JPH0915655A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH0915655A JPH0915655A JP7186573A JP18657395A JPH0915655A JP H0915655 A JPH0915655 A JP H0915655A JP 7186573 A JP7186573 A JP 7186573A JP 18657395 A JP18657395 A JP 18657395A JP H0915655 A JPH0915655 A JP H0915655A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- display device
- display element
- crystal molecules
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 明るい階調画像を表示できる液晶表示素子を
提供することである。 【構成】 対向面に電極14、15を形成し、所定の配
向処理を施した基板11、12間に二色性染料が1重量
%程度添加されたカイラルネマティック液晶13を封止
する。液晶分子のツイスト角θを180°〜300°と
し、液晶分子のプレチルト角を3°〜10°とする。D
/Pが数1を満たすようにセルギャップDとピッチPを
選択する。 【数1】θ/2π−1/4<D/P<θ/2π
提供することである。 【構成】 対向面に電極14、15を形成し、所定の配
向処理を施した基板11、12間に二色性染料が1重量
%程度添加されたカイラルネマティック液晶13を封止
する。液晶分子のツイスト角θを180°〜300°と
し、液晶分子のプレチルト角を3°〜10°とする。D
/Pが数1を満たすようにセルギャップDとピッチPを
選択する。 【数1】θ/2π−1/4<D/P<θ/2π
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示素子に関し、
特に、二色性染料を含むカイラルネマティック液晶を用
いた液晶表示素子に関する。
特に、二色性染料を含むカイラルネマティック液晶を用
いた液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示素子は、液晶セルと該液
晶セルを挟んで配置された一対の偏光板とより構成され
る。この様な構成の液晶表示素子においては、液晶に印
加する電圧を制御することにより、液晶の複屈折性を制
御して、一対の偏光板を通過する光の強度を変化させる
ことにより、任意の表示を得ている。しかし、偏光板を
用いる従来の液晶表示素子は、偏光板による光の損失が
大きく、表示が暗いという問題があった。
晶セルを挟んで配置された一対の偏光板とより構成され
る。この様な構成の液晶表示素子においては、液晶に印
加する電圧を制御することにより、液晶の複屈折性を制
御して、一対の偏光板を通過する光の強度を変化させる
ことにより、任意の表示を得ている。しかし、偏光板を
用いる従来の液晶表示素子は、偏光板による光の損失が
大きく、表示が暗いという問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
する手法として、ネマティック相とコレステリック相の
相転移を用いるホワイトテーラーモードの液晶表示素子
が提案されている。このモードの液晶表示素子は、二色
性染料を含む液晶を用いており、液晶に印加する電圧を
制御することにより、ネマティック相とコレステリック
相を切り替える。コレステリック相では、液晶分子と二
色性染料が様々な方向を向き、液晶層を通過する光を吸
収して「暗」が表示される。また、液晶に電圧を印加し
て、液晶分子を基板にほぼ垂直に配向させたネマティッ
ク相では、二色性染料による光の吸収量が低減し、
「明」が表示される。
する手法として、ネマティック相とコレステリック相の
相転移を用いるホワイトテーラーモードの液晶表示素子
が提案されている。このモードの液晶表示素子は、二色
性染料を含む液晶を用いており、液晶に印加する電圧を
制御することにより、ネマティック相とコレステリック
相を切り替える。コレステリック相では、液晶分子と二
色性染料が様々な方向を向き、液晶層を通過する光を吸
収して「暗」が表示される。また、液晶に電圧を印加し
て、液晶分子を基板にほぼ垂直に配向させたネマティッ
ク相では、二色性染料による光の吸収量が低減し、
「明」が表示される。
【0004】しかし、従来のホワイトテーラーモードの
液晶表示素子は、液晶の相転移を利用しているため、電
圧に対する光学応答が不連続的に生じ、電気光学特性の
ヒステリシスが大きく、二値表示は可能であるが階調表
示が出来ないという問題があった。また、液晶分子が、
ツイスト配向した状態のコレステリック相から電圧の印
加に伴って基板に垂直な方向に配向する際に、液晶のね
じれ力が強いため、液晶分子の配向変化がスムーズに行
われず、液晶の配向が乱れ、ストライプ状に配向不良が
発生してしまうという問題があった。
液晶表示素子は、液晶の相転移を利用しているため、電
圧に対する光学応答が不連続的に生じ、電気光学特性の
ヒステリシスが大きく、二値表示は可能であるが階調表
示が出来ないという問題があった。また、液晶分子が、
ツイスト配向した状態のコレステリック相から電圧の印
加に伴って基板に垂直な方向に配向する際に、液晶のね
じれ力が強いため、液晶分子の配向変化がスムーズに行
われず、液晶の配向が乱れ、ストライプ状に配向不良が
発生してしまうという問題があった。
【0005】このような問題を解決するため、コレステ
リック液晶の代わりにカイラルネマティク(N*)液晶
を使用することが考えられる。しかし、電界の変化に対
する電気光学特性の変化(特に、電界を印加し始めた時
の液晶分子の配向の変化)が急峻であり、階調表示を行
うことが困難である。
リック液晶の代わりにカイラルネマティク(N*)液晶
を使用することが考えられる。しかし、電界の変化に対
する電気光学特性の変化(特に、電界を印加し始めた時
の液晶分子の配向の変化)が急峻であり、階調表示を行
うことが困難である。
【0006】この発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、液晶分子が安定して配向し、且つ、ヒステリシスの
小さい、二色性染料を用いた液晶表示素子を提供するこ
とを目的とする。この発明は上記実情に鑑みてなされた
もので、階調表示が可能な二色性染料を用いた液晶表示
素子を提供することを目的とする。
で、液晶分子が安定して配向し、且つ、ヒステリシスの
小さい、二色性染料を用いた液晶表示素子を提供するこ
とを目的とする。この発明は上記実情に鑑みてなされた
もので、階調表示が可能な二色性染料を用いた液晶表示
素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のゲストホストモードの液晶表示素子は、
対向面に電極が形成され、かつ、所定の配向処理が施さ
れ、所定のセルギャップDを有して対向して配置された
一対の基板と、前記一対の基板間に封止され、ツイスト
角θが90°乃至300°で、二色性染料が添加され、
前記セルギャップDとピッチPの比D/Pが数2を満た
すカイラルネマティック相の液晶と、
め、この発明のゲストホストモードの液晶表示素子は、
対向面に電極が形成され、かつ、所定の配向処理が施さ
れ、所定のセルギャップDを有して対向して配置された
一対の基板と、前記一対の基板間に封止され、ツイスト
角θが90°乃至300°で、二色性染料が添加され、
前記セルギャップDとピッチPの比D/Pが数2を満た
すカイラルネマティック相の液晶と、
【数2】θ/2π−1/4<D/P<θ/2π より構成されることを特徴とする。
【0008】
【作用】上記構成によれば、二色性染料による光の吸収
と透過の制御により画像を表示するので、明るい表示画
像を提供でき、反射型素子として好適である。また、図
3(A)〜(E)の特性図に示すように、セルギャップ
DとピッチPの比D/Pをθ/2π未満とすることによ
り、液晶表示素子の電気光学特性のヒステリシスを抑え
ることができる。また、D/Pをθ/2π−1/4より
大きくすることにより、液晶を安定にツイスト配向させ
ることができる。また、ツイスト角θを90°以上(望
ましく180°)以上とすることにより、漏光を抑える
ことができる。また、ツイスト角を300°以上とする
と、印加電圧の変化に対するチルト角の変化が不安定と
なるとなるため、ツイスト角θは90°以上300°以
下とすることが望ましい。従って、この発明の液晶表示
素子によれば、電気光学特性のヒステリシスが小さく、
漏光が小さく、且つ、液晶分子が安定に配向する液晶表
示素子を得ることができる。
と透過の制御により画像を表示するので、明るい表示画
像を提供でき、反射型素子として好適である。また、図
3(A)〜(E)の特性図に示すように、セルギャップ
DとピッチPの比D/Pをθ/2π未満とすることによ
り、液晶表示素子の電気光学特性のヒステリシスを抑え
ることができる。また、D/Pをθ/2π−1/4より
大きくすることにより、液晶を安定にツイスト配向させ
ることができる。また、ツイスト角θを90°以上(望
ましく180°)以上とすることにより、漏光を抑える
ことができる。また、ツイスト角を300°以上とする
と、印加電圧の変化に対するチルト角の変化が不安定と
なるとなるため、ツイスト角θは90°以上300°以
