JPH09148071A - 微粉末無機粒子を含むエレクトロルミネツセンス配置の中間層 - Google Patents
微粉末無機粒子を含むエレクトロルミネツセンス配置の中間層Info
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- JPH09148071A JPH09148071A JP8322123A JP32212396A JPH09148071A JP H09148071 A JPH09148071 A JP H09148071A JP 8322123 A JP8322123 A JP 8322123A JP 32212396 A JP32212396 A JP 32212396A JP H09148071 A JPH09148071 A JP H09148071A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微粉末無機粒子を含むエレクトロルミネッセ
ンス配置の中間層。 【解決手段】 本発明は重合体接合剤中に分散した微粉
末の金属酸化物などの無機粒子(ナノ粒子)を含むエレ
クトロルミネッセンス配置の無機材料中間層に関する。
ンス配置の中間層。 【解決手段】 本発明は重合体接合剤中に分散した微粉
末の金属酸化物などの無機粒子(ナノ粒子)を含むエレ
クトロルミネッセンス配置の無機材料中間層に関する。
Description
【0001】本発明は重合体接合剤の中に微粉末の無機
粒子(ナノ粒子)を含むエレクトロルミネッセンス(電
圧発光)配置または装置の中間層に関する。
粒子(ナノ粒子)を含むエレクトロルミネッセンス(電
圧発光)配置または装置の中間層に関する。
【0002】現在使用されている発光配置は現在の光エ
レクトロニックス時代において極めて重要である。光表
示装置の開発の目的は、平らで、大きな面で操作でき、
高度の効率をもち、製造原価が低い装置に向けられてい
る。電気的に操作できる発光配置には幾つかの異なった
可能性がある。しかし大きな面、平らさおよび廉価な製
造価格が組み合わされたシステムとしては僅かに二つが
知られているに過ぎない。
レクトロニックス時代において極めて重要である。光表
示装置の開発の目的は、平らで、大きな面で操作でき、
高度の効率をもち、製造原価が低い装置に向けられてい
る。電気的に操作できる発光配置には幾つかの異なった
可能性がある。しかし大きな面、平らさおよび廉価な製
造価格が組み合わされたシステムとしては僅かに二つが
知られているに過ぎない。
【0003】1)接合剤マトリックス中にドーピングさ
れたZnS粒子 ZnS粒子を薄層の中に導入し、高周波の電場をかけて
発光させる。ZnSシステムの発光は弱い。他の欠点と
しては高周波において高電圧が必要とされることであ
る。
れたZnS粒子 ZnS粒子を薄層の中に導入し、高周波の電場をかけて
発光させる。ZnSシステムの発光は弱い。他の欠点と
しては高周波において高電圧が必要とされることであ
る。
【0004】2)エレクトロルミネッセンス性重合体 ポリ(フェニレン)ビニルをベースにした重合体のLE
Dは最初にFriend等によって発表された(米国特
許第5 247 190号)。最も簡単な構成において
は重合体を透明な陰極(例えばITO)と蒸着させた陽
極(例えばCa、Al)との間に配置する。この配置に
電圧をかけると発光する。
Dは最初にFriend等によって発表された(米国特
許第5 247 190号)。最も簡単な構成において
は重合体を透明な陰極(例えばITO)と蒸着させた陽
極(例えばCa、Al)との間に配置する。この配置に
電圧をかけると発光する。
【0005】有機性のLEDの層の構造の最も一般的な
例はヨーロッパ特許A−0 637899号に記載され
ており、この場合は発光配置の機能に積極的な影響を及
ぼす他の層も記載されている。有機性の成分から構成さ
れたLEDの性質は他の有機層を導入することにより著
しく改善することができる(Tang等、Appl.P
hys.Lett.51巻(1987年)913頁)。
この目的のためには1枚または2枚の電荷注入層をエレ
クトロルミネッセンス層と二つの電極との間に導入す
る。これらの電荷注入層は蒸着させたもの(Adach
i等、Appl.Phys.Lett.57巻(199
0年)531頁)、重合体(米国特許第5 231 3
29号)または重合体中に分散した単量体(Brown
等、Appl.Phys.Lett.61巻(1992
年)2739頁)から成っている。これらの層は例えば
オキサジアゾールまたは3級アミンである。オキサジア
ゾール構造をもった重合体も記載されている。分子は常
に有機性である。
例はヨーロッパ特許A−0 637899号に記載され
ており、この場合は発光配置の機能に積極的な影響を及
ぼす他の層も記載されている。有機性の成分から構成さ
れたLEDの性質は他の有機層を導入することにより著
しく改善することができる(Tang等、Appl.P
hys.Lett.51巻(1987年)913頁)。
この目的のためには1枚または2枚の電荷注入層をエレ
クトロルミネッセンス層と二つの電極との間に導入す
る。これらの電荷注入層は蒸着させたもの(Adach
i等、Appl.Phys.Lett.57巻(199
0年)531頁)、重合体(米国特許第5 231 3
29号)または重合体中に分散した単量体(Brown
等、Appl.Phys.Lett.61巻(1992
年)2739頁)から成っている。これらの層は例えば
オキサジアゾールまたは3級アミンである。オキサジア
ゾール構造をもった重合体も記載されている。分子は常
に有機性である。
【0006】本発明は発光配置またはダイオード(LE
D)の中における重合体接合剤中に分散した微粉末無機
粒子(ナノ粒子)を含む中間層、および該1枚またはそ
れ以上の中間層を含むLEDおよびエレクトロルミネッ
センス配置の中間層の製造に対する該ナノ粒子の使用に
関する。
D)の中における重合体接合剤中に分散した微粉末無機
