JPH09134880A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH09134880A JPH09134880A JP29088895A JP29088895A JPH09134880A JP H09134880 A JPH09134880 A JP H09134880A JP 29088895 A JP29088895 A JP 29088895A JP 29088895 A JP29088895 A JP 29088895A JP H09134880 A JPH09134880 A JP H09134880A
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- wafer
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特
に、ＣＶＤ装置において、パーティクルが発生しにくい
ようにすると共に膜厚分布の改善を図ることを課題とす
る。 【解決手段】 チャンバ１１内に設けて有り、ウェハが
搬送されるときにはウェハの搬送を妨害しない高さに位
置し、処理中にはゲート１３に対向する高さに位置し
て、ゲート１３をヒータ１５の熱より遮蔽するシャッタ
４１を有する。シャッタ４１は、内部が空洞であり、複
数の反応ガス噴き出し口６０を有し、且つ、上記空洞
を、反応ガス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側
室と通路側寄りの通路側室とに仕切るように配された多
孔板を有する。反応ガスは、通路側室内に入り、多孔板
を通って反応ガス噴き出し口側室に入り、チャンバ内に
置かれたウェハ３０に対応する高さに位置する反応ガス
噴き出し口６０からウェハ３０に向かって噴き出すよう
構成する。
に、ＣＶＤ装置において、パーティクルが発生しにくい
ようにすると共に膜厚分布の改善を図ることを課題とす
る。 【解決手段】 チャンバ１１内に設けて有り、ウェハが
搬送されるときにはウェハの搬送を妨害しない高さに位
置し、処理中にはゲート１３に対向する高さに位置し
て、ゲート１３をヒータ１５の熱より遮蔽するシャッタ
４１を有する。シャッタ４１は、内部が空洞であり、複
数の反応ガス噴き出し口６０を有し、且つ、上記空洞
を、反応ガス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側
室と通路側寄りの通路側室とに仕切るように配された多
孔板を有する。反応ガスは、通路側室内に入り、多孔板
を通って反応ガス噴き出し口側室に入り、チャンバ内に
置かれたウェハ３０に対応する高さに位置する反応ガス
噴き出し口６０からウェハ３０に向かって噴き出すよう
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置に係り、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)
装置に関する。ＣＶＤ装置は、パーティクルが発生しに
くいこと、及び、ウェハ面に均一厚さの膜が形成される
ことが要求される。
置に係り、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)
装置に関する。ＣＶＤ装置は、パーティクルが発生しに
くいこと、及び、ウェハ面に均一厚さの膜が形成される
ことが要求される。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の１例のＣＶＤ装置１０を
示す。ＣＶＤ装置１０は、枚葉式であり、真空に保たれ
ているチャンバ１１と、チャンバ１１の入口１２に設け
てあるステンレス製のゲート１３とを有し、更に、チャ
ンバ１１内に、ウェハ３０を支持するステージ１４、抵
抗加熱ヒータ１５、反応ガス整流板１６、グラファイト
製のシャッタ１７等を有する構成である。
示す。ＣＶＤ装置１０は、枚葉式であり、真空に保たれ
ているチャンバ１１と、チャンバ１１の入口１２に設け
てあるステンレス製のゲート１３とを有し、更に、チャ
ンバ１１内に、ウェハ３０を支持するステージ１４、抵
抗加熱ヒータ１５、反応ガス整流板１６、グラファイト
製のシャッタ１７等を有する構成である。
【０００３】ゲート１３は、上下動し、ウェハ３０が搬
送されるときにチャンバ１１の入口１２を開き、処理中
にはチャンバ１１の入口１２を閉じる。ヒータ１５は、
処理中のウェハ３０を加熱する。シャッタ１７は、上下
動し、ウェハが搬送されるときにはウェハの搬送を妨害
しない高さに位置する。処理中は、上動して、ゲート１
３に対向する高さに位置して、ヒータ１５よりの輻射熱
を遮蔽して、輻射熱がゲート１３に及ぶのを防ぐ。輻射
熱によりステンレス製のゲート１３が加熱されて、加熱
されたゲート１３の表面から金属汚染物が発生するとい
うことが起きないようにするためである。
送されるときにチャンバ１１の入口１２を開き、処理中
にはチャンバ１１の入口１２を閉じる。ヒータ１５は、
処理中のウェハ３０を加熱する。シャッタ１７は、上下
動し、ウェハが搬送されるときにはウェハの搬送を妨害
しない高さに位置する。処理中は、上動して、ゲート１
３に対向する高さに位置して、ヒータ１５よりの輻射熱
を遮蔽して、輻射熱がゲート１３に及ぶのを防ぐ。輻射
熱によりステンレス製のゲート１３が加熱されて、加熱
