JPH0916921A - 磁気抵抗素子の試験装置及びその試験方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気抵抗素子の試験装置に関し、磁界発生系
から抵抗測定系へ誘導しようとする電圧に影響されるこ
となく、抵抗測定をすること、及び、試験の自動化を図
る。 【構成】 コイル電流印加部１１からの直流電流に基づ
いて磁界を発生するコイル部１２と、磁界雰囲気中に置
かれたＭＲ素子１０に電流を供給する測定電流印加部１
３と、ＭＲ素子１０の抵抗を測定する電圧測定部１４、
印加部１１の出力を調整して磁界の強さを変化させ、磁
界を変化させてから一定時間経過後に、電圧測定部１４
に対して抵抗測定を許可する制御部１５と、制御部１５
の許可後、このＭＲ素子１０の良否を判定する良否判定
部19Ａを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク用の磁気
ヘッドに使用する磁気抵抗素子の試験装置及びその試験
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の大容量化の要
求に伴い、単位長さ当たりの記録ビット数である線記録
密度を上げるために、単位長さ当たりの記録トラック本
数であるトラック密度の向上が図られている。トラック
密度を向上させるためには、磁気ヘッドの単位コア幅当
たりの再生出力を向上させる必要がある。そのため、再
生出力用の磁気ヘッドの数倍の出力が期待でき、ＭＲ
（Ｍagneto−Ｒesistive）膜よりも大きな抵抗変化を示
すＧＭＲ（Ｇiant Ｍagneto−Ｒesistive）ヘッドが有
望である。

【０００３】磁気ヘッドは、一軸磁気異方性を有する強
磁性薄膜に外部から磁界が印加されると、磁化回転によ
って電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（Ｍagneto−Ｒes
istive Ｅffect ）を利用するものである。そこで、こ
のような磁気ヘッドに使用する磁気抵抗素子の特性試験
を自動的かつ高精度に行うことができる試験装置が必要
となる。

【０００４】図17は従来例に係る磁気抵抗素子（以下Ｍ
Ｒ素子という）の試験装置の構成図を示している。図17
において、１は交流電流を出力する交流電流源、２は交
流電流を入力して交番磁界を発生するヘルムホルツコイ
ル、３はコイル２に流れる交流電流を検出するための電
流値検出用の抵抗、４は抵抗３に現れた電圧を測定し、
コイル２で発生された磁界Ｈの強さに比例する電圧Ｖｈ
を出力する電圧測定部、５はＭＲ素子１０に電流を供給
する定電流源、６はＭＲ素子１０の両端に現れる電圧を
測定して、ＭＲ素子１０の抵抗に比例した電圧ＶＲを出
力する電圧測定部、７は電圧Ｖｈ及びＶＲに基づいてＭ
Ｒ素子１０の磁界Ｈ対抵抗Ｒの特性を表示するオシロス
コープである。

【０００５】次に、ＭＲ素子１０の試験方法について説
明する。図17において、まず、交流電流源１からヘルム
ホルツコイル２に交流電流を出力して、ヘルムホルツコ
イル２に交番磁界を発生させる。この磁界内にＭＲ素子
１０をセットする。また、このコイル２に流れる交流電
流は抵抗３によって検出され、電圧測定部４は抵抗３に
現れた電圧を測定し、電圧Ｖｈをオシロスコープ７に出
力する。

【０００６】さらに、定電流源５からＭＲ素子１０に電
流（センス電流）が供給された状態で、電圧測定部６は
ＭＲ素子１０の両端に現れる電圧を測定して、電圧ＶＲ
をオシロスコープ７に出力する。これにより、オシロス
コープ７は電圧Ｖｈ及びＶＲに基づいてＭＲ素子１０の
磁界Ｈ対抵抗Ｒの波形を表示する。このとき、試験者は
オシロスコープ７の縦軸（Ｙ）をＭＲ素子１０の抵抗変
化とし、横軸（Ｘ）を磁界変化としたときに、この波形
が示す線型状態からＭＲ素子１０の良否判定を行ってい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヘルム
ホルツコイル２で発生された交番磁界（磁束φ）が、Ｍ
Ｒ素子１０の端子と電圧測定部６とを接続する配線に鎖
交して、起電力Ｖ＝−ｄφ／ｄｔを誘導する。このた
め、電圧測定部６がＭＲ素子１０の両端に現れた電圧
と、この起電力Ｖとを加算して測定してしまうので、Ｍ
Ｒ素子１０の抵抗に比例した正確な電圧ＶＲを電圧測定
部６からオシロスコープ７へ出力することができなくな
る。

【０００８】これにより、オシロスコープ７において、
ＭＲ素子１０の磁界Ｈ対抵抗Ｒの波形を正確に表示する
ことができないので、ＭＲ素子を精度良く試験すること
が困難となるという問題がある。なお、従来装置ではオ
シロスコープ７に直接，電圧ＶｈやＶＲを出力している
ので、ＭＲ素子１０の磁界Ｈ対抵抗Ｒのデータ保存がで
きず、数値化による品質管理を行うことが困難となる。
また、ＭＲ素子１０の良否判定が観測者に依存されるの
で、試験精度が低下する恐れがある。

【０００９】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、磁界発生系から抵抗測定系へ誘導
しようとする電圧に影響されることなく、抵抗測定をす
ること、及び、試験の自動化を図ることが可能となる磁
気抵抗素子の試験装置及びその試験方法の提供を目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗素子の
第１の試験装置は、その実施例を図１に示すように、直
流電源に基づいて磁界を発生する手段と、前記磁界中で
磁気抵抗素子の電気抵抗を測定する測定手段と、前記直
流電源の出力を調整し前記磁界の強さを変化させてから
一定時間経過後に、前記測定手段に対して抵抗測定を許
可する制御手段と、前記制御手段の許可後、前記磁気抵
抗素子の良否を判定する判定手段とを備えていることを
特徴とする。

【００１１】本発明の第２の試験装置は、図６に示すよ
うに前記測定手段によって得られた磁気抵抗素子の実測
値から、前記磁気抵抗素子の端子を短絡したときに得ら
れる測定系のオフセット値を差し引いて前記磁気抵抗素
子の抵抗測定値を補正する補正手段を設けていることを
特徴とする。本発明の第３の試験装置は、図８に示すよ
うに前記磁気抵抗素子に与えられた磁界変化に対する該
磁気抵抗素子の抵抗変化を示す磁気特性を求め、前記磁
気特性の良否を判定する判定手段を設けていることを特
徴とする。

【００１２】本発明の第４の試験装置は、図12に示すよ
うに前記磁界中で複数の磁気抵抗素子を載置する手段
と、前記載置手段に載置された磁気抵抗素子を各々選択
して前記測定手段に接続する手段とを設けていることを
特徴とする。本発明の第５の試験装置は、図14に示すよ
うに前記磁気抵抗素子を撮像する撮像手段と、前記撮像
手段から得られる個体識別情報を認識し、前記識別され
た磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の磁気特性と対応付け
る手段とを設けていることを特徴とする。

