JPH09138172A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH09138172A
JPH09138172A JP7295126A JP29512695A JPH09138172A JP H09138172 A JPH09138172 A JP H09138172A JP 7295126 A JP7295126 A JP 7295126A JP 29512695 A JP29512695 A JP 29512695A JP H09138172 A JPH09138172 A JP H09138172A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor chip
sensor
pressure
printed wiring
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7295126A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikio Hashimoto
橋本  幹夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP7295126A priority Critical patent/JPH09138172A/ja
Publication of JPH09138172A publication Critical patent/JPH09138172A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体圧力センサを極めて小型化できかつ低
コストで製造できる半導体圧力センサおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 基板4の一面4aには圧力センサ素子の
形成箇所にプリント配線5をしかつ圧力センサ素子の接
続構造12を形成し、他面4bには電極端子6を形成す
ると共に、一面4aから他面4bに突き抜けてスルーホ
ール7を形成する。基板4の一面4aに個々にセンサチ
ップ3を台座8に乗せて固定し該センサチップ3をリー
ド線9でプリント配線5に電気的に接続する。このセン
サチップ3をキャップ2で覆い固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高度、気圧、水深
等の圧力を計測できる腕時計(ダイバーズウオッチ)等
の、小型圧力センサを必要とする機器類に利用可能な半
導体圧力センサおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】圧力センサは、空圧機器などの産業用か
ら大気圧モニター等の気象観測用さらには家庭電化製品
に至るまでその用途は極めて広い。しかも、現在におい
て、圧力センサは腕時計等の携帯用の機器にまで搭載さ
れており、登山用の高度計やダイバー用の水深計として
の利用により快適なスポーツライフを提供する等、その
用途はますます広がっている。
【0003】前記携帯用の機器に圧力センサを搭載にす
るときには、搭載する圧力センサにより、機器が大型化
してしまっては、携帯用機器の意味をなさないため、当
然、圧力センサの小型化が必要である。
【0004】従来の小型圧力センサは、ボタン型と称さ
れており、金属リードフレームでセンサチップとの導電
線路を形成し、パッケージ構造として周囲の絶縁体を樹
脂モールドで成形するリードフレーム法と称される方法
で製造されていた。
【0005】図5にこの種の小型圧力センサの外観構造
を示す。図の圧力センサは上部を解放して(シリコーン
系のゲルが充填されている場合もある)外周部がモール
ド樹脂体からなるパッケージaで覆われており、通常は
機器への搭載側になる下面にリードフレームの電極端子
bが露出している。この電極端子bはパッケージaに搭
載されたセンサチップ(図示省略)にリードフレームを
介して接続されており、センサチップの電気的な出力を
外部機器に出力する。前記パッケージaの上部の開放に
はセンサチップの受圧面が臨み、該開放から測定圧力が
センサチップの受圧面に至るようになっている。
【0006】前記小型圧力センサの従来の製造工程を図
6〜図8に示す。図6、図7はリードフレームおよびパ
ッケージaの成形工程である。まず、図6(a)に示す
ように、厚さの薄い(例えば0.25〜0.5mm)リ
ードフレーム材(金属板例えば銅板)を帯状にしたもの
cを、(b)に示すようにプレス加工により型抜きして
リードフレームdを形成する。
【0007】そして、図6(c)および図7(a)に示
すようにリードフレームdの所定箇所eを下方に向けて
折り曲げて電極端子bを形成する。さらに、図6(d)
および図7(b)に示すように、PPS(ポリフェニレ
ンサルファイド)等のプラスチック樹脂を個々のリード
フレームdに射出成形して上部の開放されたパッケージ
aを形成する。その後、図7(c)に示すように、パッ
ケ−ジaから下方に突出した電極端子bを折り曲げる。
【0008】図8は、センサの組み立て工程である。前
記リードフレームdに成形されたパッケ−ジaは、図8
(a)に示すように、上部の開放されており、その上部
開放部f内に台座gおよびセンサチップhを搭載してそ
