JPH09174263A - 被覆線の絶縁被膜除去方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被覆線の巻き付け部から絶縁被膜を効率良く
除去でき、自動化と生産性および加工品質の向上をはか
る。 【解決手段】 第１段階のパルスレーザ照射工程では、
Ｑスイッチを用いてパルス発振出力させた尖頭値の高い
パルスレーザ光ＬＢQPを、被覆線巻き付け部２６のレー
ザ光照射領域３０にＸ−Ｙ方向でスキャン照射する。こ
のスキャン照射により、パルスレーザ光ＬＢQPが入射し
た部分３２では、絶縁被膜１４ｂがレーザ・エネルギー
により直接破壊されて剥がれ、導体１４ａが露出する。
次に、第２段階の連続波レーザ照射工程では、連続波レ
ーザ光ＬＢCWを被覆線巻き付け部２６のレーザ光照射領
域３０にＸ−Ｙ方向でスキャン照射する。このスキャン
照射により、被覆線巻き付け部２６においてレーザ・エ
ネルギーの熱が導体１４ａを伝わってレーザ光照射領域
３０の周囲または裏側のレーザ光非照射領域３４に回
り、レーザ光非照射領域３４でも絶縁被膜１４ｂが熱で
剥がれて、導体１４ａが露出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【００１０】

【発明の属する技術分野】本発明は、被覆線の巻き付け
部から絶縁被膜を除去するための方法および装置に関す
る。

【００２０】

【従来の技術】被覆線は、銅等の導体をポリイミド、ポ
リウレタンまたはエナメル等の絶縁材で被覆してなる電
線である。一般に、電気部品等においてこのような被覆
線を棒状、柱状または板状の導体端子にしっかりと接続
するときには、被覆線の一端部を端子に巻き付けたの
ち、この巻き付け部から絶縁被膜を除去して導体を露出
せしめ、この導体露出部を半田付けで端子に接合するよ
うにしている。

【００３０】図９に、被覆線の巻き付け部から絶縁被膜
を除去される電気部品（被加工物）の一例としてソレノ
イド・コイルを示す。

【００４０】このソレノイド・コイル１０は、角筒状の
中空ボビン１２の外周に被覆線１４を密に巻回してな
る。この被覆線１４は、細い銅線１４ａをたとえばポリ
エステルからなる絶縁被膜１４ｂで被覆した電線であ
る。ボビン１２の上端に一体形成された四角形のフラン
ジ部１６の上面縁部に２つの支持ブロック１８，２０が
適当な間隔を置いて固定配置され、それぞれの支持ブロ
ック１８，２０の一側面より棒状の導体端子２２，２４
が水平方向に突出している。被覆線１４の一端部（巻始
め端部）２６は一方の端子２２に巻き付けられ、他端部
（巻終り端部）２８は他方の端子２４に巻き付けられて
いる。この被覆線１４の巻き付け工程は従来周知の巻線
装置（図示せず）により行われる。そして、巻き付けの
後に、巻き付け部２６，２８から絶縁被膜を除去するた
めの処理が行われる。

【００５０】上記のような被覆線の巻き付け部から絶縁
被膜を除去するために、従来は、被覆線巻き付け部をダ
イヤモンド材等で罫描いて絶縁被膜を機械的に剥離する
方法か、被覆線巻き付け部に薬品を塗って絶縁被膜を化
学的に分解する方法を用いていた。

【００６０】このような罫描処理および薬品処理のいず
れも手作業で行われるため、時間と手間がかかり、生産
性が低かった。罫描処理を機械化することは可能である
が、罫描位置ないし範囲を調整するのが難しいうえ、１
つの電気部品（被加工物）に異なる形状・サイズの被覆
線巻き付け部が数箇所ある場合には、それらの巻き付け
部に１対１に対応させて複数台の罫描（剥離）機を設置
しなければならないという不便もある。

【００７０】ところで、最近は、被覆線の絶縁被覆除去
処理にレーザを使用する方法の研究開発が進んでおり、
種々の提案がなされている。この種のレーザには、高分
子絶縁物を分解して除去するのに適した紫外線を発生す
るエキシマレーザが多く用いられている。しかしなが
ら、エキシマレーザは、レーザ光の当たらない被覆線の
裏面部分では絶縁材（被膜）が分解しにくいという欠点
がある。かかるエキシマレーザの欠点を解決するため
に、被覆線の後方（裏側）に凹面鏡を配置し、この凹面
鏡でレーザ光を反射させて被覆線の裏面の絶縁被膜にも
レーザ光を照射するようにした方法が特開平７−７８２
５で開示されている。