粒子(ナノ粒子)を含む中間層、および該1枚またはそ
れ以上の中間層を含むLEDおよびエレクトロルミネッ
センス配置の中間層の製造に対する該ナノ粒子の使用に
関する。
【0007】ナノ粒子は一般に直径が1μmより小さ
く、好ましくは1〜100nmである。粒径は高分解能
透過電子顕微鏡または超遠心分離法を用いて決定され
る。粒子は好ましくはバンドギャップ、即ち原子価バン
ドと伝導バンドとのエネルギー差が少なくとも1eVの
半導体材料から成っている。適当な微粉末無機(nm程
度に分散した)粒子は例えばTiO2、SnO2、Zn
O、WO3、Al2O3、Fe2O3のような金属酸化物、
またはメンデレーフの周期率表の第IIIおよび第V主
族から選ばれた半導体(III−V半導体)、例えばG
aP、AlN、或いは周期率表の第IIおよび第VI主
族の半導体(II−VI半導体)、例えばZnSe、C
dSe、CdSである。
く、好ましくは1〜100nmである。粒径は高分解能
透過電子顕微鏡または超遠心分離法を用いて決定され
る。粒子は好ましくはバンドギャップ、即ち原子価バン
ドと伝導バンドとのエネルギー差が少なくとも1eVの
半導体材料から成っている。適当な微粉末無機(nm程
度に分散した)粒子は例えばTiO2、SnO2、Zn
O、WO3、Al2O3、Fe2O3のような金属酸化物、
またはメンデレーフの周期率表の第IIIおよび第V主
族から選ばれた半導体(III−V半導体)、例えばG
aP、AlN、或いは周期率表の第IIおよび第VI主
族の半導体(II−VI半導体)、例えばZnSe、C
dSe、CdSである。
【0008】二酸化チタンから成るナノ粒子が特に好適
である。
である。
【0009】重合体接合剤中のナノ粒子の濃度は(中間
層の重量に関し)0.1〜90重量%、好ましくは1〜
70重量%、特に好ましくは5〜60重量%である。
層の重量に関し)0.1〜90重量%、好ましくは1〜
70重量%、特に好ましくは5〜60重量%である。
【0010】ナノ粒子は後で層を製造するために重合体
接合剤中に分散させる。処理を行って透明なフィルムに
し得る無定形の重合体は接合剤として好適である。これ
らの重合体は例えばポリカーボネート、ポリスチレンお
よびポリスチレンの共重合体、例えばSAN、環式ポリ
オレフィン、ポリスルフォン、(メタ)アクリレート重
合体および/または共重合体、ポリビニルアルコール、
ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル共重合体またはポ
リビニルピロリドンである。
接合剤中に分散させる。処理を行って透明なフィルムに
し得る無定形の重合体は接合剤として好適である。これ
らの重合体は例えばポリカーボネート、ポリスチレンお
よびポリスチレンの共重合体、例えばSAN、環式ポリ
オレフィン、ポリスルフォン、(メタ)アクリレート重
合体および/または共重合体、ポリビニルアルコール、
ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル共重合体またはポ
リビニルピロリドンである。
【0011】本発明によればさらにエレクトロルミネッ
センス配置の中間層の製造のための重合体接合剤中に分
散された微粉末無機粒子の使用が提供される。
センス配置の中間層の製造のための重合体接合剤中に分
散された微粉末無機粒子の使用が提供される。
【0012】また本発明似よれば、上記中間層を1枚ま
たはそれ以上、一般的には1枚または2枚含むエレクト
ロルミネッセンス配置、および発光ディスプレーを製造
するためのエレクトロルミネッセンス配置の使用が提供
される。
たはそれ以上、一般的には1枚または2枚含むエレクト
ロルミネッセンス配置、および発光ディスプレーを製造
するためのエレクトロルミネッセンス配置の使用が提供
される。
【0013】LEDの模式的配置は次の通りである: (A)陽極(例えばAl、Ca、Mg)/ナノ粒子を含
む中間層/エレクトロルミネッセンス層/透明な陰極
(In−Sn−酸化物)/透明な基質(例えばガラスま
たはフィルム) (B)陽極/エレクトロルミネッセンス層/ナノ粒子を
含む中間層/透明な陰極/透明な基質 (C)陽極/ナノ粒子を含む中間層/エレクトロルミネ
ッセンス層/ナノ粒子を含む中間層/透明な陰極/透明
な基質 中間層は次のように配置される。
む中間層/エレクトロルミネッセンス層/透明な陰極
(In−Sn−酸化物)/透明な基質(例えばガラスま
たはフィルム) (B)陽極/エレクトロルミネッセンス層/ナノ粒子を
含む中間層/透明な陰極/透明な基質 (C)陽極/ナノ粒子を含む中間層/エレクトロルミネ
ッセンス層/ナノ粒子を含む中間層/透明な陰極/透明
な基質 中間層は次のように配置される。
【0014】(A)エレクトロルミネッセンス層および
陽極間の中間層として、(B)エレクトロルミネッセン
ス層および陰極間の中間層として、(C)エレクトロル
ミネッセンス層および陽極間並びにエレクトロルミネッ
センス層および陰極間の両方の中間層として。
陽極間の中間層として、(B)エレクトロルミネッセン
ス層および陰極間の中間層として、(C)エレクトロル
ミネッセンス層および陽極間並びにエレクトロルミネッ
センス層および陰極間の両方の中間層として。
【0015】重合体接合剤中のナノ粒子系は回転被覆
法、浸漬被覆法および薄刃被覆法により重合体LED中
の中間層として薄いフィルムの形で大きな区域の上に被
覆することができる。これによって製造価格が安く重合
体LEDの大きな面を製造し得る利点が得られる。
法、浸漬被覆法および薄刃被覆法により重合体LED中
の中間層として薄いフィルムの形で大きな区域の上に被
覆することができる。これによって製造価格が安く重合
体LEDの大きな面を製造し得る利点が得られる。
【0016】重合体から構成された重合体LED(米国
特許第5 247 190号に対応)の性質はこれらの
中間層により著しく改善される。従ってエレクトロルミ
