JPH0915604A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、コントラストが大きく、有効視野角
が広く、高速応答が可能であり、しかも階調表示が可能
である液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】ラビング処理が施された配向膜をそれぞれ有す
る一対の基板と、前記配向膜が対向するようにして所定
の間隔をおいて配置された前記一対の基板間に挟持さ
れ、可視光領域における波長よりも短い螺旋ピッチを有
する強誘電性液晶とを具備し、前記一対の基板の配向膜
にそれぞれ施されたラビング処理の方向のなす角が１〜
３０°または１５０〜１７９°であることを特徴として
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶を用いた
液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の表示方式としては、種々
のものが開発されているが、中でも液晶分子が層状構造
をなし、かつ、自発分極を有するスメクチック液晶、い
わゆる強誘電性液晶の強誘電性効果を利用した液晶表示
方式は、高速応答が可能であるので、大容量ディスプレ
イ等への応用展開が進められている。

【０００３】例えば、この液晶表示方式に使用される強
誘電性液晶は、液晶分子の長軸が層の法線方向に対して
一定の角度で傾いており、その方向がある層から隣の層
へと少しずつずれるような螺旋構造を採っている。この
螺旋構造の軸は、各層の面に対してほぼ垂直となる。

【０００４】このような強誘電性液晶を利用した具体的
な液晶表示方式として、従来から表面安定化型表示方式
（Surface Stabled Ferroelectric Liquid Crystal：Ｓ
ＳＦＬＣ）が広く研究されている。このＳＳＦＬＣは、
高速応答が可能で、視野角が広いが、２値表示しかでき
ないのでフルカラー化が困難である。

【０００５】そこで、液晶セル厚を薄くして、面内で液
晶分子を動かすことにより視野角を広げるＤＨＦ型表示
方式が開発されている。このＤＨＦ型表示方式に使用さ
れる強誘電性液晶は０．３μｍ以内の螺旋ピッチを有す
る。この０．３μｍの螺旋ピッチはセル厚の２μｍより
短いので、液晶分子の配列はセル内で螺旋構造を採る。
この螺旋構造における螺旋軸の方向は、図８に示すよう
に、基板面８１に平行である。また、０．３μｍの螺旋
ピッチは可視光領域の波長より短いので、光散乱は起こ
らない。

【０００６】光透過軸を互いに直交させるようにして偏
光板８２を上記セルの上下に配置し、このセルに弱い電
界を印加すると、図９に示すように、液晶分子９１の双
極子モーメントと電界との間の相互作用により螺旋構造
が歪む。この状態は、液晶層の平均光学軸がスメクチッ
ク層の法線に対して傾いたのと同じ状態である。このよ
うに、偏光板を設置することにより、平均光学軸の傾き
に応じて光透過率が変わるので、明暗表示を行うことが
できる。

【０００７】また、ＤＨＦ型表示方式では、電界強度の
増加に伴って螺旋構造の歪が連続的に大きくなるため、
ＳＳＦＬＣ方式と異なり階調表示が可能である。また、
ＤＨＦ型表示方式では、ＴＮ型表示と異なり、光学軸が
平面内を動き、基板に対して液晶分子が特定の方向に立
ち上がらないため、視野角も広くとれる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＤＨＦ型の液晶表示装
置の製造工程においては、液晶材料を加熱して等方性液
体（Ｉｓｏ相）の状態でセルに注入し、その後セルを冷
却して等方性液体（Ｉｓｏ相）からカイラルスメクティ
ックＣ（Ｓｃ^* ）相に転移させる。Ｓｃ^* 相の組織を顕
微鏡で観察すると、ストライプ状のドメインが見られ
る。このストライプ状のドメインの状態は、液晶セル作
製の際の配向膜へのラビング処理の条件に大きく影響さ
れる。

