JPH09148228A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットの向上を図るとともにマスクの
熱変形に起因する重ね合わせ精度の低下を防止する。 【解決手段】 レチクルＲのパターン領域ＰＡの透過率
に関連する物理量の情報（例えば、膨張率）を予め計測
して記憶装置３４に記憶しておき、主制御装置２０で
は、露光に使用するレチクルＲ上にバーコードで記録さ
れた識別情報をリーダ３０で読みとって、この識別情報
に対応するレチクルの膨張率の情報を記憶装置３４から
取り出し、この情報と測定された露光光の光量とに基づ
いてレチクルの膨張量を演算して倍率調整機構１８によ
り投影レンズＰＬの倍率を補正する。このため、レチク
ルＲの交換の度毎に透過率等を測定する必要がなく、そ
の分スループットが向上すると共に重ね合わせ精度や線
幅精度の低下が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置に係り、
更に詳しくは半導体集積回路や液晶表示基板の製造のた
めのフォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】フォトリソグラフィ工程では、マスク
（又はレチクル）の回路パターンを投影光学系を介して
感光基板上に転写露光する露光装置が用いられている。
従来、この種の露光装置においては、マスクのガラス部
分の透過率は十分高く、パターン部分の吸収も小さいこ
とから露光光を吸収することによるマスクの温度変化は
無視できるものとして扱っていた。

【０００３】その後、半導体の集積度アップによるパタ
ーンの微細化でマスクの膨張による寸法変化が相対的に
大きくなって来たことや、高スループットの追求に伴う
露光光のパワーアップによってマスクの温度変化自体が
大きくなり、もはや無視できるレベルではなくなってき
た。すなわち、マスクの熱膨張によりパターン領域が拡
張し、回路パターンを何層も重ね合わせて露光する場合
にマスクの熱変形により重ね合わせ精度が低下したり、
線幅精度が低下することが問題となってきた。

【０００４】このため、最近では、露光開始に先だっ
て、マスク交換の度毎に、マスクの透過率を計測し、こ
の計測結果を装置に入力し、装置内のコンピュータによ
りパターンの存在率及び熱膨張率を演算し、露光時にこ
の熱膨張率とマスクに対する照射光量とに基づいてマス
クの膨張量を演算し、この膨張の影響がキャンセルされ
るように、投影光学系の倍率を補正することがなされて
いる。

【０００５】一方、この種の装置においては、予め実験
等により、透過光量に対する投影光学系の結像面位置の
変化（フォーカス変化）や倍率の変動といった光学特性
（結像特性）の変化の関係を求め、所定の照射変動モデ
ル式（通常一時遅れ系が用いられる）における係数を決
定していた。また、マスクを露光装置にセットした状態
で、露光を開始するのに先だって、光源からマスクへ照
射される光量と投影光学系を透過する光量とをそれぞれ
測定し、その関係（両者の比）を求めていた。そして、
露光時には、光源からマスクへ照射される光量をモニタ
することによって前記の光源からマスクへ照射される光
量と投影光学系を透過する光量との関係に基づき投影光
学系に照射される光量（マスクを透過する光量）を算出
し、この光量を用いて上記照射変動モデル式に従って結
像特性（倍率等）の照射変動量を計算し、これを補正す
ることがなされていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術にあっては、マスクの熱変形に起因する重ね
合わせ精度の低下等を防止するため、マスクの交換の度
毎に透過率の計測等を行なっていたことから、透過率の
計測に時間が掛かり、その分スループットが低下すると
いう不都合があった。また、マスクの交換の度毎にこの
計測結果をオペレータが手作業にて入力していたことか
ら、入力ミスにより倍率誤差、重ね合わせ不良等を招く
おそれもあった。

【０００７】また、最近では解像力と焦点深度とを向上
させる観点から、マスク上の回路パターンの種類に応じ
て照明条件を変更することがなされているが、照明条件
を変更すると、光源からマスクに照射される光量と投影
光学系を透過する光量との関係が変化するため、マスク
の交換毎に最適な照明条件に合わせて、光源からマスク
に照射される光量と投影光学系を透過する光量との関係
を計測し直さなければならないという問題点があった。

