JPH09167902A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH09167902A JPH09167902A JP32869595A JP32869595A JPH09167902A JP H09167902 A JPH09167902 A JP H09167902A JP 32869595 A JP32869595 A JP 32869595A JP 32869595 A JP32869595 A JP 32869595A JP H09167902 A JPH09167902 A JP H09167902A
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- Japan
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- dielectric
- conductor
- hole
- resonator
- quarter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １／４波長同軸型誘電体共振器を用いた誘電
体フィルタにおいて、通過周波数帯域の近くでの減衰を
良好に維持しつつ、通過周波数帯域の２倍の周波数帯域
での高調波のピークを小さくしてスプリアス特性を改善
する。 【解決手段】 誘電体ブロック５に第１貫通孔内面の第
１内導体４Ａ〜４Ｄ及び外導体３を形成し、これら第１
内導体と外導体３との短絡導体を短絡端面に形成して１
／４波長同軸型誘電体共振器１Ａ〜１Ｄの配列を形成
し、その配列の両端の共振器と結合される入出力端子７
Ａ，７Ｄを形成し、共振器１Ｄに隣接して、第１貫通孔
と並列形成された第２貫通孔の内面に第２内導体４Ｒを
形成し、この第２内導体４Ｒと外導体３とを短絡端面側
において短絡させ且つ開放端面側においてパターン状接
続導体８により接続して１／２波長同軸型誘電体共振器
１Ｒを形成し、開放端面に対向する様に導電性シールド
ケース１０を配置した。
体フィルタにおいて、通過周波数帯域の近くでの減衰を
良好に維持しつつ、通過周波数帯域の２倍の周波数帯域
での高調波のピークを小さくしてスプリアス特性を改善
する。 【解決手段】 誘電体ブロック５に第１貫通孔内面の第
１内導体４Ａ〜４Ｄ及び外導体３を形成し、これら第１
内導体と外導体３との短絡導体を短絡端面に形成して１
／４波長同軸型誘電体共振器１Ａ〜１Ｄの配列を形成
し、その配列の両端の共振器と結合される入出力端子７
Ａ，７Ｄを形成し、共振器１Ｄに隣接して、第１貫通孔
と並列形成された第２貫通孔の内面に第２内導体４Ｒを
形成し、この第２内導体４Ｒと外導体３とを短絡端面側
において短絡させ且つ開放端面側においてパターン状接
続導体８により接続して１／２波長同軸型誘電体共振器
１Ｒを形成し、開放端面に対向する様に導電性シールド
ケース１０を配置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタ技
術に属するものであり、特に１／４波長同軸型誘電体共
振器を複数個組み合わせてなる誘電体フィルタのスプリ
アス特性の改善を企図した誘電体フィルタに関する。本
発明の誘電体フィルタはＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯の無線装
置における帯域通過フィルタとして有効に利用できる。
術に属するものであり、特に１／４波長同軸型誘電体共
振器を複数個組み合わせてなる誘電体フィルタのスプリ
アス特性の改善を企図した誘電体フィルタに関する。本
発明の誘電体フィルタはＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯の無線装
置における帯域通過フィルタとして有効に利用できる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】マイク
ロ波用誘電体フィルタは、例えば、１つの誘電体ブロッ
クに複数個の貫通孔を並列形成し、該貫通孔の内面に内
導体を形成し、誘電体ブロックの貫通孔と並行な表面に
外導体を形成し、誘電体ブロックの貫通孔が開口せる２
つの表面のうちの一方の端面（短絡端面）に内導体と外
導体とを短絡する短絡導体を形成して上記貫通孔の数の
段数の１／４波長同軸型誘電体共振器の配列を形成し、
該配列の両端の誘電体共振器と結合される入出力端子を
形成することにより作製される。
ロ波用誘電体フィルタは、例えば、１つの誘電体ブロッ
クに複数個の貫通孔を並列形成し、該貫通孔の内面に内
導体を形成し、誘電体ブロックの貫通孔と並行な表面に
