JPH09139484A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH09139484A JPH09139484A JP7321004A JP32100495A JPH09139484A JP H09139484 A JPH09139484 A JP H09139484A JP 7321004 A JP7321004 A JP 7321004A JP 32100495 A JP32100495 A JP 32100495A JP H09139484 A JPH09139484 A JP H09139484A
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- JP
- Japan
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- fixing layer
- layer
- lens
- etching
- color filter
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板1表面上に有機材料からなる色フィ
ルタ固定層5を介して色フィルタ層6が形成され、該層
上に有機材料からなるレンズ固定層7を介してマイクロ
レンズ8が形成された固体撮像素子の製造方法におい
て、レンズ固定層5の選択的エッチングにより生じたレ
ンズ材層8aの膜厚差によってマイクロレンズ8の厚
さ、大きさ、形状が不均一になり集光特性に差が生じて
撮像時のフィールド内の明暗差が生じることを防止す
る。 【解決手段】 レンズ固定層7の不要部分の選択的エッ
チングを、レンズ固定層7上にレンズ材層8aを形成し
更に該層を加工してマイクロレンズ8を形成した後に行
う。
ルタ固定層5を介して色フィルタ層6が形成され、該層
上に有機材料からなるレンズ固定層7を介してマイクロ
レンズ8が形成された固体撮像素子の製造方法におい
て、レンズ固定層5の選択的エッチングにより生じたレ
ンズ材層8aの膜厚差によってマイクロレンズ8の厚
さ、大きさ、形状が不均一になり集光特性に差が生じて
撮像時のフィールド内の明暗差が生じることを防止す
る。 【解決手段】 レンズ固定層7の不要部分の選択的エッ
チングを、レンズ固定層7上にレンズ材層8aを形成し
更に該層を加工してマイクロレンズ8を形成した後に行
う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の製
造方法、特に画素を成す受光素子が表面部に形成された
半導体基板表面上に有機材料からなる色フィルタ固定層
を介して色フィルタ層が形成され、該色フィルタ層上に
有機材料からなるレンズ固定層を介してマイクロレンズ
が形成された固体撮像素子の製造方法に関する。
造方法、特に画素を成す受光素子が表面部に形成された
半導体基板表面上に有機材料からなる色フィルタ固定層
を介して色フィルタ層が形成され、該色フィルタ層上に
有機材料からなるレンズ固定層を介してマイクロレンズ
が形成された固体撮像素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図6はカラー固体撮像素子の一つを示す
断面図である。同図において、1は半導体基板、2は該
基板1の表面部に形成された画素を成す受光素子、3は
スクライブライン、4は半導体基板1表面上にに形成さ
れたボンディングパッド、5は色フィルタ固定層で、ア
クリル系の樹脂からなる。尚、基板1表面と該色フィル
タ固定層5との間にはゲート絶縁膜、転送電極、層間
膜、アルミニウムからなる遮光膜等があるが、便宜上こ
れらの図示説明は省略する。
断面図である。同図において、1は半導体基板、2は該
基板1の表面部に形成された画素を成す受光素子、3は
スクライブライン、4は半導体基板1表面上にに形成さ
れたボンディングパッド、5は色フィルタ固定層で、ア
クリル系の樹脂からなる。尚、基板1表面と該色フィル
タ固定層5との間にはゲート絶縁膜、転送電極、層間
膜、アルミニウムからなる遮光膜等があるが、便宜上こ
れらの図示説明は省略する。
【0003】6は該色フィルタ固定層5上に形成された
色フィルタ層、7は色フィルタ固定層5が形成された面
上に該色フィルタ固定層5を覆うように形成されたレン
ズ材層で、例えばアクリル系の樹脂からなる。8は該レ
ンズ固定層7上に形成されたマイクロレンズで、フォト
レジストからなる。尚、9はレンズ固定層7の表面に形
成された溝で、これは各隣接マイクロレンズ8・8間を
分離し、マイクロレンズ8・8同士がくっつくのを防止
するもので、従前は形成されていなかったが、最近、形
成する技術が開発された。尚、マイクロレンズ8が形成
される各領域を凹部にすることによってマイクロレンズ
8・8同士がくっつくことを防止するようにしても良
い。
色フィルタ層、7は色フィルタ固定層5が形成された面
上に該色フィルタ固定層5を覆うように形成されたレン
ズ材層で、例えばアクリル系の樹脂からなる。8は該レ
ンズ固定層7上に形成されたマイクロレンズで、フォト
レジストからなる。尚、9はレンズ固定層7の表面に形
成された溝で、これは各隣接マイクロレンズ8・8間を
分離し、マイクロレンズ8・8同士がくっつくのを防止
するもので、従前は形成されていなかったが、最近、形
成する技術が開発された。尚、マイクロレンズ8が形成
される各領域を凹部にすることによってマイクロレンズ
8・8同士がくっつくことを防止するようにしても良
い。
【0004】図7(A)乃至(D)は図6に示す固体撮
像素子の製造方法の従来例の概略を工程順に示す断面図
である。 (A)基板1上に色フィルタ固定層5を形成後、該色フ
ィルタ固定層5上に色フィルタ層6を形成し、その後、
更にその表面上にレンズ固定層7を形成する。図7
(A)はレンズ固定層7形成後の状態を示す。 (B)次に、上記レンズ固定層7の不要部分、具体的に
はボンディングパッド4及びスクライブライン3上の部
分を選択的にエッチングする。その後、レンズ材層8a
をレンズ固定層7上にそのエッチング部分上をも含め形
成する。図7(B)はレンズ材層8a形成後の状態を示
す。
像素子の製造方法の従来例の概略を工程順に示す断面図
である。 (A)基板1上に色フィルタ固定層5を形成後、該色フ
ィルタ固定層5上に色フィルタ層6を形成し、その後、
更にその表面上にレンズ固定層7を形成する。図7
(A)はレンズ固定層7形成後の状態を示す。 (B)次に、上記レンズ固定層7の不要部分、具体的に
はボンディングパッド4及びスクライブライン3上の部
分を選択的にエッチングする。その後、レンズ材層8a
をレンズ固定層7上にそのエッチング部分上をも含め形
成する。図7(B)はレンズ材層8a形成後の状態を示
す。
【0005】(C)次に、上記レンズ材層8aをフォト
リソグラフィ技術によりパターニングすることによって
