JPH09148217A - 位置合わせ方法 - Google Patents
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- JPH09148217A JPH09148217A JP7299820A JP29982095A JPH09148217A JP H09148217 A JPH09148217 A JP H09148217A JP 7299820 A JP7299820 A JP 7299820A JP 29982095 A JP29982095 A JP 29982095A JP H09148217 A JPH09148217 A JP H09148217A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/975—Substrate or mask aligning feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レチクルパターン像の回転成分のオフセット
補正不良を解消し、スループットの高速化を図る。 【解決手段】 Ｓ１０１でウエハ上のショット領域に最
初のレチクルパターン像を露光し、Ｓ１０３でウエハ中
心に対して点対称の位置にあるチップの各ショット領域
中心にＬＳＡマークを形成する。Ｓ１０５〜１０９でウ
エハのプリアライメント、回転補正、ＬＳＡマークの位
置計測を行なう。Ｓ１１１で設計値と実測値とから最小
自乗法で誤差パラメータを求め、Ｓ１１３〜１１７で新
しいチップ配列マップを作成し、それに従って２番目以
降のレチクルパターンを露光する。
補正不良を解消し、スループットの高速化を図る。 【解決手段】 Ｓ１０１でウエハ上のショット領域に最
初のレチクルパターン像を露光し、Ｓ１０３でウエハ中
心に対して点対称の位置にあるチップの各ショット領域
中心にＬＳＡマークを形成する。Ｓ１０５〜１０９でウ
エハのプリアライメント、回転補正、ＬＳＡマークの位
置計測を行なう。Ｓ１１１で設計値と実測値とから最小
自乗法で誤差パラメータを求め、Ｓ１１３〜１１７で新
しいチップ配列マップを作成し、それに従って２番目以
降のレチクルパターンを露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置製
造プロセスにおいてウエハ上の各ショット領域に順次レ
チクルパターン像を露光装置で転写する際の位置合わせ
方法に関し、特に、アライメントマークを用いる位置合
わせ方法に関する。
造プロセスにおいてウエハ上の各ショット領域に順次レ
チクルパターン像を露光装置で転写する際の位置合わせ
方法に関し、特に、アライメントマークを用いる位置合
わせ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体記憶装置製造に用いら
れる露光装置として、ステッパと呼ばれる装置が知られ
ている。このステッパは、ウエハを投影レンズ下でステ
ップ移動させながら、レチクル上に形成されているパタ
ーン（レチクルパターン）を投影レンズで縮小して、１
枚のウエハ上の各ショット領域に順次露光していくもの
である。
れる露光装置として、ステッパと呼ばれる装置が知られ
ている。このステッパは、ウエハを投影レンズ下でステ
ップ移動させながら、レチクル上に形成されているパタ
ーン（レチクルパターン）を投影レンズで縮小して、１
枚のウエハ上の各ショット領域に順次露光していくもの
である。
【０００３】このステッパには、アライメント精度を向
上させるために、従来からさまざまな工夫がなされてき
た。このアライメント精度を向上させる従来の方法の一
例が特開昭６１−４４４２９号公報に開示されている。
上させるために、従来からさまざまな工夫がなされてき
た。このアライメント精度を向上させる従来の方法の一
例が特開昭６１−４４４２９号公報に開示されている。
【０００４】図５は、特開昭６１−４４４２９号公報に
開示されている従来の位置合わせ方法に用いられるエン
ハンスメント・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）法
の露光シーケンスを概略的に示すフローチャートであ
る。
開示されている従来の位置合わせ方法に用いられるエン
ハンスメント・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）法
の露光シーケンスを概略的に示すフローチャートであ
る。
【０００５】図５を参照して、ステップＳ４０１（以
下、ステップと略す）で、最初のレチクルパターンを、
ウエハ上の各ショット領域上に露光し、最初のレチクル
パターンの投影像（レチクルパターン像）を転写する。
これがチップの第１層目となる。そして、Ｓ４０３で、
アライメントマーク（ＬＳＡマーク）を、転写された最
初のレチクルパターン像の全ショット領域のうち予め選
択された所定のショット領域の領域端に形成する。
下、ステップと略す）で、最初のレチクルパターンを、
ウエハ上の各ショット領域上に露光し、最初のレチクル
パターンの投影像（レチクルパターン像）を転写する。
これがチップの第１層目となる。そして、Ｓ４０３で、
アライメントマーク（ＬＳＡマーク）を、転写された最
初のレチクルパターン像の全ショット領域のうち予め選
択された所定のショット領域の領域端に形成する。
【０００６】続いて、Ｓ４０５で、ウエハのオリエンテ
ーションフラット（ウエハの輪郭の直線部分）を用い
て、ウエハの原点設定（プリアライメント）を行なう。
すなわち、オリエンテーションフラットが、ウエハステ
ージ上で一定の方向に向くように粗く位置決めされ、ウ
エハホールド上に載置され、真空吸着される。その後、
Ｓ４０７で、各ショット領域に形成されたウエハグロー
バルアライメント（ＷＧＡ）マーク（図示せず）を用い
て、ウエハの全体の位置合わせ（グローバルアライメン
ト）が行なわれる。これは、露光装置に設けられた座標
軸を基準にＷＧＡマークを合わせることにより、ウエハ
の回転補正を行なうものである。これにより、ウエハ上
の複数のチップ（ショット領域）は、この直交する座標
