JPH09135036A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH09135036A JPH09135036A JP7292978A JP29297895A JPH09135036A JP H09135036 A JPH09135036 A JP H09135036A JP 7292978 A JP7292978 A JP 7292978A JP 29297895 A JP29297895 A JP 29297895A JP H09135036 A JPH09135036 A JP H09135036A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた光電変換特性を有する光起電力装置を、
高い歩留で製造する方法を提供する。 【解決手段】第１電極上に被着形成された非晶質半導体
膜をレーザ光の照射により除去するにあたって、上記非
晶質半導体膜に対してよりも上記第１電極に対してより
吸収率の大きい波長を有するレーザ光を照射し、前記第
１電極を加熱すると共に熱伝導により非晶質半導体膜の
所定部を加熱し、除去する。
高い歩留で製造する方法を提供する。 【解決手段】第１電極上に被着形成された非晶質半導体
膜をレーザ光の照射により除去するにあたって、上記非
晶質半導体膜に対してよりも上記第１電極に対してより
吸収率の大きい波長を有するレーザ光を照射し、前記第
１電極を加熱すると共に熱伝導により非晶質半導体膜の
所定部を加熱し、除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
より、複数の光起電力素子が基板上で直列接続された光
起電力装置を製造する方法に関する。
より、複数の光起電力素子が基板上で直列接続された光
起電力装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコンに代表される非晶質半導
体から成る光起電力装置は、その製造コストが安価であ
り、また容易に大面積化が可能である等の特徴から、実
用化が進められている。
体から成る光起電力装置は、その製造コストが安価であ
り、また容易に大面積化が可能である等の特徴から、実
用化が進められている。
【０００３】図７は斯かる光起電力装置の素子構造断面
図である。同図において、１はプラスチック或いは表面
がＳｉＯ2，ＳｉＮ或いは絶縁性フィルム等の絶縁物で
絶縁コートされたＳＵＳ等の絶縁性表面を有する基板、
２…は該基板１の表面上に隣接配置されたＡｇ，Ａｌ等
の金属からなる複数の第１電極、３…は該第１電極２…
上に形成された光電変換機能を呈する複数の光電変換層
であり、非晶質シリコンに代表される非晶質半導体から
なる。４…は、該光電変換層３…上に形成されたＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ等の透光性導電材からなる複数の第２電極で
ある。そして、これら第１電極２…、光電変換層３…及
び第２電極４…とで複数の光起電力素子１０…を構成し
ている。
図である。同図において、１はプラスチック或いは表面
がＳｉＯ2，ＳｉＮ或いは絶縁性フィルム等の絶縁物で
絶縁コートされたＳＵＳ等の絶縁性表面を有する基板、
２…は該基板１の表面上に隣接配置されたＡｇ，Ａｌ等
の金属からなる複数の第１電極、３…は該第１電極２…
上に形成された光電変換機能を呈する複数の光電変換層
であり、非晶質シリコンに代表される非晶質半導体から
なる。４…は、該光電変換層３…上に形成されたＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ等の透光性導電材からなる複数の第２電極で
ある。そして、これら第１電極２…、光電変換層３…及
び第２電極４…とで複数の光起電力素子１０…を構成し
ている。
【０００４】そして、隣接する上記光起電力素子１０、
１０は、前記第１電極２…上で一方の光起電力素子１０
の第２電極４が他方の光起電力素子１０の第１電極２ま
で延在することにより、電気的に直列接続されている。
１０は、前記第１電極２…上で一方の光起電力素子１０
の第２電極４が他方の光起電力素子１０の第１電極２ま
で延在することにより、電気的に直列接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】斯かる光起電力装置の
製造には、通常レーザスクライブが利用される。即ち、
基板１上に連続的に形成された金属膜、非晶質半導体膜
及び透光性導電膜が、それぞれレーザ光の照射により所