外導体を形成し、誘電体ブロックの貫通孔が開口せる２
つの表面のうちの一方の端面（短絡端面）に内導体と外
導体とを短絡する短絡導体を形成して上記貫通孔の数の
段数の１／４波長同軸型誘電体共振器の配列を形成し、
該配列の両端の誘電体共振器と結合される入出力端子を
形成することにより作製される。
【０００３】この様な誘電体フィルタにおいては、誘電
体ブロックの短絡端面と逆側の短絡されていない端面
（開放端面）からの電磁波の放射による減衰量の低下を
防止するために、誘電体ブロック開放端面と対向して導
電性シールドケースが配置される。即ち、図９に示され
ている様に、導電性シールドケースを付加しない場合
（Ｙ）には通過周波数帯域Ｗ1 の近くにおける減衰が良
好でなく、導電性シールドケースを付加した場合（Ｘ）
には通過周波数帯域Ｗ1 の近くにおける減衰が良好であ
る。
体ブロックの短絡端面と逆側の短絡されていない端面
（開放端面）からの電磁波の放射による減衰量の低下を
防止するために、誘電体ブロック開放端面と対向して導
電性シールドケースが配置される。即ち、図９に示され
ている様に、導電性シールドケースを付加しない場合
（Ｙ）には通過周波数帯域Ｗ1 の近くにおける減衰が良
好でなく、導電性シールドケースを付加した場合（Ｘ）
には通過周波数帯域Ｗ1 の近くにおける減衰が良好であ
る。
【０００４】しかしながら、この誘電体フィルタにおい
ては、図９に示されている様に、導電性シールドケース
を付加したことにより、通過周波数帯域Ｗ1 の略２倍の
周波数帯域Ｗ2 において共振のピークが強く現れる。こ
れは、シールドケース付加により、１／２波長共振が存
在しやすくなるからである。
ては、図９に示されている様に、導電性シールドケース
を付加したことにより、通過周波数帯域Ｗ1 の略２倍の
周波数帯域Ｗ2 において共振のピークが強く現れる。こ
れは、シールドケース付加により、１／２波長共振が存
在しやすくなるからである。
【０００５】スプリアス特性の点から、高次モードのピ
ークは低く抑えることが必要であり、特に、通過周波数
帯域Ｗ1 （誘電体共振器の基本モード周波数に相当）の
２倍の周波数帯域Ｗ2 （誘電体共振器の基本モードの２
倍の周波数に相当）でのピークは、基本モードに最も近
いので、実際の使用に際し様々な問題を生じさせる。
ークは低く抑えることが必要であり、特に、通過周波数
帯域Ｗ1 （誘電体共振器の基本モード周波数に相当）の
２倍の周波数帯域Ｗ2 （誘電体共振器の基本モードの２
倍の周波数に相当）でのピークは、基本モードに最も近
いので、実際の使用に際し様々な問題を生じさせる。
【０００６】そこで、従来は、（１）共振器のサイズす
なわち軸長と共振器の径の比率を変化させたり、（２）
高次モードのＱを低下させたりして、基本モード周波数
の２倍の周波数でのピークを低下させスプリアス特性を
改善していた。
なわち軸長と共振器の径の比率を変化させたり、（２）
高次モードのＱを低下させたりして、基本モード周波数
の２倍の周波数でのピークを低下させスプリアス特性を
改善していた。
【０００７】しかし、上記（１）では、ピークをシフト
させることはできるが、そのシフト量は十分大きくはな
く、更にピークを十分低下させることはできない。ま
た、上記（２）では、高次モードのみのＱの低下は不可
能であり、同時に基本モードのＱも低下してしまう。
させることはできるが、そのシフト量は十分大きくはな
く、更にピークを十分低下させることはできない。ま
た、上記（２）では、高次モードのみのＱの低下は不可
能であり、同時に基本モードのＱも低下してしまう。
【０００８】そこで、本発明は、１／４波長同軸型誘電
体共振器を用いた誘電体フィルタにおいて、通過周波数
帯域の近くでの減衰を良好に維持しつつ、通過周波数帯
域の２倍の周波数帯域での高調波のピークを小さくして
スプリアス特性を改善することにある。
体共振器を用いた誘電体フィルタにおいて、通過周波数
帯域の近くでの減衰を良好に維持しつつ、通過周波数帯
域の２倍の周波数帯域での高調波のピークを小さくして
スプリアス特性を改善することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するものとして、誘電体ブロックに複数個の第
１貫通孔を並列形成し、該第１貫通孔の内面に第１内導
体を形成し、上記誘電体ブロックの上記第１貫通孔と並
行な表面に外導体を形成し、上記誘電体ブロックの上記
第１貫通孔が開口せる２つの端面のうちの一方たる第１
端面に上記第１内導体と上記外導体とを短絡する短絡導
体を形成して上記第１貫通孔の数の１／４波長同軸型誘
電体共振器の配列を形成し、該配列の両端の１／４波長
