒化
シリコン膜である場合について説明する。
【０００７】まず、ポジ型化学増幅型レジストにおける
パターン形成の機構を図２を用いて説明する。被加工基
板１上に窒化シリコン膜２，レジスト膜３を順次被着
し、マスク５を介して遠紫外光４をレジスト膜３に照射
すると、レジスト膜中に酸６が発生する。化学増幅型レ
ジストでは、この酸を触媒としてレジストの可溶化反応
が起こるため、現像時にエネルギ線照射部分のみが現像
液に溶解し、レジストパターンが形成される。しかし、
レジスト膜の下地材料が窒化シリコン膜に代表される窒
化膜系の材料であった場合、図２（ｅ）に示すように酸
の濃度が膜厚方向に分布を持ち、図２（ｆ）に示すよう
な裾引き状のパターン断面形状７になり、寸法精度が悪
くなる問題点がある。なお、ネガ型レジストの場合、パ
ターン断面形状に基板界面付近での食い込みが生じ、レ
ジストパターンの剥がれが引き起こされる問題がある。
パターン形成の機構を図２を用いて説明する。被加工基
板１上に窒化シリコン膜２，レジスト膜３を順次被着
し、マスク５を介して遠紫外光４をレジスト膜３に照射
すると、レジスト膜中に酸６が発生する。化学増幅型レ
ジストでは、この酸を触媒としてレジストの可溶化反応
が起こるため、現像時にエネルギ線照射部分のみが現像
液に溶解し、レジストパターンが形成される。しかし、
レジスト膜の下地材料が窒化シリコン膜に代表される窒
化膜系の材料であった場合、図２（ｅ）に示すように酸
の濃度が膜厚方向に分布を持ち、図２（ｆ）に示すよう
な裾引き状のパターン断面形状７になり、寸法精度が悪
くなる問題点がある。なお、ネガ型レジストの場合、パ
ターン断面形状に基板界面付近での食い込みが生じ、レ
ジストパターンの剥がれが引き起こされる問題がある。
【０００８】このような窒化シリコン膜上でのレジスト
パターン形状異常を解決するために、我々はまず、その
原因について検討を重ねた。その結果、窒化シリコン膜
表面に約１原子層の表面酸化膜が存在し、この表面酸化
膜中の水酸基が塩基としてふるまうことがわかった。窒
化膜表面では、図３（ａ）に示すように、この塩基性水
酸基がレジスト中の酸６をトラップし、また、レジスト
ポリマー１３と結合するため、化学増幅型レジストの可
溶化はもちろんのこと、溶解阻害型レジストの現像も阻
害される。一方、シリコンウェハの表面酸化膜中の水酸
基は酸としてふるまい、図３（ｂ）に示すようにレジス
トの反応に影響を及ぼしていないこともわかった。さら
に、このような窒化シリコン膜表面の水酸基の性質は水
酸基の結合しているシリコン原子の他の結合手が結合し
ている窒素原子の影響であることが予測された。以上よ
り、パターン断面異常を解決するためには、このような
表面水酸基の性質を改善する必要がある。本発明の目的
は、窒化膜等の下地膜表面の水酸基をより簡便な方法で
改質し、反射防止膜あるいは被加工膜での良好なレジス
トパターンを形成する方法を提供することにある。
パターン形状異常を解決するために、我々はまず、その
原因について検討を重ねた。その結果、窒化シリコン膜
表面に約１原子層の表面酸化膜が存在し、この表面酸化
膜中の水酸基が塩基としてふるまうことがわかった。窒
化膜表面では、図３（ａ）に示すように、この塩基性水
酸基がレジスト中の酸６をトラップし、また、レジスト
ポリマー１３と結合するため、化学増幅型レジストの可
溶化はもちろんのこと、溶解阻害型レジストの現像も阻
害される。一方、シリコンウェハの表面酸化膜中の水酸
基は酸としてふるまい、図３（ｂ）に示すようにレジス
トの反応に影響を及ぼしていないこともわかった。さら
に、このような窒化シリコン膜表面の水酸基の性質は水
酸基の結合しているシリコン原子の他の結合手が結合し
ている窒素原子の影響であることが予測された。以上よ
り、パターン断面異常を解決するためには、このような
表面水酸基の性質を改善する必要がある。本発明の目的
は、窒化膜等の下地膜表面の水酸基をより簡便な方法で
改質し、反射防止膜あるいは被加工膜での良好なレジス
トパターンを形成する方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、反射防止膜
あるいは被加工膜の形成過程において、不活性ガスある
いは酸素ガスを導入するか、あるいはガス導入を中止
し、反射防止膜あるいは被加工膜表面に複数の原子層の
酸化膜あるいは単一原子からなる膜を形成することによ
り達成される。
あるいは被加工膜の形成過程において、不活性ガスある
いは酸素ガスを導入するか、あるいはガス導入を中止
し、反射防止膜あるいは被加工膜表面に複数の原子層の
酸化膜あるいは単一原子からなる膜を形成することによ
り達成される。
【００１０】本発明の作用を反射防止膜に窒化シリコン
膜，膜形成方法としてスパッタ法を用いた場合を例にと