図7(C)に示すように、各受光素子2に対応する部分
毎に分離してマイクロレンズ8、8、・・・とする。但
し、該マイクロレンズ8、8、・・・は現段階ではリフ
ロー処理の前なのでマイクロレンズ素子として好ましい
形状を有していない。 (D)次に、上記互いに分離されたマイクロレンズ8、
8、・・・に対して熱処理(リフロー)を施して凸球面
形状を有するように整形する。これによって、各マイク
ロレンズ8、8、・・・は集光機能を発揮し得るように
なる。
リソグラフィ技術によりパターニングすることによって
図7(C)に示すように、各受光素子2に対応する部分
毎に分離してマイクロレンズ8、8、・・・とする。但
し、該マイクロレンズ8、8、・・・は現段階ではリフ
ロー処理の前なのでマイクロレンズ素子として好ましい
形状を有していない。 (D)次に、上記互いに分離されたマイクロレンズ8、
8、・・・に対して熱処理(リフロー)を施して凸球面
形状を有するように整形する。これによって、各マイク
ロレンズ8、8、・・・は集光機能を発揮し得るように
なる。
【0006】その後、上記マイクロレンズ8、8、・・
・、レンズ固定層7及び色フィルタ固定層5をエッチバ
ックする。このエッチバックによりボンディングパッド
4及びスクライブライン3が開口する。以上に述べたよ
うに、図7に示した従来の固体撮像素子の製造方法にお
いては、レンズ固定層7の不要部分の選択的エッチング
による除去を、マイクロレンズ8、8、・・・となるレ
ンズ固定層8a形成前に行っていた。
・、レンズ固定層7及び色フィルタ固定層5をエッチバ
ックする。このエッチバックによりボンディングパッド
4及びスクライブライン3が開口する。以上に述べたよ
うに、図7に示した従来の固体撮像素子の製造方法にお
いては、レンズ固定層7の不要部分の選択的エッチング
による除去を、マイクロレンズ8、8、・・・となるレ
ンズ固定層8a形成前に行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図7に示し
た従来の固体撮像素子の製造方法においては、レンズ固
定層7の不要部分の選択的エッチングによる除去を、マ
イクロレンズ8、8、・・・となるレンズ固定層8aの
形成前に行っていたので、レンズ固定層8aは選択的エ
ッチングにより段差、凹部のある色フィルタ固定層7上
に形成されることになり、その結果、マイクロレンズ
8、8、・・・の厚さ、形状にバラツキが生じるという
問題があった。
た従来の固体撮像素子の製造方法においては、レンズ固
定層7の不要部分の選択的エッチングによる除去を、マ
イクロレンズ8、8、・・・となるレンズ固定層8aの
形成前に行っていたので、レンズ固定層8aは選択的エ
ッチングにより段差、凹部のある色フィルタ固定層7上
に形成されることになり、その結果、マイクロレンズ
8、8、・・・の厚さ、形状にバラツキが生じるという
問題があった。
【0008】即ち、レンズ固定層8aは下地に凹凸があ
ると、膜厚は均一になりにくい。具体的には、ボンディ
ングパッド4やスクライブライン3による凹部のある部
分に近いところにおける膜厚は薄くなり、それから離れ
るに伴って厚くなり、ある程度以上離れると膜厚は余り
変化しないという傾向がある。そして、レンズ固定層8
aの膜厚がそのように不均一になると、それの選択的エ
ッチング、リフローにより形成されるマイクロレンズ
8、8、・・・の厚さ、大きさ、形状も不均一になる。
そして、マイクロレンズ8、8、・・・の厚さ、大き
さ、形状はその集光特性に影響を及ぼすので、レンズ固
定層8aの膜厚の不均一はマイクロレンズ8、8、・・
・の集光特性の不均一をもたらし、延いては、撮像時の
フィールド内の被写体によらない明暗差を生じる原因に
なる。
ると、膜厚は均一になりにくい。具体的には、ボンディ
ングパッド4やスクライブライン3による凹部のある部
分に近いところにおける膜厚は薄くなり、それから離れ
るに伴って厚くなり、ある程度以上離れると膜厚は余り
変化しないという傾向がある。そして、レンズ固定層8
aの膜厚がそのように不均一になると、それの選択的エ
ッチング、リフローにより形成されるマイクロレンズ
8、8、・・・の厚さ、大きさ、形状も不均一になる。
そして、マイクロレンズ8、8、・・・の厚さ、大き
さ、形状はその集光特性に影響を及ぼすので、レンズ固
定層8aの膜厚の不均一はマイクロレンズ8、8、・・
・の集光特性の不均一をもたらし、延いては、撮像時の
フィールド内の被写体によらない明暗差を生じる原因に
なる。
【0009】また、従来の固体撮像素子の製造方法に
は、レンズ固定層7の不要部分の選択的エッチングによ
る除去にエッチングマスクとして用いポジ型フォトレジ
スト(一般的なクレゾールノボラック樹脂と感光剤から
成る)膜をその選択的エッチング終了後に除去するとき
の除去が困難で、完全な除去ができず残渣が残るため不
良になることが少なくなく、そのため、歩留りが悪いと
いう問題もあった。そこで、本願発明者がその原因を追
求をしたところ、そのポジ型フォトレジスト膜をマスク
としてレンズ固定層7をエッチングする際にエッチング
ガス中に或いはエッチング装置内部のフッ素がフォトレ
ジスト膜に作用してエッチング終了後における有機溶剤
によるそのフォトレジスト膜の剥離を困難にすることが
判明した。
は、レンズ固定層7の不要部分の選択的エッチングによ
る除去にエッチングマスクとして用いポジ型フォトレジ
スト(一般的なクレゾールノボラック樹脂と感光剤から
成る)膜をその選択的エッチング終了後に除去するとき
の除去が困難で、完全な除去ができず残渣が残るため不
良になることが少なくなく、そのため、歩留りが悪いと
いう問題もあった。そこで、本願発明者がその原因を追
求をしたところ、そのポジ型フォトレジスト膜をマスク
としてレンズ固定層7をエッチングする際にエッチング
ガス中に或いはエッチング装置内部のフッ素がフォトレ
ジスト膜に作用してエッチング終了後における有機溶剤
によるそのフォトレジスト膜の剥離を困難にすることが
判明した。
【0010】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、画素を成す受光素子が表面部に形成
された半導体基板表面上に有機材料からなる色フィルタ
固定層を介して色フィルタ層が形成され、該色フィルタ
層上に有機材料からなるレンズ固定層を介してマイクロ
レンズが形成された固体撮像素子の製造方法において、
レンズ固定層の不要部分を除去する選択的エッチングに
より生じるレンズ材層の膜厚差によってマイクロレンズ
の厚さ、大きさ、形状が不均一になり集光特性に差が生
じて撮像時のフィールド内の明暗差が生じることを防止
することを一つの目的とし、更には、レンズ固定層の不
要部分を除去する選択的エッチングに際してマスクとし
て用いたフォトレジスト膜の該選択的エッチング後にお