同軸型誘電体共振器と結合される入出力端子を形成して
なる誘電体フィルタにおいて、上記両端の１／４波長同
軸型誘電体共振器の少なくとも一方に隣接して、上記誘
電体ブロックに上記第１貫通孔と並列に第２貫通孔を形
成し、該第２貫通孔の内面に第２内導体を形成し、上記
誘電体ブロックの第１端面側および上記第１貫通孔が開
口せる２つの端面のうちの他方たる第２端面の側の双方
において上記第２内導体と上記外導体とを接続又は非接
続となした１／２波長同軸型誘電体共振器を形成してな
る、ことを特徴とする、誘電体フィルタ、が提供され
る。
的を達成するものとして、誘電体ブロックに複数個の第
１貫通孔を並列形成し、該第１貫通孔の内面に第１内導
体を形成し、上記誘電体ブロックの上記第１貫通孔と並
行な表面に外導体を形成し、上記誘電体ブロックの上記
第１貫通孔が開口せる２つの端面のうちの一方たる第１
端面に上記第１内導体と上記外導体とを短絡する短絡導
体を形成して上記第１貫通孔の数の１／４波長同軸型誘
電体共振器の配列を形成し、該配列の両端の１／４波長
同軸型誘電体共振器と結合される入出力端子を形成して
なる誘電体フィルタにおいて、上記両端の１／４波長同
軸型誘電体共振器の少なくとも一方に隣接して、上記誘
電体ブロックに上記第１貫通孔と並列に第２貫通孔を形
成し、該第２貫通孔の内面に第２内導体を形成し、上記
誘電体ブロックの第１端面側および上記第１貫通孔が開
口せる２つの端面のうちの他方たる第２端面の側の双方
において上記第２内導体と上記外導体とを接続又は非接
続となした１／２波長同軸型誘電体共振器を形成してな
る、ことを特徴とする、誘電体フィルタ、が提供され
る。
【００１０】本発明の一態様においては、上記誘電体ブ
ロックの上記第２端面において上記第２内導体と上記外
導体とを接続させるためのパターン状接続導体が形成さ
れている。
ロックの上記第２端面において上記第２内導体と上記外
導体とを接続させるためのパターン状接続導体が形成さ
れている。
【００１１】本発明の一態様においては、上記第２端面
に対向する様に導電性シールドケースが配置されてい
る。
に対向する様に導電性シールドケースが配置されてい
る。
【００１２】本発明の一態様においては、上記第２端面
において上記両端の１／４波長同軸型誘電体共振器の少
なくとも一方とこれに隣接して配置された１／２波長同
軸型誘電体共振器との間にまで対応する上記入出力端子
が延びている。
において上記両端の１／４波長同軸型誘電体共振器の少
なくとも一方とこれに隣接して配置された１／２波長同
軸型誘電体共振器との間にまで対応する上記入出力端子
が延びている。
【００１３】本発明においては、上記１／２波長同軸型
誘電体共振器は上記１／４波長同軸型誘電体共振器の基
本共振周波数の略２倍の周波数に減衰極を形成すること
でその近傍の特定周波数帯域を阻止する。
誘電体共振器は上記１／４波長同軸型誘電体共振器の基
本共振周波数の略２倍の周波数に減衰極を形成すること
でその近傍の特定周波数帯域を阻止する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１５】図１は、本発明による誘電体フィルタの一
実施形態を示す分解斜視図であり、図２および図３はそ
れぞれその組立状態での断面図および正面図である。
実施形態を示す分解斜視図であり、図２および図３はそ
れぞれその組立状態での断面図および正面図である。
【００１６】これらの図において、５はチタン酸バリウ
ムなどの高誘電率の誘電体ブロックである。該誘電体ブ
ロックは、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向の角柱状外形をなしており、
柱方向（図ではＺ方向）の５つの円柱状貫通孔２Ａ，２
Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｒを有する。これらの貫通孔は、互
いに平行であり、Ｘ方向に１列に配列されている。誘電
体ブロック５のＸ−Ｚ面内およびＹ−Ｚ面内の側面には
外導体３が形成されており、上記貫通孔２Ａ，２Ｂ，２
Ｃ，２Ｄの内面には円筒状の内導体４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，
４Ｄが形成されており、上記誘電体ブロック５のＸ−Ｙ
面内の２つの端面のうちの一方には短絡導体３’が付さ
れており該短絡導体３’により内導体４Ａ〜４Ｄと外導
体３とが短絡されている［この端面を短絡端面とい
う］。誘電体ブロック５のＸ−Ｙ面内の２つの端面のう
ちの他方の端面すなわち内導体４Ａ〜４Ｄが外導体３と
短絡されていない端面［この端面を開放端面という］に