【００１３】本発明の第６の試験装置は、図16に示すよ
うに、前記磁界発生手段によって発生された磁界を検出
する磁気検出素子を設け、前記磁気検出素子の磁界検出
量に従って前記制御手段が磁界発生手段をフィードバッ
ク制御することを特徴とする。本発明の第１の試験方法
は、磁気抵抗素子に磁界を与え、前記磁界を変化させて
から一定時間経過後に、前記磁気抵抗素子の抵抗測定を
し、前記抵抗測定結果から前記磁気抵抗素子の良否を判
定することを特徴とする。

【００１４】本発明の第２の試験方法は、前記磁気抵抗
素子に磁界を与えて良否を判定する前に、予め、磁界を
与えずに前記磁気抵抗素子の電気抵抗を測定し、前記磁
気抵抗素子の測定抵抗値と前記磁気抵抗素子の試験仕分
け基準値とを比較することを特徴とする。本発明の第１
及び第２の試験方法において、前記磁気抵抗素子の良否
を判定は、磁界の強さが増加する方向に磁界を変化さ
せ、その後、該磁界の強さが減少する方向に磁界を変化
させたときに得られる磁気特性の直線性を評価すること
を特徴とし、上記目的を達成する。

【００１５】

【作 用】本発明の試験装置の動作を説明する。まず、
磁界発生手段は従来例のような交流による交番磁界では
なく、直流電源に基づいて単一の磁界を発生する。そし
て、制御手段は、直流電源の出力を調整し、この磁界が
変化してから一定時間経過後に、測定手段に対して抵抗
測定を許可している。この結果、測定手段は制御手段か
らの許可を受けてこの磁界雰囲気中に置かれた磁気抵抗
素子の抵抗を測定する。そして、判定手段は、制御手段
の許可後に、磁気抵抗素子の良否を判定する。

【００１６】このように本発明によれば、磁界を変化さ
せてから一定時間経過後に、磁気抵抗素子の抵抗測定が
許可されるので、磁界（磁束φ）が変化している期間，
すなわち、起電力Ｖ＝−ｄφ／ｄｔが生じるような間で
は抵抗測定が禁止され、この起電力Ｖの影響が無くなっ
たときに、磁気抵抗素子の抵抗が測定されるようにな
る。

【００１７】これにより、磁界を変化させたときの測定
誤差が実測値に含まれなくなるので、磁気抵抗素子の良
否を精度良く判定できる（第１の試験方法）。本発明の
第２の試験装置によれば、補正手段によって、磁気抵抗
素子の実測値から測定系のオフセット値が差し引かれ、
磁気抵抗素子の抵抗値が補正できるので、磁気抵抗素子
を高精度に良否判定できる。

【００１８】本発明の第３の試験装置によれば、磁気抵
抗素子に与えた磁界変化に対する該磁気抵抗素子の抵抗
変化の特性が判定手段によって求められ、磁気特性の直
線性が評価されるので、測定者に依存されることなく、
客観的な良否判定を行うことができる。本発明の第４の
試験装置によれば、磁界中の複数の磁気抵抗素子が接続
手段によって選択され、ここで選択された１つの磁気抵
抗素子が測定手段に接続されるので、磁界雰囲気中に載
置された複数の磁気抵抗素子を連続して試験を行うこと
ができる。

【００１９】本発明の第５の試験装置によれば、撮像手
段によって磁気抵抗素子が撮像され、この撮像手段から
得られた個体識別情報が対応付け手段によって認識さ
れ、ここで認識された磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子
の磁気特性とが対応付けられるので、磁気抵抗素子の試
験管理が自動化できる。本発明の第６の試験装置によれ
ば、磁界発生手段が発生した磁界は、磁気検出素子によ
って検出され、磁気検出素子によって検出された磁界量
に従って制御手段が磁界発生手段をリアルタイムにフィ
ードバック制御できるので、磁界発生手段に流れる電流
と磁界の関係を予め較正しなくても済むようになる。

【００２０】本発明の第２の試験方法では、磁気抵抗素
子に磁界を与えて良否を判定する前に、予め、磁界を与
えずにこの磁気抵抗素子の電気抵抗を測定し、この磁気
抵抗素子の測定抵抗値とこの磁気抵抗素子の試験仕分け
基準値とを比較しているので、試験仕分け基準値に満た
ない磁気抵抗素子は磁界を与えた抵抗測定を行わないよ
うにすることができ、試験時間の短縮化が図られる。

【００２１】本発明の第１及び第２の試験方法におい
て、磁界の強さを増加する方向に磁界変化させ、その
後、該磁界の強さを減少する方向に磁界を変化させたと
きに得られる磁気抵抗素子の磁気特性を評価しているの
で、磁気抵抗素子の直線性によって性能が判断できる。

【００２２】

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図１〜16は本発明の実施例に係る磁気
抵抗素子の試験装置及びその試験方法の説明図である。 （１）第１の実施例の説明 図１は、本発明の第１の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。図１において、１１は直流電
流を出力するコイル電流印加部であり、直流電源の一例
である。コイル電流印加部１１は予め較正された磁界−
電流対応テーブルに基づいて直流電流を出力するように
している。この磁界−電流対応テーブルを図４（Ａ）に
示している。本実施例では、２０〔Ｏｅ〕のピッチで±
100 〔Ｏｅ〕の磁界を発生させるために、200 〔ｍＡ〕
のピッチで±1000〔ｍＡ〕の電流を供給する。

【００２３】１２はコイル電流印加部１１からの直流電
流を入力して磁界を発生するコイル部であり、磁界発生
手段の一例である。コイル部１２には空芯のヘルムホル
ツコイルを使用する。１３は磁界雰囲気中に置かれたＭ
Ｒ素子１０に電流（センス電流）を印加する測定電流印
加部である。なお、ＭＲ素子１０については図２におい
て説明する。

【００２４】１４はＭＲ素子１０の抵抗を測定する電圧
測定部である。１５はＭＲ素子１０の良否を試験すると
きに、コイル電流印加部１１の出力を調整して磁界の強
さを変化させ、この磁界を変化させてから一定時間経過
後に、電圧測定部１４に対して抵抗測定を許可する制御
部であり、制御手段の一例である。なお、制御部１５は
図４（Ａ）に示すような磁界−電流対応テーブルに基づ
いてコイル電流印加部１１の出力を制御している。

【００２５】１６は制御部１５によって求められたＭＲ
素子１０の磁界対抵抗特性のデータを格納するデータ保
存部、１７はこの特性データに基づいてＭＲ素子１０の
磁界対抵抗特性を表示する表示部である。19Ａは磁界対
抵抗特性からＭＲ素子１０の良否を判定する良否判定部
である。ＭＲ素子１０は図２（Ａ）に示すようなＭＲヘ
ッド200 の再生ヘッド側に設けられている。図２（Ａ）
において、Ａは磁気ディスクの情報を読み取る再生ヘッ
ドであり、201 は基板であり、202 は基板上に形成され
た下部シールド膜であり、ＭＲ素子１０は下部シールド
膜202 上に形成されている。また、ＭＲ素子１０の両側
に引出し端子203 が設けられている。本実施例ではこの
端子203 に電流を供給し、両端に現れる電圧を測定す
る。なお、Ｂは磁気ディスクに情報を記録する記録ヘッ
ドであり、204 は上部ギャップ膜であり、ＭＲ素子１０
の上部に形成されている。205 はライトコイルであり、
ライトギャップ膜により絶縁されている。206 は上部コ
アである。

