JPH09148192A - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09148192A JPH09148192A JP7309425A JP30942595A JPH09148192A JP H09148192 A JPH09148192 A JP H09148192A JP 7309425 A JP7309425 A JP 7309425A JP 30942595 A JP30942595 A JP 30942595A JP H09148192 A JPH09148192 A JP H09148192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- complex salt
- electrolyte
- isoquinoline
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 7
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 6
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002001 electrolyte material Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011833 salt mixture Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- VYRMQJVHGOCMIJ-UHFFFAOYSA-N CCOCC[N+]1=CC2=CC=CC=C2C=C1 Chemical compound CCOCC[N+]1=CC2=CC=CC=C2C=C1 VYRMQJVHGOCMIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QIPOHFUODFGVHI-UHFFFAOYSA-N 2-butylisoquinolin-2-ium Chemical compound C1=CC=CC2=C[N+](CCCC)=CC=C21 QIPOHFUODFGVHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 150000002537 isoquinolines Chemical group 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子に固体の電解質を含浸した固体電
解コンデンサにおいて、はんだ付け時の熱ストレスによ
って電解質が融解し、冷却再固化した後の電気伝導度が
低下するという問題を解決する。 【解決手段】 Ｎ位をｎ−ブチル基で置換したイソキノ
リンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル基で置換
したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物からなる電
解質を用いる。
回したコンデンサ素子に固体の電解質を含浸した固体電
解コンデンサにおいて、はんだ付け時の熱ストレスによ
って電解質が融解し、冷却再固化した後の電気伝導度が
低下するという問題を解決する。 【解決手段】 Ｎ位をｎ−ブチル基で置換したイソキノ
リンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル基で置換
したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物からなる電
解質を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体の電解質を用
いた固体電解コンデンサに関する。
いた固体電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】７，７，８，８−テトラシアノキノジメ
タンの錯塩（以下、ＴＣＮＱ錯塩と略す。）を電解質と
した固体電解コンデンサに関する技術は、特公平３−７
６５７３号等に開示されている。
タンの錯塩（以下、ＴＣＮＱ錯塩と略す。）を電解質と
した固体電解コンデンサに関する技術は、特公平３−７
６５７３号等に開示されている。
【０００３】Ｎ位をアルキル基で置換したイソキノリン
のＴＣＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウム
・ＴＣＮＱ2を用いた固体電解コンデンサは、寿命、温
度特性に加え、特に優れた高周波特性を有し、スイッチ
ング電源等に広く採用されている。
のＴＣＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウム
・ＴＣＮＱ2を用いた固体電解コンデンサは、寿命、温
度特性に加え、特に優れた高周波特性を有し、スイッチ
ング電源等に広く採用されている。
【０００４】近年、電子機器の小型化の必要性から、こ
の種のコンデンサにも表面実装部品(チップ部品)として
の対応が求められている。
の種のコンデンサにも表面実装部品(チップ部品)として
の対応が求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術による固体電解コンデンサは、リード端子が取り
付けられた陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子に融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ
錯塩を含浸し、前記コンデンサ素子を有底筒状のアルミ
ケースに収納し、該ケ−スの開口部をエポキシ樹脂にて
封止したものであったため、チップ部品として必須のは
んだ付け時の熱ストレス（例えば２３０℃×３０秒間）
が加わると電解質としてのＴＣＮＱ錯塩が融解し、該融
解ＴＣＮＱ錯塩が封口樹脂とケ−スとの間、あるいは封
口樹脂とリ−ド端子との間からしみ出すことがある。
来技術による固体電解コンデンサは、リード端子が取り
付けられた陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して巻
回したコンデンサ素子に融点が２３０℃以下のＴＣＮＱ
