JPH09148482A

JPH09148482A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH09148482A
Application number: JP7306065A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Yamashita; 力山下
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-11-24
Filing date: 1995-11-24
Publication date: 1997-06-06

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップをベースフィルムを用いて支持
した半導体装置における電気的、熱的特性を改善すると
とともに、実装密度をも高め得るようにすることであ
る。【解決手段】ベースフィルム部材は内側に複数の電極
パッドを有するとともに周辺部を備えており、この周辺
部上には複数の電極パッドが備えられている。半導体チ
ップは内側の電極パッドに固定支持されており、半導体
チップと周辺部の電極パッドとは配線によって電気的に
接続されている。上記の周辺部に対して外部接続電極部
材が突出して配置され、ベースフィルム部材の周辺部に
は貫通孔が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ベースフィルムに
設けられたデバイスホール内及び電極パッドに半導体チ
ップを取り付けた構造を有する半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体装置としては、特
願平６−９４８８１号明細書に記載されたものがある。
上記明細書に記載された半導体装置は、図１３に示され
ているようなポリイミド等の絶縁性フィルム２０に、半
導体チップ２１を固定することによって製作されてい
る。より具体的に言えば、フィルム２０の幅方向両側に
は、当該フィルムを搬送及び位置決めするためのスプロ
ケットホール２２が設けられており、このスプロケット
ホール２２を利用して、フィルム２０をその長手方向に
移送することができる。

【０００３】また、フィルム２０には、半導体チップ２
１を位置付けるための開口部、即ち、デバイスホール２
３が内側に設けられており、デバイスホール２３の外側
には、４つの台形形状のカットホール２４が形成されて
いる。したがって、カットホール２４の内側に区画され
た周辺部の領域によって半導体チップ２１の領域が規定
されている。

【０００４】フィルム２０の区画された周辺部の領域内
には、インナーリード２５による配線が施されており、
各インナーリード２５の一端は、半導体チップ２１の電
極と電気的に接続され、他方、各インナーリード２５の
他端は、フィルム２０の区画された領域内に分散配置さ
れた電極パッド２６に電気的に接続されている。また、
各電極パッド２６上には、外部接続電極部材として半田
等によって形成されたボール状のバンプ２７が図面の表
面方向に突出している。

【０００５】また、図面に破線で示されているように、
バンプ２７以外の区画された周辺領域はカバーレジスト
２８によって被覆されており、このカバーレジスト２８
によって、インナーーリード２５等が汚染されるのを防
止している。尚、半導体チップ２１はその周辺のインナ
ーリード２５と共に、樹脂封止されている。

【０００６】最終的に、フィルム２０をカットホール２
４の部分から切り取ることにより、半導体チップ２１
と、ベースフィルム部材とによって構成された半導体装
置を得ることができる。

【０００７】上記した構成を有する半導体装置は、電極
パッド２６上のバンプ２７を直接マザーボード上に、実
装できるため、実質上、ベースフィルム部材をパッケー
ジ部として使用できる。したがって、上記した半導体装
置は、セラミックパッケージ等を有する半導体装置に比
べて、安価であるという利点を有している。また、イン
ナーリード２５の配線領域をカットホール２４の内側だ
けに限定できるため、図示された半導体装置は、小形化
の面でも有利である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た半導体装置がバンプ２７を介してマザーボード上に実
装された場合、半導体チップの裏面が直接、大気に晒さ
れる状態となるため、汚染されやすく、且つ、電磁気的
に半導体チップ内の各素子をシールドできないという欠
点がある。また、上記した半導体装置は、半導体素子の
形成された面、即ち、バンプの形成された面がマザーボ
ードと対向した状態で、実装されるため、放熱性の面に
おいても、不充分であった。更に、マザーボードに実装
後においても、半導体装置の動作を各バンプ毎にプロー
ブを当てて電気検査する必要があるが、上記した構成で
は、ベースフィルム部材の中央位置におけるバンプの電
気検査は、実質上、難しい状況にあった。

