JPH09172335A - High frequency circuit - Google Patents
High frequency circuitInfo
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- JPH09172335A JPH09172335A JP33141595A JP33141595A JPH09172335A JP H09172335 A JPH09172335 A JP H09172335A JP 33141595 A JP33141595 A JP 33141595A JP 33141595 A JP33141595 A JP 33141595A JP H09172335 A JPH09172335 A JP H09172335A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、マイクロストリップラインを用いる
バイアス供給方式を採る高周波回路に関し、高周波回路
が高調波処理構成を採る場合に、その回路性能を発揮で
きるようにすること目的とする。
【解決手段】トランジスタ100 と、トランジスタ100 に
波長λの高周波信号を伝送する主線路200 と、主線路20
0 から分岐する形で設けられて、トランジスタ100 にバ
イアス電圧を供給するバイアス線路300 と、主線路200
からλ／４の距離離れた位置でバイアス線路300 から分
岐する形で設けられて、λ／４の長さを持つオープンス
タブ400 とを備える高周波回路において、λ／８の長さ
を持つ第２のオープンスタブ500 を、オープンスタブ40
0 からバイアス供給側にλ／８の距離離れた位置でバイ
アス線路300 から分岐する形で設けるように構成する。
The present invention relates to a high frequency circuit adopting a bias supply method using a microstrip line, and when the high frequency circuit adopts a harmonic processing configuration, it is possible to exhibit its circuit performance. And A transistor (100), a main line (200) for transmitting a high frequency signal of wavelength λ to the transistor (100), and a main line (20).
Bias line 300, which is provided to branch from 0, supplies bias voltage to transistor 100, and main line 200
In a high frequency circuit provided with an open stub 400 having a length of λ / 4, which is provided so as to be branched from the bias line 300 at a position λ / 4 away from the second line having a length of λ / 8. Open stub 500, open stub 40
The bias line 300 is branched from the bias line 300 at a position λ / 8 away from 0 to the bias supply side.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プラインを用いるバイアス供給方式を採る高周波回路に
関し、特に、高周波回路が高調波処理構成を採る場合
に、その回路性能を発揮できるようにする高周波回路に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit adopting a bias supply method using a microstrip line, and more particularly, to a high frequency circuit capable of exhibiting its circuit performance when the high frequency circuit has a harmonic processing structure. Regarding
【０００２】高周波回路にバイアス電圧を供給する方式
として、バイアスティで供給する方式と、マイクロスト
リップラインを用いる供給方式とがある。マイクロスト
リップラインを用いる供給方式は、バイアスティで供給
する方式に比べて信号の損失が少ないという特徴があ
る。高周波回路が高調波処理構成を採る場合にも、この
特徴を発揮できるようにする構成を構築していく必要が
ある。As a method of supplying a bias voltage to a high frequency circuit, there are a method of supplying a bias voltage and a method of supplying a microstrip line. The supply method using the microstrip line is characterized by less signal loss than the supply method using the bias tee. Even if the high-frequency circuit adopts a harmonic processing configuration, it is necessary to construct a configuration that can exhibit this feature.
【０００３】[0003]
【従来の技術】マイクロ波回路やミリ波回路の高周波回
路では、ハイブリッド型の集積回路を用いて回路を実装
することで高周波特性を保証する構成を採っている。2. Description of the Related Art In a high frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter wave circuit, a high frequency characteristic is guaranteed by mounting the circuit using a hybrid type integrated circuit.
【０００４】図１０に、マイクロストリップラインを用
いるバイアス供給方式を採るハイブリッド型高周波集積
回路の従来技術を図示する。この図に示すように、従来
のハイブリッド型高周波集積回路では、トランジスタ
２、入力側誘電体基板３及び出力側誘電体基板４を、金
属キャリア１の上に形成するとともに、入力側主線路５
と入力側バイアス線路６とを入力側誘電体基板３の上に
形成し、更に、出力側主線路７と出力側バイアス線路８
とを出力側誘電体基板４の上に形成する構成を採ってい
る。FIG. 10 shows a prior art of a hybrid type high frequency integrated circuit adopting a bias supply method using a microstrip line. As shown in this figure, in the conventional hybrid type high frequency integrated circuit, the transistor 2, the input side dielectric substrate 3 and the output side dielectric substrate 4 are formed on the metal carrier 1 and the input side main line 5 is formed.
And the input side bias line 6 are formed on the input side dielectric substrate 3, and further, the output side main line 7 and the output side bias line 8 are formed.
And are formed on the output side dielectric substrate 4.