錯塩を含浸し、前記コンデンサ素子を有底筒状のアルミ
ケースに収納し、該ケ−スの開口部をエポキシ樹脂にて
封止したものであったため、チップ部品として必須のは
んだ付け時の熱ストレス（例えば２３０℃×３０秒間）
が加わると電解質としてのＴＣＮＱ錯塩が融解し、該融
解ＴＣＮＱ錯塩が封口樹脂とケ−スとの間、あるいは封
口樹脂とリ−ド端子との間からしみ出すことがある。
【０００６】また、前記はんだ付け時の熱ストレスによ
り融解したＴＣＮＱ錯塩は、融解している時間、あるい
は融点直下の温度に保たれている時間が長くなると、冷
却再固化した後の電気伝導度が低下し、該ＴＣＮＱ錯塩
を電解質としたコンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）が
極端に大きくなることがある。
り融解したＴＣＮＱ錯塩は、融解している時間、あるい
は融点直下の温度に保たれている時間が長くなると、冷
却再固化した後の電気伝導度が低下し、該ＴＣＮＱ錯塩
を電解質としたコンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）が
極端に大きくなることがある。
【０００７】本発明は、耐熱性が要求される表面実装用
の固体電解コンデンサにおける上述の如き問題点を解決
するものである。
の固体電解コンデンサにおける上述の如き問題点を解決
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサは、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して
巻回したコンデンサ素子に固体の電解質を含浸し、有底
筒状のケースに収納した固体電解コンデンサにおいて、
前記電解質が、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換したイソキノ
リンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル基で置換
したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物からなるこ
とを特徴とするものであり、さらに好ましくは、前記電
解質を含浸したコンデンサ素子の外側面と前記ケースの
内側面との間に中空部を設け、前記ケースの開口部をゴ
ム製の封口部材にて密封したことを特徴とするものであ
る。
ンデンサは、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介して
巻回したコンデンサ素子に固体の電解質を含浸し、有底
筒状のケースに収納した固体電解コンデンサにおいて、
前記電解質が、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換したイソキノ
リンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル基で置換
したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物からなるこ
とを特徴とするものであり、さらに好ましくは、前記電
解質を含浸したコンデンサ素子の外側面と前記ケースの
内側面との間に中空部を設け、前記ケースの開口部をゴ
ム製の封口部材にて密封したことを特徴とするものであ
る。
【０００９】また、本発明による固体電解コンデンサの
製造方法は、有底筒状の第１ケース内で融解液化させた
電解質材料中に陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介し
て巻回したコンデンサ素子を挿入浸漬して前記電解質材
料を前記コンデンサ素子に含浸する工程と、前記コンデ
ンサ素子を前記第１ケ−スから引き抜いて前記コンデン
サ素子に含浸した電解質材料を冷却固化する工程と、前
記コンデンサ素子を有底筒状の第２ケース内に収納して
該第２ケースの開口部をゴム製の封口部材にて密封する
工程とを備え、前記電解質材料として、Ｎ位をｎ−ブチ
ル基で置換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位を
エトキシエチル基で置換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯
塩との混合物を用いることを特徴とするものである。
製造方法は、有底筒状の第１ケース内で融解液化させた
電解質材料中に陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介し
て巻回したコンデンサ素子を挿入浸漬して前記電解質材
料を前記コンデンサ素子に含浸する工程と、前記コンデ
ンサ素子を前記第１ケ−スから引き抜いて前記コンデン
サ素子に含浸した電解質材料を冷却固化する工程と、前
記コンデンサ素子を有底筒状の第２ケース内に収納して
該第２ケースの開口部をゴム製の封口部材にて密封する
工程とを備え、前記電解質材料として、Ｎ位をｎ−ブチ
ル基で置換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位を
エトキシエチル基で置換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯
塩との混合物を用いることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。
明する。
【００１１】本発明実施例において用いられる固体電解
コンデンサの電解質は、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換した
イソキノリンのＴＣＮＱ錯塩（Ｎ−ｎ−ブチルイソキノ
リニウム・ＴＣＮＱ2）とＮ位をエトキシエチル基で置
換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩（Ｎ−エトキシエチ
ルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ2）とを混合したもので
あり、その混合比の例（実施例１〜５）を表１に示す。
コンデンサの電解質は、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換した
