JPH09155565A

JPH09155565A - 電子ビーム溶接方法とその溶接機

Info

Publication number: JPH09155565A
Application number: JP34638195A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Kanayama; 宏明金山
Original assignee: KANAYAMA MACH KK
Current assignee: KANAYAMA MACH KK
Priority date: 1995-12-11
Filing date: 1995-12-11
Publication date: 1997-06-17

Abstract

(57)【要約】【課題】放電現象を発生しないで深溶け込みし得る電
子ビーム溶接方法を提供することにある。【解決手段】電子銃１と真空溶接室７の間に、少なく
とも第一偏向コイル３と第二偏向コイル４を配置し、該
偏向コイル３，４によって電子銃１から照射される電子
ビームＢの進路を途中から偏向するもので、電子ビーム
Ｂの進路を、電子銃１から照射する照射元ビーム部ｂ１
と、該ビーム部ｂ１から適宜角度θで照射する偏向ビー
ム部ｂ２、及び偏向ビーム部ｂ２から溶接金属Ｄの溶接
部に向けて照射する照射先ビーム部ｂ３と成し、電子銃
１や電子ビームＢが溶接部から発生する金属蒸気等から
影響を受けないようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子ビームを利
用したビーム溶接方法とその溶接機に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】アルミニウム合金（以下、アルミ系材料
と称する）を用いて製品を製作する場合、アルミ系材料
の溶接が困難であるため、アルミ系塊材より削り出す
か、分割製造してろう付けする手段が多く用いられてい
る。アルミ系材料の溶接手段として、非鉄金属や合金鋼
等の溶接に適したテイグ溶接（ｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎ
ｅｒｔ）が用いられている。このテイグ溶接によってア
ルミ系材料を溶接する場合、図４の如く金属材料Ｄ１，
Ｄ２，Ｄ３の接合部にＶ字形やＵ字形の開先Ｊ（溝とも
称する）を夫々形成するか、一方の材料接合部に開先Ｊ
を形成し、材料Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を突合わせ、その開先
Ｊにタングステンやタングステン合金を電極として、ヘ
リュウムやアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で溶接Ｋす
るものである。

【０００３】アルミ系材料の溶接が困難な理由は以下の
通りである。熱伝導が鋼の約４倍、比熱が鋼の約２倍、溶融潜熱
が鋼の約１・５倍であること。即ち、融点が低いにもか
かわらず、局部的に溶融させる事が難しく、多量の熱を
急速に供給する必要があること。上記の性質によって、溶接母材が広範囲に溶接の影
響を受けやすいこと。酸素との親和力が大きいので、溶接中に溶融池を不
活性ガス（アルゴン、ヘリュウム）で十分にシールドす
る必要がある。酸化被膜が生ずると、酸化被膜は薄いが
硬く、緻密で高融点（約２０００度）のため、取除きが
困難である。溶接母材同志、及び溶接母材と溶加材との
融合を妨げる。線膨脹係数が大きいため（鋼の約２倍）、溶接歪み
の発生も大きい。凝固収縮率が大きいため（鋼の約１・
５倍）、凝固割れ感受性も大きい。電導度が大きいため、電気抵抗溶接では大容量の電
源が必要。水素ガス吸収量が大きい。即ち、溶融アルミの水素
ガス吸収量が大きいにもかかわらず、固層への溶解度は
小さい（気孔の発生傾向大）。

【０００４】近年、アルミ系材料を電子ビームやレーザ
ービーム等の高エネルギー密度熱源を用いて溶接するこ
とも試みられている。電子ビーム溶接方法は図１（Ｂ）
の如く、真空中で電子を高速度に加速させ、かつ高密度
に収束することによって得られた高エネルギー密度の電
子ビームＢを溶接金属Ｄに照射し、溶融溶着するもの
で、電子ビームＢの密度はアーク溶接の５０００倍以上
にも達し、電子ビームＢが溶接金属Ｄに照射すると、そ
の部分が瞬時的に発熱し、溶融、気化して溶着する。