されたゲート１３の表面から金属汚染物が発生するとい
うことが起きないようにするためである。
【０００４】１８は反応ガス噴き出し口であり、高さＨ
１に位置している。高さＨ１は、ウェハの搬送を妨害し
ない高さであり、ステージ１４に支持されているウェハ
３０の高さＨ０より相当に低い位置である。反応ガス
は、反応ガス噴き出し口１８より、矢印２０で示すよう
に噴き出し、加熱されているウェハ３０の表面に沿って
流れ、排気口１９より出る。ウェハ３０の表面において
化学的気相成長が行われて、ウェハ３０の表面に膜が形
成される。
１に位置している。高さＨ１は、ウェハの搬送を妨害し
ない高さであり、ステージ１４に支持されているウェハ
３０の高さＨ０より相当に低い位置である。反応ガス
は、反応ガス噴き出し口１８より、矢印２０で示すよう
に噴き出し、加熱されているウェハ３０の表面に沿って
流れ、排気口１９より出る。ウェハ３０の表面において
化学的気相成長が行われて、ウェハ３０の表面に膜が形
成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のＣＶ
Ｄ装置１０は、反応ガスが噴き出る高さが、ステージ１
４に支持されているウェハ３０の高さＨ０より相当に低
い位置よりであるため、反応ガスの一部は、符号２１で
示すように、滞留し易い。反応ガスが滞留すると、その
部分で反応が進み、パーティクルが発生してしまう。発
生したパーティクルは、ウェハ３０の表面の膜に悪い影
響を及ぼす。
Ｄ装置１０は、反応ガスが噴き出る高さが、ステージ１
４に支持されているウェハ３０の高さＨ０より相当に低
い位置よりであるため、反応ガスの一部は、符号２１で
示すように、滞留し易い。反応ガスが滞留すると、その
部分で反応が進み、パーティクルが発生してしまう。発
生したパーティクルは、ウェハ３０の表面の膜に悪い影
響を及ぼす。
【０００６】また、反応ガスが噴き出る高さが、ステー
ジ１４に支持されているウェハ３０の高さＨ０より相当
に低い位置よりであるため、ウェハ３０の表面に沿う反
応ガスの流れの状態である層流が不安定となり、ウェハ
面に形成された膜の厚さの分布に悪い影響を及ぼしてい
た。
ジ１４に支持されているウェハ３０の高さＨ０より相当
に低い位置よりであるため、ウェハ３０の表面に沿う反
応ガスの流れの状態である層流が不安定となり、ウェハ
面に形成された膜の厚さの分布に悪い影響を及ぼしてい
た。
【０００７】そこで、本発明は、上記課題を解決した半
導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、処理
されるウェハが収容されるチャンバと、ウェハが搬送さ
れるときにチャンバの入口を開き、処理中にはチャンバ
の入口を閉じるゲートと、処理中に該チャンバ内に反応
ガスを供給する反応ガス供給手段とを有する半導体装置
の製造装置において、反応ガス噴き出し口が、ウェハの
搬送を妨害しない高さ位置と、該チャンバ内に置かれた
ウェハに対応する高さ位置との間を移動する構成とし、
反応ガスが、該チャンバ内に置かれたウェハに対応する
高さからウェハに向かって噴き出す構成としたものであ
る。
されるウェハが収容されるチャンバと、ウェハが搬送さ
れるときにチャンバの入口を開き、処理中にはチャンバ
の入口を閉じるゲートと、処理中に該チャンバ内に反応
ガスを供給する反応ガス供給手段とを有する半導体装置
の製造装置において、反応ガス噴き出し口が、ウェハの
搬送を妨害しない高さ位置と、該チャンバ内に置かれた
ウェハに対応する高さ位置との間を移動する構成とし、
反応ガスが、該チャンバ内に置かれたウェハに対応する
高さからウェハに向かって噴き出す構成としたものであ
る。
【０００９】請求項２の発明は、処理されるウェハが収
容されるチャンバと、該チャンバ内に設けて有り、処理
中のウェハを加熱するヒータと、ウェハが搬送されると
きにチャンバの入口を開き、処理中にはチャンバの入口
を閉じるゲートと、ウェハが搬送されるときにはウェハ
の搬送を妨害しない高さに位置し、処理中には該ゲート
に対向する高さに位置して、上記ヒータの熱を遮蔽する
シャッタと、処理中に該チャンバ内に反応ガスを供給す
る反応ガス供給手段とを有し、上記シャッタを、内部が
空洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に反応ガ
ス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に反応ガスを導く
通路を有する構成とし、反応ガスが、該チャンバ内に置
かれたウェハに対応する高さに位置する、上記シャッタ
の反応ガス噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構
成としたものである。
容されるチャンバと、該チャンバ内に設けて有り、処理
中のウェハを加熱するヒータと、ウェハが搬送されると
きにチャンバの入口を開き、処理中にはチャンバの入口
を閉じるゲートと、ウェハが搬送されるときにはウェハ
の搬送を妨害しない高さに位置し、処理中には該ゲート
に対向する高さに位置して、上記ヒータの熱を遮蔽する
シャッタと、処理中に該チャンバ内に反応ガスを供給す
る反応ガス供給手段とを有し、上記シャッタを、内部が
空洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に反応ガ