ネッセンスの効率が著しく増加する。かける電圧が同じ
場合、配置を通過する直流電流は著しく弱くなるが、エ
レクトロルミネッセンスの強度は同じか増加することも
ある。
特許第5 247 190号に対応)の性質はこれらの
中間層により著しく改善される。従ってエレクトロルミ
ネッセンスの効率が著しく増加する。かける電圧が同じ
場合、配置を通過する直流電流は著しく弱くなるが、エ
レクトロルミネッセンスの強度は同じか増加することも
ある。
【0017】本発明の層は効率を増加させるばかりでな
く、長期間の安定性が改善されることを特徴としてい
る。この系においては、接合剤中の単量体または蒸着し
た単量体から成る有機系の場合に起こるような、操作中
における成分の結晶化は起こらない。同時にエレクトロ
ルミネッセンス配置は化学変化、例えば酸化に関し一層
安定である。
く、長期間の安定性が改善されることを特徴としてい
る。この系においては、接合剤中の単量体または蒸着し
た単量体から成る有機系の場合に起こるような、操作中
における成分の結晶化は起こらない。同時にエレクトロ
ルミネッセンス配置は化学変化、例えば酸化に関し一層
安定である。
【0018】本発明の中間層を用いて重合体から構成さ
れたエレクトロルミネッセンス配置は低い直流電圧で動
作する。層を薄刃被覆法により被覆して簡単且つ安価に
製造される他に、発色モジュール(chromopho
ric module)を変えることによりエレクトロ
ルミネッセンスの色を調節することができる。
れたエレクトロルミネッセンス配置は低い直流電圧で動
作する。層を薄刃被覆法により被覆して簡単且つ安価に
製造される他に、発色モジュール(chromopho
ric module)を変えることによりエレクトロ
ルミネッセンスの色を調節することができる。
【0019】中間層のフィルムの厚さは2μmより薄
く、典型的には10〜150nmである。従って低電圧
で高い電場強度を得ることができる。本発明の中間層は
層の厚さが均一なことが特徴であり、エレクトロルミネ
ッセンス配置は典型的な106V/cmより高い電場強
度においても誘電的な穿孔防止性をもっている。
く、典型的には10〜150nmである。従って低電圧
で高い電場強度を得ることができる。本発明の中間層は
層の厚さが均一なことが特徴であり、エレクトロルミネ
ッセンス配置は典型的な106V/cmより高い電場強
度においても誘電的な穿孔防止性をもっている。
【0020】直径が1μmより小さい適当な無機性のナ
ノ粒子は種々の方法で製造することができる。
ノ粒子は種々の方法で製造することができる。
【0021】− 沈澱反応による方法(E.Matij
evic,Chem.Mater.5巻(1993年)
412〜426頁)、TiO2の場合には例えば硫酸チ
タニル溶液を加水分解し、沈澱を解膠し、一塩基酸中で
硫酸塩がなくなるまで洗滌する方法(ヨーロッパ特許A
−261 560号)、TiCl4溶液を加水分解する
方法(W.BauerおよびG.Tomandl,Ce
ram.Int.20巻(1994年)189〜93
頁)。
evic,Chem.Mater.5巻(1993年)
412〜426頁)、TiO2の場合には例えば硫酸チ
タニル溶液を加水分解し、沈澱を解膠し、一塩基酸中で
硫酸塩がなくなるまで洗滌する方法(ヨーロッパ特許A
−261 560号)、TiCl4溶液を加水分解する
方法(W.BauerおよびG.Tomandl,Ce
ram.Int.20巻(1994年)189〜93
頁)。
【0022】− アルコキシドの加水分解によるゾル−
ゲル法、例えばJ.Livage,Mat.Sci.F
orum、152〜153巻(1994年)43〜45
頁、G.W.Koebrugge等、J.Mater.
Chem.、3巻(1993年)1095〜1100
頁、PCT−WO93/05 875号およびPCT−
WO 91/16 719号。
ゲル法、例えばJ.Livage,Mat.Sci.F
orum、152〜153巻(1994年)43〜45
頁、G.W.Koebrugge等、J.Mater.
Chem.、3巻(1993年)1095〜1100
頁、PCT−WO93/05 875号およびPCT−
WO 91/16 719号。
【0023】− 蒸発可能な金属化合物(例えばアルコ
キシド、ハロゲン化物)と過剰の酸素または水素とを反
応させ、ガス層で熱分解するCVR法、米国特許第4
842 832号、およびK.Y.Kim等、J.Ch
em.Emgng.Jpn.、27巻(1994年)6
57〜61頁参照。
キシド、ハロゲン化物)と過剰の酸素または水素とを反
応させ、ガス層で熱分解するCVR法、米国特許第4
842 832号、およびK.Y.Kim等、J.Ch
em.Emgng.Jpn.、27巻(1994年)6
57〜61頁参照。
【0024】− プラズマ合成法、Z.Chen等、G
ongneng Cailiao、23巻(1992
年)83〜87、105頁(Chem.Abstr.1
19:277086c)参照。
ongneng Cailiao、23巻(1992
年)83〜87、105頁(Chem.Abstr.1
19:277086c)参照。
【0025】− 例えばTiCl4の焔分解、このよう
な生成物はDegussa P25の商品名で市販され
ている。
な生成物はDegussa P25の商品名で市販され
ている。
【0026】− 不足量のアルカリと硫酸チタニルとの
反応(下記参照)。
反応(下記参照)。
【0027】硫酸チタニル溶液から得られるチタンから
成るナノ粒子が特に適している。特に適したnm程度に
分散した二酸化チタンの製造法は次の特徴をもってい
る。
成るナノ粒子が特に適している。特に適したnm程度に
分散した二酸化チタンの製造法は次の特徴をもってい
る。
【0028】(a)過剰の硫酸を含む硫酸チタニル溶液
を、得られた混合物が酸性の反応を呈し従って硫酸が過
剰に存在するようになるまで、高温においてアルカリ溶
液に加える。
を、得られた混合物が酸性の反応を呈し従って硫酸が過