【０００５】ここで、入力側主線路５は、導伝性を持つ
材料パターンで構成され、入力側分岐スタブ９で構成さ
れる入力側整合回路１０を有して、トランジスタ２に入
力される波長λを持つ高周波信号を伝送し、入力側バイ
アス線路６は、導伝性を持つ材料パターンで構成され、
入力側主線路５から分岐する形で設けられて、トランジ
スタ２にバイアス電圧を供給する。また、出力側主線路
７は、導伝性を持つ材料パターンで構成され、出力側分
岐スタブ１１で構成される出力側整合回路１２を有し
て、トランジスタ２から出力される波長λを持つ高周波
信号を伝送し、出力側バイアス線路８は、導伝性を持つ
材料パターンで構成され、出力側主線路７から分岐する
形で設けられて、トランジスタ２にバイアス電圧を供給
する。Here, the input-side main line 5 is composed of a conductive material pattern, has an input-side matching circuit 10 composed of an input-side branch stub 9, and has a wavelength input to the transistor 2. The high frequency signal having λ is transmitted, and the input side bias line 6 is composed of a conductive material pattern,
It is provided so as to be branched from the input-side main line 5 and supplies a bias voltage to the transistor 2. Further, the output side main line 7 is composed of a conductive material pattern, has an output side matching circuit 12 composed of an output side branch stub 11, and has a high frequency having a wavelength λ output from the transistor 2. The signal is transmitted, and the output side bias line 8 is formed of a conductive material pattern, is provided in a form branched from the output side main line 7, and supplies a bias voltage to the transistor 2.
【０００６】そして、入力側主線路５を伝送する高周波
信号が入力側バイアス線路６に伝送されないようにする
ために、入力側バイアス線路６から入力側オープンスタ
ブ１３を分岐する形で形成するとともに、出力側主線路
７を伝送する高周波信号が出力側バイアス線路８に伝送
されないようにするために、出力側バイアス線路８から
出力側オープンスタブ１４を分岐する形で形成する構成
を採っている。In order to prevent the high frequency signal transmitted through the input side main line 5 from being transmitted to the input side bias line 6, the input side open stub 13 is formed so as to be branched from the input side bias line 6. In order to prevent the high frequency signal transmitted on the output side main line 7 from being transmitted to the output side bias line 8, the output side open stub 14 is branched from the output side bias line 8.
【０００７】この入力側オープンスタブ１３は、図１１
（ａ）に示すように、λ／４の長さを持って、入力側主
線路５からλ／４の距離離れた位置に設けられ、これに
より、その一端部αが高周波信号に対してオープンとな
るので、図１２に示すように、λ／４を単位としてオー
プンとショートとが繰り返される特性に従って、入力側
オープンスタブ１３と入力側バイアス線路６との接続部
βが高周波信号に対してショートとなり、入力側バイア
ス線路６と入力側主線路５との接続部γがオープンとな
って、入力側主線路５を伝送する高周波信号が入力側バ
イアス線路６に伝送されないようになる。This input side open stub 13 is shown in FIG.
As shown in (a), it has a length of λ / 4 and is provided at a position away from the input-side main line 5 by a distance of λ / 4, so that one end α thereof is open to a high-frequency signal. Therefore, as shown in FIG. 12, the connection part β between the input-side open stub 13 and the input-side bias line 6 is short-circuited with respect to a high-frequency signal according to the characteristic that open and short are repeated in units of λ / 4. Therefore, the connection portion γ between the input side bias line 6 and the input side main line 5 is opened, and the high frequency signal transmitted through the input side main line 5 is prevented from being transmitted to the input side bias line 6.