【０００９】従来のＤＨＦ型の液晶表示装置において
は、配向膜のラビング処理は、以下のいずれかの条件で
行われている。

【００１０】１）片面の配向膜にのみに施す。

【００１１】２）上下の配向膜に対して配向方向が平行
になるように施す。

【００１２】３）上下の配向膜に対して配向方向が反平
行になるように施す。

【００１３】片面のみにラビング処理を施すと、Ｓｃ^*
相においてストライプ状のドメインが一方向に延びる。
この液晶セルに加熱しながら高い電場を印加すると、あ
る程度ストライプ状のドメインの方向が揃う。

【００１４】しかしながら、前記のように室温以上の温
度で高い電場を印加して揃えたストライプ状のドメイン
Ａと、自然冷却によって生じたストライプ状のドメイン
Ｂとは、ストライプの方向に関してずれが生じる。その
ため、電極の端部においてドメインＡがドメインＢの影
響を受けて、ドメインＡのストライプの方向が曲がっ
て、消光位が揃わなくなり、また、電極全体についても
消光位のムラが多いものとなる。さらに、視野角特性を
測定すると、特定の方向で光抜けを起こすことがある。

【００１５】一方、上下の配向膜にラビング処理を施す
場合は、配向方向が平行あるいは反平行のいずれのとき
も、ストライプ状のドメインのストライプ方向が揃わな
い。また、上記のように温度を上げた状態で電場を印加
したり、電場を印加しながらＩｓｏ相からスメクティッ
クＡ（Ｓａ）相を経てＳｃ^* 相を生成させると、ドメイ
ンはくさび型となり、やはり消光位が揃わず、コントラ
ストを上げることができない。

【００１６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、コントラストが大きく、有効視野角が広く、高速
応答が可能であり、しかも階調表示が可能である液晶表
示装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段および作用】本発明は、ラ
ビング処理が施された配向膜をそれぞれ有する一対の基
板と、前記配向膜が対向するようにして所定の間隔をお
いて配置された前記一対の基板間に挟持され、可視光領
域における波長よりも短い螺旋ピッチを有する強誘電性
液晶とを具備し、前記一対の基板の配向膜にそれぞれ施
されたラビング処理の方向のなす角が１〜３０°または
１５０〜１７９°であることを特徴とする液晶表示装置
を提供する。

【００１８】本発明の液晶表示装置において、基板とし
ては、ガラス基板を用いることができる。また、配向膜
の材料としては、ポリイミド、ポリアクリロニトリル等
を用いることができる。

【００１９】また、上記液晶表示装置に使用する強誘電
性液晶としては、その螺旋ピッチが可視光領域における
波長よりも短いものを選択する。これは、上述したよう
に、螺旋ピッチが可視光領域における波長よりも短いこ
とにより、光散乱が起こることを防止できるからであ
る。具体的に、このような強誘電性液晶としては、ＦＬ
Ｃ１０１５０（ロリック社製、商品名）を挙げることが
できる。なお、可視光領域における波長とは、３６０〜
８５０ｎｍを意味する。

【００２０】本発明の液晶表示装置において、一対の基
板の配向膜に施すラビング処理の方向のなす角、すなわ
ち図１（Ａ）および（Ｂ）に示す角θは、１〜３０°ま
たは１５０〜１７９°になるように設定する。これは、
ラビング処理の方向のなす角が前記範囲外であると、自
然冷却によりＳｃ^* 相が形成した際に発生するストライ
プ状のドメインが一方向に揃わないからである。

【００２１】なお、後に詳述するが、前記最適ねじれ角
は使用する液晶材料や配向膜により異なる。したがっ
て、液晶分子の長軸方向と配向方向とのずれは、使用す
る液晶材料や配向膜により異なるので、そのずれを消去
するように、配向方向を決定する、すなわち最適ねじれ
角を選択することが好ましい。

【００２２】本発明の液晶表示装置によれば、Ｓａ相か
らＳｃ^* 相を生成させた際にドメインのストライプ方向
が揃うので、大きなコントラストおよび広い視野角を実
現することができる。