定部が除去されて各光電変換素子１０…毎に分割され、
該光起電力素子１０…を構成する複数の、第１電極２
…、光電変換層３…及び第２電極４…となる。
製造には、通常レーザスクライブが利用される。即ち、
基板１上に連続的に形成された金属膜、非晶質半導体膜
及び透光性導電膜が、それぞれレーザ光の照射により所
定部が除去されて各光電変換素子１０…毎に分割され、
該光起電力素子１０…を構成する複数の、第１電極２
…、光電変換層３…及び第２電極４…となる。
【０００６】然し乍ら、上述した従来方法を用いた場
合、非晶質半導体膜を分割するに際し以下のような問題
があった。
合、非晶質半導体膜を分割するに際し以下のような問題
があった。
【０００７】即ち、複数の光電変換層３…を形成するに
当たっては、前記複数の第１電極を覆って連続的に被着
された非晶質半導体膜を、第１電極２…上で除去し、分
割する必要がある。
当たっては、前記複数の第１電極を覆って連続的に被着
された非晶質半導体膜を、第１電極２…上で除去し、分
割する必要がある。
【０００８】そして、非晶質半導体膜の除去のためには
レーザ光の照射によって該膜を１４００℃程度まで加熱
し、溶融する必要がある。
レーザ光の照射によって該膜を１４００℃程度まで加熱
し、溶融する必要がある。
【０００９】然し乍ら、第１電極２…を構成するＡｇ，
Ａｌ等の融点は夫々９６２℃及び６６０℃と、非晶質半
導体膜の溶融に必要な１４００℃よりも低温である。従
って、非晶質半導体膜の除去に十分なエネルギを有する
レーザ光を照射すると、該層の下地となる第１電極２…
も同時に加熱、溶融されることとなり、該第１電極２も
同時に除去されてしまう。このために、光起電力素子の
光電変換特性が大幅に低下してしまう、という課題があ
った。
Ａｌ等の融点は夫々９６２℃及び６６０℃と、非晶質半
導体膜の溶融に必要な１４００℃よりも低温である。従
って、非晶質半導体膜の除去に十分なエネルギを有する
レーザ光を照射すると、該層の下地となる第１電極２…
も同時に加熱、溶融されることとなり、該第１電極２も
同時に除去されてしまう。このために、光起電力素子の
光電変換特性が大幅に低下してしまう、という課題があ
った。
【００１０】また、第１電極２…に熱影響を与えぬよう
照射するレーザ光６のエネルギを小さくすると非晶質半
導体膜が完全には除去されず、該膜の未加工部あるいは
残留部が発生することとなり、このために光電変換特性
が低下する、という問題があった。
照射するレーザ光６のエネルギを小さくすると非晶質半
導体膜が完全には除去されず、該膜の未加工部あるいは
残留部が発生することとなり、このために光電変換特性
が低下する、という問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】斯かる課題を解決するた
めに、本発明光起電力装置の製造方法は、基板上で、金
属からなる第１電極と、光電変換層と、透光性の第２電
極と、からなる光電変換素子が複数個直列接続されてな
る光起電力装置の製造方法であって、前記光電変換層を
個々の前記第１電極上で分割するにあたり、レーザ光の
照射に因り前記第１電極を加熱すると共に、熱伝導によ
り該第１電極上に被着された前記光電変換層を加熱し、
分割することを特徴としている。
めに、本発明光起電力装置の製造方法は、基板上で、金
属からなる第１電極と、光電変換層と、透光性の第２電
極と、からなる光電変換素子が複数個直列接続されてな
る光起電力装置の製造方法であって、前記光電変換層を
個々の前記第１電極上で分割するにあたり、レーザ光の
照射に因り前記第１電極を加熱すると共に、熱伝導によ
り該第１電極上に被着された前記光電変換層を加熱し、
分割することを特徴としている。
【００１２】また、前記レーザ光として、前記光電変換
層よりも前記第１電極に吸収されやすい波長を有するレ
ーザ光を用いることを特徴としている。
層よりも前記第１電極に吸収されやすい波長を有するレ
ーザ光を用いることを特徴としている。
【００１３】
【実施の形態】本発明の実施形態として、図１を参照し
て本発明の光起電力装置の製造方法を説明する。
て本発明の光起電力装置の製造方法を説明する。
【００１４】図１は、本発明製造方法を用いて図７に示
した光起電力装置を製造するための、工程別素子構造断
面図である。
した光起電力装置を製造するための、工程別素子構造断
面図である。
【００１５】まず、同図（Ａ）の工程において、プラス
チック或いは表面がＳｉＯ2，ＳｉＮ或いは絶縁性フィ
ルム等の絶縁物で絶縁コートされたＳＵＳ等の絶縁性表