剰に存在するようになるまで、高温においてアルカリ溶
液に加える。
【0029】(b)(a)で得られた混合物を冷却す
る。
る。
【0030】(c)(b)で得られた混合物に一塩基酸
を加え、(a)でつくられた二酸化チタンのフロッキュ
レーションを起こさせる。
を加え、(a)でつくられた二酸化チタンのフロッキュ
レーションを起こさせる。
【0031】(d)(c)で生じたフロッキュレーショ
ンによる沈澱を濾過し、(c)と同じ一塩基酸で洗滌す
る。
ンによる沈澱を濾過し、(c)と同じ一塩基酸で洗滌す
る。
【0032】本発明の二酸化チタンを得るためには、反
応工程(d)で得られた沈澱を水、および/または分子
中に炭素原子を1〜10個含みヒドロキシド基を1個ま
たはそれ以上含むアルコール中に溶解する。
応工程(d)で得られた沈澱を水、および/または分子
中に炭素原子を1〜10個含みヒドロキシド基を1個ま
たはそれ以上含むアルコール中に溶解する。
【0033】本発明によるnm程度に分散したTiO2
の製造も大規模工程の枠組、即ち硫酸法によるTiO2
顔料の製造工程の枠組の中でうまく行うことができ、従
って非常に簡単且つ経済的である。
の製造も大規模工程の枠組、即ち硫酸法によるTiO2
顔料の製造工程の枠組の中でうまく行うことができ、従
って非常に簡単且つ経済的である。
【0034】本発明方法で得られた瀘過残渣(工程dの
後の残渣)は無機および/または有機の後処理に付すこ
とができる。
後の残渣)は無機および/または有機の後処理に付すこ
とができる。
【0035】原理的には硫酸を過剰に含む任意の硫酸チ
タニル溶液はエダクト(硫酸/硫酸チタニル溶液)とし
て適している。可溶性の硫酸塩または塩化物をつくる金
属不純物、例えば鉄、マグネシウム、アルミニウムおよ
びアルカリ金属は、これらの元素が痕跡としてもそれぞ
れの使用目的に不利に成らない限り、原則として製造工
程に妨害を与えることはない。本発明方法は大規模で行
うことができる。例えば硫酸法においてイルメナイトお
よび/またはチタンのスラグを硫酸で解膠し、、解膠し
たケーキを水に溶解して濾過した後に得られる黒色液は
エダクトとして使用することができる。
タニル溶液はエダクト(硫酸/硫酸チタニル溶液)とし
て適している。可溶性の硫酸塩または塩化物をつくる金
属不純物、例えば鉄、マグネシウム、アルミニウムおよ
びアルカリ金属は、これらの元素が痕跡としてもそれぞ
れの使用目的に不利に成らない限り、原則として製造工
程に妨害を与えることはない。本発明方法は大規模で行
うことができる。例えば硫酸法においてイルメナイトお
よび/またはチタンのスラグを硫酸で解膠し、、解膠し
たケーキを水に溶解して濾過した後に得られる黒色液は
エダクトとして使用することができる。
【0036】しかしこの製造法ではエダクトとしては黒
色液に限定されない。エダクトとして適した硫酸/硫酸
チタニル溶液を製造する他の方法は例えば (a)二酸化チタンおよびTiO2水和物、例えばオル
トチタン酸、メタチタン酸を過剰のH2SO4に溶解/解
膠する方法、(b)チタン酸アルカリおよびチタン酸マ
グネシウムをやはり水溶液の形で過剰のH2SO4に溶解
/解膠する方法、および(c)ドイツ特許A 4 21
6 122号記載のようにTiCl4を過剰のH2SO4
と反応させてTiOSO4およびHClをつくる方法が
ある。
色液に限定されない。エダクトとして適した硫酸/硫酸
チタニル溶液を製造する他の方法は例えば (a)二酸化チタンおよびTiO2水和物、例えばオル
トチタン酸、メタチタン酸を過剰のH2SO4に溶解/解
膠する方法、(b)チタン酸アルカリおよびチタン酸マ
グネシウムをやはり水溶液の形で過剰のH2SO4に溶解
/解膠する方法、および(c)ドイツ特許A 4 21
6 122号記載のようにTiCl4を過剰のH2SO4
と反応させてTiOSO4およびHClをつくる方法が
ある。
【0037】生成物、特に(a)および(c)で得られ
るものは、生成物(nm程度に分散した二酸化チタン)
中に存在する痕跡の異種金属(例えば鉄)が望ましくな
い場合選択的に硫酸/硫酸チタニル溶液として使用され
る。
るものは、生成物(nm程度に分散した二酸化チタン)
中に存在する痕跡の異種金属(例えば鉄)が望ましくな
い場合選択的に硫酸/硫酸チタニル溶液として使用され
る。
【0038】経済的に効率的な操作法に対しては、本発
明方法で使用する硫酸/硫酸チタニル溶液はTiO2と
して計算して1リットル当たり好ましくは100〜26
0g、特に好ましくは170〜230gのチタンを含ん
でいる。
明方法で使用する硫酸/硫酸チタニル溶液はTiO2と
して計算して1リットル当たり好ましくは100〜26
0g、特に好ましくは170〜230gのチタンを含ん
でいる。
【0039】酸の過剰量は1モルのTiOSO4当たり
好ましくは0.3〜4.0モル、特に好ましくは0.5
〜1.5モルのH2SO4の量である。
好ましくは0.3〜4.0モル、特に好ましくは0.5
〜1.5モルのH2SO4の量である。
【0040】好ましくは水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムまたはアンモニアの水溶液をアルカリ液として使用
する。原理的にはナトリウム、カリウムおよびアンモニ
ウムの炭酸塩を使用することもできるが、CO2が強く
発生するためにあまり適当ではない。水酸化ナトリウム
の溶液が特に好適であり、以後本発明方法の実施に関し
てはこれを参照して詳細な説明を行う。
ウムまたはアンモニアの水溶液をアルカリ液として使用
する。原理的にはナトリウム、カリウムおよびアンモニ
ウムの炭酸塩を使用することもできるが、CO2が強く
発生するためにあまり適当ではない。水酸化ナトリウム
の溶液が特に好適であり、以後本発明方法の実施に関し
てはこれを参照して詳細な説明を行う。
【0041】水酸化ナトリウムの量は、それが上記工程
(a)に従って「遊離硫酸」に関し化学量論的に不足し
た量で存在している。TiO2を製造する硫酸法におい
