JPH09145509A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH09145509A JPH09145509A JP31078395A JP31078395A JPH09145509A JP H09145509 A JPH09145509 A JP H09145509A JP 31078395 A JP31078395 A JP 31078395A JP 31078395 A JP31078395 A JP 31078395A JP H09145509 A JPH09145509 A JP H09145509A
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Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４端子ピエゾ抵抗素子の圧力感度の精度の良
い圧力センサを提供する。 【解決手段】 （１００）シリコン基板１を水酸化カリ
ウムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエッチ
ングすることにより中央部に凹部１２を形成し、凹部１
２の天井部を構成するダイアフラム１３及びダイアフラ
ム１３を支持する支持部１１が形成される。ダイアフラ
ム１３のエッジ付近には、歪みを検知するための４端子
ピエゾ抵抗素子２がボロンをドープすることにより形成
されている。４端子ピエゾ抵抗素子２は、両端に入力端
子部２１ａ，２１ｂを有する入力端子本体部２１と、両
端に出力端子部２２ａ，２２ｂを有する出力端子部２２
とを有しており、入力端子本体部２１は（１００）シリ
コン基板１の（１００）軸方向に配置され、出力端子本
体部２２と直交するように３回交差して形成されてい
る。そして、入力端子部２１ａ，２１ｂ及び出力端子部
２２ａ，２２ｂからは拡散抵抗から成る配線３が延びて
おり、その端部には電極４が形成されている。
い圧力センサを提供する。 【解決手段】 （１００）シリコン基板１を水酸化カリ
ウムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエッチ
ングすることにより中央部に凹部１２を形成し、凹部１
２の天井部を構成するダイアフラム１３及びダイアフラ
ム１３を支持する支持部１１が形成される。ダイアフラ
ム１３のエッジ付近には、歪みを検知するための４端子
ピエゾ抵抗素子２がボロンをドープすることにより形成
されている。４端子ピエゾ抵抗素子２は、両端に入力端
子部２１ａ，２１ｂを有する入力端子本体部２１と、両
端に出力端子部２２ａ，２２ｂを有する出力端子部２２
とを有しており、入力端子本体部２１は（１００）シリ
コン基板１の（１００）軸方向に配置され、出力端子本
体部２２と直交するように３回交差して形成されてい
る。そして、入力端子部２１ａ，２１ｂ及び出力端子部
２２ａ，２２ｂからは拡散抵抗から成る配線３が延びて
おり、その端部には電極４が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ピエゾ抵抗効果を
利用して圧力を検出する圧力センサに関するものであ
る。
利用して圧力を検出する圧力センサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来例に係る圧力センサの上面
から見た略平面図であり、図６は、従来例に係る圧力セ
ンサの側面から見た略断面図である。この圧力センサ
は、支持部１１と、（１００）シリコン基板１を裏面か
らエッチングすることにより形成された凹部１２と、凹
部１２の天井部を形成するダイアフラム１３と、ダイア
フラム１３の上面に形成された４端子ピエゾ抵抗素子２
と、配線３を用いて４端子ピエゾ抵抗素子２に接続され
る電極４とを備えている。ここで、支持部１１とダイア
フラム１３とは単結晶シリコン基板１から一体的に形成
されている。即ち、（１００）シリコン基板１を水酸化
カリウムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエ
ッチングすることにより中央部に厚さ１０〜５０μｍの
凹部１２が形成され、凹部１２の天井部を構成するダイ
アフラム１３及びダイアフラム１３を支持する支持部１
１が形成される。また、支持部１１は圧力導入孔５１を
有する台座５に固定されており、ダイアフラム１３の上
面には歪みを検知するための４端子ピエゾ抵抗素子２が
設けられている。そして、ダイアフラム１３の表面を保
護するために、酸化シリコンから成る絶縁保護膜６が被
覆形成されている。
から見た略平面図であり、図６は、従来例に係る圧力セ
ンサの側面から見た略断面図である。この圧力センサ
は、支持部１１と、（１００）シリコン基板１を裏面か
らエッチングすることにより形成された凹部１２と、凹
部１２の天井部を形成するダイアフラム１３と、ダイア
フラム１３の上面に形成された４端子ピエゾ抵抗素子２
と、配線３を用いて４端子ピエゾ抵抗素子２に接続され
る電極４とを備えている。ここで、支持部１１とダイア
フラム１３とは単結晶シリコン基板１から一体的に形成
されている。即ち、（１００）シリコン基板１を水酸化
カリウムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエ
ッチングすることにより中央部に厚さ１０〜５０μｍの
凹部１２が形成され、凹部１２の天井部を構成するダイ
アフラム１３及びダイアフラム１３を支持する支持部１
１が形成される。また、支持部１１は圧力導入孔５１を
有する台座５に固定されており、ダイアフラム１３の上
面には歪みを検知するための４端子ピエゾ抵抗素子２が
設けられている。そして、ダイアフラム１３の表面を保
護するために、酸化シリコンから成る絶縁保護膜６が被
覆形成されている。
【０００３】このような圧力センサは、半導体の微細加
工技術を利用して製造することができるため小型化が容
易であり、且つ、大量生産が可能であるので低コスト化
を図ることができるという利点がある。
工技術を利用して製造することができるため小型化が容
易であり、且つ、大量生産が可能であるので低コスト化
を図ることができるという利点がある。
【０００４】次に、４端子ピエゾ抵抗素子の構成につい
て説明する。図７は、従来例に係る４端子ピエゾ抵抗素
子２を示す模式図である。４端子ピエゾ抵抗素子２は、
入力端子本体部２１の両端に入力端子部２１ａ，２１ｂ
がそれぞれ設けられ、入力端子本体部２１の中央から出
力端子本体部２２が延設され、その両端に出力端子部２
２ａ，２２ｂが設けられている。
て説明する。図７は、従来例に係る４端子ピエゾ抵抗素
子２を示す模式図である。４端子ピエゾ抵抗素子２は、
入力端子本体部２１の両端に入力端子部２１ａ，２１ｂ
がそれぞれ設けられ、入力端子本体部２１の中央から出
力端子本体部２２が延設され、その両端に出力端子部２
２ａ，２２ｂが設けられている。
【０００５】次に、４端子ピエゾ抵抗素子２の動作原理
について説明する。図８は、従来例に係る４端子ピエゾ
抵抗素子２の動作原理を示す模式図である。半導体結晶
のような異方性物質に対する２次元におけるオームの法
則は、 Ｅ1’＝ρ11’ｊ1’＋ρ12’ｊ2’ Ｅ2’＝ρ21’ｊ1’＋ρ22’ｊ2’ となる。なお、Ｅi，ρij，ｊiはそれぞれ電場，抵抗
率，電流密度を表す。
について説明する。図８は、従来例に係る４端子ピエゾ
抵抗素子２の動作原理を示す模式図である。半導体結晶
のような異方性物質に対する２次元におけるオームの法
則は、 Ｅ1’＝ρ11’ｊ1’＋ρ12’ｊ2’ Ｅ2’＝ρ21’ｊ1’＋ρ22’ｊ2’ となる。なお、Ｅi，ρij，ｊiはそれぞれ電場，抵抗
率，電流密度を表す。
【０００６】今、電流が流れる方向を２’軸方向（ｊ
1’＝０）にとれば、前式は Ｅ1’＝ρ12’ｊ2’ となる。
1’＝０）にとれば、前式は Ｅ1’＝ρ12’ｊ2’ となる。
【０００７】ここで、ダイアフラム１３に応力が生じて
いないときはρ12’は０であるが、応力が生じるとピエ
ゾ抵抗効果によってρ12’は ρ12’＝ρ（π61’σ11’＋π62’σ22’＋π66’σ1
2’） のように変化する。なお、ρは応力が発生していないと
きの半導体の抵抗率、π61’，π62’，π66’はピエゾ