イソキノリンのＴＣＮＱ錯塩（Ｎ−ｎ−ブチルイソキノ
リニウム・ＴＣＮＱ2）とＮ位をエトキシエチル基で置
換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩（Ｎ−エトキシエチ
ルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ2）とを混合したもので
あり、その混合比の例（実施例１〜５）を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】そして、本発明実施例による固体電解コン
デンサの製造方法においては、前記表１に示した実施例
１〜５のＴＣＮＱ錯塩混合物を有底筒状のアルミケ−ス
（第１のケース）に適量充填し、該アルミニウムケース
を約３００℃に加熱してＴＣＮＱ錯塩混合物を融解液化
し、その中へ予熱しておいた巻回型のコンデンサ素子を
挿入浸漬し、コンデンサ素子にＴＣＮＱ錯塩混合物を含
浸する。
デンサの製造方法においては、前記表１に示した実施例
１〜５のＴＣＮＱ錯塩混合物を有底筒状のアルミケ−ス
（第１のケース）に適量充填し、該アルミニウムケース
を約３００℃に加熱してＴＣＮＱ錯塩混合物を融解液化
し、その中へ予熱しておいた巻回型のコンデンサ素子を
挿入浸漬し、コンデンサ素子にＴＣＮＱ錯塩混合物を含
浸する。
【００１４】前記巻回型のコンデンサ素子とは、弁作用
を有するアルミニウム等の金属からなる箔にエッチング
処理及び化成処理を施した陽極箔と、これに対向する陰
極箔とをセパレータ紙を介して巻回したものである。
を有するアルミニウム等の金属からなる箔にエッチング
処理及び化成処理を施した陽極箔と、これに対向する陰
極箔とをセパレータ紙を介して巻回したものである。
【００１５】その後、コンデンサ素子をアルミケ−スか
ら引き抜いてコンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ錯塩混
合物を冷却固化し、該コンデンサ素子を別の有底筒状ア
ルミケ−ス（第２のケース）に収納し、該アルミケース
の開口部をゴム製の封口部材にて密封し、定格電圧、あ
るいはそれより少し高めの直流電圧を印加しながら約１
２０℃で１時間のエージング処理を施す。
ら引き抜いてコンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ錯塩混
合物を冷却固化し、該コンデンサ素子を別の有底筒状ア
ルミケ−ス（第２のケース）に収納し、該アルミケース
の開口部をゴム製の封口部材にて密封し、定格電圧、あ
るいはそれより少し高めの直流電圧を印加しながら約１
２０℃で１時間のエージング処理を施す。
【００１６】前記封口部材用のゴムとしては、外部から
の機械的ストレスがコンデンサ素子に伝わりにくくなる
ように、高硬度ゴム（例えば硬度８４程度のブチルゴ
ム）を使用することが望ましい。
の機械的ストレスがコンデンサ素子に伝わりにくくなる
ように、高硬度ゴム（例えば硬度８４程度のブチルゴ
ム）を使用することが望ましい。
【００１７】なお、ＴＣＮＱ錯塩混合物をアルミケ−ス
内で融解液化し、その中へコンデンサ素子を挿入浸漬し
てＴＣＮＱ錯塩混合物を含浸した後、前記特公平３−７
６５７３号等に開示された従来の製法に準じて、アルミ
ケースごと冷却してコンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ
錯塩混合物を冷却固化してもよいが、表面実装用に適し
たゴム封口の固体電解コンデンサとするためには、前述
の如く、ＴＣＮＱ錯塩混合物含浸後のコンデンサ素子を
第１のケースから引き抜いて冷却後、第２のケースに収
納するという製法を採用することが好ましい。
内で融解液化し、その中へコンデンサ素子を挿入浸漬し
てＴＣＮＱ錯塩混合物を含浸した後、前記特公平３−７
６５７３号等に開示された従来の製法に準じて、アルミ
ケースごと冷却してコンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ
錯塩混合物を冷却固化してもよいが、表面実装用に適し
たゴム封口の固体電解コンデンサとするためには、前述
の如く、ＴＣＮＱ錯塩混合物含浸後のコンデンサ素子を
第１のケースから引き抜いて冷却後、第２のケースに収
納するという製法を採用することが好ましい。
【００１８】また、ＴＣＮＱ錯塩混合物含浸後のコンデ
ンサ素子を第１のケースから引き抜いて冷却後、第２の
ケースに収納するという製法を採用すると、図１に示す
ように、ＴＣＮＱ錯塩混合物を含浸したコンデンサ素子
１の外側面と第２のケース２の内側面との間に中空部９
が形成され、表面実装はんだ付け時の熱ストレスによっ
てＴＣＮＱ錯塩混合物が再融解しても、前記中空部が融
解ＴＣＮＱ錯塩混合物の溜まり場となるため、該融解Ｔ
ＣＮＱ錯塩混合物が封口部材３とケ−ス２との間、ある
いは封口部材３とコンデンサ素子のリード端子１１との
間からしみ出しにくくなる。
ンサ素子を第１のケースから引き抜いて冷却後、第２の
ケースに収納するという製法を採用すると、図１に示す
ように、ＴＣＮＱ錯塩混合物を含浸したコンデンサ素子
１の外側面と第２のケース２の内側面との間に中空部９
が形成され、表面実装はんだ付け時の熱ストレスによっ
てＴＣＮＱ錯塩混合物が再融解しても、前記中空部が融
解ＴＣＮＱ錯塩混合物の溜まり場となるため、該融解Ｔ
ＣＮＱ錯塩混合物が封口部材３とケ−ス２との間、ある
いは封口部材３とコンデンサ素子のリード端子１１との
間からしみ出しにくくなる。
【００１９】ここで、前記表１に示した実施例１〜５の
ＴＣＮＱ錯塩混合物を電解質とした定格１０Ｖ−４．７
μＦの固体電解コンデンサについて、表面実装はんだ付
け時の熱ストレスを想定したリフロ−試験（ＶＰＳ装置
による２３０℃×３０秒間の熱ストレスの後、自然冷
却）を行い、その前後の静電容量（Ｃ）、損失角の正接
（ｔａｎδ）及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）を測定した。
その結果を表２に示す。、
ＴＣＮＱ錯塩混合物を電解質とした定格１０Ｖ−４．７
μＦの固体電解コンデンサについて、表面実装はんだ付
け時の熱ストレスを想定したリフロ−試験（ＶＰＳ装置
による２３０℃×３０秒間の熱ストレスの後、自然冷