【０００８】さらに、投影光学系の透過光量の計測のた
めには、露光フィールド全体をカバーするようなセンサ
が必要となるため、露光フィールドの拡大が進むにつれ
てセンサが大型化し、設置場所の確保が困難になるとと
もにセンサの面内の感度ばらつきが大きくなり計測精度
が低下するという不都合もあった。

【０００９】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、その目的は、スループットの
向上を図ることができるとともにマスクの熱変形に起因
する重ね合わせ精度の低下を防止することができる露光
装置を提供することにある。

【００１０】また、本発明の別の目的は、スループット
の向上を図ることができるとともに高精度に投影光学系
の結像特性を補正することができる露光装置を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、露光光によりマスクを照明し、マスクに形成された
パターンを投影光学系を介して感光基板上に転写露光す
る露光装置であって、前記マスクに照射される前記露光
光の光量を測定する光量測定器と；前記マスク上の一部
領域に設けられ、当該マスクの識別情報が記録された情
報記録部と；前記識別情報を読み取る読取手段と；予め
計測された複数のマスクのパターン領域の透過率に関連
する物理量の情報を少なくとも含む情報が記憶された記
憶手段と；前記投影光学系の結像特性を調整する結像特
性調整手段と；前記読取手段により読み取られた識別情
報に対応するマスクの情報を前記記憶手段から取り出
し、この取り出した情報と前記光量測定器によって測定
された光量とに基づいて当該マスクの膨張量を演算する
演算処理手段と；前記演算処理手段により演算された膨
張量に基づいてマスクの膨張に伴う倍率変動が補正され
るように前記結像特性調整手段を制御する制御手段とを
有する。

【００１２】これによれば、読取手段によってマスク上
の情報記録部に記録された識別情報が読み取られ、ま
た、光量測定器によってマスクに照射される露光光の光
量が測定される。演算処理手段では、読取手段により読
み取られた識別情報に対応するマスクの情報を記憶手段
から取り出し、この取り出した情報と光量測定器によっ
て測定された光量とに基づいて当該マスクの膨張量を演
算する。そして、制御手段では 演算処理手段により演
算された膨張量に基づいてマスクの膨張に伴う倍率変動
が補正されるように結像特性調整手段を制御する。これ
によって、結像特性調整手段によりマスクの膨張に伴う
倍率変動が補正される。

【００１３】このように本発明によれば、マスクのパタ
ーン領域の透過率に関連する物理量の情報を少なくとも
含む情報を予め計測して記憶しておき、露光時に露光に
使用するマスク上の情報記録部に記録された識別情報を
読みとって、この識別情報に対応するマスクのパターン
領域の透過率に関連する物理量の情報を記憶手段から取
り出し、この情報と測定された露光光の光量とに基づい
てマスクの膨張量を演算するようにしたことから、マス
クの交換の度毎に透過率等を測定する必要がなくなり、
その分スループットが向上すると共に、演算されたマス
クの膨張量に基づいてマスクの膨張に伴う倍率変動を補
正するようにしたことから、重ね合わせ精度や線幅精度
の低下が防止される。

【００１４】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の露光装置において、前記演算処理手段に代えて、前記
読取手段により読み取られた識別情報に対応するマスク
の情報を前記記憶手段から取り出し、この取り出した情
報と前記光量測定器によって測定された光量とに基づい
て前記投影光学系の結像特性の照射変動量を演算する第
２の演算処理手段が設けられ、前記制御手段に代えて、
前記第２の演算処理手段により演算された結像特性の照
射変動量が補正されるように前記結像特性調整手段を制
御する第２の制御手段が設けられたことを特徴とする。

【００１５】これによれば、第２の演算処理手段では、
読取手段により読み取られた識別情報に対応するマスク
の情報（透過率に関連する物理量の情報）を記憶手段か
ら取り出し、この取り出した情報と光量測定器によって
測定された光量とに基づいて前記投影光学系の結像特性
の照射変動量を演算する。そして、第２の制御手段で
は、演算処理手段により演算された結像特性の照射変動
量が補正されるように前記結像特性調整手段を制御す
る。これによって、結像特性調整手段により結像特性の
照射変動量が補正される。