【０００９】本発明の目的は、マザーボード上に搭載さ
れた後においても、各バンプ毎に容易に電気検査できる
半導体装置を提供することである。

【００１０】本発明の他の目的は、電磁気的にシールド
できると共に、汚染及び放熱の点においても問題の生じ
ない半導体装置を提供することである。

【００１１】本発明の更に他の目的は、実装の際、各バ
ンプ毎にボンディングツールを当接して、ボンディング
を行うことができる半導体装置を提供することである。

【００１２】本発明の他の目的は、上記した半導体装置
を得るのに適した半導体装置製造用テープを提供するこ
とである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、内側に
複数の電極パッドを有するとともに周辺部を備え、該周
辺部上に複数の電極パッドを有するベースフィルム部材
と、前記内側の電極パッドに固定支持された半導体チッ
プと、前記半導体チップと前記周辺部の電極パッドとを
電気的に接続する配線と、前記周辺部に対して突出した
外部接続電極部材とを備え、前記ベースフィルム部材の
周辺部には貫通孔が設けられていることを特徴とする半
導体装置が得られる。

【００１４】上記したように、本発明では、ベースフィ
ルム部材の周辺部に貫通孔を設けることにより、この貫
通孔を利用して、ボンディング或いは電気検査を行うこ
とができる。また、貫通孔を介して、外部接続電極部材
として、ベースフィルム部材の上下に突出部を設けれ
ば、一方の突出部をマザーボード上の電極との接続のた
めの外部接続用電極として使用できると共に、他方の突
出部上に、シールド板或いは放熱板を取り付けることが
できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施例を説明する。

【００１６】図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、
（ｅ）、及び（ｆ）を参照して、本発明の第１の実施例
に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。まず、
図１（ａ）に示すように、半導体チップ２１及びベース
フィルム部材３０が用意される。図示されたベースフィ
ルム部材３０は、ポリイミド樹脂等の非導電性材料によ
って形成され、図１３と同様に、デバイスホール２３、
及び、このデバイスホール２３を囲み、カットホール
（図示せず）によって区画された周辺部とを備え、この
周辺部には、複数個の貫通孔３１が設けられている点
で、図１３に示されたフィルム２０とは異なっている。

【００１７】また、ベースフィルム部材３０の一表面
（図では、上側に向けられた面）には、ベースフィルム
部材３０の周辺部から、デバイスホール２３内まで延在
するインナーリード２５が形成されており、インナーリ
ード２５の周辺部側の終端部には、貫通孔３１上に設け
られた電極パッド、即ち、ランド２６が設けられてい
る。ランド２６の上面、即ち、貫通孔３１の上部以外の
周辺部領域は、カバーレジスト、即ち、ソールダーレジ
スト２８によって被覆されている。更に、インナーリー
ド２５のデバイスホール２３側端部は、半導体チップ２
１上のチップ電極３２にボンディングによって電気的に
接続されている。

【００１８】次に、図１（ｂ）に示されているように、
デバイスホール２３内の半導体チップ２１は樹脂３３に
よってモールドされる。この状態では、ランド２６の部
分がカバーレジスト２８によって覆われることなく、外
部に露出している。

【００１９】カバーレジスト２８によって覆われていな
いランド２６上には、図１（ｃ）に示すように、半田等
によりボール状の第１のバンプ３５が形成され、これら
第１のバンプ３５は外部接続電極部材として役立つ。

【００２０】更に、この実施例では、図１（ｄ）に示す
ように、ベースフィルム部材３０の周辺部をカバーでき
るサイズを有する銅等の金属板４０が用意され、この金
属板４０の一表面（図では、上側に向けられた面）上
に、ベースフィルム部材３０の貫通孔３１に対応した位
置を除いて、ソールダーレジスト４１を被着する。ソー
ルダーレジスト４１が被着されない部分には、ベースフ
ィルム部材３０の場合と同様に、半田等による第２のバ
ンプ４２が形成される。この図からも明らかな通り、図
示された金属板４０は、ベースフィルム部材３０と同様
に、中央部に半導体チップ２１を収容するための開口を
有している。

