JPH09162467A

JPH09162467A - ブリック型半導体励起固体レーザー装置

Info

Publication number: JPH09162467A
Application number: JP32425995A
Authority: JP
Inventors: Takashi Arisawa; 孝有澤; Yoichiro Maruyama; 庸一郎丸山; Masaaki Kato; 政明加藤; Masanori Oba; 正規大場; Toshiaki Muramatsu; 敏晃村松; Masanobu Hidaka; 正伸日高; Susumu Owada; 進大和田; Masao Shichijo; 昌夫七條
Original assignee: Matsuo Sangyo Co Ltd; Japan Atomic Energy Research Institute
Current assignee: Matsuo Sangyo Co Ltd; Japan Atomic Energy Agency
Priority date: 1995-12-13
Filing date: 1995-12-13
Publication date: 1997-06-20

Abstract

(57)【要約】【課題】高品質のビームを得ることによりコンパクト
で高品質・高効率の半導体励起固体レーザー装置を提供
し、また高い冷却効率により熱歪みが少なく且つ四角形
のビームを発生する装置を提供する。【解決手段】クーラーハウス１８は金属製の基台４０
及び上面冷却部材４６から成る。半導体レーザー部（Ｌ
Ｄ）１０が、基台４０に高熱伝導・高電気絶縁性シート
６８を介してネジで固定され、レーザー結晶１２が上面
冷却部材と基台４０との間にネジで挟持される。基台と
上面冷却部材には冷却水が流れる水路が設けられてい
る。ＬＤとレーザー結晶で生じた熱は基台と上面冷却部
材を介して冷却水に伝導される。レーザー結晶は、薄い
直方体であるブリック形状のものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】近年、レーザー同位体分離や
産業界において高輝度・小型・低コスト・高メンテナン
ス性（高寿命）、かつ高繰り返し、高品質のレーザー光
発生装置の出現が待ち望まれている。

【０００２】また、波長可変レーザーのポンピングやア
ルミニウムの溶接・ＩＣ端子切断（タイバーカット）・
金属などの穴あけなどは非常に強いパワー、つまり高輝
度のビームが必要とされ、特に色素レーザーのポンピン
グやＩＣ端子切断では四角形のビームが熱望されてい
る。

【０００３】更に、レーザーを用いた同位体分離用色素
レーザー装置などのポンピングには高繰り返し・高出力
の可視光が、またプリント基板描画（露光）や光造形の
分野では高繰り返し・高出力の紫外光が必要とされてい
る。

【０００４】本発明は、以上のような必要性を満たす能
力をもつ固体型レーザー光発生装置に関するものであ
り、今後大いなる利用が期待されるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】これまでの固体レーザ
ーにおける励起光源、レーザー結晶の冷却方法は直接水
冷方式を採用している。詳細には、励起光源であるラン
プ及びレーザー結晶を水に直接接しては不具合な部分に
防水構造を用い、これらランプ及びレーザー結晶を水中
に配置する方法を採用している。かかる直接水冷方式を
用いているため、共振器構造の設計・製作が非常に複雑
になり、メンテナンスも専門者でなければ困難であり、
光学面においても励起光が水と化学反応を起こし光結合
が悪く、また励起光源、レーザー結晶の寿命も短くなる
という欠点がある。

【０００６】特に、励起光源におけるランプを使用して
いる従来のレーザー装置では、消耗品であるランプの交
換をおよそ１カ月に１度（２４時間稼動の場合）行わな
ければならず、メンテナンス性やコスト面で大きな問題
である。

【０００７】また、直接冷却方式では流体を介するた
め、励起光が流体と化学反応を起こし、励起光を集光す
るための集光器や結晶などが劣化し、高輝度のビームを
得ることができないので、高出力を得るためには電源な
どが大きく、つまりシステム全体が極めて大きくなって
しまうという欠点があった。

