JPH09135040A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH09135040A JPH09135040A JP7291147A JP29114795A JPH09135040A JP H09135040 A JPH09135040 A JP H09135040A JP 7291147 A JP7291147 A JP 7291147A JP 29114795 A JP29114795 A JP 29114795A JP H09135040 A JPH09135040 A JP H09135040A
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- emitting chip
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- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光チップの基板への固着強度を高めて、し
かも発光出力を低下させることなく、信頼性の向上した
発光ダイオードを提供する。 【構成】 予め配線パターン２が形成され、且つ基板表
面が発光チップ３の発光を反射する基板１上に、同一面
側に正と負の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイ
ボンドされ、発光チップ３の両電極は配線パターン２と
ワイヤーボンディングされている。
かも発光出力を低下させることなく、信頼性の向上した
発光ダイオードを提供する。 【構成】 予め配線パターン２が形成され、且つ基板表
面が発光チップ３の発光を反射する基板１上に、同一面
側に正と負の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイ
ボンドされ、発光チップ３の両電極は配線パターン２と
ワイヤーボンディングされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に発光チップを
実装した発光ダイオードに関するものである。
実装した発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードは、一般に図４に
示すような構造をとる。すなわち、ガラスエポキシ樹脂
等の基板３１表面に配線パターン３２を形成し、次にそ
の配線パターン３２上に発光チップ３３を接着剤３４を
介してダイボンドした後、金線等のボンディングワイヤ
３５により、発光チップ３３と配線パターン３２とを電
気的に接続し、最後に発光チップ３３周辺を透光性の樹
脂３６でモールドすることにより構成されている。
示すような構造をとる。すなわち、ガラスエポキシ樹脂
等の基板３１表面に配線パターン３２を形成し、次にそ
の配線パターン３２上に発光チップ３３を接着剤３４を
介してダイボンドした後、金線等のボンディングワイヤ
３５により、発光チップ３３と配線パターン３２とを電
気的に接続し、最後に発光チップ３３周辺を透光性の樹
脂３６でモールドすることにより構成されている。
【０００３】前記配線パターン３２としては、一般に金
属の下地層上に金または銀等の貴金属のメッキが施され
たものが用いられる。しかしながら、このような貴金属
のメッキは接着力が弱く、上記に示すような従来の発光
ダイオードでは、前記メッキが基板３１から剥離し易い
ため、配線パターン３２上にダイボンドされた発光チッ
プ３３の固定が損なわれるという問題があった。
属の下地層上に金または銀等の貴金属のメッキが施され
たものが用いられる。しかしながら、このような貴金属
のメッキは接着力が弱く、上記に示すような従来の発光
ダイオードでは、前記メッキが基板３１から剥離し易い
ため、配線パターン３２上にダイボンドされた発光チッ
プ３３の固定が損なわれるという問題があった。
【０００４】また、上記配線パターンは発光チップから
の発光を発光観測面側へ反射するための反射層としての
役目も兼ねているため、発光チップを配線パターンが施
されていない基板上にダイボンドすると、発光チップ直
下の反射面が無くなるので、発光チップからの発光の外
部への取出効率が低下し、発光出力の低下を招くという
問題がある。
の発光を発光観測面側へ反射するための反射層としての
役目も兼ねているため、発光チップを配線パターンが施
されていない基板上にダイボンドすると、発光チップ直
下の反射面が無くなるので、発光チップからの発光の外
部への取出効率が低下し、発光出力の低下を招くという
問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
問題を解決するために成されたものであり、その目的と
するところは、発光チップの基板への固着強度を高め
て、しかも発光出力を低下させることなく、信頼性の向
上した発光ダイオードを提供するところにある。