【００２１】次に、図１（ｅ）に示すように、上記した
第２のバンプ４２付の金属板４０及び図１（ｃ）に示さ
れた貫通孔３１を有するベースフィルム部材３０は、第
２のバンプ４２とベースフィルム部材３０の貫通孔３１
とが、互いに向かい合うように反転される。この反転し
た状態で、第２のバンプ４２を軟化させることにより貫
通孔３１内に流し込み、インナーリード２５のランド２
６と金属板４０とを電気的に接続する。これによって、
ベースフィルム部材３０の表裏両面に、それぞれバンプ
によって形成された突起部を有する半導体装置が得られ
る。尚、図１（ｆ）に示すように、ベースフィルム部材
３０の第１のバンプ３５側の面は、接着剤層４３によっ
て覆われている。

【００２２】図２（ａ）及び（ｂ）には、図１（ｅ）に
示された半導体装置を第１のバンプ３５及び金属板４０
側から見た場合の平面図が示されている。図２（ａ）か
らも明らかなように、半導体チップ２１をモールドした
樹脂３３の周辺には、第１のバンプ３５が配列されてお
り、第１のバンプ３５はそれぞれベースフィルム部材３
０のインナーリードの電極パッドに接続されている。

【００２３】一方、金属板４０は、ベースフィルム３０
とほぼ同じ寸法を有し、且つ、樹脂３３によってモール
ドされた半導体チップ２１を囲むように配置されてい
る。また、金属板４０側の第２のバンプ４２の数は第１
のバンプ３５の数より、少ないことが分かる。したがっ
て、第２のバンプ４２は限られた数のインナーリード２
５とだけ、電気的に接続されている。したがって、第２
のバンプ４２と電気的に接続されたインナーリード２５
には、同一の電位を与えることができる。

【００２４】この構成を有する半導体装置は、金属板４
０に接地電位或いは電源電位、例えば、Ｖｃｃを与える
ことにより、電源回路における抵抗、或いは、インダク
タンスを１／５〜１／１０まで低減できる。また、金属
板４０を配置することにより、第１のバンプ３５を電磁
気的にシールドすることができるため、外部からの雑音
等による影響の少ない半導体装置を構成できる。更に、
ベースフィルム部材３０に、貫通孔３１を設けることに
より、フィルムの反りを少なくできるという利点もあ
る。

【００２５】図３（ａ）及び（ｂ）を参照すると、本発
明の第２の実施例に係る半導体装置は、図３（ａ）に図
示された金属板４０ａは、中央部に開口を有していない
点で、図１（ｄ）の金属板４０と異なっている。この関
係で、金属板４０ａの中央部には、銀ペーストによって
形成されたソールダー部４５が設けられており、中央部
の周辺には、図１（ｄ）に示された金属板４０と同様
に、カバーレジスト４１が第２のバンプ４２のランド領
域を除いて塗布されている。

【００２６】図３（ａ）に示された金属板４０ａは、図
３（ｂ）に示すように、第２のバンプ４２を下向きにし
た、半導体チップ２１及び貫通孔３１を有するベースフ
ィルム３０上に搭載される。したがって、第２のバンプ
４２は、ベースフィルム３０の貫通孔３１と対向するよ
うに位置付けられ、他方、中央部のソールダー部４５は
半導体チップ２１の裏面に接触する。この状態で、第２
のバンプ４２及びソールダー部４５の銀ペーストが軟
化、溶融されると、第２のバンプ４２は貫通孔３１を介
して、インナーリード２５のランド２６と電気的に接続
され、他方、金属板４０ａはソールダー部４５を介して
半導体チップ２１の裏面に機械的に固定される。