【００２６】また、ＭＲ素子１０は、その断面を図２
（Ｂ）に示すように、数ｎｍ程度の膜厚のＣｏＮｉＦｅ
膜10Ａと、Ｃｕ膜10Ｂと、ＣｏＮｉＦｅ膜10Ｃと、Ｆｅ
−Ｍｎ膜10Ｄとを順次積層した構造を有している。次
に、図３を参照しながら本実施例の試験装置の動作を説
明する。例えば、図２（Ａ）に示したようなＭＲヘッド
200 のＭＲ素子１０を試験する場合、図３において、ま
ず、ステップＰ１で測定電流印加部１３からＭＲ素子１
０へセンス電流を出力する。この電流は好ましくは直流
が良い。

【００２７】次いで、ＭＲ素子１０に与えるべき磁界の
強さを＋方向に変化させるために、まず、ステップＰ２
でコイル部１２で発生する磁界Ｈを最小値（ＭＩＮ：初
期磁界）にセットする。そして、ステップＰ３で制御部
１５は、磁界用の電流を通電するようにコイル電流印加
部１１の出力を調整する。ここで、コイル部１２で発生
した磁界の強さが変化する。

【００２８】次に、ステップＰ４でこの磁界が変化して
から一定時間待つ（ＷＡＩＴ）。本実施例では１０ｍｓ
程度の安定時間を設定している。そして、一定時間経過
後に、ステップＰ５で制御部１５からの抵抗測定の許可
を受けた電圧測定部１４が、この磁界雰囲気中に置かれ
たＭＲ素子１０の抵抗を測定する。そして、ステップＰ
６では制御部１５が初期磁界Ｈに磁界変化量を加算し、
ここで加算したデータ（Ｄ１）をデータ保存部１６に格
納する。その後、制御部１５はステップＰ７で磁界Ｈが
最大値（ＭＡＸ）になったか否かを判断する。ここで、
磁界Ｈが最大値になった場合（ＹES）には、ステップＰ
８に移行する。磁界Ｈが最大値になっていない場合（Ｎ
Ｏ）には、ステップＰ３に戻って磁界を変化させては、
一定時間経過後に、ＭＲ素子１０の抵抗を測定する処理
を繰り返す。これにより、磁界Ｈは階段状に増加して行
く。

【００２９】そして、ステップＰ７で磁界Ｈが最大値に
なった場合には、ＭＲ素子１０に与えるべき磁界の強さ
を−方向に変化させるために、ステップＰ８で制御部１
５は、磁界用の電流を減少するようにコイル電流印加部
１１の出力を調整する。コイル部１２で発生した磁界の
強さが減少の方向に転ずる。次に、ステップＰ９でこの
磁界が変化してから１０ｍｓだけ待つ（ＷＡＩＴ）。そ
して、一定時間経過後に、ステップＰ10で制御部１５か
らの抵抗測定の許可を受けた電圧測定部１４が、この磁
界雰囲気中に置かれたＭＲ素子１０の抵抗を測定する。

【００３０】そして、ステップＰ11では制御部１５が最
大磁界Ｈから磁界変化量を減算し、この減算したデータ
をデータ保存部１６に格納する。その後、制御部１５は
ステップＰ12で磁界Ｈが最小値になったか否かを判断す
る。ここで、磁界Ｈが最小値になった場合（ＹES）に
は、ステップＰ13に移行する。磁界Ｈが最小値になって
いない場合（ＮＯ）には、ステップＰ８に戻って磁界を
変化させては、一定時間経過後に、ＭＲ素子１０の抵抗
を測定する処理を繰り返す。これにより、磁界Ｈの最小
値→最大値→最小値へと、１周期分の測定データが収集
できる。

【００３１】そして、ステップＰ12で磁界Ｈが最小値に
なった場合には、ステップＰ13でＭＲ素子１０に供給し
ていたセンス電流をオフする。なお、複数回の周期デー
タを収集し、その平均値や最大変化値を算出すること
で、試験精度が向上する。その後、ステップＰ14で測定
結果を表示部１７は表示する。例えば、表示部１７は図
４（Ｂ）に示すようなＭＲ素子１０の磁界対抵抗特性
（磁気特性）を表示する。表示部１７は制御部１５から
の表示データ（Ｄ２）に基づいて磁気特性を表示する。
図４（Ｂ）において、縦軸はＭＲ素子１０の抵抗Ｒ
〔Ω〕であり、横軸は磁界Ｈ〔Ｏｅ〕であり、最小値Ｍ
ＩＮ→０→最大値ＭＡＸを示している。実線はＭＲ素子
１０のＲ−Ｈ特性を示している。特性は、直線性の良い
ものほど良好である。

【００３２】そして、ステップＰ15で良否判定部19Ａは
ＭＲ素子１０の良否判定をする。通常のＭＲ素子では磁
界の変化と、ほぼ比例した状態で抵抗変化を起こす。こ
の抵抗変化が基準値以内であるか否かを求めることによ
り素子の良否判定を行う。例えば、最大磁界における抵
抗値（最大抵抗値）を求め、次に、最小磁界における抵
抗値（最小抵抗値）を求める。このとき、抵抗変化量
（最大抵抗値）−（最小抵抗値）が、抵抗変化基準最小
値＜抵抗変化量＜抵抗変化基準最大値でないとき、その
素子を不良とする。

【００３３】また、良否判定部19Ａは図５（Ａ）〜
（Ｃ）に示すようなＭＲ素子１０のＲ−Ｈ特性を有する
ものは不良として判断する。図５（Ａ）はこのＲ−Ｈ特
性が直線にならずに途中で折れ曲がっており、直線性の
悪い例を示している。図５（Ｂ）はＲ−Ｈ特性が楕円状
になっており、直線性の悪い例を示している。図５
（Ｃ）はＲ−Ｈ特性が途中でクロスしており、直線性の
悪い例を示している。このようなＭＲ素子１０が再生ヘ
ッドとして使用されると、均一な情報の読取りができな
い。

【００３４】このようにして、本発明の第１の実施例に
係るＭＲ素子の試験装置によれば、コイル電流印加部１
１は磁界Ｈを段階的に変化させ、この磁界Ｈが変化され
てから１０ｍｓ経過後に、制御部１５は電圧測定部１４
に対してＭＲ素子１０の抵抗測定を許可しているので、
磁界（磁束φ）が変化している期間，すなわち、起電力
Ｖ＝−ｄφ／ｄｔが生じるような間では抵抗測定が禁止
され、この起電力Ｖの影響が無くなったときに、ＭＲ素
子１０の抵抗が測定できる。従って、磁界変化中の測定
誤差が実測値に含まれなくなり、精度良くＭＲ素子１０
の良否が判定できる。

【００３５】例えば、図５（Ａ）に示したような不良を
検出するためには、磁界を０から＋方向に変化させたと
きの抵抗変化量と、磁界Ｈを０から−方向に変化させた
ときの抵抗変化量との差を求めることで、ＭＲ素子１０
の良否が判定できる。その時の計算式は、 ｜（最大抵抗値−磁界０時の抵抗値）−（磁界０時の抵
抗値−最小抵抗値）｜ となる。この計算値が０に近いほど素子性能は良好であ
り、基準値を越えた場合を不良とする。