問題を解決するために成されたものであり、その目的と
するところは、発光チップの基板への固着強度を高め
て、しかも発光出力を低下させることなく、信頼性の向
上した発光ダイオードを提供するところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、予め配線パターン２が形成され、且つ基板表面が発
光チップ３の発光を反射する基板１上に、同一面側に正
と負の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイボンド
され、発光チップ３の両電極は配線パターン２とワイヤ
ーボンディングされていることを特徴とする。
は、予め配線パターン２が形成され、且つ基板表面が発
光チップ３の発光を反射する基板１上に、同一面側に正
と負の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイボンド
され、発光チップ３の両電極は配線パターン２とワイヤ
ーボンディングされていることを特徴とする。
【０００７】図１は本発明の発光ダイオードを発光観測
面側から見た平面図であり、図２は本発明の発光ダイオ
ードの模式断面図である。尚、図１において、モールド
樹脂は図示していない。図１及び図２において、表面が
発光チップ３の発光を反射する基板１上には配線パター
ン２が形成されており、発光チップ３は前記基板１上の
配線パターン２が施されていない部分にダイボンドさ
れ、前記発光チップ３の正負一対の電極は配線パターン
２とボンディングワイヤ５で電気的に接続される。また
図３も本発明の発光ダイオードを示す模式断面図である
が、発光チップ１３は基板１１に形成された配線パター
ン１２上と、基板１１上の配線パターン１２が施されて
いない部分とに跨ってダイボンドされる。その他は、図
１及び図２で示した発光ダイオードと同じ構成である。
このように、本発明の発光ダイオードにおいて、発光チ
ップは基板上に直接ダイボンドされている。或いは、図
３に示したように発光チップが部分的に基板に直接ダイ
ボンドされていても構わない。
面側から見た平面図であり、図２は本発明の発光ダイオ
ードの模式断面図である。尚、図１において、モールド
樹脂は図示していない。図１及び図２において、表面が
発光チップ３の発光を反射する基板１上には配線パター
ン２が形成されており、発光チップ３は前記基板１上の
配線パターン２が施されていない部分にダイボンドさ
れ、前記発光チップ３の正負一対の電極は配線パターン
２とボンディングワイヤ５で電気的に接続される。また
図３も本発明の発光ダイオードを示す模式断面図である
が、発光チップ１３は基板１１に形成された配線パター
ン１２上と、基板１１上の配線パターン１２が施されて
いない部分とに跨ってダイボンドされる。その他は、図
１及び図２で示した発光ダイオードと同じ構成である。
このように、本発明の発光ダイオードにおいて、発光チ
ップは基板上に直接ダイボンドされている。或いは、図
３に示したように発光チップが部分的に基板に直接ダイ
ボンドされていても構わない。
【０００８】表面が発光チップ３の発光を反射する基板
としては、白色基板や表面が鏡面状とされた基板が用い
られる。例えば白色のセラミック、白色の液晶ポリマー
樹脂、或いは、アルミニウム等の銀色をした金属上に、
光反射性または光透過性で且つ母材への付着強度の高い
薄膜状絶縁性被膜、例えばアルマイト被膜を形成したも
のも基板として使用できる。
としては、白色基板や表面が鏡面状とされた基板が用い
られる。例えば白色のセラミック、白色の液晶ポリマー
樹脂、或いは、アルミニウム等の銀色をした金属上に、
光反射性または光透過性で且つ母材への付着強度の高い
薄膜状絶縁性被膜、例えばアルマイト被膜を形成したも
のも基板として使用できる。
【０００９】更に、前記基板としては熱電導率の良いも
のを用いることが好ましく、例えばセラミックや、前記
に示した金属上に薄膜状絶縁性被膜を形成したものを用
いることが好ましい。
のを用いることが好ましく、例えばセラミックや、前記
に示した金属上に薄膜状絶縁性被膜を形成したものを用
いることが好ましい。
【００１０】
【作用】従来の発光ダイオードでは、発光チップが基板
上に形成された配線パターン上にダイボンドされてお
り、前記配線パターンは基板との接着性が弱いため、基
板から剥離し、従って配線パターン上にダイボンドされ
た発光チップの固定が損なわれていた。
上に形成された配線パターン上にダイボンドされてお
り、前記配線パターンは基板との接着性が弱いため、基
板から剥離し、従って配線パターン上にダイボンドされ
た発光チップの固定が損なわれていた。
【００１１】本発明の発光ダイオードは、発光チップが
高強度部材である基板上に直接ダイボンドされているた
め、発光チップの固着濃度が高くなるので、従来のよう
に発光チップの固定が損なわれることがない。尚、発光
チップ底面の一部が配線パターンにかかり、基板と配線