【０００８】更に、円形のビームを連ねる加工ではその
輪郭線は波形となり見栄えが悪いため、その改善策とし
て四角形のビームが使われてきている。しかし、現状で
は、円形のビームを四角形にするために複雑な光学系を
組まなければならず、コンパクト化やコスト面で問題が
ある。

【０００９】その上、従来のレーザー結晶は円筒状で径
が７〜８ｍｍ程度あり、直接水冷方式を用いても冷却効
率が低く、熱歪みの低減に限界があった。

【００１０】本発明の１つの目的は、上述の問題点を解
決し、高品質のビームを得ることによりコンパクトで高
品質・高効率の半導体励起固体レーザー装置を提供する
ことにある。

【００１１】本発明の別の目的は、高い冷却効率により
熱歪みが少なく且つ四角形のビームを発生する半導体励
起固体レーザー装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記１つの目的を達成す
るため、第１の発明の半導体励起固体レーザー装置は、
半導体レーザーと、当該半導体レーザーにより励起され
るレーザー結晶と、前記半導体レーザー及びレーザー結
晶を液体により冷却する液体冷却手段とを含み、前記半
導体レーザ及びレーザー結晶に生じる熱を前記液体冷却
手段に熱伝導によって伝える金属からなる金属部材が設
けられていることを特徴とする。

【００１３】上記別の目的を達成するため、第２の発明
の半導体励起固体レーザー装置は、半導体レーザーと、
当該半導体レーザーにより励起されるレーザー結晶とを
含み、前記レーザー結晶が薄いブリック形状を有するこ
とを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の好適な実施形態を図面を
参照して以下に説明する。

【００１５】図１は、本発明によるブリック型半導体励
起固体レーザー装置をレーザー光の発振器に使用した場
合の一実施形態を概略示す構成図である。図１におい
て、１は励起しレーザー光を発生する励起部を、２は励
起部１で生じたレーザー光を全反射するためのリアミラ
ーを、３は励起部１にエネルギーが蓄積された後に生じ
たレーザー光をリアミラー２に伝えるため作動させるＱ
−スイッチを、４は発生したレーザー光を取り出す出力
ミラーをそれぞれ示す。なお、励起部１が本発明のブリ
ック型半導体固体レーザー装置に相当し、これはレーザ
ー光の増幅器にも適用可能である。

【００１６】励起部１は、励起光源となる４つの半導体
レーザー部（ＬＤ）１０（図１の簡明さのため１つのみ
を示す）と、半導体レーザー部１０に励起されレーザー
光を発生する２つのブリック型レーザー結晶１２、１４
と、歪みの少ない高品質のレーザー光にするため２つの
ブリック型レーザー結晶１２及び１４の間に設けられる
１／２波長板１６と、半導体レーザー部１０及びレーザ
ー結晶１２、１４を冷却するための冷却部（以下「クー
ラーハウス」という。）１８とを含む。

【００１７】半導体レーザー部１０は、半導体レーザー
２０とそれを駆動する回路２２とから成る。半導体レー
ザー部１０は、半導体レーザー２０がブリック型レーザ
ー結晶１２、１４に対向するようにしてクーラーハウス
１８上の参照番号３０〜３６に示される位置に配置され
る。なお、リアミラー２及び出力ミラー４は共振器ミラ
ーとして作用する。