【００２３】また、本発明は、一対の基板のそれぞれの
基板上に配向膜を形成し、前記配向膜に配向処理を施す
工程と、前記配向膜の配向方向のなす角が１〜３０°ま
たは１５０〜１７９°となるように、かつ、前記配向膜
が対向するようにして、前記一対の基板を所定の間隔を
おいて配置し、前記一対の基板間に、可視光領域におけ
る波長よりも短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶を等
方性液体の状態で注入する工程と、前記強誘電性液晶を
冷却して等方性液体をカイラルスメクティックＣ（Ｓｃ
^* ）相に転移させる工程と、カイラルスメクティックＣ
（Ｓｃ^* ）相の転移温度よりも２〜１０℃低い温度にお
いて電場を印加する工程とを具備することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法を提供する。

【００２４】本発明の方法においては、まず、一対の基
板のそれぞれの基板上に配向膜を形成し、この配向膜に
配向処理を施す。このとき、基板上に配向膜を形成する
方法としては、スピンコート法、印刷法等を挙げること
ができる。また、ここで配向処理とは、ラビング処理を
意味する。なお、ラビング処理は常法にしたがって行
う。

【００２５】次いで、配向膜の配向方向のなす角が１〜
３０°または１５０〜１７９°となるように、かつ、配
向膜が対向するようにして一対の基板を所定の間隔をお
いて配置し、一対の基板間に可視光領域における波長よ
りも短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶を等方性液体
の状態で注入する。強誘電性液晶を等方性液体の状態で
注入する場合、強誘電性液晶を加熱して等方性液体の状
態にして注入する。この場合の加熱温度は、強誘電性液
晶の種類に依存するが、等方性液体転移温度より１０〜
３０℃高いことが好ましい。

【００２６】次いで、強誘電性液晶を冷却して等方性液
体をカイラルスメクティックＣ（Ｓｃ^* ）相に転移させ
る。この場合の冷却速度は、強誘電性液晶の種類に依存
するが、０．２〜１℃／分であることが好ましい。

【００２７】最後に、カイラルスメクティックＣ（Ｓｃ
^* ）相の転移温度（Ｓａ→Ｓｃ^* 転移点）よりも２〜１
０℃低い温度において電場を印加する。電場を印加する
温度が前記転移温度よりも２℃未満低い場合には、Ｓｃ
^* 相中にＳａ相あるいはＩｓｏ相が混在し易くなり、そ
の部分が配向欠陥となり、”魚のウロコ”のように見え
てしまう。また、１０℃を超える場合には、液晶材料の
粘度が高くなり、基板面方向におけるストライプ状のド
メインのストライプ方向が揃わないので好ましくない。
例えば、Ｉｓｏ相から電場を印加しながらＳｃ^* を生成
すると、電極のない部分のストライプ状のドメインのス
トライプ方向と、電極のある部分のストライプ状のドメ
インのストライプ方向がずれ、電極端近傍で消光位がず
れる。

【００２８】また、印加する電場の強さは、ストライプ
状のドメインが安定して発生させること、およびセルの
耐電圧を考慮して±１０〜３０Ｖ／μｍ（１０〜１００
Ｈｚ）であることが好ましい。

【００２９】本発明の方法によれば、大きなコントラス
トおよび広い視野角を実現することができる液晶表示装
置を効率よく得ることができる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の液晶表示装置を、本発明者ら
による考察の下に説明する。

【００３１】まず、それぞれ配向膜を形成した一対の基
板のうち片面の配向膜のみにラビング処理を施したセル
について調査を行った。

【００３２】強誘電性液晶を等方性液体（Ｉｓｏ相）の
状態でセル内に注入し、自然冷却したものを観察する
と、一方向に向かってストライプ状のドメインが発生し
ていた。このセルを加熱し、その状態で±２５Ｖ／μ
ｍ、１０Ｈｚ程度の強い電場をしばらくの間印加した。
その後、セルを室温まで自然冷却して観察すると、電極
の中央部ではストライプ状のドメインのストライプ方向
は、ほぼ一様に配向していた。しかしながら、電極部で
あっても電極端近傍では、ドメインのストライプ方向が
曲がっていた。すなわち、高い電圧を印加していない部
分（電極端近傍）と、電圧を印加した部分（電極中央
部）とで、ストライプ状のドメインのストライプ方向が
異なっていた。しかも、ドメインのストライプ方向が揃
っている電極中央部でも、特定の方向に対して光抜けを
起こした。このときの等コントラスト視角特性を測定し
た結果を図７に示す。図７から分かるように、特定方向
のコントラストが小さいことが分かる。