れをシリコーン樹脂等で接着する。そして、図8(b)
に示すように、センサチップhをワイヤーボンドiによ
りリードフレームdに接続し、(c)に示すように、上
部開放部f内に柔軟性を有するシリコーン系のゲルから
なるシリコーン樹脂jを埋め込む。なお、シリコーン樹
脂は、条件に応じて使用できる。
【0009】以上の工程までは型抜きされた複数のリー
ドフレームd上に複数個のモールド樹脂からなるパッケ
ージaを一次元的に付けたままで、全組み立て工程を流
し、最終的にリードフレームd(例えばセンサ10個/
1リードフレーム)を個々の圧力センサ毎に切り離して
分離し(図8(c)参照)、これにより圧力センサが完
成する。
【0010】上記のリードフレームによる製造方法を採
用するのは、金属板に一次元的に金属リードフレームを
製造できかつそのリードフレームdに樹脂パッケージa
を成形した状態で製造ライン上を流せるので、大量生産
に向くからである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の工程で作成される小型圧力センサでは、次のような
構造上および製造方法上の理由から小型化およびコスト
低減に限界があり、さらなる小型化および低価格化のニ
ーズに応えることができないという問題点がある。例え
ば、従来の小型圧力センサではボタン型で直径が5.8
mmで厚さが2.5mm程度が限界になっていたが、従
来技術ではこの製造限界を低コストで超える技術が無か
った。
【0012】射出成形樹脂からなるパッケージをリー
ドフレームに一体成形する従来のやり方には、小型化す
るのに加工技術上の限界がある。つまり、小型化するに
はフレームの厚さおよび幅を小さくする必要があり、セ
ンサチップへの接続端子部分等の箇所で部分的にリード
フレームの幅を0.25mm程度の非常に小さいものに
成形しなければならない。しかしながら、従来のパッケ
ージは、リードフレームを複雑に折り曲げた構造をして
いるためにその加工精度を保つ寸法は、現在のプレス成
形技術ではリードフレームの幅および金属板の厚さの限
界があり、端子の幅をこの限界以下に狭くすると、その
端子でリードフレームが非常に脆弱になってしまうの
で、フレーム自体のゆがみや折れが生じやすく、また、
フレーム自体の剛性も低下してしまう。さらに、圧力セ
ンサの小型化にともなって、パッケージも小型化するた
めに、成形樹脂を射出する空間が小さくなってしまい、
現在の射出成形技術の限界を超えてしまっていた。した
がって、上記の理由から、小型圧力センサはボタン型で
直径が5.8mmで厚さが2.5mm程度が限界になっ
ていた。
【0013】この種の射出成形のパッケージでは、も
ともと、材料費よりも加工費がコストのほとんどを占め
ているので、この射出成形を行っていたのでは、パッケ
ージのコストがある程度以上下がらないものであった。
【0014】センサの組み立て工数は、パッケージに
依存し、センサの大きさにほとんど無関係であるので、
コストをほとんど下げることができかった。
【0015】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたものであって、半導体圧力センサを極めて小
型化できかつ低コストで製造できる半導体圧力センサお
よびその製造方法を提供することを課題とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため次の構成を有する。請求項1の発明は、半導
体センサチップに圧力により歪む部分と歪みの検出部と
を形成し、該センサチップに測定対象圧力が作用して該
センサチップに生じる歪みを前記歪み検出部の出力信号
から検出することにより、該測定対象圧力を測定する半
導体圧力センサにおいて、一面にプリント配線がされ、
かつ、他面に端子が形成されていて、該一面から他面に
突き抜けて形成されたスルーホールの導体を介して該プ
リント配線と他面の端子とが電気的に接続された、絶縁
体からなる基板と、該基板の一面に固定されたセンサチ
ップと、該センサチップの歪み検出部を前記プリント配
線に電気的に接続する接続部と、該接続部でプリント配
線に接続されたセンサチップを覆うパッケージ部材とを
有し、前記歪み検出部の検出信号を接続部、プリント配
線、および、スルーホール導体を介して前記他面の端子
から出力することを特徴とする半導体圧力センサであ
る。
【0017】請求項2の発明は、半導体センサチップに
圧力により歪む部分と歪みの検出部とを形成し、該セン
サチップに測定対象圧力が作用して該センサチップに生
じる歪みを前記検出部の出力信号から検出することによ
り、該測定対象圧力を測定する半導体圧力センサの製造
方法において、絶縁体からなる基板素材の一面にプリン
ト配線をし、かつ、基板素材の他面に端子を形成して、
さらに、該一面から他面に突き抜けて該プリント配線と
他面の端子とを電気的に接続するスルーホールの導体を
形成した、一個の半導体センサチップに対応する接続構
造を基板素材に個別に複数形成し、前記接続構造に対応
する基板素材一面の複数の所定位置に個々にセンサチッ
プを固定し、固定されたセンサチップをプリント配線に
電気的に接続し、プリント配線にセンサチップが電気的
に接続された状態のセンサチップを個々にパッケージ部
材で覆いかつパッケージ部材を基板素材に固定し、パッ
ケージ部材で覆われたセンサチップをそれに対応する接
