JPH09162497A - 半導体レーザ装置およびそれに使用する半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ装置およびそれに使用する半導体レーザ素子Info
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- JPH09162497A JPH09162497A JP32288195A JP32288195A JPH09162497A JP H09162497 A JPH09162497 A JP H09162497A JP 32288195 A JP32288195 A JP 32288195A JP 32288195 A JP32288195 A JP 32288195A JP H09162497 A JPH09162497 A JP H09162497A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の半導体レーザ装置およびそれに使用
する半導体レーザ素子は、半導体レーザ装置内部での迷
光を減らし、簡易な構造で、信号特性の良好な光ピック
アップを提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ装置に内蔵される半導体レ
ーザ素子３の反射鏡面Ａには、厚さλ／２（λは波長）
のＡｌ2 Ｏ3 膜１ａがコーティングされ、反射鏡面Ｂに
は、厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜１と、厚さλ／４のアモ
ルファスシリコン膜２とが交互にコーティングされ、反
射鏡面Ａから放射するレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂか
ら放射するレーザ出力は、１／２〜１／５である。
する半導体レーザ素子は、半導体レーザ装置内部での迷
光を減らし、簡易な構造で、信号特性の良好な光ピック
アップを提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ装置に内蔵される半導体レ
ーザ素子３の反射鏡面Ａには、厚さλ／２（λは波長）
のＡｌ2 Ｏ3 膜１ａがコーティングされ、反射鏡面Ｂに
は、厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜１と、厚さλ／４のアモ
ルファスシリコン膜２とが交互にコーティングされ、反
射鏡面Ａから放射するレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂか
ら放射するレーザ出力は、１／２〜１／５である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タシステムのデータを記憶、あるいは音楽・映像データ
などを記録再生する光ディスク装置の光ピックアップな
どに適用して好適な、半導体レーザ装置およびそれに使
用する半導体レーザ素子に関する。
タシステムのデータを記憶、あるいは音楽・映像データ
などを記録再生する光ディスク装置の光ピックアップな
どに適用して好適な、半導体レーザ装置およびそれに使
用する半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスク装置で用いられる、光
ピックアップに内蔵される半導体レーザ装置は、光ディ
スクからの変調光を受光する受光素子を、半導体レーザ
素子と同一パッケージに内蔵するものが主流となってい
る。
ピックアップに内蔵される半導体レーザ装置は、光ディ
スクからの変調光を受光する受光素子を、半導体レーザ
素子と同一パッケージに内蔵するものが主流となってい
る。
【０００３】この従来の半導体レーザ装置に内蔵され
る、半導体レーザ素子の構造を図８に示す。半導体レー
ザ素子８の反射鏡面８Ａ、反射鏡面８Ｂには、ともに厚
さλ／２（λはレーザ光の波長）のＡｌ2 Ｏ3 膜８１が
コーティングされ、反射率はともに約３２％である。す
なわち反射鏡面８Ａのレーザ出力をＰａ、反射鏡面８Ｂ
のレーザ出力をＰｂとすると、 Ｐａ：Ｐｂ＝１：１ である。
る、半導体レーザ素子の構造を図８に示す。半導体レー
ザ素子８の反射鏡面８Ａ、反射鏡面８Ｂには、ともに厚
さλ／２（λはレーザ光の波長）のＡｌ2 Ｏ3 膜８１が
コーティングされ、反射率はともに約３２％である。す
なわち反射鏡面８Ａのレーザ出力をＰａ、反射鏡面８Ｂ
のレーザ出力をＰｂとすると、 Ｐａ：Ｐｂ＝１：１ である。
【０００４】この半導体レーザ素子を内蔵した半導体レ
ーザ装置において、レーザ出力ａは、光ディスクに導か
れて反射され、その変調光を半導体レーザ素子に隣接し
て設置された多分割受光素子にて受光する。
ーザ装置において、レーザ出力ａは、光ディスクに導か
れて反射され、その変調光を半導体レーザ素子に隣接し
て設置された多分割受光素子にて受光する。
【０００５】一方、レーザ出力Ｐｂは、レーザ出力のオ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行うために、他の
受光素子にて受光され、そのモニタ電流に基づきオート
パワーコントロール（ＡＰＣ）される。
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行うために、他の
受光素子にて受光され、そのモニタ電流に基づきオート
パワーコントロール（ＡＰＣ）される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ素子８の
反射鏡面８Ｂから放射するレーザ光Ｐｂは反射鏡面８Ａ
から放射するレーザ光Ｐａと同じ強度であり、その大部
分は、パッケージ内部で、散乱・乱反射し、隣接する多
分割受光素子に信号光以外の迷光として入射する。この
ため多分割受光素子に入射する迷光量は非常に多くな
る。
反射鏡面８Ｂから放射するレーザ光Ｐｂは反射鏡面８Ａ
から放射するレーザ光Ｐａと同じ強度であり、その大部
分は、パッケージ内部で、散乱・乱反射し、隣接する多
分割受光素子に信号光以外の迷光として入射する。この
ため多分割受光素子に入射する迷光量は非常に多くな
る。
【０００７】この多分割受光素子は、光ディスクからの
変調光を受光して、信号電流に変換する機能を有するの
で、迷光による不要な電流が発生すると、信号電流に対
する、オフセットとなり、ジッタの発生や、サーボ誤動
作などの問題を生ずる。したがって、良好な信号特性を
得るためには、光ピックアップに迷光量キャンセル回路
を搭載しなければならなかった。このため光ピックアッ
プは形状が大きく、かつ高価になるという問題があっ
