JPH09147750A - プラズマディスプレイパネル用電極およびプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用電極およびプラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH09147750A JPH09147750A JP30011695A JP30011695A JPH09147750A JP H09147750 A JPH09147750 A JP H09147750A JP 30011695 A JP30011695 A JP 30011695A JP 30011695 A JP30011695 A JP 30011695A JP H09147750 A JPH09147750 A JP H09147750A
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Abstract
マディスプレイパネルを提供する。 【解決手段】ガラス基板上に、90〜99重量%の導電
性金属と1〜10重量%のガラスを必須成分として形成
したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電
極によって、達成される。
Description
極を有するプラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)
に関するものである。
は、液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり且つ大
型化が容易であることから、OA機器および情報表示装
置などの分野に浸透している。また、高品位テレビジョ
ンの分野などでの進展が非常に期待されている。
Pは微細で多数の表示セルを有するカラーPDPが注目
されている。PDPは、前面ガラス基板と背面ガラス基
板との間に備えられた放電空間内で対抗する電極間にプ
ラズマ放電を生じさせ、上記放電空間内に封入されてい
るガスから発光させることにより表示を行うものであ
る。
の線状電極を平行に配置されており、互いの電極が僅小
な間隙を介して対抗し且つ互いの線状電極が交差する方
向を向くように重ね合わせて構成される。
ガラス基板上に銀ペーストなどを印刷した後焼成して形
成される。
クパターン精度、スクイーズ硬さ、印刷速度、分散性な
どの最適化を図っても電極パターンの幅を100μm以
下に細くすることが困難で、ファインパターン化には限
界があった。
刷マスクの精度は、マスク製版の精度に依存するので印
刷マスクが大きくなるとマスクパターンの寸法誤差が大
きくなってしまう。このため20インチ以上の大面積の
PDPの場合に、高精細のPDP作製がますます技術的
に困難となっている。
法として、特開平1−206538号公報、特開平1−
296534号公報および特開昭63−205255号
公報に記載されているように絶縁ペーストを焼成後、導
電ペーストを印刷し、焼成して電極形状の改良を図った
もの、アノードの電極形成にフォトリソグラフィ技術を
用いたものおよびフォトレジストを用いてフォトリソグ
ラフィ技術による導電ペーストが提案されているが、微
細パターン形成に加えてガラス基板との接着性が良く、
低抵抗で大型化に適した電極を得る技術としては、十分
ではなかった。
パターン形成が可能で、ガラス基板との接着強度が高
く、低抵抗で大型化に適したプラズマディスプレイパネ
ル用電極を提供し、ひいては高精細で大型対応可能なプ
ラズマディスプレイパネルを提供することにある。
ガラス基板上に、90〜99重量%の導電性金属と1〜
10重量%のガラスを必須成分として形成したことを特
徴とするプラズマディスプレイパネル用電極および該電
極を有するプラズマディスプレイパネルによって、達成
される。
金属とは、特に限定されるものではないが、例えばA
g、Au、Pd、Cu、Ni、AlおよびPtの少なく
とも1種を含むもので、単独、合金または混合粉末とし
て用いる事ができる。混合粉末の例を挙げると、Ag
(80〜98)−Pd(20〜2)、Ag(90〜9
8)−Pd(10〜2)−Pt(2〜10)、Ag(8