続構造およびパッケージ部材と共にセンサチップ毎に切
り離して、個々の半導体圧力センサ素材を製造すること
を特徴とする半導体圧力センサの製造方法である。
【0018】請求項1および請求項2の発明において
は、半導体圧力センサおよびその製造方法において、基
板には、一面にプリント配線をし、かつ、他面に端子を
形成しておき、該一面から他面に突き抜けて形成された
スルーホールの導体を介して該プリント配線と他面の端
子とが電気的に接続する。また、センサチップは該基板
の一面に固定し、該センサチップの歪み検出部を前記プ
リント配線に接続部により電気的に接続しており、プリ
ント配線に接続されたセンサチップをパッケージ部材で
覆っている。そして、前記歪み検出部の検出信号を前記
接続部、プリント配線、および、スルーホール導体を介
して前記他面の端子から出力する。
【0019】したがって、センサチップと端子との電気
的な接続を型抜きのリードフレーム材を用いずに行うこ
とができる。特にプリント配線では、光学的転写技術で
極めて微細な加工でき、また、スルーホールはドリルで
微細な孔を空けることが可能なため、従来の型抜きの際
に生じている曲がり等が全く生じることがない。
【0020】よって、リードフレーム材を用いたときに
比較して、はるかに半導体圧力センサの小型化を図るこ
とができる。また、リードフレーム材を不要にしてプリ
ント配線を主にすると共に、パッケージは、射出成形に
よらずにキャン等を被せるだけで良いため、材料費、加
工費の面でコストダウンも確実に図れる。
【0021】請求項2の発明では、半導体圧力センサの
製造に際して、まず、一面にプリント配線をし、かつ、
基板素材の他面に端子を形成して、さらに、該一面から
他面に突き抜けて該プリント配線と他面の端子とを電気
的に接続するスルーホールの導体を形成した、一個の半
導体センサチップに対応する接続構造を基板素材に個別
に複数形成する。
【0022】そして、前記接続構造に対応する基板素材
一面の複数の所定位置に個々にセンサチップを固定す
る。次いで、固定されたセンサチップをプリント配線に
電気的に接続する。そして、プリント配線にセンサチッ
プが電気的に接続された状態のセンサチップを個々にパ
ッケージ部材で覆いかつパッケージ部材を基板素材に固
定する。
【0023】その後、パッケージ部材で覆われたセンサ
チップをそれに対応する接続構造およびパッケージ部材
と共にセンサチップ毎に切り離して、個々の半導体圧力
センサ素材を製造する。
【0024】したがって、基板素材上に一次元的な広が
りのみならず、二次元的な広がりを持ってセンサを形成
できるので、多数のセンサを基板素材上に形成できる。
しかも、そのセンサを素材基板の切り離しで個々のセン
サにできるので、多数のセンサを一括で製造できる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は本発明の実施形態に
係る半導体圧力センサの単体とした場合の説明図であっ
て、(a)は平面図、(b)は縦断面図である。図1に
示すように、該圧力センサは、外形が概略椀形状であっ
てかつ中央部に穴(圧力導入穴)1の明いたキャップ
(パッケージ部材に相当)2が半導体センサチップ3上
を覆って基板4に固定されているものである。
【0026】また、前記圧力センサにおいては、半導体
センサチップ3に圧力により歪むダイヤフラム部3aと
歪みを検出する歪み抵抗ゲージ3bとを形成し、該セン
サチップ3に前記圧力導入穴2を通る測定対象圧力が作
用して該センサチップ3に生じる歪みを前記歪み抵抗ゲ
ージ3bの出力信号から検出することにより、該測定対
象圧力を測定する。
【0027】前記基板4は、一面(図1(b)で上面)
4aにプリント配線5がされ、かつ、他面4bに電極端
子6が形成されていて、該一面4aから他面(図1
(b)で下面)4bに突き抜けて形成されたスルーホー
ル7の導体7aを介して該プリント配線5と他面4bの
電極端子6とが電気的に接続されている絶縁体からなる
ものである。したがって、実施形態の圧力センサはいわ
ゆる基板実装タイプである。
【0028】また、前記基板4には基板材として、フェ
ノール樹脂基板、エポキシ樹脂基板、ガラスエポキシ樹
脂基板等を用いることができる。
【0029】前記センサチップ3は前記基板4の一面4
aのプリント配線5された回路部分近傍に台座8を介し
て直接ダイボンドにより接着されて固定される。また、
該センサチップ3の歪み抵抗ゲージ3bは前記プリント
配線5に金線等のリード線9で電気的に接続される。
【0030】前記キャップ2は、前記リード線9により
基板4上のプリント配線5に接続されたセンサチップ3
をその上部から覆って、該基板4に固定するものであ
る。したがって、このキャップ2が被っていることによ
り、実施形態の圧力センサはキャンタイプである。前記
キャップ2は、ポリフェニレンサルファイド等のプラス
チックや金属キャン等の金属を材質とすることができ
る。また、前記キャップ2には、前記のように上部に圧
力導入穴1が設けてあり、実施形態の圧力センサで水圧
を測る場合には、この穴1からキャップ2内部にわたっ
てシリコーン系のゲル(符号2aで示す)を充填するこ
とが望ましい。
【0031】前記歪み抵抗ゲージ3bの検出信号をリー
ド線9、プリント配線5、および、スルーホール導体7