ける除去の困難性をなくして残渣を少なくし、以て残渣
による固体撮像素子の歩留り低下を防止することを他の
目的とする。
されたものであり、画素を成す受光素子が表面部に形成
された半導体基板表面上に有機材料からなる色フィルタ
固定層を介して色フィルタ層が形成され、該色フィルタ
層上に有機材料からなるレンズ固定層を介してマイクロ
レンズが形成された固体撮像素子の製造方法において、
レンズ固定層の不要部分を除去する選択的エッチングに
より生じるレンズ材層の膜厚差によってマイクロレンズ
の厚さ、大きさ、形状が不均一になり集光特性に差が生
じて撮像時のフィールド内の明暗差が生じることを防止
することを一つの目的とし、更には、レンズ固定層の不
要部分を除去する選択的エッチングに際してマスクとし
て用いたフォトレジスト膜の該選択的エッチング後にお
ける除去の困難性をなくして残渣を少なくし、以て残渣
による固体撮像素子の歩留り低下を防止することを他の
目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1の固体撮像素子
の製造方法は、レンズ固定層の不要部分の選択的エッチ
ングによる除去を、レンズ固定層上にレンズ材層を形成
し更に該レンズ材層を加工してマイクロレンズを形成し
た後に行うことを特徴とする。従って、請求項1の固体
撮像素子の製造方法によれば、レンズ材層は略平坦な色
フィルタ固定層上に形成されるので膜厚の不均一を伴う
ことなく形成することができ、そのレンズ材層を加工し
てマイクロレンズを形成するので、厚さ、大きさ、形状
の均一なマイクロレンズを形成することが可能になる。
の製造方法は、レンズ固定層の不要部分の選択的エッチ
ングによる除去を、レンズ固定層上にレンズ材層を形成
し更に該レンズ材層を加工してマイクロレンズを形成し
た後に行うことを特徴とする。従って、請求項1の固体
撮像素子の製造方法によれば、レンズ材層は略平坦な色
フィルタ固定層上に形成されるので膜厚の不均一を伴う
ことなく形成することができ、そのレンズ材層を加工し
てマイクロレンズを形成するので、厚さ、大きさ、形状
の均一なマイクロレンズを形成することが可能になる。
【0012】請求項2の固体撮像素子の製造方法は、請
求項1記載の固体撮像素子の製造方法において、レンズ
固定層の不要部分の選択的エッチングを、フォトレジス
トをマスクとし、且つエッチングガスとしてフッ素を含
まないものを用いると共に、エッチング装置として少な
くとも内面側にフッ素を含まないものを用いて為すこと
を特徴とする。従って、請求項2の固体撮像素子の製造
方法によれば、色フィルタ固定層及びレンズ固定層の不
要部分の選択的エッチングに際しエッチングマスクとし
て用いたフォトレジストにはフッ素が作用せず、有機溶
剤による剥離性が低下しない。依って、選択的エッチン
グ終了後におけるフォトレジスト膜を残渣を生じること
なく除去することができ、延いてはその残渣による歩留
り低下を防止することができる。
求項1記載の固体撮像素子の製造方法において、レンズ
固定層の不要部分の選択的エッチングを、フォトレジス
トをマスクとし、且つエッチングガスとしてフッ素を含
まないものを用いると共に、エッチング装置として少な
くとも内面側にフッ素を含まないものを用いて為すこと
を特徴とする。従って、請求項2の固体撮像素子の製造
方法によれば、色フィルタ固定層及びレンズ固定層の不
要部分の選択的エッチングに際しエッチングマスクとし
て用いたフォトレジストにはフッ素が作用せず、有機溶
剤による剥離性が低下しない。依って、選択的エッチン
グ終了後におけるフォトレジスト膜を残渣を生じること
なく除去することができ、延いてはその残渣による歩留
り低下を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
従って詳細に説明する。図1(A)乃至(E)及び第2
図(F)乃至(H)は本発明の一つの実施の形態の概略
を工程[(A)〜(H)]順に示す断面図である。 (A)基板1上の色フィルタ固定層(厚さ例えば1.0
μm)5上に色フィルタ層6を形成した後レンズ固定層
(厚さ例えば1.3μm)7を形成し、該レンズ固定層
7の表面に後で詳述する方法により溝(厚さ例えば0.
05乃至0.3μm)9を形成する。図1(A)は溝9
形成後の状態を示す。
従って詳細に説明する。図1(A)乃至(E)及び第2
図(F)乃至(H)は本発明の一つの実施の形態の概略
を工程[(A)〜(H)]順に示す断面図である。 (A)基板1上の色フィルタ固定層(厚さ例えば1.0
μm)5上に色フィルタ層6を形成した後レンズ固定層
(厚さ例えば1.3μm)7を形成し、該レンズ固定層
7の表面に後で詳述する方法により溝(厚さ例えば0.
05乃至0.3μm)9を形成する。図1(A)は溝9
形成後の状態を示す。
【0014】尚、上記色フィルタ固定層5及びレンズ固
定層7は本実施の形態においては可視光に対する透明性
の高いアクリル系熱硬化性樹脂からなり、具体的には、
例えば、オプトマーSS2211S(商品名 日本合成
ゴム株式会社製)を用い、これを公知のスピンコーティ
ング法により塗布し、その後、ホットプレート等により
約200℃で約300秒間加熱(ベーク)するという方
法で形成される。色フィルタ固定層5の厚さは例えば
1.0μm、レンズ固定層7の厚さは例えば1.3μm
というように設定されているが、これは固体撮像素子の
構造(セルサイズ、各層の厚さ)等により異なる。ちな
みに、この樹脂は、後で不要部分のエッチングの際にエ
ッチングマスクとして用いられるポジ型フォトレジスト
膜と比較してエッチング速度が約2倍と速いという性質
を有するので、エッチングマスクとして形成するポジ型
フォトレジスト膜の膜厚を余り厚くしないでも済むとい
う利点がある。尚、詳細は後で説明する。
定層7は本実施の形態においては可視光に対する透明性
の高いアクリル系熱硬化性樹脂からなり、具体的には、
例えば、オプトマーSS2211S(商品名 日本合成
ゴム株式会社製)を用い、これを公知のスピンコーティ
ング法により塗布し、その後、ホットプレート等により
約200℃で約300秒間加熱(ベーク)するという方
法で形成される。色フィルタ固定層5の厚さは例えば
1.0μm、レンズ固定層7の厚さは例えば1.3μm
というように設定されているが、これは固体撮像素子の
構造(セルサイズ、各層の厚さ)等により異なる。ちな
みに、この樹脂は、後で不要部分のエッチングの際にエ
ッチングマスクとして用いられるポジ型フォトレジスト
膜と比較してエッチング速度が約2倍と速いという性質
を有するので、エッチングマスクとして形成するポジ型
フォトレジスト膜の膜厚を余り厚くしないでも済むとい
う利点がある。尚、詳細は後で説明する。
【0015】(B)次に、図1(B)に示すように、上
記色フィルタ固定層7上にレンズ材層(厚さ例えば1.