に沿って、マトリックス状に配列された状態となる。
ーションフラット（ウエハの輪郭の直線部分）を用い
て、ウエハの原点設定（プリアライメント）を行なう。
すなわち、オリエンテーションフラットが、ウエハステ
ージ上で一定の方向に向くように粗く位置決めされ、ウ
エハホールド上に載置され、真空吸着される。その後、
Ｓ４０７で、各ショット領域に形成されたウエハグロー
バルアライメント（ＷＧＡ）マーク（図示せず）を用い
て、ウエハの全体の位置合わせ（グローバルアライメン
ト）が行なわれる。これは、露光装置に設けられた座標
軸を基準にＷＧＡマークを合わせることにより、ウエハ
の回転補正を行なうものである。これにより、ウエハ上
の複数のチップ（ショット領域）は、この直交する座標
に沿って、マトリックス状に配列された状態となる。
【０００７】Ｓ４０９で、ウエハが載置されているウエ
ハステージを設計上のチップの配列を表わす配列座標
（チップ配列マップ）に基づいて移動させ、レーザステ
ップアライメント（ＬＳＡ）光学系により誤差検出用と
して予め設定された複数のショット領域の各ショット領
域端に形成されたアライメントマーク（ＬＳＡマーク）
の位置を計測する。それと同時に、レーザ干渉計によっ
てウエハステージの位置を計測する。そして、これらの
計測値を基に、既に転写されたウエハ上の最初のレチク
ルパターン像とチップ配列マップとのずれ、すなわち、
これから転写される２番目以降のレチクルパターン像と
の位置の誤差（ずれ）を検出する。そして、検出された
上記各ショット領域における位置合わせの誤差（ずれ）
のウエハステージ上の位置座標（最初のレチクルパター
ン像の座標）からの偏差を求める。Ｓ４１１で、Ｓ４０
９で求められた偏差の平均値を補正値（誤差パラメー
タ）として算出する。Ｓ４１３で、この誤差パラメータ
と設計上のチップの配列座標とから、各ショット領域
（最初のレチクルパターン像）の回転、直交、オフセッ
ト、およびスケーリング補正された新しいチップ配列マ
ップを作成する。そして、Ｓ４１５で、この補正された
新しいチップ配列マップに従って、ステップアンドリピ
ート方式によりウエハステージの移動を行ない、Ｓ４１
７で、２番目（２層目）以降の各レチクルパターンを露
光する。
ハステージを設計上のチップの配列を表わす配列座標
（チップ配列マップ）に基づいて移動させ、レーザステ
ップアライメント（ＬＳＡ）光学系により誤差検出用と
して予め設定された複数のショット領域の各ショット領
域端に形成されたアライメントマーク（ＬＳＡマーク）
の位置を計測する。それと同時に、レーザ干渉計によっ
てウエハステージの位置を計測する。そして、これらの
計測値を基に、既に転写されたウエハ上の最初のレチク
ルパターン像とチップ配列マップとのずれ、すなわち、
これから転写される２番目以降のレチクルパターン像と
の位置の誤差（ずれ）を検出する。そして、検出された
上記各ショット領域における位置合わせの誤差（ずれ）
のウエハステージ上の位置座標（最初のレチクルパター
ン像の座標）からの偏差を求める。Ｓ４１１で、Ｓ４０
９で求められた偏差の平均値を補正値（誤差パラメー
タ）として算出する。Ｓ４１３で、この誤差パラメータ
と設計上のチップの配列座標とから、各ショット領域
（最初のレチクルパターン像）の回転、直交、オフセッ
ト、およびスケーリング補正された新しいチップ配列マ
ップを作成する。そして、Ｓ４１５で、この補正された
新しいチップ配列マップに従って、ステップアンドリピ
ート方式によりウエハステージの移動を行ない、Ｓ４１
７で、２番目（２層目）以降の各レチクルパターンを露
光する。
【０００８】以上のようにして、オフセット補正、回転
補正、直交度補正、スケーリング補正による６つの補正
値（誤差パラメータ）を用いて、より精度よく重ね合わ
されたパターン像を得ることが可能となる。
補正、直交度補正、スケーリング補正による６つの補正
値（誤差パラメータ）を用いて、より精度よく重ね合わ
されたパターン像を得ることが可能となる。
【０００９】特開平６−３４９７０５号公報に開示され
ている位置合わせ方法は、上記４つの補正値（誤差パラ
メータ）に、レチクルパターン像自身の回転（チップロ
ーテーション）や線形伸縮（チップスケーリング）、さ
らにレンズのディストーション（歪曲収差）などによっ
て生じるチップの直交度の歪みによるパターン像内のず
れを補正するための６つの補正値を加えた、１０の補正
値（誤差パラメータ）を用いる方法であって、ショット
領域の中心に対して点対称に形成された４つ（複数）の
ＬＳＡマークの位置を実際に計測して、その位置座標
と、設計上の配列座標位置とのずれを求め、ＥＯＡ演算
により補正値（誤差パラメータ）を求めて、この結果に
基づいてパターン像の位置合わせを行なっている。
ている位置合わせ方法は、上記４つの補正値（誤差パラ
メータ）に、レチクルパターン像自身の回転（チップロ
ーテーション）や線形伸縮（チップスケーリング）、さ
らにレンズのディストーション（歪曲収差）などによっ
て生じるチップの直交度の歪みによるパターン像内のず
れを補正するための６つの補正値を加えた、１０の補正
値（誤差パラメータ）を用いる方法であって、ショット
領域の中心に対して点対称に形成された４つ（複数）の
ＬＳＡマークの位置を実際に計測して、その位置座標
と、設計上の配列座標位置とのずれを求め、ＥＯＡ演算
により補正値（誤差パラメータ）を求めて、この結果に
基づいてパターン像の位置合わせを行なっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−３４９７０５号公報の位置合わせ方法のように、各
ショット領域にＬＳＡマークが複数あると、それらすべ
てのＬＳＡマークの位置を計測するのに時間がかかって
しまい、スループットを低下させるという問題点があっ
た。
６−３４９７０５号公報の位置合わせ方法のように、各
ショット領域にＬＳＡマークが複数あると、それらすべ
てのＬＳＡマークの位置を計測するのに時間がかかって
しまい、スループットを低下させるという問題点があっ
た。
【００１１】図６は、特開昭６１−４４４２９号公報の
従来の位置合わせ方法に用いられているショット領域の