【０００５】電子ビーム溶接方法の特徴は以下の通りで
ある。高真空中（１０−４Ｔｏｒｒ）で溶接するため、酸
化物の混入がない。エネルギー密度が大で、高速度溶接が可能である。１０mm程度の深溶け込みが可能で、しかも一回の溶
接で溶着し得る。溶接母材の熱影響が少なく、母材の変形も少ない。数値制御によって管理し得るため、再現性が高い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】アルミ系材料は熱伝導
度が非常に良いため、溶融溶接には大きな入熱が必要で
あり、そのため溶接による母材の熱変化や、溶接中にお
ける大気の巻き込みに起因した気孔の発生等による溶接
部の品質劣化を招き易い問題点がある。またアルミ系材
料を電子ビームによって溶接した場合、鉄鋼材料と比較
して放電現象（アーキングとも称する）が発生し易く、
微小の巣が多数存在する多孔性の内部欠陥（ポロシテイ
とも称する）を招きやすい問題点があった。

【０００７】電子ビーム溶接時に発生する放電現象は、
汚れの程度と密接な関係にあるが、それ以上に加速電圧
と密接な関係にあり、加速電圧が高いほど汚れに対して
敏感になると考えられている。即ち、加速電圧を低くす
れば減少するが、加速電圧を低くするほど溶け込みが浅
くなるし、反対に加速電圧を高くして溶け込みを深くす
るほど放電現象が多発し、連続溶接が不可能になる。そ
の結果、１０mm程度の肉厚しか連続溶接し得なかった。

【０００８】放電現象は電子ビームにより溶融した金属
中に含まれるガス成分や、イオン化された金属蒸気がビ
ーム進路を通って、陰極−陽極間に到達することによっ
て誘発されるか、または電子銃室内に浸入した異物（油
脂等）から生じるガス成分によっても誘発されるものと
考えられる。従って、電子銃が金属蒸気等によって汚染
するほど放電現象が多発し、その放電現象によってビー
ム溶接も一時停止するため、保守の頻度も高くなる問題
点があった。また真空度を加減したり、電子ビームの加
速等を調整しても、放電現象の発生を軽減することはで
きなかった。

【０００９】アルミ系塊材から製品を削り出す場合、高
価な材料に無駄が多く、その分、コスト高となるし、ア
ルミ製品をテイグ溶接にて形成する場合、アルミ系材料
の溶接部に開先加工を要し、しかも開先に数度の溶接が
必要となるので、非能率的な問題点もあった。そこでこ
の発明は、従来技術の有するこのような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、放電現
象を発生しないで深溶け込みし得る電子ビーム溶接方法
とその溶接機を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子ビーム溶接方法は、電子銃から照射さ
れる電子ビームの進路を、途中から偏向して溶接金属の
溶接部に照射し、電子銃や電子ビームが溶接部から発生
する金属蒸気等から影響を受けないようにしたものであ
る。

【００１１】本発明の電子ビーム溶接機は、電子銃と真
空溶接室の間に、少なくとも第一偏向コイルと第二偏向
コイルを配置し、該偏向コイルによって電子銃から照射
される電子ビームの進路を、電子銃から照射する照射元
ビーム部と、該ビーム部から適宜角度で照射する偏向ビ
ーム部、及び偏向ビーム部から溶接部に向けて照射する
照射先ビーム部によって途中から偏向し、電子銃や電子
ビームが溶接部から発生する金属蒸気等から影響を受け
ないようにしたものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】先ず本発明による電子ビーム溶接
方法の基本原理を図１（Ａ）により説明すれば、電子銃
１より照射される電子ビームＢの進路を、少なくとも偏
向コイル３，４によって途中から偏向するもので、電子
ビームＢの進路を電子銃１から照射する照射元ビーム部
ｂ１と、該ビーム部ｂ１から適宜角度θで照射する偏向
ビーム部ｂ２、及び偏向ビーム部ｂ２から溶接金属Ｄの
溶接部に向けて照射する照射先ビーム部ｂ３と成すもの
である。

【００１３】次に本発明による電子ビーム溶接機の実施
形態を図２に基づき説明すれば、第一真空室５の下に第
二真空室６を、該真空室６の下に真空溶接室７を設け、
第一真空室５に電子銃１を収め、第二真空室６の中間部
にレンズコイル２と第一偏向コイル３を配置すると共
に、下部に第二偏向コイル４を配置し、一系統の真空装
置８を第一真空室５と第二真空室６、及び真空室溶接室
７に接続するか、真空装置８を真空溶接室７とそれ以外
に分けて二系統に接続する。真空装置８を二系統に分け
て接続すると、電子銃１まで達する金属蒸気率を更に低
減することが可能である。また第一真空室５と第二真空
室６を一室に構成することも可能である。