り、図１を用いて説明する。被加工基板１をシリコンを
ターゲットとしたスパッタ装置内に入れ、窒素ガスある
いは窒素混合ガスをバッファガスとして導入し、スパッ
タを開始する。ターゲットから生成したシリコン原子８
とバッファガス中の窒素原子９が被加工基板表面で窒化
シリコンを形成し、膜２が形成される。所望の厚さだけ
形成した後、バッファガスをアルゴンに変えてさらに膜
形成を続ける。このとき、バッファガスの組成を徐々に
変化させてもよい。結果として、複数の原子層のシリコ
ン層１２を表面に形成する。そのあと、被加工基板をス
パッタ装置から取り出すと自然酸化膜が表面に形成され
る。表面の酸化膜あるいはシリコン膜が２原子以上あれ
ば、膜表面の水酸基が結合するシリコンのバックボンド
がシリコンあるいは酸素となるため、表面水酸基が塩基
ではなく酸の性質を持つ。このため、その後、レジスト
膜３を表面に塗布し露光マスク５及び適当な光学系を介
して遠紫外線４を照射し、遠紫外線照射部（以下露光
部）に酸６を発生させても、この酸に窒化膜は何ら影響
を及ぼさない。また、レジストポリマとの結合も生じ
ず、露光後ベークおよび現像ののちに良いレジストパタ
ーン７を得る。
膜，膜形成方法としてスパッタ法を用いた場合を例にと
り、図１を用いて説明する。被加工基板１をシリコンを
ターゲットとしたスパッタ装置内に入れ、窒素ガスある
いは窒素混合ガスをバッファガスとして導入し、スパッ
タを開始する。ターゲットから生成したシリコン原子８
とバッファガス中の窒素原子９が被加工基板表面で窒化
シリコンを形成し、膜２が形成される。所望の厚さだけ
形成した後、バッファガスをアルゴンに変えてさらに膜
形成を続ける。このとき、バッファガスの組成を徐々に
変化させてもよい。結果として、複数の原子層のシリコ
ン層１２を表面に形成する。そのあと、被加工基板をス
パッタ装置から取り出すと自然酸化膜が表面に形成され
る。表面の酸化膜あるいはシリコン膜が２原子以上あれ
ば、膜表面の水酸基が結合するシリコンのバックボンド
がシリコンあるいは酸素となるため、表面水酸基が塩基
ではなく酸の性質を持つ。このため、その後、レジスト
膜３を表面に塗布し露光マスク５及び適当な光学系を介
して遠紫外線４を照射し、遠紫外線照射部（以下露光
部）に酸６を発生させても、この酸に窒化膜は何ら影響
を及ぼさない。また、レジストポリマとの結合も生じ
ず、露光後ベークおよび現像ののちに良いレジストパタ
ーン７を得る。
【００１１】これまでの説明は全て光リソグラフィ、特
に遠紫外光を用いた場合について述べて来たが、通常の
水銀灯を用いた紫外光による露光，電子線やＸ線等の他
のエネルギ線を用いた露光でも同様であることはいうま
でもない。
に遠紫外光を用いた場合について述べて来たが、通常の
水銀灯を用いた紫外光による露光，電子線やＸ線等の他
のエネルギ線を用いた露光でも同様であることはいうま
でもない。
【００１２】
【発明の実施の形態】被加工基板であるシリコン基板上
に反射防止膜を形成するため、印加電極とスパッタター
ゲットであるシリコン基板を備えたスパッタ装置内に上
記基板を搬入し、チャンバ内を真空引きした。窒素ガス
を流量２０［sccm］，到達圧力５×１０-4［Ｐａ］で導
入し、印加電極に１３.５６ＭＨｚ の高周波を印加し
た。
に反射防止膜を形成するため、印加電極とスパッタター
ゲットであるシリコン基板を備えたスパッタ装置内に上
記基板を搬入し、チャンバ内を真空引きした。窒素ガス
を流量２０［sccm］，到達圧力５×１０-4［Ｐａ］で導
入し、印加電極に１３.５６ＭＨｚ の高周波を印加し
た。
【００１３】５００［Ｗ］，スパッタ圧力６.７×１０
-1［Ｐａ］ で約９分間スパッタリングし、窒化シリコ
ン膜を被加工基板上に形成した。引き続いて、導入ガス
をＡｒガスに切り替え、約一分間スパッタリングを継続
した。その結果、最表面に数原子層の酸化シリコン膜が
形成された厚さ約１００ｎｍの窒化シリコン膜を、被加
工基板上に得た。この窒化シリコン膜上に、部分保護化
ポリヒドロキシスチレンをベースポリマとし、トリフェ
ニルスルホニルトリフレートを酸発生剤として含有した
ポジ型化学増幅型レジストを塗布し、膜厚０.７μｍ の
レジスト膜を形成した。８０℃２分間のソフトベークを
行った後、ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置(Ｎ
Ａ＝０.４５）と所望のマスクパターンを用いて、レジ
スト膜を露光した。
-1［Ｐａ］ で約９分間スパッタリングし、窒化シリコ
ン膜を被加工基板上に形成した。引き続いて、導入ガス
をＡｒガスに切り替え、約一分間スパッタリングを継続
した。その結果、最表面に数原子層の酸化シリコン膜が
形成された厚さ約１００ｎｍの窒化シリコン膜を、被加
工基板上に得た。この窒化シリコン膜上に、部分保護化