aを介して前記他面4bの電極端子6から出力する。
【0032】したがって、実施形態の圧力センサによれ
ば、リードフレームを用いることなくプリント配線5、
スルーホール7および電極端子6により接続構造を形成
するため、リードフレームのようなプレス成形時の曲が
りや折れが生じないようにするための寸法制約等がない
ため、リードフレームに比較してはるかにセンサの小型
化を図ることができる。また、プリント配線を主にする
ため、材料費、加工費の面でコストダウンも確実に図れ
る。
【0033】次に、前記圧力センサの製造工程を説明す
る。図2、図3の(a)に示すように、切断後に個々の
圧力センサ素子10の前記基板4になるいわば基板の素
材である絶縁体からなる基板素材11を用意する。
【0034】そして、図3の(b)に示すように、この
基板素材11の一面11aに個々の圧力センサ素子10
の形成箇所にプリント配線5をする。このプリント配線
5は圧力センサ素子10の形成に対応して縦横マトリッ
クス状に配列し、通常のプリント基板のプリント配線と
同じ方法で形成する。例えば、銅張の絶縁積層板をエッ
チングその他の手法によって処理して配線パターンどお
りの銅箔を残したものである。
【0035】また、基板素材11は個々の圧力センサ素
子10に対応して、センサチップ3を搭載する箇所毎に
圧力センサ素子10の接続構造12を複数形成する。こ
の接続構造12は基板素材11の他面11bに電極端子
6を形成する。それと共に基板素材11の一面11aか
ら他面11b突き抜けて(もちろん他面11bから一面
に突き抜けてでも同じである)ドリル等でスルホール7
を形成しかつそのスルーホール7内に導体7aを通す。
この導体7aは、前記プリント配線5と他面11bの電
極端子6とを電気的に接続するように形成する。
【0036】次いで、図3の(c)に示すように、前記
接続構造12に対応する基板素材11の一面11aの複
数の所定箇所に個々にセンサチップ3を台座8に乗せて
固定する。この固定はシリコーン樹脂の接着剤で行う。
そして、固定されたセンサチップ3をリード線9でプリ
ント配線5に電気的に接続する。なお、前記基板素材1
1の一面11aの各所定箇所にセンサチップ3を固定す
る作業、あるいは、リード線9の接続作業は、予め定め
られたプログラムにしたがって、精度良くX−Y位置決
めできかつこのような種々の作業が実行可能な、産業用
のロボットハンドを用いて行うことができる。
【0037】次いで、図3の(d)に示すように、プリ
ント配線5にセンサチップ3が電気的に接続された状態
のセンサチップ3を個々にキャップ2で覆いかつキャッ
プ2を基板素材11に固定する。この際にセンサ素子1
0が水圧を検出するものであれば、シリコーン系のゲル
2aをキャップ2内に充填する。
【0038】最後に、キャップ2で覆われたセンサチッ
プ3をそれに対応する接続構造12およびキャップ2と
共にキャップ2の外形に合わせて、例えば図3の(d)
の二点鎖線で示すように、キャップ2の外形線13に応
じて(理想的には、キャップ2と側面と面一に)、プレ
スによりダイ14とポンチ15で打ち抜いて、センサ素
子10毎に切り離し、個々の圧力センサ素子10の製造
が終了する。
【0039】上記の製造工程によれば、大きなプリント
基板の基板素材11上に一次元的な広がりのみならず、
二次元的な広がりを持ってセンサ素子10を形成でき
る。例えば、100×100以上のセンサ素子を配列で
きる。したがって、基板素材11上に多数のセンサ素子
10を形成できる。しかも、そのセンサ素子10を基板
素材11の切り離しで個々のセンサにできるので、多数
のセンサを一括で製造できる。したがって、量産性が極
めて高い。
【0040】次に、前記実施形態の圧力センサの応用例
を説明する。図4(a)は応用例の平面図、(b)は縦
断面図である。図4に示すように、この応用例は、前記
実施形態の圧力センサ素子10に他の機器と接続する引
き出し電極16を接続するものである。この引き出し電
極16と圧力センサ素子10との間には、折り曲げ自在
の樹脂フィルム表面に導電膜回路17aが形成されたF
PC(フレキシブルプリントサーキット)17が配置さ
れ、該導電膜回路17aの一端が前記圧力センサ素子1
0の電極端子6に半田18で接続されかつ他端が一体ま
たは別体に引き出し電極16に電気的に接続される。
【0041】この応用例によれば、機器に圧力センサ素
子10を組みつける場合に引き出し電極16により圧力
センサ素子10と他の機器との位置関係を厳密に調整す
ることなく比較的自由に選択して接続することができる
ので、容易な接続を可能にし、圧力センサ素子10の組
付け性を向上させることができる。
【0042】なお、前記実施形態では、センサ素子の製
造に際して素材基板11上にキャップ2を固定した後に
各センサ素子毎に切り離していたが、請求項1の発明は
これに限定されない。例えば、センサチップの固定と接
続が終了した後にパッケージ部材を取り付ていない状態
で各センサ素子に対応する基板素材を切り離し、切り離
した後にパッケージ部材をセンサチップで覆って基板に
固定するようにしてもよい。
【0043】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、リー
ドフレームによる加工の限界がないので、半導体圧力セ
ンサを極めて小型化でき、従来不可能であったセンササ