【００１４】レンズコイル２は電子銃１から照射するビ
ームＢの進路上に配置するもので、静電レンズや磁界レ
ンズ、或いは収集用電子レンズを用いる。第一偏向コイ
ル３は電子銃１から照射するビームＢの進路上に配置
し、第二偏向コイル４は偏向ビーム部ｂ２と照射先ビー
ム部ｂ３の進路交差部に配置するもので、両偏向コイル
３，４には静電偏向式、或いは電磁偏向式を用いる。真
空溶接室７の少なくとも一方に出入口７１を設け、該出
入口７１に扉７２を開閉自在に、且つ密閉可能に備え、
出入口７１より作業台７３を室内外に出入するものであ
る。

【００１５】第二真空室６の上部にコラムバルブ６１と
オリフィス６２を設け、第一偏向コイル３より下方の第
二真空室６に、溶接状態を見る鏡６３とＣＣＤカメラ
（ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅｃａ
ｍｅｒａ）６４を備えることが望ましい。真空装置８に
は、例えばロータリーポンプ、メカニカルブースターポ
ンプ、ディフュージョンポンプ等を用いる。

【００１６】本発明による電子ビーム溶接方法とその溶
接機は上記の通りであるから、先ず作業台７３の上に溶
接金属Ｄを配置し、該作業台７３を真空溶接室７の出入
口７１より内部に入れ、出入口７１を扉７２にて閉鎖し
た後、真空装置８を作動し、真空溶接室７と真空室５，
６を真空状態にする。次いで電子銃１より溶接金属Ｄに
向けて電子ビームＢを照射すると、電子銃１より照射さ
れた電子ビームＢは、先ず電子銃１の照射方向に沿って
照射元ビーム部ｂ１が照射した後、偏向コイル３，４に
て照射元ビーム部ｂ１から適宜角度θに偏向ビーム部ｂ
２が照射し、更に偏向ビーム部ｂ２から溶接金属Ｄに向
けて照射先ビーム部ｂ３が照射する。

【００１７】電子銃１より照射した電子ビームＢは、電
子銃１の照射部より外側に偏向照射されるので、例えビ
ーム溶接によって溶接部から金属蒸気が拡散発生して
も、発生した金属蒸気は真空装置８によって速やかに回
収され、溶接部から偏向している電子銃１に達すること
がない。その結果、電子銃１や電子ビームＢに対する金
属蒸気等の影響が少なくなり、金属蒸気による放電現象
（金属蒸気に起因する絶縁破壊、或いは過電流の異常現
象を含む）も著しく低減するため、加速電圧を高め、電
子ビームＢの威力を高めることができる。

【００１８】

【実施例】本発明による電子ビーム溶接機（以下、Ｄ−
ＫＭと称する）と従来電子ビーム溶接機（以下、Ｓ−Ｔ
Ｅと称する）による溶接状態を比較する。Ｄ−ＫＭとＳ
−ＴＥの性能は表１の通りである。

【表１】

【００１９】Ｄ−ＫＭとＳ−ＴＥの溶接条件は表２の通
りである。

【表２】

【００２０】電子ビーム溶接に用いる溶接金属Ｄ（実施
例においては試験金属と称する）として、Ａ５０５２
（ＪＩＳ）のアルミ合金を用い、試験金属Ｄ１乃至試験
金属Ｄ３の厚さｔを５０mm、幅Ｓを２３mm、長さＬを３
００mmとし、試験金属Ｄ４の厚さｔを５０mm、幅Ｓを２
３mm、長さＬを６９mmとする。試験金属Ｄ１乃至試験金
属Ｄ３を図５の如く並列に順次ビーム溶接し、その一方
を再度ビーム溶接して、ビーム溶接によって生じた不規
則なビードＥを化粧ビードＦと成した後、並列にビーム
溶接した試験金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ３の一端に、試験
金属Ｄ４をビーム溶接した。試験金属Ｄ１乃至試験金属
Ｄ４の接合部におけるビーム溶接の溶け込みと、接合部
以外におけるビーム溶接の溶け込みを比較するため、図
５の如く並列にビーム溶接した試験金属Ｄ１乃至試験金
属Ｄ３に跨がって電子ビームＢを照射した。これをテス
ト溶接Ｔとする。