【００３３】これらの原因は、片面の配向膜のみにラビ
ング処理を施したためと考えられる。すなわち、ラビン
グ処理を施していない配向膜側は界面による液晶分子に
対する方向規制力がなく、配向膜近傍の配向状態を充分
に規制できていないため、堅固な相が実現できていない
ためと思われる。さらに、対向する配向膜の状態が対称
になっていないため、すなわちストライプ方向が対称に
なっていないため、液晶分子を正負対称に駆動するため
の最適コモン電圧がシフトし、そのためセルを駆動する
と焼き付き現象が起きた。

【００３４】次に、両面の配向膜にラビング処理を施す
ことにより、上記光抜けやドメインのストライプ方向の
ねじれを起こさず、焼き付き現象を防止できるかどうか
の検討を行った。

【００３５】ラビング処理方向を互いに平行あるいは反
平行にして作製したセルは、片面のラビング処理を施し
たものでは一方向にきれいに延びていたストライプ状の
ドメインが細かく寸断された。このため、このセルは、
強い電場を印加したり、電場を印加しながらＳｃ^* 相を
生成させても、充分にドメインのストライプ方向が揃わ
ず、コントラストが低いものであった。

【００３６】そこで、両面の配向膜にラビング処理を施
した場合に、どのようにしてストライプ状ドメインのス
トライプ方向を揃えるかについて検討した。

【００３７】ラビング処理方向を互いに平行にして作製
したセルを加熱してＩｓｏ相にした後、徐冷してＩｓｏ
相からＳａ相が折出する様子を観察した。Ｉｓｏ相中
に、”バトネ”と呼ばれる形状のＳａ相が次々に現れ
る。バトネは成長し、隣りのバトネと衝突する。このと
き、バトネの方向は、最初に生成し始めた方向に保持さ
れる。Ｓｃ^* 相のストライプ状ドメインのストライプ方
向は、これらのバトネが生成するときの方向によって決
定される。このため、ストライプ状ドメインのストライ
プ方向を揃えるためには、バトネの成長方向を揃えるこ
とが効果的であると考え、この検討を行った。

【００３８】バトネが成長する様子ををよく観察する
と、バトネの成長方向には２種類あるとが分かった。し
かも、セルの厚み方向に対して、一方の基板に近い部分
のバトネと、他方の基板に近い部分のバトネとは、それ
ぞれ成長方向が同じであり、その方向はラビング方向に
対して時計回りに少しずれていることが分かった。した
がって、一方の基板と他方の基板のラビング方向を適度
にずらすことにより、初期に成長するバトネの方向を両
基板で揃えることができ、これによりストライプ状のド
メインのストライプ方向を揃えることができると推定で
きる。

【００３９】そこで、ＤＨＦ型セルにおいて、ストライ
プ状ドメインのストライプ方向を揃えるために、ラビン
グ処理方向をずらす検討を行った。ラビング処理方向を
２つの基板で時計回りに２０°ずらして作製したセル、
平行にして作製したセル、および反時計回りに２０°ず
らして作製したセルを用意した。

【００４０】これらのストライプ状のドメインを観察し
たところ、ラビング処理方向を時計回りに２０°ずらし
て作製したセルは、ラビング処理方向を平行にして作製
したセルに比べてドメインの長さが短くなり、均一な配
向状態から遠ざかる結果となった。一方、ラビング方向
を反時計まわりに２０°ずらしたセルは平行ラビングセ
ルに比ベストライプ状ドメインの方向が揃った。このこ
とから、ＤＨＦ型セルにおいて反時計方向にラビング処
理方向をずらした場合、ストライプ状ドメインのストラ
イプ方向を一方向に揃えることができる可能性があるこ
とが分かった。次に、ラビング処理方向をずらす最も適
切な角度について検討した。片面のみにラビング処理を
施して作製したセルを再度詳細に調べた結果、ラビング
処理方向と、ストライプ状ドメインのストライプ方向に
ずれがあることが分かった。このずれの大ききは、時計
まわりに８°であった。

