JPH09146477A - 薄膜電界発光装置 - Google Patents
薄膜電界発光装置Info
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- JPH09146477A JPH09146477A JP8163306A JP16330696A JPH09146477A JP H09146477 A JPH09146477 A JP H09146477A JP 8163306 A JP8163306 A JP 8163306A JP 16330696 A JP16330696 A JP 16330696A JP H09146477 A JPH09146477 A JP H09146477A
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electroluminescent device
- circuit
- film electroluminescent
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/003—Details of a display terminal, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
- G09G5/006—Details of the interface to the display terminal
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 相互接続部と関連する欠点を解消すると共に
より制約された空間内に駆動回路を封入できる薄膜電界
発光装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリックス型薄膜電界発光
装置は複数の層を含む。後向きに配置した支持層は複数
の層及びインターフェース回路を支持する。インターフ
ェース回路は複数の第１のラインにより行及び列駆動回
路に電気的に接続する。これら駆動回路は複数の層に電
気的に接続されて薄膜電界発光装置内の選択した画素を
イネーブルする。インターフェースコントローラは支持
層から離れて位置し少なくとも１本の第２のラインによ
りインターフェース回路に電気的に接続されて装置内の
どの画素を発光させるべきかを指示する。第１のライン
の数は少なくとも１本の第２のラインの数よりも多くす
る。
より制約された空間内に駆動回路を封入できる薄膜電界
発光装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリックス型薄膜電界発光
装置は複数の層を含む。後向きに配置した支持層は複数
の層及びインターフェース回路を支持する。インターフ
ェース回路は複数の第１のラインにより行及び列駆動回
路に電気的に接続する。これら駆動回路は複数の層に電
気的に接続されて薄膜電界発光装置内の選択した画素を
イネーブルする。インターフェースコントローラは支持
層から離れて位置し少なくとも１本の第２のラインによ
りインターフェース回路に電気的に接続されて装置内の
どの画素を発光させるべきかを指示する。第１のライン
の数は少なくとも１本の第２のラインの数よりも多くす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は信頼性及び安全性が
増大し、制限された空間内で用いることができる改良さ
れた薄膜電界発光装置に関するものである。
増大し、制限された空間内で用いることができる改良さ
れた薄膜電界発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多くのコンピュータディスプレイはデス
ク上に配置され又はポータブル型のコンピュータに設置
されるように設計され、従って大きな視野領域及び電子
装置を配置するための関連するハウジングを有してい
る。このディスプレイ、特に薄膜電界発光ディスプレイ
（ＴＦＥＬ）はヘッド装着型ディスプレイのような空間
的に制限された使用のためのディスプレイとして設計さ
れていない。
ク上に配置され又はポータブル型のコンピュータに設置
されるように設計され、従って大きな視野領域及び電子
装置を配置するための関連するハウジングを有してい
る。このディスプレイ、特に薄膜電界発光ディスプレイ
（ＴＦＥＬ）はヘッド装着型ディスプレイのような空間
的に制限された使用のためのディスプレイとして設計さ
れていない。
【０００３】ＴＦＥＬディスプレイは一般に誘電体層間
にはさまれた電界発光蛍光層と共に構成され、これら３
個の全ての層は透明前側電極層と後側電極層との間に配
置されている（これらの全てについては好適実施例にお
いて説明する）。図１を参照するに、ディスプレイ３０
６の後側電極層は複数の個別の後側電極を有し、各電極
は相互接続部３００内の個別のワイヤ又はラインに電気
的に接続されている。同様に、前側電極層も複数の前側
電極を有し、各電極は相互接続部３０２内の個別のワイ
ヤ又はラインに電気的に接続されている。前側電極及び
後側電極から集合的に延在する相互接続部３００及び３
０２のワイヤは複数のエラストマ相互接続部と共に配線
されている。エラストマ相互接続部はプラスチックのケ
ーシング内に封入された並列ワイヤの比較的薄い細条で
ある。これらの相互接続部は、ディスプレイ３０６から
離れた位置の回路ボード３０４に配線され電気的に接続
されている。このような相互接続部は、1/2 インチ以上
の距離に亘って部分的に多数のワイヤ又はラインに信号
を伝送する際の信頼性の問題が生じ易い。回路ボード３
０４は行ドライバ３０８及び列ドライバ３１０を含みデ
ィスプレイ３０６内の選択された画素を付勢する。イン
ターフェースコントローラ３１２は、フレームバッファ
及びタイミングコントローラを含み１組のライン３０９
及び３１１を介して列ドライバ３１０及び行ドライバ３
０８を制御する。一般的な目的のコンピュータのような
データ源３１４はディスプレイ３０６まで所望の画像を
表わすデータをインターフェースコントローラ３１２に
供給する。ＥＬドライバ３１６は、選択された画素を発
光させるため、一般供給に行ドライバ３０８によりディ
スプレイ３０６に伝送される高電圧信号を供給する。使
用者のベルトから頭までのような人間の身体付近で高電
圧信号を伝送することは、安全上の問題が生ずるおそれ
がある。ディスプレイ３０６、相互接続部３００及び３
０２、並びに回路ボード３０４は単一の大形のハウジン
グ内に封止することができる。一方、このようなディス
プレイを、使用空間が制限された条件下で用いる場合、
相互接続部３００及び３０２、並びに回路ボード３０４
は使用できる空間より大きい空間を必要とする。さら
に、ディスプレイ３０６、相互接続部３００及び３０
２、並びに回路ボード３０４を制限された空間内に配置
することは、扱いにくく高価な容器が必要になってしま
う。例えば、１２８０個の行電極及び１０２４個の列電
極を有するＴＦＥＬディスプレイは相互接続部内で２０
００本以上のライン又は複数の相互接続部が必要であ
り、これらのいずれにおいても大きな空間及びコストが
必要である。さらに、このような多数のラインを用いる
ことは信号伝送の際の信頼性を低下させてしまう。
にはさまれた電界発光蛍光層と共に構成され、これら３
個の全ての層は透明前側電極層と後側電極層との間に配
置されている（これらの全てについては好適実施例にお
いて説明する）。図１を参照するに、ディスプレイ３０
６の後側電極層は複数の個別の後側電極を有し、各電極
は相互接続部３００内の個別のワイヤ又はラインに電気
的に接続されている。同様に、前側電極層も複数の前側
電極を有し、各電極は相互接続部３０２内の個別のワイ
ヤ又はラインに電気的に接続されている。前側電極及び
後側電極から集合的に延在する相互接続部３００及び３
０２のワイヤは複数のエラストマ相互接続部と共に配線
されている。エラストマ相互接続部はプラスチックのケ
ーシング内に封入された並列ワイヤの比較的薄い細条で
ある。これらの相互接続部は、ディスプレイ３０６から
離れた位置の回路ボード３０４に配線され電気的に接続
されている。このような相互接続部は、1/2 インチ以上
の距離に亘って部分的に多数のワイヤ又はラインに信号