て当業界の専門家にとって「遊離硫酸」とは硫酸の全量
から異種金属の硫酸塩(主としてFeSO4)の形で結
合した成分を差し引いた量、即ちH2SO4とTiOS
O4として結合した硫酸との和を意味する。最後に挙げ
た成分は加水分解後H2SO4として存在する。
(a)に従って「遊離硫酸」に関し化学量論的に不足し
た量で存在している。TiO2を製造する硫酸法におい
て当業界の専門家にとって「遊離硫酸」とは硫酸の全量
から異種金属の硫酸塩(主としてFeSO4)の形で結
合した成分を差し引いた量、即ちH2SO4とTiOS
O4として結合した硫酸との和を意味する。最後に挙げ
た成分は加水分解後H2SO4として存在する。
【0042】水酸化ナトリウムは下記二つの反応に関し
化学量論的な量より少ない量で使用される。
化学量論的な量より少ない量で使用される。
【0043】 H2SO4+2NaOH → Na2SO4+2H2O TiOSO4+2NaOH → TiO2+Na2SO4+
H2O ここで不足量は反応工程(a)の終わりにおけるpH価
が2より低いように選ばれる。
H2O ここで不足量は反応工程(a)の終わりにおけるpH価
が2より低いように選ばれる。
【0044】水酸化ナトリウム溶液の濃度はNaOHと
して約5〜10重量%であることが好ましい。化学量論
的に不足した水酸化ナトリウムと硫酸/硫酸チタニル溶
液との反応は、先ず水酸化ナトリウム溶液をフラスコま
たは容器に入れ、これを約60〜100℃に加熱し、次
いで硫酸/硫酸チタニル溶液を水酸化ナトリウム溶液に
加えることにより行うことが好ましい。反応工程(a)
は好ましくは温度60〜100℃において激しく撹拌し
て行われる。
して約5〜10重量%であることが好ましい。化学量論
的に不足した水酸化ナトリウムと硫酸/硫酸チタニル溶
液との反応は、先ず水酸化ナトリウム溶液をフラスコま
たは容器に入れ、これを約60〜100℃に加熱し、次
いで硫酸/硫酸チタニル溶液を水酸化ナトリウム溶液に
加えることにより行うことが好ましい。反応工程(a)
は好ましくは温度60〜100℃において激しく撹拌し
て行われる。
【0045】この混合物においてアルカリ性pH範囲を
出来るだけ迅速に(好ましくは5分以内に)通過し、離
脱するようにする。
出来るだけ迅速に(好ましくは5分以内に)通過し、離
脱するようにする。
【0046】反応工程(a)の後でこの混合物を60℃
より低い温度に冷却し、次いで随時撹拌しながら1/2
〜2時間の間この温度に保つ。
より低い温度に冷却し、次いで随時撹拌しながら1/2
〜2時間の間この温度に保つ。
【0047】このようにして得られた混合物は多少とも
曇っている(曇ったゾル)。このような混合物はTiO
2硫酸法ではいわゆる加水分解の種として使用される。
これらは透明なゾルとしては不適当である。
曇っている(曇ったゾル)。このような混合物はTiO
2硫酸法ではいわゆる加水分解の種として使用される。
これらは透明なゾルとしては不適当である。
【0048】冷却後、一塩基酸を用いてフロッキュレー
ションを行い、フロッキュレーションによる沈澱を濾過
して分離する。これは粒径が1〜10nmのnm程度に
分散した二酸化チタンであり、炭素含量は0.1重量%
より少なく、透明度は少なくとも99%である(下記参
照)。
ションを行い、フロッキュレーションによる沈澱を濾過
して分離する。これは粒径が1〜10nmのnm程度に
分散した二酸化チタンであり、炭素含量は0.1重量%
より少なく、透明度は少なくとも99%である(下記参
照)。
【0049】一塩基酸を加える前に透明化を行うことが
好ましい。 透明化は沈降させることにより、即ち少なく
とも12時間放置してデンカンテーションすることによ
り簡単な方法で行うことができる。しかし遠心分離、ま
たは必要に応じ瀘過助材をもちいて濾過を行うこともで
きる。
好ましい。 透明化は沈降させることにより、即ち少なく
とも12時間放置してデンカンテーションすることによ
り簡単な方法で行うことができる。しかし遠心分離、ま
たは必要に応じ瀘過助材をもちいて濾過を行うこともで
きる。
【0050】一塩基鉱酸を加えた結果、反応工程(a)
で生じたナノ粒子の可逆的なフロッキュレーションが行
われる。その大きさ(好ましくは1〜10μm)のため
に、得られた嵩ばった薄片は遠心分離および濾過を良好
に行うことができる。好適な一塩基酸は塩酸であり、以
後行われる方法はこれを参照して詳細に説明することに
する。他の一塩基鉱酸を使用する場合にはそれに対応し
た方法を行うことができる。
で生じたナノ粒子の可逆的なフロッキュレーションが行
われる。その大きさ(好ましくは1〜10μm)のため
に、得られた嵩ばった薄片は遠心分離および濾過を良好
に行うことができる。好適な一塩基酸は塩酸であり、以
後行われる方法はこれを参照して詳細に説明することに
する。他の一塩基鉱酸を使用する場合にはそれに対応し
た方法を行うことができる。
【0051】混合物の最終的なHCl濃度は1モル濃度
よりも少なくないことが好ましく、ナノ粒子を沈澱させ
るためには1〜6モル濃度、特に1〜4モル濃度に調節
することが好適である。
よりも少なくないことが好ましく、ナノ粒子を沈澱させ
るためには1〜6モル濃度、特に1〜4モル濃度に調節
することが好適である。
【0052】好適な瀘布は耐酸性の材料(例えばポリプ
ロピレン)から成っている。当業界の専門家に公知の、
硫酸法においてTiO2加水分解物の分離に使用される
セルロース、セルロースエーテルまたは−エステルをベ
ースにした膜フィルターが特に適している。
ロピレン)から成っている。当業界の専門家に公知の、
硫酸法においてTiO2加水分解物の分離に使用される
セルロース、セルロースエーテルまたは−エステルをベ
ースにした膜フィルターが特に適している。
【0053】次に沈澱を、好ましくはフロッキュレーシ
ョンに使用したのと同じ一塩基酸を用いて洗滌する。塩
酸の場合には洗滌液として3〜6モル濃度の塩酸が特に