【０００８】同様に、この出力側オープンスタブ１４
は、図１１（ｂ）に示すように、λ／４の長さを持っ
て、出力側主線路７からλ／４の距離離れた位置に設け
られ、これにより、その一端部α’が高周波信号に対し
てオープンとなるので、図１２に示すように、λ／４を
単位としてオープンとショートとが繰り返される特性に
従って、出力側オープンスタブ１４と出力側バイアス線
路８との接続部β’が高周波信号に対してショートとな
り、出力側バイアス線路８と出力側主線路７との接続部
γ’がオープンとなって、出力側主線路７を伝送する高
周波信号が出力側バイアス線路８に伝送されないように
なる。Similarly, the output side open stub 14
As shown in FIG. 11 (b), is provided at a position having a length of λ / 4 and a distance of λ / 4 from the output-side main line 7, whereby one end α ′ of the high-frequency wave has a high frequency. Since it becomes open to the signal, as shown in FIG. 12, the connecting portion β ′ between the output side open stub 14 and the output side bias line 8 is in accordance with the characteristic that open and short are repeated in units of λ / 4. The high frequency signal is short-circuited, the connecting portion γ ′ between the output side bias line 8 and the output side main line 7 is opened, and the high frequency signal transmitted through the output side main line 7 is not transmitted to the output side bias line 8. Like
【０００９】このようにして、従来のハイブリッド型高
周波集積回路は、バイアス線路（入力側バイアス線路６
・出力側バイアス線路８）を使って、トランジスタ２に
バイアス電圧を供給する構成を採るときにあって、オー
プンスタブ（入力側オープンスタブ１３・出力側オープ
ンスタブ１４）を備えることで、主線路（入力側主線路
５・出力側主線路７）を伝送する高周波信号がバイアス
線路に伝送されてしまうのを防止する構成を採っている
のである。As described above, the conventional hybrid type high frequency integrated circuit has the bias line (the input side bias line 6
-When the bias voltage is supplied to the transistor 2 by using the output side bias line 8), the main line (the open side stub 13 and the output side open stub 14) is provided so that the main line ( The high-frequency signal transmitted through the input-side main line 5 and the output-side main line 7) is prevented from being transmitted to the bias line.
【００１０】なお、図１０中、１５はチップコンデンサ
である。In FIG. 10, numeral 15 is a chip capacitor.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ハイブリッド型高周波集積回路では、λ／４の長さを持
つオープンスタブ（入力側オープンスタブ１３・出力側
オープンスタブ１４）を、主線路（入力側主線路５・出
力側主線路７）からλ／４の距離離れた位置に設ける構
成を採っていることから、波長λを持つ基本波成分につ
いては主線路に影響を与えないものの、波長λ／２を持
つ２倍波成分については主線路に影響を与えてしまうこ
とになる。However, in the conventional hybrid type high frequency integrated circuit, the open stub (the input side open stub 13 and the output side open stub 14) having the length of λ / 4 is connected to the main line (the input side). Since the main line 5 and the output side main line 7) are provided at a position separated by a distance of λ / 4, the fundamental wave component having the wavelength λ does not affect the main line, but the wavelength λ / The second harmonic component having 2 will affect the main line.
【００１２】これから、整合回路（入力側整合回路１０
・出力側整合回路１２）が波長λ／２を持つ２倍波成分
についても整合させることで高周波回路が高調波処理構
成を採る場合には、高周波信号の持つ２倍波成分に対し
てはバイアス線路（入力側バイアス線路６・出力側バイ
アス線路８）がオープンに見えないために、バイアス回
路のインピーダンスが主線路に影響し、その回路性能を
十分発揮できないという問題点があった。From now on, the matching circuit (input side matching circuit 10
When the high frequency circuit adopts a harmonic processing configuration by matching the second harmonic component having the wavelength λ / 2 by the output side matching circuit 12), the second harmonic component of the high frequency signal is biased. Since the lines (the input side bias line 6 and the output side bias line 8) do not appear to be open, the impedance of the bias circuit affects the main line, and there is a problem that the circuit performance cannot be fully exhibited.
【００１３】すなわち、従来技術に従っていると、図１
３のスミスチャートに示すように、５０Ωの主線路に対
しバイアス回路がついている場合、基本波の周波数ｆ0
についてはバイアス回路が見えないので５０Ωとなるも
のの、２倍波の周波数２ｆ0についてはバイアス回路が
見えてしまうことで５０Ωからずれることになる。従っ
て、図１４に示すように、高周波信号の持つ基本波成分
については損失することなく伝送されるものの、２倍波
成分については大きく損失してしまうことになり、せっ
かく、入力側整合回路１０及び出力側整合回路１２が２
倍波成分についても整合させることで高調波処理構成を
採っていても、その回路性能を十分発揮できないという
問題点があったのである。That is, according to the prior art, FIG.
As shown in the Smith chart of 3, when the bias circuit is attached to the main line of 50Ω, the frequency f 0 of the fundamental wave is
, The value becomes 50Ω because the bias circuit cannot be seen, but the frequency 2f 0 of the second harmonic wave deviates from 50Ω because the bias circuit becomes visible. Therefore, as shown in FIG. 14, although the fundamental wave component of the high frequency signal is transmitted without loss, the second harmonic component is largely lost, and the input side matching circuit 10 and Output side matching circuit 12 is 2
Even if the harmonic processing configuration is adopted by matching the harmonic components, the circuit performance cannot be sufficiently exhibited.