を伝送する際の信頼性の問題が生じ易い。回路ボード３
０４は行ドライバ３０８及び列ドライバ３１０を含みデ
ィスプレイ３０６内の選択された画素を付勢する。イン
ターフェースコントローラ３１２は、フレームバッファ
及びタイミングコントローラを含み１組のライン３０９
及び３１１を介して列ドライバ３１０及び行ドライバ３
０８を制御する。一般的な目的のコンピュータのような
データ源３１４はディスプレイ３０６まで所望の画像を
表わすデータをインターフェースコントローラ３１２に
供給する。ＥＬドライバ３１６は、選択された画素を発
光させるため、一般供給に行ドライバ３０８によりディ
スプレイ３０６に伝送される高電圧信号を供給する。使
用者のベルトから頭までのような人間の身体付近で高電
圧信号を伝送することは、安全上の問題が生ずるおそれ
がある。ディスプレイ３０６、相互接続部３００及び３
０２、並びに回路ボード３０４は単一の大形のハウジン
グ内に封止することができる。一方、このようなディス
プレイを、使用空間が制限された条件下で用いる場合、
相互接続部３００及び３０２、並びに回路ボード３０４
は使用できる空間より大きい空間を必要とする。さら
に、ディスプレイ３０６、相互接続部３００及び３０
２、並びに回路ボード３０４を制限された空間内に配置
することは、扱いにくく高価な容器が必要になってしま
う。例えば、１２８０個の行電極及び１０２４個の列電
極を有するＴＦＥＬディスプレイは相互接続部内で２０
００本以上のライン又は複数の相互接続部が必要であ
り、これらのいずれにおいても大きな空間及びコストが
必要である。さらに、このような多数のラインを用いる
ことは信号伝送の際の信頼性を低下させてしまう。
【０００４】アクティブ薄膜電界発光ディスプレイ（Ａ
ＭＥＬ）は１．３″×１．２″のように比較的小型であ
る。ＡＭＥＬディスプレイはヘッド装着型のディスプレ
イのような広い用途に用いることができる。ヘッド装着
型のディスプレイの前側の部分は２個の個別のディスプ
レイを含み、各ディスプレイは着用者の各眼で見るため
にヘッドフォーンに装着される。ＡＭＥＬデバイスは、
典型的には透明電極と、行電極及び列電極の両方を含む
後側回路層と、誘電体層蛍光層及び誘電体層（これらの
全てについては好適実施例において説明する）のサイン
ドイッチ構造体とを含む。ＡＭＥＬディスプレイとＴＦ
ＥＬディスプレイとの間の主な基本的な差異は、ＡＭＥ
Ｌディスプレイの各画素はターンオン又はターンオフに
それ自身が切り換えられ、ＡＭＥＬディスプレイの画素
はほぼ１００％の時間オンされることができ、これに対
してＴＦＥＬディスプレイの画素は一部分の時間に亘っ
てだけオンされることである。ＡＭＥＬディスプレイの
ワイヤが、能動型ＴＦＥＬデバイスと同様な方法で行ド
ライバ、列ドライバ及び他の電極に相互接続されている
場合、後側回路層の各行電極及び列電極のために個別の
ワイヤが必要になる。これらのワイヤは１個以上のエラ
ストマ相互接続部の形態として回路ボードに配線する必
要がある。従って、１２８０個の行電極及び１０２４個
の列電極を有するＡＭＥＬディスプレイは、好ましくは
１個以上のエラストマ相互接続部において回路ボードか
らディスプレイに信号を伝送するために２０００本以上
のワイヤが必要になる。ヘッド装着型ディスプレイの用
途においては、回路ボードは着用者のベルトに装着され
る。着用者の頭からベルトまでの配線を用いる場合、相
互接続部に関する問題が生じてしまう。この主要な問題
は、相互接続部が大型化し、バルキーになり、しかも重
くなってしまうことである。大型化した重いベルト装着
型ディスプレイは望ましくなく、しかも使用者にとって
適合しないものである。多数のワイヤを有する相互接続
部は、ヘッドフォーンの前側部から離れて位置する回路
ボードまで配線を設けることが困難であり、不必要なコ
ストがかかり、信号伝送の信頼性が低下し、不必要な重
量が作用し、しかも損傷を受け易くなってしまう。
ＭＥＬ）は１．３″×１．２″のように比較的小型であ
る。ＡＭＥＬディスプレイはヘッド装着型のディスプレ
イのような広い用途に用いることができる。ヘッド装着
型のディスプレイの前側の部分は２個の個別のディスプ
レイを含み、各ディスプレイは着用者の各眼で見るため
にヘッドフォーンに装着される。ＡＭＥＬデバイスは、
典型的には透明電極と、行電極及び列電極の両方を含む
後側回路層と、誘電体層蛍光層及び誘電体層（これらの
全てについては好適実施例において説明する）のサイン
ドイッチ構造体とを含む。ＡＭＥＬディスプレイとＴＦ
ＥＬディスプレイとの間の主な基本的な差異は、ＡＭＥ
Ｌディスプレイの各画素はターンオン又はターンオフに
それ自身が切り換えられ、ＡＭＥＬディスプレイの画素
はほぼ１００％の時間オンされることができ、これに対
してＴＦＥＬディスプレイの画素は一部分の時間に亘っ
てだけオンされることである。ＡＭＥＬディスプレイの
ワイヤが、能動型ＴＦＥＬデバイスと同様な方法で行ド
ライバ、列ドライバ及び他の電極に相互接続されている
場合、後側回路層の各行電極及び列電極のために個別の
ワイヤが必要になる。これらのワイヤは１個以上のエラ
ストマ相互接続部の形態として回路ボードに配線する必
要がある。従って、１２８０個の行電極及び１０２４個
の列電極を有するＡＭＥＬディスプレイは、好ましくは
１個以上のエラストマ相互接続部において回路ボードか
らディスプレイに信号を伝送するために２０００本以上
のワイヤが必要になる。ヘッド装着型ディスプレイの用
途においては、回路ボードは着用者のベルトに装着され
る。着用者の頭からベルトまでの配線を用いる場合、相
互接続部に関する問題が生じてしまう。この主要な問題
は、相互接続部が大型化し、バルキーになり、しかも重
くなってしまうことである。大型化した重いベルト装着
型ディスプレイは望ましくなく、しかも使用者にとって
適合しないものである。多数のワイヤを有する相互接続
部は、ヘッドフォーンの前側部から離れて位置する回路
ボードまで配線を設けることが困難であり、不必要なコ
ストがかかり、信号伝送の信頼性が低下し、不必要な重
量が作用し、しかも損傷を受け易くなってしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２を参照するに、Ａ
ＭＥＬディスプレイは典型的にシリコンから成る基板３
２０上に形成される。表示区域３２８よりも僅かに大き
い基板３２０を用いることにより、行ドライバ３２２及
び列ドライバ３２４を基板３２０上に形成することがで
きる。行ドライバ３２２及び列ドライバ３２４を基板３
２０上に配置することにより、行及び列ドライバを回路
基板３２０上に配置する必要がなくなる。複数のバスラ
イン３３２は基板３２０の外側部分に形成され、ディス
プレイの一方の位置から別の位置へ信号が伝送される。
図２に示すように、ディスプレイは、インターフェース
コントローラ３２６からデイスプレイまでに必要な多数
のライン又はワイヤをデバイスの画素の数に応じて約１
００本程度まで少なくする。ライン数は数１０００本程
度大幅に減少するが、１００本のワイヤでは依然として
大きな相互接続部が必要である。表示区域３２８付近の
バスライン３３２により高電圧及び高周波数の信号を伝
送しようと、行ドライバ３２２及び列ドライバ３２４の
電子回路に干渉作用が生じてしまう。また、バスライン
３３２は形成するために大きな基板面積を必要とする。
バスライン３３２を行ドライバ３２２及び列ドライバ３
２４からそれぞれ離して配置することはより大きな基板
面積が必要であり、ディスプレイが大型になると共にコ
ストも増大してしまう。バスラインが形成される基板を
小型にするためには、基板を薄くしバスラインとドライ
バとを一層接近させる必要があり、バスラインの導電率
が低下すると共にバスライン間にカップリングが生じて
しまう。さらに、シリコン基板上に堆積される金属材料
の選択にも制約があり、好適な金属は金や銅のようなよ
り望ましい導体よりも導電率がより小さいものになって
しまう。導電率が低いことを補償するため、望ましい導
電率を得るためにはランイ幅を一層広くする必要があ
る。しかしながら、幅の広いラインはより広い基板面積
を必要とする。
ＭＥＬディスプレイは典型的にシリコンから成る基板３