た。
変調光を受光して、信号電流に変換する機能を有するの
で、迷光による不要な電流が発生すると、信号電流に対
する、オフセットとなり、ジッタの発生や、サーボ誤動
作などの問題を生ずる。したがって、良好な信号特性を
得るためには、光ピックアップに迷光量キャンセル回路
を搭載しなければならなかった。このため光ピックアッ
プは形状が大きく、かつ高価になるという問題があっ
た。
【０００８】本発明は上記問題を解決するもので、簡易
な構造で、信号特性の良好な光ピックアップを得るため
に、半導体レーザ装置内部での迷光を減らし、信号光と
して利用しないレーザ光を放射する反射鏡面（反射鏡面
８Ｂ）から放射するレーザ光の少ない半導体レーザ装置
およびそれに使用する半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。
な構造で、信号特性の良好な光ピックアップを得るため
に、半導体レーザ装置内部での迷光を減らし、信号光と
して利用しないレーザ光を放射する反射鏡面（反射鏡面
８Ｂ）から放射するレーザ光の少ない半導体レーザ装置
およびそれに使用する半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、
光共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射
鏡面とを有する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ
素子の第１の反射鏡面から放射されたレーザ光が光記録
媒体にて反射して戻って来たレーザ光を受光する第１の
受光素子と、前記半導体レーザ素子の前記第１の反射鏡
面と対向する第２の反射鏡面から放射されたレーザ光を
受光するレーザ出力制御用の第２の受光素子と、前記半
導体レーザ素子と第１の受光素子と第２の受光素子とを
内包するカバーとを備えた半導体レーザ装置において、
前記第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、
前記レーザ出力制御用の第２の受光素子にて検出可能
で、かつ前記第１の受光素子に対する迷光とならない範
囲に制御されていることを特徴とする。
めに、本発明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、
光共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射
鏡面とを有する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ
素子の第１の反射鏡面から放射されたレーザ光が光記録
媒体にて反射して戻って来たレーザ光を受光する第１の
受光素子と、前記半導体レーザ素子の前記第１の反射鏡
面と対向する第２の反射鏡面から放射されたレーザ光を
受光するレーザ出力制御用の第２の受光素子と、前記半
導体レーザ素子と第１の受光素子と第２の受光素子とを
内包するカバーとを備えた半導体レーザ装置において、
前記第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、
前記レーザ出力制御用の第２の受光素子にて検出可能
で、かつ前記第１の受光素子に対する迷光とならない範
囲に制御されていることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、請求項１に記載の半導体レーザ装置を構成する手
段において、半導体レーザ素子と第１の受光素子と第２
の受光素子とを内包するカバーの内壁面が、第２の反射
鏡面から放射されたレーザ光によって迷光を生じないよ
うな低反射率に形成されていることを特徴とする。
置は、請求項１に記載の半導体レーザ装置を構成する手
段において、半導体レーザ素子と第１の受光素子と第２
の受光素子とを内包するカバーの内壁面が、第２の反射
鏡面から放射されたレーザ光によって迷光を生じないよ
うな低反射率に形成されていることを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装
置を構成する手段において、半導体レーザ素子の第２の
反射鏡面の反射率が６５％ないし８３％であることを特
徴とする。
置は、請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装
置を構成する手段において、半導体レーザ素子の第２の
反射鏡面の反射率が６５％ないし８３％であることを特
徴とする。
【００１２】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、請求項１ないし３のいずれかの項に記載の半導体
レーザ装置に使用される半導体レーザ素子において、光
共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射鏡
面とを有し、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティ
ングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティ
ングされたことを特徴とする。
子は、請求項１ないし３のいずれかの項に記載の半導体
レーザ装置に使用される半導体レーザ素子において、光
共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射鏡
面とを有し、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティ
ングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティ
ングされたことを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、請求項４に記載の半導体レーザ素子を構成する手
段において、第２の反射鏡面が、厚さλ／４（λはレー
ザ光の波長）の反射膜を３層コーティングされたことを
特徴とする。
子は、請求項４に記載の半導体レーザ素子を構成する手
段において、第２の反射鏡面が、厚さλ／４（λはレー
ザ光の波長）の反射膜を３層コーティングされたことを
特徴とする。
【００１４】上記構成手段を備えたことによって、本発
明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、半導体レー
ザ素子の第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力
が、レーザ出力制御用の第２の受光素子で検出可能で、
かつ第１の受光素子に対する迷光とならない範囲に制御
されるので、迷光による不要な迷光電流を低減すること
ができる。このためジッタの発生が抑えられて、光ピッ
クアップの信号特性が良好となり、サーボ誤動作などが
生じなくなる。
明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、半導体レー
ザ素子の第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力
が、レーザ出力制御用の第２の受光素子で検出可能で、
かつ第１の受光素子に対する迷光とならない範囲に制御
されるので、迷光による不要な迷光電流を低減すること
ができる。このためジッタの発生が抑えられて、光ピッ
クアップの信号特性が良好となり、サーボ誤動作などが
生じなくなる。
【００１５】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、上述のようにカバーの内壁面が、第２の反射鏡面
から放射されたレーザ光によって迷光を生じないような
低反射率に形成されているので、光ピックアップに迷光
量キャンセル回路を搭載する必要がない。したがって、
光ピックアップを小型軽量にでき、かつ安価に提供でき
る。
置は、上述のようにカバーの内壁面が、第２の反射鏡面
から放射されたレーザ光によって迷光を生じないような
低反射率に形成されているので、光ピックアップに迷光
量キャンセル回路を搭載する必要がない。したがって、
光ピックアップを小型軽量にでき、かつ安価に提供でき
る。
【００１６】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、上述のように半導体レーザ素子の第２の反射鏡面
の反射率が６５％ないし８３％であるので、第２の反射
鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御
用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子
に対する迷光とならない範囲に制御される。また同じレ
ーザ光出力を得るための動作電流が低減する。したがっ
て、光ピックアップの信号特性が良好となり、かつ消費
電力を少なくすることができる。
置は、上述のように半導体レーザ素子の第２の反射鏡面
の反射率が６５％ないし８３％であるので、第２の反射
鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御
用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子
に対する迷光とならない範囲に制御される。また同じレ
ーザ光出力を得るための動作電流が低減する。したがっ
て、光ピックアップの信号特性が良好となり、かつ消費
電力を少なくすることができる。
【００１７】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、上述のように第１の反射鏡面が単層の反射膜をコ
ーティングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコ
ーティングされた構造としているので、第１の反射鏡面
からのレーザ光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出
力よりも大きくなり、かつ動作電流が低減する。したが
って、半導体レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を
低減することができ、かつ消費電力を少なくすることが
できる。
子は、上述のように第１の反射鏡面が単層の反射膜をコ
ーティングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコ
ーティングされた構造としているので、第１の反射鏡面
からのレーザ光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出
力よりも大きくなり、かつ動作電流が低減する。したが
って、半導体レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を
低減することができ、かつ消費電力を少なくすることが
できる。
【００１８】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、上述のように第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反
射膜を３層コーティングされた構造としているので、製
膜のコストに対して、得られる効果が最も大きい。した
がって、安価に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少な
い半導体レーザ素子を製造することができる。
子は、上述のように第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反
射膜を３層コーティングされた構造としているので、製
膜のコストに対して、得られる効果が最も大きい。した
がって、安価に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少な
い半導体レーザ素子を製造することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図２は、本発明の実施の形態の半
導体レーザ装置の外観を示す。ステム２１上をカバー２
２が覆い、カバー２２上には回折格子２５を有するガラ
ス素子２４が埋め込まれている。ステム２１からはリー
ド端子２３が出ている。本半導体レーザ装置は光ディス
クからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージに内蔵している。
導体レーザ装置の外観を示す。ステム２１上をカバー２
２が覆い、カバー２２上には回折格子２５を有するガラ
ス素子２４が埋め込まれている。ステム２１からはリー
ド端子２３が出ている。本半導体レーザ装置は光ディス
クからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージに内蔵している。
【００２０】図３は、上記半導体レーザ装置の内部構造
を示す。ステム２１上には、シリコン基板３４が固定設
置され、シリコン基板３４上には、半導体レーザ素子３
と受光素子３５（第２の受光素子）とがダイボンディン
グされている。半導体レーザ素子３の前方にはミラー３
６が設置され、半導体レーザ素子３の単層膜コーティン
グされた反射鏡面Ａから放射されたレーザ光３２を反射
して、回折格子２５の方へ導く。また半導体レーザ素子
３の多層膜コーティングされた反射鏡面Ｂから放射され
たレーザ光３３の一部は、受光素子３５にて受光され、
そのモニタ電流はレーザ出力のオートパワーコントロー
ル（ＡＰＣ）に利用される。また、シリコン基板３４に
隣接して、光ディスクからの変調光を受光する多分割受
光素子３７（第１の受光素子）がダイボンディングされ
ている。
を示す。ステム２１上には、シリコン基板３４が固定設
置され、シリコン基板３４上には、半導体レーザ素子３
と受光素子３５（第２の受光素子）とがダイボンディン
グされている。半導体レーザ素子３の前方にはミラー３
６が設置され、半導体レーザ素子３の単層膜コーティン
グされた反射鏡面Ａから放射されたレーザ光３２を反射
して、回折格子２５の方へ導く。また半導体レーザ素子
３の多層膜コーティングされた反射鏡面Ｂから放射され
たレーザ光３３の一部は、受光素子３５にて受光され、
そのモニタ電流はレーザ出力のオートパワーコントロー
ル（ＡＰＣ）に利用される。また、シリコン基板３４に
隣接して、光ディスクからの変調光を受光する多分割受
光素子３７（第１の受光素子）がダイボンディングされ
ている。
【００２１】図１に上記半導体レーザ装置に内蔵される
半導体レーザ素子の構造を示す。半導体レーザ素子３の
反射鏡面Ａには、厚さλ／２（λは波長）のＡｌ2 Ｏ3
膜１ａがコーティングされ、反射率は約３２％である。
反射鏡面Ｂには、厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜１と、厚さ
λ／４のアモルファスシリコン膜２とが交互にコーティ
ングされ、反射率は７５％以上である。
半導体レーザ素子の構造を示す。半導体レーザ素子３の
反射鏡面Ａには、厚さλ／２（λは波長）のＡｌ2 Ｏ3
膜１ａがコーティングされ、反射率は約３２％である。
反射鏡面Ｂには、厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜１と、厚さ
λ／４のアモルファスシリコン膜２とが交互にコーティ
ングされ、反射率は７５％以上である。
【００２２】上記構造によって、反射鏡面Ａから放射す
るレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射するレーザ出
力は、１／２〜１／５と低減する。すなわち反射鏡面Ａ
のレーザ出力をａ、反射鏡面Ｂのレーザ出力をｂとする
と、 ｂ＝（１／２〜１／５）×ａ となる。
るレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射するレーザ出
力は、１／２〜１／５と低減する。すなわち反射鏡面Ａ
のレーザ出力をａ、反射鏡面Ｂのレーザ出力をｂとする
と、 ｂ＝（１／２〜１／５）×ａ となる。
【００２３】次に、上記半導体レーザ素子３を組み込ん
だ半導体レーザ装置の迷光量と半導体レーザ素子３の動
作電流について説明する。
だ半導体レーザ装置の迷光量と半導体レーザ素子３の動
作電流について説明する。
【００２４】図４は、半導体レーザ素子３の反射鏡面Ｂ
の反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ光の
一部を受光素子３５にて受光したときのモニタ電流との
関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十ない
し百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測定
して得られたデータである。中央の折れ線４０は、測定
の平均値を示し、上側の折れ線４１は最大値、下側の折
れ線４２は最小値を示す。
の反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ光の
一部を受光素子３５にて受光したときのモニタ電流との
関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十ない
し百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測定
して得られたデータである。中央の折れ線４０は、測定
の平均値を示し、上側の折れ線４１は最大値、下側の折
れ線４２は最小値を示す。
【００２５】ここにモニタ電流に基づき、レーザ出力の
オートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行う場合のモニ
タ電流の下限値は０．００１５ｍＡ程度となる。これ
は、ＡＰＣ用ＩＣの種類によっても異なるが、一般に安
価なＩＣで量産できるものは、この程度の値となるから
である。この０．００１５ｍＡに対応する反射鏡面Ｂの
反射率の上限は、最小値を示す折れ線４２にて８３％で
ある。
オートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行う場合のモニ
タ電流の下限値は０．００１５ｍＡ程度となる。これ
は、ＡＰＣ用ＩＣの種類によっても異なるが、一般に安
価なＩＣで量産できるものは、この程度の値となるから
である。この０．００１５ｍＡに対応する反射鏡面Ｂの
反射率の上限は、最小値を示す折れ線４２にて８３％で
ある。
【００２６】次に図５は、半導体レーザ素子３の反射鏡
面Ｂの反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ
光が、半導体レーザ装置内部で散乱、乱反射して多分割
受光素子３７にて迷光として受光したときの迷光電流と
の関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十な
いし百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測
定して得られたデータである。中央の折れ線５０は、測
定の平均値を示し、上側の折れ線５１は最大値、下側の
折れ線５２は最小値を示す。
面Ｂの反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ
光が、半導体レーザ装置内部で散乱、乱反射して多分割
受光素子３７にて迷光として受光したときの迷光電流と
の関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十な
いし百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測
定して得られたデータである。中央の折れ線５０は、測
定の平均値を示し、上側の折れ線５１は最大値、下側の
折れ線５２は最小値を示す。
【００２７】本発明の半導体レーザ素子３は、反射鏡面
Ａから放射するレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射
するレーザ出力の比が、１／２〜１／５と低いことか
ら、半導体レーザ素子内部で生じた光の誘導放出が、効
率よく反射鏡面Ａから放射する。このため本図に示され
るように反射鏡面Ｂの反射率の増加に伴い、迷光電流は
低下する。
Ａから放射するレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射
するレーザ出力の比が、１／２〜１／５と低いことか
ら、半導体レーザ素子内部で生じた光の誘導放出が、効
率よく反射鏡面Ａから放射する。このため本図に示され
るように反射鏡面Ｂの反射率の増加に伴い、迷光電流は
低下する。
【００２８】ここに多分割受光素子３７にて、迷光電流
が信号電流に悪影響を及ぼさない範囲は、最大で０．１
μＡ程度である。この０．１μＡに対応する反射鏡面Ｂ
の反射率は、最大値を示す折れ線５１にて６５％であ
る。
が信号電流に悪影響を及ぼさない範囲は、最大で０．１
μＡ程度である。この０．１μＡに対応する反射鏡面Ｂ
の反射率は、最大値を示す折れ線５１にて６５％であ
る。
【００２９】上述の図４および図５から得られる結果よ
り、モニタ電流にてオートパワーコントロール（ＡＰ
Ｃ）ができ、かつ迷光電流が信号電流に悪影響を及ぼさ
ない反射鏡面Ｂの反射率の範囲は、６５〜８３％であ
る。
り、モニタ電流にてオートパワーコントロール（ＡＰ
Ｃ）ができ、かつ迷光電流が信号電流に悪影響を及ぼさ
ない反射鏡面Ｂの反射率の範囲は、６５〜８３％であ
る。
【００３０】ここで、コーティング膜数と反射率との関
係を、表１に示す。
係を、表１に示す。
【表１】 この表１より、反射率６５〜８３％を満足するのは、反
射率７５％のλ／４の３層コーティング膜のみとなる。
射率７５％のλ／４の３層コーティング膜のみとなる。
【００３１】次に、図６に、本発明の半導体レーザ素子
と従来の半導体レーザ素子との迷光電流の測定結果を示
す。図６（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の迷光電
流を示し、図６（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷
光電流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レ
ーザ素子のサンプルについて測定して得られたデータで
あり、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ
素子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに迷
光電流が低減している。
と従来の半導体レーザ素子との迷光電流の測定結果を示
す。図６（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の迷光電
流を示し、図６（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷
光電流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レ
ーザ素子のサンプルについて測定して得られたデータで
あり、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ
素子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに迷
光電流が低減している。
【００３２】図７には、本発明の半導体レーザ素子と従
来の半導体レーザ素子との動作電流の測定結果を示す。
図７（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の動作電流を
示し、図７（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レーザ
素子のサンプルについて測定して得られたデータであ
り、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ素
子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに動作
電流が低減している。
来の半導体レーザ素子との動作電流の測定結果を示す。
図７（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の動作電流を
示し、図７（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レーザ
素子のサンプルについて測定して得られたデータであ
り、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ素
子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに動作
電流が低減している。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に記載の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の第２
の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出
力制御用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受
光素子に対する迷光とならない範囲に制御されるので、
迷光による不要な迷光電流を低減することができる。こ
のためジッタの発生が抑えられて、光ピックアップの信
号特性が良好となり、サーボ誤動作などが生じなくな
る。
に記載の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の第２
の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出
力制御用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受
光素子に対する迷光とならない範囲に制御されるので、
迷光による不要な迷光電流を低減することができる。こ
のためジッタの発生が抑えられて、光ピックアップの信
号特性が良好となり、サーボ誤動作などが生じなくな
る。
【００３４】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、カバーの内壁面が、第２の反射鏡面から放射され
たレーザ光によって迷光を生じないような低反射率に形
成されているので、光ピックアップに迷光量キャンセル
回路を搭載する必要がない。したがって、光ピックアッ
プを小型軽量にでき、かつ安価に提供できる。
置は、カバーの内壁面が、第２の反射鏡面から放射され
たレーザ光によって迷光を生じないような低反射率に形
成されているので、光ピックアップに迷光量キャンセル
回路を搭載する必要がない。したがって、光ピックアッ
プを小型軽量にでき、かつ安価に提供できる。
【００３５】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、半導体レーザ素子の第２の反射鏡面の反射率が６
５％ないし８３％であるので、第２の反射鏡面から放射
されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御用の第２の受
光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子に対する迷光
とならない範囲に制御される。また同じレーザ光出力を
得るための動作電流が低減する。したがって、光ピック
アップの信号特性が良好となり、かつ消費電力を少なく
することができる。
置は、半導体レーザ素子の第２の反射鏡面の反射率が６
５％ないし８３％であるので、第２の反射鏡面から放射
されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御用の第２の受
光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子に対する迷光
とならない範囲に制御される。また同じレーザ光出力を
得るための動作電流が低減する。したがって、光ピック
アップの信号特性が良好となり、かつ消費電力を少なく
することができる。
【００３６】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティングさ
れ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティングさ
れた構造としているので、第１の反射鏡面からのレーザ
光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出力よりも大き
くなり、かつ動作電流が低減する。したがって、半導体
レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を低減すること
ができ、かつ消費電力を少なくすることができる。
子は、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティングさ
れ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティングさ
れた構造としているので、第１の反射鏡面からのレーザ
光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出力よりも大き
くなり、かつ動作電流が低減する。したがって、半導体
レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を低減すること
ができ、かつ消費電力を少なくすることができる。
【００３７】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反射膜を３層コ
ーティングされた構造としているので、製膜のコストに
対して、得られる効果が最も大きい。したがって、安価
に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少ない半導体レー
ザ素子を製造することができる。
子は、第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反射膜を３層コ
ーティングされた構造としているので、製膜のコストに
対して、得られる効果が最も大きい。したがって、安価
に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少ない半導体レー
ザ素子を製造することができる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体レーザ素子の構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の半導体レーザ装置の外観
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態の半導体レーザ装置の内部
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の反射鏡面の反射率
と、モニタ電流との関係を示す図である。
と、モニタ電流との関係を示す図である。
【図５】本発明の半導体レーザ素子の反射鏡面の反射率
と、迷光電流との関係を示す図である。
と、迷光電流との関係を示す図である。
【図６】（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の迷光電
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷光電
流を示す図である。
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷光電
流を示す図である。
【図７】（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の動作電
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す図である。
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す図である。
【図８】従来の半導体レーザ素子の構造を示す図であ
る。
る。
１ 厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜 １ａ 厚さλ／２のＡｌ2 Ｏ3 膜 ２ 厚さλ／４のアモルファスシリコン膜 ３ 半導体レーザ素子 ２１ ステム ２２ カバー ２３ リード端子 ２４ ガラス素子 ２５ 回折格子 ３２ 反射鏡面Ａから放射されたレーザ光 ３３ 反射鏡面Ｂから放射されたレーザ光 ３４ シリコン基板 ３５ 受光素子 ３６ ミラー ３７ 多分割受光素子
Claims (5)
- 【請求項１】 光共振器を形成するための第１の反射鏡
面と第２の反射鏡面とを有する半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子の第１の反射鏡面から放射された
レーザ光が光記録媒体にて反射して戻って来たレーザ光
を受光する第１の受光素子と、 前記半導体レーザ素子の前記第１の反射鏡面と対向する
第２の反射鏡面から放射されたレーザ光を受光するレー
ザ出力制御用の第２の受光素子と、 前記半導体レーザ素子と第１の受光素子と第２の受光素
子とを内包するカバーとを備えた半導体レーザ装置にお
いて、 前記第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、
前記レーザ出力制御用の第２の受光素子にて検出可能
で、かつ前記第１の受光素子に対する迷光とならない範
囲に制御されていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 半導体レーザ素子と第１の受光素子と第
２の受光素子とを内包するカバーの内壁面が、第２の反
射鏡面から放射されたレーザ光によって迷光を生じない
ような低反射率に形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子の第２の反射鏡面の反
射率が６５％ないし８３％であることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかの項に記載
の半導体レーザ装置に使用される半導体レーザ素子にお
いて、 光共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射
鏡面とを有し、 第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティングされ、第
２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティングされたこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 第２の反射鏡面は、厚さがλ／４（λは
レーザ光の波長）の反射膜を３層コーティングされたこ
とを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288195A JP3601893B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288195A JP3601893B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162497A true JPH09162497A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3601893B2 JP3601893B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18148663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32288195A Expired - Fee Related JP3601893B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601893B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1748524A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US7646798B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-01-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7668218B2 (en) | 2007-02-20 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7701995B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7764722B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7804872B2 (en) | 2007-06-07 | 2010-09-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32288195A patent/JP3601893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1748524A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| EP2048752A2 (en) | 2005-07-29 | 2009-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| EP2048752A3 (en) * | 2005-07-29 | 2009-05-27 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US7646798B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-01-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7668218B2 (en) | 2007-02-20 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7764722B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7804872B2 (en) | 2007-06-07 | 2010-09-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7701995B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US8102891B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-01-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3601893B2 (ja) | 2004-12-15 |
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