【００１４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、高周波回路がマイクロストリップラインを用
いるバイアス供給方式を採るときにあって、高調波処理
構成を採る場合に、その回路性能を発揮できるようにす
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and exhibits circuit performance when a high frequency circuit adopts a bias supply method using a microstrip line and a harmonic processing configuration is adopted. The purpose is to be able to.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】図１に本発明を具備する
高周波回路の原理構成を図示する。図中、１００はトラ
ンジスタ、２００は主線路、３００はバイアス線路、４
００はオープンスタブ、５００は第２のオープンスタブ
である。FIG. 1 shows the principle configuration of a high-frequency circuit equipped with the present invention. In the figure, 100 is a transistor, 200 is a main line, 300 is a bias line, 4
00 is an open stub, and 500 is a second open stub.
【００１６】このトランジスタ１００は、高周波信号を
増幅する。主線路２００は、トランジスタ１００に波長
λの高周波を伝送する。バイアス線路３００は、主線路
２００から分岐する形で設けられて、トランジスタ１０
０にバイアス電圧を供給する。The transistor 100 amplifies a high frequency signal. The main line 200 transmits a high frequency wave having a wavelength λ to the transistor 100. The bias line 300 is provided so as to branch from the main line 200, and
Bias voltage is supplied to 0.
【００１７】オープンスタブ４００は、λ／４の長さを
持ち、主線路２００からλ／４の距離離れた位置で、バ
イアス線路３００から分岐する形で設けられる。第２の
オープンスタブ５００は、λ／８の長さを持ち、オープ
ンスタブ４００からバイアス供給側にλ／８の距離離れ
た位置で、バイアス線路３００から分岐する形で設けら
れる。The open stub 400 has a length of λ / 4 and is provided so as to branch from the bias line 300 at a position separated from the main line 200 by a distance of λ / 4. The second open stub 500 has a length of λ / 8, and is provided so as to be branched from the bias line 300 at a position away from the open stub 400 on the bias supply side by a distance of λ / 8.
【００１８】このように構成される本発明の高周波回路
では、オープンスタブ４００を設けることで、主線路２
００とバイアス線路３００との接続部（図中のζ点）
を、主線路２００を伝送する高周波信号に対してオープ
ンとすることで、その高周波信号がバイアス線路３００
に流れ込むのを防止する構成を採るときにあって、新た
に第２のオープンスタブ５００を設けることで、どのよ
うなインピーダンスを持つバイアス回路が接続される場
合にも、図中のδ点が２倍波に対してショートとなるた
めに、図中のε点が２倍波に対してオープンとなって、
図中のζ点が２倍波に対してオープンとなる。これか
ら、主線路２００を伝送する高周波信号の２倍波成分に
ついても、バイアス線路３００に流れ込むのを防止でき
るようになる。In the high-frequency circuit of the present invention constructed as above, the main line 2 is provided by providing the open stub 400.
00 and the bias line 300 (point ζ in the figure)
Is open to the high frequency signal transmitted through the main line 200, the high frequency signal is
In the case of adopting a configuration to prevent the current from flowing into the circuit, by newly providing the second open stub 500, the δ point in the figure is 2 even when a bias circuit having any impedance is connected. Since it becomes short for the second harmonic, the ε point in the figure becomes open for the second harmonic,
The point ζ in the figure is open to the second harmonic. As a result, it becomes possible to prevent the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the main line 200 from flowing into the bias line 300.
【００１９】この構成に従って、高周波回路が高周波信
号の持つ２倍波成分についても処理対象とするときに、
バイアス回路の影響を主線路へ及ぼさないようにできる
ことから、その回路性能を十分発揮できるようになる。According to this structure, when the high frequency circuit also processes the second harmonic component of the high frequency signal,
Since the influence of the bias circuit can be prevented from affecting the main line, the circuit performance can be sufficiently exhibited.
【００２０】本発明は、図２に示すように、λ／４の長
さを持つオープンスタブ４００の代わりに、その位置
に、λ／２の長さを持つショートスタブ４００ａを設け
ることでも実現できる。すなわち、この構成でも、基本
波に対して、ε点がショートとなり、ζ点がオープンと
なって、主線路２００を伝送する高周波信号の基本波成
分がバイアス線路３００に流れ込むのを防止できるよう
になる。The present invention can be realized by providing a short stub 400a having a length of λ / 2 at that position instead of the open stub 400 having a length of λ / 4 as shown in FIG. . That is, even in this configuration, it is possible to prevent the fundamental wave component of the high-frequency signal transmitted through the main line 200 from flowing into the bias line 300 by shorting the ε point and opening the ζ point with respect to the fundamental wave. Become.