【００４１】そこで、ＤＨＦ型セルにおいて、ラビング
処理方向を平行を基準にして反時計方向に１６°ずらし
てセルを作製した。得られたセルを顕微鏡で観察する
と、図２に示すように、ストイプ状ドメイン２１が一方
向に延びていた。このセルを加熱して強い電場を印加し
た後に電圧を下げると、ストライプ状のドメインが消失
し、図３に示すようにほぼ均一な相を得ることができ
た。この場合、電極端においても、ドメインの消光位ず
れはほとんど見られなかった。

【００４２】このセルの両面にクロスニコルとなるよう
にして偏光板を貼着して、電圧を印加しない状態で
「黒」が得られるようにした。得られたセルに矩型波を
印加して、電気光学特性を測定した。その結果を図４
（本発明）に示す。なお、図５は、比較のために、従来
の片面ラビングについて電気光学特性を測定したもので
ある。図４および図５から分かるように、本発明のラビ
ング処理方向をずらしたセルは、電圧と光透過率との関
係において、片面ラビングのセルよりも駆動電圧が低下
していた。これは、本発明のラビング処理方向をずらし
たセルの配向均一性が片面ラビングセルの配向均一性に
比べて高い結果であると考えられる。

【００４３】また、このセルについて視野角特性を測定
した。その結果を図６に示す。なお、図７は、比較のた
めに、従来の片面ラビングについて電気光学特性を測定
したものである。図６および図７から分かるように、本
発明のラビング処理方向をずらしたセルにおいては、従
来の片面ラビングセルにおいて顕著だった特定の方向へ
の光抜けが抑えられ、コントラストが向上していた。

【００４４】また、ＤＨＦ型セルにおいて、ラビング処
理方向を反平行を基準にして反時計方向に１６°ずらし
てセルを作製した。このセルについて上記と同様に調べ
たところ、均一な相を得ることができ、配向均一性が高
く、特定の方向への光抜けが抑えられ、コントラストが
向上していた。

【００４５】本発明における最適なずらし角は、強誘電
性液晶の種類により大きく異なる。液晶材料がＦＬＣ１
０１５０（ロリック社製、商品名、Ｉｓｏ→Ｓａ転移
点：６８℃、Ｓａ→Ｓｃ^* 転移点：６７℃）の場合に
は、反時計回り１６°であり、液晶材料がＦＬＣ９８０
７（ロリック社製、商品名、Ｉｓｏ→Ｓｃ^* 転移点：５
９℃）の場合には、反時計回り２０°であり、液晶材料
がＦＬＣ９８４８（ロリック社製、商品名、Ｉｓｏ→Ｓ
ａ転移点：６５．９℃、Ｓａ→Ｓｃ^* 転移点：６４．３
℃）の場合には、反時計回り８°である。配向膜として
高チルト配向膜を用いる場合には、最適ずらし角は前記
角度より大きく設定することが好ましい。また、配向膜
としてポリアミド膜を用いる場合には、最適ずらし角は
前記角度より小さく設定することが好ましい。

【００４６】なお、配向膜については、低チルト配向膜
（ネマチック液晶の場合１°以下）が高い配向均一性を
示すので好ましい。ただし、高チルト配向膜の場合は、
ラビング処理方向のねじり量を最適化することにより、
ストライプ状のドメインは一定方向となった。しかしな
がら、高チルト配向膜の場合は、加熱した状態で電場を
印加することによって、ストライプ状のドメインを消失
させることが困難であった。

【００４７】さらに、本発明の液晶表示装置において、
ＴＦＴ等の能動素子を各画素毎に設けて、アクティブマ
トリクス駆動方式で駆動させてもよい。

【００４８】以下、本発明の液晶表示装置の効果を明確
にするための実施例を説明する。

【００４９】（実施例１）厚さ１．１ｍｍの２枚のガラ
ス基板にＩＴＯをスパッタリング法により被着し、パタ
ーニングすることにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ角の透明
画素電極をそれぞれ設けた。次いで、それぞれのガラス
基板上に、ポリイミドＡＬ１０５１（日産化学社製、商
品名）を塗布し、乾燥焼付けすることにより、厚さ５０
ｎｍの配向膜を形成した。