は、内導体４Ａ〜４Ｄとそれぞれ接続されたパターン状
結合導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが付されている。これ
らパターン状結合導体６Ａ〜６Ｄは、外導体３とは離隔
している。上記内導体、外導体、短絡導体および結合導
体は、いずれも銀などからなる膜である。
ムなどの高誘電率の誘電体ブロックである。該誘電体ブ
ロックは、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向の角柱状外形をなしており、
柱方向（図ではＺ方向）の５つの円柱状貫通孔２Ａ，２
Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｒを有する。これらの貫通孔は、互
いに平行であり、Ｘ方向に１列に配列されている。誘電
体ブロック５のＸ−Ｚ面内およびＹ−Ｚ面内の側面には
外導体３が形成されており、上記貫通孔２Ａ，２Ｂ，２
Ｃ，２Ｄの内面には円筒状の内導体４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，
４Ｄが形成されており、上記誘電体ブロック５のＸ−Ｙ
面内の２つの端面のうちの一方には短絡導体３’が付さ
れており該短絡導体３’により内導体４Ａ〜４Ｄと外導
体３とが短絡されている［この端面を短絡端面とい
う］。誘電体ブロック５のＸ−Ｙ面内の２つの端面のう
ちの他方の端面すなわち内導体４Ａ〜４Ｄが外導体３と
短絡されていない端面［この端面を開放端面という］に
は、内導体４Ａ〜４Ｄとそれぞれ接続されたパターン状
結合導体６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが付されている。これ
らパターン状結合導体６Ａ〜６Ｄは、外導体３とは離隔
している。上記内導体、外導体、短絡導体および結合導
体は、いずれも銀などからなる膜である。
【００１７】１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは１／４波長同軸
型誘電体共振器である。各１／４波長同軸型誘電体共振
器は内導体４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄと外導体３との間に
誘電体を介在させてなるものであり、該誘電体として共
通のブロック５が使用されており、外導体３が各共振器
に共通に使用されている。上記パターン状結合導体６Ａ
〜６Ｄは１／４波長同軸型誘電体共振器間の容量結合の
ためのものであり、パターンに応じて結合度を調節する
ことができる。
型誘電体共振器である。各１／４波長同軸型誘電体共振
器は内導体４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄと外導体３との間に
誘電体を介在させてなるものであり、該誘電体として共
通のブロック５が使用されており、外導体３が各共振器
に共通に使用されている。上記パターン状結合導体６Ａ
〜６Ｄは１／４波長同軸型誘電体共振器間の容量結合の
ためのものであり、パターンに応じて結合度を調節する
ことができる。
【００１８】誘電体ブロック５の開放端面には、結合導
体６Ａに隣接して入力端子７Ａが付されており、結合導
体６Ｄに隣接して出力端子７Ｄが付されている。これら
の入出力端子７Ａ，７Ｄは、外導体などと同様に銀など
からなる膜であり、側面にまで延出しており、外導体３
とは離隔している。
体６Ａに隣接して入力端子７Ａが付されており、結合導
体６Ｄに隣接して出力端子７Ｄが付されている。これら
の入出力端子７Ａ，７Ｄは、外導体などと同様に銀など
からなる膜であり、側面にまで延出しており、外導体３
とは離隔している。
【００１９】１Ｒは特定帯域阻止のための１／２波長同
軸型誘電体共振器である。該共振器１Ｒは、上記貫通孔
２Ｒの内面に円筒状の内導体４Ｒを形成し、該内導体と
上記共通外導体３との間に誘電体を介在させてなるもの
である。誘電体ブロック５の短絡端面において、内導体
４Ｒと外導体３とが短絡されている。誘電体ブロック５
の開放端面には、内導体４Ｒと外導体３とを接続するた
めのパターン状接続導体８が付されている。
軸型誘電体共振器である。該共振器１Ｒは、上記貫通孔
２Ｒの内面に円筒状の内導体４Ｒを形成し、該内導体と
上記共通外導体３との間に誘電体を介在させてなるもの
である。誘電体ブロック５の短絡端面において、内導体
４Ｒと外導体３とが短絡されている。誘電体ブロック５
の開放端面には、内導体４Ｒと外導体３とを接続するた
めのパターン状接続導体８が付されている。
【００２０】１０は電気的シールドのための導電性ケー