【００２１】また、本発明は、図３に示すように、λ／
８の長さを持つ第２のオープンスタブ５００の代わり
に、その位置に、λ／４の長さを持つショートスタブ５
００ａを設けることでも実現できる。すなわち、この構
成でも、２倍波に対して、δ点がショートとなり、ε点
がオープン、ζ点がオープンとなって、主線路２００を
伝送する高周波信号の２倍波成分がバイアス線路３００
に流れ込むのを防止できるようになる。Further, according to the present invention, as shown in FIG.
Instead of the second open stub 500 having a length of 8, a short stub 5 having a length of λ / 4 is provided at that position.
It can also be realized by providing 00a. That is, also in this configuration, for the second harmonic, the δ point is short-circuited, the ε point is open, the ζ point is open, and the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the main line 200 is the bias line 300.
You can prevent it from flowing into.
【００２２】また、本発明は、図４に示すように、λ／
４の長さを持つオープンスタブ４００の代わりに、その
位置に、λ／２の長さを持つ第１のショートスタブ４０
０ｂを設けるとともに、λ／８の長さを持つ第２のオー
プンスタブ５００の代わりに、その位置に、λ／４の長
さを持つ第２のショートスタブ５００ｂを設けることで
も実現できる。すなわち、この構成でも、基本波に対し
て、ε点がショートとなり、ζ点がオープンとなって、
主線路２００を伝送する高周波信号の基本波成分がバイ
アス線路３００に流れ込むのを防止できるなるととも
に、２倍波に対して、δ点がショートとなり、ε点がオ
ープン、ζ点がオープンとなって、主線路２００を伝送
する高周波信号の２倍波成分がバイアス線路３００に流
れ込むのを防止できるようになる。Further, according to the present invention, as shown in FIG.
Instead of the open stub 400 having a length of 4, the first short stub 40 having a length of λ / 2 is provided at that position.
0b is provided, and instead of the second open stub 500 having a length of λ / 8, a second short stub 500b having a length of λ / 4 is provided at that position. That is, even with this configuration, the ε point is short-circuited with respect to the fundamental wave, and the ζ point is open,
It is possible to prevent the fundamental wave component of the high frequency signal transmitted through the main line 200 from flowing into the bias line 300, and at the second harmonic wave, the δ point is short-circuited, the ε point is open, and the ζ point is open. Thus, the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the main line 200 can be prevented from flowing into the bias line 300.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に従って本発明
を詳細に説明する。図５に、本発明を具備するハイブリ
ッド型高周波集積回路の一実施例を図示する。ここで、
図中、図１０で説明したものと同じものについては同一
の記号で示してある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail according to embodiments. FIG. 5 shows an embodiment of a hybrid type high frequency integrated circuit equipped with the present invention. here,
In the figure, the same components as those described in FIG. 10 are denoted by the same symbols.
【００２４】この図に示すように、本発明を具備するハ
イブリッド型高周波集積回路では、入力側整合回路１０
及び出力側整合回路１２が波長λ／２を持つ２倍波成分
についても整合させることで高周波回路が高調波処理構
成を採る場合には、新たに、第２の入力側オープンスタ
ブ１８と、第２の出力側オープンスタブ１９とを備える
構成を採るものである。As shown in this figure, in the hybrid type high frequency integrated circuit including the present invention, the input side matching circuit 10 is provided.
In the case where the high frequency circuit adopts the harmonic processing configuration by matching the second harmonic component having the wavelength λ / 2 with the output side matching circuit 12, a second input side open stub 18 and a second The configuration includes two output side open stubs 19.
【００２５】この第２の入力側オープンスタブ１８は、
図６（ａ）に示すように、λ／８の長さを持ち、入力側
オープンスタブ１３からバイアス供給側にλ／８の距離
離れた位置で、入力側バイアス線路６から分岐する形で
設けられる。また、この第２の出力側オープンスタブ１
９は、図６（ｂ）に示すように、λ／８の長さを持ち、
出力側オープンスタブ１４からバイアス供給側にλ／８
の距離離れた位置で、出力側バイアス線路８から分岐す
る形で設けられる。The second input side open stub 18 is
As shown in FIG. 6 (a), it has a length of λ / 8 and is provided so as to be branched from the input side bias line 6 at a position away from the input side open stub 13 to the bias supply side by a distance of λ / 8. To be Also, this second output side open stub 1
9 has a length of λ / 8, as shown in FIG.