5〜98)−Pt(15〜2)(以上( )内は重量%
を表わす)などの3元系あるいは2元系の混合貴金属粉
末等が用いられる。
極を黒色化することによって、ディスプレイのコントラ
ストを向上することができる。そのための方法として、
銀−ニッケルの合金、もしくは、銀粉末とニッケル粉末
の併用による黒色化が有効である。この場合、抵抗値の
点から、銀の含有量が70重量%以上であることが好ま
しい。
以下の温度で焼き付けできる導電性金属を用いる事が好
ましく、銀を70〜100重量%の範囲で含む事が好ま
しい。
有することが必須である。ガラスは、導電性金属とガラ
ス基板との十分な接着力を確保するために用いられる。
さらに、導電粉金属粉末をガラス基板上に焼き付ける際
の焼結助剤として働き、抵抗値を下げる効果がある。
ラス軟化温度(Ts)は低いほうが好ましく、それぞれ
300〜500℃、350〜450℃であるのが良い。
より好ましくはTgが350〜450℃であるのが良
い。Tgが低すぎると後述するバインダーなどの有機成
分が蒸発する前に焼結が始まるので好ましくない。Tg
が500℃を越えた場合は、600℃以下の焼き付け温
度で行ったときにガラス基板との接着性が劣る傾向とな
るので好ましくない。
るようにガラス粉末(以下ガラスフリット)を原料とし
て用いる。ガラスフリットとしては、Bi2 O3 を10
〜80重量%の範囲で含有することが好ましい。10重
量%未満の場合は、導電ペーストをガラス基板上に焼き
付けする時に、ガラス転移点や軟化点を制御するのに十
分でなく、基板に対する接着強度を高めるのに効果が少
ない。また、80重量%より多くなるとガラスフリット
の軟化点が低くなり過ぎてペースト中のバインダーが蒸
発する前にガラスフリットが溶融すし、このためペース
トの脱バインダ性が悪くなり、導体膜の焼結性が低下
し、また基板との接着強度が低下しやすい。
電極を500〜600℃でガラス基板上に強固に焼き付
けできるので好ましい。
ることが好ましく、3重量%未満の場合は基板上に焼き
付けたときの接着強度の低下やガラス成分の安定性が低
下しやすい。また30重量%より多くなると耐熱温度が
増加し、600℃以下でガラス基板上に焼き付けが難し
くなりやすい。
ることが好ましい。B2 O3 は電極の電気絶縁性、強
度、熱膨張係数などの電気、機械および熱的特性を損な
うことのないように焼付け温度を500〜600℃の範
囲に制御するために配合される。2重量%未満では密着
強度が低下し、また25重量%を越えるとガラス成分の
安定性が低下しやすい。
ことが好ましい。2重量%未満では電極をガラス基板上
に焼付けする時に、焼付け温度を制御するのに効果が少
ない。20重量%を越えるとガラスの耐熱温度が低くな
り過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくなりやす
い。
せるNa2 O、Y2 O3 、K2 0などの酸化物金属を含
まないことが好ましい。含有した場合にも3重量%以下
である。
aO、TiO2 、ZrO2 、Li2Oなどを含有するこ
とによって熱膨張係数、ガラス軟化点、ガラス転移点、
絶縁抵抗を制御できるが、その量は15重量%未満であ
ることが好ましい。
10重量%であることが好ましい。より好ましくは1〜
5重量%である。PDPの電極の低抵抗化を図るにはガ
ラス成分の量が低いほうが好ましい。
5重量%を越えると電極の抵抗が増大するので好ましく
ない。1重量%以下では、電極膜とガラス基板との強固
な接着強度が得られにくい。
は、電極を高精細に形成するために、感光性有機成分と
導電性金属成分からなる感光性ペーストが用いた検討が
活発に行われている。
性金属の粉末と上記組成のガラス成分のガラスフリット
から成る感光性導電ペーストを作製し、ガラス基板上に
塗布した後、マスク露光、現像、焼成という一般的なフ
ォトリソグラフィーの工程を用いて、形成することがで
きる。
2 O3 、K2 O、Na2 Oなどの金属酸化物の含有量の
総和を、導電性金属とガラス成分の総和に対して、3重
量%以下にすることによって、水系現像液で現像が可能
になる。
