JPH09148302A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
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- JPH09148302A JPH09148302A JP7310229A JP31022995A JPH09148302A JP H09148302 A JPH09148302 A JP H09148302A JP 7310229 A JP7310229 A JP 7310229A JP 31022995 A JP31022995 A JP 31022995A JP H09148302 A JPH09148302 A JP H09148302A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
- H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
- H10P50/693—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials characterised by their size, orientation, disposition, behaviour or shape, in horizontal or vertical plane
- H10P50/696—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
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- H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、微細加工において慣用されているリソ
グラフィー技術を用いずに、基板に１０ｎｍレベルの微
細加工を効率よく施す方法を提供する。 【解決手段】 基板温度をエッチングガス又はエッチン
グガスと基板物質との反応生成物が凝縮を開始する温度
に設定し、基板上に部分的に形成された凝縮物によりマ
スクしながら基板をドライエッチング処理する微細加工
方法である。
グラフィー技術を用いずに、基板に１０ｎｍレベルの微
細加工を効率よく施す方法を提供する。 【解決手段】 基板温度をエッチングガス又はエッチン
グガスと基板物質との反応生成物が凝縮を開始する温度
に設定し、基板上に部分的に形成された凝縮物によりマ
スクしながら基板をドライエッチング処理する微細加工
方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な手段による
ドライエッチング処理により、基板に１０ｎｍレベルの
微細加工を効率よく施す方法に関するものである。
ドライエッチング処理により、基板に１０ｎｍレベルの
微細加工を効率よく施す方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子な
どの製造プロセスにおいて、ナノメータースケールの微
細加工には、主として電子線リソグラフィー法が用いら
れてきた。しかしながら、この電子線リソグラフィー法
においては、収束した電子線を走査することにより描画
が行われるといった逐次的プロセスであるため、大量の
ナノメータースケールのドットなどを描画するにはかな
りの時間を要する上、スループットが低いなどの欠点が
あった。また、光リソグラフィー法やＸ線リソグラフィ
ー法による微細加工も知られているが、光リソグラフィ
ー法では、スループットに関する欠点はないものの、原
理的には光の波長の１／２より短いパターンの形成が困
難であるため、１００ｎｍレベルの加工にも用いること
ができない。一方、Ｘ線リソグラフィー法においては、
マスクの微細化が不十分であって、まだ１０ｎｍレベル
の分解能は達成されていない。
どの製造プロセスにおいて、ナノメータースケールの微
細加工には、主として電子線リソグラフィー法が用いら
れてきた。しかしながら、この電子線リソグラフィー法
においては、収束した電子線を走査することにより描画
が行われるといった逐次的プロセスであるため、大量の
ナノメータースケールのドットなどを描画するにはかな
りの時間を要する上、スループットが低いなどの欠点が
あった。また、光リソグラフィー法やＸ線リソグラフィ
ー法による微細加工も知られているが、光リソグラフィ
ー法では、スループットに関する欠点はないものの、原
理的には光の波長の１／２より短いパターンの形成が困
難であるため、１００ｎｍレベルの加工にも用いること
ができない。一方、Ｘ線リソグラフィー法においては、
マスクの微細化が不十分であって、まだ１０ｎｍレベル
の分解能は達成されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のリソグラフィー技術がもつ欠点を克服し、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を効率よく行う方法を提供すること
を目的としてなされたものである。
従来のリソグラフィー技術がもつ欠点を克服し、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を効率よく行う方法を提供すること
を目的としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来のリ
ソグラフィー技術とは全く異なる手段を用いて、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を施す方法を開発すべく鋭意研究を
重ねた結果、基板のドライエッチング処理において、基
板温度を、エッチングガス又はエッチングガスと基板物
質との反応生成物が凝縮を開始する温度に設定し、基板
をドライエッチング処理すると、エッチングガス又は該
反応生成物が部分的に凝縮し、これがエッチングに対す
るナノメータースケールの微細なマスクとなり、ナノメ
ータースケールの微細加工が可能になること、そして基
板に予め凝縮核を形成させておけば、この凝縮核を中心
に前記凝縮が起こるので、極めて有利に微細加工を施し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