Λ / 8 from output side open stub 14 to bias supply side
It is provided so as to be branched from the output side bias line 8 at a position away from
【００２６】この構成に従って、入力側主線路５を伝送
する高周波信号の持つ基本波成分に対し、入力側オープ
ンスタブ１３と入力側バイアス線路６との接続点ｂは、
λ／４を単位としてオープンとショートとが繰り返され
る図１２の特性に従って、入力側オープンスタブ１３の
作用によりショートとなり、これにより、入力側主線路
５と入力側バイアス線路６との接続点ａはオープンとな
る。このとき、第２の入力側オープンスタブ１８と入力
側バイアス線路６との接続点ｄの作用と、第２の入力側
オープンスタブ１８の開放端ｅの作用は、接続点ｂでシ
ョートしていることから無視できる。According to this configuration, the connection point b between the input-side open stub 13 and the input-side bias line 6 for the fundamental wave component of the high-frequency signal transmitted through the input-side main line 5 is
According to the characteristic of FIG. 12 in which open and short are repeated in units of λ / 4, a short occurs due to the action of the input side open stub 13, whereby the connection point a between the input side main line 5 and the input side bias line 6 becomes Be open. At this time, the action of the connection point d between the second input side open stub 18 and the input side bias line 6 and the action of the open end e of the second input side open stub 18 are short-circuited at the connection point b. It can be ignored.
【００２７】一方、入力側主線路５を伝送する高周波信
号の持つ２倍波成分に対しては、λ／８を単位としてオ
ープンとショートとが繰り返される図７の特性に従っ
て、接続点ｄがショートとなり、これにより、接続点ｂ
及び接続点ａはオープンとなる。On the other hand, with respect to the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the input side main line 5, the connection point d is short-circuited according to the characteristic of FIG. 7 in which open and short are repeated in units of λ / 8. Therefore, the connection point b
And the connection point a is open.
【００２８】このようにして、入力側主線路５と入力側
バイアス線路６との接続点ａは、入力側主線路５を伝送
する高周波信号の持つ基本波成分と２倍波成分との双方
に対してオープンとなり、これにより、これらが入力側
バイアス線路６に伝送されないようになる。In this way, the connection point a between the input side main line 5 and the input side bias line 6 has both the fundamental wave component and the second harmonic wave component of the high frequency signal transmitted through the input side main line 5. On the other hand, they are open, so that they are not transmitted to the input side bias line 6.
【００２９】そして、この構成に従って、出力側主線路
７を伝送する高周波信号の持つ基本波成分に対し、出力
側オープンスタブ１４と出力側バイアス線路８との接続
点ｂ’は、λ／４を単位としてオープンとショートとが
繰り返される図１２の特性に従って、出力側オープンス
タブ１４の作用によりショートとなり、これにより、出
力側主線路７と出力側バイアス線路８との接続点ａ’は
オープンとなる。このとき、第２の出力側オープンスタ
ブ１９と出力側バイアス線路８との接続点ｄ’の作用
と、第２の出力側オープンスタブ１９の開放端ｅ’の作
用は、接続点ｂ’でショートしていることから無視でき
る。According to this structure, the connection point b ′ between the output side open stub 14 and the output side bias line 8 is λ / 4 for the fundamental wave component of the high frequency signal transmitted through the output side main line 7. According to the characteristic of FIG. 12 in which open and short are repeated as a unit, a short occurs due to the action of the output side open stub 14, whereby the connection point a ′ between the output side main line 7 and the output side bias line 8 becomes open. . At this time, the action of the connection point d ′ between the second output side open stub 19 and the output side bias line 8 and the action of the open end e ′ of the second output side open stub 19 are short-circuited at the connection point b ′. You can ignore it because you are doing it.
【００３０】一方、出力側主線路７を伝送する高周波信
号の持つ２倍波成分に対しては、λ／８を単位としてオ
ープンとショートとが繰り返される図７の特性に従っ
て、接続点ｄ’がショートとなり、これにより、接続点
ｂ’及び接続点ａ’はオープンとなる。On the other hand, for the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the output side main line 7, the connection point d'is determined according to the characteristic of FIG. 7 in which open and short are repeated in units of λ / 8. It becomes a short circuit, so that the connection point b ′ and the connection point a ′ are open.