中心にＬＳＡマークＡＭを形成した場合の最初のレチク
ルパターン像の設計上の配列座標と実際に計測された位
置座標との誤差（ずれ）の検出の様子を示す図である。
従来の位置合わせ方法に用いられているショット領域の
中心にＬＳＡマークＡＭを形成した場合の最初のレチク
ルパターン像の設計上の配列座標と実際に計測された位
置座標との誤差（ずれ）の検出の様子を示す図である。
【００１２】図６（ａ）を参照して、アライメントマー
クＡＭは、最初のレチクルパターン像のショット領域５
０１の端に形成されている。
クＡＭは、最初のレチクルパターン像のショット領域５
０１の端に形成されている。
【００１３】図６（ｂ）を参照して、たとえば、最初の
レチクルパターン像５０３の実測位置座標が、本来の設
計上の位置座標より、ｘ方向にａだけずれており、さら
に回転量θを含んでいるものとする。
レチクルパターン像５０３の実測位置座標が、本来の設
計上の位置座標より、ｘ方向にａだけずれており、さら
に回転量θを含んでいるものとする。
【００１４】ここで、最初のレチクルパターン像のショ
ット領域５０３上に形成されているＬＳＡマークＡＭの
位置座標を計測すると、ｘ方向にΔｘ＝（ａ＋ｄｓｉｎ
θ）、ｙ方向にΔｙ＝（ａ＋ｄｔａｎθ）＊ｓｉｎθず
れていることがわかる。
ット領域５０３上に形成されているＬＳＡマークＡＭの
位置座標を計測すると、ｘ方向にΔｘ＝（ａ＋ｄｓｉｎ
θ）、ｙ方向にΔｙ＝（ａ＋ｄｔａｎθ）＊ｓｉｎθず
れていることがわかる。
【００１５】この最初のレチクルパターン像のショット
領域５０３の回転による回転誤差を、ウエハのオフセッ
ト補正により補正してしまった場合、第３，４象限Ｔ１
における最初のレチクルパターン像のショット領域に対
する２番目以降のレチクルパターン像のショット領域５
０５のずれは小さくなるが、ＬＳＡマークＡＭが設けら
れた側とは反対の第１，２象限Ｔ２におけるそのずれ
は、第３，４象限Ｔ１におけるずれに比べて大きくな
る。
領域５０３の回転による回転誤差を、ウエハのオフセッ
ト補正により補正してしまった場合、第３，４象限Ｔ１
における最初のレチクルパターン像のショット領域に対
する２番目以降のレチクルパターン像のショット領域５
０５のずれは小さくなるが、ＬＳＡマークＡＭが設けら
れた側とは反対の第１，２象限Ｔ２におけるそのずれ
は、第３，４象限Ｔ１におけるずれに比べて大きくな
る。
【００１６】すなわち、第１，２象限Ｔ２における最初
のレチクルパターン像のショット領域のｘ方向のずれ
は、Δｘ＝（ａｃｏｓθ−ｄｓｉｎθ）であるのに対
し、２番目以降のレチクルパターン像のショット領域の
ｘ方向のオフセット補正値は（ａｃｏｓθ＋ｄｓｉｎ
θ）であって、その差（ａｃｏｓθ−ｄｓｉｎθ）−
（ａｃｏｓθ＋ｄｓｉｎθ）＝−２ｄｓｉｎθは、明ら
かに最初のレチクルパターン像の回転成分の補正不良に
よるものである。
のレチクルパターン像のショット領域のｘ方向のずれ
は、Δｘ＝（ａｃｏｓθ−ｄｓｉｎθ）であるのに対
し、２番目以降のレチクルパターン像のショット領域の
ｘ方向のオフセット補正値は（ａｃｏｓθ＋ｄｓｉｎ
θ）であって、その差（ａｃｏｓθ−ｄｓｉｎθ）−
（ａｃｏｓθ＋ｄｓｉｎθ）＝−２ｄｓｉｎθは、明ら
かに最初のレチクルパターン像の回転成分の補正不良に
よるものである。
【００１７】図６（ｃ）を参照して、たとえば、最初の
レチクルパターン像のショット領域が全体的に線形伸縮
し、特に第３，４象限Ｔ１の部分が−ｙ方向にｂ伸びた
とする。ここで、最初のレチクルパターン像のショット
領域５０７上に形成されているＬＳＡマークＡＭの位置
座標を計測すると、この例の場合ＬＳＡマークＡＭは第
３，４象限Ｔ１にあるため、ｙ方向に−ｂずれているこ
とがわかる。
レチクルパターン像のショット領域が全体的に線形伸縮
し、特に第３，４象限Ｔ１の部分が−ｙ方向にｂ伸びた
とする。ここで、最初のレチクルパターン像のショット
領域５０７上に形成されているＬＳＡマークＡＭの位置
座標を計測すると、この例の場合ＬＳＡマークＡＭは第
３，４象限Ｔ１にあるため、ｙ方向に−ｂずれているこ
とがわかる。
【００１８】この最初のレチクルパターン像のショット
領域５０７の第３，４象限Ｔ１におけるパターンの伸び
を、ウエハのオフセット補正により補正してしまった場
合、第３，４象限Ｔ１における最初のレチクルパターン
像のショット領域５０７に対する２番目以降のレチクル
パターン像のショット領域５０９のずれは小さくなる
が、第１，２象限Ｔ２において最初のレチクルパターン
像のショット領域５０７に対する２番目以降のレチクル
パターン像のショット領域５０９のずれが新たに生じて
しまう。
領域５０７の第３，４象限Ｔ１におけるパターンの伸び
を、ウエハのオフセット補正により補正してしまった場
合、第３，４象限Ｔ１における最初のレチクルパターン
像のショット領域５０７に対する２番目以降のレチクル
パターン像のショット領域５０９のずれは小さくなる
が、第１，２象限Ｔ２において最初のレチクルパターン
像のショット領域５０７に対する２番目以降のレチクル
パターン像のショット領域５０９のずれが新たに生じて
しまう。
【００１９】すなわち、第１，２象限Ｔ２における最初
のレチクルパターン像のショット領域５０９に対する２
番目以降のレチクルパターン像のショット領域５０９の
ｙ方向の補正値−ｂはそのまま誤差となり、これは明ら
かにパターンのｙ方向の伸縮成分の補正不良によるもの
である。
のレチクルパターン像のショット領域５０９に対する２
番目以降のレチクルパターン像のショット領域５０９の
ｙ方向の補正値−ｂはそのまま誤差となり、これは明ら
かにパターンのｙ方向の伸縮成分の補正不良によるもの
である。
【００２０】このように、最初のレチクルパターン像に
回転成分や伸縮成分が含まれていた場合、ショット領域
の端に形成されたアライメントマークを基に２番目以降
のレチクルパターンを露光すると、アライメントマーク
が形成された領域と反対側の領域において、最初のレチ
クルパターン像のショット領域に対して２番目以降のレ
チクルパターン像のショット領域は大きなずれを生じ、
補正不良が起こるという問題点があった。