却）を行い、その前後の静電容量（Ｃ）、損失角の正接
（ｔａｎδ）及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）を測定した。
その結果を表２に示す。、
【００２０】
【表２】
【００２１】表２には、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウ
ム・ＴＣＮＱ2のみを電解質として用いた点以外は前記
実施例１〜５と同様な仕様、製法にて作製した固体電解
コンデンサ（比較例１）及びＮ−エトキシエチルイソキ
ノリニウム・ＴＣＮＱ2のみを電解質として用いた点以
外は前記実施例１〜５と同様な仕様、製法にて作製した
固体電解コンデンサ（比較例２）についてのリフロー試
験の結果も併記している。
ム・ＴＣＮＱ2のみを電解質として用いた点以外は前記
実施例１〜５と同様な仕様、製法にて作製した固体電解
コンデンサ（比較例１）及びＮ−エトキシエチルイソキ
ノリニウム・ＴＣＮＱ2のみを電解質として用いた点以
外は前記実施例１〜５と同様な仕様、製法にて作製した
固体電解コンデンサ（比較例２）についてのリフロー試
験の結果も併記している。
【００２２】表２に示した特性値は、試料数各２０個に
ついての平均値であり、Ｃ及びｔａｎδは１２０Ｈｚ
で、ＥＳＲは１００ｋＨｚで測定したものである。ま
た、リフロー試験後の静電容量については、試験前の静
電容量値に対する変化率（ΔＣ／Ｃ）という形式で示し
ており、比較例１のリフロ−試験後の特性については、
ＥＳＲの値が極端に大きくなったものがあったため（全
試料数２０個の内、ＥＳＲの値が１〜５Ωにまで増大し
たものが４個）、平均値の記載を省略している。
ついての平均値であり、Ｃ及びｔａｎδは１２０Ｈｚ
で、ＥＳＲは１００ｋＨｚで測定したものである。ま
た、リフロー試験後の静電容量については、試験前の静
電容量値に対する変化率（ΔＣ／Ｃ）という形式で示し
ており、比較例１のリフロ−試験後の特性については、
ＥＳＲの値が極端に大きくなったものがあったため（全
試料数２０個の内、ＥＳＲの値が１〜５Ωにまで増大し
たものが４個）、平均値の記載を省略している。
【００２３】表２をみればわかるように、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ2とＮ−エトキシエチル
イソキノリニウム・ＴＣＮＱ2との混合物を電解質とし
た実施例１〜５においては、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱ2のみを電解質とした比較例１の場合
のようなリフロー試験によるＥＳＲの極大化現象が起こ
らず、Ｎ−エトキシエチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ
2のみを電解質とした比較例２と比べても、リフロー試
験によるＥＳＲの増大が抑制されている。
ルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ2とＮ−エトキシエチル
イソキノリニウム・ＴＣＮＱ2との混合物を電解質とし
た実施例１〜５においては、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリ
ニウム・ＴＣＮＱ2のみを電解質とした比較例１の場合
のようなリフロー試験によるＥＳＲの極大化現象が起こ
らず、Ｎ−エトキシエチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ
2のみを電解質とした比較例２と比べても、リフロー試
験によるＥＳＲの増大が抑制されている。
【００２４】なお、実施例１〜５を互いに比較すると、
リフロー試験後の諸特性に若干の差が認められるが、い
ずれも、実用上支障のない値である。
リフロー試験後の諸特性に若干の差が認められるが、い
ずれも、実用上支障のない値である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、表面実装のためのリフ
ローはんだ付け等による熱ストレスを経ても、特性が劣
化したり、外観不良が発生したりすることのない固体電
解コンデンサが提供される。
ローはんだ付け等による熱ストレスを経ても、特性が劣
化したり、外観不良が発生したりすることのない固体電
解コンデンサが提供される。
【図１】本発明実施例による固体電解コンデンサの断面
図である。
図である。
１ コンデンサ素子 １１ コンデンサ素子のリード端子 ２ 第２のケース ３ 封口部材 ９ 中空部
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を介し
て巻回したコンデンサ素子に固体の電解質を含浸し、有
底筒状のケースに収納した固体電解コンデンサにおい
て、 前記電解質が、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換したイソキノ
リンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル基で置換
したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物からなるこ
とを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記電解質を含浸したコンデンサ素子の
外側面と前記ケースの内側面との間に中空部を設け、 前記ケースの開口部をゴム製の封口部材にて密封したこ
とを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 有底筒状の第１ケース内で融解液化させ
た電解質材料中に、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ紙を
介して巻回したコンデンサ素子を挿入浸漬して、前記電
解質材料を前記コンデンサ素子に含浸する工程と、 前記コンデンサ素子を前記第１ケ−スから引き抜いて、
前記コンデンサ素子に含浸した電解質材料を冷却固化す
る工程と、 前記コンデンサ素子を有底筒状の第２ケース内に収納
し、該第２ケースの開口部をゴム製の封口部材にて密封
する工程とを備え、 前記電解質材料として、Ｎ位をｎ−ブチル基で置換した
イソキノリンのＴＣＮＱ錯塩と、Ｎ位をエトキシエチル