【００３６】また、図５（Ｂ）に示したような不良を検
出するためには、磁界Ｈを−方向から＋方向に変化させ
たときと、磁界Ｈを＋方向から−方向に変化させたとき
の波形を比較する方法である。この方法では、まず、磁
界を−方向から＋方向に変化させたときの磁界０の抵抗
値（Ｒ０＋）を求め、次に、磁界を＋方向から−方向に
変化させたときの磁界０の抵抗値（Ｒ０−）を求める。
そして、 ｜（Ｒ０＋）−（Ｒ０−）｜ が０に近いほど素子性能は良好となり、基準値を越えた
場合を不良とする。

【００３７】さらに、図５（Ｃ）に示したような不良を
検出するためには、Ｒ−Ｈ特性（グラフ）の直線性を求
めることで、ＭＲ素子１０の良否を判定する。この判定
方法については、図10, 11を参照しながら、第３の実施
例において詳述する。 （２）第２の実施例の説明 図６は、本発明の第２の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。第２の実施例では第１の実施
例に対してＭＲ素子１０の抵抗値を補正するためのデー
タ補正部１８が設けられるものである。

【００３８】本発明の第２の試験装置は、図６に示すよ
うにコイル電流印加部１１、コイル部１２、測定電流印
加部１３、電圧測定部１４、制御部１５、データ保存部
１６、表示部１７、データ補正部１８及び良否判定部19
Ａから成る。なお、第１の実施例と同じ記号及び同じ名
称のものは、同じ機能を有するため、その説明を省略す
る。

【００３９】データ補正部１８は補正手段を構成するも
のであり、電圧測定部１４によって得られたＭＲ素子１
０の実測値から、ＭＲ素子１０の端子を短絡したときに
得られる測定系のオフセット値を差し引いてＭＲ素子１
０の抵抗値を補正する。図７（Ａ）はデータ補正部１８
が取得する補正データの内容図である。この補正データ
（Ｄ３）は次のように取得する。図６において、予め、
被試験対象となるＭＲ素子１０の代わりに銅板等の導体
でＭＲ素子１０の端子（接続部）を短絡する。次に、実
際のＲ−Ｈ特性を得るための抵抗測定のときと同様に、
同一の周期で磁界Ｈを２０〔Ｏｅ〕のピッチで±100
〔Ｏｅ〕まで変化させ、この磁界変化により発生した電
圧を電圧測定部１４で測定し、この測定結果を補正デー
タＤ３としてデータ保存部１６に格納して置く。この補
正データはコイル部１２や配線等の測定系のオフセット
値に等しくなる。本実施例では、磁界Ｈを２０〔Ｏｅ〕
のピッチで±100 〔Ｏｅ〕まで変化させたときに、50,
40, 30, 20, 10, ０ 10, 20, 30, 40, 50 〔ｍＶ〕の補
正データが得られた。

【００４０】そして、実際の抵抗測定では図７（Ｂ）に
示すように磁界を−100 〔Ｏｅ〕〜０〜＋100 〔Ｏｅ〕
の範囲で変化させたときに、実測値として150, 190, 23
0, 270, 310, 350, 410, 470, 530, 590, 650 〔ｍＶ〕
が得られたものとすれば、補正後の測定データは、各々
の実測値から補正データを差し引くことによって、100,
150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500, 550, 600
〔ｍＶ〕となる。

【００４１】このように本発明の第２の実施例に係るＭ
Ｒヘッド試験装置では、データ補正部１８によって、Ｍ
Ｒ素子１０の実測値150, 190, 230, 270, 310, 350, 41
0, 470, 530, 590, 650 〔ｍＶ〕から測定系のオフセッ
ト値50, 40, 30, 20, 10, ０10, 20, 30, 40, 50 〔ｍ
Ｖ〕が差し引かれ、ＭＲ素子１０の測定データが補正で
きるので、コイル部１２や配線等の測定系のオフセット
値を取り除いた高信頼度のＲ−Ｈ特性が得られる。ま
た、高い精度のＲ−Ｈ特性が得られるのでＭＲ素子１０
の良否判定精度が向上し、高信頼度の試験装置が提供で
きる。

【００４２】（３）第３の実施例の説明 図８は、本発明の第３の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。第３の実施例では第１の実施
例の良否判定部19Ａに対して機能向上を図った良否判定
部19Ｂが設けられている。また、第３の実施例ではＭＲ
素子１０に磁界Ｈを与えて良否を判定する前に、予め、
磁界Ｈを与えずにＭＲ素子１０の電気抵抗を測定し、こ
のＭＲ素子１０の測定抵抗値とこのＭＲ素子１０の試験
仕分け基準値とを比較するものである（第２の試験方
法）。

【００４３】本発明の第３の試験装置は、図８に示すよ
うにコイル電流印加部１１、コイル部１２、測定電流印
加部１３、電圧測定部１４、制御部１５、データ保存部
１６、表示部１７及び良否判定部19Ｂから成る。なお、
第１，２の実施例と同じ記号及び同じ名称のものは、同
じ機能を有するため、その説明を省略する。良否判定部
19Ｂは他の判定手段を構成するものであり、ＭＲ素子１
０に与えた磁界変化に対する該ＭＲ素子１０の抵抗変化
を示す磁界対抵抗特性を求め、磁界対抵抗特性の直線性
を評価する。良否判定部19ＢはＭＲ素子１０の事前チェ
ックを行うために、磁界Ｈを与えずに電流測定部１４が
ＭＲ素子１０の抵抗測定をすると、良否判定部19ＢはＭ
Ｒ素子１０の抵抗の測定結果値とＭＲ素子１０の試験仕
分け基準値を比較する。良否判定部19Ｂの制御フローチ
ャートは図10, 11に示されている。

【００４４】次に、図９〜11を参照しながら本実施例の
試験装置の動作を説明する。図９において、まず、ステ
ップＰ１で測定電流印加部１３からＭＲ素子１０へセン
ス電流を出力する。次に、ＭＲ素子１０の事前チェック
を行うために、ステップＰ２では磁界Ｈを与えずに電流
測定部１４がＭＲ素子１０の抵抗測定をする。そして、
ステップＰ３で良否判定部19ＡはＭＲ素子１０の抵抗の
測定結果値とＭＲ素子１０の試験仕分け基準値を比較す
る。この際に、この測定結果値が試験仕分け基準値に満
たない場合（ＮＯ）には、ステップＰ15に移行する。測
定結果値が試験仕分け基準値を満たしている場合（ＹE
S）には、ステップＰ４に移行する。この比較によっ
て、抵抗値が基準範囲外にあるものが除かれる。

【００４５】ステップＰ４では、第１の実施例と同様に
ＭＲ素子１０に与えるべき磁界の強さを＋方向に変化さ
せる（往路）ために、磁界Ｈを最小値（ＭＩＮ）にセッ
トし、ステップＰ５で制御部１５は、磁界用の電流を増
加するようにコイル電流印加部１１の出力を調整する。
次に、ステップＰ６でこの磁界が変化してから第１の実
施例と同様に１０ｍｓだけ待ち、そして、一定時間経過
後に、ステップＰ７で制御部１５からの抵抗測定の許可
を受けた電圧測定部１４が、この磁界雰囲気中に置かれ
たＭＲ素子１０の抵抗を測定する。