２０上に形成される。表示区域３２８よりも僅かに大き
い基板３２０を用いることにより、行ドライバ３２２及
び列ドライバ３２４を基板３２０上に形成することがで
きる。行ドライバ３２２及び列ドライバ３２４を基板３
２０上に配置することにより、行及び列ドライバを回路
基板３２０上に配置する必要がなくなる。複数のバスラ
イン３３２は基板３２０の外側部分に形成され、ディス
プレイの一方の位置から別の位置へ信号が伝送される。
図２に示すように、ディスプレイは、インターフェース
コントローラ３２６からデイスプレイまでに必要な多数
のライン又はワイヤをデバイスの画素の数に応じて約１
００本程度まで少なくする。ライン数は数１０００本程
度大幅に減少するが、１００本のワイヤでは依然として
大きな相互接続部が必要である。表示区域３２８付近の
バスライン３３２により高電圧及び高周波数の信号を伝
送しようと、行ドライバ３２２及び列ドライバ３２４の
電子回路に干渉作用が生じてしまう。また、バスライン
３３２は形成するために大きな基板面積を必要とする。
バスライン３３２を行ドライバ３２２及び列ドライバ３
２４からそれぞれ離して配置することはより大きな基板
面積が必要であり、ディスプレイが大型になると共にコ
ストも増大してしまう。バスラインが形成される基板を
小型にするためには、基板を薄くしバスラインとドライ
バとを一層接近させる必要があり、バスラインの導電率
が低下すると共にバスライン間にカップリングが生じて
しまう。さらに、シリコン基板上に堆積される金属材料
の選択にも制約があり、好適な金属は金や銅のようなよ
り望ましい導体よりも導電率がより小さいものになって
しまう。導電率が低いことを補償するため、望ましい導
電率を得るためにはランイ幅を一層広くする必要があ
る。しかしながら、幅の広いラインはより広い基板面積
を必要とする。
【０００６】さらに、着用者の身体の付近でＥＬドライ
バからＴＦＥＬディスプレイの行ドライバ及びＡＭＥＬ
ディスプレイの透明電極に高電圧信号を伝送することか
ら安全性に関する問題が生じてしまう。ワイヤの絶縁体
が切断され又は損傷を受けた場合、着用者が高電圧の衝
撃を受けるおそれがある。さらに、高電圧状態のワイヤ
からの電磁干渉作用により付近のデータラインに誤った
データが生ずるおそれもある。
バからＴＦＥＬディスプレイの行ドライバ及びＡＭＥＬ
ディスプレイの透明電極に高電圧信号を伝送することか
ら安全性に関する問題が生じてしまう。ワイヤの絶縁体
が切断され又は損傷を受けた場合、着用者が高電圧の衝
撃を受けるおそれがある。さらに、高電圧状態のワイヤ
からの電磁干渉作用により付近のデータラインに誤った
データが生ずるおそれもある。
【０００７】従って、望ましいことは、相互接続部と関
連する上述した欠点が除去されると共に、駆動回路を含
むディスプレイをより制限された空間内に封止できるデ
ィスプレイを提供することにある。さらに、基板の大き
さを最小にしてデバイスのコストを低減すると共に、バ
スラインについて選択される導電性金属の範囲をより広
くする必要もある。ディスプレイに接続された高電圧ラ
インを除去して安全性を向上させる必要もある。
連する上述した欠点が除去されると共に、駆動回路を含
むディスプレイをより制限された空間内に封止できるデ
ィスプレイを提供することにある。さらに、基板の大き
さを最小にしてデバイスのコストを低減すると共に、バ
スラインについて選択される導電性金属の範囲をより広
くする必要もある。ディスプレイに接続された高電圧ラ
インを除去して安全性を向上させる必要もある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した従来技
術の欠点を解消し、複数の層を含むアクティブマトリッ
クス型の電界発光装置を提供する。後向きに配置された
支持層は複数の層及びインターフェース回路を支持す
る。このインターフェース回路は複数の第１のラインに
より行及び列ドライバに電気的に接続する。これらドラ
イバは複数の層に接続されて電界発光装置内の画素をイ
ネーブルして選択する。インターフェースコントローラ
は支持層から離れて位置し、少なくとも１本の第２のラ
ンイによりインターフェース回路に電気的に接続する。
第１のラインの数は少なくとも１本の第２のラインの数
よりも多くする。別の実施例において、能動型の薄膜電
界発光装置にインターフェースコントローラを相互接続
するために必要なライン数は、インターフェース回路を
含むことにより相当減少させることができる。
術の欠点を解消し、複数の層を含むアクティブマトリッ
クス型の電界発光装置を提供する。後向きに配置された
支持層は複数の層及びインターフェース回路を支持す
る。このインターフェース回路は複数の第１のラインに
より行及び列ドライバに電気的に接続する。これらドラ
イバは複数の層に接続されて電界発光装置内の画素をイ
ネーブルして選択する。インターフェースコントローラ
は支持層から離れて位置し、少なくとも１本の第２のラ
ンイによりインターフェース回路に電気的に接続する。
第１のラインの数は少なくとも１本の第２のラインの数
よりも多くする。別の実施例において、能動型の薄膜電
界発光装置にインターフェースコントローラを相互接続
するために必要なライン数は、インターフェース回路を
含むことにより相当減少させることができる。
【０００９】インターフェース回路を複数の層として同
一の支持層上に形成することにより、インターフェース
コントローラからディスプレイに接続するのに必要なラ
イン数は大幅に減少する。このライン数の減少はデバイ
スの信頼性を高めることになると共に、相互接続ライン
の大きさ及び重量を低減することになる。好ましくは、
インターフェースコントローラは、伝送する前にディジ
タルデータを符号化することによりディジタルデータを
タンターフェース回路に伝送する。インターフェース回
路はディジタルデータを受信し、ディスプレイで用いる
ためディジタルデータを復号化する。符号化回路及び復
号化回路は、好ましくは並列−直列回路及び直列−並列
回路とする。或いは、インターフェースコントローラと
インターフェース回路との間でいかなる適当な信号も伝
送することができる。
一の支持層上に形成することにより、インターフェース
コントローラからディスプレイに接続するのに必要なラ
イン数は大幅に減少する。このライン数の減少はデバイ
スの信頼性を高めることになると共に、相互接続ライン
の大きさ及び重量を低減することになる。好ましくは、
インターフェースコントローラは、伝送する前にディジ
タルデータを符号化することによりディジタルデータを
タンターフェース回路に伝送する。インターフェース回
路はディジタルデータを受信し、ディスプレイで用いる
ためディジタルデータを復号化する。符号化回路及び復
号化回路は、好ましくは並列−直列回路及び直列−並列
回路とする。或いは、インターフェースコントローラと
インターフェース回路との間でいかなる適当な信号も伝
送することができる。
【００１０】本発明の別の概念は、アクティブマトリッ
クス型電界発光ディスプレイを支持する支持層上に直接
バスラインを形成することにある。バスラインを支持層
上に直接形成することにより、高導電率の金属をバスラ
インのために選択することができ、表示区域からの相互
距離を顕著に大きくすることができ、これによりバスラ
イン中で伝送される高電圧及び高周波数の信号による電
磁干渉効果を低減することができる。以下、図面を参照
して本発明を詳細に説明する。
クス型電界発光ディスプレイを支持する支持層上に直接
バスラインを形成することにある。バスラインを支持層
上に直接形成することにより、高導電率の金属をバスラ
インのために選択することができ、表示区域からの相互
距離を顕著に大きくすることができ、これによりバスラ
イン中で伝送される高電圧及び高周波数の信号による電
磁干渉効果を低減することができる。以下、図面を参照
して本発明を詳細に説明する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図３を参照するに、薄膜電界発光
装置（ＴＦＥＬ）は通常ガラスから成る透明基板１０を
含み、この透明基板はＴＦＥＬ素子を具える薄膜積層体
を支持する。この薄膜積層体は一組の透明前側電極１２