ポリヒドロキシスチレンをベースポリマとし、トリフェ
ニルスルホニルトリフレートを酸発生剤として含有した
ポジ型化学増幅型レジストを塗布し、膜厚０.７μｍ の
レジスト膜を形成した。８０℃２分間のソフトベークを
行った後、ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置(Ｎ
Ａ＝０.４５）と所望のマスクパターンを用いて、レジ
スト膜を露光した。
【００１４】図４はＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光
装置の概要である。光源２１から発する光は、フライア
イレンズ２２，コンデンサレンズ群２３，２５及びミラ
ー３４を介してマスク２６を照明する。マスク２６上に
描かれたパターンは、投影レンズ２７を介して被加工基
板であるウェハ２８上に投影される。なお、マスク２６
はマスク位置制御手段で制御されたマスクステージ３６
上に載置され、その中心と投影レンズ２７の光軸とは正
確に位置合わせがなされている。ウェハ２８は、試料台
２９上に真空吸着されている。試料台２９は、投影レン
ズ２７の光軸方向すなわちＺ方向に移動可能なＺステー
ジ３０上に載置され、さらにＸＹ方向に移動可能なＸＹ
ステージ３１上に搭載されている。Ｚステージ３０およ
びＸＹステージ３１は、主制御系３７からの制御命令に
応じてそれぞれの駆動手段３２，３３によって駆動され
るので、所望の露光位置に移動可能である。その位置は
Ｚステージ３０に固定されたミラー３４の位置として、
レーザ測長器３５で正確にモニタされている。また、ウ
ェハ２８の表面位置は、通常の露光装置が有する焦点位
置検出手段で計測される。計測結果に応じてＺステージ
３０を駆動させることにより、ウェハ２８の表面は常に
投影レンズ２７の結像面と一致させることができる。
装置の概要である。光源２１から発する光は、フライア
イレンズ２２，コンデンサレンズ群２３，２５及びミラ
ー３４を介してマスク２６を照明する。マスク２６上に
描かれたパターンは、投影レンズ２７を介して被加工基
板であるウェハ２８上に投影される。なお、マスク２６
はマスク位置制御手段で制御されたマスクステージ３６
上に載置され、その中心と投影レンズ２７の光軸とは正
確に位置合わせがなされている。ウェハ２８は、試料台
２９上に真空吸着されている。試料台２９は、投影レン
ズ２７の光軸方向すなわちＺ方向に移動可能なＺステー
ジ３０上に載置され、さらにＸＹ方向に移動可能なＸＹ
ステージ３１上に搭載されている。Ｚステージ３０およ
びＸＹステージ３１は、主制御系３７からの制御命令に
応じてそれぞれの駆動手段３２，３３によって駆動され
るので、所望の露光位置に移動可能である。その位置は
Ｚステージ３０に固定されたミラー３４の位置として、
レーザ測長器３５で正確にモニタされている。また、ウ
ェハ２８の表面位置は、通常の露光装置が有する焦点位
置検出手段で計測される。計測結果に応じてＺステージ
３０を駆動させることにより、ウェハ２８の表面は常に
投影レンズ２７の結像面と一致させることができる。
【００１５】上記の露光後、８０℃２分間の露光後ベー
クを行い、２.３８％ のテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドで一分間現像した。
クを行い、２.３８％ のテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドで一分間現像した。
【００１６】以上のプロセスによって形成されたレジス
トパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡を用いて観察
した結果、線幅０.２５μｍ のラインアンドスペースパ
ターンをはじめとする微細パターンで、裾引きのない垂
直なパターン形状を得たことを確認した。また、パター
ン寸法分布を測定した結果、非常によい寸法精度を得
た。さらに、プロセスをＬＳＩ加工に導入した結果、
０.２５ ルールのデバイスが製造できた。
トパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡を用いて観察
した結果、線幅０.２５μｍ のラインアンドスペースパ
ターンをはじめとする微細パターンで、裾引きのない垂
直なパターン形状を得たことを確認した。また、パター
ン寸法分布を測定した結果、非常によい寸法精度を得
た。さらに、プロセスをＬＳＩ加工に導入した結果、
０.２５ ルールのデバイスが製造できた。
【００１７】なお、反射防止膜は本実施例に示したもの
に限らず、スパッタターゲットをチタンに代えることに
よって、窒化チタンを形成することができる。また、本
実施例ではポジ型化学増幅型レジストにおける本発明の
効果を示したが、他の酸発生剤を含むポジ型化学増幅型
レジストや、架橋剤を含有したネガ型レジストの場合、
また、ナフトキノンジアジド等を含んだ溶解抑止型レジ
ストの場合も有効であった。
に限らず、スパッタターゲットをチタンに代えることに
よって、窒化チタンを形成することができる。また、本
実施例ではポジ型化学増幅型レジストにおける本発明の
効果を示したが、他の酸発生剤を含むポジ型化学増幅型
レジストや、架橋剤を含有したネガ型レジストの場合、
また、ナフトキノンジアジド等を含んだ溶解抑止型レジ
ストの場合も有効であった。
【００１８】本実施例ではパターン露光にＫｒＦエキシ
マレーザ縮小露光を用いたが、他の方法を用いても良
い。例えば、電子線露光，ＡｒＦエキシマレーザ密着露
光あるいは縮小投影露光，遠紫外線を光源とするステッ
プアンドスキャン反射型縮小投影露光または軟Ｘ線等を
用いることができる。また、ＮＡもこれに限るものでは
ない。
マレーザ縮小露光を用いたが、他の方法を用いても良
い。例えば、電子線露光，ＡｒＦエキシマレーザ密着露
光あるいは縮小投影露光，遠紫外線を光源とするステッ
プアンドスキャン反射型縮小投影露光または軟Ｘ線等を
用いることができる。また、ＮＡもこれに限るものでは
ない。
【００１９】また、本実施例ではＲＦ電源を用いたスパ
ッタ法の場合を示したが、ＤＣ電源を用いてもよい。な
お、シランとアンモニアガスによるＣＶＤ法で窒化シリ
コン膜を形成し、ＣＶＤ膜形成終了直前にシランガスの
みを導入して窒素を含まないシリコン膜を形成した場合
にも同様に形状改善，寸法精度向上に効果があった。
ッタ法の場合を示したが、ＤＣ電源を用いてもよい。な
お、シランとアンモニアガスによるＣＶＤ法で窒化シリ
コン膜を形成し、ＣＶＤ膜形成終了直前にシランガスの
みを導入して窒素を含まないシリコン膜を形成した場合
にも同様に形状改善，寸法精度向上に効果があった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、レジストパターン断面
が裾引きあるいは食い込み形状になる反射防止膜あるい
は被加工膜上においても、極めて微細かつ良好な形状を
有するレジストパターンを、比較的簡単なプロセスで形
成することができる。
が裾引きあるいは食い込み形状になる反射防止膜あるい
は被加工膜上においても、極めて微細かつ良好な形状を
有するレジストパターンを、比較的簡単なプロセスで形
成することができる。
【図１】本発明の原理を模式的に示す工程の説明図。
【図２】化学増幅型レジストにおける反応機構とパター
ンの劣化を模式的に示す工程の説明図。
ンの劣化を模式的に示す工程の説明図。
【図３】窒化シリコン膜表面の水酸基の働きを模式的に
示す説明図。
示す説明図。
【図４】ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置の説明
図。
図。
１…被加工基板、２…窒化シリコン膜、３…レジスト
膜、４…遠紫外線光、５…露光マスク、６…酸、７…レ
ジストパターン、８…シリコン、９…窒素、１０…窒素
プラズマ、１１…アルゴンプラズマ、１２…シリコン
膜。
膜、４…遠紫外線光、５…露光マスク、６…酸、７…レ
ジストパターン、８…シリコン、９…窒素、１０…窒素
プラズマ、１１…アルゴンプラズマ、１２…シリコン
膜。
フロントページの続き (72)発明者 田中 稔彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】被加工基板上に反射防止膜を形成する工程
と、レジスト膜を塗布する工程と、上記レジスト膜の所
望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記レジスト
膜を現像する工程を含むパターン形成方法、あるいは、
上記被加工基板上に被加工膜を形成した後、上記被加工
膜上に直接レジスト膜を塗布する工程と、上記レジスト
膜の所望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記レ
ジスト膜を現像する工程を含むパターン形成方法におい
て、 上記反射防止膜あるいは被加工膜を形成する工程の最後
に不活性ガスあるいは酸素ガスを導入することによっ
て、上記反射防止膜あるいは被加工膜表面に複数の原子
層の表面酸化膜を形成するか、表面酸化膜と単一原子で
構成される２層膜を形成するか、あるいは複数の原子層
の窒素を含まない膜を形成することを特徴とするパター
ン形成方法。 - 【請求項２】上記レジスト膜がエネルギ線の照射によっ
て酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト
である請求項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】上記レジスト膜がエネルギ線の照射によっ