ス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に反応ガスを導く
通路を有する構成とし、反応ガスが、該チャンバ内に置
かれたウェハに対応する高さに位置する、上記シャッタ
の反応ガス噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構
成としたものである。
【００１０】請求項３の発明は、シャッタを、内部が空
洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に複数の反
応ガス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に反応ガスを
導く通路を有し、且つ、上記空洞を、反応ガス噴き出し
口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側寄りの通路
側室とに仕切るように配された多孔板を有する構成と
し、反応ガスが、該通路側室内に入り、該多孔板を通っ
て上記反応ガス噴き出し口側室に入り、該チャンバ内に
置かれたウェハに対応する高さに位置する上記反応ガス
噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構成としたも
のである。
洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に複数の反
応ガス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に反応ガスを
導く通路を有し、且つ、上記空洞を、反応ガス噴き出し
口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側寄りの通路
側室とに仕切るように配された多孔板を有する構成と
し、反応ガスが、該通路側室内に入り、該多孔板を通っ
て上記反応ガス噴き出し口側室に入り、該チャンバ内に
置かれたウェハに対応する高さに位置する上記反応ガス
噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構成としたも
のである。
【００１１】請求項４の発明は、上記シャッタを、内部
が空洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に複数
の反応ガス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に異なる
種類の反応ガスを別々に導く複数の通路を有し、且つ、
上記空洞を、反応ガス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き
出し口側室と通路側寄りの通路側室とに仕切るように配
された多孔板を有し、且つ、該通路側室を各通路毎の通
路対応室に仕切る仕切り部とを有する構成とし、異なる
種類の反応ガスが、別々の通路を通って上記通路対応室
に入り、該多孔板を通って上記反応ガス噴き出し口側室
に入り、ここで混合されて、該チャンバ内に置かれたウ
ェハに対応する高さに位置する反応ガス噴き出し口から
ウェハに向かって噴き出す構成としたものである。
が空洞であり、上記チャンバの内部に対向する面に複数
の反応ガス噴き出し口を有し、且つ上記空洞内に異なる
種類の反応ガスを別々に導く複数の通路を有し、且つ、
上記空洞を、反応ガス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き
出し口側室と通路側寄りの通路側室とに仕切るように配
された多孔板を有し、且つ、該通路側室を各通路毎の通
路対応室に仕切る仕切り部とを有する構成とし、異なる
種類の反応ガスが、別々の通路を通って上記通路対応室
に入り、該多孔板を通って上記反応ガス噴き出し口側室
に入り、ここで混合されて、該チャンバ内に置かれたウ
ェハに対応する高さに位置する反応ガス噴き出し口から
ウェハに向かって噴き出す構成としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例になる枚
葉式のＣＶＤ装置４０を示す。ＣＶＤ装置４０は、シャ
ッタの部分を除いて、図７のＣＶＤ装置１０と同じ構成
であり、図１中、図７に示す構成部分と同じ構成部分に
は同一符号を付し、その説明は省略する。
葉式のＣＶＤ装置４０を示す。ＣＶＤ装置４０は、シャ
ッタの部分を除いて、図７のＣＶＤ装置１０と同じ構成
であり、図１中、図７に示す構成部分と同じ構成部分に
は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００１３】シャッタ４１は、ヒータ１５よりの輻射熱
を遮蔽するという機能の他に、反応ガスを噴き出すとい
う機能を有する。シャッタ４１は、図２、図３に示すよ
うに、内部が空洞４２である板状の直方体形状のシャッ
タ本体４３と、シャッタ本体４３より下方に延在してい
る中空の柱４４と、シャッタ本体４３内に組み込んであ
る多孔板４５とより成る。
を遮蔽するという機能の他に、反応ガスを噴き出すとい
う機能を有する。シャッタ４１は、図２、図３に示すよ
うに、内部が空洞４２である板状の直方体形状のシャッ
タ本体４３と、シャッタ本体４３より下方に延在してい
る中空の柱４４と、シャッタ本体４３内に組み込んであ