及びサンドイッチ構造体を含み、サンドイッチ構造体は
前側誘電体層１４と後側誘電体層１８との間に挟まれた
薄膜電界発光層１６をを含む。変形例として、誘電体層
１４又は１８のいずれかを削除することができる。本願
人に譲渡された米国特許出願第０８／２０８７３２号に
示すように、光吸収層１９は後側誘電体層の背後に配置
することができる。典型的にアルミニウムから成る後側
電極２０は後側誘電体層１８の背後に配置され、透明前
側電極１２と直交するように延在するので、光の画素点
は両方の組の電極が同時に付勢された時形成される。Ｔ
ＦＥＬ素子は周囲部材２２により基板１０に対して密封
され、周囲部材は適当な接着剤２３により基板に取り付
けることができる。光吸収材料を周囲部材２２により規
定される空間内に注入して一層光を吸収することができ
る。この光吸収材料はシリコンオイル２４の形態をとる
ことができ、シリコンオイルは米国特許第５１９４０２
７に開示されている形式の固体充填剤に対するフィラと
して通常用いられている。シリコンオイル２４は黒の染
料を含んで光吸収性とすることができる。この光吸収性
は周囲部材２２の内側空間壁に黒のコーティングを形成
して増強することができる。
装置（ＴＦＥＬ）は通常ガラスから成る透明基板１０を
含み、この透明基板はＴＦＥＬ素子を具える薄膜積層体
を支持する。この薄膜積層体は一組の透明前側電極１２
及びサンドイッチ構造体を含み、サンドイッチ構造体は
前側誘電体層１４と後側誘電体層１８との間に挟まれた
薄膜電界発光層１６をを含む。変形例として、誘電体層
１４又は１８のいずれかを削除することができる。本願
人に譲渡された米国特許出願第０８／２０８７３２号に
示すように、光吸収層１９は後側誘電体層の背後に配置
することができる。典型的にアルミニウムから成る後側
電極２０は後側誘電体層１８の背後に配置され、透明前
側電極１２と直交するように延在するので、光の画素点
は両方の組の電極が同時に付勢された時形成される。Ｔ
ＦＥＬ素子は周囲部材２２により基板１０に対して密封
され、周囲部材は適当な接着剤２３により基板に取り付
けることができる。光吸収材料を周囲部材２２により規
定される空間内に注入して一層光を吸収することができ
る。この光吸収材料はシリコンオイル２４の形態をとる
ことができ、シリコンオイルは米国特許第５１９４０２
７に開示されている形式の固体充填剤に対するフィラと
して通常用いられている。シリコンオイル２４は黒の染
料を含んで光吸収性とすることができる。この光吸収性
は周囲部材２２の内側空間壁に黒のコーティングを形成
して増強することができる。
【００１２】図４は図３と同様な反転構造電界発光装置
４０を示す。この電界発光装置は基板４４を具え、この
基板は透明な場合その下側に黒のコーティング４６を有
することが好ましい。基板４４上に後側電極４８を堆積
する。後側電極４８と後側誘電体層５０との間に薄膜吸
収層４２を設ける。吸収層は適切な方法により多段勾配
薄膜層又は連続勾配薄膜層のいずれかで構成する。薄膜
電界発光層５２は後側誘電体層５０と前側誘電体層５４
との間にサンドイッチする。透明電極層５６は前側誘電
体層５４上に形成され透明基板５８により封止する。こ
の透明基板は透明電極層５６に直接結合するか又はギャ
プをもって分離する。吸収層４２の勾配は、入射光の大
部分を吸収するように設計する。
４０を示す。この電界発光装置は基板４４を具え、この
基板は透明な場合その下側に黒のコーティング４６を有
することが好ましい。基板４４上に後側電極４８を堆積
する。後側電極４８と後側誘電体層５０との間に薄膜吸
収層４２を設ける。吸収層は適切な方法により多段勾配
薄膜層又は連続勾配薄膜層のいずれかで構成する。薄膜
電界発光層５２は後側誘電体層５０と前側誘電体層５４
との間にサンドイッチする。透明電極層５６は前側誘電
体層５４上に形成され透明基板５８により封止する。こ
の透明基板は透明電極層５６に直接結合するか又はギャ
プをもって分離する。吸収層４２の勾配は、入射光の大
部分を吸収するように設計する。
【００１３】図５を参照するに、反転構造を用いてアク
ティブマトリックス電界発光装置（ＡＭＥＬ）を構成す
る。この構造体は透明電極層１００、回路層１０２、及
び前側誘電体層１０６と後側誘電体層１０８との間にサ
ンドイッチされた電界発光蛍光層１０４を含む少なくと
も３個の層を含んでいる。或いは、後側誘電体層又は前
側誘電体層のいずれかを削除することができる。この３
個の層は回路層１０２と透明電極層１００との間に配置
する。回路層は後ろ向きに配置した基板１１０上に堆積
する。後ろ向きに配置した基板１１０は回路層が形成さ
れる高純度のシリコンとすることが好ましい。前側ガラ
スプレート１１２は透明電極層１００上に取り付ける。
個々の回路素子１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１
４ｄは、共通の孔を経て補助接地層に接続されている金
属ラインをにより各画素電極１１６ａ、１１６ｂ、１１
６ｃ、及び１１６ｄに接続する。補助接地層は、好まし
くはアルミニウム又は耐熱性金属のような高導電性金属
の第１アイソレーション層１１８、第２アイソレーショ
ン層１２０、及び接地面層１２２を具える。アイソレー
ション層１１８及び１２０は好ましくはガラスで構成す
る。個々の回路素子１１４ａ〜１１４ｄの接地は後ろ向
きに配置した基板層１１０又は接地面層１２２とする。
回路素子１１４ａ〜１１４ｄは本願人に譲渡された米国
特許出願第０８／２９３１４４号に記載されているよう
な回路素子とし、この米国特許出願第０８／２９３１４
４号の開示内容は本願の内容として援用する。
ティブマトリックス電界発光装置（ＡＭＥＬ）を構成す
る。この構造体は透明電極層１００、回路層１０２、及
び前側誘電体層１０６と後側誘電体層１０８との間にサ
ンドイッチされた電界発光蛍光層１０４を含む少なくと
も３個の層を含んでいる。或いは、後側誘電体層又は前
側誘電体層のいずれかを削除することができる。この３
個の層は回路層１０２と透明電極層１００との間に配置
する。回路層は後ろ向きに配置した基板１１０上に堆積
する。後ろ向きに配置した基板１１０は回路層が形成さ
れる高純度のシリコンとすることが好ましい。前側ガラ
スプレート１１２は透明電極層１００上に取り付ける。
個々の回路素子１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１
４ｄは、共通の孔を経て補助接地層に接続されている金
属ラインをにより各画素電極１１６ａ、１１６ｂ、１１
６ｃ、及び１１６ｄに接続する。補助接地層は、好まし
くはアルミニウム又は耐熱性金属のような高導電性金属
の第１アイソレーション層１１８、第２アイソレーショ
ン層１２０、及び接地面層１２２を具える。アイソレー
ション層１１８及び１２０は好ましくはガラスで構成す
る。個々の回路素子１１４ａ〜１１４ｄの接地は後ろ向
きに配置した基板層１１０又は接地面層１２２とする。
回路素子１１４ａ〜１１４ｄは本願人に譲渡された米国
特許出願第０８／２９３１４４号に記載されているよう
な回路素子とし、この米国特許出願第０８／２９３１４
４号の開示内容は本願の内容として援用する。
【００１４】ディスプレイと回路基板との間で信号を伝
送するのに必要なワィヤ又はラインの本数の大幅な低減
は、インターフェースコントローラの一部分を再配置す
ることにより及び／又はディスプレイの近傍の位置に付
加回路を付加することにより達成される。図６を参照す
るに、ＡＭＥＬディスプレイ又はＴＦＥＬディスプレイ
のようなディスプレイ２００は、後ろ向きに配置した支
持層２１０の上部２０６に取り付ける。この支持層はデ
ィスプレイ２００を取り付け及び支持するのに適当な２
０ミルの厚さとする。ディスプレイ２００は、支持層２
１０とディスプレイ２００との間を固定する適当な接着
剤により支持層２１０上の位置に取り付け支持する。
送するのに必要なワィヤ又はラインの本数の大幅な低減
は、インターフェースコントローラの一部分を再配置す
ることにより及び／又はディスプレイの近傍の位置に付
加回路を付加することにより達成される。図６を参照す
るに、ＡＭＥＬディスプレイ又はＴＦＥＬディスプレイ
のようなディスプレイ２００は、後ろ向きに配置した支