【００５０】この２つのガラス基板の配向膜にラビング
処理を施した。ラビング処理方向は、互いに時計回りに
１６４°ねじれるように設定した。次いで、一方のガラ
ス基板にはスペーサを散布し、他方のガラス基板には接
着剤を塗布し、２枚のガラス基板を配向膜が対向するよ
うにし、セルギャップ２．０μｍでセルを組み立てた。

【００５１】次いで、得られたセルにＤＨＦ用強誘電性
液晶ＦＬＣ１０１５０（ロリック社製、商品名）を注入
した。なお、強誘電性液晶の注入は、８０℃のホットプ
レート上で行ない、注入した後は、室温まで１℃／分程
度の冷却速度で徐冷した。

【００５２】その後、液晶注入口を接着剤で封止し、透
明電極にリードを接続した。このようにして本発明の液
晶表示装置を作製した。

【００５３】この液晶表示装置を電圧無印加の状態で顕
微鏡で観察すると、ストライプ状のドメインが一方向に
延びていることが確認された。この液晶表示装置にを６
２℃に加熱し、＋５０Ｖ、１０Ｈｚの矩型波電圧を１０
分間印加した。次いで、液晶表示装置を６２℃に保持し
たまま、±３Ｖ、１Ｈｚの矩型波電圧を１０分間印加し
た後、徐々に電圧を低下させた。このとき、ストライプ
状のドメインは消失し、全体に均一な相が現れた。

【００５４】この液晶表示装置の両面にクロスニコルと
なるように偏光板を貼着して、電圧無印加状態で光透過
率が最小となるようにした。この液晶表示装置に室温で
６０Ｈｚの矩型波を用いて、電圧一光透過率特性および
等コントラスト視角特性を調べたところ、それぞれ図４
および図６のようになった。

【００５５】（実施例２）ラビング処理方向を反時計方
向に２０°ねじるように設定すること、ＤＨＦ用強誘電
性液晶として、ＦＬＣ９８０７（ロシュ社製、商品名）
を用いること以外は実施例１と同様にして液晶表示装置
を作製した。

【００５６】この液晶表示装置の両面にクロスニコルと
なるように偏光板を貼着して、電圧無印加状態で光透過
率が最小となるようにした。この液晶表示装置に室温で
６０Ｈｚの矩型波を用いて、電圧一光透過率特性および
等コントラスト視角特性を調べたところ、それぞれ図４
および図６のようになった。

【００５７】（比較例１）ラビング処理方向を互いに平
行に設定すること以外は実施例１と同様にして液晶表示
装置を作製した。

【００５８】この液晶表示装置を電圧無印加の状態で顕
微鏡で観察すると、ストライプ状のドメインが種々の方
向に向いていることが確認された。また、消光位はドメ
イン毎に異なっていた。この液晶表示装置にを６２℃に
加熱し、＋５０Ｖ、１０Ｈｚの矩型波電圧を１０分間印
加した。次いで、液晶表示装置を６２℃に保持したま
ま、±３Ｖ、１Ｈｚの矩型波電圧を１０分間印加した
後、徐々に電圧を低下させた。このとき、ストライプ状
ドメインは、ドメイン境界部の跡が残っており、均一な
相を得ることができなかった。

【００５９】（比較例２）ラビング処理を片面のみに施
すこと以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製
した。

【００６０】この液晶表示装置を電圧無印加の状態で顕
微鏡で観察すると、ストライプ状のドメインが一方向に
延びていることが確認された。また、ストライプ状のド
メインは、ラビング処理方向に比べて時計回りに８°ず
れていた。この液晶表示装置にを６２℃に加熱し、＋５
０Ｖ、１０Ｈｚの矩型波電圧を１０分間印加した。次い
で、液晶表示装置を６２℃に保持したまま、±３Ｖ、１
Ｈｚの矩型波電圧を１０分間印加した後、徐々に電圧を
低下させた。このとき、ストライプ状のドメインは、あ
る程度消失し、均一な相が現れていた。しかしながら、
電極端では、広域にわたって配向方向が乱れていた。