パターンとに跨るようにしてダイボンドされたものであ
っても、基板に固着された部分は固着強度が高くなるた
め本発明の効果が得られる。
高強度部材である基板上に直接ダイボンドされているた
め、発光チップの固着濃度が高くなるので、従来のよう
に発光チップの固定が損なわれることがない。尚、発光
チップ底面の一部が配線パターンにかかり、基板と配線
パターンとに跨るようにしてダイボンドされたものであ
っても、基板に固着された部分は固着強度が高くなるた
め本発明の効果が得られる。
【００１２】しかも、本発明の発光ダイオードは、反射
面の役目を有する配線パターンが発光チップ直下に施さ
れていないにもかかわらず、基板表面で発光チップから
の発光を発光観測面側に反射することができるので、発
光チップからの発光の外部取出効率が高くなり、発光出
力も向上する。
面の役目を有する配線パターンが発光チップ直下に施さ
れていないにもかかわらず、基板表面で発光チップから
の発光を発光観測面側に反射することができるので、発
光チップからの発光の外部取出効率が高くなり、発光出
力も向上する。
【００１３】また、配線パターン表面は、一般に金、銀
等の貴金属のメッキが施されるが、金メッキの場合、発
光チップの発光波長により反射率は大きく変動する。例
えば青色発光チップの場合、青色発光が配線パターン表
面の金メッキで吸収され、発光出力が低下してしまうと
いう問題があった。しかし、本発明の発光ダイオードで
は、発光チップ直下まで配線パターンを延設する必要が
ないので、基板表面に形成される配線パターンの面積を
極めて小さくすることができる。従って、従来問題とな
っていた金メッキの発光吸収による発光出力の低下も防
止することが可能となる。
等の貴金属のメッキが施されるが、金メッキの場合、発
光チップの発光波長により反射率は大きく変動する。例
えば青色発光チップの場合、青色発光が配線パターン表
面の金メッキで吸収され、発光出力が低下してしまうと
いう問題があった。しかし、本発明の発光ダイオードで
は、発光チップ直下まで配線パターンを延設する必要が
ないので、基板表面に形成される配線パターンの面積を
極めて小さくすることができる。従って、従来問題とな
っていた金メッキの発光吸収による発光出力の低下も防
止することが可能となる。
【００１４】更に、上記に示したように配線パターンの
面積を小さくすることにより、次のような利点もある。
配線パターンとしては、金、銀等の貴金属が用いられる
が、従来に比べ配線パターンの面積が小さいため、その
分高価な貴金属の使用量を低減でき非常に経済的であ
る。
面積を小さくすることにより、次のような利点もある。
配線パターンとしては、金、銀等の貴金属が用いられる
が、従来に比べ配線パターンの面積が小さいため、その
分高価な貴金属の使用量を低減でき非常に経済的であ
る。
【００１５】また、従来の配線パターン上に発光チップ
がダイボンドされた発光ダイオードにおいては、通電に
より生じる発光チップの発熱は、基板の熱伝導率が悪く
ても発光チップから配線パターンに伝導、放熱されてい
た。本発明の発光ダイオードでは、前記に示したセラミ
ックや或いは金属上に薄膜状絶縁性被膜が形成されたも
の等の熱伝導率の良い基板を用いることにより、通電に
よる発光チップの発熱は速やかに基板に伝導、放熱され
るため、発光チップ直下に配線パターンが施されていな
くても従来と同等の放熱性が確保される。
がダイボンドされた発光ダイオードにおいては、通電に
より生じる発光チップの発熱は、基板の熱伝導率が悪く
ても発光チップから配線パターンに伝導、放熱されてい
た。本発明の発光ダイオードでは、前記に示したセラミ
ックや或いは金属上に薄膜状絶縁性被膜が形成されたも
の等の熱伝導率の良い基板を用いることにより、通電に
よる発光チップの発熱は速やかに基板に伝導、放熱され
るため、発光チップ直下に配線パターンが施されていな
くても従来と同等の放熱性が確保される。
【００１６】
【実施例】本発明の発光ダイオードを実施例に基づき説
明する。 ［実施例１］図１は本実施例の発光ダイオードを示す平
面図であり、図２は図１の発光ダイオードの模式断面図
である。符号１は基板で、電気絶縁性の高強度部材より
なり、且つ基板表面で発光チップからの発光を反射する
ことのできる、例えば白色のセラミック等で形成され
る。基板１表面には配線パターン２が形成されており、
配線パターン２は金、銀等の貴金属よりなるか、或いは
ニッケル、タングステン等の金属の下地層上に前記貴金
属のメッキが施されたものを用いる。発光チップ３は基
板１上に、銀ペーストまたはエポキシ樹脂等の接着剤４
を介してダイボンドされる。更に発光チップ３表面に形
成された正負一対の電極と配線パターン２とが、金線等
のボンディングワイヤ５により電気的に接続され、発光
チップ３周辺は透光性の樹脂６によりモールドされて構
成されている。
明する。 ［実施例１］図１は本実施例の発光ダイオードを示す平