持層２１０の上部２０６に取り付ける。この支持層はデ
ィスプレイ２００を取り付け及び支持するのに適当な２
０ミルの厚さとする。ディスプレイ２００は、支持層２
１０とディスプレイ２００との間を固定する適当な接着
剤により支持層２１０上の位置に取り付け支持する。
【００１５】支持層２１０として通常ガラスを選択して
ディスプレイのコストを低減する。電子部品の一部をイ
ンターフェースコントローラ２１８（通常、回路基板２
１９上に位置する）から位置し直し又はディスプレイ２
２０の近傍の位置に付加的な回路を付加することにより
相互接続部内に含まれるワィヤの本数を低減することが
できる。好ましくは、電子部品は支持層２１０の底側２
１２に取り付ける。ガラスは電子部品を支持しこれらを
配線することができるが、電子部品と共に動作すること
は困難である。電子部品を支持し金属配線を堆積するの
に好適な支持層２１０として別のより高価な材料を選択
することもできる。好適な支持層２１０は多層セラミッ
クであるが、窒化アルミニウム（ＡＬＮ）及びダイヤモ
ンドのようなカーボン材料のような高熱伝導性の材料も
適当である。好適実施例において、インターフェースコ
ントローラ２１８は慣用されている回路（詳細は後述す
る）を含み、さらに並列−直列符号化回路を含み信号を
インターフェース回路２２０に供給し、このインターフ
ェース回路はインターフェースライン２２１からの信号
を受信する直列−並列復調回路を含む。この並列−直列
接続及び直列−並列接続により必要なワイヤ本数が減少
するが、一般に付加的な回路が犠牲にされる。別の符号
化回路及び復号化回路を用いてデータを制限された信号
線で伝送するのに適当なフォーマットに配置することが
できる。このインターフェース回路２２０は制御ロジッ
クのようなデバイス及びディスプレイ２００用のメモリ
を含むことができる。インターフェース回路２２０及び
インターフェースコントローラ２１８は信号伝送のため
の別の技術を用いて設計してインターフェース回路２２
０とインターフェースコントローラ２１８との間で必要
なライン数を低減することができる。
ディスプレイのコストを低減する。電子部品の一部をイ
ンターフェースコントローラ２１８（通常、回路基板２
１９上に位置する）から位置し直し又はディスプレイ２
２０の近傍の位置に付加的な回路を付加することにより
相互接続部内に含まれるワィヤの本数を低減することが
できる。好ましくは、電子部品は支持層２１０の底側２
１２に取り付ける。ガラスは電子部品を支持しこれらを
配線することができるが、電子部品と共に動作すること
は困難である。電子部品を支持し金属配線を堆積するの
に好適な支持層２１０として別のより高価な材料を選択
することもできる。好適な支持層２１０は多層セラミッ
クであるが、窒化アルミニウム（ＡＬＮ）及びダイヤモ
ンドのようなカーボン材料のような高熱伝導性の材料も
適当である。好適実施例において、インターフェースコ
ントローラ２１８は慣用されている回路（詳細は後述す
る）を含み、さらに並列−直列符号化回路を含み信号を
インターフェース回路２２０に供給し、このインターフ
ェース回路はインターフェースライン２２１からの信号
を受信する直列−並列復調回路を含む。この並列−直列
接続及び直列−並列接続により必要なワイヤ本数が減少
するが、一般に付加的な回路が犠牲にされる。別の符号
化回路及び復号化回路を用いてデータを制限された信号
線で伝送するのに適当なフォーマットに配置することが
できる。このインターフェース回路２２０は制御ロジッ
クのようなデバイス及びディスプレイ２００用のメモリ
を含むことができる。インターフェース回路２２０及び
インターフェースコントローラ２１８は信号伝送のため
の別の技術を用いて設計してインターフェース回路２２
０とインターフェースコントローラ２１８との間で必要
なライン数を低減することができる。
【００１６】基板の端部上に延在する短い金属配線であ
るラップ部材はインターフェース回路２２０と支持層２
１０の前面２０６上の一組のパッドの各パッドとの間を
電気的に接続する。又は、金属被着され又は充填されて
いる基板の孔であるバイアス２１４を用いて前面２０６
上の各導電性パッドをインターフェース回路２２０に電
気的に接続することができる。
るラップ部材はインターフェース回路２２０と支持層２
１０の前面２０６上の一組のパッドの各パッドとの間を
電気的に接続する。又は、金属被着され又は充填されて
いる基板の孔であるバイアス２１４を用いて前面２０６
上の各導電性パッドをインターフェース回路２２０に電
気的に接続することができる。
【００１７】支持層に直接取り付けられているインター
フェース回路２２０を用いることにより、インターフェ
ースコントローラ２１８に接続されるべきワイヤ本数が
減少し、デバイス全体としての信頼性が増大する。相互
接続部が大きくなることに関連するデバイス全体の重量
及び接続の問題は、ワイヤ本数が大幅に減少することす
なわち相互接続部の大きさを減少することにより解消す
る。さらに、デバイスのより高い信頼性は、インターフ
ェース回路２２０へのバイアス、ワイヤラップ、又は他
の適当な相互接続を用いて接続部をより短くすることに
より達成される。或いは、図７に関して明瞭に示すよう
に、インターフェース回路を有するＥＬ駆動回路を配置
することにより相互接続部の高電圧ラインを除去するこ
とにより改善される。
フェース回路２２０を用いることにより、インターフェ
ースコントローラ２１８に接続されるべきワイヤ本数が
減少し、デバイス全体としての信頼性が増大する。相互
接続部が大きくなることに関連するデバイス全体の重量
及び接続の問題は、ワイヤ本数が大幅に減少することす
なわち相互接続部の大きさを減少することにより解消す
る。さらに、デバイスのより高い信頼性は、インターフ
ェース回路２２０へのバイアス、ワイヤラップ、又は他
の適当な相互接続を用いて接続部をより短くすることに
より達成される。或いは、図７に関して明瞭に示すよう
に、インターフェース回路を有するＥＬ駆動回路を配置
することにより相互接続部の高電圧ラインを除去するこ
とにより改善される。
【００１８】図７を参照するに、ＡＭＥＬの別の回路を
示す。列駆動回路及び行駆動回路を含むディスプレイ２
３０を、後向きに配置した基板層後側に形成する。基板
層は好ましくはシリコンとする。後向きに配置した基板
層は結合されたディスプレイ２３０、行駆動回路及び列
駆動回路よりも大きい支持層２３６に取り付ける。
示す。列駆動回路及び行駆動回路を含むディスプレイ２
３０を、後向きに配置した基板層後側に形成する。基板
層は好ましくはシリコンとする。後向きに配置した基板
層は結合されたディスプレイ２３０、行駆動回路及び列
駆動回路よりも大きい支持層２３６に取り付ける。
【００１９】前述したように、金属配線を堆積するのに
適当な支持層２３６を選択することにより、シリコン基
板に比べてより安価な支持層２３６上にバスライン２３
８を形成することができる。或は、バスライン２３８は
ディスプレイ区域から離れてより安価に配置することも
できる。この理由は、支持層２３６が比較的安価でない
ためである。これにより、ディスプレイのバスライン２
３８の高電圧及び高周波数信号の電磁的干渉効果を低減
することができる。このバスライン２３８を支持層２３
６上に配置することにより、銅や金のようなより導電性
の高い金属を広い範囲で経済的に用いることができ、こ
れらバスラインはより広い幅でより厚い厚さに安価に形
成でき、この結果従来のＡＭＥＬディスプレイよりも一
層導電性を高くすることができる。さらに、安価な支持
層２３６上に離間して形成することによりバスライン間
のカップリングが減少する。インターフェース回路２４
は支持層２３６の前面に再配置する。ＥＬ駆動回路２４
２も支持層２３６の前面又は背面に再配置して回路基板
２４８とディスプレイとの間のいかなる相互接続ライン
の高電圧信号に対する必要性を除去して安全性を改善す
ることが好ましい。インターフェース回路２４０及びＥ
Ｌ駆動回路２４２は、データ源２４６に電気的に接続し
たインターフェースコントローラ２４４に電気的に接続
する。ＴＦＥＬデバイスもＡＭＥＬデバイス用の図７に
示すＴＦＥＬデバイスと同様な方法で構成することがで