スである。該導電性シールドケース１０は、共振器１Ａ
〜１Ｄ，１Ｒの共通外導体３に接触して配置された主体
部１０ａと該主体部に付され誘電体ブロック５の開放端
面と適宜の距離隔てられて位置するフラップ部１０ｂと
からなる。
スである。該導電性シールドケース１０は、共振器１Ａ
〜１Ｄ，１Ｒの共通外導体３に接触して配置された主体
部１０ａと該主体部に付され誘電体ブロック５の開放端
面と適宜の距離隔てられて位置するフラップ部１０ｂと
からなる。
【００２１】図４は、本実施形態の誘電体フィルタの特
性の説明図である。
性の説明図である。
【００２２】図４において、Ａは本実施形態のフィルタ
の特性を示す。通過周波数帯域Ｗ1の近くにおける減衰
は良好であり、且つ略２倍の周波数帯域Ｗ2 において共
振のピークＰは存在せず減衰極Ｔが存在する。
の特性を示す。通過周波数帯域Ｗ1の近くにおける減衰
は良好であり、且つ略２倍の周波数帯域Ｗ2 において共
振のピークＰは存在せず減衰極Ｔが存在する。
【００２３】なお、図４には、比較のために、１／２波
長同軸型誘電体共振器１Ｒを形成しないことを除いて上
記本発明実施形態と同様にして作製した誘電体フィルタ
の特性Ｂも示されている。この特性Ｂは上記図９におけ
る特性Ｘと同等である。この特性Ｂにおいては、略２倍
の周波数帯域Ｗ2 において共振のピークＰが存在する。
長同軸型誘電体共振器１Ｒを形成しないことを除いて上
記本発明実施形態と同様にして作製した誘電体フィルタ
の特性Ｂも示されている。この特性Ｂは上記図９におけ
る特性Ｘと同等である。この特性Ｂにおいては、略２倍
の周波数帯域Ｗ2 において共振のピークＰが存在する。
【００２４】即ち、本実施形態においては、１／２波長
同軸型誘電体共振器１Ｒを付設したことにより、２倍高
調波のピークは周波数帯域Ｗ2 から外れた帯域へと移行
し、且つ周波数帯域Ｗ2 には減衰極Ｔが形成される。こ
れは、１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒの基本モード
が１／２波長共振であるため、周波数帯域Ｗ2 付近に共
振点が存在し、したがって、１／２波長同軸型誘電体共
振器１Ｒを１／４波長同軸型誘電体共振器１Ａ〜１Ｄと
容量的あるいは誘導的に結合させることで、フィルタ特
性において周波数帯域Ｗ2 付近に減衰極（トラップ）が
生じ、２倍高調波のピークは周波数帯域Ｗ2 の低域側へ
と移行する。
同軸型誘電体共振器１Ｒを付設したことにより、２倍高
調波のピークは周波数帯域Ｗ2 から外れた帯域へと移行
し、且つ周波数帯域Ｗ2 には減衰極Ｔが形成される。こ
れは、１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒの基本モード
が１／２波長共振であるため、周波数帯域Ｗ2 付近に共
振点が存在し、したがって、１／２波長同軸型誘電体共
振器１Ｒを１／４波長同軸型誘電体共振器１Ａ〜１Ｄと
容量的あるいは誘導的に結合させることで、フィルタ特
性において周波数帯域Ｗ2 付近に減衰極（トラップ）が
生じ、２倍高調波のピークは周波数帯域Ｗ2 の低域側へ
と移行する。
【００２５】図４の例においては、周波数帯域Ｗ2 での
スプリアス特性が２０ｄＢ以上向上している。
スプリアス特性が２０ｄＢ以上向上している。
【００２６】尚、１／４波長同軸型誘電体共振器１Ｄと
１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒとの距離を変化させ
たり、貫通孔２Ｒの断面形状を変化させたりすること
で、減衰極Ｔの深さを調節することができる。また、パ
ターン状接続導体８の幅や形状を変化させることによ
り、減衰極の位置を調節することができる。例えば、接
続導体８の幅を細くすると、開放端面から放射される電
磁波が多くなり、実効的に波長が長くなり、トラップは
低域側へと移行する。逆に、接続導体８の幅を太くする
と、トラップは高域側へと移行する。この様な形状およ
び寸法の調整を適宜行うことにより、所望の周波数及び
その近傍でのスプリアス特性を改善することができる。
１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒとの距離を変化させ
たり、貫通孔２Ｒの断面形状を変化させたりすること
で、減衰極Ｔの深さを調節することができる。また、パ
ターン状接続導体８の幅や形状を変化させることによ
り、減衰極の位置を調節することができる。例えば、接
続導体８の幅を細くすると、開放端面から放射される電
磁波が多くなり、実効的に波長が長くなり、トラップは
低域側へと移行する。逆に、接続導体８の幅を太くする
と、トラップは高域側へと移行する。この様な形状およ
び寸法の調整を適宜行うことにより、所望の周波数及び
その近傍でのスプリアス特性を改善することができる。
【００２７】図５は、上記本発明実施形態における１／
２波長同軸型誘電体共振器１Ｒの変形例を示す概略図で
ある。（ａ）〜（ｄ）では、パターン状接続導体８と外
導体３との接続位置やパターンの形状及び寸法を変化さ
せている。（ｅ）では、２つの貫通孔２Ｒ，２Ｒ’を設
けており、各貫通孔に関し接続導体８，８’が形成され
ている。（ｆ）では、貫通孔２Ｒの断面形状を円形では
なく長円形にしている。
２波長同軸型誘電体共振器１Ｒの変形例を示す概略図で
ある。（ａ）〜（ｄ）では、パターン状接続導体８と外
導体３との接続位置やパターンの形状及び寸法を変化さ
せている。（ｅ）では、２つの貫通孔２Ｒ，２Ｒ’を設
けており、各貫通孔に関し接続導体８，８’が形成され
ている。（ｆ）では、貫通孔２Ｒの断面形状を円形では
なく長円形にしている。
【００２８】図６は、本発明による誘電体フィルタの他
の実施形態を示す部分概略図である。本図において、上
記図１〜図５におけると同様の機能を有する部分には同
一の符号が付されている。本実施形態では、出力端子７
Ｄのパターンを延長させて、１／４波長同軸型誘電体共
振器１Ｄの結合導体６Ｄと１／２波長同軸型誘電体共振
器１Ｒとの間に介在させている。これにより、１／２波
長同軸型誘電体共振器１Ｒを出力端子７Ｄと結合させて
いる。
の実施形態を示す部分概略図である。本図において、上
記図１〜図５におけると同様の機能を有する部分には同
一の符号が付されている。本実施形態では、出力端子７
Ｄのパターンを延長させて、１／４波長同軸型誘電体共
振器１Ｄの結合導体６Ｄと１／２波長同軸型誘電体共振
器１Ｒとの間に介在させている。これにより、１／２波
長同軸型誘電体共振器１Ｒを出力端子７Ｄと結合させて
いる。
【００２９】図７は、本発明による誘電体フィルタの更
に他の実施形態を示す部分概略図である。本図におい
て、上記図１〜図６におけると同様の機能を有する部分
には同一の符号が付されている。本実施形態では、出力
側の１／４波長同軸型誘電体共振器１Ｄに隣接して第１
の１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒを形成するととも
に、入力側の１／４波長同軸型誘電体共振器１Ａに隣接
して同様な第２の１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒ”
を形成している。第２の１／２波長同軸型誘電体共振器
１Ｒ”において、２Ｒ”，４Ｒ”および８”は、それぞ
れ２Ｒ，４Ｒおよび８と同様な貫通孔、内導体および接
続導体を示す。
に他の実施形態を示す部分概略図である。本図におい
て、上記図１〜図６におけると同様の機能を有する部分
には同一の符号が付されている。本実施形態では、出力
側の１／４波長同軸型誘電体共振器１Ｄに隣接して第１
の１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒを形成するととも
に、入力側の１／４波長同軸型誘電体共振器１Ａに隣接
して同様な第２の１／２波長同軸型誘電体共振器１Ｒ”
を形成している。第２の１／２波長同軸型誘電体共振器
１Ｒ”において、２Ｒ”，４Ｒ”および８”は、それぞ
れ２Ｒ，４Ｒおよび８と同様な貫通孔、内導体および接
続導体を示す。
【００３０】図８は、本発明による誘電体フィルタの別
の実施形態を示す部分概略図である。（ａ）および
（ｂ）は、それぞれ部分平面図及び部分底面図を示す。
本図において、上記図１〜図７におけると同様の機能を
有する部分には同一の符号が付されている。本実施形態
では、誘電体ブロック５の短絡端面側において、１／２
波長同軸型誘電体共振器１Ｒの内導体４Ｒは外導体３及
び短絡導体３’とは非接続とされており、更に、誘電体
ブロック５の開放端面側においても、１／２波長同軸型
誘電体共振器１Ｒの内導体４Ｒは外導体３とは非接続と
されている。即ち、本実施形態は、上記図１〜７に記載
された実施形態が両端短絡型の１／２波長同軸型誘電体
共振器を用いているのに対し、両端開放型の１／２波長
同軸型誘電体共振器を用いている。
の実施形態を示す部分概略図である。（ａ）および
（ｂ）は、それぞれ部分平面図及び部分底面図を示す。
本図において、上記図１〜図７におけると同様の機能を
有する部分には同一の符号が付されている。本実施形態
では、誘電体ブロック５の短絡端面側において、１／２
波長同軸型誘電体共振器１Ｒの内導体４Ｒは外導体３及
び短絡導体３’とは非接続とされており、更に、誘電体
ブロック５の開放端面側においても、１／２波長同軸型
誘電体共振器１Ｒの内導体４Ｒは外導体３とは非接続と
されている。即ち、本実施形態は、上記図１〜７に記載
された実施形態が両端短絡型の１／２波長同軸型誘電体
共振器を用いているのに対し、両端開放型の１／２波長
同軸型誘電体共振器を用いている。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述した様に、本発明の誘電体フィ
ルタによれば、１つの誘電体ブロックに形成された１／
４波長同軸型誘電体共振器の配列の両端の１／４波長同
軸型誘電体共振器の少なくとも一方に隣接して、共通の
誘電体ブロックを用いて１／２波長同軸型誘電体共振器
を形成したことにより、通過周波数帯域の２倍の周波数
帯域に減衰極が形成され、この通過周波数帯域の２倍の
周波数帯域から外れた位置に２倍高調波のピークを移行
させることができ、かくして通過周波数帯域の近くでの
減衰を良好に維持しつつ、スプリアス特性を改善するこ
とができる。
ルタによれば、１つの誘電体ブロックに形成された１／
４波長同軸型誘電体共振器の配列の両端の１／４波長同
軸型誘電体共振器の少なくとも一方に隣接して、共通の
誘電体ブロックを用いて１／２波長同軸型誘電体共振器
を形成したことにより、通過周波数帯域の２倍の周波数
帯域に減衰極が形成され、この通過周波数帯域の２倍の
周波数帯域から外れた位置に２倍高調波のピークを移行
させることができ、かくして通過周波数帯域の近くでの
減衰を良好に維持しつつ、スプリアス特性を改善するこ
とができる。
【図１】本発明による誘電体フィルタの一実施形態を示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
【図２】図１の誘電体フィルタの組立状態での断面図で
ある。
ある。
【図３】図１の誘電体フィルタの組立状態での正面図で
ある。
ある。
【図４】図１の誘電体フィルタの特性の説明図である。
【図５】図１の誘電体フィルタのにおける１／２波長同
軸型誘電体共振器の変形例を示す概略図である。
軸型誘電体共振器の変形例を示す概略図である。
【図６】本発明による誘電体フィルタの他の実施形態を
示す部分概略図である。
示す部分概略図である。
【図７】本発明による誘電体フィルタの更に他の実施形
態を示す部分概略図である。
態を示す部分概略図である。
【図８】本発明による誘電体フィルタの別の実施形態を
示す部分概略図である。
示す部分概略図である。
【図９】従来の誘電体フィルタの特性の説明図である。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ １／４波長同軸型誘電体共
振器 １Ｒ，１Ｒ” １／２波長同軸型誘電体共振器 ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｒ，２Ｒ’，２Ｒ” 貫
通孔 ３ 外導体 ３’ 短絡導体 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｒ，４Ｒ’，４Ｒ” 内
導体 ５ 誘電体ブロック ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ 結合導体 ７Ａ 入力端子 ７Ｄ 出力端子 ８，８’，８” 接続導体 １０ 導電性シールドケース
振器 １Ｒ，１Ｒ” １／２波長同軸型誘電体共振器 ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｒ，２Ｒ’，２Ｒ” 貫
通孔 ３ 外導体 ３’ 短絡導体 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｒ，４Ｒ’，４Ｒ” 内
導体 ５ 誘電体ブロック ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ 結合導体 ７Ａ 入力端子 ７Ｄ 出力端子 ８，８’，８” 接続導体 １０ 導電性シールドケース
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体ブロックに複数個の第１貫通孔を
並列形成し、該第１貫通孔の内面に第１内導体を形成
し、上記誘電体ブロックの上記第１貫通孔と並行な表面
に外導体を形成し、上記誘電体ブロックの上記第１貫通
孔が開口せる２つの端面のうちの一方たる第１端面に上
記第１内導体と上記外導体とを短絡する短絡導体を形成
して１／４波長同軸型誘電体共振器の配列を形成し、該
配列の両端の１／４波長同軸型誘電体共振器と結合され
る入出力端子を形成してなる誘電体フィルタにおいて、 上記両端の１／４波長同軸型誘電体共振器の少なくとも