抵抗係数、σ11’，σ22’，σ12’は圧力が印加された
ときにダイアフラム１３に発生する応力を表す。以上に
より、ダイアフラム１３に応力が生じた場合には、電流
の方向に垂直な方向にも電場が発生するのである。
いないときはρ12’は０であるが、応力が生じるとピエ
ゾ抵抗効果によってρ12’は ρ12’＝ρ（π61’σ11’＋π62’σ22’＋π66’σ1
2’） のように変化する。なお、ρは応力が発生していないと
きの半導体の抵抗率、π61’，π62’，π66’はピエゾ
抵抗係数、σ11’，σ22’，σ12’は圧力が印加された
ときにダイアフラム１３に発生する応力を表す。以上に
より、ダイアフラム１３に応力が生じた場合には、電流
の方向に垂直な方向にも電場が発生するのである。
【０００８】即ち、入力端子本体部２１の幅をＬとすれ
ばその両端には、 Ｖ＝Ｅ1’Ｌ の電圧が発生する。４端子ピエゾ抵抗素子２を用いた圧
力センサではこの電圧を検知することにより圧力を検出
するのである。
ばその両端には、 Ｖ＝Ｅ1’Ｌ の電圧が発生する。４端子ピエゾ抵抗素子２を用いた圧
力センサではこの電圧を検知することにより圧力を検出
するのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成の圧力センサにおいては、同じサイズのダイアフ
ラムを有するホイートストンブリッジ方式の圧力センサ
に比較して充分な出力電圧を得ることができないという
問題があった。
な構成の圧力センサにおいては、同じサイズのダイアフ
ラムを有するホイートストンブリッジ方式の圧力センサ
に比較して充分な出力電圧を得ることができないという
問題があった。
【００１０】また、ダイアフラム１３のエッジ付近に４
端子ピエゾ抵抗素子２を１個配置したような場合には、
露光時のマスクずれのために４端子ピエゾ抵抗素子２の
位置が所定位置からずれる可能性がある。特に、ダイア
フラム１３のエッジ付近では応力分布が大きく変動する
ため、４端子ピエゾ抵抗素子２の位置のばらつきは感度
のばらつきとなる。
端子ピエゾ抵抗素子２を１個配置したような場合には、
露光時のマスクずれのために４端子ピエゾ抵抗素子２の
位置が所定位置からずれる可能性がある。特に、ダイア
フラム１３のエッジ付近では応力分布が大きく変動する
ため、４端子ピエゾ抵抗素子２の位置のばらつきは感度
のばらつきとなる。
【００１１】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、４端子ピエゾ抵抗素
子の圧力感度の精度の良い圧力センサを提供することに
ある。
であり、その目的とするところは、４端子ピエゾ抵抗素
子の圧力感度の精度の良い圧力センサを提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
両端に入力端子部を有する入力端子本体部と、両端に出
力端子部を有する出力端子本体部とを有し、前記入力端
子本体部と前記出力端子本体部とを交差させて一体的に
形成した４端子ピエゾ抵抗素子が表面に設けられたダイ
アフラムと、該ダイアフラムを支持する支持部とを半導
体基板を加工して形成した圧力センサにおいて、前記入
力端子本体部と前記出力端子本体部とを複数回交差させ
たことを特徴とするものである。
両端に入力端子部を有する入力端子本体部と、両端に出
力端子部を有する出力端子本体部とを有し、前記入力端
子本体部と前記出力端子本体部とを交差させて一体的に
形成した４端子ピエゾ抵抗素子が表面に設けられたダイ
アフラムと、該ダイアフラムを支持する支持部とを半導
体基板を加工して形成した圧力センサにおいて、前記入
力端子本体部と前記出力端子本体部とを複数回交差させ
たことを特徴とするものである。
【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の圧
力センサにおいて、前記４端子ピエゾ抵抗素子を偶数個
設けて、２個ずつ、前記ダイアフラム上に対称な位置と
なるように配置したことを特徴とするものである。
力センサにおいて、前記４端子ピエゾ抵抗素子を偶数個
設けて、２個ずつ、前記ダイアフラム上に対称な位置と