【００４６】そして、ステップＰ８では制御部１５が初
期磁界Ｈに磁界変化量を加算し、ここで加算したデータ
（Ｄ１）をデータ保存部１６に格納する。その後、制御
部１５はステップＰ９で磁界Ｈが最大値（ＭＡＸ）にな
ったか否かを判断する。ここで、磁界Ｈが最大値になっ
た場合（ＹES）には、ステップＰ10に移行する。磁界Ｈ
が最大値になっていない場合（ＮＯ）には、ステップＰ
５に戻って磁界を変化させては、一定時間経過後に、Ｍ
Ｒ素子１０の抵抗を測定する処理を繰り返す。これによ
り、第１の実施例と同様に磁界Ｈは階段状に増加して行
く。

【００４７】そして、ステップＰ11で磁界Ｈが最大値に
なった場合には、ＭＲ素子１０に与えるべき磁界の強さ
を−方向に変化させる（復路）ために、ステップＰ10で
制御部１５は、磁界用の電流を減少するようにコイル電
流印加部１１の出力を調整する。コイル部１２で発生し
た磁界の強さが減少の方向に転ずる。次に、ステップＰ
11でこの磁界が変化してから１０ｍｓだけ待つ（ＷＡＩ
Ｔ）。そして、一定時間経過後に、ステップＰ12で制御
部１５からの抵抗測定の許可を受けた電圧測定部１４
が、この磁界雰囲気中に置かれたＭＲ素子１０の抵抗を
測定する。

【００４８】そして、ステップＰ13では制御部１５が最
大磁界Ｈから磁界変化量を減算し、この減算したデータ
をデータ保存部１６に格納する。その後、制御部１５は
ステップＰ14で磁界Ｈが最小値になったか否かを判断す
る。ここで、磁界Ｈが最小値になった場合（ＹES）に
は、ステップＰ15に移行する。磁界Ｈが最小値になって
いない場合（ＮＯ）には、ステップＰ10に戻って磁界を
変化させては、一定時間経過後に、ＭＲ素子１０の抵抗
を測定する処理を繰り返す。

【００４９】そして、ステップＰ14で磁界Ｈが最小値に
なった場合には、ステップＰ15でＭＲ素子１０に供給し
ていたセンス電流をオフする。その後、ステップＰ16で
測定結果を表示部１７は表示する。そして、ステップＰ
17で良否判定部19ＢはＭＲ素子１０の良否判定をする。
例えば、良否判定部19Ｂは図10の良否判定フローチャー
ト（サブルーチン）に移行して、まず、ステップＰ71で
データ保存部１６から磁界Ｈが最小値（ＭＩＮ）となる
データを読出す。次に、ステップＰ72で良否判定値とし
てαを設定する。そして、良否判定部19ＢはステップＰ
73で磁界Ｈのときの抵抗値をＡと置き、ステップＰ74で
は磁界Ｈを増加したときの抵抗値をＢと置く。そして、
良否判定部19ＢはステップＰ75で磁界Ｈを２倍にしたと
きの抵抗値をＣと置く。

【００５０】その後、良否判定部19ＢはステップＰ76で
（Ｂ−Ａ）−α＜（Ｃ−Ｂ）＜（Ｂ−Ａ）＋αを満たす
か否かを判定する。ここで、（Ｂ−Ａ）−αは抵抗変化
基準最小値であり、（Ｃ−Ｂ）は抵抗変化量であり、
（Ｂ−Ａ）＋αは抵抗変化基準最大値をそれぞれ示して
いる。なお、（Ｂ−Ａ）−α＜（Ｃ−Ｂ）＜（Ｂ−Ａ）
＋αを満たさない場合（ＮＯ）には、ステップＰ79に移
行して不良とする。

【００５１】また、（Ｂ−Ａ）−α＜（Ｃ−Ｂ）＜（Ｂ
−Ａ）＋αを満たす場合（ＹES）には、ステップＰ77に
移行して磁界Ｈを２倍に変化した値が最大値（ＭＡＸ）
になったか否かを判断する。これが最大値になった場合
（ＹES）にはステップＰ711に移行する。これが最大値
にならない場合（ＮＯ）には、ステップＰ73に戻って磁
界の強さを＋方向に変化させたとき（往路時）の判定を
続ける。この結果、往路時の抵抗値の判定を終えると、
ステップＰ711 に移行して、良否判定部19Ｂは復路時の
データを読み出して、磁界Ｈのときの抵抗値をＡと置
き、ステップＰ712 では磁界Ｈを減少したときの抵抗値
をＢと置く。そして、良否判定部19ＢはステップＰ713
で磁界Ｈを２倍減少したときの抵抗値をＣと置く。

【００５２】その後、良否判定部19ＢはステップＰ714
で（Ａ−Ｂ）−α＜（Ｂ−Ｃ）＜（Ａ−Ｂ）＋αを満た
すか否かを判定する。ここで、（Ａ−Ｂ）−αは復路時
の抵抗変化基準最小値であり、（Ｂ−Ｃ）は復路時の抵
抗変化量であり、（Ａ−Ｂ）＋αは復路時の抵抗変化基
準最大値をそれぞれ示している。なお、（Ａ−Ｂ）−α
＜（Ｂ−Ｃ）＜（Ａ−Ｂ）＋αを満たさない場合（Ｎ
Ｏ）には、ステップＰ79に移行して不良とする。

【００５３】また、（Ａ−Ｂ）−α＜（Ｂ−Ｃ）＜（Ａ
−Ｂ）＋αを満たす場合（ＹES）には、ステップＰ715
に移行して磁界Ｈを２倍変化させた値が最小値（ＭＩ
Ｎ）になったか否かを判断する。これが最小値になって
復路時の判定を全てパスした場合（ＹES）にはステップ
Ｐ717 に移行して良品とする。これが最小値にならずに
復路時の判定をすべてパスしていない場合（ＮＯ）に
は、ステップＰ716 に移行して磁界の強さを−方向に変
化させたとき（復路時）の判定を続ける。その後、図９
のフローチャート（メインルーチン）に復帰する。

【００５４】このようにして、本発明の第３の実施例に
係るＭＲヘッド試験装置によれば、ＭＲ素子１０の試験
に先立ち、予め、測定電流印加部１３及び電流測定部１
４によってステップＰ２，Ｐ３でＭＲ素子１０に磁界を
与えずに抵抗測定をし、このときの測定結果値とＭＲ素
子１０の試験仕分け基準値を良否判定部19Ｂが比較して
いるので、試験仕分け基準値に満たないＭＲ素子１０は
磁界Ｈを与えた抵抗測定を行わないようにすることがで
き、事前チェックでパスしたＭＲ素子１０のみを試験す
れば良くなり、全体の試験時間の短縮化が図られる。

【００５５】また、良否判定部19ＢによってステップＰ
71〜Ｐ717 でＭＲ素子１０に与えた磁界変化に対する該
ＭＲ素子１０の抵抗変化の特性が求められ、磁界対抵抗
特性の直線性が評価されるので、観測者に依存されるこ
となく、客観的に良否判定が行えるようになる。この他
にも、ＭＲ素子１０の良否を判定する方法として、磁界
Ｈの最小値と最大値等の２箇所の測定抵抗値から平均増
加量を求め、これを実測値と比較しても良い。また、２
箇所の測定抵抗値から直線の方程式（ｙ＝ａｘ＋ｂ）を
算出し他の測定点がその方程式に当てはまるかを求め
て、直線性を評価しても良い。