る多孔板４５とより成る。
【００１４】シャッタ本体４３及び中空の柱４４は、グ
ラファイト製であり、表面が膜厚が１００μｍのＳｉＣ
膜で被覆してある。柱４４は、ステンレス製の中空の柱
４６と連結してある。シャッタ４１は、シャッタ昇降機
構４７により昇降され、ウェハが搬送されるときにはウ
ェハの搬送を妨害しない高さに位置する。処理中は、上
動して、ゲート１３に対向する高さに位置して、ヒータ
１５よりの輻射熱を遮蔽して、輻射熱がゲート１３に及
ぶのを防ぐ。
ラファイト製であり、表面が膜厚が１００μｍのＳｉＣ
膜で被覆してある。柱４４は、ステンレス製の中空の柱
４６と連結してある。シャッタ４１は、シャッタ昇降機
構４７により昇降され、ウェハが搬送されるときにはウ
ェハの搬送を妨害しない高さに位置する。処理中は、上
動して、ゲート１３に対向する高さに位置して、ヒータ
１５よりの輻射熱を遮蔽して、輻射熱がゲート１３に及
ぶのを防ぐ。
【００１５】シャッタ昇降機構４７は、図４に示すよう
に、モータ４８がねじ軸４９を回転させることによっ
て、シャッタ４１を支持している台５０が、ガイド５１
に沿って昇降する構成である。図２、図３に示すよう
に、シャッタ本体４３は、半体５５に半体５６を組み付
けた構造である。中空の柱４４及び中空の柱４６は、反
応ガスの通路５７を構成する。通路５７の上端は、シャ
ッタ本体４３の底部に連通しており、この部分が、開口
５８となっている。シャッタ本体４３のうち、チャンバ
１１の内部に対向する面５９に、反応ガス噴き出し口６
０が複数形成してある。反応ガス噴き出し口６０は、径
が３ｍｍであり、同じ高さ位置に、ピッチ２０ｍｍで水
平に整列している。
に、モータ４８がねじ軸４９を回転させることによっ
て、シャッタ４１を支持している台５０が、ガイド５１
に沿って昇降する構成である。図２、図３に示すよう
に、シャッタ本体４３は、半体５５に半体５６を組み付
けた構造である。中空の柱４４及び中空の柱４６は、反
応ガスの通路５７を構成する。通路５７の上端は、シャ
ッタ本体４３の底部に連通しており、この部分が、開口
５８となっている。シャッタ本体４３のうち、チャンバ
１１の内部に対向する面５９に、反応ガス噴き出し口６
０が複数形成してある。反応ガス噴き出し口６０は、径
が３ｍｍであり、同じ高さ位置に、ピッチ２０ｍｍで水
平に整列している。
【００１６】多孔板４５は、シャッタ本体４３内のう
ち、反応ガス噴き出し口６０より下側の位置に、水平に
組み込まれており、空洞４２を、反応ガス噴き出し口側
寄りの反応ガス噴き出し口側室６２と通路側寄りの通路
側室６１とに分けている。多孔板４５には、径が１ｍｍ
の小孔６３が、ピッチ５ｍｍで多数形成してある。多孔
板４５は、通路側室６１より反応ガス噴き出し口側室６
２に移動しようとする反応ガスに抵抗を与えて、反応ガ
ス噴き出し口側室６２内の反応ガスの圧力が、通路側室
６１内の圧力より低く、且つ反応ガス噴き出し口側室６
２内全体にわたって均一となるようにする。
ち、反応ガス噴き出し口６０より下側の位置に、水平に
組み込まれており、空洞４２を、反応ガス噴き出し口側
寄りの反応ガス噴き出し口側室６２と通路側寄りの通路
側室６１とに分けている。多孔板４５には、径が１ｍｍ
の小孔６３が、ピッチ５ｍｍで多数形成してある。多孔
板４５は、通路側室６１より反応ガス噴き出し口側室６
２に移動しようとする反応ガスに抵抗を与えて、反応ガ
ス噴き出し口側室６２内の反応ガスの圧力が、通路側室
６１内の圧力より低く、且つ反応ガス噴き出し口側室６
２内全体にわたって均一となるようにする。
【００１７】なお、反応ガス源６５が、反応ガス供給手
段を構成する。次に、ウェハ３０がチャンバ１１内に搬
入されステージ１４上に支持され、処理がされていると
きの状態について説明する。図５に示すように、シャッ
タ本体４３は上動した位置に位置しており、反応ガス噴
き出し口６０は、ステージ１４に支持されているウェハ
３０の高さＨ０に対応する高さＨ２に位置している。
段を構成する。次に、ウェハ３０がチャンバ１１内に搬
入されステージ１４上に支持され、処理がされていると
きの状態について説明する。図５に示すように、シャッ
タ本体４３は上動した位置に位置しており、反応ガス噴
き出し口６０は、ステージ１４に支持されているウェハ
３０の高さＨ０に対応する高さＨ２に位置している。
【００１８】反応ガス源６５よりの反応ガスは、通路５
７を通ってシャッタ本体４３内に供給され、反応ガス噴
き出し口６０より水平にウェハ３０に向かって噴き出
す。反応ガスは、通路５７を通って、矢印７０で示すよ
うに、通路側室６１に供給される。通路側室６１に供給
された反応ガスは、矢印７１で示すように、多孔板４５
の多数の小孔６３を通って、反応ガス噴き出し口側室６
２に移る。反応ガスは小孔６３を通るときに、抵抗を受
けて圧力を低下せしめられ、且つ整流せしめられる。よ
って、反応ガス噴き出し口側室６２内の反応ガスの状態
は、圧力が通路側室６１の圧力より低く、且つ反応ガス
噴き出し口側室６２全体にわたって均一となった状態と
なる。よって、反応ガスは、矢印７２で示すように、反
応ガス噴き出し口６０の夫々から等しく噴き出す。
７を通ってシャッタ本体４３内に供給され、反応ガス噴
き出し口６０より水平にウェハ３０に向かって噴き出
す。反応ガスは、通路５７を通って、矢印７０で示すよ
うに、通路側室６１に供給される。通路側室６１に供給