と、感光性有機成分中にカルボキシル基等の酸性基が存
在した場合、これらの成分と酸性基がイオン架橋反応を
生じ、ペーストが短時間でゲル化するため、生産性が低
下する。
て、電極を形成するためには、これらの金属酸化物の含
有量は1重量%以下にすることが好ましい。
に加えて、焼結助剤として金属および/または金属酸化
物を添加すると、焼結時に導電性粉末の異常粒子成長を
回避できる、あるいは焼結を遅らせるなどの効果がある
ので好ましい。この結果、導体膜とガラス基板との接着
強度を上げることができる。
r、Mo、AlあるいはNiなどの金属および/または
金属酸化物が使用できる。これらのうちで金属酸化物は
電気的に絶縁物として作用するので添加物の量は少ない
方がよく、導電性金属およびガラス成分の総和に対し
て、3重量%以下である。3重量%を越えると電極の電
気抵抗が増加するので好ましくない。また、金属酸化物
と金属を併用することも好ましく行われる。
を形成した場合、高精細のパターンが可能になる。すな
わち、焼成後の導体膜の厚みが3〜30μmにおいて導
体の線幅が5〜100μm、導体間の線間隔10〜50
0μmが得られる。
知のものであれば特に限定はないが、通常のソーダガラ
ス、ホウ珪酸ガラス系の低アルカリガラスや無アルカリ
ガラス、高歪み点フロートガラス(商品名、旭硝子社製
PD−200)等を用いることができる。
金属とガラスを含む組成物を焼き付けることによって形
成されるが、焼き付けは500〜600℃、より好まし
くは、520〜580℃で15分〜1時間焼成し、ガラ
ス基板上に焼き付けることが好ましい。500℃未満で
は焼成を十分に行うことが困難になり、600℃を越え
るとガラス基板が劣化したり、熱変形を起こしたりしや
すい。
基板を用いて、例えば次のような手順でプラズマディス
プレイパネルが作成できる。
板が作成できる。 (1)基板上に誘電体ガラスペーストをスクリーン印刷
法等によって塗布した後、焼成して誘電体層を設ける。 (2)誘電体層表面に電子ビーム蒸着法等により、酸化
マグネシウム層を形成する。
背面基板が作成できる。
クターブレード法等によって塗布した後、乾燥−露光−
現像−焼成の各工程によって隔壁を形成する。 (2)隔壁内にスクリーン印刷法で蛍光体層を形成す
る。蛍光体層の形成には、インクジェット法やサンドブ
ラスト法等も用いることができる。
希ガスを封入することにより、プラズマディスプレイパ
ネルが作成できる。
表示装置全般に用いることができ、交流型プラズマディ
スプレイ、直流型プラズマディスプレイ、およびプラズ
マ放電と液晶表示を組み合わせたプラズマアドレス液晶
ディスプレイの放電部分の電極形成等に用いることがで
きる。
る。実施例において、以下に示すA〜Kの材料およびa
〜eの手順で電極を形成、評価した。
い限りすべて重量%で表わす。
いた。
7μm、比表面積0.48m2 /g 95%Ag−5%Pd粉末;単分散粒状、平均粒子径
3.3μm、比表面積0.82m2 /g 95%Ag−5%Ni粉末;単分散粒状、平均粒子径
3.8μm、比表面積0.80m2 /g 粒度分布は、レーザ式粒度分布測定装置(HORIBA
LA−700)で測定した。
和基を有するアクリル系共重合体(以下、ポリマーと略
す) 40%のメタアクリル酸(MAA)、30%のメチルメ
タアクリレート(MMA)および30%のスチレン(S
t)からなる共重合体にMAAに対して0.4当量のグ
リシジルメタアクリレート(GMA)を付加反応させた
ポリマー。
す) トリメチロールプロパントリアクリレート D.ガラスフリット ガラスフリットしては、以下の5種類のものを用いた。
スマス(45.1)、二酸化ケイ素(27.5)、酸化
ホウ素(12.5)、酸化亜鉛(2.6)、酸化ナトリ
ウム(4.7)、酸化アルミニウム(2.8)、酸化ジ
ルコニウム(4.8) ガラスフリットII;(成分重量%)酸化ビスマス(5
0)、二酸化ケイ素(7)、 酸化ホウ素(15)、
酸化亜鉛(14)、酸化バリウム(14) ガラスフリットIII ;(成分重量%)酸化ビスマス(6
6.9)、二酸化ケイ素(10)、酸化ホウ素(11.
8)、酸化亜鉛(2.6)、酸化アルミニウム(2.