ソグラフィー技術とは全く異なる手段を用いて、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を施す方法を開発すべく鋭意研究を
重ねた結果、基板のドライエッチング処理において、基
板温度を、エッチングガス又はエッチングガスと基板物
質との反応生成物が凝縮を開始する温度に設定し、基板
をドライエッチング処理すると、エッチングガス又は該
反応生成物が部分的に凝縮し、これがエッチングに対す
るナノメータースケールの微細なマスクとなり、ナノメ
ータースケールの微細加工が可能になること、そして基
板に予め凝縮核を形成させておけば、この凝縮核を中心
に前記凝縮が起こるので、極めて有利に微細加工を施し
うることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
【０００５】すなわち、本発明は、ドライエッチング処
理により、基板に微細加工を施すに当り、基板温度をエ
ッチングガス又はエッチングガスと基板物質との反応生
成物が凝縮を開始する温度に設定し、基板上に部分的に
形成された凝縮物によりマスクしながら基板をドライエ
ッチング処理することを特徴とする微細加工方法を提供
するものである。また、本発明を実施するための好まし
い態様は、前記微細加工方法において、基板上に予め凝
縮核を形成させたのち、ドライエッチング処理する方法
である。
理により、基板に微細加工を施すに当り、基板温度をエ
ッチングガス又はエッチングガスと基板物質との反応生
成物が凝縮を開始する温度に設定し、基板上に部分的に
形成された凝縮物によりマスクしながら基板をドライエ
ッチング処理することを特徴とする微細加工方法を提供
するものである。また、本発明を実施するための好まし
い態様は、前記微細加工方法において、基板上に予め凝
縮核を形成させたのち、ドライエッチング処理する方法
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において用いる基板の材料
としては、これまで電子工業分野、印刷版製造分野、機
械微細加工分野などにおいて基板として一般に使用され
ている金属、合金、セラミックスなどの中から任意に選
ぶことができ、特に制限はない。このような材料として
は、例えばアルミニウム、タングステン、チタン、コバ
ルト、鉄、ケイ素及びこれらの合金、窒化ケイ素、ガリ
ウム‐ヒ素、酸化チタン、酸化ケイ素、ガラスなどが挙
げられるが、これらの中で特にケイ素が好適に使用され
る。
としては、これまで電子工業分野、印刷版製造分野、機
械微細加工分野などにおいて基板として一般に使用され
ている金属、合金、セラミックスなどの中から任意に選
ぶことができ、特に制限はない。このような材料として
は、例えばアルミニウム、タングステン、チタン、コバ
ルト、鉄、ケイ素及びこれらの合金、窒化ケイ素、ガリ
ウム‐ヒ素、酸化チタン、酸化ケイ素、ガラスなどが挙
げられるが、これらの中で特にケイ素が好適に使用され
る。
【０００７】本発明においては、これらの基板に、ドラ
イエッチング処理により微細加工を施す際に、基板温度
を、エッチングガス又はエッチングガスと基板物質との
反応生成物が凝縮を開始する温度（以下、凝縮開始温度
と称す）に設定することが必要である。この凝縮開始温
度でドライエッチング処理を行えば、エッチングガス又
はエッチングガスと基板物質との反応生成物が部分的に
凝縮し、これがエッチングに対するナノメータースケー
ルの微細なマスクとなり、所望の微細加工が可能とな
る。この際、基板上に、予め所望のパターンの凝縮核を
形成させたのち、ドライエッチング処理を行えば、この
凝縮核を中心に前記の凝縮が起こるので、凝縮核が設け
られていない部分が選択的にエッチングされ、所望のパ
ターンに微細加工される。
イエッチング処理により微細加工を施す際に、基板温度
を、エッチングガス又はエッチングガスと基板物質との
反応生成物が凝縮を開始する温度（以下、凝縮開始温度
と称す）に設定することが必要である。この凝縮開始温
度でドライエッチング処理を行えば、エッチングガス又
はエッチングガスと基板物質との反応生成物が部分的に
凝縮し、これがエッチングに対するナノメータースケー
ルの微細なマスクとなり、所望の微細加工が可能とな
る。この際、基板上に、予め所望のパターンの凝縮核を
形成させたのち、ドライエッチング処理を行えば、この
凝縮核を中心に前記の凝縮が起こるので、凝縮核が設け
られていない部分が選択的にエッチングされ、所望のパ
ターンに微細加工される。
【０００８】図１は、本発明により基板に微細加工を施
す方法の１例の工程説明図であって、まず基板１上に所
望のパターンの凝縮核２を形成させ（イ）、次いで凝縮
開始温度でドライエッチング処理することにより、凝縮
核が設けられていない部分が選択的にエッチングされ、
パターン３が形成される（ロ）。
す方法の１例の工程説明図であって、まず基板１上に所
望のパターンの凝縮核２を形成させ（イ）、次いで凝縮
開始温度でドライエッチング処理することにより、凝縮
核が設けられていない部分が選択的にエッチングされ、
パターン３が形成される（ロ）。
【０００９】ここで、ドライエッチング処理とは、エッ
チングガスと基板との反応により、蒸気圧の高い反応生
成物を形成させることで、基板をエッチングすることで
ある。このドライエッチング処理は、一般には減圧気相
下で行われ、また、反応活性種を生成させるために、プ
ラズマが用いられることが多い。
チングガスと基板との反応により、蒸気圧の高い反応生
成物を形成させることで、基板をエッチングすることで
ある。このドライエッチング処理は、一般には減圧気相
下で行われ、また、反応活性種を生成させるために、プ
ラズマが用いられることが多い。
【００１０】図２は、本発明方法の原理を示す図であ
る。この図に示すように、反応活性種（Ｂ）が基板
（Ａ）に当たり、反応生成物（Ｃ）が脱離することによ
ってエッチングが進行する。エッチング処理中に基板が
凝縮開始温度に冷却されていると、基板表面に反応生成
物又はエッチングガス（Ｄ）が凝縮する。しかし、この
凝縮は基板全面に一様に起こるのではなく、基板上にあ
るミクロな凹凸や付着物のような特異点を核として凝縮