適している。
ョンに使用したのと同じ一塩基酸を用いて洗滌する。塩
酸の場合には洗滌液として3〜6モル濃度の塩酸が特に
適している。
【0054】得られた(塩)酸による沈澱(ペースト)
は瀘過アセンブリーおよび原料に依存して20〜40重
量%、典型的には30重量%のTiO2を含み、残りは
洗滌用の酸および恐らくは少数の不純物である。
は瀘過アセンブリーおよび原料に依存して20〜40重
量%、典型的には30重量%のTiO2を含み、残りは
洗滌用の酸および恐らくは少数の不純物である。
【0055】水に加えると、沈澱は僅かな乳光(チンダ
ル効果)の他は澄んで透明で且つ無色または殆ど無色な
「溶液」(ゾル)を生じる。これらのゾルにおいてTi
O2は完全にナノ粒子として存在し、その直径は1〜1
0nmである。
ル効果)の他は澄んで透明で且つ無色または殆ど無色な
「溶液」(ゾル)を生じる。これらのゾルにおいてTi
O2は完全にナノ粒子として存在し、その直径は1〜1
0nmである。
【0056】このようにして強酸性でTiO2濃度が最
高約20重量%の実質的に透明(無色透明)なゾルを得
ることができる。TiO2濃度5重量%において、ゾル
の透明度は全可視スペクトル領域に亙りゾルの透明度が
99%(180°/d−図形(geometry)で測
定)より大きい。
高約20重量%の実質的に透明(無色透明)なゾルを得
ることができる。TiO2濃度5重量%において、ゾル
の透明度は全可視スペクトル領域に亙りゾルの透明度が
99%(180°/d−図形(geometry)で測
定)より大きい。
【0057】一塩基鉱酸、例えばHClを加えることに
よりナノ粒子に大使再びフロッキュレーションを行い、
濾過し、洗滌することができる。これらの粒子は温度約
0℃においてこの形で変化することなく数週間保つこと
ができる。
よりナノ粒子に大使再びフロッキュレーションを行い、
濾過し、洗滌することができる。これらの粒子は温度約
0℃においてこの形で変化することなく数週間保つこと
ができる。
【0058】極性の有機溶媒、主として1価または多価
の短鎖アルコール、例えばエタノールおよびブタンジオ
ール(1,4)中で同様なゾルをつくることができる。
アルコールは分子中に1〜10個の炭素原子を含んでい
ることが好ましい。 出来るだけ低い温度において真空中またはNaOH上
(室温、凍結乾燥)で液およびくっついた酸を蒸発させ
ることにより、ペーストからガラス状のキセロゲルが得
られる。このキセロゲルはH2OおよびHClの除去量
が多すぎない限り、完全に分散させることができる。
の短鎖アルコール、例えばエタノールおよびブタンジオ
ール(1,4)中で同様なゾルをつくることができる。
アルコールは分子中に1〜10個の炭素原子を含んでい
ることが好ましい。 出来るだけ低い温度において真空中またはNaOH上
(室温、凍結乾燥)で液およびくっついた酸を蒸発させ
ることにより、ペーストからガラス状のキセロゲルが得
られる。このキセロゲルはH2OおよびHClの除去量
が多すぎない限り、完全に分散させることができる。
【0059】希薄な一塩基鉱酸で透析して存在する可能
性のある重金属イオンを除去することができる。
性のある重金属イオンを除去することができる。
【0060】酸の過剰量が擾乱を与えるような用途にお
いては、基本的に公知の方法、例えばアセチルアセトン
(WO 93/05 875号)またはヒドロキシカル
ボン酸(ヨーロッパ特許A−518 175号)を用
い、本発明の粒子を中性のpH範囲において安定化させ
ることができる。
いては、基本的に公知の方法、例えばアセチルアセトン
(WO 93/05 875号)またはヒドロキシカル
ボン酸(ヨーロッパ特許A−518 175号)を用
い、本発明の粒子を中性のpH範囲において安定化させ
ることができる。
【0061】
【実施例】ポリビニルアルコール中に含まれる結晶性T
iO2ナノ粒子からの中間層の製造、および該中間層を
含むエレクトロルミネッセンス配置の製造 (A)ITO被覆ガラス(Blazer製)を20×3
0mm2の基質に切断し、浄化を行う。この場合次の工
程を順次行った。
iO2ナノ粒子からの中間層の製造、および該中間層を
含むエレクトロルミネッセンス配置の製造 (A)ITO被覆ガラス(Blazer製)を20×3
0mm2の基質に切断し、浄化を行う。この場合次の工
程を順次行った。
【0062】1.15分間超音波浴中で蒸溜水とファル
テロール(Falterol)(洗剤)とを噴射する。
テロール(Falterol)(洗剤)とを噴射する。
【0063】2.超音波浴中で15分間ずつ2回に亙
り、それぞれ新しい蒸溜水を噴射する。
り、それぞれ新しい蒸溜水を噴射する。
【0064】3.超音波浴中で15分間エタノールを噴
射する。
射する。
【0065】4.超音波浴中で15分間ずつ2回に亙
り、それぞれ新しいアセトンを噴射する。
り、それぞれ新しいアセトンを噴射する。
【0066】5.ケバのないレンズ用の布で乾燥する。
【0067】エレクトロルミネッセンス重合体(ポリ
(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキシロキシ)−
1,4−フェニレン−ビニレン)、略称MEH−PPV
はD.Braun等、App.Phys.Lett.5
8巻(1991年)1892頁記載の方法で製造した。
(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキシロキシ)−
1,4−フェニレン−ビニレン)、略称MEH−PPV
はD.Braun等、App.Phys.Lett.5
8巻(1991年)1892頁記載の方法で製造した。
【0068】クロロフォルム中にエレクトロルミネッセ
ンス用重合体MEH−PPVを含む1重量%溶液を濾過
する(Sartorius製の0.2μmフィルタ
ー)。濾過した溶液をラッカー遠心分離機を用い100
0rpmでITO層の上に分布させる。乾燥したフィル
ムの厚さは105nmである。表面の粗さは5nmであ