【００２７】この構成では、半導体チップ２１と直接接
触した金属板４０ａを放熱板（ヒートスプレッダー）と
して使用することができると共に、半導体チップ２１内
の素子を電磁気的にシールドできる。また、この例にお
いても、金属板４０ａに所定電位を与えて使用する場
合、第２のバンプ４２は、所定数のインナーリード２５
だけに電気的に接続されれば良い。一方、金属板４０ａ
を放熱板としてだけ使用する場合、第２のバンプ４２は
必ずしもインナーリード２５と電気的に接続されなくて
も良い。

【００２８】尚、この実施例においても、ベースフィル
ム部材３０の両面には、貫通孔３１を介して接続された
第１及び第２のバンプ３５及び４２が配置されているこ
とは、第１の実施例の場合と同様である。

【００２９】図４を参照すると、本発明の第３の実施例
に係る半導体装置が示されており、この例では、ヒート
スプレッダーとして作用する金属板４０ｂにも、貫通孔
５０が設けられている。この場合、貫通孔３１を備えた
ベースフィルム３０の両面に、半田等によって構成さ
れ、且つ、貫通孔３１を介して接続されたバンプ３５及
び４２を突出させておき、バンプ４２の一部が金属板４
０ｂの貫通孔５０内に、挿入されている。この場合、こ
れらバンプ３５及び４２は、カバーレジスト２８及び４
１の塗布されていない領域に形成されることは、前述し
た実施例と同様である。

【００３０】図示された構成の半導体装置では、バンプ
４２の先端が金属板４０ｂの貫通孔５０中に挿入されて
いるから、金属板４０ｂ側からバンプ４２の位置を目視
できる。したがって、バンプ４２に電気検査用プローブ
を当接して、半導体チップ２１の電気検査等を行うこと
もできる。

【００３１】図５を参照すると、本発明の第４の実施例
に係る半導体装置は、図１において使用された半導体装
置を縦方向に積層した構成と実質上等価な構成を有して
おり、この関係上、対応する部分は同一の参照符号で指
示されている。より具体的に説明すれば、最下部に配置
された部分は、図１の場合と同様に、樹脂３３によって
封止された半導体チップ２１と、この半導体チップ２１
のチップ電極３２と、インナーリード２５を介して下部
ベースフィルム部材３０上で電気的に接続されたランド
２６とを有している。図示されたように、下部ベースフ
ィルム部材３０には、図１と同様に、複数の貫通孔３１
が設けられており、この下部ベースフィルム部材３０の
下面には、バンプ３５が突出している。また、上記した
貫通孔３１を介して、下部ベースフィルム３０のバンプ
３５は、上部ベースフィルム部材３０´から、図の下方
向に突出したバンプ３５´と電気的に接続されている。
当該上部ベースフィルム部材３０´には、樹脂３３´及
びインナーリード２５´により、もう一つの半導体チッ
プ２１´が支持、固定されている。

【００３２】また、図示されたように、上部ベースフィ
ルム部材３０´にも、貫通孔３１´が形成されており、
これら貫通孔３１´の幾つかは、上部ベースフィルム部
材３１´の下方向に突出したバンプ３５´のランド２６
´の位置に設けられている。更に、図示された実施例で
は、図１と同様に、上部ベースフィルム部材３０´上に
は、バンプ４２を有する金属板４０が搭載されており、
各バンプ４２は、上部ベースフィルム３０´の貫通孔３
１´を介して、当該上部ベースフィルム３０´の下方向
に延びるバンプ３５´と電気的に接続されている。

【００３３】この構成では、図１の場合と同様に、所定
のインナーリード２５、２５´にのみ所定の電位を与え
ることができると共に、複数の半導体チップ２１、２１
´を縦方向に積層することによって、実装密度を向上さ
せることができる。