回転成分や伸縮成分が含まれていた場合、ショット領域
の端に形成されたアライメントマークを基に２番目以降
のレチクルパターンを露光すると、アライメントマーク
が形成された領域と反対側の領域において、最初のレチ
クルパターン像のショット領域に対して２番目以降のレ
チクルパターン像のショット領域は大きなずれを生じ、
補正不良が起こるという問題点があった。
【００２１】本発明の位置合わせ方法は、以上のような
問題点を解決するためになされたものであり、最初のレ
チクルパターン像の回転や伸縮の補正時に発生するオフ
セット補正の補正不良を解消し、加えて、スループット
の高速化を図ることを目的とする。
問題点を解決するためになされたものであり、最初のレ
チクルパターン像の回転や伸縮の補正時に発生するオフ
セット補正の補正不良を解消し、加えて、スループット
の高速化を図ることを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る位置合わ
せ方法は、予め設定された配列座標に従って、ウエハ上
の複数のショット領域の各々に複数のレチクルパターン
を順次露光するときの位置合わせ方法であって、複数の
ショット領域の各々に、最初の第１のレチクルパターン
を露光することにより、複数のショット領域に第１のレ
チクルパターンの投影像を転写するステップと、複数の
ショット領域のうち、所定のショット領域の中心にアラ
イメントマークを形成するステップと、予め設定された
配列座標により表わされたショット領域の中心と重なる
べき点の位置と、形成されたアライメントマークの位置
との誤差を検出するステップと、検出された誤差を基
に、予め設定された配列座標を補正するステップとを設
けたものである。
せ方法は、予め設定された配列座標に従って、ウエハ上
の複数のショット領域の各々に複数のレチクルパターン
を順次露光するときの位置合わせ方法であって、複数の
ショット領域の各々に、最初の第１のレチクルパターン
を露光することにより、複数のショット領域に第１のレ
チクルパターンの投影像を転写するステップと、複数の
ショット領域のうち、所定のショット領域の中心にアラ
イメントマークを形成するステップと、予め設定された
配列座標により表わされたショット領域の中心と重なる
べき点の位置と、形成されたアライメントマークの位置
との誤差を検出するステップと、検出された誤差を基
に、予め設定された配列座標を補正するステップとを設
けたものである。
【００２３】請求項２に係る位置合わせ方法は、請求項
１の位置合わせ方法において、上記所定のショット領域
は、ウエハの中心に対して互いに点対称に配置されてい
る。
１の位置合わせ方法において、上記所定のショット領域
は、ウエハの中心に対して互いに点対称に配置されてい
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
位置合わせ方法を図面を参照しながら説明する。
位置合わせ方法を図面を参照しながら説明する。
【００２５】図１は、本発明の実施の形態による位置合
わせ方法の動作の一例を示すフローチャートである。
わせ方法の動作の一例を示すフローチャートである。
【００２６】図１を参照して、Ｓ１０１で、ウエハ上の
各ショット領域に、最初のレチクルパターンを露光し、
投影像（レチクルパターン像）を形成する。次に、Ｓ１
０３で、全ショット領域のうち、予め設定されたウエハ
の中心に対して点対称に配置された複数（たとえば１０
個）のショット領域の各々の中心に、レーザステップア
ライメントマーク（ＬＳＡマーク）を形成する。
各ショット領域に、最初のレチクルパターンを露光し、
投影像（レチクルパターン像）を形成する。次に、Ｓ１
０３で、全ショット領域のうち、予め設定されたウエハ
の中心に対して点対称に配置された複数（たとえば１０
個）のショット領域の各々の中心に、レーザステップア
ライメントマーク（ＬＳＡマーク）を形成する。
【００２７】図２は、図１のＳ１０３でＬＳＡマークが
形成されたショット領域のウエハ上での配置の一例を示
す配置図である。
形成されたショット領域のウエハ上での配置の一例を示
す配置図である。
【００２８】図２を参照して、ＬＳＡマークＡＭが形成
された各ショット領域ｓは、ウエハＷの中心Ｏに対し点
対称の位置にある。
された各ショット領域ｓは、ウエハＷの中心Ｏに対し点
対称の位置にある。
【００２９】Ｓ１０５以降は、図５に示した従来の位置
合わせ方法と同様に、エンハンスメント・グローバル・
アライメント（ＥＧＡ）方式の演算により、設計上のＬ
ＳＡマークの設計上の配列座標と、実際に計測されたＬ
ＳＡマークの位置座標との誤差（ずれ）を求め、最初の
レチクルパターン像のショット領域と２番目以降のレチ
クルパターン像のショット領域との位置合わせを行な
う。
合わせ方法と同様に、エンハンスメント・グローバル・
アライメント（ＥＧＡ）方式の演算により、設計上のＬ
ＳＡマークの設計上の配列座標と、実際に計測されたＬ
ＳＡマークの位置座標との誤差（ずれ）を求め、最初の
レチクルパターン像のショット領域と２番目以降のレチ
クルパターン像のショット領域との位置合わせを行な
う。
【００３０】すなわち、Ｓ１０５で、オリエンテーショ
ンフラットを用いてウエハのプリアライメントを行な
い、Ｓ１０７で、ＷＧＡマークを用いてウエハの回転補
正を行なう。そして、Ｓ１０９で、ウエハステージを設
計上のチップの配列座標（チップ配列マップ）に基づい
て移動させ、ＬＳＡ光学系によりＬＳＡマークの位置座
標を計測する。Ｓ１１１で、ＬＳＡマークの位置座標に
ついて、設計値（チップ配列マップ）に対する実際の計
測値のずれを求め、最小自乗法を用いてウエハの回転
（ウエハローテーション）、ウエハの線形伸縮（ウエハ
スケーリング）、ウエハの直交度、オフセット補正のた
めの誤差パラメータを決定する。
ンフラットを用いてウエハのプリアライメントを行な
い、Ｓ１０７で、ＷＧＡマークを用いてウエハの回転補
正を行なう。そして、Ｓ１０９で、ウエハステージを設
計上のチップの配列座標（チップ配列マップ）に基づい
て移動させ、ＬＳＡ光学系によりＬＳＡマークの位置座
標を計測する。Ｓ１１１で、ＬＳＡマークの位置座標に