面を有する基板１上の全面に、膜厚２０００Å〜８００
０ÅのＡｇからなる金属膜２’をスパッタ法により形成
した。
チック或いは表面がＳｉＯ2，ＳｉＮ或いは絶縁性フィ
ルム等の絶縁物で絶縁コートされたＳＵＳ等の絶縁性表
面を有する基板１上の全面に、膜厚２０００Å〜８００
０ÅのＡｇからなる金属膜２’をスパッタ法により形成
した。
【００１６】尚、上記金属膜２’としては、Ａｇ以外に
Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ等の単層膜を用いても良いし、また、Ｔ
ｉ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ或いはＷ／Ａｌ／Ｗ，Ａｌ／Ｗ，
Ｗ／Ａｇ／Ｗ，Ａｇ／Ｗ等の多層膜を用いてもよい。
Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ等の単層膜を用いても良いし、また、Ｔ
ｉ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ或いはＷ／Ａｌ／Ｗ，Ａｌ／Ｗ，
Ｗ／Ａｇ／Ｗ，Ａｇ／Ｗ等の多層膜を用いてもよい。
【００１７】また、上記金属膜２’を、上記単層膜もし
くは多層膜上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の透光性
の導電膜を形成した積層構造で構成してもよい。
くは多層膜上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の透光性
の導電膜を形成した積層構造で構成してもよい。
【００１８】そして、同図（Ｂ）の工程において、上記
金属膜２’の所定部にレーザ光６を照射し、照射部の金
属膜２’を除去して複数の第１電極２…とする。
金属膜２’の所定部にレーザ光６を照射し、照射部の金
属膜２’を除去して複数の第１電極２…とする。
【００１９】ここで、上記金属膜２’の除去にあたって
は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、０．
１Ｊ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2のエネルギ密度で照射した。
然し乍ら、使用するレーザ光はこれに限るものでなく、
例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザや波長３
０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ、或いは波長３５１
ｎｍのＸｅＦエキシマレーザや波長５３０ｎｍのＹＡＧ
レーザの第２高調波を用いてもよい。
は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い、０．
１Ｊ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2のエネルギ密度で照射した。
然し乍ら、使用するレーザ光はこれに限るものでなく、
例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザや波長３
０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ、或いは波長３５１
ｎｍのＸｅＦエキシマレーザや波長５３０ｎｍのＹＡＧ
レーザの第２高調波を用いてもよい。
【００２０】次いで、同図（Ｃ）の工程において、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて、上記複数の第１電極２…を覆う
ように基板１上の全面に、ｎ型の非晶質シリコン層、ｉ
型の非晶質シリコン層及びｐ型の非晶質シリコンカーバ
イド層を順次積層し、膜厚２０００Å〜７０００℃で内
部にｐｉｎ接合を有する非晶質半導体膜３’を形成し
た。
ズマＣＶＤ法を用いて、上記複数の第１電極２…を覆う
ように基板１上の全面に、ｎ型の非晶質シリコン層、ｉ
型の非晶質シリコン層及びｐ型の非晶質シリコンカーバ
イド層を順次積層し、膜厚２０００Å〜７０００℃で内
部にｐｉｎ接合を有する非晶質半導体膜３’を形成し
た。
【００２１】そして、同図（Ｄ）の工程において、前記
第１電極２…上の非晶質半導体膜３’の所定部を除去し
て複数の光電変換層３…とする。
第１電極２…上の非晶質半導体膜３’の所定部を除去し
て複数の光電変換層３…とする。
【００２２】ここで、本発明の特徴は、非晶質半導体膜
３’の所定部を除去するにあたり、レーザ光照射により
該膜３’を加熱、溶融するのではなく、上記所定部直下