きる。
適当な支持層２３６を選択することにより、シリコン基
板に比べてより安価な支持層２３６上にバスライン２３
８を形成することができる。或は、バスライン２３８は
ディスプレイ区域から離れてより安価に配置することも
できる。この理由は、支持層２３６が比較的安価でない
ためである。これにより、ディスプレイのバスライン２
３８の高電圧及び高周波数信号の電磁的干渉効果を低減
することができる。このバスライン２３８を支持層２３
６上に配置することにより、銅や金のようなより導電性
の高い金属を広い範囲で経済的に用いることができ、こ
れらバスラインはより広い幅でより厚い厚さに安価に形
成でき、この結果従来のＡＭＥＬディスプレイよりも一
層導電性を高くすることができる。さらに、安価な支持
層２３６上に離間して形成することによりバスライン間
のカップリングが減少する。インターフェース回路２４
は支持層２３６の前面に再配置する。ＥＬ駆動回路２４
２も支持層２３６の前面又は背面に再配置して回路基板
２４８とディスプレイとの間のいかなる相互接続ライン
の高電圧信号に対する必要性を除去して安全性を改善す
ることが好ましい。インターフェース回路２４０及びＥ
Ｌ駆動回路２４２は、データ源２４６に電気的に接続し
たインターフェースコントローラ２４４に電気的に接続
する。ＴＦＥＬデバイスもＡＭＥＬデバイス用の図７に
示すＴＦＥＬデバイスと同様な方法で構成することがで
きる。
【００２０】図８を参照するに、６４０×４８０ライン
のディスプレイに好適な回路構成のブロック線図を示
す。回路ボード上のフィーチャ(feature) コネクタ４０
０は、ＶＧＡカードに共通に設定されている標準ＶＧＡ
チィップからのディジタルデータのような符号化されて
いないディジタルデータを回路ボードからインターフェ
ース回路に伝送する。フィーチャコネクタ４００から伝
送されたデータは、並列に設定されたディジタル画像デ
ータ（８ビット）と、クロック信号と、１２ライン全体
についての３個の同期信号とを含む。データ変換器４０
２は並列画像データを受信し、各個別のビットを再フォ
ーマットし１バイトのワイドワード（最後の２桁のビッ
トは用いない）として送出する。例えば、データ変換器
４０２により受信された８組の並列データ１００１０
１，１００１０１，１００１０１，１００１０１，１０
０１０１，１００１０１，１００１０１，１００１０
１、１１１１１１１１，００００００００，０００００
０００，１１１１１１１１，００００００００及び１１
１１１１１１に変換され送出される。フレームバッファ
４２０は２個のスタティックＲＡＭメモリ４０８及び４
１０と、マルチプレクサ４１２，４１４及び４２２と、
ランダム書込アドレスブロック４１６と、隣接する読出
アドレスブロック４１８と、データ変換器４０２の出力
部に接続した１組のトリステートバッファ４０４及び４
０６と、フレームバッファ４２０の出力部に接続したト
リステートバッファ４０５とを含む。このフレームバッ
ファ４２０によりデータをメモリチィップに書込むこと
ができ、別のメモリチィップからデータを読出すことが
できる。フレームバッファコントローラ４２４はフレー
ムバッファ４２０の動作を主として制御する。ＡＭＥＬ
タイミングコントローラ４２６はＡＭＥＬ制御信号及び
フレームバッファコントローラ４２４を制御する信号を
発生する。誤りパルス検出器４２８は、フューチャコネ
クタ４００からの入力クロックが伝送されたか否かをチ
ェックする安全装置である。入力クロックが伝送されな
い場合、ＡＭＥＬタイミングコントローラ内のサイン波
発生器信号を不動化する。ＡＭＥＬタイミングコントロ
ーラ４２６内のサイン波発生器からの信号はアナログス
イッチ４３０に供給され、パワー増幅器４３２により増
幅され、次に低電圧から高電圧への共振変成器４３４に
より高電圧レベルにステップアップされる。変成器４３
４はＥＬ照明駆動信号を発生する。インターフェース回
路もブロック４３６からの３個の調整可能な電圧、＋５
ＶＤＣ、＋６ＶＤＣ、及び−３ＶＤＣを発生する。図８
に示すように、インターフェース回路の入力は１０個の
ライン（６ビットのデータ、Ｖsync、Ｈsync、Ｂlank）
を必要とする。インターフェース回路からディスプレイ
への出力は３１本のライン（８個のデータビット、６個
のＡＭＥＬ制御、ＥＬ照明、ＥＬ照明リターン（図示せ
ず）、＋５Ｖ、＋７Ｖ、−３Ｖ、８個のデータグランド
リターン（図示せず）、ＰＣＬＫリターン（図示せ
ず）、ＭＩＣ＋（図示せず）、ＭＩＣ（図示せず）、Ｖ
ＢＩＡＳ（図示せず））を有する。従って、インターフ
ェース回路がディスプレイ３１のラインから離れている
場合、ディスプレイに接続されているワイヤバンドル相
互接続が必要になる。一方、インターフェースをディス
プレイと共に配置することにより、高々１２本のライン
だけが必要となり、ワイヤバンドル相互接続の大きさが
大幅に減少する。
のディスプレイに好適な回路構成のブロック線図を示
す。回路ボード上のフィーチャ(feature) コネクタ４０
０は、ＶＧＡカードに共通に設定されている標準ＶＧＡ
チィップからのディジタルデータのような符号化されて
いないディジタルデータを回路ボードからインターフェ
ース回路に伝送する。フィーチャコネクタ４００から伝
送されたデータは、並列に設定されたディジタル画像デ
ータ（８ビット）と、クロック信号と、１２ライン全体
についての３個の同期信号とを含む。データ変換器４０
２は並列画像データを受信し、各個別のビットを再フォ
ーマットし１バイトのワイドワード（最後の２桁のビッ
トは用いない）として送出する。例えば、データ変換器
４０２により受信された８組の並列データ１００１０
１，１００１０１，１００１０１，１００１０１，１０
０１０１，１００１０１，１００１０１，１００１０
１、１１１１１１１１，００００００００，０００００
０００，１１１１１１１１，００００００００及び１１
１１１１１１に変換され送出される。フレームバッファ
４２０は２個のスタティックＲＡＭメモリ４０８及び４
１０と、マルチプレクサ４１２，４１４及び４２２と、
ランダム書込アドレスブロック４１６と、隣接する読出
アドレスブロック４１８と、データ変換器４０２の出力
部に接続した１組のトリステートバッファ４０４及び４
０６と、フレームバッファ４２０の出力部に接続したト
リステートバッファ４０５とを含む。このフレームバッ
ファ４２０によりデータをメモリチィップに書込むこと
ができ、別のメモリチィップからデータを読出すことが
できる。フレームバッファコントローラ４２４はフレー
ムバッファ４２０の動作を主として制御する。ＡＭＥＬ
タイミングコントローラ４２６はＡＭＥＬ制御信号及び
フレームバッファコントローラ４２４を制御する信号を
発生する。誤りパルス検出器４２８は、フューチャコネ
クタ４００からの入力クロックが伝送されたか否かをチ
ェックする安全装置である。入力クロックが伝送されな
い場合、ＡＭＥＬタイミングコントローラ内のサイン波
発生器信号を不動化する。ＡＭＥＬタイミングコントロ
ーラ４２６内のサイン波発生器からの信号はアナログス
イッチ４３０に供給され、パワー増幅器４３２により増
幅され、次に低電圧から高電圧への共振変成器４３４に
より高電圧レベルにステップアップされる。変成器４３
４はＥＬ照明駆動信号を発生する。インターフェース回
路もブロック４３６からの３個の調整可能な電圧、＋５
ＶＤＣ、＋６ＶＤＣ、及び−３ＶＤＣを発生する。図８
に示すように、インターフェース回路の入力は１０個の
ライン（６ビットのデータ、Ｖsync、Ｈsync、Ｂlank）
を必要とする。インターフェース回路からディスプレイ
への出力は３１本のライン（８個のデータビット、６個
のＡＭＥＬ制御、ＥＬ照明、ＥＬ照明リターン（図示せ
ず）、＋５Ｖ、＋７Ｖ、−３Ｖ、８個のデータグランド
リターン（図示せず）、ＰＣＬＫリターン（図示せ
ず）、ＭＩＣ＋（図示せず）、ＭＩＣ（図示せず）、Ｖ
ＢＩＡＳ（図示せず））を有する。従って、インターフ
ェース回路がディスプレイ３１のラインから離れている
場合、ディスプレイに接続されているワイヤバンドル相
互接続が必要になる。一方、インターフェースをディス
プレイと共に配置することにより、高々１２本のライン