ついて、設計値（チップ配列マップ）に対する実際の計
測値のずれを求め、最小自乗法を用いてウエハの回転
（ウエハローテーション）、ウエハの線形伸縮（ウエハ
スケーリング）、ウエハの直交度、オフセット補正のた
めの誤差パラメータを決定する。
【００３１】Ｓ１１３で、Ｓ１１１で決定された誤差パ
ラメータを用いてチップ配列マップを補正し、新しいチ
ップ配列マップを作成する。Ｓ１１５で、Ｓ１１３で作
成された新しいチップ配列マップに従って、ステップア
ンドリピート方式によりウエハステージを移動し、Ｓ１
１７で、２番目以降のレチクルパターンを各ショット領
域に露光し、最初のレチクルパターン像上に順次レチク
ルパターン像を重ねて形成する。
ラメータを用いてチップ配列マップを補正し、新しいチ
ップ配列マップを作成する。Ｓ１１５で、Ｓ１１３で作
成された新しいチップ配列マップに従って、ステップア
ンドリピート方式によりウエハステージを移動し、Ｓ１
１７で、２番目以降のレチクルパターンを各ショット領
域に露光し、最初のレチクルパターン像上に順次レチク
ルパターン像を重ねて形成する。
【００３２】図３は、本発明の実施の形態による位置合
わせ方法に用いられるショット領域の中心にＬＳＡマー
クＡＭを形成した場合のレチクルパターン像の設計上の
配列座標と実際に計測された位置座標との誤差（ずれ）
の検出の様子を示す図である。
わせ方法に用いられるショット領域の中心にＬＳＡマー
クＡＭを形成した場合のレチクルパターン像の設計上の
配列座標と実際に計測された位置座標との誤差（ずれ）
の検出の様子を示す図である。
【００３３】図３（ａ）を参照して、アライメントマー
クＡＭは、最初のレチクルパターン像のショット領域２
０１の中心に形成されている。
クＡＭは、最初のレチクルパターン像のショット領域２
０１の中心に形成されている。
【００３４】図３（ｂ）を参照して、露光により得られ
た最初のレチクルパターン像のショット領域２０３の実
際に計測された位置座標が、その設計上の配列座標に対
して、ショット領域の中心Ｏを中心としてθだけ回転し
ていたとする。このとき、ショット領域の中心Ｏに形成
されたＬＳＡマークＡＭの位置座標を、ショット領域の
中心Ｏを原点とすると、実際に計測された位置座標は
（ｘ′，ｙ′）＝（０，０）、設計上の配列座標は
（ｘ，ｙ）＝（０，０）で等しく、これらのずれをΔ
ｘ，Δｙで表わすと、Δｘ＝ｘ′−ｘ＝０，Δｙ＝ｙ′
−ｙ＝０である。
た最初のレチクルパターン像のショット領域２０３の実
際に計測された位置座標が、その設計上の配列座標に対
して、ショット領域の中心Ｏを中心としてθだけ回転し
ていたとする。このとき、ショット領域の中心Ｏに形成
されたＬＳＡマークＡＭの位置座標を、ショット領域の
中心Ｏを原点とすると、実際に計測された位置座標は
（ｘ′，ｙ′）＝（０，０）、設計上の配列座標は
（ｘ，ｙ）＝（０，０）で等しく、これらのずれをΔ
ｘ，Δｙで表わすと、Δｘ＝ｘ′−ｘ＝０，Δｙ＝ｙ′
−ｙ＝０である。
【００３５】したがって、最初のレチクルパターン像の
ショット領域２０３上に形成されたＬＳＡマークＡＭの
実際の計測位置座標が設計上の配列座標とずれを生じて
いないため、最初のレチクルパターン像のショット領域
２０３は設計どおりにショットされたものとみなされ、
２番目以降のレチクルパターン像のショット領域２０５
は、その設計上の配列座標どおり、最初のレチクルパタ
ーン像のショット領域２０３上に順次重ねて露光され
る。
ショット領域２０３上に形成されたＬＳＡマークＡＭの
実際の計測位置座標が設計上の配列座標とずれを生じて
いないため、最初のレチクルパターン像のショット領域
２０３は設計どおりにショットされたものとみなされ、
２番目以降のレチクルパターン像のショット領域２０５
は、その設計上の配列座標どおり、最初のレチクルパタ
ーン像のショット領域２０３上に順次重ねて露光され
る。
【００３６】その結果、２番目以降のレチクルパターン
像と、回転成分を有する最初のレチクルパターン像との
ずれは、第３，４象限Ｔ１と第１，２象限Ｔ２とに平均
して分配され、図６（ｂ）に示した従来例のように、補
正後にもかかわらず、ショット領域の片側にずれの影響
が偏って現われることがなくなる。すなわち、最初のレ
チクルパターン像自身の回転成分は、オフセット補正の
ための誤差パラメータに影響せず、従来のようなオフセ
ット補正による最初のレチクルパターン像自身の回転成
分の補正不良は解消される。
像と、回転成分を有する最初のレチクルパターン像との
ずれは、第３，４象限Ｔ１と第１，２象限Ｔ２とに平均
して分配され、図６（ｂ）に示した従来例のように、補
正後にもかかわらず、ショット領域の片側にずれの影響
が偏って現われることがなくなる。すなわち、最初のレ
チクルパターン像自身の回転成分は、オフセット補正の
ための誤差パラメータに影響せず、従来のようなオフセ
ット補正による最初のレチクルパターン像自身の回転成
分の補正不良は解消される。
【００３７】図３（ｃ）を参照して、たとえば、最初の
レチクルパターン像が全体的に線形伸縮し、特に第３，
４象限Ｔ１の部分が−ｙ方向にｂ伸びたとする。ここ
で、最初のレチクルパターン像のショット領域２０７の
中心部分は伸縮していないので、ＬＳＡマークＡＭの位
置座標を計測すると（ｘ′，ｙ′）＝（０，０）で、設
計上の配列座標（ｘ，ｙ）＝（０，０）に等しい。
レチクルパターン像が全体的に線形伸縮し、特に第３，
４象限Ｔ１の部分が−ｙ方向にｂ伸びたとする。ここ
で、最初のレチクルパターン像のショット領域２０７の
中心部分は伸縮していないので、ＬＳＡマークＡＭの位
置座標を計測すると（ｘ′，ｙ′）＝（０，０）で、設
計上の配列座標（ｘ，ｙ）＝（０，０）に等しい。
【００３８】したがって、最初のレチクルパターン像の
ショット領域２０７上に形成されたＬＳＡマークの実際
の計測位置座標は設計上の配列座標とずれを生じていな
いため、最初のレチクルパターン像は設計どおりにショ
ットされたものとみなされ、２番目以降のレチクルパタ
ーン像は、その設計上の配列座標どおり最初のレチクル
パターン像上に順次重ねて露光される。
ショット領域２０７上に形成されたＬＳＡマークの実際