なるように配置したことを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る圧力センサを示す模式図であり、（ａ）は上面か
ら見た平面図を示し、（ｂ）は側面から見た略断面図を
示している。本実施形態に係る圧力センサは、支持部１
１と、凹部１２と、凹部１２の天井部を形成するダイア
フラム１３と、ダイアフラム１３の上面に形成された４
端子ピエゾ抵抗素子２と、配線３を用いて４端子ピエゾ
抵抗素子２に接続される電極４とを備えている。厚さ約
３００μｍの（１００）シリコン基板１を水酸化カリウ
ムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエッチン
グすることにより中央部に厚さ１０〜５０μｍの凹部１
２が形成され、凹部１２の天井部を構成するダイアフラ
ム１３及びダイアフラム１３を支持する支持部１１が形
成される。なお、本実施形態においては、厚さが２０μ
ｍ、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの正方形状のダイアフラム
１３が形成されている。
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る圧力センサを示す模式図であり、（ａ）は上面か
ら見た平面図を示し、（ｂ）は側面から見た略断面図を
示している。本実施形態に係る圧力センサは、支持部１
１と、凹部１２と、凹部１２の天井部を形成するダイア
フラム１３と、ダイアフラム１３の上面に形成された４
端子ピエゾ抵抗素子２と、配線３を用いて４端子ピエゾ
抵抗素子２に接続される電極４とを備えている。厚さ約
３００μｍの（１００）シリコン基板１を水酸化カリウ
ムを用いた異方性エッチングにより裏面側からエッチン
グすることにより中央部に厚さ１０〜５０μｍの凹部１
２が形成され、凹部１２の天井部を構成するダイアフラ
ム１３及びダイアフラム１３を支持する支持部１１が形
成される。なお、本実施形態においては、厚さが２０μ
ｍ、サイズが１ｍｍ×１ｍｍの正方形状のダイアフラム
１３が形成されている。
【００１５】ここで、ダイアフラム１３の表面側のエッ
ジ付近には、歪みを検知するための４端子ピエゾ抵抗素
子２がボロンをドープすることにより形成されている。
図２は、本実施形態に係る４端子ピエゾ抵抗素子２の一
例を示す全体構成図である。４端子ピエゾ抵抗素子２
は、両端に入力端子部２１ａ，２１ｂを有する入力端子
本体部２１と、両端に出力端子部２２ａ，２２ｂを有す
る出力端子本体部２２とを有して成り、本実施形態にお
いては、入力端子本体部２１は（１００）シリコン基板
１の（１００）軸方向に配置され、出力端子本体部２２
と直交するように３回交差して形成されている。
ジ付近には、歪みを検知するための４端子ピエゾ抵抗素
子２がボロンをドープすることにより形成されている。
図２は、本実施形態に係る４端子ピエゾ抵抗素子２の一
例を示す全体構成図である。４端子ピエゾ抵抗素子２
は、両端に入力端子部２１ａ，２１ｂを有する入力端子
本体部２１と、両端に出力端子部２２ａ，２２ｂを有す
る出力端子本体部２２とを有して成り、本実施形態にお
いては、入力端子本体部２１は（１００）シリコン基板
１の（１００）軸方向に配置され、出力端子本体部２２
と直交するように３回交差して形成されている。
【００１６】そして、入力端子部２１ａ，２１ｂ及び出
力端子部２２ａ，２２ｂからは、４端子ピエゾ抵抗素子
２を電気的に接続するための拡散抵抗から成る配線３が
延びており、その端部には電子ビーム蒸着法を用いてア
ルミニウム層を形成し、このアルミニウム層をフォトリ
ソ工程で所定形状にパターン化して電極４が形成されて
いる。
力端子部２２ａ，２２ｂからは、４端子ピエゾ抵抗素子
２を電気的に接続するための拡散抵抗から成る配線３が
延びており、その端部には電子ビーム蒸着法を用いてア
ルミニウム層を形成し、このアルミニウム層をフォトリ
ソ工程で所定形状にパターン化して電極４が形成されて
いる。
【００１７】また、ダイアフラム１３の表面を保護する
ために、ダイアフラム１３の表面には酸化シリコンから