る(Tencor Inst.製スタイラス・プロフィ
ロメーター(stylusprofilometer)
Alpha−Step200で測定)。
ンス用重合体MEH−PPVを含む1重量%溶液を濾過
する(Sartorius製の0.2μmフィルタ
ー)。濾過した溶液をラッカー遠心分離機を用い100
0rpmでITO層の上に分布させる。乾燥したフィル
ムの厚さは105nmである。表面の粗さは5nmであ
る(Tencor Inst.製スタイラス・プロフィ
ロメーター(stylusprofilometer)
Alpha−Step200で測定)。
【0069】(B)使用したTiO2ナノ粒子は次のよ
うにして硫酸チタニル溶液から水酸化ナトリウム溶液を
用いて沈澱させてつくった。
うにして硫酸チタニル溶液から水酸化ナトリウム溶液を
用いて沈澱させてつくった。
【0070】いわゆる黒色液からのTiO2ナノ粒子の
製造 機械的撹拌機、温度計、還流冷却器、および生成物を取
り出すための底部のバルブを備えた二重壁の加熱可能な
6リットルのフラスコの中で、7.5重量%水酸化ナト
リウム溶液1400mlを85℃に加熱する。撹拌機、
還流冷却器、電熱器、および底部のバルブを備えた三つ
口フラスコノ中で、硫酸法でつくられたFeSO4を含
む黒色液(60℃における密度=1.566g/ml;
13.83重量%のTiO2、217g/リットルに相
当;遊離H2SO428.39重量%)804mlを60
℃に加熱する。激しく撹拌して黒色液を3分以内で水酸
化ナトリウム溶液に流し込む。一時的に濃密な暗色の沈
澱が生じる。中和すると混合物の温度は92℃に上昇す
る。約5分間撹拌を続け、この混合物は僅かに曇った状
態になる。次にこれをさらに撹拌して20分以内で30
℃に冷却する。
製造 機械的撹拌機、温度計、還流冷却器、および生成物を取
り出すための底部のバルブを備えた二重壁の加熱可能な
6リットルのフラスコの中で、7.5重量%水酸化ナト
リウム溶液1400mlを85℃に加熱する。撹拌機、
還流冷却器、電熱器、および底部のバルブを備えた三つ
口フラスコノ中で、硫酸法でつくられたFeSO4を含
む黒色液(60℃における密度=1.566g/ml;
13.83重量%のTiO2、217g/リットルに相
当;遊離H2SO428.39重量%)804mlを60
℃に加熱する。激しく撹拌して黒色液を3分以内で水酸
化ナトリウム溶液に流し込む。一時的に濃密な暗色の沈
澱が生じる。中和すると混合物の温度は92℃に上昇す
る。約5分間撹拌を続け、この混合物は僅かに曇った状
態になる。次にこれをさらに撹拌して20分以内で30
℃に冷却する。
【0071】中程度の濃度(20.6重量%、約6.2
モル濃度)の塩酸244mlをこのようにしてつくられ
た混合物244mlに室温において5分以内で加える。
白色の沈澱が生じる。1時間放置して沈澱を完了させた
後、硝酸セルロースのフィルターで沈澱を濾過し、何回
かに分け全部で900mの上記塩酸を用いて洗滌する。
モル濃度)の塩酸244mlをこのようにしてつくられ
た混合物244mlに室温において5分以内で加える。
白色の沈澱が生じる。1時間放置して沈澱を完了させた
後、硝酸セルロースのフィルターで沈澱を濾過し、何回
かに分け全部で900mの上記塩酸を用いて洗滌する。
【0072】34.5重量%のTiO2(理論値の55
%に対応)、14.7重量%のHCl、2.7重量%の
SO4 2-および170ppmのFeを含む白色のペース
ト32.5gを得た。
%に対応)、14.7重量%のHCl、2.7重量%の
SO4 2-および170ppmのFeを含む白色のペース
ト32.5gを得た。
【0073】このペースト10.8gを蒸溜水32.1
gに溶解する。この「溶液」は約8.3重量%のTiO
2および3.6重量%のHClを含み、実質的に透明で
ある。
gに溶解する。この「溶液」は約8.3重量%のTiO
2および3.6重量%のHClを含み、実質的に透明で
ある。
【0074】このTiO2ナノ粒子は超遠心分離法(溶
媒水/HCl)で測定した直径が4.5nmであり、安
定化させるためにTiO2に関して50重量%のHCl
を含んでいる。
媒水/HCl)で測定した直径が4.5nmであり、安
定化させるためにTiO2に関して50重量%のHCl
を含んでいる。
【0075】使用したポリビニルアルコールはNovi
ol 8−88(HoechstAG製)である。
ol 8−88(HoechstAG製)である。
【0076】(C)本発明の中間層を含むエレクトロル
ミネッセンス配置の製造 水中に8重量%のTiO2ナノ粒子を含む溶液(実施例
Bに対応)1重量部、および水中に2.5重量%のMo
violを含む溶液2重量部を含有する溶液をつくる。
ミネッセンス配置の製造 水中に8重量%のTiO2ナノ粒子を含む溶液(実施例
Bに対応)1重量部、および水中に2.5重量%のMo
violを含む溶液2重量部を含有する溶液をつくる。
【0077】この溶液を濾過する(Satrtoriu
s製0.2μmフィルター)。濾過した溶液をMEH−
PPVフィルムに被覆し、3000rpmのラッカー遠
心分離機で分布させる。この2層構造物の乾燥した全体
としての厚さは159nmである。表面の粗さは8nm
である(Tencor Inst.製スタイラス・プロ
フィロメーターAlpha−Step200で測定)。
s製0.2μmフィルター)。濾過した溶液をMEH−
PPVフィルムに被覆し、3000rpmのラッカー遠
心分離機で分布させる。この2層構造物の乾燥した全体
としての厚さは159nmである。表面の粗さは8nm
である(Tencor Inst.製スタイラス・プロ
フィロメーターAlpha−Step200で測定)。
【0078】次にこの方法でつくられた二重層システム
にAl電極を用いて蒸着を行う。この目的のために穿孔
されたマスクを用い、TiO2/Moviol表面の上
に直径3mmの孤立したAlの点を蒸着させる。蒸着
中、蒸着装置(Leybold製)の中の圧力は主とし