8)、酸化ジルコニウム(4.8) F.溶媒 γ−ブチロラクトン G.光重合開始剤 2−メチル−1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−
モルホリノプロパノン−1と2,4−ジエチルチオキサ
ントンをポリマーとモノマーとの総和に対して20%添
加した。
した。
との総和に対して5%添加した。
をポリマーとモノマーとの総和に対して2%添加した。
SiO2 濃度15%をポリマーに対して4%添加した。
加熱し、すべてのポリマーを均質に溶解させた。ついで
溶液を室温まで冷却し、光重合開始剤を加えて溶解させ
た。その後溶液を400メッシュのフィルターを通し、
濾過した。その後、導電性粉末、モノマー、可塑剤、増
感剤、増感助剤、増粘剤、ガラスフリットおよび溶媒を
所定の組成となるように添加し、3本ローラで混合・分
散してペーストを作製した。
ガラス基板(430mm角で、厚み3mm)上に400
mm角の大きさにベタに印刷し、80℃で40分間保持
して乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは、12〜15μ
mであった。
ーンを有するプラズマディスプレイパネル用電極を形成
したクロムマスクを用いて、上面から500mW/cm
2 の出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。次に25℃
に保持したモノエタノールアミンの0.5重量%の水溶
液に浸漬して現像し、その後スプレーを用いて未露光部
を水洗浄した。
5分間焼成を行い、電極導体膜を作製し、電極とした。
度を測定した。パターン形状は走査電子顕微鏡(SE
M)にて断面を観察して求めた。接着強度は粘着テープ
を電極面に張り付け、その剥離度合いで評価した。比抵
抗は、10μm厚みの電極を形成後、シート抵抗を測定
し、膜厚から計算で求めた。評価結果を表1に示す。
トしてIを用いて、プラズマディスプレイ用電極を形成
した。得られた電極の特性を表1に示した。
果を表1に示した。
が低い電極を有するプラズマディスプレイパネルを形成
することができた。
ト化することによって、高精度のパターン形成が実現で
き、高精細プラズマディスプレイに対して有用である。
Claims (7)
- 【請求項1】 ガラス基板上に、90〜99重量%の導
電性金属と1〜10重量%のガラスを必須成分として形
成したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用
電極。 - 【請求項2】 導電性金属が70〜100重量%の銀を
含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプ
レイパネル用電極。 - 【請求項3】 ガラスがBi2 O3 を10〜80重量%
の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載のプラ
ズマディスプレイパネル用電極。 - 【請求項4】 ガラスが酸化物換算表記で、 Bi2 O3 30〜70重量% SiO2 3〜30重量% B2 O3 2〜25重量% ZnO 2〜20重量% の組成範囲からなることを特徴とする請求項1記載のプ
ラズマディスプレイパネル用電極。 - 【請求項5】 ガラスがNa2 O、K2 O、PbOの含
有量の総和が3重量%以下の範囲であることを特徴とす
る請求項1記載のプラズマディスプレイパネル用電極。 - 【請求項6】 電極厚みが3〜30μm、最小線幅が5
〜100μm、電極間の最小線間隔10〜500μmの
形状を有することを特徴する請求項1記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用電極。 - 【請求項7】 請求項1記載の電極を有することを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011695A JP3674116B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | プラズマディスプレイパネル用電極およびプラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011695A JP3674116B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | プラズマディスプレイパネル用電極およびプラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09147750A true JPH09147750A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3674116B2 JP3674116B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=17880920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30011695A Expired - Fee Related JP3674116B2 (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | プラズマディスプレイパネル用電極およびプラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3674116B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798509A1 (fr) * | 1999-09-13 | 2001-03-16 | Thomson Multimedia Sa | Melange pour realiser des electrodes et procede de formation d'electrodes sur un substrat transparent |
| JP2002343260A (ja) * | 2001-05-04 | 2002-11-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 基板とこの基板の製造方法及びこの基板を有するプラズマ表示装置 |
| JP2010238570A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Noritake Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよび該パネルの電極形成用ペースト |
| KR101309814B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2013-09-23 | 제일모직주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP30011695A patent/JP3674116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2001020637A1 (fr) * | 1999-09-13 | 2001-03-22 | Thomson Multimedia | Melange pour realiser des electrodes et procede de formation d'electrodes sur un substrat transparent |
| JP2002343260A (ja) * | 2001-05-04 | 2002-11-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 基板とこの基板の製造方法及びこの基板を有するプラズマ表示装置 |
| DE10133369B4 (de) * | 2001-05-04 | 2011-05-05 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Elektroden mit Konzentrationsprofil für Plasmaanzeigeplatte |
| JP2010238570A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Noritake Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよび該パネルの電極形成用ペースト |
| KR101309814B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2013-09-23 | 제일모직주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
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|---|---|
| JP3674116B2 (ja) | 2005-07-20 |
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