イズ、例えば直径5mm以下、例えば外径4mm、厚さ
2.5mmも可能にできる。また、リードフレーム法で
は一次元的に配列してセンサ素子を製造していたのに比
較して、本発明は基板素材上に二次元的に配列してセン
サ素子を製造できるため、より一層の大量生産が可能で
あり圧力センサを低コストで製造できることを可能にす
る。また、圧力センサの他面に端子を有するため、他の
基板表面に容易に実装できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体圧力センサの単
体とした場合の説明図であって、(a)は平面図、
(b)は縦断面図である。
【図2】基板素材上にセンサ素子を配列した状態の斜視
図である。
【図3】(a)〜(e)はそれぞれ圧力センサ素子の製
造工程の説明図である。
【図4】実施形態の圧力センサの応用例を説明するもの
であって、(a)は平面図、(b)は縦断面図である。
【図5】従来の小型圧力センサの外観構造を示す説明図
であって(a)は側面視図、(b)は底面視図である。
【図6】図5の小型圧力センサの従来の製造工程の説明
図であって、(a)〜(d)はそれぞれリードフレーム
およびパッケージの成形工程説明図である。
【図7】(a)〜(c)は、それぞれリードフレームお
よびパッケージの成形工程説明図である。
【図8】(a)〜(c)は、それぞれパッケージ内のセ
ンサチップの接続工程説明図である。
【符号の説明】
1 圧力導入穴 2 キャップ 3 センサチップ 4 基板(単一のもの) 5 プリント配線 6 電極端子 7 スルーホール 7a スルーホールの導体 9 リード線 10 圧力センサ素子 11 基板素材 12 接続構造

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体センサチップに圧力により歪む部
    分と歪みの検出部とを形成し、該センサチップに測定対
    象圧力が作用して該センサチップに生じる歪みを前記歪
    み検出部の出力信号から検出することにより、該測定対
    象圧力を測定する半導体圧力センサにおいて、 一面にプリント配線がされ、かつ、他面に端子が形成さ
    れていて、該一面から他面に突き抜けて形成されたスル
    ーホールの導体を介して該プリント配線と他面の端子と
    が電気的に接続された、絶縁体からなる基板と、 該基板の一面に固定されたセンサチップと、 該センサチップの歪み検出部を前記プリント配線に電気
    的に接続する接続部と、 該接続部でプリント配線に接続されたセンサチップを覆
    うパッケージ部材とを有し、 前記歪み検出部の検出信号を接続部、プリント配線、お
    よび、スルーホール導体を介して前記他面の端子から出
    力することを特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 半導体センサチップに圧力により歪む部
    分と歪みの検出部とを形成し、該センサチップに測定対
    象圧力が作用して該センサチップに生じる歪みを前記検
    出部の出力信号から検出することにより、該測定対象圧
    力を測定する半導体圧力センサの製造方法において、 絶縁体からなる基板素材の一面にプリント配線をし、か
    つ、基板素材の他面に端子を形成して、さらに、該一面
    から他面に突き抜けて該プリント配線と他面の端子とを
    電気的に接続するスルーホールの導体を形成した、一個
    の半導体センサチップに対応する接続構造を基板素材に
    個別に複数形成し、 前記接続構造に対応する基板素材一面の複数の所定位置
    に個々にセンサチップを固定し、 固定されたセンサチップをプリント配線に電気的に接続
    し、 プリント配線にセンサチップが電気的に接続された状態
    のセンサチップを個々にパッケージ部材で覆いかつパッ
    ケージ部材を基板素材に固定し、 パッケージ部材で覆われたセンサチップをそれに対応す
    る接続構造およびパッケージ部材と共にセンサチップ毎
    に切り離して、個々の半導体圧力センサ素子を製造する
    ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
JP7295126A 1995-11-14 1995-11-14 半導体圧力センサおよびその製造方法 Pending JPH09138172A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7295126A JPH09138172A (ja) 1995-11-14 1995-11-14 半導体圧力センサおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7295126A JPH09138172A (ja) 1995-11-14 1995-11-14 半導体圧力センサおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09138172A true JPH09138172A (ja) 1997-05-27

Family