5μm)8aを形成する。該レンズ材層8aの材料とし
ては、可視光領域での透明性が高く、レンズ形成後の耐
熱性、耐光性に優れ、且つパターニング時の解像度が高
いフォトレジストが望ましい。そこで、本実施の形態に
おいては、例えばTMR−P3(商品名 東京応化工業
株式会社製)等を用いている。レンズ材層8aの形成
は、公知のスピンコーティング法でそのフォトレジスト
を塗布し、その後、ホットプレート法等によりこれを例
えば約110℃で90秒間予備加熱(プリベーク)する
という方法で為される。尚、レンズ材層8aの厚さは本
実施の形態では1.5μmであるが、固体撮像素子の構
造(セルサイズ、色フィルタ固定層の厚さ、色フィルタ
層の厚さ等)により最適値は自ずと異なってくる。
記色フィルタ固定層7上にレンズ材層(厚さ例えば1.
5μm)8aを形成する。該レンズ材層8aの材料とし
ては、可視光領域での透明性が高く、レンズ形成後の耐
熱性、耐光性に優れ、且つパターニング時の解像度が高
いフォトレジストが望ましい。そこで、本実施の形態に
おいては、例えばTMR−P3(商品名 東京応化工業
株式会社製)等を用いている。レンズ材層8aの形成
は、公知のスピンコーティング法でそのフォトレジスト
を塗布し、その後、ホットプレート法等によりこれを例
えば約110℃で90秒間予備加熱(プリベーク)する
という方法で為される。尚、レンズ材層8aの厚さは本
実施の形態では1.5μmであるが、固体撮像素子の構
造(セルサイズ、色フィルタ固定層の厚さ、色フィルタ
層の厚さ等)により最適値は自ずと異なってくる。
【0016】このようなレンズ材層8aは、ボンディン
グパッド3上、スクライブライン3上の不要部分の選択
的エッチングを終えておらず、従って、表面が略平坦な
色フィルタ固定層7上に形成されるので、膜厚を均一に
することが容易に為し得る。尚、色フィルタ固定層7は
厳密には溝9が形成されているので、完全な平坦とはい
えないが、しかし、その深さは例えば0.05乃至0.
3μm程度と極めて浅く、レンズ材層8aの表面の平坦
性に影響を及ぼす程の値ではないので、略平坦といえる
し、レンズ材層8aの膜厚の均一性が溝9によって囲ま
れたところのマイクロレンズを形成すべき各領域におい
ては全く損なわれていないので、溝9の形成されている
ことが本発明の目的達成の阻害要因になることは全くな
い。
グパッド3上、スクライブライン3上の不要部分の選択
的エッチングを終えておらず、従って、表面が略平坦な
色フィルタ固定層7上に形成されるので、膜厚を均一に
することが容易に為し得る。尚、色フィルタ固定層7は
厳密には溝9が形成されているので、完全な平坦とはい
えないが、しかし、その深さは例えば0.05乃至0.
3μm程度と極めて浅く、レンズ材層8aの表面の平坦
性に影響を及ぼす程の値ではないので、略平坦といえる
し、レンズ材層8aの膜厚の均一性が溝9によって囲ま
れたところのマイクロレンズを形成すべき各領域におい
ては全く損なわれていないので、溝9の形成されている
ことが本発明の目的達成の阻害要因になることは全くな
い。
【0017】(C)次に、図1(C)に示すように、レ
ンズ材層8aを選択的にエッチングすることにより各マ
イクロレンズを形成すべき部分以外においてレンズ材層
を除去することにより、互いに分離されてマイクロレン
ズ8、8、・・・となる部分のみを残存させる。各マイ
クロレンズ8、8、・・・は各受光素子2、2、・・・
上に存在し、集光特性を発揮すべきものではあるが、現
段階では集光に適した形状を有していない。尚、この選
択的エッチングは、縮小露光装置を用いてレンズ材層8
aをパターン露光し、次に公知の方法で現像処理を施
し、更に、約110℃で約120秒間例えばホットプレ
ートを用いて加熱(ポストベーク)し、その後、紫外線
照射による脱色(ブリーチング)露光することにより行
う。
ンズ材層8aを選択的にエッチングすることにより各マ
イクロレンズを形成すべき部分以外においてレンズ材層
を除去することにより、互いに分離されてマイクロレン
ズ8、8、・・・となる部分のみを残存させる。各マイ
クロレンズ8、8、・・・は各受光素子2、2、・・・
上に存在し、集光特性を発揮すべきものではあるが、現
段階では集光に適した形状を有していない。尚、この選
択的エッチングは、縮小露光装置を用いてレンズ材層8
aをパターン露光し、次に公知の方法で現像処理を施
し、更に、約110℃で約120秒間例えばホットプレ
ートを用いて加熱(ポストベーク)し、その後、紫外線
照射による脱色(ブリーチング)露光することにより行
う。
【0018】また、脱色露光はレンズ材層8、8、・・
・に可視光領域における透明性を付与するために行うも
のであり、レンズ材中に存在する紫外線感光剤を紫外線
照射により分解することにより透明性を高めるものであ
る。この脱色露光は具体的には、例えばNSR−150
5G4D(商品名 株式会社ニコン製)の露光装置を用
い、露光光線の波長が436nm(g線)、露光量80
0mj/cm2 の条件で行う。 (D)次に、レンズ材層8、8、・・・を、それに対し
て熱処理を施すことによりリフローさせて図1(D)に
示すように凸球面上に成形し、集光機能を充分に発揮す
るような形状に整形する。この熱処理は例えば温度約1
50℃で、300秒間ホットプレート等を用いて加熱す
ることにより行う。このような加熱処理により各マイク
レンズ8を、集光機能を有し対応する受光素子2の感度
を有効に高める形状にすることができる。
・に可視光領域における透明性を付与するために行うも
のであり、レンズ材中に存在する紫外線感光剤を紫外線
照射により分解することにより透明性を高めるものであ
る。この脱色露光は具体的には、例えばNSR−150
5G4D(商品名 株式会社ニコン製)の露光装置を用
い、露光光線の波長が436nm(g線)、露光量80
0mj/cm2 の条件で行う。 (D)次に、レンズ材層8、8、・・・を、それに対し
て熱処理を施すことによりリフローさせて図1(D)に
