JPH09138392A - 複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板の製造方法Info
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- JPH09138392A JPH09138392A JP8176723A JP17672396A JPH09138392A JP H09138392 A JPH09138392 A JP H09138392A JP 8176723 A JP8176723 A JP 8176723A JP 17672396 A JP17672396 A JP 17672396A JP H09138392 A JPH09138392 A JP H09138392A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コスト高を招く事なく、基板の軽量化及び薄
型化を図ることができる複合基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 下板１０Ａと上板２０Ａとを所定の間隔
をもって合着する工程と、下板１０Ａ又は上板２０Ａの
少なくとも一方の外側表面を除去して薄くする工程と、
下板１０Ａと上板２０Ａとの間に液晶２２を注入する工
程と、液晶２２を下板１０Ａと上板２０Ａの間にシール
材１４で密封する工程とを含んでなる。
型化を図ることができる複合基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 下板１０Ａと上板２０Ａとを所定の間隔
をもって合着する工程と、下板１０Ａ又は上板２０Ａの
少なくとも一方の外側表面を除去して薄くする工程と、
下板１０Ａと上板２０Ａとの間に液晶２２を注入する工
程と、液晶２２を下板１０Ａと上板２０Ａの間にシール
材１４で密封する工程とを含んでなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複数の基板を重ね合
わせてなる複合基板の製造方法に関し、特に、一定の間
隔を有して互いに合着されて重ね合わせられた複合基板
を、研磨剤または食刻剤を用いて研磨または食刻して各
基板の厚さを減少させることにより、体積及び重さを減
らすようにした複合基板の製造方法に関する。
わせてなる複合基板の製造方法に関し、特に、一定の間
隔を有して互いに合着されて重ね合わせられた複合基板
を、研磨剤または食刻剤を用いて研磨または食刻して各
基板の厚さを減少させることにより、体積及び重さを減
らすようにした複合基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の従来技術として液晶表示装置を
例にとって以下に説明する。一般に、上下２枚の基板を
所定間隔を有して合着してなる液晶表示装置の複合基板
は、マトリックス構造で画素電極とスイッチング素子を
有する基板と、色を再現できるように配列されたカラ−
フィルタ及び共通電極を有する基板とを、所定間隔を有
して合着させた後、これら２枚の基板間に液晶を注入、
密封して構成され、外部から印加される電界により液晶
を動かせて基板を通過する光を調整することにより画像
を表示できるようにしたものである。
例にとって以下に説明する。一般に、上下２枚の基板を
所定間隔を有して合着してなる液晶表示装置の複合基板
は、マトリックス構造で画素電極とスイッチング素子を
有する基板と、色を再現できるように配列されたカラ−
フィルタ及び共通電極を有する基板とを、所定間隔を有
して合着させた後、これら２枚の基板間に液晶を注入、
密封して構成され、外部から印加される電界により液晶
を動かせて基板を通過する光を調整することにより画像
を表示できるようにしたものである。
【０００３】図４は、従来の液晶表示装置の概略的な構
成を示す図である。従来の液晶表示装置は、選択された
部位に所定の電界を印加できるように電気的な配線が形
成された第１透明基板３（下板と称される）と第２透明
基板４（カラ−フィルタ基板と称される上板）と、これ
ら２枚の基板３、４間に注入され、電界により光の透過
特性が変わる液晶５と、この液晶５を密封するシ−ル材
６とを設け、更に、基板３、４の両面に光を偏光させる
偏光板２−１、２−２を設けるとともに、下側の偏光板
２−１の下面側に光を発生する背面光（バックライト）
をつけて完成する。
成を示す図である。従来の液晶表示装置は、選択された
部位に所定の電界を印加できるように電気的な配線が形
成された第１透明基板３（下板と称される）と第２透明
基板４（カラ−フィルタ基板と称される上板）と、これ
ら２枚の基板３、４間に注入され、電界により光の透過
特性が変わる液晶５と、この液晶５を密封するシ−ル材
６とを設け、更に、基板３、４の両面に光を偏光させる
偏光板２−１、２−２を設けるとともに、下側の偏光板
２−１の下面側に光を発生する背面光（バックライト）
をつけて完成する。
【０００４】第１透明基板３には、図示しない走査線、
デ−タ線、画素電極及び画素電極に印加される電界を制
御するためのスイッチング手段などがマトリックス状に
配列されている。そして、第２透明基板４には、図示し
ない共通電極とカラ−フィルタが取り付けられている。
これらの基板には外部の信号を受け入れるためのリ−ド
線やパッドが形成される。
デ−タ線、画素電極及び画素電極に印加される電界を制