【００３４】図６を参照すると、本発明の第５の実施例
に係る半導体装置は、図６（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）
に示されるように、図１と同様にして、貫通孔３１を有
するベースフィルム部材３０に、半導体チップ２１がイ
ンナーリード２５及び樹脂３３により固定され、且つ、
ベースフィルム部材３０の表面には、図６（ｃ）の下方
向に半田等の第１のバンプ３５が形成されている。これ
ら第１のバンプ３５はベースフィルム部材３０の貫通孔
３１の内部に埋め込まれた部分を有し、ベースフィルム
部材３０の上表面に設けられたインナーリード２５のラ
ンド２６と電気的に接続されている。また、各インナー
リード２５のランド２６は、カバーレジスト２８によっ
て覆われることなく、露出している。

【００３５】一方、この実施例では、図６（ｄ）に示す
ようなセラミック、ガラスエポキシ等によって形成され
た回路基板（以下、単に、基板と呼ぶ）５５が用意され
る。図示された基板５５は、多層配線基板によって構成
されており、基板５５の内部に、電源層５６及び接地層
５７が設けられている。これら電源層５６及び接地層５
７は基板５５に形成されたビアーホール５８を通して、
基板５５の上面及び下面に設けられた導体ランドの内の
特定のランド６１、６２と電気的に接続されている。ま
た、基板５５の下面に設けられた各ランドには、半田等
によるボールバンプ６３が外部接続電極部材として設け
られている。ベースフィルム部材３０上の第１のバンプ
３５の内、信号用のバンプを除く、電源用及び接地用の
バンプ３５は、基板５５内の電源層５６及び接地層５７
を共通に使用できるから、基板５５上のボールバンプ６
３の数は、ベースフィルム部材３０上の第１のバンプ３
５の数に比べて少なくても良い。

【００３６】ここで、図６（ｅ）及び（ｆ）をも参照し
て、基板５５内に形成されている電源層５６及び接地層
５７を説明する。まず、図６（ｅ）に示すように、電源
層５６は、基板５５に形成されたビアーホール５８の
内、電源用バンプと接続されるべきビアーホール５８１
とだけ電気的に接続されており、接地用バンプ及び信号
用バンプ３５と接続されるべき、接地用ビアーホール５
８２、信号用ビアーホール５８３の周囲には、形成され
ていない。即ち、電源層５６は、接地用ビアーホール５
８２、信号用ビアーホール５８３を囲むように形成され
ている。

【００３７】一方、図６（ｆ）に示すように、接地層５
７は、ビアーホール５８の内、接地用ビアーホール５８
２とのみ電気的に接続されており、電源用及び信号用ビ
アーホール５８１、５８３の周囲を囲むように形成され
ており、これによって、接地層５７は電源用及び信号用
ビアーホール５８１、５８３と電気的に絶縁されてい
る。

【００３８】図６（ｇ）では、図６（ｄ）に示された基
板５５上に、図６（ｃ）に示されたベースフィルム部材
３０が積層されている。この場合、ベースフィルム部材
３０は、その第１のバンプ３５が基板５５のランド６１
上に当接するように、位置付けられる。これによって、
ベースフィルム部材３０の第１のボール３５と、基板５
５のボールバンプ６３とを電気的に接続することができ
る。

【００３９】図６（ｅ）に示された構成では、ベースフ
ィルム３０上のランド２６が外部に露出した状態にある
から、ランド２６をボンディングツール或いは電気検査
用プローブを接触させることにより、ボンディング或い
は電気検査を行うことができる。また、半導体チップ２
１を搭載したベースフィルム部材３０の下部に、基板５
５を配置し、この基板５５内で接地電極及び電源電極を
共通化しているため、接地電極及び電源電極の抵抗値、
インダクタンス値を３０〜５０％低減できると共に、基
板５５はヒートスプレッダーとしても働くため、熱抵抗
値を１０℃／Ｗまで低減することができた。更に、ベー
スフィルム部材３０は、基板５５により支持される一
方、複数の貫通孔３１を有しているため、ベースフィル
ム部材３０の反りを防止することもできる。