【００１６】従って、請求項１に記載の発明と同様に、
マスクの交換の度毎に透過率等を測定する必要がなくな
り、その分スループットが向上すると共に、演算結果に
応じて結像特性の照射変動量を補正するようにしたこと
から、高精度に結像特性が補正される。また、透過率等
を予め測定していることから、この計測のためのセンサ
が不要になり、装置構成を簡略化することができる。

【００１７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の露光装置において、前記演算処理手段が、前記読取手
段により読み取られた識別情報に該当するマスクの情報
を前記記憶手段から取り出し、この取り出した情報と前
記光量測定器によって測定された光量とに基づいて当該
マスクの膨張量と前記投影光学系の結像特性の照射変動
量とを演算し、前記制御手段が、前記演算処理手段によ
り演算された膨張量と前記投影光学系の結像特性の照射
変動量とに基づいてマスクの膨張に伴う倍率変動と倍率
及びフォーカスの照射変動とが補正されるように前記結
像特性調整手段を制御することを特徴とする。

【００１８】これによれば、請求項１に記載の発明と同
様に、マスクの交換の度毎に透過率等を測定する必要が
なり、その分スループットが向上すると共に、演算され
たマスクの膨張量と投影光学系の結像特性の照射変動量
とに基づいてマスクの膨張に伴う倍率変動と倍率及びフ
ォーカスの照射変動とを補正するようにしたことから、
重ね合わせ精度や線幅精度の低下が防止されると共に高
精度に倍率及びフォーカスが補正される。

【００１９】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれか一項に記載の露光装置において、前記情報
記録部に予め計測された当該マスクのパターン領域の透
過率に関連する物理量の情報が記録されていることを特
徴とする。

【００２０】これによれば、読取手段によって情報記録
部に予め計測された当該マスクのパターン領域の透過率
に関連する物理量の情報を直接読み取ることができるの
で、記憶手段が不要となり、装置構成が簡略化される。
この場合、情報記録部は、マスク上の小面積の領域に多
くの情報を記録できることが望ましく、かかる点から情
報記録部を磁気記録媒体や、光磁気記録媒体等により構
成することが望ましい。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。

【００２２】図１には、一実施例に係るステップアンド
リピート方式の露光装置１０の構成が概略的に示されて
いる。この露光装置１０は、光源１２を含む照明系と、
マスクとしてのレチクルＲが載置されるレチクルステー
ジＲＳと、レチクルＲのパターン面ＰＡの回路パターン
を感光基板としてのウエハＷ上に所定の縮小倍率で投影
露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷが搭載されたウエ
ハステージ１４と、ウエハステージ１４の駆動系１６
と、投影光学系ＰＬの倍率を調整する倍率調整機構１８
と、駆動系１６、倍率調整機構１８等を始めとして装置
全体を統括的に制御する主制御装置２０とを備えてい
る。

【００２３】前記照明系は、水銀ランプから成る光源１
２と、楕円鏡２２、照明光学系２４とを備えている。照
明光学系２４は、図では単一のレンズ２６とビームスプ
リッタ２８とを含んで構成されているが、実際には、フ
ライアイレンズ、リレーレンズ、コンデンサレンズ等の
各種レンズを含み、図ではこれらのレンズがレンズ２６
で代表的に示されている。この他、不図示のシャッタ、
視野絞り、ブラインド等をも備えている。従って、光源
１２から発せられた露光光は楕円鏡２２で第二焦点に集
光された後、照明光学系２４を通る間に光束の一様化、
スペックルの低減化等が行なわれ、照明光としてレチク
ルＲのパターン領域ＰＡを照明する。

【００２４】ビームスプリッタ２８は、実際には、照明
光学系２６の内部、例えば、不図示のシャッタとフライ
アイレンズとの間に配置されており、このビームスプリ
ッタ２８によって取り出された一部の露光光の光量が光
量測定器としての光電検出器３２によって検出されるよ
うになっている。この光電検出器３２の検出値は、主制
御装置２０に入力され、後述するレチクルＲの膨張量、
投影光学系ＰＬの結像特性の変動量の算出の基礎とされ
る。

【００２５】レチクルステージＲＳは、不図示の駆動系
により水平面内で微動可能に構成され、このレチクルス
テージＲＳ上に、レチクルＲが保持されている。レチク
ルＲのパターン面ＰＡには、回路パターンが描画されて
おり、また、このレチクルＲのパターン面ＰＡと反対側
の面のパターン領域外には、図示しない当該レチクルＲ
の識別情報が記録された情報記録部、例えばバーコード
が設けられている。

【００２６】これに対応してレチクルＲの搬送路上に
は、前記識別情報を読み取る読取手段としてのバーコー
ドリーダ３０が配置されており、レチクルＲが不図示の
レチクルカセットから矢印Ａで示されるようにレチクル
ステージＲＳ上に搬送される間に、バーコードリーダ３
０によってレチクルＲ上に設けられたバーコードの情報
が読み取られるようになっている。そして、この読み取
られたレチクルＲの識別情報が主制御装置２０に入力さ
れるようになっている。

【００２７】前記投影光学系ＰＬは、光軸ＡＸを共通に
する当該光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複
数枚のレンズエレメント（いずれも図示せず）とこれら
のレンズエレメントを保持する鏡筒とを備えている。

【００２８】前記倍率調整機構１８は、投影光学系ＰＬ
を構成する所定位置にあるレンズエレメント相互間の気
密室の圧力を変更することにより、気密室内の気体の屈
折率を変更して投影光学系ＰＬの倍率を調整するように
なっている。この倍率調整機構１８により圧力が調整さ
れる気密室は、例えば他のレンズエレメントに比べて倍
率への影響が大きいレチクル寄りのレンズエレメント相
互間に設けられる。

【００２９】ウエハステージ１４は、駆動系１６によっ
て、水平面内で２次元方向に駆動されるとともに、光軸
ＡＸ方向に微小駆動されるようになっている。ウエハス
テージ１４の２次元方向の位置は、不図示のレーザ干渉
計により常時計測されており、このレーザ干渉計の出力
が主制御装置２０によってモニタされている。

【００３０】主制御装置は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等
を含むマイクロコンピュータ（又はミニコンピュータ）
から成り、この主制御装置２０には記憶手段としてのデ
ィスク装置３４が接続されている。このディスク装置３
４内には、少なくとも次のような情報が記憶（格納）さ
れている。

【００３１】 予め不図示のレチクル検査装置により
計測された複数のレチクルＲの回路パターン領域の平均
透過率と、この平均透過率に関連する物理量である照射
光量の積分値に対する膨張率と、これらに対応するレチ
クル識別情報（例えば識別番号）とから成るデータテー
ブル。

【００３２】ここで、照射光量の積分値に対する膨張率
は、厳密には実際の露光時とほぼ等しい照明条件下にお
ける照射光量とレチクル温度の対時間変化率と、照射を
止めた場合のレチクル温度の対時間変化率、及びこれら
温度変化によるレチクルの膨張率を予め実際に計測して
求めることが望ましい。

【００３３】また、最近ではレチクル上のパターンの種
類により露光装置の照明条件を切替えることが行なわれ
ているが、透過率計測の際には、実際の露光時と合わせ
た照明条件にて計測することが望ましい。

【００３４】 予め実験により求められた投影光学系
ＰＬの倍率、フォーカスの照射変動特性に基づいて定め
られた倍率、フォーカスの照射変動量の計算式（この計
算式には、当然照射光量がパラメータとして含まれ
る）。

【００３５】次に、上述のようにして構成された本実施
例の露光装置１０による露光時の結像特性の補正動作に
ついて説明する。

【００３６】ここでは、前提としてウエハステージ１４
の光軸ＡＸ方向位置は、フォーカス補正の基準となる位
置に設定されているものとする。

【００３７】光源１２から照射される光は照明光学系２
４を通る間にその一部がビームスプリッタ２８によって
分割され光電検出器３２に入射し、残りはレチクルＲに
照射される。光電検出器３２で検出された光量値は、主
制御装置２０に入力される。ここで、露光が開始される
ときには、レチクルステージＲＳ上に載置されたレチク
ルＲの識別情報はバーコードリーダ３０により既に読み
取られ、この読み取られた識別情報（例えば、識別番
号）は、主制御装置２０のＲＡＭ内に既に格納されてい
る。

【００３８】主制御装置２０内ＣＰＵでは、光電検出器
３２の出力と既知のビームスプリッタ２８の分割比とに
基づいて、実際にレチクルＲに照射される光量を求め
る。また、主制御装置２０内ＣＰＵではディスク装置３
４内に記憶されたデータテーブルからＲＡＭ内の識別情
報に対応するレチクルへの照射光量の積分値に対する膨
張率の情報と、平均透過率の情報とを読み出す。そし
て、上記のレチクルＲに照射される光量と読み出した照
射光量の積分値に対する膨張率とに基づいてその時点で
のレチクルＲの膨張量を計算し、設計値に対する比を求
める。この値の逆数を投影光学系ＰＬの第１の倍率補正
量として決定する。

【００３９】また、主制御装置２０内ＣＰＵでは、上で
求めた実際にレチクルＲに照射される光量と読み出した
平均透過率とに基づいて投影光学系ＰＬへの入射光量を
計算する。次に、この入射光量を用いて前記倍率とフォ
ーカスの照射変動量の計算式に基づいて倍率、フォーカ
スの照射変動量を演算し、これらを補正するための第２
の倍率補正量、フォーカスの補正量を求める。

【００４０】そして、主制御装置２０内ＣＰＵでは、第
１の倍率補正量と第２の倍率補正量との和を倍率調整機
構１８に指令値として与える。これにより、倍率調整機
構１８によって投影光学系ＰＬの倍率が補正がされ、レ
チクルＲの膨張の影響及び投影光学系ＰＬが露光光を吸
収することによる照射変動の影響がともにキャンセルさ
れる。また、主制御装置２０内ＣＰＵでは、上記のフォ
ーカス補正量を駆動系１６に与える。これにより、駆動
系１６によってウエハステージ１４が光軸ＡＸ方向に駆
動され、フォーカスの照射変動が補正される。

【００４１】これまでの説明から明らかなように、本実
施例では、主制御装置２０の機能によって演算処理手段
と制御手段とが実現されている。また、倍率調整機構と
これによってその内圧が調整されるレンズエレメント相
互間の気密室（図示省略）とによって結像特性調整手段
の一種である倍率調整手段が構成され、駆動系１６とこ
れによって光軸方向位置が制御されるウエハステージ１
４とによって結像特性調整手段の一種であるフォーカス
調整手段が構成されている。

【００４２】以上説明したように、本実施例によると、
レチクルＲの膨張率、透過率を予め計測してディスク装
置３４に記憶しておき、露光時に使用するレチクルＲに
設けられた当該レチクルＲの識別情報（バーコード）を
読み取り、ディスク装置３４内に記憶されている情報の
中から読み取られた識別情報に対応するレチクルの膨張
率、透過率を取り出してレチクルの膨張による倍率の補
正量、投影光学系ＰＬが露光光を吸収することによる倍
率、フォーカスの補正量を算出し、これらの算出結果に
基づいて倍率及びフォーカスを補正するようにしたの
で、レチクルの膨張率、透過率の計測をレチクル交換の
度毎に行なう必要がなくなり、その分スループットの向
上を図ることができる。また、レチクルを交換する毎に
透過率等のデータを手作業にて入力する必要がなく、誤
入力による補正の異常も生じない。また、レチクルの膨
張率、透過率を露光装置外のレチクル検査装置で精密に
計測することができ、露光装置毎に計測用のセンサを設
ける必要がなく、装置構成の簡略化が図れるとともに、
センサの感度ばらつきの影響を少なくすることができ
る。さらに、レチクルＲの膨張に起因する倍率変動の補
正が行なわれるのでレチクルＲの膨張に起因する重ね合
わせ精度の低下等を防止することができ、投影光学系の
照射変動による倍率、フォーカスを高精度に補正した露
光が可能となる。

【００４３】なお、上記実施例においては、レチクルＲ
のパターン領域の透過率の他に、照射光量の積分値に対
する膨張率をも予め計測してこれらを基礎データとして
ディスク装置３４内に記憶する場合を例示したが、レチ
クルの膨張率はパターン領域内のパターンの存在率に比
例すると考えても大きな支障はなく、また、存在率は透
過率が既知であれば演算で求められるので、必ずしも膨
張率と透過率を予め基礎データとして保有する必要はな
い。すなわち、透過率又はこれに関連する物理量の一つ
を予め実験等により求め、これを基礎データとして保有
しておけば、透過率、膨張率の両者を演算により求める
ことは可能だからである。

【００４４】また、上記実施例においては、レチクルの
膨張に伴う倍率の補正とともに投影光学系ＰＬが露光光
を吸収することによる倍率、フォーカス等の結像特性を
も補正する場合を例示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、レチクルの膨張に伴う倍率の補正のみ
を行なうようにしても良い。かかる場合であっても、レ
チクルの膨張に起因する重ね合わせ精度の低下を防止す
ることができる。あるいは、投影光学系ＰＬが露光光を
吸収することによる倍率、フォーカス等の結像特性のみ
を補正するようにしても良い。かかる場合には、主制御
装置２０が、読み取り手段によって読み取られた識別情
報に対応するレチクルの情報をディスク装置３４から取
り出し、この取り出した情報と照射光量とに応じて投影
光学系ＰＬの結像特性の照射変動量を演算する第２の演
算処理手段と、この演算された結像特性の照射変動量が
補正されるように倍率調整機構１８と駆動系１６とを制
御する第２の制御手段とを、構成することになる。

【００４５】なお、上記実施例では、レチクルＲ上にレ
チクルの識別情報が記録された情報記録部としてのバー
コードを設け、このバーコードを読み取ることによりレ
チクルの識別情報を読み取り、この識別情報に対応する
レチクルの透過率等の情報をディスク装置３４内から取
り出して、所定の演算・処理を行なう場合を例示した
が、例えば、レチクルＲ上の情報記録部を、例えば磁気
記録媒体にて形成すれば、この情報記録部にレチクルの
識別情報とともにあるいはこれに代えてパターンの透過
率に関連する物理量を直接的に記録することが可能とな
り、このパターンの透過率に関連する物理量を読み取り
手段としての磁気ヘッドで読み取るようにすれば、ディ
スク装置３４等の記憶手段が不要になる。

【００４６】また、上記実施例では１台の露光装置が記
憶手段としてのディスク装置を１台保有する場合を例示
したが、複数台の露光装置が１台のディスク装置等の記
憶手段を共有するようにしてもよい。

【００４７】さらに、上記実施例中で、透過率計測の際
には、実際の露光時と合わせた照明条件にて計測するこ
とが望ましいと説明したが、この透過率計測の際の露光
条件をもディスク装置内の各レチクルの情報として記憶
させ、識別情報に基づいて対応するレチクルの情報を読
み出した際にこの露光条件の情報をも併せて読み出し、
これを露光条件の切替え設定に利用するようにしてもよ
い。

【００４８】なお、上記実施例では、本発明が適用され
たステップアンドリピート方式の露光装置について例示
したが、本発明の適用範囲がこれに限定されるものでは
なく、いわゆるステップアンドスキャン（スリットスキ
ャン）方式等の走査型露光装置にも本発明は適用でき
る。このステップアンドスキャン方式の露光装置に本発
明を適用する場合には、上記実施例と同様に回路パター
ン領域の平均透過率を採用することも可能であるが、よ
り高精度に結像特性の補正を行なう場合には、パターン
の配置によってレチクルの走査と共に透過率が変化して
いくことがあるので、レチクル位置の関数としての透過
率を採用することが望ましい。

【００４９】このように、ステップアンドスキャン方式
で透過率をレチクル位置の関数として扱う場合には、レ
チクルを順次移動させながらその位置と共に透過率を記
録する必要があり、かかる計測には時間がかかるが、予
め透過率等を露光装置外で計測してメモリに記憶してお
くことにより、露光時にこの計測を省略してその分スル
ープットを向上させようとする本発明の効果は、スリッ
トスキャン方式の場合により一層大きくなる。

【００５０】また、上記実施例のような一括露光装置で
は、レチクルの全面が同時に露光光によって照射される
ため、全体を均一な膨張率で扱い投影光学系の倍率を変
化させることによって補正するが、ステップアンドスキ
ャン方式の露光装置ではレチクルの一部が順次照射を受
けるため膨張率はレチクル位置の関数にすることが望ま
しく、かかる場合には、レチクル位置に応じて投影光学
系の倍率を変化させるとともにその時の倍率に応じてレ
チクルと感光基板との相対走査速度を変化させることに
よってレチクルの寸法変化の影響を補正する手法が採用
できる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、スループットの向上を図ることができる
とともにマスクの熱変形に起因する重ね合わせ精度の低
下を防止することができるという効果がある。

【００５２】また、請求項２に記載の発明によれば、ス
ループットの向上を図ることができるとともに高精度に
投影光学系の結像特性を補正することができるという効
果がある。

【００５３】また、請求項３に記載の発明によれば、ス
ループットの向上を図ることができ、マスクの熱変形に
起因する重ね合わせ精度の低下を防止することができ、
しかも高精度に投影光学系の結像特性を補正することが
できるという従来にない優れた効果がある。

【００５４】また、請求項４に記載の発明によれば、装
置構成を簡略化することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例に係る露光装置の概略構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０ 露光装置 １４ ウエハステージ（結像特性調整手段の一部） １６ 駆動系（結像特性調整手段の一部） １８ 倍率調整機構（結像特性調整手段の一部） ２０ 主制御装置（演算処理手段、制御手段） ３０ バーコードリーダ（読取手段） ３２ 光電検出器（光量測定器） ３４ ディスク装置（記憶手段） Ｒ レチクル（マスク） ＰＬ 投影光学系 Ｗ 感光基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｃ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光光によりマスクを照明し、マスクに
   形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上に
   転写露光する露光装置であって、 前記マスクに照射される前記露光光の光量を測定する光
   量測定器と；前記マスク上の一部領域に設けられ、当該
   マスクの識別情報が記録された情報記録部と；前記識別
   情報を読み取る読取手段と；予め計測された複数のマス
   クのパターン領域の透過率に関連する物理量の情報を少
   なくとも含む情報が記憶された記憶手段と；前記投影光
   学系の結像特性を調整する結像特性調整手段と；前記読
   取手段により読み取られた識別情報に対応するマスクの
   情報を前記記憶手段から取り出し、この取り出した情報
   と前記光量測定器によって測定された光量とに基づいて
   当該マスクの膨張量を演算する演算処理手段と；前記演
   算処理手段により演算された膨張量に基づいてマスクの
   膨張に伴う倍率変動が補正されるように前記結像特性調
   整手段を制御する制御手段とを有する露光装置。
2. 【請求項２】 前記演算処理手段に代えて、前記読取手
   段により読み取られた識別情報に対応するマスクの情報
   を前記記憶手段から取り出し、この取り出した情報と前
   記光量測定器によって測定された光量とに基づいて前記
   投影光学系の結像特性の照射変動量を演算する第２の演
   算処理手段が設けられ、 前記制御手段に代えて、前記第２の演算処理手段により
   演算された結像特性の照射変動量が補正されるように前
   記結像特性調整手段を制御する第２の制御手段が設けら
   れたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 【請求項３】 前記演算処理手段が、前記読取手段によ
   り読み取られた識別情報に該当するマスクの情報を前記
   記憶手段から取り出し、この取り出した情報と前記光量
   測定器によって測定された光量とに基づいて当該マスク
   の膨張量と前記投影光学系の結像特性の照射変動量とを
   演算し、 前記制御手段が、前記演算処理手段により演算された膨
   張量と前記投影光学系の結像特性の照射変動量とに基づ
   いてマスクの膨張に伴う倍率変動と倍率及びフォーカス
   の照射変動とが補正されるように前記結像特性調整手段
   を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装
   置。
4. 【請求項４】 前記情報記録部に予め計測された当該マ
   スクのパターン領域の透過率に関連する物理量の情報が
   記録されていることを特徴とする請求項１ないし３のい
   ずれか一項に記載の露光装置。