の計測位置座標は設計上の配列座標とずれを生じていな
いため、最初のレチクルパターン像は設計どおりにショ
ットされたものとみなされ、２番目以降のレチクルパタ
ーン像は、その設計上の配列座標どおり最初のレチクル
パターン像上に順次重ねて露光される。
【００３９】その結果、２番目以降のレチクルパターン
像と、伸縮成分を有する最初のレチクルパターン像との
ずれは、図６（ｃ）に示した従来例のように、補正後に
もかかわらず、補正前よりずれの影響が大きくなること
がなくなる。すなわち、最初のレチクルパターン像自身
の伸縮成分は、オフセット補正のための誤差パラメータ
に影響せず、従来のようなオフセット補正による最初の
レチクルパターン像自身の伸縮成分の補正不良は解消さ
れる。
像と、伸縮成分を有する最初のレチクルパターン像との
ずれは、図６（ｃ）に示した従来例のように、補正後に
もかかわらず、補正前よりずれの影響が大きくなること
がなくなる。すなわち、最初のレチクルパターン像自身
の伸縮成分は、オフセット補正のための誤差パラメータ
に影響せず、従来のようなオフセット補正による最初の
レチクルパターン像自身の伸縮成分の補正不良は解消さ
れる。
【００４０】現在は、以前に比べ露光装置の性能が良く
なり、露光時のレチクルパターン像自身の回転や伸縮
は、たとえば、ウエハステージにヨーイング干渉計を搭
載し、レンズの倍率、レチクルの倍率、プロセスの倍率
をソフト補正することにより、数ｎｍのごく僅かな誤差
に追い込むことが可能となった。また、ヨーイング干渉
計による以外にも、ウエハの伸縮からレチクルパターン
像（ショット領域）の伸縮を推定することも可能であ
る。
なり、露光時のレチクルパターン像自身の回転や伸縮
は、たとえば、ウエハステージにヨーイング干渉計を搭
載し、レンズの倍率、レチクルの倍率、プロセスの倍率
をソフト補正することにより、数ｎｍのごく僅かな誤差
に追い込むことが可能となった。また、ヨーイング干渉
計による以外にも、ウエハの伸縮からレチクルパターン
像（ショット領域）の伸縮を推定することも可能であ
る。
【００４１】図４は、本発明の実施の形態による位置合
わせ方法において使用されるウエハの伸縮の推定方法の
例を示す図である。
わせ方法において使用されるウエハの伸縮の推定方法の
例を示す図である。
【００４２】図４を参照して、ウエハ上には、ウエハ中
心Ｏからｘ方向に４つのチップ（ショット領域）ｓが配
置されているとする。今、ウエハＷが、たとえば、ウエ
ハ中心Ｏを基準にして、ｘ方向にΔａの伸縮し、ウエハ
Ｗ′になったとする。１つのチップ（ショット領域）の
ｘ方向における伸縮をΔｂとすると、各チップ（ショッ
ト領域）ｓ間の間隔は狭いので無視すれば、Δａ≒４×
Δｂという近似式を用いて、チップ（ショット領域）の
ｘ方向における伸縮Δｂが求められる。つまり、Δａは
ウエハのスケーリング量なので、エンハンスト・グロー
バル・アライメント（ＥＧＡ）演算（詳細は、特開平６
−３４９７０号参照）により既知であるから、Δｂを求
めることができる。
心Ｏからｘ方向に４つのチップ（ショット領域）ｓが配
置されているとする。今、ウエハＷが、たとえば、ウエ
ハ中心Ｏを基準にして、ｘ方向にΔａの伸縮し、ウエハ
Ｗ′になったとする。１つのチップ（ショット領域）の
ｘ方向における伸縮をΔｂとすると、各チップ（ショッ
ト領域）ｓ間の間隔は狭いので無視すれば、Δａ≒４×
Δｂという近似式を用いて、チップ（ショット領域）の
ｘ方向における伸縮Δｂが求められる。つまり、Δａは
ウエハのスケーリング量なので、エンハンスト・グロー
バル・アライメント（ＥＧＡ）演算（詳細は、特開平６
−３４９７０号参照）により既知であるから、Δｂを求
めることができる。
【００４３】さらに、レチクル干渉計（レチクル側に設
けられたレーザ干渉計）を用いることで、最初のレチク
ルパターン像の回転を解消することもできる。
けられたレーザ干渉計）を用いることで、最初のレチク
ルパターン像の回転を解消することもできる。
【００４４】したがって、図３に示したレチクルパター
ン像の回転や伸縮は、実際は、以上のような露光装置の
機能により限りなく小さな値に抑えられているので、本
発明の位置合わせ方法のようにＬＳＡマークをショット
領域の中心に形成すれば、ＬＳＩ製造プロセスにおける
光リソグラフィ工程で使用するには十分な精度でパター
ンの位置合わせを行なうことができる。
ン像の回転や伸縮は、実際は、以上のような露光装置の
機能により限りなく小さな値に抑えられているので、本
発明の位置合わせ方法のようにＬＳＡマークをショット
領域の中心に形成すれば、ＬＳＩ製造プロセスにおける
光リソグラフィ工程で使用するには十分な精度でパター
ンの位置合わせを行なうことができる。
【００４５】スループットについては、たとえば、特開
平６−３４９７０５号公報に開示された位置合わせ方法
のように、ショット領域にＬＳＡマークが４つある場
合、スループットに要する時間は、ＬＳＡマーク１つの
ときのマーク位置計測時間が約５０分かかるとすると、
その４倍（４個分）の５０（分）×４（個）＝２００
（分）かかり、その他の動作時間、たとえば、ステージ
搬送や露光時間（パターンの枚数に依存する）に要する
約５０分を加えると、約２５０分である。
平６−３４９７０５号公報に開示された位置合わせ方法
のように、ショット領域にＬＳＡマークが４つある場
合、スループットに要する時間は、ＬＳＡマーク１つの
ときのマーク位置計測時間が約５０分かかるとすると、
その４倍（４個分）の５０（分）×４（個）＝２００
（分）かかり、その他の動作時間、たとえば、ステージ
搬送や露光時間（パターンの枚数に依存する）に要する
約５０分を加えると、約２５０分である。
【００４６】しかし、本発明のように、各ショット領域
の最初のレチクルパターン像上にＬＳＡマークが１つし
かない場合は、スループットに要する時間は、マーク位
置計測時間約５０分に、上記と同様のその他の動作時間
約５０分を加えた約１００分となって、スループットに
要する時間は短くなる。
の最初のレチクルパターン像上にＬＳＡマークが１つし
かない場合は、スループットに要する時間は、マーク位