基で置換したイソキノリンのＴＣＮＱ錯塩との混合物を
用いることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30942595A JP3474986B2 (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30942595A JP3474986B2 (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148192A true JPH09148192A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3474986B2 JP3474986B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=17992859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30942595A Expired - Fee Related JP3474986B2 (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3474986B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165575A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Japan Carlit Co Ltd:The | 耐熱性電荷移動錯体 |
| JPH0327U (ja) * | 1989-05-18 | 1991-01-07 | ||
| JPH06260371A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP30942595A patent/JP3474986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165575A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Japan Carlit Co Ltd:The | 耐熱性電荷移動錯体 |
| JPH0327U (ja) * | 1989-05-18 | 1991-01-07 | ||
| JPH06260371A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3474986B2 (ja) | 2003-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5707407A (en) | Method of forming chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member | |
| JP3403103B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH07211596A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| KR100199321B1 (ko) | 유기 반도체 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| JP3474986B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3339511B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| US6801423B2 (en) | Capacitor element with thick cathode layer | |
| JP4066473B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| EP0285728B1 (en) | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same | |
| JPH08330190A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3296717B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH10289838A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH097901A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| KR970004277B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
| KR0154126B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JP3152572B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0992580A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2771767B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4566156B2 (ja) | 電解コンデンサ製造における電解液の含浸方法および含浸装置 | |
| JP2000114117A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JP2869145B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH097902A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH07249544A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070919 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |