JPH09161223A - 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な耐磨耗性と低粘着性とを有する薄膜磁気
ヘッドを実現する。 【解決手段】炭素を含む非晶質保護膜１０の表面領域
を、含フッ素膜で構成する。この炭素を含む非晶質保護
膜１０は、含水素非晶質炭素、含水素非晶質炭化珪素
（水素含有量５〜５０％）などの炭素系保護膜で構成す
る。保護膜全体の膜厚は４〜２５ｎｍとし、その表面領
域の含フッ素層は１〜５ｎｍが望ましい。ヘッドを形成
する磁性体に直接接触する領域の保護膜にはフッ素を含
有させず、それより３ｎｍ以上離れた表層部に含有させ
る。含フッ素膜のフッ素含有量は５〜３０原子％が好ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速回転する磁気
ディスク上を磁気ヘッドが浮上する、所謂ヘッド浮上型
の高記録密度磁気ディスク装置に使用して好適な薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法と、それを用いた磁気ディス
ク記録再生装置に係り、特に磁気ヘッドスライダの磁気
ディスク対向面に保護膜を形成した薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法と、それを用いた磁気ディスク記録再生装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク記録再生装置（以
下、磁気ディスク装置と略称する）は、取扱情報量の増
大に伴って記録密度の高度化が急速に進展している。磁
気ディスク装置の記録密度を高度化するためには、磁気
ディスク面上に対する薄膜磁気ヘッドの浮上量を１００
ｎｍ以下に設定する必要があるが、このように浮上量を
小さくした場合は、高速で回転する磁気ディスク面に磁
気ヘッドスライダが接触又は衝突する機会が増える。こ
のため、磁気ヘッドスライダの空気支持面に形成する保
護膜は薄くて強靭であることに加え高度の耐磨耗性を有
することが必要である。

【０００３】また、最近では超高密度の記録を実現する
ため、ＭＲヘッド（磁気抵抗読みとりヘッド）が使用さ
れる様になっているが、ＭＲヘッドは従来の誘導型ヘッ
ドと異なり、磁性材料が腐食しやすい欠点があるため、
保護膜は磁性材料の腐食を防ぐ役割を備えることも必要
になってきた。

【０００４】更に、高密度化とともに、装置自体の小型
化が要求され、そこで使用される低トルク小型モータに
対応するためにヘッドがディスク表面に対して粘着性の
小さいことも重要になってきた。このような様々な要求
に対応するため、含水素非晶質炭素からなる保護膜を採
用する提案が、例えば、特公平６−１０３５８６号公報
に記載されている。含水素非晶質炭素は、ダイヤモンド
ライクカーボンとも呼ばれており、耐磨耗性に優れ、摺
動時に塵を残さない有望な材料である。しかし、最近の
装置の小型化に伴い、粘着特性が重要になってくると、
特に立ち上がり時の摩擦が大きく、問題となってきた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記従来の問題点を解決することにあり、その
結果として、良好な耐摩耗性と低粘着性とを有する信頼
性の高い薄膜磁気ヘッド及びその製造方法と、それを用
いた磁気ディスク記録再生装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、磁
性膜の保護膜を、炭素を含む非晶質保護膜の表面領域に
フッ素（Ｆ）原子を含有させた保護膜で構成することに
より効果的に達成することができる。炭素を含む非晶質
保護膜の代表的なものとしては、含水素非晶質炭素膜及
び含水素非晶質炭化珪素膜の少なくとも１種から成る保
護膜が挙げられる。

【０００７】本発明者等は、これまで良好な耐摩耗性と
低粘着性とを備えた保護膜を実現すべく炭素を含む非晶
質保護膜について種々実験検討を行なってきた。その結
果、保護膜表面に少なくとも５原子％以上のＦ原子が存
在し、膜中にＣ−Ｆ結合を有する場合、通常用いられて
いるディスク表面の潤滑材に対し、保護膜表面での撥油
効果が生じ、浮上立ち上がり時の摩擦が大幅に小さくな
ることが判明した。

【０００８】この点については、含水素非晶質炭素、含
水素非晶質炭化珪素以外の保護膜となる炭素を含む非晶
質材料一般についても言えることであって、５〜３０原
子％のフッ素原子を表面領域に混入させることにより、
同様の効果が期待できる。

【０００９】磁気ヘッドの浮上面保護膜は、前述の様に
薄膜化が要求されており、高密度記録再生においては、
通常２５ｎｍ以下の膜厚に抑えられている。また、薄膜
化の限界としては、成膜初期の膜の核形成過程を偏光解
析により評価した結果、膜が連続になるためには少なく
とも４ｎｍ以上必要であることが判明した。

【００１０】一方、保護膜形成においてヘッドの磁性体
に直接接する成膜初期の部分にＦ原子を導入しようとす
ると、磁性体に対してＦ原子による酸化反応が進行し、
腐食の原因となる。そこで、少なくとも磁性体から３ｎ
ｍ以上はＦ原子を含まない保護膜層が必要である。結
局、保護膜全体の膜厚のバランスを考慮すると、Ｆ原子
を含む表面層の膜厚は、保護膜の全体膜厚が２５ｎｍの
最大の場合には２２ｎｍ、全体膜厚が最小の４ｎｍの場
合には１ｎｍまで可能であり、即ち、場合に応じて１〜
２２ｎｍの範囲で選ぶことが可能である。また、Ｆ原子
導入の効果という点からも１ｎｍ未満では十分な撥油効
果が得られない。

【００１１】次に、膜中に導入するＦ原子の濃度として
は、５〜３０原子％の範囲が好ましい。５％未満では膜
表面の接触角測定などの膜としての評価では０％の場合
に比べて差はあるが、実際に実機試験で摩擦力を比べた
ときに効果が十分でない。

【００１２】一方、Ｆ原子が膜中に３０％を越す場合に
は、膜を構成するマトリックスの構造が変化し、膜とし
てポーラスで柔らかいものになってしまう。また、後述
のようにＦ原子を導入する層は、通常成膜雰囲気の中に
水素が存在するため、膜中に取り込まれたＦ原子は成膜
中の水素によりＨＦとして引き抜かれる反応が協奏的に
起こり、膜中に３０原子％以上導入することが容易では
ない。

【００１３】表面領域にＦ原子が導入された炭素を含む
非晶質保護膜を形成する方法としては、以下に説明する
ような二つの方法が挙げられる。

【００１４】第１の形成方法は、ヘッドとなる磁性体上
に、例えば、メタン、エチレン等の炭化水素ガスを炭素
源とする周知のマプラズマ励起化学蒸着法（ＣＶＤ法）
により、予め含水素非晶質炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ）を保護
膜として形成する。膜厚が３ｎｍ以上の所定膜厚となっ
た時点から、この炭素源となる炭化水素ガスに、例え
ば、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₂Ｈ₂Ｆ₄等の一般式ＣｘＨｙＦｚ
（ただし、ｘ＝１もしくは２；ｙ＝０もしくは１〜５の
整数；ｚ＝１〜６の整数；ｙ＋ｚ＝２ｘもしくは２ｘ＋
２）で表せるフッ素含有ガス及びＳＦ₆ガスの少なくと
も１種のフッ素原料ガスを混合してフッ素を含む含水素
非晶質炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）を形成する。

【００１５】これによって、表層部にフッ素を含む含水
素非晶質炭素膜が形成される。含水素非晶質炭素膜の表
層部のフッ素含有量は、炭化水素ガスに対するフッ素原
料ガスの混合量を調整することにより容易に所望量に制
御できる。好ましくは、ガスの混合量を段階的もしくは
連続的に変化させて表層部に行くにしたがってフッ素量
を増加させ最表面の含有量が最大となるように濃度勾配
を形成させることである。

【００１６】なお、炭素源となる上記の炭化水素ガスと
共に、珪素源としてシランガスを混合すれば、含水素非
晶質炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）から構成される保護
膜が得られ、この膜形成の途中から上記の含水素非晶質
炭素膜の場合と同様にフッ素原料ガスを混合すれば、表
層部には含水素、含フッ素非晶質炭化珪素膜（ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆ）が得られる。

【００１７】第２の形成方法は、予め上記第１の形成方
法の前段と同様の工程でフッ素を含まない保護膜を必要
な膜厚だけ形成しておき、その後で保護膜表面をフッ素
プラズマ中に曝し、表層部にフッ素を導入する方法であ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を更
に具体的に説明する。図１は、本発明の薄膜磁気ヘッド
を採用した磁気ディスク記録再生装置の一例を示した一
部切り欠き要部斜視図である。本装置は、情報を記録す
る磁気ディスク（記録媒体）１４と、磁気ディスク１４
を回転させるモータ（図示せず）と、磁気ディスク１４
に情報を書き込み又は磁気ディスク１４から情報を読み
出す磁気ヘッドを搭載した磁気ヘッドスライダ１５と、
磁気ヘッドスライダ１５を支持し、磁気ディスク１４の
目標位置に決めるアクチュエータ１６及びボイスコイル
モータ１７と、磁気ディスク装置内部を清浄に保つエア
フィルタ（図示せず）とをもって構成されている。

【００１９】磁気ディスク１４は、周知の以下の方法に
よって製作した。まず、アルミニウム・マグネシウム合
金円板にニッケル燐膜を鍍金法により１０ミクロン形成
し、その表面を研磨した。その上にスパッタ法によりク
ロムを１００ミクロン形成し、更にコバルト合金膜をス
パッタ法により５０ｎｍ形成した。最後に、ディスク表
面の保護膜としてスパッタ法により非晶質炭素膜を数十
ｎｍの厚さ形成してからその表面に膜厚６ｎｍのパーフ
ルオロエーテル系潤滑膜を付着させた。

【００２０】磁気ヘッドスライダ１５は、後述する実施
例で製作した薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ヘッドスラ
イダを用いた。この様にして構成した磁気記録再生装置
について摺動試験を行ったところ、再生出力が７０％に
低下した時の総回転数は５０，０００回転であり、この
ときにいずれのヘッドもその表面に傷がないことを確認
し、装置として良好な結果が得られた。

【００２１】

【実施例】

＜実施例１＞本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの一実施例
を図２に示した製造工程図にしたがって順次説明する。

【００２２】図２（ａ）に断面図で示すように、材料が
アルチック（Ａｌ₂Ｏ³ＴｉＣ，酸化アルミニウム・炭化
チタン）のスライダ基板１の上に周知の方法により薄膜
磁気ヘッドの積層体を形成した。即ち、スライダ基板１
の上にスパッタ法により下部磁性膜２を形成し、その上
に二酸化珪素、ポリイミド等の絶縁材料を成膜した後、
エッチング等のパターン形成技術により絶縁層３の中に
コイル導体４が埋め込まれた構造の積層体を形成した。
これらの積層体の上に上部磁性膜５を成膜して薄膜磁気
ヘッドの積層体６を形成した。

【００２３】ここまでの工程では、実際には、図２（ａ
´）に斜視図で示すように、スライダ基板１の上に薄膜
プロセスを用いて、一括して多数の積層体６のパターン
を同時に形成した。なお、基板１の厚さ方向がスライダ
の長さ方向になる。

【００２４】続いて図２（ｂ）に断面図で示すように、
積層体６の上に、アルミナ、酸化珪素等の絶縁物をスパ
ッタ法により堆積して、絶縁保護膜７を形成した。次い
で、同図の一点鎖線の部分Ａ、Ｂで、図２（ｂ´）に斜
視図で示すように、基板１を矩形の短冊状に切断して数
個ごとに分離する。すなわち、絶縁保護層７が被覆され
た積層体６が一直線状に複数個配列された列ごとに切断
分離する。

【００２５】切断してから端面８を上にし、端面８を研
削してから研磨し、図２（ｃ）に示すように空気支持面
９を形成した。空気支持面９は、ヘッド及びスライダの
同一平面上に形成される。この空気支持面９の上に、本
発明の保護膜１０を次の方法により形成した。

【００２６】以下、図２（ｄ）の断面図にしたがって保
護膜１０の形成方法を説明する。空気支持面９の全面に
シリコンをターゲットとしたマグネトロンスパッタ法に
より膜厚３ｎｍの非晶質シリコン膜を形成し、接着層２
０とした。成膜の条件は、１３.５６ＭＨｚの高周波電
力２００Ｗ、圧力０.６７Ｐａ（パスカル）、アルゴン
流量２０ＳＣＣＭ（Standard Cubic cm/minute）とし
た。なお、スライダ基板１に炭素を含む材料を用いる場
合には、基板上に形成される非晶質炭素系保護膜１０と
の密着性に問題はなく、接着層２０を省略することがで
きる。

【００２７】次に、メタンガスを原料とした１３.５６
ＭＨｚの平行平板型高周波プラズマＣＶＤ法を用いて含
水素非晶質炭素膜２１を１０ｎｍ形成した。形成条件
は、基板側に高周波を印加するカソードカップリング法
を用い、高周波電力１５０Ｗ、メタンガス流量１０ＳＣ
ＣＭ、圧力６.７Ｐａとした。この膜の含有水素量はＨ
ＦＳ（Hydrogen Forward Scattering）分析により、約
３６％であった。

【００２８】次に、同プラズマＣＶＤ装置の成膜室を一
旦高真空に引き、今度はフッ素源としてＣＦ₄ガス１５
ＳＣＣＭ、メタンガス１０ＳＣＣＭを混合して流し、圧
力１０.０Ｐａ、高周波電力２５０Ｗで含水素含フッ素
非晶質炭素膜２２を５ｎｍ形成した。この時と同じ条件
で、別途シリコン基板上に作製した含水素含フッ素非晶
質炭素膜をＦＴ−ＩＲ法により膜中のＣ−Ｆ結合を測定
し、Ｆ原子の濃度に換算したところ、約８.８％であっ
た。こうして厚さ１０ｎｍのフッ素を含まない保護膜２
１の上に、厚さ５ｎｍのフッ素を含む保護膜２２を積層
し、全膜厚１５ｎｍの積層保護膜１０を形成した。

【００２９】このフッ素が導入された保護膜２２の接触
角を測定したところ、純水に対して、１２０度であっ
た。これはフッ素を含まない含水素非晶質炭素膜が同条
件下で接触角７０度であったのに比べ、かなり大きくな
っていることがわかる。

【００３０】以上のようにして図２（ｄ）に示すよう
に、空気支持面に保護膜１０を有する薄膜磁気ヘッド２
３を搭載したスライダブロックを製作した。

【００３１】図３は、磁気ヘッドスライダの加工工程図
を示したもので、図３（ａ）は薄膜磁気ヘッド２３を搭
載した磁気ヘッドスライダブロックから１個分のスライ
ダを切り出した磁気ヘッドスライダ全体の外観を示して
いる。保護膜１０を形成した後、磁気ヘッドスライダに
次の方法によりレール加工を行った。

【００３２】レールは、ヘッドスライダを高速回転する
磁気ディスク上に所望の量（１００ｎｍ前後）だけ浮上
させるように空気の流れを制御する働きをするものであ
る。レールは浮上量が極端に小さくなった場合（５０ｎ
ｍ以下）、コンタクトレコーディング用の突起形状のパ
ッドになる場合もある。いずれの形状の場合でも、加工
方法は同じである。

【００３３】まず、図３（ｂ）に示すように、エッチン
グのマスクとなるポジ型の有機レジストをロールコート
印刷法により保護膜１０の上に印刷した。これを通常の
フォトリソグラフィ法により露光して現像し、レールパ
ターンのマスク１１を形成した。

【００３４】図３（ｃ）に示すように、このマスク１１
を使ってアルゴンガスを用いたイオンミリング法によ
り、レールパターン以外の部分の物質を所定の深さまで
除去してレールの形状の残留マスク１２を形成した。

【００３５】図３（ｄ）に示すように、残留したマスク
１２を除去して保護膜１０を有するレール１３を形成
し、磁気ヘッドスライダを完成させた。

【００３６】このようにして製作した薄膜磁気ヘッドの
特性を次の方法により評価した。まず、ヘッドをジンバ
ルバネに取り付けた状態で標準の潤滑油を付けたディス
クの上を回転させ、回転開始時の摩擦力を測定した。そ
の結果、１.８ｇｆ／ＨＧＡ（ヘッドジンバルアッセン
ブリ）という良好な低粘着特性を得た。

【００３７】また、耐磨耗性については回転ディスクを
用い、減速低浮上試験に加え、ＣＳＳ（Constant Start
Stop）摩耗試験を行った。減速低浮上試験では、ディ
スクの接線方向速度５ｍ／ｓ、浮上量２０ｎｍ、２００
０ｒｐｍの条件で５００時間後も問題はなく、浮上量４
０ｎｍでのＣＳＳ磨耗試験では、５００００回転後も損
傷は見られず、良好な耐磨耗性が得られた。

【００３８】なお、この保護膜２２の構成例の外にフッ
素含有量を変えて種々の組成の含水素含フッ素非晶質炭
素膜２２を作製し、同時に下地となった含水素非晶質炭
素膜２１の水素含量も変えた場合について調べた。それ
らの結果を表１に示した。

【００３９】表中の試料Ｎｏ．１は本実施例を、試料Ｎ
ｏ．２〜４はその他の実施例を、そして試料Ｎｏ．５〜
６は比較例を、それぞれ示している。また、表中の上段
は、保護膜１０の下地となるフッ素を含まない保護膜２
１を、下段は保護膜２１の上に形成したフッ素を含む保
護膜２２を、それぞれ示している。また、膜構成欄中の
ａ−Ｃ：Ｈは含水素非晶質炭素膜を、ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆは
フッ素を含む含水素非晶質炭素膜を、数値はそれぞれの
膜厚を示している。

【００４０】

【表１】

【００４１】＜実施例２＞この実施例は、保護膜１０を
構成する基礎材質を実施例１の含水素非晶質炭素膜の代
わりに、含水素非晶質炭化珪素膜としたものである。以
下、実施例１と同様の方法で図２（ｃ）に示す空気支持
面９を形成した後、以下の方法で本発明の保護膜１０を
形成した。

【００４２】接着層２０は形成せず、メタンガスとシラ
ンガスの混合ガスを原料とした１３.５６ＭＨｚの平行
平板型高周波プラズマＣＶＤ法を用いて、下地層として
含水素非晶質炭化珪素膜２１を１０ｎｍ形成した。形成
条件は、対向電極側に高周波を印加するアノードカップ
リング法を用い、高周波電力１５０Ｗ、メタンガス流量
１０ＳＣＣＭ、シランガス流量５ＳＣＣＭ、圧力１０.
０Ｐａとした。この膜の含有水素量はＨＦＳ分析によ
り、約４５％であった。

【００４３】次に、同プラズマＣＶＤ装置の成膜室を一
旦高真空に引き、今度はフッ素源ガスとしてＣＦ₄ガス
１５ＳＣＣＭ、Ｃ₂Ｈ₂Ｆ₄ガス１０ＳＣＣＭを混合して
流し、圧力１０．０Ｐａ、高周波電力２５０Ｗで含水素
含フッ素非晶質炭化珪素膜２２を５ｎｍ形成した。この
ときと同じ条件でシリコン基板上に作製した膜をＦＴ−
ＩＲ法により膜中のＣ−Ｆ結合を測定し、Ｆ原子の濃度
に換算したところ、約１２．５％であった。

【００４４】この膜の接触角を測定したところ、純水に
対して、１３０度であった。これはフッ素を含まない含
水素非晶質炭化珪素膜が同条件下で接触角７０度であっ
たのに比べ、かなり大きくなっていることがわかる。

【００４５】以上のようにして図２（ｄ）に示すよう
に、空気支持面に保護膜１０を有する薄膜磁気ヘッドス
ライダ２３が搭載されたスライダブロックを製作した。
次いで、図３（ａ）に示したように、磁気ヘッドスライ
ダブロックから１個分のスライダを切り出し、実施例１
と同様の方法でレール加工を行ない、図３（ｄ）に示し
たように磁気ヘッドスライダを完成させた。

【００４６】製作した薄膜磁気ヘッドの特性を以下の方
法で評価した。まず、ヘッドをジンバルバネに取り付け
た状態で標準の潤滑油を付けたディスクの上を回転さ
せ、回転開始時の摩擦力を測定した。その結果、１．６
ｇｆ／ＨＧＡ（ヘッドジンバルアッセンブリ）という良
好な低粘着特性を得た。

【００４７】また、耐磨耗性については回転ディスクを
用い、減速低浮上試験に加え、ＣＳＳ摩耗試験を行っ
た。減速低浮上試験では、ディスクの接線方向速度５ｍ
／ｓ、浮上量２０ｎｍ、２０００ｒｐｍの条件で５００
時間後も問題はなく、浮上量４０ｎｍでのＣＳＳ磨耗試
験では、５０，０００回転後も損傷は見られず、良好な
耐磨耗性が得られた。

【００４８】なお、実施例１の場合と同様に、この保護
膜２２の構成例の外にフッ素含有量を変えて種々の組成
の含水素含フッ素非晶質炭化珪素膜２２を作製し、同時
に下地となった含水素非晶質炭化珪素膜２１の水素含量
も変えた場合について調べた。それらの結果を表２に示
した。

【００４９】なお、表中の試料Ｎｏ．１は本実施例を、
試料Ｎｏ．２〜４はその他の実施例を、そして試料Ｎ
ｏ．５〜６は比較例を、それぞれ示している。また、表
中の上段は、保護膜１０の下地となるフッ素を含まない
保護膜２１を、下段は保護膜２１の上に形成したフッ素
を含む保護膜２２を、それぞれ示している。また、膜構
成欄中のａ−ＳｉＣ：Ｈは含水素非晶質炭化珪素膜を、
ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆはフッ素を含む含水素非晶質炭化珪
素膜を、数値はそれぞれの膜厚を示している。

【００５０】

【表２】

【００５１】〈実施例３〉実施例１及び２と同様にフッ
素を含まない保護膜２１を形成した後、表層部の保護膜
２２としてフッ素含有量を膜厚と共に増加させ、フッ素
量に濃度勾配をもたせた含水素含フッ素非晶質炭素膜も
しくは含水素含フッ素非晶質炭化珪素膜２２を作製し
た。この場合の製造方法は、保護膜２２の形成工程にお
いて、フッ素源ガスの混合量を膜厚が増加するにつれて
多くするだけで、基本的には実施例１、２と同様の製造
工程で成膜することができた。

【００５２】

【発明の効果】以上詳述したように本発明により、所期
の目的を達成することができた。すなわち、保護膜の表
面領域を含フッ素膜で構成したため、良好な耐磨耗性と
潤滑性、低粘着性を有する優れた薄膜磁気ヘッドを実現
することが可能となった。この様な薄膜磁気ヘッドを採
用することにより、低トルクモータ対応の小型で、信頼
性の高い、高密度記録の磁気記録再生装置を実現するこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる磁気ディスク記録再生装置の一
実施例を説明するための一部切欠き断面斜視図。

【図２】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの一実施例を示
す製作工程図。

【図３】図２の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ヘッドス
ライダにレールを形成する工程図。

【符号の説明】

１…スライダ基板、 ２…下部磁性層、 ３…絶縁層、 ４…コイル導体、 ５…上部磁性層、 ６…薄膜磁気ヘッドの積層体、 ７…絶縁保護膜、 ８…端面、 ９…空気支持面、 １０…保護膜、 １１…レールパターンのマスク、 １２…残留したマスク、 １３…レール、 １４…磁気ディスク、 １５…磁気ヘッドスライダ、 １６…アクチュエータ、 １７…ボイスコイルモータ、 ２０…接着層、 ２１…含水素非晶質炭素膜または含水素非晶質炭化珪素
膜、 ２２…含水素含フッ素非晶質炭素膜または含水素含フッ
素非晶質炭化珪素膜、 ２３…薄膜磁気ヘッド。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面
   に、炭素を含む非晶質保護膜を形成してなる磁気ヘッド
   であって、非晶質保護膜の表面領域に、フッ素原子を５
   〜３０原子％含有させて成る薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】炭素を含む非晶質保護膜が、含水素非晶質
   炭素及び含水素非晶質炭化珪素の少なくとも１種からな
   り、保護膜中の水素含有量が５〜５０原子％から成る請
   求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】フッ素原子を含む保護膜表面領域の膜厚が
   少なくとも１ｎｍであり、かつ、保護膜全体の膜厚が少
   なくとも４ｎｍで構成されて成る請求項１に記載の薄膜
   磁気ヘッド。
4. 【請求項４】保護膜全体の膜厚が４〜２５ｎｍの炭素を
   含む非晶質保護膜からなり、その表面領域の１〜２２ｎ
   ｍにフッ素原子を含有させ、スライダに形成された磁性
   体上の少なくとも３ｎｍの領域にはフッ素を含有させな
   い炭素を含む非晶質保護膜で構成して成る請求項１記載
   の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】保護膜上に空気流制御用レールもしくはコ
   ンタクトレコーディング用突起形状のパッド部分を配設
   して成る請求項１乃至４のいずれか一に記載の薄膜磁気
   ヘッド。
6. 【請求項６】磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面
   に、炭素を含む非晶質保護膜を形成する薄膜磁気ヘッド
   の製造方法であって、炭化水素ガスを炭素源とするプラ
   ズマ励起化学蒸着法により、予め含水素非晶質炭素膜
   （ａ−Ｃ：Ｈ）を保護膜として形成する工程と、膜厚が
   ３ｎｍ以上の所定膜厚となった時点から、この炭素源と
   なる炭化水素ガスに、フッ素原料ガスを混合して表面領
   域にフッ素を含む含水素非晶質炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ：
   Ｆ）を形成する工程とを有して成る薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。
7. 【請求項７】磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面
   に、炭素を含む非晶質保護膜を形成する薄膜磁気ヘッド
   の製造方法であって、炭化水素ガスを炭素源とし、シラ
   ンガスを珪素源とするプラズマ励起化学蒸着法により、
   予め含水素非晶質炭化珪素膜（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）を保護
   膜として形成する工程と、膜厚が３ｎｍ以上の所定膜厚
   となった時点から、さらに、フッ素原料ガスを混合して
   表面領域にフッ素を含む含水素非晶質炭化珪素膜（ａ−
   ＳｉＣ：Ｈ：Ｆ）を形成する工程とを有して成る薄膜磁
   気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】フッ素原料ガスを、一般式ＣｘＨｙＦｚ
   （ただし、ｘ＝１もしくは２；ｙ＝０もしくは１〜５の
   整数；ｚ＝１〜６の整数；ｙ＋ｚ＝２ｘもしくは２ｘ＋
   ２）で表せるフッ素含有ガス及びＳＦ₆ガスの少なくと
   も１種として成る請求項６もしくは７記載の薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
9. 【請求項９】フッ素原料ガスを混合して表面領域にフッ
   素を含む含水素非晶質炭素膜（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ）、もし
   くはフッ素を含む含水素非晶質炭化珪素膜（ａ−Ｓｉ
   Ｃ：Ｈ：Ｆ）を形成する工程において、フッ素原料ガス
   の混合量を段階的もしくは連続的に変化させて表層部に
   行くにしたがってフッ素量を増加させ最表面の含有量が
   最大となるように濃度勾配を形成させる工程として成る
   請求項６もしくは７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】請求項１乃至５のいずれか一に記載の薄
    膜磁気ヘッドを用いて構成して成る磁気ディスク記録再
    生装置。