下とすることが望ましい。従って、この発明の液晶表示
素子によれば、電気光学特性のヒステリシスが小さく、
漏光が小さく、且つ、液晶分子が安定に配向する液晶表
示素子を得ることができる。
【0009】また、液晶分子のプレチルト角を3°〜1
0°程度に大きくすることにより、印加電圧の変化に対
する液晶分子のチルトの変化を連続的に変化させること
ができ、表示階調を安定的に制御することができる。
0°程度に大きくすることにより、印加電圧の変化に対
する液晶分子のチルトの変化を連続的に変化させること
ができ、表示階調を安定的に制御することができる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の実施例にかかるゲストホス
トモードの液晶表示素子について説明する。 (第1実施例)図1はこの実施例の液晶表示素子の構造
を示す。図示するように、この実施例の液晶表示素子
は、対向して配置された一対の基板11、12と、一対
の基板11と12の間に封入されたネマティック液晶1
3とより構成されている。基板11、12の内面には、
対向する複数の電極14、15が形成されている。電極
14、15の上にはそれぞれ配向膜16、17が形成さ
れている。配向膜16、17には、図2に示すように、
互いに90°〜270°で交差する方向16A、17A
に配向処理が施されている。基板12の背面にはアルミ
膜等からなる反射板18が配置されている。
トモードの液晶表示素子について説明する。 (第1実施例)図1はこの実施例の液晶表示素子の構造
を示す。図示するように、この実施例の液晶表示素子
は、対向して配置された一対の基板11、12と、一対
の基板11と12の間に封入されたネマティック液晶1
3とより構成されている。基板11、12の内面には、
対向する複数の電極14、15が形成されている。電極
14、15の上にはそれぞれ配向膜16、17が形成さ
れている。配向膜16、17には、図2に示すように、
互いに90°〜270°で交差する方向16A、17A
に配向処理が施されている。基板12の背面にはアルミ
膜等からなる反射板18が配置されている。
【0011】液晶13はカイラル液晶が添加された誘電
率異方性が正のネマティック液晶から構成され、配向膜
16、17に施された配向処理に従って、270°〜9
0°ツイストした状態で基板11と12の間に封止され
ている。液晶13には、さらに、黒色性の二色性染料が
添加されている。二色性染料は、液晶に対し約0.5〜
3重量%の割合で添加され、正の吸収異方性を有する。
率異方性が正のネマティック液晶から構成され、配向膜
16、17に施された配向処理に従って、270°〜9
0°ツイストした状態で基板11と12の間に封止され
ている。液晶13には、さらに、黒色性の二色性染料が
添加されている。二色性染料は、液晶に対し約0.5〜
3重量%の割合で添加され、正の吸収異方性を有する。
【0012】液晶13の層の厚さD[μm]と液晶13
の螺旋ピッチ(バルク状態)P[μm]の比D/Pと液
晶分子13Aのツイスト角θ[ラジアン]は数3を満た
すように設定されている。
の螺旋ピッチ(バルク状態)P[μm]の比D/Pと液
晶分子13Aのツイスト角θ[ラジアン]は数3を満た
すように設定されている。
【0013】
【数3】θ/2π−1/4<D/P<θ/2π
【0014】図3(A)ないし(E)は、誘電率異方性
が正で、Δn=0.085、ネマティック−イソトロピ
ック転移温度が73℃のネマティック液晶を用いて、D
=11μmとし、二色性染料として黒色染料を1重量%
程度添加し、θ=270°(1.5πラジアン)に固定
して、D/Pを変化させて、印加電圧を変化させた時の
電気光学特性(電圧対透過率特性)の例を示す。(A)
と(B)に示すように、D/Pが0.75(θ/2π)
以上では、電気光学特性にヒステリシスが大きく、階調
表示を安定的に行うことは困難である。
が正で、Δn=0.085、ネマティック−イソトロピ
ック転移温度が73℃のネマティック液晶を用いて、D
=11μmとし、二色性染料として黒色染料を1重量%
程度添加し、θ=270°(1.5πラジアン)に固定
して、D/Pを変化させて、印加電圧を変化させた時の
電気光学特性(電圧対透過率特性)の例を示す。(A)
と(B)に示すように、D/Pが0.75(θ/2π)
以上では、電気光学特性にヒステリシスが大きく、階調
表示を安定的に行うことは困難である。
【0015】D/Pが0.75未満では、電圧変化に対
する透過率特性に電圧2V近傍でギャップが存在するも
のの、電気光学特性にヒステリシスが小さい。また、D
/Pが0.5(θ/2π−1/4)未満では、初期配向
状態でのツイスト角が270°とならずに、270°よ
り180°小さい90°となってしまう。D/P=0.