の第１電極２…を加熱し、熱伝導により該第１電極２…
上に被着された前記非晶質半導体膜３’の所定部を加熱
して除去するところにある。
３’の所定部を除去するにあたり、レーザ光照射により
該膜３’を加熱、溶融するのではなく、上記所定部直下
の第１電極２…を加熱し、熱伝導により該第１電極２…
上に被着された前記非晶質半導体膜３’の所定部を加熱
して除去するところにある。
【００２３】そして、このために、本実施形態ではレー
ザ光６として波長１．０６μｍのＱスイッチ付きＮｄ：
ＹＡＧレーザを用い、０．３Ｊ／ｃｍ2〜１０Ｊ／ｃｍ2
のエネルギ密度で照射した。
ザ光６として波長１．０６μｍのＱスイッチ付きＮｄ：
ＹＡＧレーザを用い、０．３Ｊ／ｃｍ2〜１０Ｊ／ｃｍ2
のエネルギ密度で照射した。
【００２４】図２は、上記波長のＮｄ：ＹＡＧレーザに
対する非晶質半導体膜３’及び第１電極２の吸収率を示
したものである。同図に示すように、非晶質半導体膜
３’の吸収率は第１電極２…のそれよりも小さく、照射
されたレーザ光の大部分は非晶質半導体膜３’を透過し
て下地である第１電極２…に吸収され、該第１電極２…
が加熱されることとなる。
対する非晶質半導体膜３’及び第１電極２の吸収率を示
したものである。同図に示すように、非晶質半導体膜
３’の吸収率は第１電極２…のそれよりも小さく、照射
されたレーザ光の大部分は非晶質半導体膜３’を透過し
て下地である第１電極２…に吸収され、該第１電極２…
が加熱されることとなる。
【００２５】この加熱に伴い、熱伝導により上記第１電
極２上に被着形成された非晶質半導体膜３’の所定部も
加熱されることとなり、そして、レーザ光６の照射に伴
い非晶質半導体中に存在する水素が爆発的に放出され
る。この水素の放出に伴い、非晶質半導体膜３’中に歪
みが生じ、下地である第１電極２との密着性が低下して
非晶質半導体膜３’が剥離し、除去されることとなる。
極２上に被着形成された非晶質半導体膜３’の所定部も
加熱されることとなり、そして、レーザ光６の照射に伴
い非晶質半導体中に存在する水素が爆発的に放出され
る。この水素の放出に伴い、非晶質半導体膜３’中に歪
みが生じ、下地である第１電極２との密着性が低下して
非晶質半導体膜３’が剥離し、除去されることとなる。
【００２６】ここで、非晶質半導体中から水素が放出さ
れる温度は精々７００℃程度と、前述した非晶質半導体
を加熱して除去するために必要な温度（１４００℃程
度）に比べると遥かに低温であり、Ａｇの融点よりも低
い。従って、従来法よりも低温で非晶質半導体膜３’の
除去が可能となると共に、第１電極２への熱影響も小さ
く、該第１電極２が除去されることがない。
れる温度は精々７００℃程度と、前述した非晶質半導体
を加熱して除去するために必要な温度（１４００℃程
度）に比べると遥かに低温であり、Ａｇの融点よりも低
い。従って、従来法よりも低温で非晶質半導体膜３’の
除去が可能となると共に、第１電極２への熱影響も小さ
く、該第１電極２が除去されることがない。
【００２７】実際、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを０．３Ｊ／ｃ
ｍ2のエネルギ密度で照射すると、第１電極２の温度が
７５０℃程度で非晶質半導体膜３’の除去が可能であ
り、第１電極２が除去もしくは変質することはなかっ
た。
ｍ2のエネルギ密度で照射すると、第１電極２の温度が
７５０℃程度で非晶質半導体膜３’の除去が可能であ
り、第１電極２が除去もしくは変質することはなかっ
た。
【００２８】ところで、照射するレーザ光６としては、
本実施形態の如く、非晶質半導体膜３’に対してよりも
第１電極２に対してより吸収されやすい波長を有するも
のが好ましい。斯かる波長を有するレーザ光６を照射す
ることにより、非晶質半導体膜３’を透過して第１電極
２に到達するレーザ光６の割合が増加し、効率的な加熱
が可能となる。
本実施形態の如く、非晶質半導体膜３’に対してよりも
第１電極２に対してより吸収されやすい波長を有するも
のが好ましい。斯かる波長を有するレーザ光６を照射す
ることにより、非晶質半導体膜３’を透過して第１電極
２に到達するレーザ光６の割合が増加し、効率的な加熱
が可能となる。
【００２９】図３乃至図６は、レーザ光の波長を５３０
ｎｍ，７００ｎｍ，８００ｎｍ及び９００ｎｍとそれぞ
れ変化させたときの、非晶質半導体膜３’及び第１電極
２でのレーザ光の吸収率を示した図である。
ｎｍ，７００ｎｍ，８００ｎｍ及び９００ｎｍとそれぞ
れ変化させたときの、非晶質半導体膜３’及び第１電極