【００４０】図７（ａ）〜（ｅ）を参照して、本発明の
第６の実施例に係る半導体装置及びその製造方法を説明
する。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、貫通孔３１
を有するベースフィルム部材３０を用意し、このベース
フィルム部材３０上のインナーリード２５内側端部を半
導体チップ２１のチップ電極にボンディングにより接合
し、且つ、インナーリード２５の表面をランド２６の部
分を除いてカバーレジスト２８により被覆する。続い
て、半導体チップ２１を樹脂３３によりモールドする。
図７（ａ）、図７（ｂ）の工程は図６（ａ）及び（ｂ）
の工程と同様である。

【００４１】次に、この実施例では、図７（ｃ）に示す
ように、インナーリード２５のランド２６上に、ボール
バンプ３５を形成することにより、半導体部材を得る。

【００４２】一方、図７（ｄ）に示すような基板５５を
用意する。この基板５５は図６（ｄ）と同様に、内部に
電源層５６及び接地層５７を有し、表裏両面には、電源
層５６及び５７と電気的に接続されたランド６１及び６
２が形成されている。また、基板５５の裏面のランド６
２上には、半田等のボールバンプ６３が形成、搭載され
ている。

【００４３】図７（ｅ）では、図７（ｃ）に示された半
導体部材を裏返しにして、基板５５のランド６１と、半
導体部材のバンプ３５とが一致するように、半導体部材
を基板５５上にボンディングにより取り付け、半導体装
置を完成させる。この構成の半導体装置は、半導体チッ
プ２１の裏面が露出すると共に、ベースフィルム部材３
０の貫通孔３１が露出しており、この貫通孔３１を介し
て、インナーリード２５のランド２６を目視することが
できる。したがって、貫通孔３１を介してインナーリー
ド２５のランド２６に電気検査用プローブ等を当てるこ
とにより、各インナーリード２５毎に、電気検査を行う
ことができる。

【００４４】図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照する
と、本発明の第７の実施例に係る半導体装置が示されて
いる。図示された半導体装置は、基板５５のランド６１
とベースフィルム部材３０上のランド又はインナーリー
ド２５とが、半田バンプを介することなく、直接、接続
され、接続部７０を形成している。この場合、ボンディ
ングツールをベースフィルム部材３０の貫通孔３１に挿
入するシングルポイント法により、上記接続を行なうこ
とができる。

【００４５】また、この実施例は、基板５５の中央部に
凹部、即ち、キャビティ部６５を設け、この凹部６５に
銀ペースト６６を充填し、この銀ペースト６６により、
半導体チップ２１を封止した樹脂３３と、基板５５とを
密着させた構造を備えている。また、基板５５のボール
バンプ６３の幾つかは、基板５５の凹部６５内の銀ペー
ストとサーマルビアホールを介して、熱的に連結されて
いる。この結果、図８（ｃ）に示すように、半導体チッ
プ２１の下面にもボールバンプ６３がダミーバンプ（放
熱用バンプ）として配置されて、放熱性を高めている。

【００４６】この構造では、半導体チップ２１が銀ペー
スト６６により基板５５と結合されているから、半導体
チップ２１からの熱を効率良く、基板５５を通して放熱
できるという利点を有している。

【００４７】図９を参照すると、本発明の第８の実施例
に係る半導体装置は、半導体チップ２１の裏面を基板５
５の凹部６５に銀ペースト６６により接着させている点
で、図８の実施例とは異なっている。このことからも明
らかな通り、図９の例では、半導体チップ２１及びベー
スフィルム３０を含む半導体部材が、図８に対して裏返
しされて、基板５５の凹部６５に取り付けられている。

【００４８】また、この実施例の場合、基板５５のボー
ルバンプ６３を搭載するランド６２は、基板５５の内部
配線を通して、ベースフィルム３０に設けられた貫通孔
３１内に電極ピン６９の形で突出しており、各電極ピン
６９の一端はインナーリード２５に電気的に接続されて
いる。更に、基板５５に設けられるボールバンプ６３の
幾つかは、図８と同様に、基板５５の凹部６５内の銀ペ
ースト６６と接続されこれによって、放熱効果を高めて
いる。

【００４９】図７〜図９のいずれの実施例も、図６に示
された半導体装置と同様な効果が得られることが分かっ
た。また、図６〜９では、基板５５上に配置される外部
接続電極部材として、ボールバンプ６３を設けた場合に
ついてのみ説明したが、基板上のボールバンプ６３は、
ピングリッドアレイに使用されるようなピンに置き換え
られても良い。また、いずれの実施例においても、ベー
スフィルム３０に設けられた貫通孔３１の側面は、導電
性被覆によって覆われていない。

【００５０】図１０（ａ）、（ｂ）及び図１１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参照して、本発明の第９の実
施例に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。

【００５１】まず、図１０（ａ）に示すように、半導体
チップ２１及びベースフィルム部材３０が用意される。
図示されたベースフィルム部材３０は、ポリイミド繊維
等の非導電性材料によって形成され、内側に複数の電極
電極パッド８２及びこれらを囲み区画された周辺部を備
え、この周辺部には複数の電極パッド２６及び複数の貫
通孔３１が設けられている。

【００５２】また、ベースフィルム部材３０の一表面に
はベースフィルム３０の周辺部から内側まで延在する配
線８３が形成されており、配線８３の周辺部側の終端部
には、貫通孔３１上に設けられた電極パッド、つまり、
ランド２６が設けられている。ランド２６の上面、つま
り、貫通孔３１の上部以外の周辺部領域は、カバーレジ
スト、つまり、ソルダーレジスト２８によって被覆され
ている。さらに、配線８３の内側の終端部は電極パッド
８２となり、半導体チップ２１上のチップ電極８１に、
例えば、半田バンプ８０によって電気的に接続されてい
る。

【００５３】次に、半導体チップ２１の表面とソルダー
レジスト２８の内側の領域は樹脂３３によってモールド
される。この状態では、ランド２６の部分がカバーレジ
スト２８によって覆われることなく、外部に露出してい
る。

【００５４】次に、貫通孔３１に半田等によりボール状
のバンプ３５が形成され、このバンプ３５は外部接続電
極部材として役立つ。図１０（ｂ）はこの正面図であ
る。

【００５５】図１１（ａ）は、半導体チップ２１とベー
スフィルム部材３０上の電極パッドとの接続関係を説明
するための断面図である。接続を、例えば、半田バンプ
で行う場合は、半導体チップ２１上の電極パッド８１
は、アルミ電極上にバリアメタルとして、例えば、銅
（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等の金属が被覆され、メッ
キ法や蒸着法等でパッド８１上に半田バンプか形成され
る。

【００５６】ベースフィルム部材３０上の電極パッド８
２は、例えば、銅等で形成されるが、その表面は、０．
１μｍ〜１．０μｍ程度の金メッキや０．１μｍ〜０．
５μｍ程度のすずメッキ等が施されている。

【００５７】電極パッド８２の表面あるいは半田バンプ
８０の表面にフラックスを塗布し、お互いに位置合わせ
して、リフロー処理、洗浄処理を行うことで、図１１
（ｂ）に示す状態が得られる。

【００５８】次に、ポッティンク法等により樹脂３３を
塗布し、キュアすることによって、図１１（ｃ）に示す
状態が得られ、半田ボール供給法等により、図１１
（ｄ）に示す状態が得られる。この構成によって、フリ
ップチップ構造の半導体チップをテープＢＧＡ型半導体
装置に接続することができる。

【００５９】図１２は、本発明の第１０の実施例に係る
半導体装置で、図１０と同様にして、貫通孔３１を有す
るベースフィルム部材３０に半導体チップ２１がバンプ
８０及び樹脂３３によって固定され、かつ、ベースフィ
ルム部材３０の表面には下方向に半田等のバンプ３５が
形成されている。