て10-5ミリバールより低い。
にAl電極を用いて蒸着を行う。この目的のために穿孔
されたマスクを用い、TiO2/Moviol表面の上
に直径3mmの孤立したAlの点を蒸着させる。蒸着
中、蒸着装置(Leybold製)の中の圧力は主とし
て10-5ミリバールより低い。
【0079】ITO層とAl電極とは電力供給ラインに
より電源に連結されている。電圧が上昇すると、電流は
二重層を通じて流れる。5Vの電圧からエレクトロルミ
ネッセンスが検出される。エレクトロルミネッセンスの
色は黄赤色である。
より電源に連結されている。電圧が上昇すると、電流は
二重層を通じて流れる。5Vの電圧からエレクトロルミ
ネッセンスが検出される。エレクトロルミネッセンスの
色は黄赤色である。
【0080】TiO2/Moviol中間層をもったエ
レクトロルミネッセンス配置のエレクトロルミネッセン
ス強度は、同じ電流の場合、TiO2/Moviol中
間層をもたないシステム(実施例Cと同等ではあるが中
間層をもたないもの)に比べ明らかに高い。20Vにお
いては両方のエレクトロルミネッセンス配置のエレクト
ロルミネッセンス強度は10cd/m2である。しかし
TiO2/Moviol中間層を有するものでは0.5
mAの電流が流れるに過ぎないが、TiO2/Movi
ol中間層をもたないものでは20Vにおいて30mA
の電流が流れる。中間層がMoviolだけの場合に
は、電流は流れず、エレクトロルミネッセンスも検出さ
れない。
レクトロルミネッセンス配置のエレクトロルミネッセン
ス強度は、同じ電流の場合、TiO2/Moviol中
間層をもたないシステム(実施例Cと同等ではあるが中
間層をもたないもの)に比べ明らかに高い。20Vにお
いては両方のエレクトロルミネッセンス配置のエレクト
ロルミネッセンス強度は10cd/m2である。しかし
TiO2/Moviol中間層を有するものでは0.5
mAの電流が流れるに過ぎないが、TiO2/Movi
ol中間層をもたないものでは20Vにおいて30mA
の電流が流れる。中間層がMoviolだけの場合に
は、電流は流れず、エレクトロルミネッセンスも検出さ
れない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カイ・ビユテイエ ドイツ47229ドウイスブルク・ライヒスシ ユトラーセ6
Claims (9)
- 【請求項1】 重合体接合剤中に分散した微粉末の無機
粒子(ナノ粒子)を含むことを特徴とするエレクトロル
ミネッセンス配置の中間層。 - 【請求項2】 無機粒子として金属酸化物、または周期
率表の第IIIおよび第V主族の半導体化合物(III
−V半導体)、または周期率表の第IIおよび第VI主
族半導体化合物(II−VI半導体)を含むことを特徴
とする請求項1記載の中間層。 - 【請求項3】 無機粒子としてTiO2、SnO2、Zn
O、WO3、Al2O3、Fe2O3、GaP、AlN、Z
nSe、CdSeまたはCdSを含むことを特徴とする
請求項2記載の中間層。 - 【請求項4】 無機粒子として二酸化チタンを含むこと
を特徴とする請求項1記載の中間層。 - 【請求項5】 重合体接合剤中の無機粒子の濃度は(中
間層全体に関し)0.1〜90重量%であることを特徴
とする請求項1記載の中間層。 - 【請求項6】 半導体材料の無機粒子のバンドギャップ
は少なくとも1電子ボルトであることを特徴とする請求
項1記載の中間層。 - 【請求項7】 エレクトロルミネッセンス配置の中間層
を製造するための重合体接合剤中に分散された微粉末無
機粒子の使用。 - 【請求項8】 請求項1記載の中間層を1枚またはそれ
以上含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス配
置。 - 【請求項9】 発光ディスプレーを製造するための請求
項8記載のエレクトロルミネッセンス配置の利用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19543205A DE19543205A1 (de) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel |
| DE19543205.3 | 1995-11-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148071A true JPH09148071A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=7777910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8322123A Pending JPH09148071A (ja) | 1995-11-20 | 1996-11-19 | 微粉末無機粒子を含むエレクトロルミネツセンス配置の中間層 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5917279A (ja) |
| EP (1) | EP0777279A2 (ja) |
| JP (1) | JPH09148071A (ja) |
| KR (1) | KR970032291A (ja) |
| CA (1) | CA2190803A1 (ja) |
| DE (1) | DE19543205A1 (ja) |
| TW (1) | TW362335B (ja) |
Cited By (16)
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| EP0777279A2 (de) | 1997-06-04 |
| CA2190803A1 (en) | 1997-05-21 |
| DE19543205A1 (de) | 1997-05-22 |
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