２でのレーザ光の吸収率を示した図である。
【００３０】これらの図から、５３０ｎｍの波長のレー
ザ光を用いた場合には、非晶質半導体膜３’での吸収率
が大きく、本発明の目的には不適当であることがわか
る。そして、レーザ光の波長が長くなるほど第１電極２
での吸収率が大きくなり、９００ｎｍの波長のレーザ光
に対しては、第１電極２での吸収率の方が非晶質半導体
膜３’でのそれよりも大きくなる。
ザ光を用いた場合には、非晶質半導体膜３’での吸収率
が大きく、本発明の目的には不適当であることがわか
る。そして、レーザ光の波長が長くなるほど第１電極２
での吸収率が大きくなり、９００ｎｍの波長のレーザ光
に対しては、第１電極２での吸収率の方が非晶質半導体
膜３’でのそれよりも大きくなる。
【００３１】さらに、非晶質半導体膜３’の膜厚は、光
劣化を考えるとできるだけ薄膜であることが好ましく、
１５００〜３０００Åが適当である。
劣化を考えるとできるだけ薄膜であることが好ましく、
１５００〜３０００Åが適当である。
【００３２】従って、使用するレーザ光の波長としては
７００ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは９００ｎｍ
以上が好ましい。
７００ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは９００ｎｍ
以上が好ましい。
【００３３】また、照射されるレーザ光６に対する第１
電極２の吸収係数が大きい程、該電極２の表面でエネル
ギビームが吸収され、表面近傍のみが加熱されることと
なる。従って熱伝導により非晶質半導体膜３’の除去部
が加熱されるにあたって熱伝導によるロスが少なく、効
率的な加熱が可能となる。
電極２の吸収係数が大きい程、該電極２の表面でエネル
ギビームが吸収され、表面近傍のみが加熱されることと
なる。従って熱伝導により非晶質半導体膜３’の除去部
が加熱されるにあたって熱伝導によるロスが少なく、効
率的な加熱が可能となる。
【００３４】以上の如く本発明によれば、非晶質半導体
膜３’の所定部を、その下地となる第１電極２…に大き
な熱影響を与えることとなく除去することができ、複数
の光電変換層３…とすることができる。
膜３’の所定部を、その下地となる第１電極２…に大き
な熱影響を与えることとなく除去することができ、複数
の光電変換層３…とすることができる。
【００３５】さらに、同図（Ｅ）の工程において、上記
複数の光電変換層３…を覆うように基板１上の全面に、
スパッタ法を用いて膜厚５００Å〜１０００ÅのＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ等の透光性導電材からなる透光性導電膜４’
を形成する。
複数の光電変換層３…を覆うように基板１上の全面に、
スパッタ法を用いて膜厚５００Å〜１０００ÅのＩＴ
Ｏ，ＺｎＯ等の透光性導電材からなる透光性導電膜４’
を形成する。
【００３６】そして、同図（Ｆ）の工程において、上記
透光性導電膜４’の所定部にレーザ光６を照射し、照射
領域の透光性導電膜４’を除去して、複数の第２電極４
…とする。ここで、上記レーザ光としては、波長３０８
ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザを用い、０．１Ｊ／ｃｍ
2〜１Ｊ／ｃｍ2のエネルギ密度で照射した。
透光性導電膜４’の所定部にレーザ光６を照射し、照射
領域の透光性導電膜４’を除去して、複数の第２電極４
…とする。ここで、上記レーザ光としては、波長３０８
ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザを用い、０．１Ｊ／ｃｍ
2〜１Ｊ／ｃｍ2のエネルギ密度で照射した。
【００３７】以上の工程により、図７の構造の光起電力
装置が製造される。
装置が製造される。
【００３８】尚、以上の実施形態ではレーザ光を基板と
反対側から照射したが、透光性の基板を用いた場合には
レーザ光を基板側から照射してもよい。
反対側から照射したが、透光性の基板を用いた場合には
レーザ光を基板側から照射してもよい。
【００３９】以上説明したように、本発明によれば、第
１電極２に大きな熱影響を与えることなくその上に被着
形成された非晶質半導体膜３’を完全に除去できるの
で、歩留が良く、光電変換特性の向上した光起電力装置
を提供できる。
１電極２に大きな熱影響を与えることなくその上に被着
形成された非晶質半導体膜３’を完全に除去できるの
で、歩留が良く、光電変換特性の向上した光起電力装置