置計測時間約５０分に、上記と同様のその他の動作時間
約５０分を加えた約１００分となって、スループットに
要する時間は短くなる。
【００４７】以上のようにして、本発明の位置合わせ方
法は、レチクルパターン像の回転や伸縮により発生する
ずれのオフセット補正による補正不良を解消し、スルー
プットの高速化を図ることが可能である。
法は、レチクルパターン像の回転や伸縮により発生する
ずれのオフセット補正による補正不良を解消し、スルー
プットの高速化を図ることが可能である。
【図１】 本発明の実施の形態による位置合わせ方法の
動作の一例を示すフローチャートである。
動作の一例を示すフローチャートである。
【図２】 図１のＳ１０３でＬＳＡマークが形成された
ショット領域のウエハ上での配置の一例を示す配置図で
ある。
ショット領域のウエハ上での配置の一例を示す配置図で
ある。
【図３】 本発明の実施の形態による位置合わせ方法に
用いられるショット領域の中心にＬＳＡマークＡＭを形
成した場合の最初のレチクルパターン像の設計上の配列
座標と実際に計測された位置座標との誤差（ずれ）の検
出の様子を示す図である。
用いられるショット領域の中心にＬＳＡマークＡＭを形
成した場合の最初のレチクルパターン像の設計上の配列
座標と実際に計測された位置座標との誤差（ずれ）の検
出の様子を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態による位置合わせ方法に
おいて、使用されるウエハの伸縮の推定方法の例を示す
図である。
おいて、使用されるウエハの伸縮の推定方法の例を示す
図である。
【図５】 従来の位置合わせ方法の動作の一例を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図６】 従来の位置合わせ方法に用いられているショ
ット領域の端にＬＳＡマークＡＭが形成された場合の最
初のレチクルパターン像の設計上の位置座標と実際に計
測された位置座標とのずれの検出の様子を示す図であ
る。
ット領域の端にＬＳＡマークＡＭが形成された場合の最
初のレチクルパターン像の設計上の位置座標と実際に計
測された位置座標とのずれの検出の様子を示す図であ
る。
ＡＭ レーザステップアライメント（ＬＳＡ）マーク、
θ 最初のレチクルパターン像の回転成分、２０１，２
０３，２０７ 最初のレチクルパターン像のショット領
域、２０５，２０９ ２番目以降のレチクルパターン像
のショット領域。
θ 最初のレチクルパターン像の回転成分、２０１，２
０３，２０７ 最初のレチクルパターン像のショット領
域、２０５，２０９ ２番目以降のレチクルパターン像
のショット領域。
Claims (2)
- 【請求項１】 予め設定された配列座標に従って、ウエ
ハ上の複数のショット領域の各々に複数のレチクルパタ
ーンを順次露光するときの位置合わせ方法であって、 前記複数のショット領域の各々に、最初の第１のレチク
ルパターンを露光することにより、前記複数のショット
領域に前記第１のレチクルパターンの投影像を転写する
ステップと、 前記複数のショット領域のうち、所定のショット領域の
中心にアライメントマークを形成するステップと、 前記予め設定された配列座標により表わされた前記ショ
ット領域の中心と重なるべき点の位置と、形成された前
記アライメントマークの位置との誤差を検出するステッ
プと、 検出された前記誤差を基に、前記予め設定された配列座
標を補正するステップと、を含む位置合わせ方法。 - 【請求項２】 前記所定のショット領域は、前記ウエハ
の中心に対して、互いに点対称に配置されている請求項
１に記載の位置合わせ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299820A JPH09148217A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 位置合わせ方法 |
| KR1019960053976A KR100194255B1 (ko) | 1995-11-17 | 1996-11-14 | 레티클 패턴 위치 맞춤 방법 |
| US08/746,952 US5792580A (en) | 1995-11-17 | 1996-11-18 | Method of aligning reticle pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299820A JPH09148217A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148217A true JPH09148217A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17877322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299820A Pending JPH09148217A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 位置合わせ方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5792580A (ja) |
| JP (1) | JPH09148217A (ja) |
| KR (1) | KR100194255B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373714B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-02-25 | 아남반도체 주식회사 | 스텝퍼의 얼라이먼트 방법 |
| KR100500939B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 위치에서의 자동 초점 조정/편평도 조정 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3350400B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2002-11-25 | シャープ株式会社 | 投影露光装置 |