【００１８】クーラーハウス１８は、アルミニウム、銅
あるいは銀等の金属材料から作られていて、板状の１つ
の基台４０を含む。基台４０上の長手方向の中央部に中
間で離間して双方の端部まで延在する土手状の２つの隆
起部４２、４４が設けられ、当該隆起部４２、４４上に
ブリック型レーザー結晶１２、１４がそれぞれ配置され
ている。ブリック型レーザー結晶１２、１４の上にこれ
らを上面から冷却するための上面冷却部材４６、４８が
それぞれ配置されている。これら上面冷却部材４６、４
８は、クーラーハウス１８に含まれ、前述のようにアル
ミニウム、銅あるいは銀等の金属材料から作られてい
る。ブリック型レーザー結晶１２を挟んで基台４０上に
配置されている２つの半導体レーザー部１０の配置方向
に沿ってこれら半導体レーザー部１０を冷却するため冷
却水を流す水路５０が基台４０の内部を通って設けられ
ている。同様に、ブリック型レーザー結晶１４を挟んで
基台４０上に配置されている２つの半導体レーザー部１
０の配置方向に沿ってこれら半導体レーザー部１０を冷
却するため冷却水を流す水路５２が基台４０の内部を通
って設けられている。ブリック型レーザー結晶１２、１
４をその底面から冷却するため冷却水を流す水路５４が
隆起部４２、４４の内部を通って設けられている。ブリ
ック型レーザー結晶１２、１４をその上面から冷却する
ため、上面冷却部材４６、４８にはその内部に水路（図
示せず）が設けられている。図１の参照番号５６〜６２
は、流れる冷却水の入口及び出口の管路を示す。

【００１９】なお、本発明のブリック型半導体固体レー
ザー装置はレーザー光の増幅器にも使用できるので、ク
ーラーハウス１８は、レーザー光の発振器ばかりでな
く、その増幅器にも使用可能である。

【００２０】図２は、図１に示されるクーラーハウス１
８と、それに配置されている半導体レーザー部１０及び
ブリック型レーザー結晶１２の部分断面を示した図であ
る。図２において、図１と同一の参照番号は同一の要素
を示す。図２に示されるように、半導体レーザー部１０
は、アルミニウム、銅あるいは銀等の金属材料から作ら
れているクーラーハウス１８の基台４０との間にそれか
ら電気的に絶縁し且つ冷却効率を低下させないように厚
さ０．１〜０．５ｍｍの薄いシリコンシートなどの高熱
伝導性で高電気絶縁性のシート６８を介挿して基台４０
上に配置され、３本又はそれ以上の固定用ネジ７０によ
り基台４０に固定される。ブリック型レーザー結晶１２
は、隆起部４２上に置かれ、その上に上面冷却部材４６
を配置し、隆起部４２と上面冷却部材４６とでブリック
型レーザー結晶１２を挟持するようにして、２本又はそ
れ以上の固定用ネジ７２で図２に示すように固定され
る。図２において、７４は上面冷却部材４６に設けられ
た前述の冷却用水路を、７６は半導体レーザー部１０の
励起光をブリック型レーザー結晶１２に集光して当てる
ために半導体レーザー部１０に設けられたロッドレンズ
などのマイクロレンズ（集光器として作用）をそれぞれ
示す。図１の参照番号３２に配置される半導体レーザー
部１０、基台４０、ブリック型レーザー結晶１２及び上
面冷却部材４６の構造、及び参照番号３４、３６に配置
される半導体レーザー部１０と、基台４０、ブリック型
レーザー結晶１４及び上面冷却部材４８の構造も、参照
番号３０に配置される半導体レーザー部１０、基台４
０、ブリック型レーザー結晶１２及び上面冷却部材４６
についての前述した構造と同様である。

【００２１】図１に示される本発明による一実施形態の
ブリック型半導体励起固体レーザー装置は上述のように
構成され、基台４０に設けられた水路５０、５２、隆起
部４２、４４に設けられた水路５４、及び上面冷却部材
４６、４８に設けられた水路７４（図２）に冷却水を流
してクーラーハウス１８、具体的には基台４０、隆起部
４２、４４、及び上面冷却部材４６、４８を冷却する
と、熱伝導によって間接的に半導体レーザー部１０はそ
の底面から、またブリック型レーザー結晶１２、１４は
その上面及び底面の両方から冷却される。従って、レー
ザー結晶１２、１４で生じた熱は金属製のクーラーハウ
ス１８を介して水路に流れる冷却水に適切に伝導される
ので、レーザー結晶１２、１４に熱が蓄積せず、従って
熱歪みの少ない質の高いレーザービームを得ることがで
きる。なお、本実施形態においては、冷却用の液体とし
て水を用いているが、本発明は水に限定されるものでは
なく冷却に適した液体であれば良い。

【００２２】図１及び図２に示される本発明による一実
施形態のブリック型半導体励起固体レーザー装置は、励
起光源である半導体レーザー部１０及びブリック型レー
ザー結晶１２、１４を直接流体と接触することなく熱伝
導により冷却する構造を有するので、従来の直接冷却構
造での反射体や流体部の設計及び製作の困難を取り除
き、その結果レーザー装置そのものの設計及び製作を容
易にし、しかもコストを低く抑えることが可能となり、
更に従来に比してコンパクトな固体レーザー装置を実現
させることができる。また、励起光源である半導体レー
ザー部１０及びブリック型レーザー結晶１２、１４は直
接流体と接触することがないので、励起光が水と化学反
応を起こすことがなく、その結果光結合効率が高く、且
つ励起光源の集光器及びレーザー結晶の劣化がないた
め、装置自体長寿命であり、且つ高輝度のビームを得る
ことができる。更に、半導体レーザー部１０及びブリッ
ク型レーザー結晶１２、１４がクーラーハウス１８にネ
ジを用いて固定されるているので、半導体レーザー部１
０及びブリック型レーザー結晶１２、１４の交換なども
専門家でなくとも容易に行うことができ、非常にメンテ
ナンス性の優れたものとなっている。なお、励起光源及
びレーザー結晶を直接水冷しない構造の点からもメンテ
ナンスの容易な構造となっている。

【００２３】図２に示されるように、半導体レーザー部
１０は高熱伝導・高電気絶縁性の薄いシート６８を介挿
して基台４０に取り付けられるので、冷却効率を下げる
ことなく、半導体レーザー部１０のアース側が基台４０
と絶縁され、その結果各半導体レーザー部１０を直列接
続とし複数（上記実施形態では４個）の半導体レーザー
部１０を一体の電源で電流制御することが可能となる。

【００２４】ブリック型レーザー結晶１２、１４の寸法
は、幅約３ｍｍ、長さ約１５ｍｍ、１〜２ｍｍ程度の厚
さの薄い直方体をしている。本発明のレーザー結晶１
２、１４はこのように薄い直方体の形状をしていること
からブリック型と呼んでいる。従来のレーザー結晶は円
筒状で径が７〜８ｍｍ程度と厚みがあるのに対して、本
発明のブリック型レーザー結晶１２、１４はこのように
厚みが１〜２ｍｍと非常に薄いので、ブリック型レーザ
ー結晶１２、１４で生じる熱は接触しているクーラーハ
ウス１８を介して水路に流れる冷却水に効率よく引かれ
る、即ちレーザー結晶の冷却効率が高く、レーザー結晶
に熱が蓄積しない結果熱歪みが少なくなる。また、ブリ
ック型レーザー結晶１２、１４の長手方向の断面が四角
形をしていることから、レーザー発振においてそのまま
で四角形（長方形）のビームを発生するので、近年その
必要性が高まってきている四角形の加工や波長可変レー
ザーのポンピングにおいて非常に有益である。

【００２５】ここで、熱複屈折を除去するため１／２波
長板１６を同じ熱歪みを有するブリック型レーザー結晶
１２及び１４との間に設置することによりレーザー光の
品質が向上することについて図３を参照して説明する。
図３は、図１に示すブリック型半導体励起固体レーザー
装置によりレーザー光を発生させた場合のレーザー波面
を示す図であり、（１）はλ／２波長板を設置していな
い場合を、（２）は設置した場合をそれぞれ示す。図３
における周囲の平坦な面は等位相面を示す。図３の
（１）から、１／２波長板を設置しない場合は、波面の
歪みは約２波長（隆起した部分の山部分と谷部分との
差）であることがわかる。一方、図３の（２）から１／
２波長板を設置した場合は、波面の歪みは約１波長であ
ることがわかる。従って、１／２波長板を設置すること
により、熱歪みが補正されて熱歪みの少ない高品質のレ
ーザー光の発生が可能であることが分かる。なお、１／
２波長板の設置は上記のとおり好ましいが、用途によっ
ては、図３の（１）程度の波面の歪みでも良いので、そ
の場合は１／２波長板を設置しなくても良い。

【００２６】図４に、本発明のブリック型半導体励起固
体レーザー装置を発振器に使用した場合の構造図を示
す。図４の（Ａ）は準ＣＷタイプを、（Ｂ）はパルスタ
イプの発振をする場合を示す。図４において、図１及び
図２と同じ参照番号のものは同一の要素を示す。

【００２７】マーカや同位体分離などで必要とされる長
寿命・高ピークパワー・高繰り返しのレーザー装置とし
て使用する際には、（Ａ）に示される準ＣＷタイプのも
のが使用され、そのため、励起部１に配置される半導体
レーザー部１０にはＣＷ発振タイプのものが、またＱ−
スイッチ３には音響型Ｑ−ＳＷ素子が用いられる。ま
た、波長可変レーザーのポンピング、アルミニウムの溶
接、ＩＣ端子切断、金属などの穴あけなど、より低繰り
返しで高いピークパワーが必要とされるレーザー装置と
して使用する際には、（Ｂ）に示されるパルスタイプの
ものが使用され、そのため、励起部１に配置される半導
体レーザー部１０にはパルス発振タイプのものが、また
Ｑ−スイッチ３には電気光学型Ｑ−ＳＷ素子が用いられ
る。なお、図４における８０はシャッターを示し、該シ
ャッター８０は励起部１と出力ミラー４との間に設けら
れ、非常時に、該シャッター８０を、オン／オフするた
めのスイッチを切り替えることにより、瞬時にレーザー
光を遮断し、外部に出射することを防ぐ。また、図４の
（Ｂ）のパルスタイプの発振に用いられる偏光素子８２
は、Ｑ−スイッチ３と励起部１との間に設けられ、偏光
を利用するＱスイッチ３の、Ｑスイッチ動作時のレーザ
ー光の損失を低減するためのものである。

【００２８】図４に示される準ＣＷタイプとパルスタイ
プの構成から分るように、ＣＷおよびパルスのいずれの
レーザー光も、励起部１の半導体レーザー部１０及びＱ
−スイッチ３などの光学系を変えることによって得るこ
とができ、その交換は非常に容易である。

【００２９】励起光源にランプではなく半導体レーザー
部１０即ち半導体レーザー（ＬＤ）を使うことによっ
て、消耗品の交換をおよそ１カ月に１回から半年に１回
（２４時間稼動の場合）にすることができ、メンテナン
ス面、コスト面で非常に有益となり、よりＬＤ励起レー
ザー加工装置の需要が増大する。

【００３０】なお、上記実施形態においては、４つの半
導体レーザーと２つのレーザー結晶を用いた場合を説明
したが、本発明は、これに限定されず、半導体レーザー
あるいはレーザー結晶の数について何ら限定されるもの
ではない。

【００３１】図５は、本発明のブリック型半導体励起固
体レーザー装置を用いたダブルパス増幅器の構成を示す
図である。図５において、１００は図１に示されるブリ
ック型半導体励起固体レーザー装置を、１０２はそれに
結合されたダブルパス増幅器をそれぞれ示す。ダブルパ
ス増幅器１０２は、ブリック型半導体励起固体レーザー
装置１００から出力されたレーザー光を通過させ且つ戻
りの偏光したレーザー光を反射して出力する偏光素子１
０４、入射されるレーザー光を通過させその過程で増幅
するための図１に示される励起部１と同じ励起部１０
６、レーザー光の偏光を所定の角度変えるλ／４波長板
１０８、及び該λ／４波長板１０８を通過したレーザー
光を全反射させる全反射ミラー１１０を含む。

【００３２】ブリック型半導体励起固体レーザー装置１
００で発生したレーザー光は偏光素子１０４を通過し、
励起部１０６を通過して増幅され、更にλ／４波長板１
０８で所定の角度偏光され、全反射ミラー１１０で全反
射される。全反射されたレーザー光は、再びλ／４波長
板１０８で所定の角度偏光されて励起部１０６に入力さ
れ、励起部１０６を通過する過程で増幅される。励起部
１０６を２度通過し２度増幅、即ちダブルパス増幅され
て励起部１０６を出たレーザー光は、最初に入力された
レーザー光と偏光が異なるため、偏光素子１０４で反射
され出力光として取り出される。

【００３３】図５に示すダブルパルス増幅器は、コンパ
クトな構造で高い出力を得ることができ、その励起部に
発振器と同じ構造のものを採用することにより、製作時
の加工性の向上と低コスト化を実現できる。

【００３４】図６は、本発明のブリック型半導体励起固
体レーザー装置を用いた高調波発生レーザー装置の構成
を示す図である。図６において、１００は図１に示され
るブリック型半導体励起固体レーザー装置を示す。ま
た、図６において、１２０は波長を変換するための非線
形結晶の１つであるＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ₄）、１２２
はビームスプリッターを、１２４は第４高調波（紫外
光）用の波長を変換するための非線形結晶の１つである
ＢＢＯ（β−ＢａＢ₂Ｏ₄（βバリウムボーレナイ
ト））、１２６は第５高調波（深紫外光）用の波長を変
換するための非線形結晶の１つであるＢＢＯを、１２８
はプリズムを、１３０は第３高調波（ブルー光）用の波
長を変換するための非線形結晶の１つであるＢＢＯをそ
れぞれ示す。

【００３５】ブリック型半導体励起固体レーザー装置１
００により波長１０６４ｎｍのレーザー光を発生させ
る。１０６４ｎｍの波長のレーザー光は、ＫＴＰ１２０
により５３２ｎｍに変換される。第３高調波を発生させ
る場合には、ブリック型半導体励起固体レーザー装置１
００からの波長１０６４ｎｍのレーザー光とＫＴＰ１２
０からの５３２ｎｍのレーザー光をビームスプリッター
１２２で分割して第３高調波用ＢＢＯ１３０に入射させ
ると、波長３５５ｎｍのブルー光に変換されて出力され
る。第４高調波（紫外光）を発生する場合には、ＫＴＰ
１２０で変換されて生じた波長５３２ｎｍのレーザー光
はビームスプリッター１２２を通過して第４高調波用Ｂ
ＢＯ１２４に入射され、波長２６６ｎｍの紫外光に変換
されて出力される。第５高調波（深紫外光）を発生させ
る場合には、ブリック型半導体励起固体レーザー装置１
００からの波長１０６４ｎｍのレーザー光とＢＢＯ１２
４で変換されて発生した波長２６６ｎｍの紫外光とを第
５高調波（深紫外光）用ＢＢＯ１２６に入射させると、
波長２１３ｎｍの深紫外光に変換されて出力される。第
４高調波（紫外光）用ＢＢＯ１２４の出力には変換され
ずに入射された波長５３２ｎｍレーザー光が含まれてお
り、その結果第５高調波（深紫外光）用ＢＢＯ１２６の
出力光には、変換により得られた波長２１３ｎｍの深紫
外光、波長２６６ｎｍの紫外光、及び波長５３２ｎｍの
レーザー光が含まれている。これらの光はプリズム１２
８によりそれぞれの光に分離され、出力される。

【００３６】図６を参照して前述した高調波発生レーザ
ー装置は、発振器に本発明のブリック型半導体励起固体
レーザー装置を用いることによりコンパクトとなり、使
用条件に応じた種々の波長を選択的に取り出すことがで
きる。

【００３７】本発明は、以上述べたように構成されてい
るので以下のとおりの効果を奏する。即ち、第１の発明
の半導体励起固体レーザー装置においては、半導体レー
ザ及びレーザー結晶に生じる熱を液体冷却手段に熱伝導
によって伝える金属からなる金属部材が設けられること
により、熱歪みを少なくすることができ、高効率・長寿
命・高品質の高輝度のレーザービームが得られ、更には
波長可変レーザー発振に用いた場合には発振効率の向上
が図られ、またそのコンパクトで簡素な構造の結果、メ
ンテナンス性の向上・低コスト化が実現できることにな
った。

【００３８】第２の発明の半導体励起固体レーザー装置
においては、レーザー結晶が薄いブリック形状を有する
ことにより、高繰り返しでかつ四角形のビームを得るこ
とができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるブリック型半導体励起固体レーザ
ー装置をレーザー光の発振器に使用した場合の一実施形
態を概略示す構成図である。

【図２】図１に示されるクーラーハウス１８と、それに
配置されている半導体レーザー部１０及びブリック型レ
ーザー結晶１２の部分断面を示した図である。

【図３】図１に示すブリック型半導体励起固体レーザー
装置によりレーザー光を発生させた場合のレーザー波面
を示す図であり、（１）はλ／２波長板を設置していな
い場合を、（２）は設置した場合をそれぞれ示す。

【図４】本発明のブリック型半導体励起固体レーザー装
置を発振器に使用した場合の構造図であり、（Ａ）は準
ＣＷタイプを、（Ｂ）はパルスタイプの発振をする場合
をそれぞれ示す。

【図５】本発明のブリック型半導体励起固体レーザー装
置を用いたダブルパス増幅器の構成を示す図である。

【図６】本発明のブリック型半導体励起固体レーザー装
置を用いた高調波発生レーザー装置の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１：励起部１０：半導体レーザー部（ＬＤ）１２、１４：ブリック型レーザー結晶１６：１／２波長板１８：クーラーハウス２０：半導体レーザー４０：基台４２、４４：隆起部４６、４８：上面冷却部材５０、５２、５４、７４：水路６８：高熱伝導性・高電気絶縁性シート７０、７２：固定用ネジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者加藤政明茨城県那珂郡東海村白方字白根２番地の４日本原子力研究所東海研究所内 (72)発明者大場正規茨城県那珂郡東海村白方字白根２番地の４日本原子力研究所東海研究所内 (72)発明者村松敏晃茨城県那珂郡東海村白方字白根２番地の４日本原子力研究所東海研究所内 (72)発明者日高正伸神奈川県横浜市港北区新横浜２−３−８東伸24新横浜ビルＢ棟７階松尾産業株式会社東京支店内 (72)発明者大和田進大阪府大阪市中央区島之内１−20−19 白水ビル松尾産業株式会社 (72)発明者七條昌夫大阪府大阪市中央区島之内１−20−19 白水ビル松尾産業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザーと、当該半導体レーザー
により励起されるレーザー結晶と、前記半導体レーザー
及びレーザー結晶を液体により冷却する液体冷却手段と
を含む半導体励起固体レーザー装置において、前記半導体レーザ及びレーザー結晶に生じる熱を前記液
体冷却手段に熱伝導によって伝える金属からなる金属部
材が設けられていることを特徴とする半導体励起固体レ
ーザー装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体励起固体レーザー
装置において、前記半導体レーザーを前記金属部材から
電気的に絶縁し且つ前記半導体レーザーから前記金属部
材への熱伝導を生じさせる絶縁シートを更に有すること
を特徴とする半導体励起固体レーザー装置。
【請求項３】半導体レーザーと、当該半導体レーザー
により励起されるレーザー結晶とを含む半導体励起固体
レーザー装置において、前記レーザー結晶が薄いブリック形状を有することを特
徴とする半導体励起固体レーザー装置。