【００３１】このようにして、出力側主線路７と出力側
バイアス線路８との接続点ａ’は、出力側主線路７を伝
送する高周波信号の持つ基本波成分と２倍波成分との双
方に対してオープンとなり、これにより、これらが出力
側バイアス線路８に伝送されないようになる。In this way, the connection point a'between the output side main line 7 and the output side bias line 8 has both the fundamental wave component and the second harmonic component of the high frequency signal transmitted through the output side main line 7. Are opened with respect to each other, so that they are not transmitted to the output side bias line 8.
【００３２】すなわち、本発明を用いることで、図８の
スミスチャートに示すように、主線路のインピーダンス
を見た場合、基本波の周波数ｆ0 と２倍波の周波数２ｆ
0 との双方で、主線路の５０Ωに対し影響を及ぼさない
ために５０Ωに見えることになり、従って、図９に示す
ように、高周波信号の持つ基本波成分と２倍波成分との
双方について損失することなく伝送されることになるの
である。That is, by using the present invention, as shown in the Smith chart of FIG. 8, when the impedance of the main line is seen, the frequency f 0 of the fundamental wave and the frequency 2f of the second harmonic wave are obtained.
In both 0 and 0, it does not affect 50Ω of the main line, so it looks like 50Ω. Therefore, as shown in FIG. 9, both the fundamental wave component and the second harmonic component of the high frequency signal are obtained. It will be transmitted without loss.
【００３３】このように、本発明は、図１で示したよう
に、トランジスタ１００と、トランジスタ１００に波長
λの高周波信号を伝送する主線路２００と、主線路２０
０から分岐する形で設けられて、トランジスタ１００に
バイアス電圧を供給するバイアス線路３００と、主線路
２００からλ／４の距離離れた位置でバイアス線路３０
０から分岐する形で設けられて、λ／４の長さを持つオ
ープンスタブ４００とを備える高周波回路において、λ
／８の長さを持つ第２のオープンスタブ５００を、オー
プンスタブ４００からバイアス供給側にλ／８の距離離
れた位置でバイアス線路３００から分岐する形で設ける
構成を採るものである。As described above, according to the present invention, as shown in FIG. 1, the transistor 100, the main line 200 for transmitting a high frequency signal of wavelength λ to the transistor 100, and the main line 20.
A bias line 300 that is provided so as to branch from 0 and supplies a bias voltage to the transistor 100 and a bias line 30 that is separated from the main line 200 by a distance of λ / 4.
In a high-frequency circuit provided with an open stub 400 having a length of λ / 4, which is provided in a form branched from 0,
The second open stub 500 having a length of / 8 is provided so as to be branched from the bias line 300 at a position λ / 8 away from the open stub 400 on the bias supply side.
【００３４】図２で説明したように、この本発明は、λ
／４の長さを持つオープンスタブ４００の代わりに、そ
の位置に、λ／２の長さを持つショートスタブ４００ａ
を設けることでも実現できる。また、図３で説明したよ
うに、この本発明は、λ／８の長さを持つ第２のオープ
ンスタブ５００の代わりに、その位置に、λ／４の長さ
を持つショートスタブ５００ａを設けることでも実現で
きる。また、図４で説明したように、この本発明は、λ
／４の長さを持つオープンスタブ４００の代わりに、そ
の位置に、λ／２の長さを持つ第１のショートスタブ４
００ｂを設けるとともに、λ／８の長さを持つ第２のオ
ープンスタブ５００の代わりに、その位置に、λ／４の
長さを持つ第２のショートスタブ５００ｂを設けること
でも実現できる。As described with reference to FIG. 2, the present invention provides
Instead of the open stub 400 having a length of / 4, a short stub 400a having a length of λ / 2 is provided at that position.
It can also be realized by providing. Further, as described with reference to FIG. 3, in the present invention, instead of the second open stub 500 having a length of λ / 8, a short stub 500a having a length of λ / 4 is provided at that position. It can also be realized. Further, as described with reference to FIG.
Instead of the open stub 400 having a length of / 4, the first short stub 4 having a length of λ / 2 is provided at that position.
00b and instead of the second open stub 500 having a length of λ / 8, a second short stub 500b having a length of λ / 4 may be provided at that position.
【００３５】図示実施例について説明したが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、実施例では、
トランジスタ２で高周波信号を増幅するハイブリッド型
高周波集積回路に従って本発明を開示したが、本発明は
増幅器に限られるものではなくて、トランジスタ２で増
幅した高周波信号を使って逓倍処理を実行するような他
の回路構成のものに対してもそのまま適用できるもので
ある。Although the illustrated embodiment has been described, the present invention is not limited to this. For example, in the embodiment,
Although the present invention has been disclosed according to the hybrid type high frequency integrated circuit in which the high frequency signal is amplified by the transistor 2, the present invention is not limited to the amplifier, and the multiplication process is performed by using the high frequency signal amplified by the transistor 2. It can be applied to other circuit configurations as it is.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とで、高周波回路がマイクロストリップラインを用いる
バイアス供給方式を採るときにあって、高調波処理構成
を採る場合に、その回路性能を発揮できるようになる。As described above, by using the present invention, the circuit performance is exhibited when the high frequency circuit adopts the bias supply method using the microstrip line and the harmonic processing structure is adopted. become able to.