面図であり、図２は図１の発光ダイオードの模式断面図
である。符号１は基板で、電気絶縁性の高強度部材より
なり、且つ基板表面で発光チップからの発光を反射する
ことのできる、例えば白色のセラミック等で形成され
る。基板１表面には配線パターン２が形成されており、
配線パターン２は金、銀等の貴金属よりなるか、或いは
ニッケル、タングステン等の金属の下地層上に前記貴金
属のメッキが施されたものを用いる。発光チップ３は基
板１上に、銀ペーストまたはエポキシ樹脂等の接着剤４
を介してダイボンドされる。更に発光チップ３表面に形
成された正負一対の電極と配線パターン２とが、金線等
のボンディングワイヤ５により電気的に接続され、発光
チップ３周辺は透光性の樹脂６によりモールドされて構
成されている。
【００１７】本実施例では、図に示すように発光チップ
３は配線パターン２が備えられていない基板１表面に直
接ダイボンドされる。このようにして得られた発光ダイ
オードは、発光チップ３が高強度部材である基板１上に
直接ダイボンドされているので、発光チップ３の基板へ
の固着強度が高くなるため、従来のように発光チップが
配線パターンごと剥離するといった事もない。更に本実
施例で得られた発光ダイオードは、基板１表面で発光チ
ップ３からの発光を発光観測面側に反射することができ
るので、外部への光取出効率が高くなり、発光出力も向
上する。
３は配線パターン２が備えられていない基板１表面に直
接ダイボンドされる。このようにして得られた発光ダイ
オードは、発光チップ３が高強度部材である基板１上に
直接ダイボンドされているので、発光チップ３の基板へ
の固着強度が高くなるため、従来のように発光チップが
配線パターンごと剥離するといった事もない。更に本実
施例で得られた発光ダイオードは、基板１表面で発光チ
ップ３からの発光を発光観測面側に反射することができ
るので、外部への光取出効率が高くなり、発光出力も向
上する。
【００１８】［実施例２］図３は本実施例の発光ダイオ
ードを示す模式断面図である。基板１１としては、アル
ミニウム等の銀色をした金属上に薄膜状絶縁性被膜を形
成したものを用いる。また発光チップ１３は、基板１１
上と貴金属のメッキが施された配線パターン１２上とに
跨るようにしてダイボンドされている。その他は、実施
例１と同様にして本実施例の発光ダイオードを得る。
ードを示す模式断面図である。基板１１としては、アル
ミニウム等の銀色をした金属上に薄膜状絶縁性被膜を形
成したものを用いる。また発光チップ１３は、基板１１
上と貴金属のメッキが施された配線パターン１２上とに
跨るようにしてダイボンドされている。その他は、実施
例１と同様にして本実施例の発光ダイオードを得る。
【００１９】本実施例の発光ダイオードでは、発光チッ
プ１３が基板１１と配線パターン１２上とに跨るように
してダイボンドされているため、部分的にでも発光チッ
プ１３が高強度部材である基板１１に固着されているの
で、発光チップ１３の基板１１への固着強度が高くな
り、従来のように発光チップの固定が損なわれる事もな
い。また、実施例１と同様に発光チップからの発光の光
取出効率も高く、発光出力の向上した発光ダイオードが
得られる。
プ１３が基板１１と配線パターン１２上とに跨るように
してダイボンドされているため、部分的にでも発光チッ
プ１３が高強度部材である基板１１に固着されているの
で、発光チップ１３の基板１１への固着強度が高くな
り、従来のように発光チップの固定が損なわれる事もな
い。また、実施例１と同様に発光チップからの発光の光
取出効率も高く、発光出力の向上した発光ダイオードが
得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光ダイ
オードは、発光チップが従来のように基板への接着力の
弱い配線パターン上でなく、高強度部材である基板上に
直接ダイボンドされているため発光チップの固着強度が
高くなるので、発光チップの固定が損なわれるのを防止
でき、信頼性が向上するという利点がある。しかも、本
発明の発光ダイオードは、基板表面で発光チップからの
発光を発光観測面側に反射できるので、発光チップから
の発光の光取出効率は高くなり、発光出力は向上する。
オードは、発光チップが従来のように基板への接着力の
弱い配線パターン上でなく、高強度部材である基板上に
直接ダイボンドされているため発光チップの固着強度が
高くなるので、発光チップの固定が損なわれるのを防止
でき、信頼性が向上するという利点がある。しかも、本
発明の発光ダイオードは、基板表面で発光チップからの
発光を発光観測面側に反射できるので、発光チップから
の発光の光取出効率は高くなり、発光出力は向上する。
【００２１】また、本発明の発光ダイオードは、配線パ
ターンの面積が従来に比べて小さいので、その分配線パ
ターンに用いる高価な貴金属の使用量を低減することが
でき非常に経済的である。
ターンの面積が従来に比べて小さいので、その分配線パ