御するためのスイッチング手段などがマトリックス状に
配列されている。そして、第２透明基板４には、図示し
ない共通電極とカラ−フィルタが取り付けられている。
これらの基板には外部の信号を受け入れるためのリ−ド
線やパッドが形成される。
【０００５】以下に、従来の液晶表示装置の製造過程に
ついて説明する。例えば、ガラスで構成される透明基板
上に数十万個から数百万個の単位画素電極と、これら画
素電極に印加するデ−タ電圧を制御するための制御素子
を配列し、外部から映像信号を印加するためのデ−タ
線、及び走査線を形成して第１透明基板３を製作する。
ついて説明する。例えば、ガラスで構成される透明基板
上に数十万個から数百万個の単位画素電極と、これら画
素電極に印加するデ−タ電圧を制御するための制御素子
を配列し、外部から映像信号を印加するためのデ−タ
線、及び走査線を形成して第１透明基板３を製作する。
【０００６】また、他の透明基板上に、画素電極で制御
される光のみを通過し、色を構成するカラ−フィルタと
共通電極を形成して第２透明基板４を製作する。
される光のみを通過し、色を構成するカラ−フィルタと
共通電極を形成して第２透明基板４を製作する。
【０００７】以上のように第１透明基板（下板）３と第
２透明基板（上板）４が完成されれば、これら２枚の基
板間にシールド空間を形成できるよう、これら２枚の基
板周辺を液晶注入口（開放部分）を残してシールドする
ようにシ−ル材６を塗った後、上下に２枚の基板を合着
し、その間に液晶注入口より液晶を注入した後、最終的
に液晶が外部に流れ出ないように液晶注入口を密封す
る。
２透明基板（上板）４が完成されれば、これら２枚の基
板間にシールド空間を形成できるよう、これら２枚の基
板周辺を液晶注入口（開放部分）を残してシールドする
ようにシ−ル材６を塗った後、上下に２枚の基板を合着
し、その間に液晶注入口より液晶を注入した後、最終的
に液晶が外部に流れ出ないように液晶注入口を密封す
る。
【０００８】上述した液晶の密封工程が完了すれば、基
板の両面に偏光板２−１、２−２を取り付け、外部から
信号を印加するため、図示しないドライブＩＣをリ−ド
線に連結した後、偏光板２−１の下側に発光手段である
バックライト１と取付手段（図示しない）を組み立てて
液晶表示装置の製作を完了する。
板の両面に偏光板２−１、２−２を取り付け、外部から
信号を印加するため、図示しないドライブＩＣをリ−ド
線に連結した後、偏光板２−１の下側に発光手段である
バックライト１と取付手段（図示しない）を組み立てて
液晶表示装置の製作を完了する。
【０００９】かかる従来の製造方法において、第１透明
基板３及び第２透明基板４を製作するためには、洗浄及
び蒸着または食刻装備が使われ、数十種以上の工程が施
される。この際、工程進行中の透明基板３、４には、物
理的な力が加えられる場合があり、また、加熱及び冷却
工程も多く施されることになるので、これら透明基板
３、４が弱い場合は破損の恐れも高くなる。
基板３及び第２透明基板４を製作するためには、洗浄及
び蒸着または食刻装備が使われ、数十種以上の工程が施
される。この際、工程進行中の透明基板３、４には、物
理的な力が加えられる場合があり、また、加熱及び冷却
工程も多く施されることになるので、これら透明基板
３、４が弱い場合は破損の恐れも高くなる。
【００１０】従来より、液晶表示装置を製造するための
基板には、商業的に用いられている、およそ１．１ｍｍ
の厚さを有する透明ガラスが使用され、その厚さを保持
したまま、液晶表示装置としての最終製品が完成され
る。
基板には、商業的に用いられている、およそ１．１ｍｍ
の厚さを有する透明ガラスが使用され、その厚さを保持
したまま、液晶表示装置としての最終製品が完成され
る。
【００１１】すなわち、従来の技術では、液晶表示装置
を製造するために使われる基板は、装置の製作初期に決
定された厚さで、最終製品が完成されるまで同一の厚さ
で使用されることとなる。
を製造するために使われる基板は、装置の製作初期に決
定された厚さで、最終製品が完成されるまで同一の厚さ
で使用されることとなる。
【００１２】しかるに従来より使用されている透明基板
としてのガラスは、その厚さが１、１ｍｍと比較的厚い
ので、工程進行時物理的または熱的衝撃に安全であっ
た。
としてのガラスは、その厚さが１、１ｍｍと比較的厚い
ので、工程進行時物理的または熱的衝撃に安全であっ
た。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、最近、液晶
表示装置の重さを減らすために、厚さ０．７ｍｍの比較
的薄い基板の使用が検討されている。しかしながら、従
来の比較的厚い基板（ガラス）の代わりに工程初期から
薄い基板を使えば基板の破損及び変形により歩留まり率
が低下する。また、第１透明基板の製作から最終的に行
われる液晶密封工程までには、２００〜３００℃の温度
の昇降工程が１０回以上も行われ、更に洗浄や塗布など
の工程による高速回転工程が必須的に要求されるので、
初期より薄いガラスを使用することにより、液晶表示装
置の重さを減少させることには限界があった。一方、初
期より歩留まり率を低下させることなく、薄いガラスの
使用を可能にするためには、装備の改善や別途の機能の
追加が必要となり、これら設備のためにコスト高になる
という別の問題点が生じる。
表示装置の重さを減らすために、厚さ０．７ｍｍの比較