【００５６】（４）第４の実施例の説明 図12は、本発明の第４の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。第４の実施例では第１の実施
例と異なり、同一の磁界雰囲気内に複数のＭＲ素子１０
をセットして順次試験を行うものである。本発明の第４
の試験装置は、図12に示すようにコイル電流印加部１
１、コイル部１２、測定電流印加部１３、電圧測定部１
４、制御部１５、データ保存部１６、表示部１７、良否
判定部19Ｂ、接続部２０及び端子切り換え部２１から成
る。なお、第１〜３の実施例と同じ記号及び同じ名称の
ものは、同じ機能を有するため、その説明を省略する。

【００５７】接続部２０はコイル部１２によって発生さ
れた磁界中で、例えば、３つのＭＲ素子１０を載置する
手段であり、ＭＲ素子１０の端子と端子切り換え部２１
とを接続する。端子切り換え部２１は接続部２０に載置
された３つのＭＲ素子１０の各々の端子を選択して測定
電流印加部１３及び電圧測定部１４に接続するものであ
り、接続手段の一例である。端子切り換え部２１は制御
部１５からの切り換え制御信号によって出力制御する。

【００５８】次に、図13を参照しながら本実施例の試験
装置の動作を説明する。例えば、３つのＭＲ素子１０を
接続部２０にセットした状態で、図13において、まず、
ステップＰ１で端子切り換え部２１は第１番目のＭＲ素
子１０を選択して測定電流印加部１３及び電圧測定部１
４に接続する。そして、ステップＰ２でＭＲ素子１０に
与えるべき磁界の強さを＋方向に変化させる（往路）た
めに、磁界Ｈを最小値（ＭＩＮ）にセットし、ステップ
Ｐ３で測定電流印加部１３から第１番目のＭＲ素子１０
へセンス電流を出力する。次に、ステップＰ４では、制
御部１５は、磁界用の電流を増加するようにコイル電流
印加部１１の出力を調整する。次に、ステップＰ５でこ
の磁界が変化してから第１の実施例と同様に１０ｍｓだ
け待ち、そして、一定時間経過後に、ステップＰ６で制
御部１５からの抵抗測定の許可を受けた電圧測定部１４
が、この磁界雰囲気中に置かれた第１番目のＭＲ素子１
０の抵抗を測定する。

【００５９】そして、ステップＰ７では制御部１５が初
期磁界Ｈに磁界変化量を加算し、ここで加算したデータ
をデータ保存部１６に格納する。その後、制御部１５は
ステップＰ８で磁界Ｈが最大値（ＭＡＸ）になったか否
かを判断する。ここで、磁界Ｈが最大値になった場合
（ＹES）には、ステップＰ９に移行する。磁界Ｈが最大
値になっていない場合（ＮＯ）には、ステップＰ４に戻
って磁界を変化させては、一定時間経過後に、ＭＲ素子
１０の抵抗を測定する処理を繰り返す。これにより、磁
界Ｈは第１の実施例と同様に階段状に増加して行く。

【００６０】そして、ステップＰ８で磁界Ｈが最大値に
なった場合には、ＭＲ素子１０に与えるべき磁界の強さ
を−方向に変化させる（復路）ために、ステップＰ９で
制御部１５は、磁界用の電流を減少するようにコイル電
流印加部１１の出力を調整する。コイル部１２で発生し
た磁界の強さは減少の方向に転ずる。次に、ステップＰ
10でこの磁界が変化してから１０ｍｓだけ待つ（ＷＡＩ
Ｔ）。そして、一定時間経過後に、ステップＰ11で制御
部１５からの抵抗測定の許可を受けた電圧測定部１４
が、この磁界雰囲気中に置かれた第１番目のＭＲ素子１
０の抵抗を測定する。

【００６１】そして、ステップＰ12では制御部１５が最
大磁界Ｈから磁界変化量を減算し、この減算したデータ
をデータ保存部１６に格納する。その後、制御部１５は
ステップＰ13で磁界Ｈが最小値になったか否かを判断す
る。ここで、磁界Ｈが最小値になった場合（ＹES）に
は、ステップＰ14に移行する。磁界Ｈが最小値になって
いない場合（ＮＯ）には、ステップＰ９に戻って磁界を
変化させては、一定時間経過後に、第１番目のＭＲ素子
１０の抵抗を測定する処理を繰り返す。

【００６２】そして、ステップＰ13で磁界Ｈが最小値に
なった場合には、ステップＰ14で第１番目のＭＲ素子１
０に供給していたセンス電流をオフする。その後、ステ
ップＰ15で測定結果をデータ保存部１６にファイリング
したり、表示部１７でＲ−Ｈ特性を表示する。そして、
ステップＰ16で制御部１５はＭＲ素子１０の素子番号が
最大（ＭＡＸ）になったか否かを判断する。ＭＲ素子１
０を全部測定した場合（ＹES）には、測定を終了し、Ｍ
Ｒ素子１０を全部測定していない場合（ＮＯ）には、ス
テップＰ17に移行して素子番号をインクリメントする。

【００６３】そして、ステップＰ18では端子切り換え部
２１は第２番目のＭＲ素子１０を選択して測定電流印加
部１３及び電圧測定部１４に接続する。そして、ステッ
プＰ２で第２番目のＭＲ素子１０に与えるべき磁界の強
さを＋方向に変化させる（往路）ために、磁界Ｈを最小
値（ＭＩＮ）にセットし、ステップＰ３で測定電流印加
部１３から第２番目のＭＲ素子１０へセンス電流を出力
する。これ以降、ＭＲ素子１０を全部測定するまで、ス
テップＰ４〜Ｐ15を繰り返す。これにより、３つのＭＲ
素子１０を順次切り換えて試験ができる。

【００６４】このように第３の実施例に係るＭＲヘッド
試験装置によれば、コイル部１２下の接続部２０に載置
された３つのＭＲ素子１０が端子切り換え部２１によっ
て選択され、ここで選択された１つのＭＲ素子１０の端
子が測定電流印加部１３及び電圧測定部１４に接続され
るので、磁界雰囲気中にセットされた３つのＭＲ素子１
０を連続して試験ができる。したがって、複数のＭＲ素
子１０の一括試験が可能となるので、ＭＲ素子の試験効
率が向上する。なお、複数のＭＲ素子１０と試験結果を
一致させることが煩雑となるときには、次の実施例のよ
うな構成を採ると良い。

【００６５】（５）第５の実施例の説明 図14は、本発明の第５の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。第５の実施例では第１の実施
例と異なり、各ＭＲ素子１０に印字された素子番号（個
体識別情報）を認識して試験を行うものである。本発明
の第５の試験装置は、図14に示すようにコイル電流印加
部１１、コイル部１２、測定電流印加部１３、電圧測定
部１４、制御部１５、データ保存部１６、表示部１７、
良否判定部19Ｂ、接続部２０、端子切り換え部２１、Ｃ
ＣＤカメラ２２、文字認識部２３及びデータ編集部２４
から成る。なお、第１〜４の実施例と同じ記号及び同じ
名称のものは、同じ機能を有するため、その説明を省略
する。