【００６０】これらのバンプ３５はベースフィルム部材
３０の貫通孔３１の内部に埋め込まれた部分を有し、ベ
ースフィルム部材３０の上表面に設けられたランド２６
と電気的に接続されている。また、各ランド２６は、カ
バーレジスト２８によって覆われることなく、露出して
いる。

【００６１】一方、この実施例では、セラミック、ガラ
スエポキシ等によって形成された回路基板（以下単に、
基板と呼ぶ）５５が用意され、これは図６に示す基板と
同様のもので、基板上のランド６１と半田バンプ３５と
が接続される。基板下のランド６２にも半田等のバンプ
が接続される。

【００６２】この構成では、フリップチップ構造の半導
体チップ２１をテープＢＧＡ型半導体装置に接続し、か
つ、接地電極及び電源電極を内蔵した基板に接続した構
成であるから、ランド２６に電気検査用プローブを接触
させることにより、電気検査を行うことができる。ま
た、基板５５を配置したことにより、パッケージの電気
抵抗値とインダクタンス値を３０〜５０％低減できる。

【００６３】さらに、ベースフィルム部材３０は、基板
５５により支持される一方、複数の貫通孔３１を有して
いるため、ベースフィルム部材３０の反りを防止するこ
ともできる。

【００６４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明では、ベース
フィルム部材に貫通孔を設けることにより、この貫通孔
を半導体装置の電気的或いは熱的特性を改善するために
利用することができるととともに、実装密度の向上にも
利用できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例に係る
半導体装置及びその製造方法を説明するための図であ
る。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は図１に示された半導体装置
の表面及び裏面を示す図である。

【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施例に係
る半導体装置を説明するための図である。

【図４】本発明の第３の実施例に係る半導体装置を説明
するための図である。

【図５】本発明の第４の実施例に係る半導体装置を説明
するための断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｇ）は本発明の第５の実施例に係る
半導体装置及びその製造方法を説明するための図であ
る。

【図７】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第６の実施例に係る
半導体装置及びその製造方法を説明するための図であ
る。

【図８】（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は本発明の第７の
実施例に係る半導体装置の断面図、半導体チップ側から
みた平面図、及び、バンプ側からみた平面図である。

【図９】本発明の第８の実施例に係る半導体装置を説明
するための断面図である。

【図１０】本発明の第９の実施例に係る半導体装置を説
明するための図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は正面
図である。

【図１１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第９の実施例に係
る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図１２】本発明の第９の実施例に係る半導体装置を説
明するための断面図である。

【図１３】従来の半導体装置を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

２１半導体チップ２３デバイスホール２５インナーリード２６、２６´ ランド２８カバーレジスト３０、３０´ ベースフィルム部材３１、３１´ 貫通孔３２チップ電極３３、３３´ 樹脂３５、３５´ 第１のバンプ４０、４０ａ、４０ｂ金属板４１カバーレジスト４２第２のバンプ４５，６６銀ペースト５５基板５６電源層５７接地層６１、６２ランド６３ボールバンプ６５凹部８０バンプ８１，８１電極パッド８３配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内側に複数の電極パッドを有するととも
に周辺部を備え、該周辺部上に複数の電極パッドを有す
るベースフィルム部材と、前記内側の電極パッドに固定
支持された半導体チップと、前記半導体チップと前記周
辺部の電極パッドとを電気的に接続する配線と、前記周
辺部に対して突出した外部接続電極部材とを備え、前記
ベースフィルム部材の周辺部には貫通孔が設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１に記載された半導体装置におい
て、さらに、ビアーホールを有する回路基板を備え、前
記外部接続電極部材は、前記回路基板のビアーホールを
介して外部に突出した外部突出部分を有することを特徴
とする半導体装置。
【請求項３】請求項１に記載された半導体装置におい
て、前記半導体チップと前記ベースフィルム部材はバン
プに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１に記載された半導体装置におい
て、前記外部接続電極部材は、ボール状バンプによって
構成されたことを特徴とする半導体装置。