ターンに用いる高価な貴金属の使用量を低減することが
でき非常に経済的である。
【図１】 本発明の発光ダイオードを示す平面図。
【図２】 本発明の発光ダイオードを示す模式断面図。
【図３】 本発明の発光ダイオードを示す模式断面図。
【図４】 従来の発光ダイオードを示す模式断面図。
１、１１・・・・基板 ２、１２・・・・配線パターン ３、１３・・・・発光チップ ４、１４・・・・接着剤 ５、１５・・・・ボンディングワイヤ ６、１６・・・・透光性モールド樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１１月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、予め配線パターン２が形成され、且つ表面が発光チ
ップ３の発光を反射する基板１上に、同一面側に正と負
の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイボンドさ
れ、発光チップ３の両電極は配線パターン２とワイヤー
ボンディングされていることを特徴とする。
は、予め配線パターン２が形成され、且つ表面が発光チ
ップ３の発光を反射する基板１上に、同一面側に正と負
の電極が設けられた発光チップ３が直接ダイボンドさ
れ、発光チップ３の両電極は配線パターン２とワイヤー
ボンディングされていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明の発光ダイオードは、発光チップが
高強度部材である基板上に直接ダイボンドされているた
め、発光チップの固着強度が高くなるので、従来のよう
に発光チップの固定が損なわれることがない。尚、発光
チップ底面の一部が配線パターンにかかり、基板と配線
パターンとに跨るようにしてダイボンドされたものであ
っても、基板に固着された部分は固着強度が高くなるた
め本発明の効果が得られる。
高強度部材である基板上に直接ダイボンドされているた
め、発光チップの固着強度が高くなるので、従来のよう
に発光チップの固定が損なわれることがない。尚、発光
チップ底面の一部が配線パターンにかかり、基板と配線
パターンとに跨るようにしてダイボンドされたものであ
っても、基板に固着された部分は固着強度が高くなるた
め本発明の効果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 予め配線パターン２が形成され、且つ基
板表面が発光チップ３の発光を反射する基板１上に、同
一面側に正と負の電極が設けられた発光チップ３が直接
ダイボンドされ、発光チップ３の両電極は配線パターン
２とワイヤーボンディングされていることを特徴とする
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29114795A JP3256951B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29114795A JP3256951B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09135040A true JPH09135040A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3256951B2 JP3256951B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=17765059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29114795A Expired - Lifetime JP3256951B2 (ja) | 1995-11-09 | 1995-11-09 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256951B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004207655A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属ベース基板および発光ユニット |
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| JP2011049608A (ja) * | 2010-12-07 | 2011-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 発光素子搭載用基板とその製造方法 |
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| JP3256951B2 (ja) | 2002-02-18 |
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