ID=17816632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7295126A Pending JPH09138172A (ja) 1995-11-14 1995-11-14 半導体圧力センサおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09138172A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008512647A (ja) * 2004-09-07 2008-04-24 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法
KR101447982B1 (ko) * 2013-01-08 2014-10-13 (주)파트론 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법
WO2023233819A1 (ja) * 2022-05-31 2023-12-07 株式会社日立ハイテク 圧力センサ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008512647A (ja) * 2004-09-07 2008-04-24 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法
KR101447982B1 (ko) * 2013-01-08 2014-10-13 (주)파트론 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법
WO2023233819A1 (ja) * 2022-05-31 2023-12-07 株式会社日立ハイテク 圧力センサ
JP2023176326A (ja) * 2022-05-31 2023-12-13 株式会社日立ハイテク 圧力センサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0424530B1 (en) Resin-sealed semiconductor device
EP3624468B1 (en) Micro-electrical mechanical system sensor package and method of manufacture thereof
US6933493B2 (en) Image sensor having a photosensitive chip mounted to a metal sheet
JPH11312706A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、リードフレーム
US11174152B2 (en) Over-under sensor packaging with sensor spaced apart from control chip
US7307285B2 (en) Optical semiconductor device and a method for manufacturing the same
KR101420015B1 (ko) 반도체 장치용 패키지의 집합체, 반도체 장치의 집합체, 반도체 장치의 제조 방법
JP3602238B2 (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2009076588A (ja) センサーパッケージとその製造方法
US7595839B2 (en) Image sensor chip packaging method
US6683370B1 (en) Semiconductor component and method of manufacturing same
EP1898667A2 (en) Microphone package
US7629660B2 (en) Semiconductor sensor component including a sensor chip and methods for the manufacturing thereof
JPH09138172A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
US7075188B2 (en) Circuit device and method for manufacturing the same
CN110054144A (zh) 微机电传感器封装结构及制造方法
KR101196694B1 (ko) 반도체 패키지
US20220270960A1 (en) Open-Cavity Package for Chip Sensor
JP3578347B2 (ja) 圧力センサ及びその製造方法
US20040211882A1 (en) Image sensor having a rough contact surface
JP2503029B2 (ja) 薄型構造の半導体装置の製造方法
JP2007199049A (ja) 半導体装置
JP4207671B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP4455011B2 (ja) プリモールドパッケージ及びこれを用いた半導体装置
KR100476669B1 (ko) 칩온보드패키지용인쇄회로기판및그를이용한칩온보드패키지와칩카드