JPH09148281A - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、安定な平坦化を行うための、確実
な研磨の終点検出を行うための研磨装置ならびに研磨方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 平面運動可能な定盤１上に形成された研
磨パッド２と、研磨パッド２上に研磨液５を供給する手
段と、研磨液５の供給された研磨パッド２に接触させて
研磨を行なう基板を保持するキャリアー４と、研磨パッ
ド２表面の温度を測定する放射熱温度計６と、放射温度
計６により測定された温度の変化を検知する温度変化検
知器７とを有する研磨装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコン半
導体装置の製造工程などにおける基板表面の平坦化に用
いられる、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）に代表される
研磨装置および研磨方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコン半導体装置の高性能化をめざす
ためには、素子の微細化や多層化が必要不可欠となって
きているが、微細化が進むにつれ、フォトリソグラフィ
ー工程における焦点深度がいっそう浅くなってきている
ため、より微細なパターンを多層的に形成するために
は、その製造工程途中に生じる段差を低減する必要性が
生じる。

【０００３】近年、上記の段差低減（平坦化）手段とし
て研磨技術がシリコン半導体プロセスに導入されてきて
いる。

【０００４】そこで以下では、図面を参照しながら、上
述の研磨技術における、従来の研磨装置および研磨方法
の一例についてＣＭＰを例に挙げて説明する。

【０００５】図３は従来の平坦化に用いる研磨装置の概
略図を示したものである。図３において、３１は回転可
能な平らな剛体よりなる定盤であり、３２は研磨パッド
で、定盤３１上に貼りつけられている。また、３３は基
板を示しており、この基板３３はキャリアー３４により
支持され、回転しながら定盤３１上の研磨パッド３２に
圧接される。さらに、３５は砥粒（研磨するための微小
な粉）を含む研磨液で、定量的に研磨パッド３２上に滴
下され、定盤３１の回転により研磨パッド３２と基板３
３との間に供給される。そして、３８と３９はそれぞれ
定盤回転モーターとキャリアー回転モーターを示してい
る。

【０００６】以上のように構成された研磨装置おいて、
研磨液３５の供給された研磨パッド３２を回転させなが
ら、基板３３を押しつけることにより、基板３３表面が
研磨され、半導体装置の表面の平坦化を達成する。上記
の平坦化のメカニズムについて説明すると、基板３３表
面に凹凸があるとき、凸部は研磨パッド３２との接圧が
高いため研磨速度が高くなり、一方の凹部は研磨パッド
３２との接触圧力が低いため殆ど研磨されない。よっ
て、基板３３表面の凹凸が緩和され基板表面が平坦にな
るというものである。

【０００７】なお、上述の研磨技術は、例えば、「１９
９４年１月号 月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏ
ｒｌｄ」５８〜５９ページ や、「Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａ
ｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」Ｊｕｌｙ．１９９２／日本
語版 ３２〜３７ページなどに紹介されている。

【０００８】以下では、半導体装置の製造に上記の研磨
技術を用いた際の問題点について説明を行なう。

【０００９】一般に半導体装置の製造工程における研磨
による平坦化では、量産を考慮すると、各々の半導体装
置（ウエハ）に対する研磨量を一定に保ち、各々のウエ
ハ間における残膜厚（または下地膜厚）が一定になるよ
うに研磨しなければならない。

【００１０】そこで、上記のように各々のウエハ間にお
ける残膜厚（または下地膜厚）が一定なるようにするた
め、研磨時間を一定に固定することが考えられるが、研
磨速度は、研磨パッド表面状態（小さな荒れ）や研磨液
などの状態（ｐＨや温度など）により微妙に変化するた
め、研磨量を一定に保つことは非常に困難である。

【００１１】さらに、たとえ研磨速度が常に一定の研磨
条件を用いたとしても、基板３３表面の、下地パターン
などによって生じた段差の凸部面積が違う場合、研磨パ
ッド３２との接触面積が異なってくるために、凸部での
接圧が異なってしまう。従って、圧力の差は研磨速度の
差になり、凸部が研磨され平坦化される時間が凸部面積
によって異なり、結果的には、基板の凹凸量が異なる場
合には、一定（所定）時間の研磨では残膜厚に差を生じ
てしまう。

【００１２】上記の問題点について図４を参照しながら
以下に説明する。図４において、（ａ）は研磨を行なう
べき絶縁膜に凹凸を生じさせるパターンが密である場合
の絶縁膜の形状を示したものであり、図４（ｂ）は研磨
を行なうべき絶縁膜に凹凸を生じさせるパターンが粗で
ある場合の絶縁膜の形状を示したものである。そして、
図４において、４１は下地の基板、４２は絶縁膜、４３
は絶縁膜４２上に形成された配線パターン、４４は配線
パターン４３上に形成され、凹凸を有する研磨されるべ
き絶縁膜を示している。

【００１３】上記の図４（ａ）に示すような絶縁膜４４
の形状では、配線パターンが密であるために、その凹凸
の段差が少なく、かつ、研磨を行なった際に最初に研磨
パッドと接触する面積も大きくなる。一方図４（ｂ）に
示すような絶縁膜４４の形状では、配線パターンが粗で
あるために、その凹凸の段差も大きく、研磨を行なった
際に最初に最初に接触する面積も小さくなる。従って、
図４（ａ）及び（ｂ）に示す絶縁膜に対して同じ時間研
磨を行なうと、図４（ｂ）に示すほうが図４（ａ）に示
すよりも、速く研磨されてしまい、結局、図４（ａ）及
び（ｂ）中の破線で示される部分まで研磨が進行し、一
方は、配線パターン４３が露出するまで研磨され、他方
は配線パターン４３が露出する前に研磨が停止されるこ
とになってしまう。

【００１４】これらの課題を解決する手法として、研磨
中の終点検出が最も有効であると考えられている。

【００１５】上記の終点検出方法の従来の技術として
は、定盤３１（あるいはキャリアー３４）を回転させる
ための定盤回転モーター３８（あるいはキャリアー回転
モーター３９）の、トルク（電流）検出が一般的であ
る。

【００１６】この終点検出方法は、凹凸の有無または材
質など基板３３表面の状態が異なると、基板３３と研磨
パッド３２との接触抵抗（研磨時の抵抗）が違うことを
利用したものであり、研磨中に接触抵抗が変化すると、
定盤３１（あるいはキャリアー３４）は一定速度で回転
しているために、定盤３１（あるいはキャリアー３４）
を回転させるためのモーター３８（あるいは３９）のト
ルク（電流）が変化することに注目して、このトルクの
変化を検出することにより、終点を判定するというもの
である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな終点判定の構成では、以下に示す問題を有してお
り、図５を参照しながら説明する。

【００１８】すなわち、図５（ａ）に示すような絶縁膜
の研磨において、配線パターン５３が露出するまで研磨
を行なうことを目的とする（図５（ｂ）のような場合）
場合は、配線パターンが露出した段階で研磨を行なう対
象の膜質が変化することになるため、モーターのトルク
が検出可能な範囲内で変化するため、終点検出を行なう
ことが可能である。

【００１９】一方、シリコン半導体装置の多層配線工程
における層間絶縁膜の平坦化のように、凹凸のある単層
膜の研磨（すなわち、図５（ｃ）に示すように、配線パ
ターン５３が露出する前に研磨を終了したい場合で、研
磨の途中で膜質が変化しない場合）では、表面の凹凸が
緩和された時点で、研磨の終点を判定しなければならな
いが、研磨途中では膜質は変化しないために、凹凸の消
滅による接触抵抗の変化は微少である。よって、モータ
ーのトルクをモニターしていても、その変化を精度よく
検知することはできない（実際、１９９０年頃から今日
に至って、半導体装置の多層配線工程における、層間絶
縁膜の平坦化に用いている研磨においては、研磨により
基板表面の凹凸が変化しても、モータートルクの変化は
非常に小さく、それを検知することができないため、上
述の検知方法は用いられていない。）。

【００２０】さらに、根本的に接触抵抗の変化はもとも
と極わずかであり、接触抵抗のある状態で定盤１（ある
いはキャリアー５）を回転させているため、接触抵抗の
変化によるトルクの変動量は、トルク全体に対して非常
に小さいため、変動量を検知することができない。な
お、上述の部分では、層間絶縁膜の平坦化のように、凹
凸のある単層膜の研磨の場合の終点検出が困難であるこ
とを指摘したが、研磨を膜質が変化する部分まで行なう
場合であっても、接触抵抗をトルクとして検知すること
も困難である。

【００２１】この問題点に対して、トルクの小さなモー
ターを使用すれば、相対的にトルク変動量は大きくな
り、終点検出が可能になることが考えられる。

【００２２】しかしながら、半導体の量産を行なう装置
においては、通常異常事態（予想以上のトルクがかかっ
た場合等）にも対応できるようにするため、実際に研磨
を行なう際に必要なトルクよりも大きなトルクがかかっ
ても対応できるように、許容量のある装置を用いるた
め、トルクの小さなモーターを使用することは望ましく
ない。

【００２３】よって、上述のように凹凸のある単層膜の
平坦化における研磨では、トルクの変動を検知し、終点
判定を行うことは根本的にその検知精度に限界がある。

【００２４】さらに、接触抵抗は、研磨パッドの表面状
態によっても大きく左右され、研磨パッドの状態によっ
てはトルクが変化しない場合もある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の研磨装置および研磨方法は、以下に示すよ
うな手段を有する。

【００２６】請求項１に記載の研磨装置は、平面運動可
能な定盤上に形成された研磨パッドと、研磨パッド上に
研磨液を供給する手段と、研磨液の供給された研磨パッ
ドに接触させて研磨を行なう基板を保持する基板保持手
段と、研磨パッド表面の温度を測定する温度測定手段
と、温度測定手段により測定された温度の変化を検知す
る温度変化検知手段とを有する構成となっており、この
構成により、研磨パッド表面の温度を測定し、その温度
の変化を検知する機構により、研磨状態の変化を精度よ
く検知することができる。

【００２７】請求項２に記載の研磨装置は、請求項１に
記載の研磨装置に対してさらに、非接触で温度を測定す
ることを特徴とするものであり、この構成により、研磨
パッドに影響を与えずにパッド表面の温度測定が可能
で、さらに、精度の良い終点検出が可能となる。

【００２８】請求項３に記載の研磨装置は、請求項１に
記載の研磨装置に対してさらに、温度測定手段が、研磨
パッド表面の基板に対して定盤の運動方向側の近傍の位
置の温度を測定するように設置されていること特徴とす
るものであり、この構成により、温度を測定する手段
が、基板に接した直後の研磨パッド表面の温度を測定で
きる位置に設置されていることになり、基板の研磨時に
接触抵抗（摩擦）や化学反応によって生じた熱の変化
を、敏感に検知することが可能となり、さらに、精度の
良い終点検出が可能となる。

【００２９】請求項４に記載の研磨装置は、請求項１に
記載の研磨装置に対してさらに、温度変化検知手段が、
温度測定手段によって測定された温度のデータを基にし
て、定盤や基板保持機構の運動周期により基づく単位時
間毎の温度変化を検出することを特徴とするものであ
り、この構成により、一定周期により平均化する機構に
より、定盤やキャリアーの運動周期や揺動や周期などに
よる測定温度の変動をなくし、微量の温度変化の検知を
容易にすることができ、さらに、精度の良い終点検出が
可能になる。

【００３０】請求項５に記載の研磨方法は、研磨パッド
が設けられた剛体定盤を平面運動させるとともに、研磨
パッド上に研磨液を流しながら基板を研磨パッドに圧接
して基板を研磨する研磨方法であって、基板の研磨中に
研磨パッド表面ならびに研磨液の温度を測定し、研磨パ
ッド表面ならびに研磨液の温度の変化を検知することに
より研磨の終点を検出するものであり、この構成によ
り、基板の研磨中に、基板表面の凹凸や膜質が変化する
と、研磨パッドとの接触抵抗が変化するほか、研磨液に
よる機械的研磨や化学的反応の量も変化して研磨時の発
熱量が変化することになり、研磨パッド表面の温度が変
わるため、研磨中に研磨パッド表面の温度を測定し、温
度変化を検知することにより研磨の終点検出が可能とな
る。

【００３１】請求項６に記載の研磨方法は、請求項５に
対してさらに、研磨される対象物が単一の層であり、こ
の単一の層の凹凸を平坦化する研磨方法であり、この構
成により、従来では検知しえなかった研磨状態の変化を
検知することができる。

【００３２】請求項７に記載の研磨方法は、請求項５ま
たは６に記載の研磨方法に対してさらに、非接触で温度
を測定することを特徴とするものであり、この構成によ
り、研磨パッドに影響を与えずにパッド表面の温度測定
が可能で、さらに、精度の良い終点検出が可能となる。

【００３３】請求項８に記載の研磨方法は、請求項５ま
たは６に記載の研磨方法に対してさらに、温度測定手段
が、研磨パッド表面の基板に対して定盤の運動方向側の
近傍の位置の温度を測定するように設置されていること
特徴とするものであり、この構成により、温度を測定す
る手段が、基板に接した直後の研磨パッド表面の温度を
測定できる位置に設置されていることになり、基板の研
磨時に接触抵抗（摩擦）や化学反応によって生じた熱の
変化を、敏感に検知することが可能となり、さらに、精
度の良い終点検出が可能となる。

【００３４】請求項９に記載の研磨方法は、請求項５ま
たは６に記載の研磨方法に対してさらに、温度変化検知
手段が、温度測定手段によって測定された温度のデータ
を基にして、定盤や基板保持機構の運動周期により基づ
く単位時間毎の温度変化を検出することを特徴とするも
のであり、この構成により、一定周期により平均化する
機構により、定盤やキャリアーの運動周期や揺動や周期
などによる測定温度の変動をなくし、微量の温度変化の
検知を容易にすることができ、さらに、精度の良い終点
検出が可能になる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態における
研磨装置および研磨方法について、図面を参照しながら
説明する。

【００３６】（第１の発明の実施の形態）図１は、本発
明の第１の実施の形態における研磨装置の概略図を示し
たものである。

【００３７】図１において、１は平面運動の１つとして
回転運動が可能な平らな剛体よりなる定盤であり、２は
研磨パッドで、定盤１上に貼りついている。次に３は基
板で、キャリアー４により支持され、回転しながら定盤
１上の研磨パッド２に圧接される。また、５は砥粒を含
む研磨液で、定量的に研磨パッド２上に滴下され、定盤
１の回転により研磨パッド２と基板３との間に供給され
る。６は研磨パッド２表面の温度を測定するための放射
熱温度計であり、７は放射熱温度計６により測定した研
磨パッド２表面の温度変化を検知するための温度変化検
知器である。さらに８と９はそれぞれ定盤回転モーター
とキャリアー回転モーターである。

【００３８】以上のように本発明の実施の形態によれ
ば、終点検出の方法として、モーターのトルクの変化を
見るのではなく、研磨パッド表面の温度を測定している
ため、温度検知センサーは近年微小な温度変化をも検知
できるため、その温度変化の検知により、研磨の終点判
定を精度よく行うことができる。

【００３９】なお、本発明の実施の形態においては、研
磨パッド２表面の温度測定に、放射熱温度計６を用い、
非接触で温度測定を行える構成としているため、温度測
定が研磨に影響を与えないため、さらに精度の良い測定
を可能にすることができるが、温度を検知できる手段で
あれば他の方法を用いてもかまわないことは言うまでも
ない。

【００４０】また、図１に示す研磨状態で、定盤１は反
時計方向に回転するように図示しており、放射熱温度計
６はキャリアー４の反時計側の近傍に設置されており、
さらに放射熱温度計６は、キャリアー４の定盤１上にお
ける半径方向の位置とほぼ同一の位置に設置されてい
る。このように構成することで、基板３の研磨時の発熱
量（＝研磨パッドの温度）を、大気や定盤へ放熱（冷
却）される前に、測定することでき、研磨パッドの温度
変化をさらに精度よく測定することができる。なお、上
記では、放射熱温度計６は研磨パッドの温度を検出する
ために設置されていると説明したが、例えば放射により
温度を検出するとなると、研磨液の温度を検知している
ことにもなるわけであるが、研磨の際に接触抵抗により
生じる熱は研磨液にも伝わるため、研磨液の温度検知を
行なっても同様の効果を得ることができる。

【００４１】ここで、一般に図１に示す装置を用いて研
磨を行なう場合、キャリアー４は定盤１上を半径方向に
搖動している。従って、上記の放射熱温度計６の位置を
固定した場合、ある時は、キャリアー４のすぐ横（すな
わち、研磨されている半導体ウエハと同一半径の円上）
の温度を測定することになり、ある時は、キャリアー４
とは離れた位置（すなわち、研磨されている半導体ウエ
ハと同一半径の円上にはない）の温度を測定することに
なるため、測定温度にばらつきが生じる。従って、温度
変化測定器７において、定盤１やキャリアー４の回転周
期やキャリアー４の揺動周期により平均化した後に温度
変化を検知する構成にしてやれば、周期的に変化する測
定温度よりも微量な温度変化を検出することが可能とな
る。

【００４２】（第２の発明の実施の形態）上述の第１の
発明の実施の形態において説明した装置構成の研磨装置
を用いて、本発明第２の実施の形態における研磨方法に
ついて図面を参照しながら以下に説明する。

【００４３】定盤１上の研磨パッド２に砥粒を含む研磨
液５を定量的に滴下しながら定盤を回転させ、基板３を
保持したキャリアー４を回転させながら研磨パッド２に
圧接し、基板３表面を研磨する。この時、キャリアー４
の近傍に設置された放射熱温度計６により、研磨パッド
２表面の温度を測定し、研磨パッド２表面温度の変化を
調べる。

【００４４】図２は、研磨開始からの研磨パッド２表面
の温度変化を説明するための概略図である。図２におい
て、横軸は研磨開始からの経過時間であり、縦軸は研磨
パッド２表面の温度である。

【００４５】図２において、まず、領域１では、研磨の
開始により、基板３と研磨パッド２の接触による摩擦熱
や反応熱（機械的研磨や化学的研磨による発熱）によ
り、研磨パッド２表面の温度が上昇している。

【００４６】次に、領域２では、摩擦熱や反応熱による
発熱と、研磨液５の定量的な供給による冷却と定盤１や
大気への放熱の均衡がとれ、研磨パッド２表面の温度は
ｔ1で安定になる。

【００４７】次に、領域３では、基板３表面が研磨され
ていくことにより、表面の状態が変化するわけである
が、例えば、表面の凹凸がなくなり平坦になると、摩擦
熱や反応熱が減少し、研磨パッド２表面の温度が下がっ
ていく。なお、この下がり方は、研磨の均一性や材質な
どにより異なる。上記の例は、絶縁膜等の単層を研磨し
た場合に凹凸がなくなり、平坦化された場合に温度変化
が生じたものを検知した場合について述べているが、こ
の場合にしか終点検出が行えないのではなく、他にも、
研磨により、配線パターンが露出して研磨パッドと接触
している材質が変化した際に生じる温度変化を検知する
ことも可能である。

【００４８】最後に、領域４では、基板３表面は完全に
変化して、研磨パッド２表面の温度は再びｔ2で安定に
なる。この領域４は、いわゆるオーバー研磨領域であ
る。

【００４９】このように、研磨パッド２表面の温度変化
を検知し、領域３での温度変化によって、基板３表面の
状態が変化したことを検知し、研磨の終点を判定するこ
とで、研磨速度のばらつきなどがあっても、研磨時間に
より研磨の制御をしなくとも、精度よく終点検出の行え
る安定な研磨を行うことができる。この本実施の形態に
おける研磨方法は、凹凸を有する絶縁膜をその凹凸が消
滅するように研磨するというような単一の材料の研磨を
行なう際には特に有効である。

【００５０】ここで、上述の研磨方法で、放射熱温度計
６を用い、非接触で研磨パッド２の温度を行っているた
め、温度測定が研磨状態に影響せず、より正確な測定が
行える。

【００５１】さらに、研磨パッド２表面を測定は、冷却
や放熱などによって変化量が検知しにくくなってしまう
ため、基板３と接した直後の研磨パッド２表面を測定す
ることが望ましい。

【００５２】また、表面状態の変化による温度変化量△
tはせいぜい０．１〜１℃であるため、周期的に平均化
することで、定盤１やキャリアー４の回転や揺動による
測定温度のばらつきや、測定ポイントの差（研磨パッド
に形成されている溝やホールと平坦上の差）や測定系の
ノイズなどの影響を小さくし、温度変化の検出感度を向
上させることができる。

【００５３】なお、上記の第１及び第２の実施の形態で
は、研磨パッド２表面の温度測定に、放射熱温度計を用
いて説明したが、これは他の温度測定手段を用いても、
本発明の効果は得られる。

【００５４】また、上記の第１及び第２の実施の形態で
は、枚葉式の研磨装置を用いて研磨装置の構成や研磨方
法を説明したが、これは、複数の基板を同時に研磨する
装置を用いた場合でも、同様に本発明の効果が得られ
る。

【００５５】さらに、第２の実施の形態での温度変化に
おいて、領域３で研磨パッド２表面の温度が下がるよう
に説明したが、これは、表面の材質と下地の材質の組み
合わせや、研磨条件によって異なり、上昇する場合もあ
る。しかし、温度が上昇する場合であっても、上述の手
段と同様に、終点判定が行える。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明は、研磨時に基板表
面の状態が変化したことを研磨パッドの温度が変化する
ことで終点を検出するため、単一膜などの研磨において
も、凹凸がなくなった時点での、温度変化による研磨の
終点判定が可能である。

【００５７】よって、研磨速度のばらつきにが生じる研
磨条件を用いても、一定量の研磨を行うことができ、精
度よく安定な平坦化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における研磨装置の概略図

【図２】本発明の実施の形態における研磨パッド表面の
温度変化を示す図

【図３】従来の研磨装置の概略図

【図４】従来の研磨装置を用いて絶縁膜の研磨を示す断
面工程図

【図５】従来の研磨装置を用いて絶縁膜の研磨を示す断
面工程図

【符号の説明】

１ 定盤 ２ 研磨パッド ３ 基板 ４ キャリアー ５ 研磨液 ６ 放射熱温度計 ７ 温度変化検知器 ８ 定盤回転モーター ９ キャリアー回転モーター ３１ 定盤 ３２ 研磨パッド ３３ 基板 ３４ キャリアー ３５ 研磨液 ３８ 定盤回転モーター ３９ キャリアー回転モーター ４１ 基板 ４２ 絶縁膜 ４３ 配線パターン ４４ 絶縁膜 ５１ 基板 ５２ 絶縁膜 ５３ 配線パターン ５４ 絶縁膜

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】平面運動可能な定盤上に形成された研磨パ
   ッドと、前記研磨パッド上に研磨液を供給する手段と、
   前記研磨液の供給された前記研磨パッドに接触させて研
   磨を行なう基板を保持する基板保持手段と、前記研磨パ
   ッド表面の温度を測定する温度測定手段と、前記温度測
   定手段により測定された温度の変化を検知する温度変化
   検知手段とを有する研磨装置。
2. 【請求項２】温度測定手段が非接触により温度を測定す
   る手段であることを特徴とする請求項１に記載の研磨装
   置。
3. 【請求項３】温度測定手段が、研磨パッド表面の基板に
   対して定盤の運動方向側の近傍の位置の温度を測定する
   ように設置されていることを特徴とする請求項１に記載
   の研磨装置。
4. 【請求項４】温度変化検知手段が、温度測定手段によっ
   て測定された温度のデータを基にして、定盤や基板保持
   機構の運動周期により基づく単位時間毎の温度変化を検
   出することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
5. 【請求項５】研磨パッドが設置された定盤を平面運動さ
   せるとともに、前記研磨パッド上に研磨液を供給しなが
   ら基板を前記研磨パッドに圧接して前記基板を研磨する
   研磨方法であって、前記基板の研磨中に前記研磨パッド
   表面の温度を測定し、前記研磨パッド表面ならびに研磨
   液の温度の変化を検知することにより研磨の終点を検出
   することを特徴とする研磨方法。
6. 【請求項６】研磨により、基板上に形成された単一材料
   層の凹凸を消滅させて平坦化を行なうことを特徴とする
   請求項５に記載の研磨方法。
7. 【請求項７】研磨パッドの温度測定を非接触で行なうこ
   とを特徴とする請求項５または６に記載の研磨方法。
8. 【請求項８】研磨パッド表面の温度測定を、研磨パッド
   表面の基板に対して定盤の運動方向側の近傍の位置で行
   なうことを特徴とする請求項５または６に記載の研磨方
   法。
9. 【請求項９】研磨パッド表面の温度変化の検知を、研磨
   パッド表面の温度測定データを基にして、定盤や基板保
   持機構の運動周期により基づく単位時間毎の温度変化を
   検出することにより行なうことを特徴とする請求項５ま
   たは６に記載の研磨方法。