だけが必要となり、ワイヤバンドル相互接続の大きさが
大幅に減少する。
【００２１】２５６０×２０４８ディスプレイのような
ディスプレイを多数のライン及び列と共に用いる場合、
ライン数の減少は一層大きい。このようなディスプレイ
は、画像源からインターフェース回路へ約１２本の入力
ラインを有している。このディスプレイは動作するため
約１９２本の信号ラインが必要なため、実際に用いる設
計に応じて約１８０本のラインの減少が達成される。１
９２本の書込バンドルは約０．７５０インチの直径のバ
ンドルが必要であり、このバンドルは重く、大きく、か
さばり、固く、しかも高価である。さらに、回路ボート
上に別の並列−直列回路が含まれインターフェース回路
に関連する直列−並列回路が含まれる場合、画像源から
インターフェース回路までに必要なデータライン数は、
数本に減少し、これによりライン数が大幅に低減され
る。
ディスプレイを多数のライン及び列と共に用いる場合、
ライン数の減少は一層大きい。このようなディスプレイ
は、画像源からインターフェース回路へ約１２本の入力
ラインを有している。このディスプレイは動作するため
約１９２本の信号ラインが必要なため、実際に用いる設
計に応じて約１８０本のラインの減少が達成される。１
９２本の書込バンドルは約０．７５０インチの直径のバ
ンドルが必要であり、このバンドルは重く、大きく、か
さばり、固く、しかも高価である。さらに、回路ボート
上に別の並列−直列回路が含まれインターフェース回路
に関連する直列−並列回路が含まれる場合、画像源から
インターフェース回路までに必要なデータライン数は、
数本に減少し、これによりライン数が大幅に低減され
る。
【００２２】明細書で用いた用語及び説明は、説明のた
めに用いたものでありこれに限定されるものではなく、
本発明の範囲は特許請求の範囲の記載に基いて定められ
る。
めに用いたものでありこれに限定されるものではなく、
本発明の範囲は特許請求の範囲の記載に基いて定められ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】能動型薄膜電界発光装置の回路構成を示すブロ
ック線図である。
ック線図である。
【図２】アクティブ表示区域に隣接する行及び列ドライ
バを有するアクティブ型薄膜電界発光装置の回路構成を
示すブロック線図である。
バを有するアクティブ型薄膜電界発光装置の回路構成を
示すブロック線図である。
【図３】本発明により構成されたＴＦＥＬデバイスの一
部をカットして示す線図的断面図である。
部をカットして示す線図的断面図である。
【図４】本発明により構成されたＴＦＥＬデバイスの変
形例の一部をカットして示す線図的断面図である。
形例の一部をカットして示す線図的断面図である。
【図５】本発明により構成された反転型のＡＭＥＬデバ
イスを示す線図的断面図である。
イスを示す線図的断面図である。
【図６】後向きに配置した基板層、インターフェース層
並びにバイアス及び／又はワイヤラップを有する薄膜電
界発光装置の一部をカットして示す線図である。
並びにバイアス及び／又はワイヤラップを有する薄膜電
界発光装置の一部をカットして示す線図である。
【図７】本発明により構成したアクティブ型の薄膜電界
発光装置の回路構成を示すブロック線図である。
発光装置の回路構成を示すブロック線図である。
【図８】インターフェース回路及び回路ボードの回路構
成を示すブロック線図である。
成を示すブロック線図である。
１０ 透明基板 １２ 透明前側電極 １４ 前側誘電体層 １６ 電界発光層 １８ 後側誘電体層 ２２ 包囲部材 ２４ シリコンオイル ２００ デイスプレイ ２１０ 支持層 ２１８ インターフェースコントローラ ２２０ インターフェース回路 ２２１ 相互接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イランプール コルマエ アメリカ合衆国 オレゴン州 97006 ビ ーバートン エスダブリュー リザ スト リート 17425 (72)発明者 ブラッド アイチソン アメリカ合衆国 オレゴン州 97219 ポ ートランド エスダブリュー カルデュウ ストリート 3710 (72)発明者 モンテ ローズ アメリカ合衆国 オレゴン州 97123 ヒ ルズボロー エスイー サーティフィフス アヴェニュー 1245
Claims (30)
- 【請求項１】 少なくとも１個の透明電極層と、回路層
と、電界発光及び誘電体層を含む少なくとも２個の層と
を含む複数の層を含み、前記少なくとも２個の層が回路
層と透明電極層との間に配置され、電界の印加に応じて
光を放出する薄膜電界発光装置であって、（ａ）前記複
数の層が後向きに配置した支持層により支持され、
（ｂ）前記支持層によりインターフェース回路が支持さ
れ、（ｃ）前記インターフェース回路が複数の第１のラ
インにより駆動回路に電気的に接続され、（ｄ）前記支
持層から離れて位置すると共に少なくとも１本のライン
により前記インターフェース回路に接続され、発光すべ
き画素を指示するインターフェースコントローラを具
え、（ｅ）前記複数の第１のラインの数を、前記少なく
とも１本の第２のラインの数よりも多くした薄膜電界発
光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記複数の第１のラインの数を、前記少なくとも
１本の第２のラインの数よりも大幅に多くした薄膜電界
発光装置。 - 【請求項３】請求項１に記載の薄膜電界発光装置におい
て、さらに、（ａ）前記インターフェースコントローラ
に近接して配置されると共に前記複数の第１のラインに
よりインターフェースコントローラに接続されてディジ
タル信号を受信する符号化回路を具え、（ｂ）この符号
化回路が、前記インターフェースコントローラからのデ
ィジタル信号の受信に応じて、このディジタル信号を符
号化して前記少なくとも１本の第２のラインを介して前
記インターフェース回路に伝送し、（ｃ）前記第１のラ
インの数を前記少なくとも１本の第２のラインの数より
も一層多くした薄膜電界発光装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、さらに、（ａ）前記インターフェースコントロー
ラに近接して配置されると共に複数の第２のラインによ
り前記インターフェース回路に接続されている復号化回
路を具え、（ｂ）前記少なくとも１本の第２のラインが
前記復号化回路を前記インターフェース回路に相互接続
し、（ｃ）この符号化回路が、前記少なくとも１本の第
２のラインを経て伝送される信号の受信に応じてこれら
伝送された信号を復号化し、復号化された信号を前記複
数の第２のラインを経て前記インターフェース回路に伝
送する薄膜電界発光装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記複数の層を前記支持層の第１の側により支持
し、前記インターフェース回路を支持層の第２の側によ
り支持し、書き込みラップにより前記インターフェース
回路を前記複数の層に電気的に接続する薄膜電界発光装
置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記複数の層を前記支持層の第１の側により支持
し、前記インターフェース回路を支持層の第２の側によ
り支持し、前記支持層の複数のバイアスが前記インター
フェース回路を前記複数の層に電気的に接続する薄膜電
界発光装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記インターフェース回路が電界発光駆動回路を
含み、この電界発光駆動回路が、低電圧信号の受信に応
じて高電圧を発生し、この高電圧信号が前記透明電極層
を付勢する薄膜電界発光装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記駆動回路が、前記複数の層内の選択された画
素を付勢する行駆動回路及び列駆動回路を含む薄膜電界
発光装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置にお
いて、前記複数の層及びインターフェース回路の両方を