的薄い基板の使用が検討されている。しかしながら、従
来の比較的厚い基板（ガラス）の代わりに工程初期から
薄い基板を使えば基板の破損及び変形により歩留まり率
が低下する。また、第１透明基板の製作から最終的に行
われる液晶密封工程までには、２００〜３００℃の温度
の昇降工程が１０回以上も行われ、更に洗浄や塗布など
の工程による高速回転工程が必須的に要求されるので、
初期より薄いガラスを使用することにより、液晶表示装
置の重さを減少させることには限界があった。一方、初
期より歩留まり率を低下させることなく、薄いガラスの
使用を可能にするためには、装備の改善や別途の機能の
追加が必要となり、これら設備のためにコスト高になる
という別の問題点が生じる。
【００１４】従って、本発明の目的は、コスト高を招く
事なく、基板の軽量化及び薄型化を図ることができる複
合基板の製造方法を提供することにある。
事なく、基板の軽量化及び薄型化を図ることができる複
合基板の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、この発明は、第１基板と第２基板とを所定の間
隔をもって合着する工程と、前記第１基板又は前記第２
基板の少なくとも一方の外側表面を除去して薄くする工
程と、前記第１基板と前記第２基板との間に層間物質を
注入する工程と、前記層間物質を前記第１基板と前記第
２基板の間に密封する工程とを含んだものである。
るため、この発明は、第１基板と第２基板とを所定の間
隔をもって合着する工程と、前記第１基板又は前記第２
基板の少なくとも一方の外側表面を除去して薄くする工
程と、前記第１基板と前記第２基板との間に層間物質を
注入する工程と、前記層間物質を前記第１基板と前記第
２基板の間に密封する工程とを含んだものである。
【００１６】また、この発明は、前記第１基板又は前記
第２基板の少なくとも一方を薄くする工程を、前記層間
物質を注入する工程及び前記周辺を密封する工程前に行
うようにしたものである。
第２基板の少なくとも一方を薄くする工程を、前記層間
物質を注入する工程及び前記周辺を密封する工程前に行
うようにしたものである。
【００１７】また、この発明は、前記第１基板又は前記
第２基板の少なくとも一方を薄くする工程を、前記層間
物質を注入する工程及び前記周辺を密封する工程後に行
うようにしたものである。
第２基板の少なくとも一方を薄くする工程を、前記層間
物質を注入する工程及び前記周辺を密封する工程後に行
うようにしたものである。
【００１８】また、この発明は、前記外側表面を化学的
な方法を用いて薄くするようにしたものである。
な方法を用いて薄くするようにしたものである。
【００１９】また、この発明は、合着された前記第１基
板と前記第２基板の周縁部を耐酸性シ−ル材で密封する
工程を、前記外表面を薄くする工程前に行い、前記耐酸
性シール材を取り除く工程を、前記外表面を薄くする工
程後に行うようにしたものであ。
板と前記第２基板の周縁部を耐酸性シ−ル材で密封する
工程を、前記外表面を薄くする工程前に行い、前記耐酸
性シール材を取り除く工程を、前記外表面を薄くする工
程後に行うようにしたものであ。
【００２０】また、この発明は、前記外側表面を機械的
方法を用いて薄くするようにしたものである。
方法を用いて薄くするようにしたものである。
【００２１】また、この発明は、前記層間物質を液晶と
したものである。
したものである。
【００２２】また、この発明は、前記所定の間隔を、一
部のみ開放されたシールド空間とするため、前記第１基
板又は前記第２基板の少なくとも一方にシール材を設け
る工程を、前記第１基板と前記第２基板を合着する工程
前に行うようにしたものである。
部のみ開放されたシールド空間とするため、前記第１基
板又は前記第２基板の少なくとも一方にシール材を設け
る工程を、前記第１基板と前記第２基板を合着する工程
前に行うようにしたものである。
【００２３】また、この発明は、前記シール材を設ける
工程には、前記シールド空間を密封するための補助シ−
ルを、前記シール材の外側を囲撓するように設ける工程
を含み、前記補助シール材を取り除く工程を、前記外表
面を薄くする工程後に行うようにしたものである。
工程には、前記シールド空間を密封するための補助シ−
ルを、前記シール材の外側を囲撓するように設ける工程
を含み、前記補助シール材を取り除く工程を、前記外表
面を薄くする工程後に行うようにしたものである。
【００２４】また、この発明は、前記補助シール材又は
前記耐酸性シール材を取り除く工程は、合着された前記
第１基板と前記第２基板の周縁部を切断することにより
行うようにしたものである。
前記耐酸性シール材を取り除く工程は、合着された前記
第１基板と前記第２基板の周縁部を切断することにより
行うようにしたものである。
【００２５】また、この発明は、前記第１基板と第２基
板は、絶縁基板、半導体板、金属板のいずれかの材質か
らなるものである。
板は、絶縁基板、半導体板、金属板のいずれかの材質か
らなるものである。
【００２６】また、この発明は、前記第１基板と第２基
板をそれぞれ同材質あるいは異なる材質としたものであ
る。
板をそれぞれ同材質あるいは異なる材質としたものであ
る。
【００２７】また、この発明は、前記第１基板と前記第
２基板を透明基板としたものである。
２基板を透明基板としたものである。
【００２８】また、この発明は、前記第１基板をガラス
又はシリコンウェハとし、前記第２基板をプラスチック
又はガラスとしたものである。
又はシリコンウェハとし、前記第２基板をプラスチック
又はガラスとしたものである。
【００２９】
実施の形態１．以下、本発明を液晶表示装置の複合基板
に適用する際における、本発明の基本的思想についての
概略を説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１を
示す複合基板の断面図であり、ガラスからなる厚さがそ
れぞれｔの第１透明基板３（下板）と第２透明基板（上
板）４とを所定の間隔を設けて合着し、この間に層間物
質５Ａを注入し、合着された２枚の基板３、４の周縁部
をシ−ル材６で密封した状態を示している。２枚の基板
３、４はシ−ル材６で塞いでいるので完全な密封状態に
なっている。なお、このシール材（例えば、エポキシ樹
脂のような熱硬化性樹脂）６は後述する強酸性溶液にて
基板表面を除去する場合には、ＵＶ硬化剤のような耐酸
性のシール材料を使用する。また、層間物質５Ａは後述
するように、例えば液晶があげられる。
に適用する際における、本発明の基本的思想についての
概略を説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１を
示す複合基板の断面図であり、ガラスからなる厚さがそ
れぞれｔの第１透明基板３（下板）と第２透明基板（上
板）４とを所定の間隔を設けて合着し、この間に層間物
質５Ａを注入し、合着された２枚の基板３、４の周縁部
をシ−ル材６で密封した状態を示している。２枚の基板
３、４はシ−ル材６で塞いでいるので完全な密封状態に
なっている。なお、このシール材（例えば、エポキシ樹
脂のような熱硬化性樹脂）６は後述する強酸性溶液にて
基板表面を除去する場合には、ＵＶ硬化剤のような耐酸
性のシール材料を使用する。また、層間物質５Ａは後述
するように、例えば液晶があげられる。
【００３０】この際、上板４及び下板３の合着した全体
の厚さは、使用された透明基板の合計厚さｔ＋ｔ（２
ｔ）と、上板４と下板３との間隔とを合計したものとな
る。上板４と下板３の間隔は層間物質５Ａの層厚に等し
いが、これは上板４や下板３の厚さに比べて極めて小さ
く、普通５〜６μｍ程度に過ぎない。
の厚さは、使用された透明基板の合計厚さｔ＋ｔ（２
ｔ）と、上板４と下板３との間隔とを合計したものとな
る。上板４と下板３の間隔は層間物質５Ａの層厚に等し
いが、これは上板４や下板３の厚さに比べて極めて小さ
く、普通５〜６μｍ程度に過ぎない。
【００３１】この状態で研磨剤を用いて合着された上板
４と下板３の外側表面を食刻したり、削ったりして除去
し、厚さを減少させて薄くすれば、合着された上板４、
下板３の厚さは所望の厚さ（薄さ）に調整でき、図１
（ｂ）に示されるように、合着された上板４´と下板３
´の厚さはそれぞれｔ´となり、合計の厚さは間隔の厚
さを無視して２ｔ´となる。
４と下板３の外側表面を食刻したり、削ったりして除去
し、厚さを減少させて薄くすれば、合着された上板４、
下板３の厚さは所望の厚さ（薄さ）に調整でき、図１
（ｂ）に示されるように、合着された上板４´と下板３
´の厚さはそれぞれｔ´となり、合計の厚さは間隔の厚
さを無視して２ｔ´となる。
【００３２】以上のように、複合基板に使用される上板
４、下板３に薄さを要求する場合、初めから薄いものを
使用するのではなく、また、上板４、下板３のそれぞれ
を別個に研磨加工等を施して薄い板を作成するのではな
く、最初に２枚の板を合着させた後に、研磨加工等を施
すようにすれば、外力に対して全体強度を高めることが
でき、衝撃等の影響を受けにくく、これら上板４や下板
３の破損、損傷を防止でき、内部に密封された層間物質
５Ａを保護しつつ加工を行うことができ、歩留まり率の
低下を防止するための特別の設備の追加等が不要とな
る。
４、下板３に薄さを要求する場合、初めから薄いものを
使用するのではなく、また、上板４、下板３のそれぞれ
を別個に研磨加工等を施して薄い板を作成するのではな
く、最初に２枚の板を合着させた後に、研磨加工等を施
すようにすれば、外力に対して全体強度を高めることが
でき、衝撃等の影響を受けにくく、これら上板４や下板
３の破損、損傷を防止でき、内部に密封された層間物質
５Ａを保護しつつ加工を行うことができ、歩留まり率の
低下を防止するための特別の設備の追加等が不要とな
る。
【００３３】なお、この実施形態では、合着した上板４
と下板３は、図１（ａ）に示すように、製造初期におい
て同じ厚さのものを使用したが、初期より厚さの異なる
ものを使用するようにしてもよい。また、上板４、下板
３はガラスからなる透明基板について説明したが、本発
明は、かかる材質に拘束される必要は無く、例えば、透
明絶縁基板、金属板、半導体、さらにはシリコンウェ
ハ、プラスチックにも適用できる。さらに、上下板は、
それらの材質を同材質または異なる材質としても良い。
と下板３は、図１（ａ）に示すように、製造初期におい
て同じ厚さのものを使用したが、初期より厚さの異なる
ものを使用するようにしてもよい。また、上板４、下板
３はガラスからなる透明基板について説明したが、本発
明は、かかる材質に拘束される必要は無く、例えば、透
明絶縁基板、金属板、半導体、さらにはシリコンウェ
ハ、プラスチックにも適用できる。さらに、上下板は、
それらの材質を同材質または異なる材質としても良い。
【００３４】ここで、上述した上板４と下板３の外側表
面を除去し、薄くするための加工方法として、以下の３
種の方法を紹介する。
面を除去し、薄くするための加工方法として、以下の３
種の方法を紹介する。
【００３５】１）機械的な加工方法 上板４と下板３が合着された状態で、サンドペ−パや研
磨剤を用いる研磨機を使用して冷却剤を散布しながら研
磨する方法。 ２）化学的な加工方法 基板（上板４または下板３）を溶かす溶液（強酸性溶
液）を用いて食刻する方法（物理的な力が加えられない
ので基板の破損などの恐れが全然ない）。 ３）上記の１）及び２）の両方を使う方法
磨剤を用いる研磨機を使用して冷却剤を散布しながら研
磨する方法。 ２）化学的な加工方法 基板（上板４または下板３）を溶かす溶液（強酸性溶
液）を用いて食刻する方法（物理的な力が加えられない
ので基板の破損などの恐れが全然ない）。 ３）上記の１）及び２）の両方を使う方法
【００３６】実施の形態２．以下に、本発明の実施の形
態２について説明する。図２、図３は本発明の実施の形
態２を示す断面図であり、各工程段階別に基板の概略断
面図を示している。図２（ａ）に示すように、まず厚さ
ｔ１の基板１０を用いて従来の製造工程と同様な方法に
より、スイッチング手段であるＴＦＴと画素電極、走査
線、デ−タ線などの要素１１を形成して下板として使わ
れる第１基板１０Ａ（以下、下板という）を製作する。
態２について説明する。図２、図３は本発明の実施の形
態２を示す断面図であり、各工程段階別に基板の概略断
面図を示している。図２（ａ）に示すように、まず厚さ
ｔ１の基板１０を用いて従来の製造工程と同様な方法に
より、スイッチング手段であるＴＦＴと画素電極、走査
線、デ−タ線などの要素１１を形成して下板として使わ
れる第１基板１０Ａ（以下、下板という）を製作する。
【００３７】そして、図２（ｂ）に示すように、厚さｔ
２の基板２０を用いて従来と同様にカラ−フィルタ２１
を製作して上板として使われる第２基板２０Ａ（以下、
上板という）を製作する。ここにおいて、厚さｔ１と厚
さｔ２は異なるものであっても、あるいは同一のもので
あっても良い。
２の基板２０を用いて従来と同様にカラ−フィルタ２１
を製作して上板として使われる第２基板２０Ａ（以下、
上板という）を製作する。ここにおいて、厚さｔ１と厚
さｔ２は異なるものであっても、あるいは同一のもので
あっても良い。
【００３８】次に、上板２０Ａと下板１０Ａに液晶が配
向され得るように配向膜をコ−ティングする工程（図示
しない）を経た後、図２（ｃ）に示すように、上板２０
Ａと下板１０Ａとの間隔を所定間隔に保持するために、
スペ−サ１３を撒き、さらに、液晶が後で流れ出ないよ
うに、液晶注入口１６部位のみ残して基板周辺にシ−ル
材１４を設けた後、上板２０Ａと下板１０Ａとを当接さ
せて合着する。シール材１４としては、熱硬化性樹脂と
して例えばエポキシ樹脂を使用することができる。
向され得るように配向膜をコ−ティングする工程（図示
しない）を経た後、図２（ｃ）に示すように、上板２０
Ａと下板１０Ａとの間隔を所定間隔に保持するために、
スペ−サ１３を撒き、さらに、液晶が後で流れ出ないよ
うに、液晶注入口１６部位のみ残して基板周辺にシ−ル
材１４を設けた後、上板２０Ａと下板１０Ａとを当接さ
せて合着する。シール材１４としては、熱硬化性樹脂と
して例えばエポキシ樹脂を使用することができる。
【００３９】さらに詳しくは、シール材１４は、基板間
の所定の間隔を、液晶注入口１６部位に相当する一部の
み開放されたシールド空間とするため、上板２０Ａと下
板１０Ａを合着する前に、上板２０Ａ又は下板１０Ａの
少なくとも一方設けられる。
の所定の間隔を、液晶注入口１６部位に相当する一部の
み開放されたシールド空間とするため、上板２０Ａと下
板１０Ａを合着する前に、上板２０Ａ又は下板１０Ａの
少なくとも一方設けられる。
【００４０】さらにこの場合、図２（ｄ）に示すよう
に、異物や強酸性薬品が２枚の上下板１０Ａ、２０Ａの
間に流れ込むことを補強的に防止するために、シ−ル材
１４の外側に、このシール材１４を囲撓するように補助
（ｄｕｍｍｙ）シ−ル材１９を用いて多重（ここでは二
重）に密封しておくこともできる。ここで、補助シ−ル
材１９はシ−ル材１４を密封する時、同時に同物質にお
いて設けることができ、また他の物質でも可能である。
に、異物や強酸性薬品が２枚の上下板１０Ａ、２０Ａの
間に流れ込むことを補強的に防止するために、シ−ル材
１４の外側に、このシール材１４を囲撓するように補助
（ｄｕｍｍｙ）シ−ル材１９を用いて多重（ここでは二
重）に密封しておくこともできる。ここで、補助シ−ル
材１９はシ−ル材１４を密封する時、同時に同物質にお
いて設けることができ、また他の物質でも可能である。
【００４１】また、この際、次の工程である基板（上下
板）の食刻工程時に、異物や強酸性薬品が上板２０Ａと
下板１０Ａ間に入り、シール材１４や補助シール材１９
に直接触れるのを防止したり、ＴＦＴ素子部分１１とカ
ラ−フィルタ部２１に入り込むのを厳重に防止するため
に、強酸性薬品に耐える耐酸性シ−ル材１５を用いて合
着された上板２０Ａと下板１０Ａの周辺を密封すること
もできる。この耐酸性シール材１５としては、ＵＶ硬化
剤を使用することができる。
板）の食刻工程時に、異物や強酸性薬品が上板２０Ａと
下板１０Ａ間に入り、シール材１４や補助シール材１９
に直接触れるのを防止したり、ＴＦＴ素子部分１１とカ
ラ−フィルタ部２１に入り込むのを厳重に防止するため
に、強酸性薬品に耐える耐酸性シ−ル材１５を用いて合
着された上板２０Ａと下板１０Ａの周辺を密封すること
もできる。この耐酸性シール材１５としては、ＵＶ硬化
剤を使用することができる。
【００４２】かかる工程を経て、合着された上板２０Ａ
及び下板１０Ａを強酸性薬品（例えばガラス基板を早い
速度で食刻する溶液）に入れて所定時間の間、上下板
（基板）の表面を食刻すれば、図３（ａ）に示すように
上板２０Ａの厚さは、ｔ２からｔ４に、下板１０Ａの厚
さはｔ１からｔ３にそれぞれ減少し、製造初期段階より
薄くて軽くなった上板２０Ａ´と下板１０Ａ´が得られ
る。
及び下板１０Ａを強酸性薬品（例えばガラス基板を早い
速度で食刻する溶液）に入れて所定時間の間、上下板
（基板）の表面を食刻すれば、図３（ａ）に示すように
上板２０Ａの厚さは、ｔ２からｔ４に、下板１０Ａの厚
さはｔ１からｔ３にそれぞれ減少し、製造初期段階より
薄くて軽くなった上板２０Ａ´と下板１０Ａ´が得られ
る。
【００４３】この工程において、食刻厚さは食刻時間を
調節して実現する。なお、基板の厚さを減少させるため
には食刻の代わりにサンドペ−パや研磨剤を用いる研磨
機を用いることにより、物理的な方法で基板表面を除去
するように削っても良い。
調節して実現する。なお、基板の厚さを減少させるため
には食刻の代わりにサンドペ−パや研磨剤を用いる研磨
機を用いることにより、物理的な方法で基板表面を除去
するように削っても良い。
【００４４】食刻工程が完了すれば図３（ｂ）に示すよ
うに、微細なスクラッチ発生部位を研磨剤で研磨した
後、合着された下板１０Ａ´と上板２０Ａ´の周縁部を
切断することにより、不要な基板部位を基板切断機で取
り除く。この際、耐酸性シ−ル材１５、及び補助シ−ル
材１９が共に取り除かれる。
うに、微細なスクラッチ発生部位を研磨剤で研磨した
後、合着された下板１０Ａ´と上板２０Ａ´の周縁部を
切断することにより、不要な基板部位を基板切断機で取
り除く。この際、耐酸性シ−ル材１５、及び補助シ−ル
材１９が共に取り除かれる。
【００４５】基板を切断し、耐酸性シール材１５や補助
シール材１９を除去した後は、図３（ｃ）に示すように
液晶注入口１６より液晶２２を注入し、しかる後に注入
された液晶が流れ出ないように注入口１６部分をシ−ル
材１７で塞いで一連の複合基板の製造工程を完了する。
シール材１９を除去した後は、図３（ｃ）に示すように
液晶注入口１６より液晶２２を注入し、しかる後に注入
された液晶が流れ出ないように注入口１６部分をシ−ル
材１７で塞いで一連の複合基板の製造工程を完了する。
【００４６】以上に説明した実施の形態の他の方法とし
て、第１基板１０Ａと第２基板２０Ａとを合着した後，
液晶を注入し、第１基板１０Ａと第２基板２０Ａの周辺
を耐酸性シ−ル材１５で密封する。次に、第１基板１０
Ａと第２基板２０Ａを研磨機や化学溶液を用いて合着さ
れた２枚の基板の外側面を削ることで表面を除去するよ
うにすることもできる。なお、以降の工程は従来の工程
と同様にして液晶表示装置を製作する。
て、第１基板１０Ａと第２基板２０Ａとを合着した後，
液晶を注入し、第１基板１０Ａと第２基板２０Ａの周辺
を耐酸性シ−ル材１５で密封する。次に、第１基板１０
Ａと第２基板２０Ａを研磨機や化学溶液を用いて合着さ
れた２枚の基板の外側面を削ることで表面を除去するよ
うにすることもできる。なお、以降の工程は従来の工程
と同様にして液晶表示装置を製作する。
【００４７】更に、上述の実施の形態は、合着された２
枚の第１基板と第２基板の両方を削る場合について説明
したが、合着された第１基板と第２基板のうちいずれか
１枚の基板のみについてその外側表面を削って除去する
ようにしても良い。例えば、第１基板をガラスにし、第
２基板はプラスチックを用いる場合に、第２基板のみを
削ったり、あるいは第１基板のみを削るようにしてもよ
い。またあるいは、第１基板をシリコンウェ−ハにし、
第２基板はプラスチックにして第１基板のみを削るよう
にしても良く、あるいは第２基板のみを削るようにして
も良い。さらにまた、第１基板をガラスにし、第２基板
をシリコンウェ−ハにして用いる場合に第１基板のみを
削るようにしたり、第２基板のみを削るようにしても良
い。
枚の第１基板と第２基板の両方を削る場合について説明
したが、合着された第１基板と第２基板のうちいずれか
１枚の基板のみについてその外側表面を削って除去する
ようにしても良い。例えば、第１基板をガラスにし、第
２基板はプラスチックを用いる場合に、第２基板のみを
削ったり、あるいは第１基板のみを削るようにしてもよ
い。またあるいは、第１基板をシリコンウェ−ハにし、
第２基板はプラスチックにして第１基板のみを削るよう
にしても良く、あるいは第２基板のみを削るようにして
も良い。さらにまた、第１基板をガラスにし、第２基板
をシリコンウェ−ハにして用いる場合に第１基板のみを
削るようにしたり、第２基板のみを削るようにしても良
い。
【００４８】以上に説明した、本発明の思想によれば、
さらに、第１基板と第２基板とを合着する工程と、前記
合着された第１基板と第２基板の外側表面を削って除去
する工程とを備えるのみで、共に薄い基板からなる複合
基板の製造方法を想定することもでき、複合基板の製造
において初期から使用できない薄い基板を、製造過程中
に容易に得ることができる。また、この場合において
も、合着された第１基板と第２基板の外側表面を研磨機
等による機械的な方法、あるいは強酸性溶液を用いる化