一方に隣接して、上記誘電体ブロックに上記第１貫通孔
と並列に第２貫通孔を形成し、該第２貫通孔の内面に第
２内導体を形成し、上記誘電体ブロックの第１端面側お
よび上記第１貫通孔が開口せる２つの端面のうちの他方
たる第２端面の側の双方において上記第２内導体と上記
外導体とを接続又は非接続となした１／２波長同軸型誘
電体共振器を形成してなる、ことを特徴とする、誘電体
フィルタ。 - 【請求項２】 上記誘電体ブロックの上記第２端面にお
いて上記第２内導体と上記外導体とを接続させるための
パターン状接続導体が形成されていることを特徴とす
る、請求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 上記第２端面に対向する様に導電性シー
ルドケースが配置されていることを特徴とする、請求項
１または２に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 上記第２端面において上記両端の１／４
波長同軸型誘電体共振器の少なくとも一方とこれに隣接
して配置された１／２波長同軸型誘電体共振器との間に
まで対応する上記入出力端子が延びていることを特徴と
する、請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体フィル
タ。 - 【請求項５】 上記１／２波長同軸型誘電体共振器は上
記１／４波長同軸型誘電体共振器の基本共振周波数の略
２倍の周波数に減衰極を形成することでその近傍の特定
周波数帯域を阻止するものであることを特徴とする、請
求項１〜４のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32869595A JPH09167902A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32869595A JPH09167902A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167902A true JPH09167902A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18213145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32869595A Pending JPH09167902A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167902A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6914499B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive cover for dielectric filter, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| JP2008211309A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
| JP2009033624A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
| JP2009124232A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32869595A patent/JPH09167902A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6914499B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive cover for dielectric filter, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus |
| JP2008211309A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
| JP2009033624A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
| JP2009124232A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Ube Ind Ltd | 誘電体共振部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040303 |