【図１】本発明の原理構成図である。FIG. 1 is a principle configuration diagram of the present invention.
【図２】本発明の原理構成図である。FIG. 2 is a principle configuration diagram of the present invention.
【図３】本発明の原理構成図である。FIG. 3 is a principle configuration diagram of the present invention.
【図４】本発明の原理構成図である。FIG. 4 is a principle configuration diagram of the present invention.
【図５】本発明の一実施例である。FIG. 5 is an example of the present invention.
【図６】本発明の一実施例である。FIG. 6 is an embodiment of the present invention.
【図７】電圧定在波の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a voltage standing wave.
【図８】本発明に従う場合のスミスチャートである。FIG. 8 is a Smith chart according to the present invention.
【図９】本発明に従う場合の特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram according to the present invention.
【図１０】従来技術の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図１１】従来技術の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図１２】電圧定在波の説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of a voltage standing wave.
【図１３】従来技術に従う場合のスミスチャートであ
る。FIG. 13 is a Smith chart according to the conventional technique.
【図１４】従来技術に従う場合の特性図である。FIG. 14 is a characteristic diagram when a conventional technique is followed.
１００ トランジスタ ２００ 主線路 ３００ バイアス線路 ４００ オープンスタブ ４００ａ ショートスタブ ４００ｂ 第１のショートスタブ ５００ 第２のオープンスタブ ５００ａ ショートスタブ ５００ｂ 第２のショートスタブ 100 transistor 200 main line 300 bias line 400 open stub 400a short stub 400b first short stub 500 second open stub 500a short stub 500b second short stub
Claims (4)
λの高周波信号を伝送する主線路と、該主線路から分岐
する形で設けられて、該トランジスタにバイアス電圧を
供給するバイアス線路と、該主線路からλ／４の距離離
れた位置で該バイアス線路から分岐する形で設けられ
て、λ／４の長さを持つオープンスタブとを備える高周
波回路において、 λ／８の長さを持つ第２のオープンスタブを、上記オー
プンスタブからバイアス供給側にλ／８の距離離れた位
置で上記バイアス線路から分岐する形で設けることを、 特徴とする高周波回路。1. A transistor, a main line for transmitting a high-frequency signal of wavelength λ to the transistor, a bias line that is branched from the main line and supplies a bias voltage to the transistor, and the main line. In a high frequency circuit provided with an open stub having a length of λ / 4, which is provided so as to be branched from the bias line at a position separated from the bias line by a second distance having a length of λ / 8. A high-frequency circuit, characterized in that an open stub is provided so as to branch from the bias line at a position λ / 8 away from the open stub on the bias supply side.
の長さを持つショートスタブを設けることを、 特徴とする高周波回路。2. The high frequency circuit according to claim 1, wherein a λ / 2 is used instead of the open stub having a length of λ / 4.
A high-frequency circuit characterized by providing a short stub with a length of.
λ／４の長さを持つショートスタブを設けることを、 特徴とする高周波回路。3. The high frequency circuit according to claim 1, wherein instead of the second open stub having a length of λ / 8,
A high-frequency circuit characterized in that a short stub having a length of λ / 4 is provided.
の長さを持つ第１のショートスタブを設け、 λ／８の長さを持つ第２のオープンスタブの代わりに、
λ／４の長さを持つ第２のショートスタブを設けること
を、 特徴とする高周波回路。4. The high frequency circuit according to claim 1, wherein a λ / 2 is used instead of the open stub having a length of λ / 4.
The first short stub with the length of is provided, and instead of the second open stub with the length of λ / 8,
A high-frequency circuit characterized in that a second short stub having a length of λ / 4 is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33141595A JPH09172335A (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | High frequency circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33141595A JPH09172335A (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | High frequency circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172335A true JPH09172335A (en) | 1997-06-30 |
Family
ID=18243427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33141595A Withdrawn JPH09172335A (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | High frequency circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172335A (en) |
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-
1995
- 1995-12-20 JP JP33141595A patent/JPH09172335A/en not_active Withdrawn
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