学的な方法にて薄くすることができ、また、何れか一方
のみの基板、あるいは両方の基板を薄くすることもでき
る。また、これら基板は、絶縁基板、半導体基板、金属
板等を含むことができ、さらに、それぞれの基板が同一
材料でも、異なる材料でもよいことは言うまでもない。
さらに、第１基板と第２基板とを合着する工程と、前記
合着された第１基板と第２基板の外側表面を削って除去
する工程とを備えるのみで、共に薄い基板からなる複合
基板の製造方法を想定することもでき、複合基板の製造
において初期から使用できない薄い基板を、製造過程中
に容易に得ることができる。また、この場合において
も、合着された第１基板と第２基板の外側表面を研磨機
等による機械的な方法、あるいは強酸性溶液を用いる化
学的な方法にて薄くすることができ、また、何れか一方
のみの基板、あるいは両方の基板を薄くすることもでき
る。また、これら基板は、絶縁基板、半導体基板、金属
板等を含むことができ、さらに、それぞれの基板が同一
材料でも、異なる材料でもよいことは言うまでもない。
【００４９】以上述べたように、本発明の実施形態によ
れば、基板が物理的または熱的衝撃を受ける画素制作工
程及びカラ−フィルタ形成工程時は安定した厚さを有す
る基板を用い、これら２枚の基板を合着した後液晶を注
入したり液晶を注入する前に、すなわち物理的または熱
的衝撃を受ける工程を完了してから基板表面を研磨機を
用いて除去して薄くしたり、湿式食刻を用いて表面を除
去して基板それ自体の厚さを減らすことができるので、
製造工程における不良を減少させ、軽くて薄い基板を製
作できる。
れば、基板が物理的または熱的衝撃を受ける画素制作工
程及びカラ−フィルタ形成工程時は安定した厚さを有す
る基板を用い、これら２枚の基板を合着した後液晶を注
入したり液晶を注入する前に、すなわち物理的または熱
的衝撃を受ける工程を完了してから基板表面を研磨機を
用いて除去して薄くしたり、湿式食刻を用いて表面を除
去して基板それ自体の厚さを減らすことができるので、
製造工程における不良を減少させ、軽くて薄い基板を製
作できる。
【００５０】
【発明の効果】前述した本発明のような方法で複合基板
を製造する場合、次のような効果が得られる。 １）工程初期から破損、損傷を受け安い不安定な薄膜基
板を用いる必要がなく、厚い基板を用いることができる
ので、安定した作業工程が得られ、安価で薄型、軽量化
された複合基板を提供できる。また、薄板基板使用によ
る装備改善及び機能添加が不要となり費用を節減でき
る。 ２）複合基板の安定した作業工程が得られるので、安定
した歩留まり率が確保でき、相対的に競争力が向上され
得る。 ３）最初から薄板基板を用いる場合、基板の破損及び工
程進行の限界により、厚さが一定（０．７ｍｍ）以上減
少できなかったが、物理的または熱的衝撃を与える全て
の工程が終わった後、基板表面を削除して薄くするの
で、薄型、軽量化製品が容易に製造できる。
を製造する場合、次のような効果が得られる。 １）工程初期から破損、損傷を受け安い不安定な薄膜基
板を用いる必要がなく、厚い基板を用いることができる
ので、安定した作業工程が得られ、安価で薄型、軽量化
された複合基板を提供できる。また、薄板基板使用によ
る装備改善及び機能添加が不要となり費用を節減でき
る。 ２）複合基板の安定した作業工程が得られるので、安定
した歩留まり率が確保でき、相対的に競争力が向上され
得る。 ３）最初から薄板基板を用いる場合、基板の破損及び工
程進行の限界により、厚さが一定（０．７ｍｍ）以上減
少できなかったが、物理的または熱的衝撃を与える全て
の工程が終わった後、基板表面を削除して薄くするの
で、薄型、軽量化製品が容易に製造できる。
【図１】本発明の実施の形態１を示す複合基板の断面図
である。
である。
【図２】本発明の複合基板を製造する具体的方法を説明
するための概略断面図である。
するための概略断面図である。
【図３】本発明の複合基板を製造する具体的方法を説明
するための概略断面図である。
するための概略断面図である。
【図４】従来の基板を説明するための概略断面図であ
る。
る。
３、３´ 第１透明基板（下板）、４、４´ 第２透明
基板（上板）、５Ａ層間物質、６ シール材、１０Ａ
第１基板（下板）、１３ スペーサ、１４シール材、１
５ 耐酸性シール材、１６ 液晶注入口、１９ 補助シ
ール材、２０Ａ 第２基板（上板）。
基板（上板）、５Ａ層間物質、６ シール材、１０Ａ
第１基板（下板）、１３ スペーサ、１４シール材、１
５ 耐酸性シール材、１６ 液晶注入口、１９ 補助シ
ール材、２０Ａ 第２基板（上板）。
Claims (14)
- 【請求項１】 第１基板と第２基板とを所定の間隔をも
って合着する工程と、 前記第１基板又は前記第２基板の少なくとも一方の外側
表面を除去して薄くする工程と、 前記第１基板と前記第２基板との間に層間物質を注入す
る工程と、 前記層間物質を前記第１基板と前記第２基板の間に密封
する工程とを含んでなる複合基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１基板又は前記第２基板の少なく
とも一方を薄くする工程は、前記層間物質を注入する工
程及び前記周辺を密封する工程前に行われる請求項１に
記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１基板又は前記第２基板の少なく