成る絶縁保護膜６が被覆形成されている。最後に、支持
部１１は、圧力導入孔５１を有する台座５に静電接合に
より固定される。
ために、ダイアフラム１３の表面には酸化シリコンから
成る絶縁保護膜６が被覆形成されている。最後に、支持
部１１は、圧力導入孔５１を有する台座５に静電接合に
より固定される。
【００１８】４端子ピエゾ抵抗素子２の入力端子部２１
ａ，２１ｂに電圧を印加すると、入力端子本体部２１の
長手方向に電流が流れる。このとき、ダイアフラム１３
に応力が発生すると、ピエゾ抵抗効果によりこの電流
は、入力端子本体部２１の長手方向に垂直な方向の電場
を発生させる。この電場を入力端子本体部２１の中央か
ら延びる出力端子本体部２２に引き込み、出力端子部２
２ａ，２２ｂで電圧として取り出す。ここで、入力端子
本体部２１と出力端子本体部２２とが複数回交差してい
ると、交差部２３での出力電圧の総和が最終出力となっ
て取り出されることになる。
ａ，２１ｂに電圧を印加すると、入力端子本体部２１の
長手方向に電流が流れる。このとき、ダイアフラム１３
に応力が発生すると、ピエゾ抵抗効果によりこの電流
は、入力端子本体部２１の長手方向に垂直な方向の電場
を発生させる。この電場を入力端子本体部２１の中央か
ら延びる出力端子本体部２２に引き込み、出力端子部２
２ａ，２２ｂで電圧として取り出す。ここで、入力端子
本体部２１と出力端子本体部２２とが複数回交差してい
ると、交差部２３での出力電圧の総和が最終出力となっ
て取り出されることになる。
【００１９】従って、本実施形態においては、入力端子
本体部２１と出力端子本体部２２とを３回交差させてい
るので、交差部２３における応力がほとんど変わらない
ぐらい４端子ピエゾ抵抗素子２のサイズを小さくすれ
ば、入力端子本体部２１と出力端子本体部２２との交差
数が１の場合に比べて、３倍の出力電圧を得ることがで
きる。
本体部２１と出力端子本体部２２とを３回交差させてい
るので、交差部２３における応力がほとんど変わらない
ぐらい４端子ピエゾ抵抗素子２のサイズを小さくすれ
ば、入力端子本体部２１と出力端子本体部２２との交差
数が１の場合に比べて、３倍の出力電圧を得ることがで
きる。
【００２０】なお、本実施形態においては、入力端子本
体部２１と出力端子本体部２２との交差数が３の場合に
ついて説明したが、これに限定される必要はない。
体部２１と出力端子本体部２２との交差数が３の場合に
ついて説明したが、これに限定される必要はない。
【００２１】また、図３に示すように、２個の４端子ピ
エゾ抵抗素子２を、ダイアフラム１３の中心をエッジに
平行に通る直線に線対称に配置したり、図４に示すよう
に、４個の４端子ピエゾ抵抗素子２を２個ずつ、ダイア
フラム１３の中心に対して点対称に向かい合うように配
置すれば、図１の場合と比べて、それぞれ２倍，４倍の
出力電圧を得ることができ、更に、向かい合うように配
置しているので、露光時におけるマスクのずれによっ
て、一方の４端子ピエゾ抵抗素子２がダイアフラム１３
の中央部方向にずれてその４端子ピエゾ抵抗素子２の位
置で発生する応力が小さくなっても、対称な位置にある
４端子ピエゾ抵抗素子２はダイアフラム１３のエッジ方
向にずれるため、その４端子ピエゾ抵抗素子２の位置で
発生する応力は大きくなり、結果としてペアとなってい
る４端子ピエゾ抵抗素子２の出力電圧の和はほとんど変
化しなくなる。なお、図３，図４においては、４端子ピ
エゾ抵抗素子２がそれぞれ２個，４個の場合について説
明したが、これに限定される必要はなく、４個以上の偶
数個のピエゾ抵抗素子２を２個ずつ、ダイアフラム１３
の中心に対して点対称に向かい合うように配置しても良
い。
エゾ抵抗素子２を、ダイアフラム１３の中心をエッジに
平行に通る直線に線対称に配置したり、図４に示すよう
に、４個の４端子ピエゾ抵抗素子２を２個ずつ、ダイア
フラム１３の中心に対して点対称に向かい合うように配
置すれば、図１の場合と比べて、それぞれ２倍，４倍の
出力電圧を得ることができ、更に、向かい合うように配
置しているので、露光時におけるマスクのずれによっ
て、一方の４端子ピエゾ抵抗素子２がダイアフラム１３