された反応ガスは、矢印７１で示すように、多孔板４５
の多数の小孔６３を通って、反応ガス噴き出し口側室６
２に移る。反応ガスは小孔６３を通るときに、抵抗を受
けて圧力を低下せしめられ、且つ整流せしめられる。よ
って、反応ガス噴き出し口側室６２内の反応ガスの状態
は、圧力が通路側室６１の圧力より低く、且つ反応ガス
噴き出し口側室６２全体にわたって均一となった状態と
なる。よって、反応ガスは、矢印７２で示すように、反
応ガス噴き出し口６０の夫々から等しく噴き出す。
【００１９】反応ガス噴き出し口６０の夫々から等しく
水平に噴き出した反応ガスは、ステージ１４に支持され
ているウェハ３０の表面に向かい、矢印７３で示すよう
に、ウェハ３０の表面に沿って流れ、排気口１９より出
る。化学的気相成長によって、ウェハ３０の表面に膜が
形成される。
水平に噴き出した反応ガスは、ステージ１４に支持され
ているウェハ３０の表面に向かい、矢印７３で示すよう
に、ウェハ３０の表面に沿って流れ、排気口１９より出
る。化学的気相成長によって、ウェハ３０の表面に膜が
形成される。
【００２０】ここで、反応ガスは、反応ガス噴き出し口
６０の夫々から水平の向きに噴き出してウェハ３０の表
面に向かうため、反応ガスを従来のようにウェハ３０よ
り下側の高さ位置より上向きに噴き出した場合にくらべ
て、チャンバ１１内における反応ガスの流れは円滑とな
り、反応ガスが滞留するということが起きにくい。この
ため、反応ガスの滞留が原因であるパーティクルの発生
を抑えることが出来る。この分、ウェハ３０の表面に良
質の膜を形成出来る。
６０の夫々から水平の向きに噴き出してウェハ３０の表
面に向かうため、反応ガスを従来のようにウェハ３０よ
り下側の高さ位置より上向きに噴き出した場合にくらべ
て、チャンバ１１内における反応ガスの流れは円滑とな
り、反応ガスが滞留するということが起きにくい。この
ため、反応ガスの滞留が原因であるパーティクルの発生
を抑えることが出来る。この分、ウェハ３０の表面に良
質の膜を形成出来る。
【００２１】また、反応ガスは、反応ガス噴き出し口６
０の夫々から水平の向きで、且つ等しい強さで噴き出し
てウェハ３０の表面に向かうため、反応ガスを従来のよ
うにウェハ３０より下側の高さ位置より上向きに噴き出
した場合にくらべて、ウェハ３０の表面に沿って流れる
反応ガスの層流は、従来に比べてより安定したものとな
る。このため、ウェハ３０の面には、従来に比べて膜厚
分布が改善された膜が形成される。
０の夫々から水平の向きで、且つ等しい強さで噴き出し
てウェハ３０の表面に向かうため、反応ガスを従来のよ
うにウェハ３０より下側の高さ位置より上向きに噴き出
した場合にくらべて、ウェハ３０の表面に沿って流れる
反応ガスの層流は、従来に比べてより安定したものとな
る。このため、ウェハ３０の面には、従来に比べて膜厚
分布が改善された膜が形成される。
【００２２】これにより、半導体装置としての、膜付き
のウェハが製造される。なお、シャッタ本体４３及び中
空の柱４４は、ＳｉＣ、石英、アルミナ等の金属酸化物
製でもよく、また、セラミックのような金属窒化物製で
もよい。図６はシャッタの変形例を示す。シャッタ８０
は、２つの異なる種類の反応ガスを別々に供給し、シャ
ッタ８０の内部で混合させ、そしてから噴き出す構成と
したものである。
のウェハが製造される。なお、シャッタ本体４３及び中
空の柱４４は、ＳｉＣ、石英、アルミナ等の金属酸化物
製でもよく、また、セラミックのような金属窒化物製で
もよい。図６はシャッタの変形例を示す。シャッタ８０
は、２つの異なる種類の反応ガスを別々に供給し、シャ
ッタ８０の内部で混合させ、そしてから噴き出す構成と
したものである。
【００２３】シャッタ８０は、通路側室６１が、仕切り
部８１によって仕切られた２つの通路対応室６１−１，
６１−２を有する。一の通路対応室６１−１には、一の
通路５７−１が連通してあり、別の通路対応室６１−２
には、別の通路５７−２が連通してある。多孔板４５
が、シャッタ本体８１内の空洞４２を、反応ガス噴き出
し口側室６２と２つの通路対応室６１−１，６１−２と
に分けている。
部８１によって仕切られた２つの通路対応室６１−１，
６１−２を有する。一の通路対応室６１−１には、一の
通路５７−１が連通してあり、別の通路対応室６１−２
には、別の通路５７−２が連通してある。多孔板４５
が、シャッタ本体８１内の空洞４２を、反応ガス噴き出
し口側室６２と２つの通路対応室６１−１，６１−２と
に分けている。
【００２４】モノシラン（ＳｉＨ４）が通路５７−１よ
り通路対応室６１−１に供給され、アンモニア反応ガス
（ＮＨ３）又は亜硫化窒素（Ｎ２Ｏ）が通路５７−２よ
り通路対応室６１−２に供給される。二種類の反応ガス
は、反応ガス噴き出し口側室６２に移り、ここで混合さ
れ、混合された反応ガスが反応ガス噴き出し口６０より
水平に噴き出す。このように、二種類の反応ガスは噴き
出す直前に混合される。ここで、仮に通路側室内で二種
類の反応ガスを混合させた場合には、そこの圧力が高い
ために反応を起こし易い。しかし、反応ガス噴き出し口
側室の圧力は、通路側室の圧力より低いため、その分、
反応は起こしにくい。よって、二種類の反応ガスが無用
な反応を起こすことが効果的に防止される。これによ
り、パーティクルの発生を抑えることが出来る。
り通路対応室６１−１に供給され、アンモニア反応ガス