前記支持層の同一の側で支持する薄膜電界発光装置。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置に
おいて、前記支持層が高い熱伝導性を有する薄膜電界発
光装置。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の薄膜電界発光装置に
おいて、前記支持層を誘電性とした薄膜電界発光装置。 - 【請求項１２】 少なくとも前側電極層と、後側電極層
と、電界発光及び誘電体層を含む少なくとも２個の層と
を含む複数の層を含み、前記少なくとも２個の層が後側
電極層と前側電極層との間に配置され、電界の印加に応
じて光を放出する薄膜電界発光装置であって、（ａ）前
記複数の層が後向きに配置した支持層により支持され、
（ｂ）前記支持層によりインターフェース回路が支持さ
れ、（ｃ）複数の第１のラインが前記インターフェース
回路を前記複数の層に電気的相互接続して前記前側電極
及び選択された後側電極を付勢するようにイネーブル
し、（ｄ）前記支持層から離れて位置すると共に少なく
とも１本のラインにより前記インターフェース回路に接
続され、発光すべき画素を指示するインターフェースコ
ントローラを具え、（ｅ）前記複数の第１のラインの数
を、前記少なくとも１本の第２のラインの数よりも多く
した薄膜電界発光装置。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記複数の第１のラインの数を、前記少なく
とも１本の第２のラインの数よりも大幅に多くした薄膜
電界発光装置。 - 【請求項１４】請求項１３に記載の薄膜電界発光装置に
おいて、さらに、（ａ）前記インターフェースコントロ
ーラに近接して配置されると共に前記複数の第１のライ
ンによりインターフェースコントローラに接続されてデ
ィジタル信号を受信する符号化回路を具え、（ｂ）この
符号化回路が、前記インターフェースコントローラから
のディジタル信号の受信に応じて、このディジタル信号
を符号化して前記少なくとも１本の第２のラインを介し
て前記インターフェース回路に伝送し、（ｃ）前記第１
のラインの数を前記少なくとも１本の第２のラインの数
よりも一層多くした薄膜電界発光装置。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の薄膜電界発光装置
において、さらに、（ａ）前記インターフェースコント
ローラに近接して配置されると共に複数の第２のライン
により前記インターフェース回路に接続されている復号
化回路を具え、（ｂ）前記少なくとも１本の第２のライ
ンが前記復号化回路を前記インターフェース回路に相互
接続し、（ｃ）この符号化回路が、前記少なくとも１本
の第２のラインを経て伝送される信号の受信に応じてこ
れら伝送された信号を復号化し、復号化された信号を前
記複数の第２のラインを経て前記インターフェース回路
に伝送する薄膜電界発光装置。 - 【請求項１６】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記複数の層を前記支持層の第１の側により
支持し、前記インターフェース回路を支持層の第２の側
により支持し、書き込みラップにより前記インターフェ
ース回路を前記複数の層に電気的に接続した薄膜電界発
光装置。 - 【請求項１７】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記複数の層を前記支持層の第１の側により
支持し、前記インターフェース回路を支持層の第２の側
により支持し、前記支持層の複数のバイアスが前記イン
ターフェース回路を前記複数の層に電気的に接続する薄
膜電界発光装置。 - 【請求項１８】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記インターフェース回路が電界発光駆動回
路を含み、この電界発光駆動回路が、低電圧信号の受信
に応じて高電圧を発生し、この高電圧信号が前記透明電
極層を付勢する薄膜電界発光装置。 - 【請求項１９】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記駆動回路が、前記複数の層内の各行電極
及び列電極を付勢する行駆動回路及び列駆動回路を含む
薄膜電界発光装置。 - 【請求項２０】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記複数の層及びインターフェース回路の両
方を前記支持層の同一の側で支持する薄膜電界発光装
置。 - 【請求項２１】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記支持層を誘電性とした薄膜電界発光装
置。 - 【請求項２２】 請求項１２に記載の薄膜電界発光装置
において、前記支持層が高い熱伝導性を有する薄膜電界
発光装置。 - 【請求項２３】 少なくとも透明電極層と、回路層と、
電界発光及び誘電体層を含む少なくとも２個の層とを含
む複数の層を含み、前記少なくとも２個の層が回路層と
透明電極層との間に配置され、電界の印加に応じて光を
放出する薄膜電界発光装置であって、（ａ）前記複数の
層が後向きに配置した支持層により支持され、（ｂ）少
なくとも１本のバスラインが、前記支持層の第１の位置
から第２の位置に電気信号を伝送し、（ｃ）前記少なく
とも１本のバスラインが前記支持層上に形成され、
（ｄ）前記バスラインの第１の端部が前記複数の層に接
続され、バスラインの第２の端部が電気回路に接続され
ている薄膜電界発光装置。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の薄膜電界発光装置
において、前記回路を前記支持層に支持されているイン
ターフェース回路とした薄膜電界発光装置。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の薄膜電界発光装置
において、前記インターフェース回路が電界発光駆動回
路を含み、この電界発光駆動回路が、低電圧信号の受信
に応じて高電圧を発生し、この高電圧信号が前記透明電
極層を付勢する薄膜電界発光装置。 - 【請求項２６】 請求項２４に記載の薄膜電界発光装置
において、前記インターフェース回路が複数の第１のラ
インにより前記複数の層に電気的に接続され、インター
フェースコントローラが前記支持層から離れて配置され
るとともに少なくとも１本の第２のラインによりインタ
ーフェース回路に接続され、第１のラインの数が少なく
とも１本の第２のラインの数よりも多い薄膜電界発光装
置。 - 【請求項２７】 請求項２６に記載の薄膜電界発光装置
において、前記複数の第１のラインの数を前記少なくと
も１本の第２のラインの数よりも大幅に多い薄膜電界発
光装置。 - 【請求項２８】 請求項２６に記載の薄膜電界発光装置
において、さらに、（ａ）前記インターフェースコント
ローラに近接して配置されると共に前記複数の第１のラ
インによりインターフェースコントローラに接続されて
ディジタル信号を受信する符号化回路を具え、（ｂ）こ
の符号化回路が、前記インターフェースコントローラか
らのディジタル信号の受信に応じて、このディジタル信
号を符号化して前記少なくとも１本の第２のラインを介
して前記インターフェース回路に伝送し、（ｃ）前記第
１のラインの数を前記少なくとも１本の第２のラインの
数よりも多くした薄膜電界発光装置。 - 【請求項２９】 請求項２８に記載の薄膜電界発光装置
において、さらに、（ａ）前記インターフェースコント
ローラに近接して配置されると共に複数の第２のライン
により前記インターフェース回路に接続されている復号
化回路を具え、（ｂ）前記少なくとも１本の第２のライ
ンが前記復号化回路を前記インターフェース回路に相互
接続し、（ｃ）この符号化回路が、前記少なくとも１本
の第２のラインを経て伝送される信号の受信に応じてこ
れら伝送された信号を復号化し、復号化された信号を前
記複数の第２のラインを経て前記インターフェース回路
に伝送する薄膜電界発光装置。 - 【請求項３０】 請求項２３に記載の薄膜電界発光装置
において、前記基板層が高い熱伝導性を有する薄膜電界
発光装置。
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