【００２１】Ｄ−ＫＭによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ４の状態を外観について観測す
ると、図１０の如くビーム照射側より反対側に溶け込み
が貫通していた。化粧ビードＦを除く、ビーム照射側の
ビードＥ周辺には、かなり多くのスパッタ（ビーム溶接
中に飛び散るスラグや金属の粒）がみられ、ビードＥは
不整であった。これはビーム加熱によって発生した金属
蒸気が狭く深いビーム孔を通って上昇する際、流れ込ん
できた溶融金属を吹出させたものと思われる。

【００２２】Ｓ−ＴＥによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ４の状態を外観について観測す
ると、図１１の如くビーム照射側のビードＥに目立った
不整はみられないが、反対側に溶け込みの貫通形跡がな
いので、電子ビームＢの照射は５０mmに達していないこ
とがわかる。ビード幅はＤ−ＫＭより若干太いので、ビ
ームＢのエネルギー損失が多いと考えられる。また酸化
が著しかった。

【００２３】Ｄ−ＫＭによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ３を図６の如くＣ１に沿って縦
断し、その切断面Ｃ１における溶け込み深さを測定した
所、金属表面ｄより内部の３／４程度まで平行な溶け込
みが形成され、図１２の如く溶け込み深さは約５０mmに
達していた。これは加速電圧が高いことと、ビームＢの
出力特性により、入熱初期段階（被溶接物表面）でのビ
ームＢのエネルギー損失が少なく、ビーム孔が深く形成
されるものと考えられる。このことから少ない入熱量で
深い溶け込みが得られることが理解できる。

【００２４】Ｓ−ＴＥによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ３を、前記と同様に図６のＣ１
に沿って縦断し、その切断面Ｃ１における溶け込み深さ
を測定した所、図１４（Ａ）の如くビードＥの形状は太
く、ビードＥの先端に向かって徐々に細くなった形であ
る。溶け込み深さは約４０mmに達するも、金属表面ｄで
のビームＢのエネルギー損失が大きくなり、深い溶け込
みが得られないものと思われる。尚、Ｓ−ＴＥの加速電
圧をＤ−ＫＭより低く設定したのは、構造上、加速電圧
を１２０ＫＶ以上に上げると、電子銃１の近くで放電が
起き、ビーム溶接が困難になるためである。

【００２５】上記試験金属Ｄ１乃至試験金属Ｄ４におい
て、２本のビームＢが交差する箇所を図６のＣ２に沿っ
て夫々切断し、その切断面Ｃ２における溶け込み深さを
測定した所、Ｄ−ＫＭにあっては、そのマクロ組織は図
１３の如く、ビードＥの先端に多孔性の溶接欠陥は存在
するが、交差したビードＥとの境界付近に多孔性の溶接
欠陥等はみられなかった。Ｓ−ＴＥにあっては図１４
（Ｂ）の如く、交差したビードＥとの境界付近に欠陥は
みられなかった。

【００２６】Ｄ−ＫＭによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ２と試験金属Ｄ３の溶接部を図７のＣ３の如く切
断し、その切断面Ｃ３における内部欠陥を測定した所、
化粧ビードＦの先端に図１５の如くブロック状の多孔性
の溶接欠陥が、溶接方向にほぼ規則的に分布していた。
多孔性の溶接欠陥は金属表面ｄより４５〜５０mmの範囲
にみられる。ビームＢは溶接方向に安定して照射されて
いることがわかる。また継手接合部として有効な範囲
は、ビードＥ先端の多孔性の溶接欠陥、及びビードＥの
表面を除去して、約４０mmである。

【００２７】Ｓ−ＴＥによって電子ビーム溶接した試験
金属Ｄ２と試験金属Ｄ３の溶接部を前記と同様に図７の
Ｃ３に沿って切断し、その切断面Ｃ３における内部欠陥
を測定した所、化粧ビードＦの先端には、図１６の如く
深い溶け方向に細長い線状の多孔性の溶接欠陥が分布し
ていた。多孔性の溶接欠陥は金属表面ｄより２５〜４０
mmの範囲にみられ、化粧ビードＦは多孔性の溶接欠陥が
二層になっており、継手接合部として有効な範囲は、２
４mm以下である。