【００６６】ＣＣＤカメラ２２は各ＭＲ素子１０に印字
された素子番号を撮像し、画像信号を出力するものであ
り、撮像手段の一例である。文字認識部２３及びデータ
編集部２４は対応付ける手段を構成するものである。文
字認識部２３は画像信号を入力してＭＲ素子１０の素子
番号を認識して識別信号を出力する。データ編集部２４
は識別信号を入力してＭＲ素子１０と、このＭＲ素子１
０の磁界対抵抗特性と対応付けている。

【００６７】次に、図15を参照しながら本実施例の試験
装置の動作を説明する。例えば、３つのＭＲ素子１０を
接続部２０にセットした状態で、図15において、まず、
ステップＰ１でＣＣＤカメラ２２は第１番目のＭＲ素子
１０の素子番号を撮像する。そして、画像信号を文字認
識部２３に出力し、文字認識部２３は第１番目に試験さ
れるＭＲ素子１０を認識する。ここで、文字認識部２３
は識別信号を制御部１５に出力する。すると、制御部１
５は端子切り換え部２１に切り換え信号を出力する。そ
して、端子切り換え部２１は第４の実施例と同様に、第
１番目のＭＲ素子１０と測定電流印加部１３及び電圧測
定部１４に接続する。

【００６８】これ以後のステップＰ２〜Ｐ14の制御内容
は第４の実施例と同様であるので、その説明を省略す
る。そして、ステップＰ15では測定結果をＭＲ素子１０
の番号毎にデータ保存部１６にファイリングする。この
とき、データ編集部２４は識別信号を入力してＭＲ素子
１０と、このＭＲ素子１０の磁界対抵抗特性と対応付け
てデータ保存部１６にファイリングする。

【００６９】また、ステップＰ16で制御部１５は文字認
識部２３からの認識信号に基づいて試験素子が有るか否
かを判断する。試験素子がある場合（ＹES）には、第４
の実施例と同様に端子切り換え部２１によって、他のＭ
Ｒ素子１０を選択して測定電流印加部１３及び電圧測定
部１４に接続する。そして、ステップＰ16で他の試験素
子が無い場合（ＮＯ）には、試験処理を終了する。これ
により、複数のＭＲ素子１０の番号を認識しながら、Ｍ
Ｒ素子１０を順次切り換えて試験ができる。

【００７０】このように本発明の第５の実施例に係るＭ
Ｒヘッド試験装置では、ＣＣＤカメラ２２によってＭＲ
素子１０が撮像され、このＣＣＤカメラ２２から文字認
識部２３に転送された画像信号からＭＲ素子１０の番号
が認識され、ここで認識されたＭＲ素子１０と、このＭ
Ｒ素子１０の磁界対抵抗特性とがデータ編集部２４で対
応付けられるので、複数のＭＲ素子１０を取り扱う場合
でも、人手に頼ることなく、ＭＲ素子１０の試験管理が
自動化できる。従って、編集機能付きの自動試験装置が
提供できる。

【００７１】（６）第６の実施例の説明 図16は、本発明の第６の実施例に係るＭＲヘッド試験装
置の構成図を示している。第６の実施例では第１の実施
例と異なり、磁界検出用に磁気検出素子が設けられてい
る。また、本発明の第６の試験装置はＭＲヘッド200 の
記録ヘッドの試験を行うものである。

【００７２】図16において、３１は直流電流を出力する
磁界発生用電流源、３２は磁界発生用電流源３１からの
直流電流を入力して磁界を発生する磁界発生コイル、３
３は磁界雰囲気中に置かれたＭＲヘッド200 の再生ヘッ
ドに電流（センス電流）を印加する抵抗測定用電流源、
３４はＭＲヘッド200 の再生ヘッドの抵抗を測定する電
圧測定部である。

【００７３】３５は再生ヘッドの良否を試験するとき
に、磁界発生用電流源３１の出力をフィードバック制御
して磁界の強さを変化させ、この磁界変化が安定した後
に、電圧測定部３４に対して抵抗測定を許可する制御部
である。３６は制御部３５によって求められたＭＲヘッ
ド200 の再生ヘッドの磁界対抵抗特性のデータを格納す
るデータ保存部、３７はこの特性データに基づいて再生
ヘッドの磁界対抵抗特性を表示する表示部、３８は磁界
発生コイル３２によって発生された磁界Ｈを検出した
り、記録ヘッドで発生された磁界を検出する磁気検出素
子（ホール素子）、３９は磁気検出素子３８の検出信号
を入力して磁界を検出する磁界検出回路、４０はＭＲヘ
ッド200 の記録ヘッドに電流を供給するライトコイル印
加電流源である。この電流源４０は交流源でも直流源で
も良い。

【００７４】本実施例の試験装置の動作を説明する。例
えば、ＭＲヘッド200 の再生ヘッド部を試験するとき
に、磁界発生コイル３２は磁界発生用電流源３１に基づ
いて磁界を発生する。そして、抵抗測定用電流源３３か
らＭＲヘッド200 の再生ヘッドに電流（センス電流）を
印加する。この状態で、制御部３５は、電流源３１の出
力を調整して磁界の強さを変化させる。ここで、制御部
３５は磁界Ｈのフィードバック制御を実行する。まず、
磁界発生コイル３２によって発生された磁界Ｈが磁気検
出素子３８によって検出されると、磁気検出素子３８か
ら磁界検出回路３９に検出信号が出力され、この検出信
号が，例えば、二値化されて制御部３５に出力される。
そして、制御部３５は磁界Ｈが一定になるように磁界発
生用電流源３１の出力をフィードバック制御する。

【００７５】この磁界変化が安定した後に、制御部３５
は電圧測定部３４に抵抗測定を許可する。この結果、電
圧測定部３４は制御部３５からの出力イネーブル（許
可）を受けて、この磁界雰囲気中に置かれたＭＲヘッド
200 の再生ヘッドの測定結果を制御部３５に出力するよ
うになる。また、ＭＲヘッド200 の記録ヘッド部を試験
するときには、ライトコイル印加電流源４０からＭＲヘ
ッド200 の記録ヘッドへ電流を流す。この状態で、ま
ず、記録ヘッドによって発生された磁界が磁気検出素子
３８によって検出されると、磁気検出素子３８から磁界
検出回路３９に検出信号が出力され、この検出信号が，
例えば、二値化されて制御部３５に出力される。そし
て、制御部３５は記録ヘッドの良否を判定する。

【００７６】このように本発明の第６の実施例に係るＭ
Ｒヘッド試験装置によれば、磁界発生コイル３２が発生
した磁界を磁気検出素子３８によって検出するので、制
御部３５によって、磁界Ｈをフィードバック制御するこ
とができる。また、磁界変化後の一義的な待ち時間に依
存することなく、制御部３５は電圧測定部３４に対して
リアルタイムに抵抗測定が許可できる。このため、コイ
ル３２に流す電流と磁界の関係を予め較正しなくても済
むようになる。また、第１の実施例のような磁界−電流
補正テーブルに基づいた一方的な磁界制御に頼らなくて
も済む。