示すように凸球面上に成形し、集光機能を充分に発揮す
るような形状に整形する。この熱処理は例えば温度約1
50℃で、300秒間ホットプレート等を用いて加熱す
ることにより行う。このような加熱処理により各マイク
レンズ8を、集光機能を有し対応する受光素子2の感度
を有効に高める形状にすることができる。
【0019】(E)次に、図1(E)に示すように、レ
ンズ固定層7選択的エッチング用のポジ型フォトレジス
ト膜(厚さ例えば2.5μm)10を形成する。この形
成は、材料として例えばPFR−3650(商品名 日
本合成ゴム株式会社製)を用い、公知のスピンコーティ
ングにより塗布し、その後、例えばホットプレートを用
いる等して約100℃で90秒間加熱(ベーク)するこ
とにより行う。 (F)次に、図2(F)に示すように、フォトレジスト
膜10に対してパターニングすることにより不要部分を
除去する。具体的には、ボンディングパッド4及びスク
ライブライン3上の部分を除去する。パターニングは、
先ず縮小露光装置によってパターン露光を行い、その
後、現像処理を施し更にポストベークすることにより行
う。
ンズ固定層7選択的エッチング用のポジ型フォトレジス
ト膜(厚さ例えば2.5μm)10を形成する。この形
成は、材料として例えばPFR−3650(商品名 日
本合成ゴム株式会社製)を用い、公知のスピンコーティ
ングにより塗布し、その後、例えばホットプレートを用
いる等して約100℃で90秒間加熱(ベーク)するこ
とにより行う。 (F)次に、図2(F)に示すように、フォトレジスト
膜10に対してパターニングすることにより不要部分を
除去する。具体的には、ボンディングパッド4及びスク
ライブライン3上の部分を除去する。パターニングは、
先ず縮小露光装置によってパターン露光を行い、その
後、現像処理を施し更にポストベークすることにより行
う。
【0020】その現像は、例えば、現像液としてMND
−3/60秒パドル現像(東京応化株式会社製)を用い
て行う。また、その後のポストベークは例えばホットプ
レートを用いて約110℃の温度で約120秒間加熱す
ることにより行う。 (G)次に、図2(G)に示すように上記フォトレジス
ト膜10をマスクとして上記レンズ固定層7をエッチン
グする。
−3/60秒パドル現像(東京応化株式会社製)を用い
て行う。また、その後のポストベークは例えばホットプ
レートを用いて約110℃の温度で約120秒間加熱す
ることにより行う。 (G)次に、図2(G)に示すように上記フォトレジス
ト膜10をマスクとして上記レンズ固定層7をエッチン
グする。
【0021】このエッチングはフッ素成分がフォトレジ
スト膜10に作用しないような条件下で行うことが好ま
しい。というのは、従来、2層レジスト法等による下地
有機膜のエッチングの際に加工精度向上のために、酸素
中に四フッ化炭素(フッ化化合物)等のガスを添加して
エッチングの異方性を得るようにしていたが、しかし、
そのフッ素成分はフォトレジスト膜10をマスクとする
エッチング終了後におけるそのフォトレジスト膜10の
剥離性を低下させるという欠点があった。また、エッチ
ング装置の内面にフッ素成分がある場合も、フォトレジ
スト膜10にフッ素成分が付着して同様の結果を招い
た。これは当然に、固体撮像素子の歩留り低下を招くの
で、好ましくない。そこで、フッ素成分がフォトレジス
ト膜10に付着しないような条件下で行うのが好ましい
のである。
スト膜10に作用しないような条件下で行うことが好ま
しい。というのは、従来、2層レジスト法等による下地
有機膜のエッチングの際に加工精度向上のために、酸素
中に四フッ化炭素(フッ化化合物)等のガスを添加して
エッチングの異方性を得るようにしていたが、しかし、
そのフッ素成分はフォトレジスト膜10をマスクとする
エッチング終了後におけるそのフォトレジスト膜10の
剥離性を低下させるという欠点があった。また、エッチ
ング装置の内面にフッ素成分がある場合も、フォトレジ
スト膜10にフッ素成分が付着して同様の結果を招い
た。これは当然に、固体撮像素子の歩留り低下を招くの
で、好ましくない。そこで、フッ素成分がフォトレジス
ト膜10に付着しないような条件下で行うのが好ましい
のである。
【0022】本実施の形態では、このレンズ固定層7の
エッチングは具体的には次の条件下で行う。先ず、エッ
チング装置としては、平行平板バッチ式RIE装置であ
って、その平行平板電極の電極間隔が例えば10nmに
設定され、電極カバー材としてポリアリレートを用い、
反応室内にフッ素成分のないものを用いる。勿論、テフ
ロン加工したものは用いない。そして、エッチングガス
として酸素ガスO2 (供給量100cc/min)を用
い、エッチング圧力が25Pa、エッチングパワーが4
00Wという条件下でエッチングする。ちなみに、ポジ
型フォトレジストのエッチング速度は120nm/mi
n、レンズ固定層を成すアクリル系熱効果材のエッチン
グ速度は250nm/minであり、選択比(レンズ固
定層を成すアクリル系熱効果材のエッチング速度/ポジ
型フォトレジストのエッチング速度)は2.08であ
る。
エッチングは具体的には次の条件下で行う。先ず、エッ
チング装置としては、平行平板バッチ式RIE装置であ
って、その平行平板電極の電極間隔が例えば10nmに
設定され、電極カバー材としてポリアリレートを用い、
反応室内にフッ素成分のないものを用いる。勿論、テフ
ロン加工したものは用いない。そして、エッチングガス
として酸素ガスO2 (供給量100cc/min)を用
い、エッチング圧力が25Pa、エッチングパワーが4
00Wという条件下でエッチングする。ちなみに、ポジ
型フォトレジストのエッチング速度は120nm/mi
n、レンズ固定層を成すアクリル系熱効果材のエッチン
グ速度は250nm/minであり、選択比(レンズ固
定層を成すアクリル系熱効果材のエッチング速度/ポジ
型フォトレジストのエッチング速度)は2.08であ
る。
【0023】(H)その後、選択的エッチング後のフォ