| JPH11102851A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6407814B1 (en) * | 1997-09-26 | 2002-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for correcting alignment, method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| JP3169068B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2001-05-21 | 日本電気株式会社 | 電子線露光方法及び半導体ウエハ |
| US6043864A (en) * | 1999-03-08 | 2000-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Alignment method and apparatus using previous layer calculation data to solve critical alignment problems |
| US6269322B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for wafer alignment which mitigates effects of reticle rotation and magnification on overlay |
| JP3927353B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2007-06-06 | 株式会社日立製作所 | 比較検査における画像の位置合せ方法、比較検査方法及び比較検査装置 |
| US6482713B2 (en) * | 2000-08-01 | 2002-11-19 | Texas Instruments Incorporated | Shot averaging for fine pattern alignment with minimal throughput loss |
| US20020128773A1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-12 | Chowanic Andrea Bowes | Multiple navigation routes based on user preferences and real time parameters |
| GB0413827D0 (en) | 2004-06-21 | 2004-07-21 | Renishaw Plc | Scale reading apparatus |
| GB0428165D0 (en) * | 2004-12-23 | 2005-01-26 | Renishaw Plc | Position measurement |
| US7390681B1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-06-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Derived metric for monitoring die placement |
| US10127653B2 (en) * | 2014-07-22 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Determining coordinates for an area of interest on a specimen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669017B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JPS6144429A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| JP3289264B2 (ja) * | 1993-06-08 | 2002-06-04 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP7299820A patent/JPH09148217A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-14 KR KR1019960053976A patent/KR100194255B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-18 US US08/746,952 patent/US5792580A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500939B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 위치에서의 자동 초점 조정/편평도 조정 |
| KR100373714B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-02-25 | 아남반도체 주식회사 | 스텝퍼의 얼라이먼트 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100194255B1 (ko) | 1999-06-15 |
| KR970028864A (ko) | 1997-06-24 |
| US5792580A (en) | 1998-08-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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