て溶解速度が変化するノボラック−ナフトキノン等の溶
解阻害型レジストである請求項１に記載のパターン形成
方法。 - 【請求項４】上記反射防止膜および被加工膜が、ＳｉＮ
ｘ，ＳｉＮｘＯｙ，ＴｉＮｘ（ｘおよびｙは任意の実
数）、などの窒素原子を含んでいる膜である請求項１，
２または３に記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】上記反射防止膜および被加工膜をスパッタ
ー法あるいはＣＶＤ法で形成する請求項１，２，３また
は４に記載のパターン形成方法。 - 【請求項６】被加工基板上に窒素ガスを導入し、高電圧
を印加して窒素プラズマを発生させ、これを用いて窒化
膜を堆積する反射防止膜あるいは被加工膜の形成方法に
おいて、上記窒化膜形成の終了前にアルゴンガスを導入
し、上記窒化膜の最表面が酸化膜とする請求項１，２，
３，４または５に記載のパターン形成方法。 - 【請求項７】被加工基板上に、シランとアンモニアを反
応させて窒化シリコン膜を形成する反射防止膜あるいは
被加工膜の形成方法において、上記窒化シリコン膜形成
の終了前にアンモニアの導入を中止してシランのみを導
入し、上記窒化膜の表面に２原子層以上のポリシリコン
膜を形成するか、あるいは上記窒化シリコン膜形成の終
了前にアンモニアに変えて酸素を導入し上記窒化膜の表
面に酸化シリコン膜を形成する請求項１，２，３，４ま
たは５に記載のパターン形成方法。 - 【請求項８】被加工膜あるいは反射防止膜である下地膜
上に、レジスト膜を塗布する工程と、上記レジスト膜の
所望の場所にエネルギ線を照射する工程と、上記レジス
ト膜を現像する工程を含むパターン形成方法において、
上記下地膜が最表面に酸性水酸基が形成された窒化膜で
あることを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項９】反射防止膜あるいは被加工膜を形成する工
程の最後に不活性ガスあるいは酸素ガスを導入すること
によって、前記反射防止膜あるいは被加工膜表面に複数
の原子層の表面酸化膜を形成するか、表面酸化膜と単一
原子で構成される２層膜を形成するか、あるいは複数の
原子層の窒素を含まない膜を形成することを特徴とする
膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292466A JPH09134867A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 膜形成およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292466A JPH09134867A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 膜形成およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134867A true JPH09134867A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17782181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7292466A Pending JPH09134867A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 膜形成およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970051923A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | ||
| KR100921932B1 (ko) * | 2007-10-25 | 2009-10-15 | 포항공과대학교 산학협력단 | 다원자분자를 이용한 패터닝방법 |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP7292466A patent/JPH09134867A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970051923A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | ||
| KR100921932B1 (ko) * | 2007-10-25 | 2009-10-15 | 포항공과대학교 산학협력단 | 다원자분자를 이용한 패터닝방법 |
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