を提供できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明製造方法によれば、従来よりも低
温で、非晶質半導体膜３’を除去できるので、その下地
となる第１電極に大きな熱影響を与えることがなく、光
電変換特製の優れた光起電力装置を製造できる。
温で、非晶質半導体膜３’を除去できるので、その下地
となる第１電極に大きな熱影響を与えることがなく、光
電変換特製の優れた光起電力装置を製造できる。
【図１】本発明製造方法を用いた光起電力装置の製造工
程を説明するための工程別素子構造図である。
程を説明するための工程別素子構造図である。
【図２】Ｎｄ：ＹＡＧレーザに対する第１電極及び非晶
質半導体膜の吸収率である。
質半導体膜の吸収率である。
【図３】波長５３０ｎｍのレーザ光に対する第１電極及
び非晶質半導体膜の吸収率である。
び非晶質半導体膜の吸収率である。
【図４】波長７００ｎｍのレーザ光に対する第１電極及
び非晶質半導体膜の吸収率である。
び非晶質半導体膜の吸収率である。
【図５】波長８００ｎｍのレーザ光に対する第１電極及
び非晶質半導体膜の吸収率である。
び非晶質半導体膜の吸収率である。
【図６】波長９００ｎｍのレーザ光に対する第１電極及
び非晶質半導体膜の吸収率である。
び非晶質半導体膜の吸収率である。
【図７】光起電力装置の素子構造断面図である。
１…基板、２…第１電極、３…光電変換層、４…裏面電
極、６…レーザ光 ２’…金属電極膜、３’…非晶質半導体膜、４’…透光
性導電膜
極、６…レーザ光 ２’…金属電極膜、３’…非晶質半導体膜、４’…透光
性導電膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上で、金属からなる第１電極と、光
電変換層と、透光性の第２電極と、からなる光電変換素
子が複数個直列接続されてなる光起電力装置の製造方法
であって、 前記光電変換層を個々の前記第１電極上で分割するにあ
たり、レーザ光の照射に因り前記第１電極を加熱すると
共に、熱伝導により該第１電極上に被着された前記光電
変換層を加熱し、分割することを特徴とする光起電力装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記レーザ光として、前記光電変換層よ
りも前記第１電極に吸収されやすい波長を有するレーザ
光を用いることを特徴とする請求項１記載の光起電力装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292978A JPH09135036A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7292978A JPH09135036A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09135036A true JPH09135036A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17788894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7292978A Pending JPH09135036A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09135036A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2360391A (en) * | 1999-10-14 | 2001-09-19 | Sony Corp | Method of manufacturing a solar cell |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP7292978A patent/JPH09135036A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2360391A (en) * | 1999-10-14 | 2001-09-19 | Sony Corp | Method of manufacturing a solar cell |
| US6426235B1 (en) | 1999-10-14 | 2002-07-30 | Sony Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
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