が開始する。この特異点は、自然に存在することもある
が、人工的に凝縮核を基板上に設けておけば、選択的に
エッチングガス（Ｄ）又は反応生成物（Ｃ）を凝縮させ
ることができる。凝縮開始温度は、ガスの種類とその圧
力、基板の種類、プラズマの密度とその温度及び基板状
態に依存する。基板温度を低くしすぎると凝縮が全面に
起こってしまい、エッチングが全く進まなくなる。一
方、基板温度が高すぎると凝縮が起こらず、基板全面が
一様にエッチングされる。したがって、基板温度はこの
中間の凝縮核が存在する場所にのみ凝縮が起こる温度に
設定することが肝要である。この凝縮核に凝縮した凝縮
物の大きさは、基板温度や基板と凝縮物との親和性など
に左右されるが、条件を制御すれば比較的そろったもの
が得られ、１０ｎｍオーダーの大きさにすることができ
る。この凝縮物は、エッチングに対するマスクとして作
用するので、１０ｎｍスケールの微細加工を行うことが
できる。
る。この図に示すように、反応活性種（Ｂ）が基板
（Ａ）に当たり、反応生成物（Ｃ）が脱離することによ
ってエッチングが進行する。エッチング処理中に基板が
凝縮開始温度に冷却されていると、基板表面に反応生成
物又はエッチングガス（Ｄ）が凝縮する。しかし、この
凝縮は基板全面に一様に起こるのではなく、基板上にあ
るミクロな凹凸や付着物のような特異点を核として凝縮
が開始する。この特異点は、自然に存在することもある
が、人工的に凝縮核を基板上に設けておけば、選択的に
エッチングガス（Ｄ）又は反応生成物（Ｃ）を凝縮させ
ることができる。凝縮開始温度は、ガスの種類とその圧
力、基板の種類、プラズマの密度とその温度及び基板状
態に依存する。基板温度を低くしすぎると凝縮が全面に
起こってしまい、エッチングが全く進まなくなる。一
方、基板温度が高すぎると凝縮が起こらず、基板全面が
一様にエッチングされる。したがって、基板温度はこの
中間の凝縮核が存在する場所にのみ凝縮が起こる温度に
設定することが肝要である。この凝縮核に凝縮した凝縮
物の大きさは、基板温度や基板と凝縮物との親和性など
に左右されるが、条件を制御すれば比較的そろったもの
が得られ、１０ｎｍオーダーの大きさにすることができ
る。この凝縮物は、エッチングに対するマスクとして作
用するので、１０ｎｍスケールの微細加工を行うことが
できる。
【００１１】上述したように、凝縮核を全く人為的に形
成しなくても、基板温度を凝縮開始温度に保持し、ドラ
イエッチング処理することにより、基板に１０ｎｍスケ
ールの微細加工を施すことができるが、凝縮核を形成し
ない場合には、凝縮開始温度の設定が、エッチング条件
に極めて敏感であって再現性に乏しい上、形成される凝
縮物の密度の制御も困難である。したがって、本発明に
おいては、基板上に予め人為的に凝縮核を形成させるの
が望ましい。
成しなくても、基板温度を凝縮開始温度に保持し、ドラ
イエッチング処理することにより、基板に１０ｎｍスケ
ールの微細加工を施すことができるが、凝縮核を形成し
ない場合には、凝縮開始温度の設定が、エッチング条件
に極めて敏感であって再現性に乏しい上、形成される凝
縮物の密度の制御も困難である。したがって、本発明に
おいては、基板上に予め人為的に凝縮核を形成させるの
が望ましい。
【００１２】この凝縮核の形成方法としては、上述した
ように、基板上にミクロな凹凸や付着物などを分布させ
ればよく、特に制限はないが、例えば（１）基板上に有
機溶剤に可溶な有機高分子物質の薄膜を設け、この薄膜
の一部に圧力を印加して不溶化させたのち、圧力を印加
しない部分を有機溶剤で選択的に溶解除去して、微細パ
ターンの凝縮核を形成させる方法、（２）基板上に微細
な機械的損傷を施し、凝縮核を形成させる方法、（３）
基板上に金属を堆積させ、凝縮核を形成させる方法、
（４）基板上にイオンビーム又は電子線を照射して凝縮
核を形成させる方法、などを挙げることができる。
ように、基板上にミクロな凹凸や付着物などを分布させ
ればよく、特に制限はないが、例えば（１）基板上に有
機溶剤に可溶な有機高分子物質の薄膜を設け、この薄膜
の一部に圧力を印加して不溶化させたのち、圧力を印加
しない部分を有機溶剤で選択的に溶解除去して、微細パ
ターンの凝縮核を形成させる方法、（２）基板上に微細
な機械的損傷を施し、凝縮核を形成させる方法、（３）
基板上に金属を堆積させ、凝縮核を形成させる方法、
（４）基板上にイオンビーム又は電子線を照射して凝縮
核を形成させる方法、などを挙げることができる。
【００１３】次に、まず、前記（１）の凝縮核を形成さ
せる方法において、基板上に薄膜を形成するために用い
られる有機高分子物質としては、ある種の有機溶剤に可
溶で、基板との間である程度の接着性を有するものの中
から任意に選ぶことができるが、特に加圧により分子量
が増大したり、高密度化して有機溶剤に不溶又は難溶に
なるもの、あるいは基板との間で強固に密着して有機溶
剤に難溶になるものが好ましい。
せる方法において、基板上に薄膜を形成するために用い
られる有機高分子物質としては、ある種の有機溶剤に可
溶で、基板との間である程度の接着性を有するものの中
から任意に選ぶことができるが、特に加圧により分子量
が増大したり、高密度化して有機溶剤に不溶又は難溶に
なるもの、あるいは基板との間で強固に密着して有機溶
剤に難溶になるものが好ましい。
【００１４】このような有機高分子物質の例としては、
エチレン、プロピレン、ブチレンのようなオレフィン
や、スチレン、α‐メチルスチレンのような芳香族ビニ
ル化合物や、アクリル酸、メタクリル酸、２‐フェニル
アクリル酸、２‐アセチルアクリル酸、マレイン酸、フ
マル酸のような不飽和カルボン酸や、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリ
ル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ルのような不飽和カルボン酸エステル、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、２‐フェニルアクリルアミ
ド、２‐アセチルアクリルアミドのような不飽和カルボ
ン酸アミド、無水マレイン酸のような不飽和カルボン酸
無水物などの不飽和カルボン酸の官能的誘導体や、酢酸
ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリルなどの不飽和化合物の中から選
ばれた少なくとも１種の単量体から成る重合体又は共重
合体を挙げることができる。
エチレン、プロピレン、ブチレンのようなオレフィン
や、スチレン、α‐メチルスチレンのような芳香族ビニ
ル化合物や、アクリル酸、メタクリル酸、２‐フェニル
アクリル酸、２‐アセチルアクリル酸、マレイン酸、フ
マル酸のような不飽和カルボン酸や、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリ
ル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ルのような不飽和カルボン酸エステル、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、２‐フェニルアクリルアミ
ド、２‐アセチルアクリルアミドのような不飽和カルボ
ン酸アミド、無水マレイン酸のような不飽和カルボン酸
無水物などの不飽和カルボン酸の官能的誘導体や、酢酸
ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリルなどの不飽和化合物の中から選
ばれた少なくとも１種の単量体から成る重合体又は共重
合体を挙げることができる。
【００１５】これらの中で、ポリアクリル酸エチル、ポ
リメタクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル酸エステ
ル重合体及びポリスチレンなどのスチレン系樹脂が特に
好適である。前記重合体又は共重合体の分子量として
は、１，０００〜２００万の範囲のものが好ましい。
リメタクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル酸エステ
ル重合体及びポリスチレンなどのスチレン系樹脂が特に
好適である。前記重合体又は共重合体の分子量として
は、１，０００〜２００万の範囲のものが好ましい。
【００１６】基板上に有機高分子物質の薄膜を形成させ
るには、例えば前記重合体又は共重合体を適当な溶媒に
溶解して塗布液を調製し、これをスピンナーなどで基板
上に塗布し、乾燥させる。この有機高分子化合物の薄膜
の厚さは、通常１０〜１００ｎｍの範囲で選ばれる。
るには、例えば前記重合体又は共重合体を適当な溶媒に
溶解して塗布液を調製し、これをスピンナーなどで基板
上に塗布し、乾燥させる。この有機高分子化合物の薄膜
の厚さは、通常１０〜１００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００１７】次に、このようにして基板上に設けられた
有機高分子物質の薄膜に、所望のパターンに従い圧力を
印加するとその部分が基板に強固に結合し、不溶化又は
難溶化するので、有機溶剤処理により、圧力を印加しな
い部分の高分子物質が溶解除去されても、固着した部分
の高分子物質は、溶解されず、基板上に残る。高分子の
固着密度は、印加圧力が大きいほど高く、また圧力があ
まり高くないときは、高分子の１つ１つが個別に固着し
ているので、その分子の大きさ程度の微細なパターンが
形成される。すなわち、静水圧などを用いて基板全面に
圧力をかけても、全面に高分子程度の大きさの微細なド
ットが分布するような微細パターンが作成できる。ま
た、所定のパターンに従って圧力を加えれば、圧力を印
加した領域内に印加圧力に応じた密度で固着した高分子
物質が分布するので、所定の領域内に微細なドットが多
数分布する微細パターンが形成される。ここで、高分子
物質の大きさを制御すれば、ドットの大きさも制御する
ことができる。また、圧力が十分高ければ、圧力を加え
た領域全域に高分子物質が固着するので、印加した圧力
のパターンに従ったパターンが形成できる。さらに、圧
力を印加する手段を工夫することにより、並列に複数パ
ターンを描くことができるので、スループットを上げる
ことが可能である。
有機高分子物質の薄膜に、所望のパターンに従い圧力を
印加するとその部分が基板に強固に結合し、不溶化又は
難溶化するので、有機溶剤処理により、圧力を印加しな
い部分の高分子物質が溶解除去されても、固着した部分
の高分子物質は、溶解されず、基板上に残る。高分子の
固着密度は、印加圧力が大きいほど高く、また圧力があ
まり高くないときは、高分子の１つ１つが個別に固着し
ているので、その分子の大きさ程度の微細なパターンが
形成される。すなわち、静水圧などを用いて基板全面に
圧力をかけても、全面に高分子程度の大きさの微細なド
ットが分布するような微細パターンが作成できる。ま
た、所定のパターンに従って圧力を加えれば、圧力を印
加した領域内に印加圧力に応じた密度で固着した高分子
物質が分布するので、所定の領域内に微細なドットが多
数分布する微細パターンが形成される。ここで、高分子
物質の大きさを制御すれば、ドットの大きさも制御する
ことができる。また、圧力が十分高ければ、圧力を加え
た領域全域に高分子物質が固着するので、印加した圧力
のパターンに従ったパターンが形成できる。さらに、圧
力を印加する手段を工夫することにより、並列に複数パ
ターンを描くことができるので、スループットを上げる
ことが可能である。
【００１８】圧力を印加しない部分の有機高分子物質の
薄膜を溶解除去するための有機溶剤としては、該高分子
物質を溶解しうるものであればよく、特に制限はない。
例えば高分子物質がポリメチルメタクリレートから成る
場合は、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン及びこれらの混合物などが用いられるし、高分子物質
がポリスチレンから成る場合は、芳香族系溶剤、例えば
トルエンなどが用いられる。この有機溶剤を使用して圧
力を印加しない部分の有機高分子物質の薄膜を溶解除去
する方法としては、通常浸せき法が用いられる。
薄膜を溶解除去するための有機溶剤としては、該高分子
物質を溶解しうるものであればよく、特に制限はない。
例えば高分子物質がポリメチルメタクリレートから成る
場合は、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン及びこれらの混合物などが用いられるし、高分子物質