【００７７】これにより、磁界を変化させたときの測定
誤差が実測値に含まれなくなるので、第１の実施例と同
様にＭＲヘッド200 の再生ヘッドの良否を精度良く判定
できる。また、記録ヘッドのＤＣ試験やＡＣ試験ができ
る。なお、本発明の各実施例では磁界対抵抗特性をディ
スプレイ等の表示部で観測する場合について説明した
が、表示部に代えてオシロスコープで観測しても良い。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
素子の試験装置によれば、磁界を変化させてから一定時
間経過後に、磁気抵抗素子の抵抗測定が許可されるの
で、磁界が変化している期間では抵抗測定が禁止され、
この誘導起電力の影響が無くなったときに、磁気抵抗素
子の抵抗が測定できる。

【００７９】本発明の他の試験装置によれば、磁気抵抗
素子の抵抗値が補正できるので、高精度な良否判定を行
うことができる。また、磁気抵抗素子の磁気特性が求め
られ、この特性の直線性が評価されるので、測定者に依
存されることなく、客観的に良否判定を行うことができ
る。さらに、本発明の他の試験装置によれば、磁界雰囲
気中にセットされた複数の磁気抵抗素子を連続して試験
ができる。また、画像認識された磁気抵抗素子と、この
磁気抵抗素子の磁気特性とが対応付けられるので、試験
管理が自動化できる。

【００８０】本発明の他の試験装置によれば、磁界をフ
ィードバック制御しているので、磁界発生手段に流れる
電流と磁界の関係を予め較正しなくても済むようにな
る。本発明の試験方法では、試験仕分け基準値に満たな
い磁気抵抗素子は磁界を与えた抵抗測定を行わないの
で、試験時間の短縮化が図られる。また、磁界の強さを
増減したときの磁気特性を評価することによって、磁気
抵抗素子の直線性が判断できる。

【００８１】これにより、ＧＭＲヘッド等に使用する磁
気抵抗素子の特性試験を自動的かつ高精度に行うことが
できる試験装置の提供に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るＭＲ素子の試験装
置の構成図である。

【図２】本発明の各実施例に係るＭＲ素子の構成図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施例に係る試験装置の制御フ
ローチャートである。

【図４】本発明の第１の実施例に係る磁界対電流の対応
テーブル及び抵抗Ｒ−磁界Ｈ特性図である。

【図５】本発明の第１の実施例に係る良否判定時のＲ−
Ｈ特性図である。

【図６】本発明の第２の実施例に係るＭＲ素子の試験装
置の構成図である。

【図７】本発明の第２の実施例に係る補正データ及びデ
ータ保存部の測定データの内容図である。

【図８】本発明の第３の実施例に係るＭＲ素子の試験装
置の構成図である。

【図９】本発明の第３の実施例に係る試験装置の制御フ
ローチャート（メインルーチン）である。

【図10】本発明の各実施例に係る試験装置の良否判定フ
ローチャート（その１）である。

【図11】本発明の各実施例に係る試験装置の良否判定フ
ローチャート（その２）である。

【図12】本発明の第４の実施例に係るＭＲ素子の一括試
験装置の構成図である。

【図13】本発明の第４の実施例に係る試験装置の制御フ
ローチャートである。

【図14】本発明の第５の実施例に係るＭＲ素子の試験装
置の構成図である。

【図15】本発明の第５の実施例に係る試験装置の制御フ
ローチャートである。

【図16】本発明の第６の実施例に係るＭＲヘッドの試験
装置の構成図である。

【図17】従来例に係るＭＲ素子の試験装置の構成図であ
る。

【符号の説明】

１…交流電源、２，１２…コイル（部）、３…電流値検
出抵抗、５…定電流源、７…オシロスコープ、１１…コ
イル電流印加部、１３…測定電流印加部、４，６，１
４，３４…電圧測定部、１５，３５…制御部、１６，３
６…データ保存部、１７，３７…表示部、１８…データ
補正部、19Ａ，19Ｂ…良否判定部、２０…接続部、２１
…端子切り換え部、２２…ＣＣＤカメラ、２３…文字認
識部、２４…データ編集部、３１…磁界発生用電流源、
３２…磁界発生コイル、３３…抵抗測定用電流源、３８
…磁気検出素子、３９…磁界検出回路、４０…ライトコ
イル印加電流源。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直流電源に基づいて磁界を発生する手段
   と、 前記磁界中で磁気抵抗素子の電気抵抗を測定する測定手
   段と、 前記直流電源の出力を調整し前記磁界の強さを変化させ
   てから一定時間経過後に、前記測定手段に対して抵抗測
   定を許可する制御手段と、 前記制御手段の許可後、前記磁気抵抗素子の良否を判定
   する判定手段とを備えていることを特徴とする磁気抵抗
   素子の試験装置。
2. 【請求項２】 前記測定手段によって得られた磁気抵抗
   素子の実測値から、前記磁気抵抗素子の端子を短絡した
   ときに得られる測定系のオフセット値を差し引いて前記
   磁気抵抗素子の抵抗測定値を補正する補正手段を設けて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子の試
   験装置。
3. 【請求項３】 前記磁気抵抗素子に与えられた磁界変化
   に対する該磁気抵抗素子の抵抗変化を示す磁気特性を求
   め、前記磁気特性の良否を判定する判定手段を設けてい
   ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子の試験
   装置。
4. 【請求項４】 前記磁界中で複数の磁気抵抗素子を載置
   する手段と、 前記載置手段に載置された磁気抵抗素子を各々選択して
   前記測定手段に接続する手段とを設けていることを特徴
   とする請求項１記載の磁気抵抗素子の試験装置。
5. 【請求項５】 前記磁気抵抗素子を撮像する撮像手段
   と、前記撮像手段から得られる個体識別情報を認識し、
   前記識別された磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子の磁気特
   性と対応付ける手段とを設けていることを特徴とする請
   求項１記載の磁気抵抗素子の試験装置。
6. 【請求項６】 前記磁界発生手段によって発生された磁
   界を検出する磁気検出素子を設け、前記磁気検出素子が
   検出した磁界量に従って前記制御手段が磁界発生手段を
   フィードバック制御することを特徴とする請求項１記載
   の磁気抵抗素子の試験装置。
7. 【請求項７】 磁気抵抗素子に磁界を与え、前記磁界を
   変化させてから一定時間経過後に、前記磁気抵抗素子の
   抵抗測定をし、前記抵抗測定結果から前記磁気抵抗素子
   の良否を判定することを特徴とする磁気抵抗素子の試験
   方法。
8. 【請求項８】 前記磁気抵抗素子に磁界を与えて良否を
   判定する前に、予め、磁界を与えずに前記磁気抵抗素子
   の電気抵抗を測定し、前記磁気抵抗素子の測定抵抗値と
   前記磁気抵抗素子の試験仕分け基準値とを比較すること
   を特徴とする請求項７記載の磁気抵抗素子の試験方法。
9. 【請求項９】 前記磁気抵抗素子の良否を判定は、磁界
   の強さが増加する方向に磁界を変化させ、その後、該磁
   界の強さが減少する方向に磁界を変化させたときに得ら
   れる磁気特性の直線性を評価することを特徴とする請求
   項７記載の磁気抵抗素子の試験方法。