（ＮＨ３）又は亜硫化窒素（Ｎ２Ｏ）が通路５７−２よ
り通路対応室６１−２に供給される。二種類の反応ガス
は、反応ガス噴き出し口側室６２に移り、ここで混合さ
れ、混合された反応ガスが反応ガス噴き出し口６０より
水平に噴き出す。このように、二種類の反応ガスは噴き
出す直前に混合される。ここで、仮に通路側室内で二種
類の反応ガスを混合させた場合には、そこの圧力が高い
ために反応を起こし易い。しかし、反応ガス噴き出し口
側室の圧力は、通路側室の圧力より低いため、その分、
反応は起こしにくい。よって、二種類の反応ガスが無用
な反応を起こすことが効果的に防止される。これによ
り、パーティクルの発生を抑えることが出来る。
【００２５】なお、反応ガス噴き出し口が上下動する構
成としてもよい。
成としてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、反応ガス噴き出し口が、ウェハの搬送を妨害し
ない高さ位置と、チャンバ内に置かれたウェハに対応す
る高さ位置との間を移動する構成とし、反応ガスが、チ
ャンバ内に置かれたウェハに対応する高さからウェハに
向かって噴き出す構成としたため、チャンバ内における
反応ガスの流れを円滑として、反応ガスが滞留するとい
うことを起きにくくし得、よって、反応ガスの滞留が原
因であるパーティクルの発生を抑えることが出来、この
分、ウェハの表面に良質の膜を形成することが出来る。
よれば、反応ガス噴き出し口が、ウェハの搬送を妨害し
ない高さ位置と、チャンバ内に置かれたウェハに対応す
る高さ位置との間を移動する構成とし、反応ガスが、チ
ャンバ内に置かれたウェハに対応する高さからウェハに
向かって噴き出す構成としたため、チャンバ内における
反応ガスの流れを円滑として、反応ガスが滞留するとい
うことを起きにくくし得、よって、反応ガスの滞留が原
因であるパーティクルの発生を抑えることが出来、この
分、ウェハの表面に良質の膜を形成することが出来る。
【００２７】また、反応ガスが、チャンバ内に置かれた
ウェハに対応する高さからウェハに向かって噴き出す構
成であるため、ウェハの表面に沿って流れる反応ガスの
層流を、従来に比べてより安定したものとし得、よっ
て、このため、ウェハの面に従来に比べて膜厚分布が改
善された膜を形成することが出来る。
ウェハに対応する高さからウェハに向かって噴き出す構
成であるため、ウェハの表面に沿って流れる反応ガスの
層流を、従来に比べてより安定したものとし得、よっ
て、このため、ウェハの面に従来に比べて膜厚分布が改
善された膜を形成することが出来る。
【００２８】請求項２の発明によれば、ウェハが搬送さ
れるときにはウェハの搬送を妨害しない高さに位置し、
処理中には該ゲートに対向する高さに位置して、上記ヒ
ータの熱を遮蔽するシャッタを、内部が空洞であり、チ
ャンバの内部に対向する面に反応ガス噴き出し口を有
し、且つ空洞内に反応ガスを導く通路を有する構成と
し、反応ガスが、チャンバ内に置かれたウェハに対応す
る高さに位置する、シャッタの反応ガス噴き出し口から
噴き出す構成としたため、シャッタを改造することによ
って、即ち、昇降機構等を追加して設けたりして半導体
装置の製造装置を複雑にすることなく、請求項１の発明
による効果と同じ効果を得ることが出来る。
れるときにはウェハの搬送を妨害しない高さに位置し、
処理中には該ゲートに対向する高さに位置して、上記ヒ
ータの熱を遮蔽するシャッタを、内部が空洞であり、チ
ャンバの内部に対向する面に反応ガス噴き出し口を有
し、且つ空洞内に反応ガスを導く通路を有する構成と
し、反応ガスが、チャンバ内に置かれたウェハに対応す
る高さに位置する、シャッタの反応ガス噴き出し口から
噴き出す構成としたため、シャッタを改造することによ
って、即ち、昇降機構等を追加して設けたりして半導体
装置の製造装置を複雑にすることなく、請求項１の発明
による効果と同じ効果を得ることが出来る。
【００２９】請求項３の発明によれば、シャッタの内部
に多孔板を設け、多孔板により、内部の空洞を、反応ガ
ス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側
寄りの通路側室とに仕切った構成とし、反応ガスが、通
路側室内に入り、多孔板を通って反応ガス噴き出し口側
室に入り、チャンバ内に置かれたウェハに対応する高さ
に位置する複数の反応ガス噴き出し口からウェハに向か
って噴き出す構成としたため、各反応ガス噴き出し口か
ら反応ガスが等しく噴き出すようにすることが出来、よ
って、チャンバ内における反応ガスの流れを円滑とし
て、反応ガスが滞留するということを起きにくくし得、
よって、反応ガスの滞留が原因であるパーティクルの発
生を抑えることが出来、この分、ウェハの表面に良質の
膜を形成することが出来る。また、反応ガスが、チャン
バ内に置かれたウェハに対応する高さからウェハに向か
って噴き出す構成であるため、ウェハの表面に沿って流
れる反応ガスの層流を、従来に比べてより安定したもの
とし得、よって、このため、ウェハの面に従来に比べて
膜厚分布が改善された膜を形成することが出来る。
に多孔板を設け、多孔板により、内部の空洞を、反応ガ
ス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側
寄りの通路側室とに仕切った構成とし、反応ガスが、通