がポリスチレンから成る場合は、芳香族系溶剤、例えば
トルエンなどが用いられる。この有機溶剤を使用して圧
力を印加しない部分の有機高分子物質の薄膜を溶解除去
する方法としては、通常浸せき法が用いられる。
【００１９】本発明において、高分子物質の薄膜上に圧
力を印加する方法としては、単に針などで上から押しつ
ける方法や、針で高分子膜を引っかく方法を用いること
ができる。この場合、固着する高分子物質の密度は、引
っかく際の圧力に依存し、圧力を大きくするに伴い、密
度は高くなるが、大きくしすぎると基板そのものを傷付
けたり、高分子物質を押しつける作用よりも剥ぎ取る作
用の方が強くなり、固着密度が低くなることがある。こ
の印加される圧力は、有機高分子物質の薄膜の種類、基
板の材質、針先のミクロな形状に敏感に依存するため
に、一概に定めることはできないが、例えばシリコン基
板上に設けられたポリメチルメタクリレート膜を１２μ
ｍ径のダイヤモンド針で引っかく場合は、１〜１００ｇ
の針圧、好ましくは５〜３０ｇの針圧の範囲で選ばれ
る。
力を印加する方法としては、単に針などで上から押しつ
ける方法や、針で高分子膜を引っかく方法を用いること
ができる。この場合、固着する高分子物質の密度は、引
っかく際の圧力に依存し、圧力を大きくするに伴い、密
度は高くなるが、大きくしすぎると基板そのものを傷付
けたり、高分子物質を押しつける作用よりも剥ぎ取る作
用の方が強くなり、固着密度が低くなることがある。こ
の印加される圧力は、有機高分子物質の薄膜の種類、基
板の材質、針先のミクロな形状に敏感に依存するため
に、一概に定めることはできないが、例えばシリコン基
板上に設けられたポリメチルメタクリレート膜を１２μ
ｍ径のダイヤモンド針で引っかく場合は、１〜１００ｇ
の針圧、好ましくは５〜３０ｇの針圧の範囲で選ばれ
る。
【００２０】このような針で引っかく方法においては、
固着された高分子によるドットの微視的な位置は制御さ
れないが、巨視的な位置は制御が可能であり、また固着
密度も圧力により制御することができる。したがって、
この方法では、所定の範囲にそれぞれの微視的な位置は
問わないが、極めて多数のドットパターンを形成する必
要がある場合は極めて有利である。
固着された高分子によるドットの微視的な位置は制御さ
れないが、巨視的な位置は制御が可能であり、また固着
密度も圧力により制御することができる。したがって、
この方法では、所定の範囲にそれぞれの微視的な位置は
問わないが、極めて多数のドットパターンを形成する必
要がある場合は極めて有利である。
【００２１】微視的な位置を制御する必要がある場合
は、先端を微細加工した針を用いて、所定の位置に圧力
を印加すれば、微視的な位置が制御された微細パターン
を形成することができる。例えば、針の先端に微細加工
を施し、これを用いて有機高分子膜に押しつければ、針
先に加工したパターンが有機高分子膜上に転写される。
また、この針を用いて高分子膜を引っかくと、針先の凹
凸の個数に応じた数の微細な針で引っかくことに相当す
るので、１回の引っかき操作で、凹凸に対応した数の微
細なドットの列が形成される。さらに、この引っかき時
の圧力を、ドットとドットがつながるほど固着密度が大
きくなるように高くすることにより、微細なラインを引
くことができる。
は、先端を微細加工した針を用いて、所定の位置に圧力
を印加すれば、微視的な位置が制御された微細パターン
を形成することができる。例えば、針の先端に微細加工
を施し、これを用いて有機高分子膜に押しつければ、針
先に加工したパターンが有機高分子膜上に転写される。
また、この針を用いて高分子膜を引っかくと、針先の凹
凸の個数に応じた数の微細な針で引っかくことに相当す
るので、１回の引っかき操作で、凹凸に対応した数の微
細なドットの列が形成される。さらに、この引っかき時
の圧力を、ドットとドットがつながるほど固着密度が大
きくなるように高くすることにより、微細なラインを引
くことができる。
【００２２】また、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用い、
そのプローブの針の先端を有機高分子膜にドットの列が
できるように順次押しつけて該高分子膜を基板に固着さ
せ、微細パターンを形成させてもよい。このようにして
形成された高分子物質の薄膜から成る微細パターンは凝
縮核として効果的に作用する。
そのプローブの針の先端を有機高分子膜にドットの列が
できるように順次押しつけて該高分子膜を基板に固着さ
せ、微細パターンを形成させてもよい。このようにして
形成された高分子物質の薄膜から成る微細パターンは凝
縮核として効果的に作用する。
【００２３】一方、前記（２）の凝縮核の形成方法にお
いては、基板上に微細な機械的損傷を施すことにより、
凝縮核を形成させる。この機械的損傷を施す方法として
は、例えば前記（１）の場合と同様に針で基板を引っか
く方法を用いることができる。このような針で引っかく
方法においては、形成された損傷の微視的な位置を制御
するのはむずかしいが、巨視的な位置の制御は可能であ
り、また密度も制御することができる。したがって、こ
の方法では、所定の範囲にそれぞれ微視的な位置は問わ
ないが、極めて多数のドットパターンを形成する必要が
ある場合は有利である。
いては、基板上に微細な機械的損傷を施すことにより、
凝縮核を形成させる。この機械的損傷を施す方法として
は、例えば前記（１）の場合と同様に針で基板を引っか
く方法を用いることができる。このような針で引っかく
方法においては、形成された損傷の微視的な位置を制御
するのはむずかしいが、巨視的な位置の制御は可能であ
り、また密度も制御することができる。したがって、こ
の方法では、所定の範囲にそれぞれ微視的な位置は問わ
ないが、極めて多数のドットパターンを形成する必要が
ある場合は有利である。
【００２４】微視的な位置を制御する必要がある場合
は、前記（１）の場合と同様に、先端を微細加工した針
を用いて、傷を基板につければよい。また、原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）を用い、そのプローブの針で基板に傷を
つけてもよい。このようにして形成された基板上の損傷
は凝縮核として効果的に作用する。
は、前記（１）の場合と同様に、先端を微細加工した針
を用いて、傷を基板につければよい。また、原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）を用い、そのプローブの針で基板に傷を
つけてもよい。このようにして形成された基板上の損傷
は凝縮核として効果的に作用する。
【００２５】次に、前記（３）の凝縮核を形成させる方
法においては、基板上に金属を堆積させることにより、
凝縮核を形成させる。金や金‐パラジウム合金などの金
属を、スパッタリング法や真空蒸着法などにより堆積さ
せ、平均膜厚で数ｎｍ程度の厚さの薄膜を設けた場合、
これらの金属は、基板上にナノメータースケールの島状
の構造を形成し、凝縮核として作用する。この場合、形
成される凝縮核の微視的な位置は制御されないが、巨視
的な位置の制御は可能である。
法においては、基板上に金属を堆積させることにより、
凝縮核を形成させる。金や金‐パラジウム合金などの金
属を、スパッタリング法や真空蒸着法などにより堆積さ
せ、平均膜厚で数ｎｍ程度の厚さの薄膜を設けた場合、
これらの金属は、基板上にナノメータースケールの島状
の構造を形成し、凝縮核として作用する。この場合、形
成される凝縮核の微視的な位置は制御されないが、巨視
的な位置の制御は可能である。
【００２６】微視的な位置を制御する必要がある場合
は、例えば走査型トンネル顕微鏡を用い、その探針と基
板との間に電圧を印加し、探針の金属原子を電界蒸発さ
せて、基板上に金属を堆積させる方法を用いるのが有利
である。このようにして基板上に堆積された金属は凝縮
核として効果的に作用する。
は、例えば走査型トンネル顕微鏡を用い、その探針と基
板との間に電圧を印加し、探針の金属原子を電界蒸発さ
せて、基板上に金属を堆積させる方法を用いるのが有利
である。このようにして基板上に堆積された金属は凝縮
核として効果的に作用する。
【００２７】さらに、前記（４）の凝縮核を形成させる
方法においては、基板上にイオンビーム又は電子線を照
射することにより、凝縮核を形成させる。基板上にイオ
ンビーム又は電子線を照射すると、照射された部分は損
傷を受けたり、あるいは照射装置のチャンバー内に残留
するガスがイオンビーム又は電子線により分解されて堆
積する。したがって、基板の表面状態が、照射部分と非
照射部分とでは異なり、照射部分は凝縮核として効果的
に作用する。このようなイオンビーム又は電子線を照射
する方法は、凝縮核の微視的な位置の制御が可能であ
る。
方法においては、基板上にイオンビーム又は電子線を照
射することにより、凝縮核を形成させる。基板上にイオ
ンビーム又は電子線を照射すると、照射された部分は損
傷を受けたり、あるいは照射装置のチャンバー内に残留
するガスがイオンビーム又は電子線により分解されて堆
積する。したがって、基板の表面状態が、照射部分と非
照射部分とでは異なり、照射部分は凝縮核として効果的
に作用する。このようなイオンビーム又は電子線を照射
する方法は、凝縮核の微視的な位置の制御が可能であ
る。
【００２８】本発明の微細加工方法においては、基板、
特に前記のようにして表面に凝縮核が設けられた基板に
対して、凝縮開始温度でドライエッチング処理を施す
が、このドライエッチング処理方法としては、特に電子
サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）エッチング装置を使用
する方法が有利である。この方法によると、イオンのエ
ネルギーを余り高くすることなく、エッチングを行うこ
とが可能であるため、凝縮核に付着したエッチングガス
又は反応生成物の凝縮物をイオン衝撃で破壊することな
く、マスクとして作用させることができる。また、エッ
チングガスとしては基板としてシリコン基板を用いる場
合には、特に六フッ化イオウが好適である。
特に前記のようにして表面に凝縮核が設けられた基板に
対して、凝縮開始温度でドライエッチング処理を施す
が、このドライエッチング処理方法としては、特に電子
サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）エッチング装置を使用
する方法が有利である。この方法によると、イオンのエ
ネルギーを余り高くすることなく、エッチングを行うこ
とが可能であるため、凝縮核に付着したエッチングガス
又は反応生成物の凝縮物をイオン衝撃で破壊することな
く、マスクとして作用させることができる。また、エッ
チングガスとしては基板としてシリコン基板を用いる場
合には、特に六フッ化イオウが好適である。
【００２９】
【発明の効果】本発明によると、従来微細加工において
慣用されているリソグラフィー技術を用いずに、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を効率よく行うことができる。
慣用されているリソグラフィー技術を用いずに、１０ｎ
ｍレベルの微細加工を効率よく行うことができる。
【００３０】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３１】実施例１ シリコン基板上に、重量平均分子量約６０万、分散度３
以下のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）薄膜を厚
さ７５ｎｍでスピンコート法により形成した。次いで、
この薄膜を、先端径５０μｍのタングステン針で５０ｇ
の針圧にて引っかいたのち、アセトンに２分間浸せき処
理した。
以下のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）薄膜を厚
さ７５ｎｍでスピンコート法により形成した。次いで、
この薄膜を、先端径５０μｍのタングステン針で５０ｇ
の針圧にて引っかいたのち、アセトンに２分間浸せき処
理した。
【００３２】次に、前記試料を電子サイクロトロン共鳴
型（ＥＣＲ）エッチング装置内に入れ、ドライエッチン
グ処理（エッチングガス：ＳＦ6 １×１０-4ｔｏｒｒ、
マイクロ波：２．４５ＧＨｚ、２５０Ｗ、試料に１３．
５６ＭＨｚの高周波５Ｗを印加）を１分間行った。
型（ＥＣＲ）エッチング装置内に入れ、ドライエッチン
グ処理（エッチングガス：ＳＦ6 １×１０-4ｔｏｒｒ、
マイクロ波：２．４５ＧＨｚ、２５０Ｗ、試料に１３．
５６ＭＨｚの高周波５Ｗを印加）を１分間行った。
【００３３】試料温度を−１４０℃に設定すると、全面
に凝縮が起こり、エッチングされなかった。また、試料
温度を−１２０℃に設定すると、全面が一様にエッチン
グされた。さらに、試料温度を−１３０℃に設定する
と、直径１０ｎｍ程度のシリコンの柱が針で引っかいた
箇所に形成された。したがって、凝縮開始温度は、この
場合−１３０℃であると評価される。
に凝縮が起こり、エッチングされなかった。また、試料
温度を−１２０℃に設定すると、全面が一様にエッチン
グされた。さらに、試料温度を−１３０℃に設定する
と、直径１０ｎｍ程度のシリコンの柱が針で引っかいた
箇所に形成された。したがって、凝縮開始温度は、この
場合−１３０℃であると評価される。
【００３４】図３に形成されたシリコンの柱の直径の分
布を示す。直径分布は７〜１７ｎｍにわたり、平均で１
１ｎｍ、標準偏差２．５ｎｍであった。また、ＰＭＭＡ
の代わりに重量平均分子量約１００万のポリスチレンを
用いて、前記と同様にして実施したところ、直径１０ｎ
ｍ、高さ１００ｎｍ程度のシリコンの柱が形成された。
布を示す。直径分布は７〜１７ｎｍにわたり、平均で１
１ｎｍ、標準偏差２．５ｎｍであった。また、ＰＭＭＡ
の代わりに重量平均分子量約１００万のポリスチレンを
用いて、前記と同様にして実施したところ、直径１０ｎ
ｍ、高さ１００ｎｍ程度のシリコンの柱が形成された。
【００３５】実施例２ シリコン基板上に、金をスパッタリング法により平均膜
厚で１ｎｍ堆積させた。この試料をＥＣＲエッチング装
置内に入れ、試料を−１３０℃に冷却し、金粒子を凝縮
核としてドライエッチング処理（試料温度：−１３０
℃、エッチングガス：ＳＦ6 １×１０-4ｔｏｒｒ、マイ
クロ波：２．４５ＧＨｚ、２５０Ｗ、試料に１３．５６
ＭＨｚの高周波５Ｗを印加）を１分間行った。その結
果、直径１０ｎｍ程度のシリコンの柱が形成された。
厚で１ｎｍ堆積させた。この試料をＥＣＲエッチング装
置内に入れ、試料を−１３０℃に冷却し、金粒子を凝縮
核としてドライエッチング処理（試料温度：−１３０
℃、エッチングガス：ＳＦ6 １×１０-4ｔｏｒｒ、マイ
クロ波：２．４５ＧＨｚ、２５０Ｗ、試料に１３．５６
ＭＨｚの高周波５Ｗを印加）を１分間行った。その結
果、直径１０ｎｍ程度のシリコンの柱が形成された。
【００３６】実施例３ 表面をフッ化水素により洗浄処理したシリコン基板を、
先端径５０μｍのタングステンの針で針圧５０ｇにて引
っかいた。次に、この試料を実施例２と同様にしてドラ
イエッチング処理したところ、直径１０ｎｍ程度のシリ
コンの柱が形成された。
先端径５０μｍのタングステンの針で針圧５０ｇにて引
っかいた。次に、この試料を実施例２と同様にしてドラ
イエッチング処理したところ、直径１０ｎｍ程度のシリ
コンの柱が形成された。
【００３７】実施例４ 表面をフッ化水素により洗浄処理したシリコン基板に、
集束イオンビーム装置で３０ｎｍにビームをしぼり７０
ｋｅＶの金イオンを１０13／ｃｍ2照射した。この試料
を実施例２と同様にしてドライエッチング処理したとこ
ろ、イオンが打ち込まれた場所が凝縮核として働き、幅
３０ｎｍのシリコンの柱が形成された。
集束イオンビーム装置で３０ｎｍにビームをしぼり７０
ｋｅＶの金イオンを１０13／ｃｍ2照射した。この試料
を実施例２と同様にしてドライエッチング処理したとこ
ろ、イオンが打ち込まれた場所が凝縮核として働き、幅
３０ｎｍのシリコンの柱が形成された。
【００３８】実施例５ 表面をフッ化水素により洗浄処理したシリコン基板に、
２０ｋｅＶの電子線を１０ｎｍに絞り、０．０１Ｃ／ｃ
ｍ2の照射量で２０００点照射した。この試料を実施例
２と同様にしてドライエッチング処理したところ、電子
線を照射した部分に、幅１０ｎｍのシリコンの柱が２０
００個形成された。
２０ｋｅＶの電子線を１０ｎｍに絞り、０．０１Ｃ／ｃ
ｍ2の照射量で２０００点照射した。この試料を実施例
２と同様にしてドライエッチング処理したところ、電子
線を照射した部分に、幅１０ｎｍのシリコンの柱が２０
００個形成された。
【００３９】実施例６ 表面をフッ化水素により洗浄処理したシリコン基板上
に、金を探針とする走査型トンネル顕微鏡により、金の
ドットを電界蒸発によって堆積させた。電界蒸発は、サ
ンプルバイアス：−４Ｖ、トンネル電流：１０ｎＡ、パ
ルス幅：１０ｍｓになるように電圧を印加して行った。
この試料を実施例２と同様にしてドライエッチング処理
したところ、金を堆積した箇所に直径１０ｎｍ程度のシ
リコンのドットが形成できた。
に、金を探針とする走査型トンネル顕微鏡により、金の
ドットを電界蒸発によって堆積させた。電界蒸発は、サ
ンプルバイアス：−４Ｖ、トンネル電流：１０ｎＡ、パ
ルス幅：１０ｍｓになるように電圧を印加して行った。
この試料を実施例２と同様にしてドライエッチング処理
したところ、金を堆積した箇所に直径１０ｎｍ程度のシ
リコンのドットが形成できた。
【００４０】実施例７ シリコン基板上に、重量平均分子量約６０万、分散度３
以下のＰＭＭＡ薄膜を厚さ７５ｎｍでスピンコート法に
より形成した。次いで、この薄膜に、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）のプローブの針の先端を押しつけ、１点１点
が１列に並んだドットの列ができるように順次１０ＧＰ
ａ程度の圧力をかけた。次にアセトンに２分間浸せき処
理したのち、この試料を実施例２と同様にしてドライエ
ッチング処理したところ、直径１０ｎｍ程度のシリコン
のドットの列が所定の場所に形成できた。
以下のＰＭＭＡ薄膜を厚さ７５ｎｍでスピンコート法に
より形成した。次いで、この薄膜に、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）のプローブの針の先端を押しつけ、１点１点
が１列に並んだドットの列ができるように順次１０ＧＰ
ａ程度の圧力をかけた。次にアセトンに２分間浸せき処
理したのち、この試料を実施例２と同様にしてドライエ
ッチング処理したところ、直径１０ｎｍ程度のシリコン
のドットの列が所定の場所に形成できた。
【図１】 本発明による微細加工方法の１例の工程説明
図。
図。
【図２】 本発明による微細加工方法の原理を示す図。
【図３】 実施例１で形成されたシリコン柱の直径の分
布を示すグラフ。
布を示すグラフ。
１ 基板 ２ 凝縮核 ３ ドライエッチング後形成された微細パターン
Claims (8)
- 【請求項１】 ドライエッチング処理により、基板に微
細加工を施すに当り、基板温度をエッチングガス又はエ
ッチングガスと基板物質との反応生成物が凝縮を開始す
る温度に設定し、基板上に部分的に形成された凝縮物に
よりマスクしながら基板をドライエッチング処理するこ
とを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項２】 基板上に予め凝縮核を形成させたのち、
ドライエッチング処理する請求項１記載の微細加工方
法。 - 【請求項３】 基板上に有機溶剤に可溶な有機高分子物
質の薄膜を設け、この薄膜の一部に圧力を印加して不溶
化させたのち、圧力を印加しない部分を有機溶剤で選択
的に溶解除去して微細パターンの凝縮核を形成させる請
求項２記載の微細加工方法。 - 【請求項４】 有機溶剤に可溶な有機高分子物質がアク
リル酸エステル重合体、メタクリル酸エステル重合体又
はスチレン系樹脂である請求項３記載の微細加工方法。 - 【請求項５】 基板上に微細な機械的損傷を施し、凝縮
核を形成させる請求項２記載の微細加工方法。 - 【請求項６】 基板上に金属を堆積させ、凝縮核を形成
させる請求項２記載の微細加工方法。 - 【請求項７】 基板上にイオンビーム又は電子線を照射
して凝縮核を形成させる請求項２記載の微細加工方法。 - 【請求項８】 ドライエッチング処理を電子サイクロト
ロン共鳴型（ＥＣＲ）エッチング装置を使用して行う請
求項１ないし７のいずれかに記載の微細加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310229A JP2884054B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 微細加工方法 |
| US08/758,054 US5935454A (en) | 1995-11-29 | 1996-11-27 | Ultrafine fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310229A JP2884054B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148302A true JPH09148302A (ja) | 1997-06-06 |
| JP2884054B2 JP2884054B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18002750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310229A Expired - Lifetime JP2884054B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 微細加工方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5935454A (ja) |
| JP (1) | JP2884054B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012212779A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | モールドの製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2820113B2 (ja) * | 1996-04-11 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 原子マスクおよびこれを用いたパターン形成方法 |
| US5985766A (en) | 1997-02-27 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming a contact opening |
| US6156393A (en) * | 1997-11-12 | 2000-12-05 | John C. Polanyi | Method of molecular-scale pattern imprinting at surfaces |
| US6878417B2 (en) * | 1997-11-12 | 2005-04-12 | John C. Polanyi | Method of molecular-scale pattern imprinting at surfaces |
| US6319566B1 (en) * | 1997-11-12 | 2001-11-20 | John C. Polanyi | Method of molecular-scale pattern imprinting at surfaces |
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| AU2003263949A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-23 | The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland | Method for synthesizing nanoscale structures in defined locations |
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| FR2864109B1 (fr) * | 2003-12-23 | 2006-07-21 | Commissariat Energie Atomique | Croissance organisee de nano-structures |
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