5では、論理的にツイスト角が270°と90°になる
確立が50%ずつであり、液晶セルのセルギャップDの
微妙なばらつきにより、安定的なツイスト角になるとい
う非常に不安定な配向状態となる。これらの理由から、
数3が求められる。
する透過率特性に電圧2V近傍でギャップが存在するも
のの、電気光学特性にヒステリシスが小さい。また、D
/Pが0.5(θ/2π−1/4)未満では、初期配向
状態でのツイスト角が270°とならずに、270°よ
り180°小さい90°となってしまう。D/P=0.
5では、論理的にツイスト角が270°と90°になる
確立が50%ずつであり、液晶セルのセルギャップDの
微妙なばらつきにより、安定的なツイスト角になるとい
う非常に不安定な配向状態となる。これらの理由から、
数3が求められる。
【0016】また、ツイスト角が90°以下の場合、偏
光方向によっては、入射光が吸収されない場合が生じ、
漏れ光が大きくなる。また、さらに、漏れ光を低減する
ためには、ツイスト角が180°以上であることが望ま
しい。また、ツイスト角が300°以上の場合、図4に
示すように、印加電圧の上昇に対してチルト角が負に変
化する領域が生じ配向が不安定になってしまう。このた
め、ツイスト角θは、90°以上300°未満、望まし
くは、180°以上300°未満とする。
光方向によっては、入射光が吸収されない場合が生じ、
漏れ光が大きくなる。また、さらに、漏れ光を低減する
ためには、ツイスト角が180°以上であることが望ま
しい。また、ツイスト角が300°以上の場合、図4に
示すように、印加電圧の上昇に対してチルト角が負に変
化する領域が生じ配向が不安定になってしまう。このた
め、ツイスト角θは、90°以上300°未満、望まし
くは、180°以上300°未満とする。
【0017】以上説明したように、ツイスト角θを90
°〜300°とし、セルギャップDとピッチPの比D/
Pを数3を満たすように設定することにより、ヒステリ
シスが小さく、印加電圧を変化させて透過率を段階的に
変化させることができる液晶表示素子が得られる。
°〜300°とし、セルギャップDとピッチPの比D/
Pを数3を満たすように設定することにより、ヒステリ
シスが小さく、印加電圧を変化させて透過率を段階的に
変化させることができる液晶表示素子が得られる。
【0018】(第2実施例)第1実施例においては、無
電界状態で、液晶は水平配向状態にあるため、印加電圧
の上昇に対して液晶分子13Aがチルトしにくい。この
ため、印加電圧が一定値(2V)を越えるまでは、チル
ト角が変化せず、一定値を超えた段階で急激にチルトが
変化するという問題がある。即ち、印加電圧の変化に対
するチルトの変化が非連続的である。さらに、配向膜1
6、17近傍の液晶分子13Aが特にチルトしにくいた
め、図1の初期状態から、図5に示すように、各ツイス
ト領域が全体として横倒しになった状態となってしま
い、図6に示すように、縞状のドメインが形成されてし
まう場合がある。
電界状態で、液晶は水平配向状態にあるため、印加電圧
の上昇に対して液晶分子13Aがチルトしにくい。この
ため、印加電圧が一定値(2V)を越えるまでは、チル
ト角が変化せず、一定値を超えた段階で急激にチルトが
変化するという問題がある。即ち、印加電圧の変化に対
するチルトの変化が非連続的である。さらに、配向膜1
6、17近傍の液晶分子13Aが特にチルトしにくいた
め、図1の初期状態から、図5に示すように、各ツイス
ト領域が全体として横倒しになった状態となってしま
い、図6に示すように、縞状のドメインが形成されてし
まう場合がある。
【0019】このようなような問題を解決するため、こ
の第2実施例においては、液晶分子のプレチルト角を3
°〜10°以上とする。プレチルト角を増加するにつれ
て、液晶分子、特に、配向膜近傍の液晶分子がチルトし
易くなる。このため、透過率を電圧の上昇に伴って連続
的に増加させることができる。
の第2実施例においては、液晶分子のプレチルト角を3
°〜10°以上とする。プレチルト角を増加するにつれ
て、液晶分子、特に、配向膜近傍の液晶分子がチルトし
易くなる。このため、透過率を電圧の上昇に伴って連続
的に増加させることができる。
【0020】しかし、液晶分子のプレチルト角が大きす
ぎると、オフ時の液晶分子のチルトが大きくなるため、
漏光量が増加するため、表示画像のコントラストが低く
なってしまう。従って、液晶分子のプレチルト角は3°
以上、10°以下とすることが望ましい。
ぎると、オフ時の液晶分子のチルトが大きくなるため、
漏光量が増加するため、表示画像のコントラストが低く
なってしまう。従って、液晶分子のプレチルト角は3°
以上、10°以下とすることが望ましい。
【0021】この様な構成とすることにより、液晶分子
を安定に且つ印加電圧の変化に対してより線型的に配向
させることが可能となる。従って、印加電圧に対する透
過率の変化が滑らかとなり、階調表示が容易になる。ま
た、液晶分子の配向不良を防止することができる。
を安定に且つ印加電圧の変化に対してより線型的に配向
させることが可能となる。従って、印加電圧に対する透
過率の変化が滑らかとなり、階調表示が容易になる。ま
た、液晶分子の配向不良を防止することができる。
【0022】なお、この発明は上記実施例に限定され
ず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実