路側室内に入り、多孔板を通って反応ガス噴き出し口側
室に入り、チャンバ内に置かれたウェハに対応する高さ
に位置する複数の反応ガス噴き出し口からウェハに向か
って噴き出す構成としたため、各反応ガス噴き出し口か
ら反応ガスが等しく噴き出すようにすることが出来、よ
って、チャンバ内における反応ガスの流れを円滑とし
て、反応ガスが滞留するということを起きにくくし得、
よって、反応ガスの滞留が原因であるパーティクルの発
生を抑えることが出来、この分、ウェハの表面に良質の
膜を形成することが出来る。また、反応ガスが、チャン
バ内に置かれたウェハに対応する高さからウェハに向か
って噴き出す構成であるため、ウェハの表面に沿って流
れる反応ガスの層流を、従来に比べてより安定したもの
とし得、よって、このため、ウェハの面に従来に比べて
膜厚分布が改善された膜を形成することが出来る。
【００３０】請求項４の発明によれば、シャッタの内部
に多孔板を設け、多孔板により、内部の空洞を、反応ガ
ス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側
寄りの通路側室とに仕切るように配された多孔板を有
し、且つ、通路側室を各通路毎の通路対応室に仕切る仕
切り部とを有する構成とし、異なる種類の反応ガスが、
別々の通路を通って通路対応室に入り、多孔板を通って
反応ガス噴き出し口側室に入り、ここで混合されて、チ
ャンバ内に置かれたウェハに対応する高さに位置する反
応ガス噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構成と
したため、異なる種類の反応ガスは噴き出す直前に混合
され、よって、無用な反応を起こすことを効果的に防止
出来、これにより、パーティクルの発生を抑えることが
出来る。また、ウェハの面に従来に比べて膜厚分布が改
善された膜を形成することが出来る。
に多孔板を設け、多孔板により、内部の空洞を、反応ガ
ス噴き出し口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側
寄りの通路側室とに仕切るように配された多孔板を有
し、且つ、通路側室を各通路毎の通路対応室に仕切る仕
切り部とを有する構成とし、異なる種類の反応ガスが、
別々の通路を通って通路対応室に入り、多孔板を通って
反応ガス噴き出し口側室に入り、ここで混合されて、チ
ャンバ内に置かれたウェハに対応する高さに位置する反
応ガス噴き出し口からウェハに向かって噴き出す構成と
したため、異なる種類の反応ガスは噴き出す直前に混合
され、よって、無用な反応を起こすことを効果的に防止
出来、これにより、パーティクルの発生を抑えることが
出来る。また、ウェハの面に従来に比べて膜厚分布が改
善された膜を形成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例になるＣＶＤ装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】図１中、シャッタの構造を示す、一部切截斜視
図である。
図である。
【図３】図２のシャッタのIII-III 線に沿う断面図であ
る。
る。
【図４】シャッタ昇降機構を示す図である。
【図５】反応ガスの噴き出しを説明する図である。
【図６】シャッタの変形例を示す図である。
【図７】従来のＣＶＤ装置の１例を示す図である。
１１ チャンバ １２ 入口 １３ ゲート １４ ステージ １５ 抵抗加熱ヒータ １６ 反応ガス整流板 ３０ ウェハ ４０ ＣＶＤ装置 ４１，８０ シャッタ ４２ 空洞 ４３ シャッタ本体 ４４ 中空の柱 ４５ 多孔板 ４６ 中空の柱 ４７ シャッタ昇降機構 ５５，５６ 半体 ５７，５７−１，５７−２ 反応ガスの通路 ５８ 開口 ５９ シャッタ本体のうち、チャンバの内部に対向する
面 ６０ 反応ガス噴き出し口 ６１ 通路側室 ６２ 反応ガス噴き出し口側室 ６３ 小孔 ６５ 反応ガス源 ８１ 仕切り部 ６１−１，６１−２ 通路対応室
面 ６０ 反応ガス噴き出し口 ６１ 通路側室 ６２ 反応ガス噴き出し口側室 ６３ 小孔 ６５ 反応ガス源 ８１ 仕切り部 ６１−１，６１−２ 通路対応室
Claims (4)
- 【請求項１】 処理されるウェハが収容されるチャンバ
と、ウェハが搬送されるときにチャンバの入口を開き、
処理中にはチャンバの入口を閉じるゲートと、処理中に
該チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と
を有する半導体装置の製造装置において、 反応ガス噴き出し口が、ウェハの搬送を妨害しない高さ
位置と、該チャンバ内に置かれたウェハに対応する高さ
位置との間を移動する構成とし、反応ガスが、該チャン
バ内に置かれたウェハに対応する高さからウェハに向か
って噴き出す構成としたことを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項２】 処理されるウェハが収容されるチャンバ
と、該チャンバ内に設けて有り、処理中のウェハを加熱
するヒータと、ウェハが搬送されるときにチャンバの入
口を開き、処理中にはチャンバの入口を閉じるゲート
と、ウェハが搬送されるときにはウェハの搬送を妨害し
ない高さに位置し、処理中には該ゲートに対向する高さ
に位置して、上記ヒータの熱を遮蔽するシャッタと、処