の中央部方向にずれてその４端子ピエゾ抵抗素子２の位
置で発生する応力が小さくなっても、対称な位置にある
４端子ピエゾ抵抗素子２はダイアフラム１３のエッジ方
向にずれるため、その４端子ピエゾ抵抗素子２の位置で
発生する応力は大きくなり、結果としてペアとなってい
る４端子ピエゾ抵抗素子２の出力電圧の和はほとんど変
化しなくなる。なお、図３，図４においては、４端子ピ
エゾ抵抗素子２がそれぞれ２個，４個の場合について説
明したが、これに限定される必要はなく、４個以上の偶
数個のピエゾ抵抗素子２を２個ずつ、ダイアフラム１３
の中心に対して点対称に向かい合うように配置しても良
い。
【００２２】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、両端に入力端子
部を有する入力端子本体部と、両端に出力端子部を有す
る出力端子本体部とを有し、入力端子本体部と出力端子
本体部とを交差させて一体的に形成した４端子ピエゾ抵
抗素子が表面に設けられたダイアフラムと、ダイアフラ
ムを支持する支持部とを半導体基板を加工して形成した
圧力センサにおいて、入力端子本体部と出力端子本体部
とを複数回交差させたので、ダイアフラムのサイズ，厚
みを変えることなく圧力感度を増大させることができ、
４端子ピエゾ抵抗素子の圧力感度の精度の良い圧力セン
サを提供することができた。
部を有する入力端子本体部と、両端に出力端子部を有す
る出力端子本体部とを有し、入力端子本体部と出力端子
本体部とを交差させて一体的に形成した４端子ピエゾ抵
抗素子が表面に設けられたダイアフラムと、ダイアフラ
ムを支持する支持部とを半導体基板を加工して形成した
圧力センサにおいて、入力端子本体部と出力端子本体部
とを複数回交差させたので、ダイアフラムのサイズ，厚
みを変えることなく圧力感度を増大させることができ、
４端子ピエゾ抵抗素子の圧力感度の精度の良い圧力セン
サを提供することができた。
【００２３】請求項２記載の発明は、４端子ピエゾ抵抗
素子を偶数個設けて、２個ずつ、ダイアフラム上に対称
な位置となるように配置したので、露光時のマスクのず
れによる圧力感度のばらつきを抑えることができる。
素子を偶数個設けて、２個ずつ、ダイアフラム上に対称
な位置となるように配置したので、露光時のマスクのず
れによる圧力感度のばらつきを抑えることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る圧力センサを示す模
式図であり、（ａ）は上面から見た略平面図であり、
（ｂ）は側面から見た略断面図である。
式図であり、（ａ）は上面から見た略平面図であり、
（ｂ）は側面から見た略断面図である。
【図２】本実施形態に係る４端子ピエゾ抵抗素子の一例
を示す全体構成図である。
を示す全体構成図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る圧力センサの４端
子ピエゾ抵抗素子の上面から見た配置図である。
子ピエゾ抵抗素子の上面から見た配置図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る圧力センサの４端
子ピエゾ抵抗素子の上面から見た配置図である。
子ピエゾ抵抗素子の上面から見た配置図である。
【図５】従来例に係る圧力センサの上面から見た略平面
図である。
図である。
【図６】従来例に係る圧力センサの側面から見た略断面
図である。
図である。
【図７】従来例に係る４端子ピエゾ抵抗素子を示す模式
図である。
図である。
【図８】従来例に係る４端子ピエゾ抵抗素子の動作原理
を示す模式図である。
を示す模式図である。
１ （１００）シリコン基板 １１ 支持部 １２ 凹部 １３ ダイアフラム ２ ４端子ピエゾ抵抗素子 ３ 配線 ４ 電極 ５ 台座 ６ 絶縁保護膜 ２１ 入力端子本体部 ２１ａ，２１ｂ 入力端子部 ２２ 出力端子本体部 ２２ａ，２２ｂ 出力端子部 ２３ 交差部 ５１ 圧力導入孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年３月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】次に、４端子ピエゾ抵抗素子２の動作原理