トレジスト膜10を剥離する。この剥離は、有機溶剤を
用いて行う。具体的には、公知のスピンコータに剥離用
のノズルを用意し、溶剤の吐出により溶解除去すること
によって行っても良いし、有機溶剤中にウェハを浸漬す
ることによって行っても良い。有機溶剤としては、EC
A(エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト)、EL(乳酸エチル)、EEP(エチル3−エトキ
シプロピオネート)、EP(エチルピルベート)、MM
P(メチル−3−メトキシプロピオネート)、MAK
(2−ヘプタノン)、PEGMEA(プロピレリングリ
コールモノメチルエーテルアセテート)等の単一溶剤又
は混合溶剤を例えば常温で用いる。
トレジスト膜10を剥離する。この剥離は、有機溶剤を
用いて行う。具体的には、公知のスピンコータに剥離用
のノズルを用意し、溶剤の吐出により溶解除去すること
によって行っても良いし、有機溶剤中にウェハを浸漬す
ることによって行っても良い。有機溶剤としては、EC
A(エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト)、EL(乳酸エチル)、EEP(エチル3−エトキ
シプロピオネート)、EP(エチルピルベート)、MM
P(メチル−3−メトキシプロピオネート)、MAK
(2−ヘプタノン)、PEGMEA(プロピレリングリ
コールモノメチルエーテルアセテート)等の単一溶剤又
は混合溶剤を例えば常温で用いる。
【0024】その後、レンズ固定層7及び色フィルタ固
定層5のエッチバックにより色フィルタ固定層5のボン
ディングパッド4上の部分及びスクライブライン3上の
部分を除去する。すると、図6に示した固体撮像素子が
出来上がるのである。このような固体撮像素子の製造方
法によれば、レンズ固定層7のボンディングパッド4及
びスクライブライン3上の部分を選択的エッチングによ
り除去する前にレンズ材層8aの形成、マイクロレンズ
8、8、・・・の形成を行うので、下地の段差の影響を
受けないようにしつつマイクロレンズ8、8、・・・を
形成することができ、マイクロレンズ8、8、・・・の
厚さ、大きさ、形状の均一性を高め、延いてはその集光
特性の均一性を高め、フィールド内の明暗差をなくすこ
とができる。
定層5のエッチバックにより色フィルタ固定層5のボン
ディングパッド4上の部分及びスクライブライン3上の
部分を除去する。すると、図6に示した固体撮像素子が
出来上がるのである。このような固体撮像素子の製造方
法によれば、レンズ固定層7のボンディングパッド4及
びスクライブライン3上の部分を選択的エッチングによ
り除去する前にレンズ材層8aの形成、マイクロレンズ
8、8、・・・の形成を行うので、下地の段差の影響を
受けないようにしつつマイクロレンズ8、8、・・・を
形成することができ、マイクロレンズ8、8、・・・の
厚さ、大きさ、形状の均一性を高め、延いてはその集光
特性の均一性を高め、フィールド内の明暗差をなくすこ
とができる。
【0025】また、レンズ固定層7にアクリル系樹脂を
用い、ポジ型フォトレジストをエッチングマスクとして
用いてレンズ固定層7の不要部分、即ち、ボンディング
パッド4上及びスクライブライン3上の部分を選択的エ
ッチングにより除去するので、前述のようにそのレジス
トとレンズ固定層とのエッチング選択比が2.08にも
なるからレジスト厚さを徒に厚くする必要がない、とい
う利点がある。尚、該ポジ型フォトレジスト膜10の必
要膜厚Tpは、色フィルタ固定層5の膜厚Tf、レンズ
固定層7の膜厚Tl、色フィルタ固定層とのエッチング
選択比Erから次式によって表すことができる。 Tp(μm)=[ (Tf(μm)−Tl(μm))×
1.3/Er]+1.5(μm)
用い、ポジ型フォトレジストをエッチングマスクとして
用いてレンズ固定層7の不要部分、即ち、ボンディング
パッド4上及びスクライブライン3上の部分を選択的エ
ッチングにより除去するので、前述のようにそのレジス
トとレンズ固定層とのエッチング選択比が2.08にも
なるからレジスト厚さを徒に厚くする必要がない、とい
う利点がある。尚、該ポジ型フォトレジスト膜10の必
要膜厚Tpは、色フィルタ固定層5の膜厚Tf、レンズ
固定層7の膜厚Tl、色フィルタ固定層とのエッチング
選択比Erから次式によって表すことができる。 Tp(μm)=[ (Tf(μm)−Tl(μm))×
1.3/Er]+1.5(μm)
【0026】尚、該式中の1.3は30%のオーバーエ
ッチングを見込んだ膜厚設定をしたことの反映であり、
例えば、40%のオーバーエッチングを見込む場合には
その値は1.4になる。また、+1.5[ μm] はエッ
チング後にレンズのトップにポジ型フォトレジスト膜1
0が残るように膜厚設定する為であり、レンズ膜厚が
1.5μmであることが反映しているのである。ちなみ
に、色フィルタ固定層5、レンズ固定層7としてポリス
チレン系の樹脂を用いた場合には上記エッチング選択比
が1にしかならず、ポジ型フォトレジスト膜10の最適
膜厚は4.49μmも必要となる。このようにフォトレ
ジスト膜10の膜厚を厚くすることは実は窒素ガスの発
生量の増大を招くので好ましくないのである。
ッチングを見込んだ膜厚設定をしたことの反映であり、
例えば、40%のオーバーエッチングを見込む場合には
その値は1.4になる。また、+1.5[ μm] はエッ
チング後にレンズのトップにポジ型フォトレジスト膜1
0が残るように膜厚設定する為であり、レンズ膜厚が
1.5μmであることが反映しているのである。ちなみ
に、色フィルタ固定層5、レンズ固定層7としてポリス
チレン系の樹脂を用いた場合には上記エッチング選択比
が1にしかならず、ポジ型フォトレジスト膜10の最適
膜厚は4.49μmも必要となる。このようにフォトレ
ジスト膜10の膜厚を厚くすることは実は窒素ガスの発
生量の増大を招くので好ましくないのである。
【0027】即ち、ポジ型フォトレジストは紫外線によ
る露光をした場合、感光剤の分解により窒素ガスが発生
し、レジスト膜が厚くなるとその窒素ガスの発生量が多
くなり、場合によっては発泡現象を惹起する。これはパ
ターン欠陥の原因となる。また、露光時間が長いほど紫
外線の累積(積算)照射量も多くなるが、レジスト膜の
厚さを厚くするほど露光時間を長くしなければならなく
なる。従って、レジスト膜を厚くすることは好ましくな
いが、本実施の形態のように材料を選べば、エッチング
選択比を2.08というように高くできるのでレジスト
膜をさほど厚くする必要がなく、延いては、窒素ガスの
発生による弊害を少なくできるのである。
る露光をした場合、感光剤の分解により窒素ガスが発生
し、レジスト膜が厚くなるとその窒素ガスの発生量が多
くなり、場合によっては発泡現象を惹起する。これはパ
ターン欠陥の原因となる。また、露光時間が長いほど紫
外線の累積(積算)照射量も多くなるが、レジスト膜の
厚さを厚くするほど露光時間を長くしなければならなく
なる。従って、レジスト膜を厚くすることは好ましくな
いが、本実施の形態のように材料を選べば、エッチング
選択比を2.08というように高くできるのでレジスト
膜をさほど厚くする必要がなく、延いては、窒素ガスの
発生による弊害を少なくできるのである。
【0028】そして、フォトレジスト膜10をマスクと
するレンズ固定層7のエッチングに際し、フッ素成分が
レジスト膜10に触れないようにするので、上述したよ
うに、選択エッチング後における有機溶剤による剥離の
困難性を軽減でき、延いては残渣による歩留り低下を軽
減できる。
するレンズ固定層7のエッチングに際し、フッ素成分が
レジスト膜10に触れないようにするので、上述したよ
うに、選択エッチング後における有機溶剤による剥離の
困難性を軽減でき、延いては残渣による歩留り低下を軽
減できる。
【0029】ところで、以下に溝9の形成などに関して
やや詳細に説明する。図3はマイクロレンズ形成部の平
面図であり、8はマイクロレンズ、9は溝である。該マ
イクロレンズ8の形成は図4(A)乃至(C)又は
(A′)乃至(C′)に示すように行う。(A)乃至
(C)と(A′)乃至(C′)との違いは、マイクロレ
ンズ8を形成する部分を凸部とするか凹部とするかの違
いに過ぎない。そこで、(A)乃至(C)についてのみ
説明をする。
やや詳細に説明する。図3はマイクロレンズ形成部の平
面図であり、8はマイクロレンズ、9は溝である。該マ
イクロレンズ8の形成は図4(A)乃至(C)又は
(A′)乃至(C′)に示すように行う。(A)乃至
(C)と(A′)乃至(C′)との違いは、マイクロレ
ンズ8を形成する部分を凸部とするか凹部とするかの違
いに過ぎない。そこで、(A)乃至(C)についてのみ
説明をする。
【0030】(A)レンズ固定層7の形成後該レンズ固
定層7上にポジ型フォトレジスト膜(厚さ例えば1.2
μm)15を形成する。具体的には、クレゾールノボラ
ック樹脂と感光剤、溶剤からなる材料、例えばTHMR
−1700(商品名 東京応化工業株式会社製)等を用
いる。そして、該材料をスピンコーティングすることに
より塗布し、その後、ホットプレート等により約90℃
で約100秒間加熱することにより予備加熱(プリベー
ク)する。
定層7上にポジ型フォトレジスト膜(厚さ例えば1.2
μm)15を形成する。具体的には、クレゾールノボラ
ック樹脂と感光剤、溶剤からなる材料、例えばTHMR
−1700(商品名 東京応化工業株式会社製)等を用
いる。そして、該材料をスピンコーティングすることに
より塗布し、その後、ホットプレート等により約90℃
で約100秒間加熱することにより予備加熱(プリベー
ク)する。
【0031】その後、パターン露光(縮小投影露光)、
ポスト露光ベーク(ホットプレートを用いての例えば1
20℃の温度での100秒間の加熱)、現像(現像液:
MND−3/60秒バドル現像, 東京応化工業株式会社
製)、ポストベーク(110℃で120秒間加熱)とい
うプロセスを経て形成が行われる。 (B)次に、上記フォトレジスト膜15をマスクとして
レンズ固定層7を0.05〜0.30μmの深さエッチ
ングすると良いようであり、本実施の形態では約0.1
0μm程度の深さにした。
ポスト露光ベーク(ホットプレートを用いての例えば1
20℃の温度での100秒間の加熱)、現像(現像液:
MND−3/60秒バドル現像, 東京応化工業株式会社
製)、ポストベーク(110℃で120秒間加熱)とい
うプロセスを経て形成が行われる。 (B)次に、上記フォトレジスト膜15をマスクとして
レンズ固定層7を0.05〜0.30μmの深さエッチ
ングすると良いようであり、本実施の形態では約0.1
0μm程度の深さにした。
【0032】そのエッチングは装置として、枚葉式マイ
クロ波アッシング装置を用い、パワーが500W、エッ
チングガス(酸素O2 )流量が200SCCM、ステー
ジ温度が120℃、圧力が135Pa、エッチング時間
が13秒(エッチングレート:0.5μm/min)の
エッチング条件でエッチングを行う。
クロ波アッシング装置を用い、パワーが500W、エッ
チングガス(酸素O2 )流量が200SCCM、ステー
ジ温度が120℃、圧力が135Pa、エッチング時間
が13秒(エッチングレート:0.5μm/min)の
エッチング条件でエッチングを行う。
【0033】このようにエッチングすると、DeepU
V露光装置のような新たな設備投資を行わなくても溝幅
を非常に狭くすることができた。ちなみに、図4
(B′)のb部を拡大した図における幅W3が従来0.
5μm以下にできなかったにも拘らず、本技術導入によ
り等方性エッチングにより色フィルタ固定層7を形成し
て形成した凸部の幅W4を0.3μmにまで狭くするこ
とができた。尚、ポジ型フォトレジストのエッチングレ
ートはレンズ固定層のそれの約5分の1であり、エッチ
ング選択比は極めて高い。
V露光装置のような新たな設備投資を行わなくても溝幅
を非常に狭くすることができた。ちなみに、図4
(B′)のb部を拡大した図における幅W3が従来0.
5μm以下にできなかったにも拘らず、本技術導入によ
り等方性エッチングにより色フィルタ固定層7を形成し
て形成した凸部の幅W4を0.3μmにまで狭くするこ
とができた。尚、ポジ型フォトレジストのエッチングレ
ートはレンズ固定層のそれの約5分の1であり、エッチ
ング選択比は極めて高い。
【0034】(C)次に、不要になったポジ型フォトレ
ジスト膜15を図4(A)に示すように除去する。この
除去は、前述のポジ型レジスト膜10の除去と全く同じ
方法で行うことができる。これにより、マイクロレンズ
間のショート不良を伴うことなくマイクロレンズを高集
積密度を以て形成することができるが、しかし、かかる
技術については特開平6−132505号公報により紹
介が為されている。
ジスト膜15を図4(A)に示すように除去する。この
除去は、前述のポジ型レジスト膜10の除去と全く同じ
方法で行うことができる。これにより、マイクロレンズ
間のショート不良を伴うことなくマイクロレンズを高集
積密度を以て形成することができるが、しかし、かかる
技術については特開平6−132505号公報により紹
介が為されている。
【0035】
【発明の効果】請求項1の固体撮像素子の製造方法によ
れば、レンズ材層は略平坦な色フィルタ固定層上に形成
されるので膜厚の不均一を伴うことなく形成することが
でき、そのレンズ材層を加工してマイクロレンズを形成
するので、厚さ、大きさ、形状の均一なマイクロレンズ
を形成することが可能になる。
れば、レンズ材層は略平坦な色フィルタ固定層上に形成
されるので膜厚の不均一を伴うことなく形成することが
でき、そのレンズ材層を加工してマイクロレンズを形成
するので、厚さ、大きさ、形状の均一なマイクロレンズ
を形成することが可能になる。
【0036】そこで、具体的に効果の一例を述べると、
従来の固体撮像素子の製造方法による場合の感度を1と
したとき、上記実施の形態の場合が1.18と、先ず感
度自身を向上させることができた。そして、感度ムラレ
ベルに関しては従来4.8%もあったのを、本実施の形
態においては1.2%に顕著に低減できた。また、線幅
については、従来、平均値/x(便宜上/をもってxの
上に書くバーに代える。)が0.751μm, 3σ(標
準σの3倍)が0.062μmであったのを、本実施の
形態によれば、平均値/xを0.511μm, 3σを
0.014μmにすることができた。
従来の固体撮像素子の製造方法による場合の感度を1と
したとき、上記実施の形態の場合が1.18と、先ず感
度自身を向上させることができた。そして、感度ムラレ
ベルに関しては従来4.8%もあったのを、本実施の形
態においては1.2%に顕著に低減できた。また、線幅
については、従来、平均値/x(便宜上/をもってxの
上に書くバーに代える。)が0.751μm, 3σ(標
準σの3倍)が0.062μmであったのを、本実施の
形態によれば、平均値/xを0.511μm, 3σを
0.014μmにすることができた。
【0037】ここで、従来の固体撮像素子の製造方法と
いうのは、使用材料は本実施の形態の場合と同じで、ボ
ンディングパッド及びスクライブラインにおける色フィ
ルタ固定層の選択的エッチングはレンズ固定層の形成前
に行い、そして、レンズ固定層表面の溝9は形成してい
ない。それに対して本実施の形態の場合は図1、図2に
示した場合である。
いうのは、使用材料は本実施の形態の場合と同じで、ボ
ンディングパッド及びスクライブラインにおける色フィ
ルタ固定層の選択的エッチングはレンズ固定層の形成前
に行い、そして、レンズ固定層表面の溝9は形成してい
ない。それに対して本実施の形態の場合は図1、図2に
示した場合である。
【0038】そして、線幅の評価は図5に示した固体撮
像素子概略平面図の受光センサービット#1から#76
8までのマイクロレンズのギャップ幅W1(図3参照)
をデバイスH(水平方向)に8ビット毎にサンプリング
して得た96ポイントの測定(但し#1〜#8の間のみ
7ビット空けた)の結果から求めた。従って、デバイス
感度に関しては約18%向上しているといえ、また、感
度ムラレベルは従来の4分の1に低減できたし、マイク
ロレンズ間の間隔の低減及びバラツキの低減を図ること
ができたのである。
像素子概略平面図の受光センサービット#1から#76
8までのマイクロレンズのギャップ幅W1(図3参照)
をデバイスH(水平方向)に8ビット毎にサンプリング
して得た96ポイントの測定(但し#1〜#8の間のみ
7ビット空けた)の結果から求めた。従って、デバイス
感度に関しては約18%向上しているといえ、また、感
度ムラレベルは従来の4分の1に低減できたし、マイク
ロレンズ間の間隔の低減及びバラツキの低減を図ること
ができたのである。
【0039】請求項2の固体撮像素子の製造方法によれ
ば、レンズ固定層の不要部分の選択的エッチングに際し
エッチングマスクとして用いたフォトレジストはフッ素
が作用せず、有機溶剤による剥離性が低下しない。依っ
て、選択的エッチング終了後におけるフォトレジスト膜
を残渣を生じることなく除去することができ、延いては
その残渣による歩留り低下を防止することができる。
ば、レンズ固定層の不要部分の選択的エッチングに際し
エッチングマスクとして用いたフォトレジストはフッ素
が作用せず、有機溶剤による剥離性が低下しない。依っ
て、選択的エッチング終了後におけるフォトレジスト膜
を残渣を生じることなく除去することができ、延いては
その残渣による歩留り低下を防止することができる。
【図1】(A)乃至(E)は本発明固体撮像素子の製造
方法の第1の実施の形態の工程(A)乃至(E)を順に
示す断面図である。
方法の第1の実施の形態の工程(A)乃至(E)を順に
示す断面図である。
【図2】(F)乃至(H)は上記実施の形態の工程
(F)乃至(H)を順に示す断面図である。
(F)乃至(H)を順に示す断面図である。
【図3】上記実施の形態におけるマイクロレンズ形成部
の平面図である。
の平面図である。
【図4】(A)乃至(C)及び(A′)乃至(C′)は
上記実施の形態におけるマイクロレンズ間分離に関する
各別の技術を工程順に示す断面図である。
上記実施の形態におけるマイクロレンズ間分離に関する
各別の技術を工程順に示す断面図である。
【図5】線幅評価について説明をするための固体撮像素
子の平面図である。
子の平面図である。
【図6】固体撮像素子の一例を示す断面図である。
【図7】(A)乃至(D)は固体撮像素子の製造方法の
従来例を工程順に示す断面図である。
従来例を工程順に示す断面図である。
5 色フィルタ固定層 6 色フィルタ層 7 レンズ固定層 8a レンズ材層 8 マイクロレンズ 10 不要部分エッチング用マスクであるポジ型フォト
レジスト膜
レジスト膜
Claims (2)
- 【請求項1】 画素を成す受光素子が表面部に形成され
た半導体基板表面上に有機材料からなる色フィルタ固定
層を介して色フィルタ層が形成され、該色フィルタ層上
に有機材料からなるレンズ固定層を介してマイクロレン
ズが形成された固体撮像素子の製造方法において、 上記レンズ固定層の不要部分の選択的エッチングを、レ
ンズ固定層上にレンズ材層を形成し更に該レンズ材層を
加工してマイクロレンズを形成した後に行うことを特徴
とする固体撮像素子の製造方法 - 【請求項2】 レンズ固定層の不要部分の選択的エッチ
ングを、フォトレジストをマスクとし、且つエッチング
ガスとしてフッ素を含まないものを用いると共に、エッ
チング装置として少なくとも内面側にフッ素を含まない
ものを用いて為すことを特徴とする請求項1記載の固体
撮像素子の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321004A JPH09139484A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321004A JPH09139484A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139484A true JPH09139484A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=18127720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321004A Pending JPH09139484A (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11126892A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2010517432A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | フレックストロニクス エーピー エルエルシー | ウエハーレベルカメラモジュール及びその製造方法 |
| US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP7321004A patent/JPH09139484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11126892A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2010517432A (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | フレックストロニクス エーピー エルエルシー | ウエハーレベルカメラモジュール及びその製造方法 |
| US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
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