【００２８】電子ビーム溶接した試験金属Ｄ１乃至試験
金属Ｄ４の微小割れについて測定した所、Ｄ−ＫＭあっ
ては図８（Ａ）の如くビードＥの先端部に溶融金属の凝
固時にみられがちな微小割れはほとんどなかった。Ｓ−
ＴＥにあっては図８（Ｂ）の如くビードＥの先端部には
多数の微小割れがみられるので、継手接合部として使用
する場合、ビードＥ先端の多孔性の溶接欠陥と共に、こ
れらを除去しなければならない。

【００２９】実験の結果、Ｄ−ＫＭとＳ−ＴＥを比較す
ると、表３の如くＤ−ＫＭはビードＥの安定性、溶け込
み深さ、内部欠陥等の点でＳ−ＴＥより優れていること
がわかる。

【表３】

【００３０】ビードＥの先端に発生する多孔性の溶接欠
陥は、切削加工により後で除去することが可能であるか
ら、特に問題とならない。大型製品のビーム溶接にあっ
ては、ビームＢの照射位置を考慮すると共に、継手位置
等にも工夫を必要とする。

【００３１】アルミ合金Ａ５０５２（ＪＩＳ）の試験金
属Ｄに、下記の条件で電子ビームＢを照射した所、中断
されることなく連続的にビーム溶接できた。加速電圧１５０ＫＶ溶接電流１００ｍＡ溶接速度１００mm／min 真空度（５×１０−４Ｔｏｒｒ）溶け込み深さは図１７の如く１００mm以上に達した。

【００３２】真空溶接室７の出入口７１より出入する作
業台７３は、溶接室７の外部で溶接金属Ｄを取付け、そ
の作業台７３を溶接室７の内部に走行し、溶接室７の出
入口７１を遮蔽した後、作業台７３を遠隔操作によって
微調整し、溶接金属Ｄを電子ビームＢの照射位置に合致
するものである。電子ビームＢの偏向角度θは、主に第
一偏向コイル３と第二偏向コイル４によって決定され
る。

【００３３】

【発明の効果】本発明の電子ビーム溶接方法とその溶接
機は上記構造のとおりであるから、次に記載する効果を
奏する。電子ビーム溶接が困難であった、蒸発しやすい
錫や亜鉛、マグネシュム等の成分を含む合金類（以下、
非鉄金属系と称する）、例えばアルミ系材料の超精密溶
接が薄板から厚板（０・１〜１２０mm）まで可能とな
り、しかも一回のビーム溶接で１００mm以上の溶け込み
深さが得られるので、それにより非鉄金属系製品の製造
能率が向上し、コストを軽減し得る。更に真空中でビー
ム溶接するため、非鉄金属系母材中に不純物を含まない
均一なビーム溶接が可能となり、腐食による電気効率の
劣化を妨げ、品質向上も計れる。

【００３４】一般溶接と比較して、金属母材に対する
開先加工が不要になるし、継続部に対するビーム溶接回
数も著しく少なくなるので、加工コストの低減が計れ
る。しかもビーム溶接の再現性と信頼性が大である。製
作台数増加に対応できる。削り出し製品と比較して、材料費が安く、厚板の入手
に時間を要しない。しかも機械加工費が安く納期の短縮
が計れる。金型鍛造品と比較して、金型費がいらないし、設計変
更に対応できる。しかも初回ロッドの始動が早い（金型
不要のため）。

【００３５】本発明による電子ビーム溶接は、従来電子
ビーム溶接されていた金属類、例えばステンレス鋼、炭
素鋼、低合金鋼、銅、ニッケル合、ジルコニウム、チタ
ン、モリブデン、タングステン等のビーム溶接に用い得
るは勿論、従来電子ビーム溶接が困難とされていた、例
えば蒸発しやすい錫や亜鉛、マグネシュム等の成分を含
む非鉄金属系のビーム溶接、及び特殊金属のビーム溶接
に、特に有効な効果を発揮するものである。