理中に該チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給
手段とを有し、 上記シャッタを、内部が空洞であり、上記チャンバの内
部に対向する面に反応ガス噴き出し口を有し、且つ上記
空洞内に反応ガスを導く通路を有する構成とし、 反応ガスが、該チャンバ内に置かれたウェハに対応する
高さに位置する、上記シャッタの反応ガス噴き出し口か
らウェハに向かって噴き出す構成としたことを特徴とす
る半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 上記反応ガス噴き出し口は、上記シャッ
タの上記チャンバの内部に対向する面に複数設けてあ
り、 上記シャッタは、更に、上記空洞を、反応ガス噴き出し
口側寄りの反応ガス噴き出し口側室と通路側寄りの通路
側室とに仕切るように配された多孔板を有する構成と
し、 反応ガスが、該通路側室内に入り、該多孔板を通って上
記反応ガス噴き出し口側室に入り、該チャンバ内に置か
れたウェハに対応する高さに位置する上記反応ガス噴き
出し口からウェハに向かって噴き出す構成としたことを
特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 上記通路は、上記空洞内に異なる種類の
反応ガスを別々に導くべく複数設けてあり、 上記シャッタは、更に、該通路側室を各通路毎の通路対
応室に仕切る仕切り部とを有し、 異なる種類の反応ガスが、別々の通路を通って上記通路
対応室に入り、該多孔板を通って上記反応ガス噴き出し
口側室に入り、ここで混合されて、該チャンバ内に置か
れたウェハに対応する高さに位置する反応ガス噴き出し
口からウェハに向かって噴き出す構成としたことを特徴
とする請求項３記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29088895A JPH09134880A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29088895A JPH09134880A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134880A true JPH09134880A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17761814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29088895A Withdrawn JPH09134880A (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134880A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099861A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Emcore Corporation | Rector having a movale shuter |
| US7141138B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US11248295B2 (en) | 2014-01-27 | 2022-02-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
| CN117305808A (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种气体注入装置、外延设备及使用方法 |
-
1995
- 1995-11-09 JP JP29088895A patent/JPH09134880A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099861A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Emcore Corporation | Rector having a movale shuter |
| US6902623B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
| US7276124B2 (en) | 2001-06-07 | 2007-10-02 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
| US7141138B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US7498268B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US11248295B2 (en) | 2014-01-27 | 2022-02-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
| CN117305808A (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种气体注入装置、外延设备及使用方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |