JPH09148373A - 無線通信モジュール - Google Patents

無線通信モジュール

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JPH09148373A
JPH09148373A JP7303027A JP30302795A JPH09148373A JP H09148373 A JPH09148373 A JP H09148373A JP 7303027 A JP7303027 A JP 7303027A JP 30302795 A JP30302795 A JP 30302795A JP H09148373 A JPH09148373 A JP H09148373A
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JP
Japan
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wireless communication
communication module
high frequency
chip
interconnection
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JP7303027A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Tanaka
裕明 田中
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】金属をベースとする薄膜多層基板にチップをバ
ンプ接続することにより、実装密度を向上させて小形化
を図り、配線損失、消費電力および雑音を低減させる。 【解決手段】低誘電率の金属ベース２ａを有する薄膜多
層基板上２に、高周波部品のチップ４をフリップチップ
実装してなる無線通信モジュール。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超小型の無線通信
モジュール、特に携帯通信端末に用いられる無線通信モ
ジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の無線通信モジュールの実装形態を
図６に示す。ＩＣなどの高周波部品のベアチップ４２
が、セラミック多層基板４１に接着され、かつ、セラミ
ック多層基板４１に形成されたパッド４３にワイヤボン
ディングされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無線通信モジュールは、ワイヤボンディングを実施する
に当たり、ワイヤ接続のパッド４３を設けるスペースが
セラミック多層基板４１に必要となり、実装密度を向上
させることができなかった。また、セラミック多層基板
４１の熱抵抗が大きいために、実装密度を上げると装置
温度が上昇していた。また、セラミック多層基板４１の
誘電率εｒが、例えばεｒ＝８と、高いので、整合を取
るために配線４４が細くなりすぎて配線４４の配線損失
が大きくなり、したがって消費電力、雑音とも大きくな
っていた。
【０００４】そこで、本発明は、バンプを形成した高周
波部品のチップを、金属ベース薄膜多層基板にフリップ
チップ実装することにより、実装密度を向上させて小形
化を図り、配線損失、消費電力および雑音を低減した無
線通信モジュールを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、下記の手段を採ることを特徴とする。 １．金属をベースとする低誘電率の薄膜多層基板上に、
高周波部品のチップをフリップチップ実装してなる無線
通信モジュール。
【０００６】２．上記１記載の無線通信モジュールが、
テープ・キャリア・パッケージに接続されてなる無線通
信モジュール。
【０００７】３．前記薄膜多層基板に形成された凹部
に、前記チップが実装されてなる上記１記載の無線通信
モジュール。
【０００８】以上のように、本発明は、バンプを形成し
た高周波部品のチップを、金属ベース薄膜多層基板にフ
リップチップ実装することにより、チップの実装密度が
向上し、配線損失、消費電力、雑音が低減し、高周波特
性と熱放散特性も向上する。また、実装形態としてテー
プ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）を使用することに
より、ワイヤボンディングに比べて、インダクタンスを
軽減でき高周波特性が改善される。
【０００９】また、金属ベース薄膜多層基板の誘電体層
に設けた凹部にチップを載置し、かつ、薄膜多層基板の
誘電体層の上面にグランド電極を形成しているので、放
熱特性が向上し、併せて妨害波の外部からの飛来および
内部回路からの放射を防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。図１は第１実施例の無線通信
モジュール１の斜視図を示し、図２は図１に示す無線通
信モジュール１の概略の側面図である。両図において、
２は薄膜多層基板で、金属ベース２ａの上に誘電率εｒ
＝４のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの誘電体層２
ｂを形成し、この誘電体層２ｂ中およびその表面に配線
３を形成したものである。この薄膜多層基板２の誘電体
層２ｂは、誘電率εｒが４以下と低いため、この誘電体
層２ｂ中あるいはその表面に形成される配線３の幅を従
来よりも大きくして伝送損失を少なくし、整合を取るこ
とができる。このため、配線損失、消費電力、歪みおよ
び雑音が低減する。
【００１１】薄膜多層基板２の誘電体層２ａの表面に形
成された配線３には、高周波回路の能動および受動の高
周波部品のチップ４がそのバンプ４ａにより接続され
る。この高周波部品は、例えば、ガリヒソ・パワーモジ
ュール（GaAs PA/Mod ）、高周波ＳＡＷフィルタ、誘電
体フィルタ、電圧制御発振器、ガリヒソ・ローノイズア
ンプ・ミキサー（GaAs LNA・MIX）、ＳＡＷディスクリミ
ネータ、シリコン・デモジュレータ（Si Demod）、中間
周波ＳＡＷフィルタなどよりなる。また、５は薄膜多層
基板２の表面の配線３から、金属ベース２ａに至るビア
ホールで、チップ４の発熱をバンプ４ａおよびビアホー
ル５を介して金属ベース１に逃がすと同時に、グランド
接続をも兼ねるものである。
【００１２】つぎに、本発明の第２実施例について図３
および図４を参照して説明する。図３において、Ａはテ
ープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）２０を示し、Ｂ
は図１に示す無線通信モジュール１を示す。このＴＣＰ
２０は、無線通信モジュール１の配線端子３ａに対応す
る位置にフィンガー端子２１を有する。無線通信モジュ
ール１の配線端子３ａには、バンプ３ｂが形成されてい
る。そして、図４に示すように、無線通信モジュール１
の上に、ＴＣＰ２０を載置して、そのフィンガー端子２
１の先端をバンプ３ｂ上に当接し熱圧着して接続する。
このようにして、ＴＣＰ２０に複数個の無線通信モジュ
ール１が接続されることになる。この無線通信モジュー
ル１をセット基板に実装するときには、破線で示す部位
をカットして接続することになる。
【００１３】本実施例においては、無線通信モジュール
１がボンディング・ワイヤに比較して、かなり太めのＴ
ＣＰ２０のフィンガー端子２１により接続されるので、
インダクタンスが小さくなり高周波特性が良好となる。
【００１４】つぎに、本発明の第３実施例について図５
を参照して説明する。同図において、３０は本実施例の
無線通信モジュールを示す。金属ベース３１の上には樹
脂などの誘電体層３２が形成され、この誘電体層３２中
には薄膜多層配線３２ａが形成され、その表面にはグラ
ンド電極３２ｂが形成されている。このグランド電極３
２ｂは破線で示すように、金属ベース３１とビアホー
ル、側面短絡電極などにより接続されている。３３は誘
電体層３２を一部削除して形成した凹部で、この凹部３
３の底面は誘電体層３２よりなり、その底面の誘電体層
３２の一部に薄膜多層配線３２ａが露出している。そし
て、この露出している薄膜多層配線３２ａにチップ４が
そのバンプ４ａを介して接続され、このチップ４は凹部
３３中に収納された構造となる。
【００１５】本実施例は、誘電体層３２の一部に凹部３
３を設けて、この凹部３３の底面の誘電体層３２の厚さ
を薄くしているので、その熱抵抗が下がり、チップ４の
発生熱を金属ベース３１に容易に放熱することができ
る。また、グランド電極３２ｂを誘電体層３２の上面に
設けているので、妨害波の外部からの飛来および内部回
路からの放射を防止することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、バンプを形成した高周波部品
のチップを、金属をベースとする薄膜多層基板にフリッ
プチップ実装するので、実装密度が向上して小形化を図
ることができ、併せて配線損失、消費電力および雑音も
低減することができる。
【００１７】また、実装形態としてＴＣＰを採用した場
合には、ワイヤボンディングに比べて、インダクタンス
を軽減でき高周波特性が改善できる。
【００１８】また、金属ベース薄膜多層基板の誘電体層
に凹部を設け、この凹部にチップを載置し、かつ、誘電
体層の上面にグランド電極を形成しているので、熱放散
特性が向上すると共に、妨害波の外部からの飛来および
内部回路からの放射を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の無線通信モジュールの第１実施例の
概略形態の斜視図
【図２】 図１の一側面の概略形態図
【図３】 本発明の無線通信モジュールの第２実施例を
示すもので、ＡはＴＣＰの斜視図、Ｂは無線通信モジュ
ールの斜視図
【図４】 図１に示すＴＣＰに無線通信モジュールを接
続した場合の斜視図
【図５】 本発明の無線通信モジュールの第３実施例の
概略形態図
【図６】 従来の無線通信モジュールの概略形態の斜視
図
【符号の説明】
１、３０ 無線通信モジュール ２ 薄膜多層基板 ２ａ、３１ 金属ベース ２ｂ、３２ 誘電体層 ３、３２ａ 配線 ４ チップ ４ａ バンプ ５ ビアホール ３２ｂ グランド電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属をベースとする低誘電率の薄膜多層
    基板上に、高周波部品のチップをフリップチップ実装し
    てなる無線通信モジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の無線通信モジュールが、
    テープ・キャリア・パッケージに接続されてなる無線通
    信モジュール。
  3. 【請求項３】 前記薄膜多層基板に形成された凹部に、
    前記チップが実装されてなる請求項１記載の無線通信モ
    ジュール。
JP7303027A 1995-11-21 1995-11-21 無線通信モジュール Pending JPH09148373A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7303027A JPH09148373A (ja) 1995-11-21 1995-11-21 無線通信モジュール
GB9624155A GB2307596A (en) 1995-11-21 1996-11-20 Radio communications module
DE19648308A DE19648308A1 (de) 1995-11-21 1996-11-21 Funkkommunikationsmodul

Applications Claiming Priority (1)

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JP7303027A JPH09148373A (ja) 1995-11-21 1995-11-21 無線通信モジュール

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DE (1) DE19648308A1 (ja)
GB (1) GB2307596A (ja)

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