について説明する。図８は、従来例に係る４端子ピエゾ
抵抗素子２の動作原理を示す模式図である。半導体結晶
のような異方性物質の適当な２次元面におけるオームの
法則は、 Ｅ1’＝ρ11’ｊ1’＋ρ12’ｊ2’ Ｅ2’＝ρ21’ｊ1’＋ρ22’ｊ2’ となる。なお、Ｅi，ρij，ｊiはそれぞれ電場，抵抗
率，電流密度を表す。
について説明する。図８は、従来例に係る４端子ピエゾ
抵抗素子２の動作原理を示す模式図である。半導体結晶
のような異方性物質の適当な２次元面におけるオームの
法則は、 Ｅ1’＝ρ11’ｊ1’＋ρ12’ｊ2’ Ｅ2’＝ρ21’ｊ1’＋ρ22’ｊ2’ となる。なお、Ｅi，ρij，ｊiはそれぞれ電場，抵抗
率，電流密度を表す。
Claims (2)
- 【請求項１】 両端に入力端子部を有する入力端子本体
部と、両端に出力端子部を有する出力端子本体部とを有
し、前記入力端子本体部と前記出力端子本体部とを交差
させて一体的に形成した４端子ピエゾ抵抗素子が表面に
設けられたダイアフラムと、該ダイアフラムを支持する
支持部とを半導体基板を加工して形成した圧力センサに
おいて、前記入力端子本体部と前記出力端子本体部とを
複数回交差させたことを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 前記４端子ピエゾ抵抗素子を偶数個設け
て、２個ずつ、前記ダイアフラム上に対称な位置となる
ように配置したことを特徴とする請求項１記載の圧力セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31078395A JPH09145509A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31078395A JPH09145509A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145509A true JPH09145509A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18009421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31078395A Pending JPH09145509A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145509A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0869040A2 (en) | 1997-04-02 | 1998-10-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Control circuit for opening/closing device in a vehicle |
| JP2008168423A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 回転型ｍｅｍｓデバイス |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31078395A patent/JPH09145509A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0869040A2 (en) | 1997-04-02 | 1998-10-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Control circuit for opening/closing device in a vehicle |
| JP2008168423A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 回転型ｍｅｍｓデバイス |
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