とも一方を薄くする工程は、前記層間物質を注入する工
程及び前記周辺を密封する工程後に行われる請求項１に
記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記外側表面を化学的な方法を用いて薄
くする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合基
板の製造方法。 - 【請求項５】 合着された前記第１基板と前記第２基板
の周縁部を耐酸性シ−ル材で密封する工程を、前記外表
面を薄くする工程前に含み、前記耐酸性シール材を取り
除く工程を、前記外表面を薄くする工程後に含む請求項
４に記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記外側表面を機械的方法を用いて薄く
する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合基板
の製造方法。 - 【請求項７】 前記層間物質は液晶である請求項１乃至
請求項６のいずれかに記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記所定の間隔を、一部のみ開放された
シールド空間とするため、前記第１基板又は前記第２基
板の少なくとも一方にシール材を設ける工程を、前記第
１基板と前記第２基板を合着する工程前に含む請求項１
乃至請求項７のいずれかに記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記シール材を設ける工程には、前記シ
ールド空間を密封するための補助シ−ルを、前記シール
材の外側を囲撓するように設ける工程を含み、前記補助
シール材を取り除く工程を、前記外表面を薄くする工程
後に含む請求項８に記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記補助シール材又は前記耐酸性シー
ル材を取り除く工程は、合着された前記第１基板と前記
第２基板の周縁部を切断することにより行う請求項５又
は請求項９に記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１基板と第２基板は絶縁基板、
半導体板、金属板のいずれかの材質からなることを特徴
とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の複合
基板の基板製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１基板と第２基板はそれぞれ同
材質あるいは異なる材質からなることを特徴とする請求
項１乃至請求項１１のいずれかに記載の複合基板の製造
方法。 - 【請求項１３】 前記第１基板と前記第２基板は透明基
板である請求項１乃至請求項１０又は請求項１２のいず
れかに記載の複合基板の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１基板はガラス又はシリコンウ
ェハであり、前記第２基板はプラスチック又はガラスで
ある請求項１乃至請求項１０又は請求項１２又は請求項
１３のいずれかに記載の複合基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019712A KR0171092B1 (ko) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 기판 제조방법 |
| KR1995-19712 | 1995-07-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09138392A true JPH09138392A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=19419894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176723A Pending JPH09138392A (ja) | 1995-07-06 | 1996-07-05 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5766493A (ja) |
| JP (1) | JPH09138392A (ja) |
| KR (1) | KR0171092B1 (ja) |
| DE (1) | DE19623070C2 (ja) |
| FR (1) | FR2736446B1 (ja) |
| GB (1) | GB2302956B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108063A (en) * | 1997-03-28 | 2000-08-22 | Mitsushita Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid crystal panel using etching to form microlenses, a heat resisting porous substrate, or a barrier film preventing sodium diffusion |
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