【００６１】この液晶表示装置の両面にクロスニコルと
なるように偏光板を貼着して、電圧無印加状態で光透過
率が最小となるようにした。この液晶表示装置に室温で
６０Ｈｚの矩型波を用いて、電圧一光透過率特性および
等コントラスト視角特性を調べたところ、それぞれ図５
および図７のようになった。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置は、ラビング処理が施された配向膜をそれぞれ有する
一対の基板間に挟持され、可視光領域における波長より
も短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶とを具備し、前
記一対の基板の配向膜にそれぞれ施されたラビング処理
の方向のなす角が１〜３０°または１５０〜１７９°で
あるので、電極端まで均一な配向が実現でき、コントラ
ストが大きく、有効視野角が広く、高速応答が可能であ
り、階調表示が可能であり、しかも駆動電圧が小さいＤ
ＨＦ型液晶表示装置である。

【００６３】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、一対の基板のそれぞれの基板上に配向膜を形成し、
配向膜に配向方向のなす角が１〜３０°または１５０〜
１７９°となるように配向処理を施し、一対の基板間に
可視光領域における波長よりも短い螺旋ピッチを有する
強誘電性液晶を等方性液体の状態で注入し、前記強誘電
性液晶を冷却して等方性液体をカイラルスメクティック
Ｃ（Ｓｃ^* ）相に転移させ、カイラルスメクティックＣ
（Ｓｃ^* ）相の転移温度よりも２〜１０℃低い温度にお
いて電場を印加するので、上記ＤＨＦ型液晶表示装置を
効率よく得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明における配向処理方向
を説明するための図。

【図２】本発明の液晶表示装置のセルに発生するストラ
イプ状のドメインを示す図。

【図３】本発明の液晶表示装置のセルに高電圧を印加し
た後のテクスチャーを示す図。

【図４】本発明の液晶表示装置のセルにおける電圧−光
透過率特性図。

【図５】従来の液晶表示装置のセルにおける電圧一光透
過率特性図。

【図６】本発明の液晶表示装置のセルにおける等コント
ラスト視角特性図。

【図７】従来の液晶表示装置のセルにおける等コントラ
スト視角特性図。

【図８】ＤＨＦ型液晶表示装置のセル構造を示す概略
図。

【図９】ＤＨＦ型液晶表示装置の表示原理を説明するた
めの図。

【符号の説明】

２１…ストライプドメイン、８１…基板面、８２…偏光
板、９２…液晶分子。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ラビング処理が施された配向膜をそれぞれ
   有する一対の基板と、 前記配向膜が対向するようにして所定の間隔をおいて配
   置された前記一対の基板間に挟持され、可視光領域にお
   ける波長よりも短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶
   と、を具備し、 前記一対の基板の配向膜にそれぞれ施されたラビング処
   理の方向のなす角が１〜３０°または１５０〜１７９°
   であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記強誘電性液晶中の液晶分子のプレチ
   ルト角が１°以下である請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記一対の基板の少なくとも一つの基板
   に能動素子が形成されている請求項１または２記載の液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】一対の基板のそれぞれの基板上に配向膜を
   形成し、前記配向膜に配向処理を施す工程と、 前記配向膜の配向方向のなす角が１〜３０°または１５
   ０〜１７９°となるように、かつ、前記配向膜が対向す
   るようにして、前記一対の基板を所定の間隔をおいて配
   置し、前記一対の基板間に、可視光領域における波長よ
   りも短い螺旋ピッチを有する強誘電性液晶を等方性液体
   の状態で注入する工程と、 前記強誘電性液晶を冷却して等方性液体をカイラルスメ
   クティックＣ（Ｓｃ^* ）相に転移させる工程と、 カイラルスメクティックＣ（Ｓｃ^* ）相の転移温度より
   も２〜１０℃低い温度において電場を印加する工程と、
   を具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。