【００３６】その結果、本発明による電子ビーム溶接
は、宇宙・航空機分野、電気・電力分野、化学・製鉄分
野、プラント・機械分野、複合素材に用いる、例えばバ
ルブ、タービンブレード、フィルター、ジャイロ管、ロ
ーター、インペラー、ポンプ部品、ギャーカップリン
グ、ライナー、ロール、フランジ、歯車、圧延クラッ
ド、クラッドパイプ、圧力容器、真空容器の製造に顕著
な効果を奏するものである。特に半導体製造装置やＬＣ
Ｄ（カラー液晶ディスプレー）の製造分野において用い
る超高真空チャンバー（真空容器とも称する）の大型化
に伴い、材質もステンレス鋼からアルミ系材料へと変わ
りつつあるので、最適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）（Ｂ）本発明による電子ビーム溶接方法
と従来電子ビーム溶接方法の比較図である。

【図２】本発明による電子ビーム溶接機の基本構造を示
す概略図である。

【図３】（Ａ）（Ｂ）電子ビーム溶接の溶接例を示す側
面図である。

【図４】従来の溶接例を示す側面図である。

【図５】試験金属のビーム溶接例を示す斜視図である。

【図６】電子ビームによる溶け込み深さの測定位置を示
す斜視図である。

【図７】内部欠陥の測定位置を示す斜視図である。

【図８】（Ａ）（Ｂ）ビーム溶接による溶け込み状態を
示す斜視図である。

【図９】アーク溶接とレーザ溶接、及び電子ビーム溶接
の比較斜視図である。

【図１０】（Ａ）（Ｂ）Ｄ−ＫＭによる溶接状態を示す
ビーム照射側と反対側の外観写真である。

【図１１】（Ａ）（Ｂ）Ｓ−ＴＥによる溶接状態を示す
ビーム照射側と反対側の外観写真である。

【図１２】Ｄ−ＫＭによる溶け込み状態を示す切断面Ｃ
１の写真である。

【図１３】Ｓ−ＴＥによる溶け込み状態を示す切断面Ｃ
１の写真である。

【図１４】（Ａ）（Ｂ）Ｄ−ＫＭとＳ−ＴＥによるビー
ム交差部の溶け込み状態を示す切断面Ｃ２の写真であ
る。

【図１５】Ｄ−ＫＭによる化粧ビード部の溶け込み状態
を示す切断面Ｃ３の写真である。

【図１６】Ｓ−ＴＥによる化粧ビード部の溶け込み状態
を示す切断面Ｃ３の写真である。

【図１７】本発明による電子ビーム溶接例を示す写真で
ある。

【符号の説明】

１電子銃２レンズコイル３，４偏向コイル５，６真空室７真空溶接室８真空装置Ｂ電子ビームｂ１照射元ビーム部、ｂ２偏向ビーム部、ｂ３照
射先ビーム部Ｅビード、Ｆ化粧ビードＤ，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４溶接金属（試験金属）、
ａ金属表面Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３切断面Ａアーク溶接部、Ｇビーム溶接部、Ｒレーザ溶接
部Ｔテスト溶接 θ ビーム偏向角度

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子銃（１）から照射される電子ビーム
（Ｂ）の進路を、途中から偏向して溶接金属（Ｄ）の溶
接部に照射する電子ビーム溶接方法。
【請求項２】電子銃（１）と真空溶接室（７）の間
に、少なくとも第一偏向コイル（３）と第二偏向コイル
（４）を配置し、該偏向コイル（３，４）によって電子
銃（１）から照射される電子ビーム（Ｂ）の進路を途中
から偏向し、電子銃（１）や電子ビーム（Ｂ）が溶接部
から発生する金属蒸気等から影響を受けないようにした
電子ビーム溶接機。
【請求項３】電子銃（１）から照射される電子ビーム
（Ｂ）の進路が、電子銃（１）から照射する照射元ビー
ム部（ｂ１）と、該ビーム部（ｂ１）から適宜角度
（θ）で照射する偏向ビーム部（ｂ２）、及び偏向ビー
ム部（ｂ２）から溶接金属（Ｄ）に向けて照射する照射
先ビーム部（ｂ３）から成る請求項２記載の電子ビーム
溶接機。