施例では、単純マトリクス(パッシブマトリクス)型の
液晶表示素子について説明したが、この発明は、TF
T、MIM等をスイッチング素子として使用したアクテ
ィブマトリクス型のN*液晶表示素子にも同様に適用可
能である。また、反射板18の構成等も任意に変更可能
である。例えば、基板12の内面に反射板を配置し、そ
の上に絶縁膜を介して電極を形成してもよい。
ず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実
施例では、単純マトリクス(パッシブマトリクス)型の
液晶表示素子について説明したが、この発明は、TF
T、MIM等をスイッチング素子として使用したアクテ
ィブマトリクス型のN*液晶表示素子にも同様に適用可
能である。また、反射板18の構成等も任意に変更可能
である。例えば、基板12の内面に反射板を配置し、そ
の上に絶縁膜を介して電極を形成してもよい。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、明るく階調表示が可能な液晶表示素子を提供するこ
とができる。
ば、明るく階調表示が可能な液晶表示素子を提供するこ
とができる。
【図1】この発明の実施例にかかる液晶表示素子の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図2】配向膜に施された配向処理の方向と液晶のツイ
スト角を説明する図である。
スト角を説明する図である。
【図3】セルギャップDと液晶のピッチPの比D/Pを
変化させたときの液晶表示素子の電気光学特性を示す図
である。
変化させたときの液晶表示素子の電気光学特性を示す図
である。
【図4】ツイスト角毎に、印加電圧とチルト角との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図5】電圧を印加した時の配向欠陥の例を示す図であ
る。
る。
【図6】電圧を印加した時の配向欠陥の例を示す図であ
る。
る。
11・・・基板、12・・・基板、13・・・ネマティック液
晶、14・・・電極、15・・・電極、16・・・配向膜、17・
・・配向膜、18・・・反射板
晶、14・・・電極、15・・・電極、16・・・配向膜、17・
・・配向膜、18・・・反射板
Claims (4)
- 【請求項1】対向面に電極が形成され、かつ、所定の配
向処理が施され、所定のセルギャップDを有して対向し
て配置された一対の基板と、 前記一対の基板間に封止され、ツイスト角θが90°乃
至300°で、二色性染料が添加され、前記セルギャッ
プDとピッチPの比D/Pが数1を満たすカイラルネマ
ティック液晶と、 【数1】θ/2π−1/4<D/P<θ/2π より構成されることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】前記カイラルネマティック液晶の液晶分子
のプレチルト角は3°乃至10°であることを特徴とす
る請求項1に記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】前記基板の対向面には、水平配向処理が施
されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液
晶表示素子。 - 【請求項4】前記液晶表示素子は反射板を備える反射型
であることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の液
晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7186573A JPH0915655A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
| KR1019960025036A KR100210651B1 (ko) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | 컬러액정표시소자 |
| TW085107872A TW335455B (en) | 1995-06-30 | 1996-06-29 | Color liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7186573A JPH0915655A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915655A true JPH0915655A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16190908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7186573A Pending JPH0915655A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915655A (ja) |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7186573A patent/JPH0915655A/ja active Pending
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