【００８０】また、エキシマレーザに代えて赤外線領域
のレーザ光を使用し、このレーザ光の光エネルギーによ
り被覆線の絶縁被膜を加熱して、溶融・蒸発により被膜
を除去する方法も提案されている。

【００９０】たとえば、特開平６−１４１４３２で開示
されている方法では、炭酸ガスレーザによる連続波レー
ザ光（波長１０．６μｍ）をスポットに集光して被覆線
の絶縁被膜に照射し、絶縁被膜に吸収された炭酸ガスレ
ーザ光のエネルギーにより絶縁被膜を溶融・蒸発して除
去するようにしている。また、特開平６−１４１４３２
で開示されている方法では、パルスＹＡＧレーザ光（波
長１．０６４μｍ）を一定角度内で回転する１枚の反射
ミラーで反射させることにより、パルスＹＡＧレーザ光
の集光点を被覆線の絶縁被膜上で直線的に一定距離移動
させ、集光点の移動の長さだけ絶縁被膜を剥離するよう
にしている。

【０１００】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、被覆
線の巻き付け部の絶縁被膜を除去するための従来方法で
ある罫描処理および薬品処理は、作業が面倒で、時間と
手間がかかり、生産性が低いという問題がある。

【０１１０】一方、従来のレーザ式絶縁被膜除去方法は
いずれも、被覆線の直線的な端部の絶縁被膜を除去する
ためのもので、レーザ光を照射した部分の絶縁被膜を除
去することができても、レーザ光の照射を受けない部分
の絶縁被膜を有効に除去することはできない。たとえ
ば、図９に示すような被加工物１０において、被覆線１
４の巻き付け部２６，２８と端子２２，２９との間で良
好な半田接合ないし電気的接続を得るには、絶縁被膜除
去処理で被覆線巻き付け部２６，２８の内側面の絶縁被
膜を十分に除去する必要がある。しかるに、従来の方法
によれば、レーザ光の照射が実質上不可能な被覆線巻き
付け部２６，２８の内側面では絶縁被膜が除去されない
で残るため、良好な半田付けができないという問題があ
る。

【０１２０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、被覆線の巻き付け部から絶縁被膜を効率良く除
去でき、自動化と生産性および加工品質の向上に有利な
被覆線の絶縁被膜除去方法および装置を提供することを
目的とする。

【０１３０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のうちで請求項１記載の発明は、導体を絶
縁材で被覆してなる被覆線の巻き付け部から前記絶縁材
を少なくとも部分的に除去する被覆線の絶縁被膜除去方
法において、前記被覆線の巻き付け部の絶縁被膜を除去
すべき領域の少なくとも一部にパルスレーザ光をＸ−Ｙ
方向に走査させて照射するパルスレーザ光照射工程と、
前記パルスレーザ照射工程の終了後に、前記絶縁被膜を
除去すべき領域の少なくとも一部に連続波レーザ光をＸ
−Ｙ方向に走査させて照射する連続波レーザ光照射工程
とを含むことを特徴とする。

【０１４０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明の方法において、前記パルスレーザ光がＱスイ
ッチを用いて発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光
であることを特徴とする。

【０１５０】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の発明の方法において、前記被膜線の絶縁被
膜除去処理期間の少なくとも一部の期間を含む所定の期
間中に前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき領域の少なく
とも一部に所定の温度の熱風を吹き付ける熱風吹付け工
程を含むことを特徴とする。

【０１６０】請求項４記載の発明は、導体を絶縁材で被
覆してなる被覆線の巻き付け部から前記絶縁材を少なく
とも部分的に除去する被覆線の絶縁被膜除去装置におい
て、Ｑスイッチによるパルス発振出力のパルスレーザ光
と連続波のレーザ光とを切り換えて選択的に出力するレ
ーザ発振手段と、前記レーザ発振手段からのレーザ光を
入射させて、そのレーザ光を前記被覆線巻き付け部側に
向けて反射し、かつ前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき
領域の少なくとも一部に対して第１の方向に走査させる
第１の走査ミラー手段と、前記第１の走査ミラー手段か
らのレーザ光を入射させて、そのレーザ光を前記被覆線
の絶縁被膜を除去すべき領域の少なくとも一部に向けて
反射し、かつ前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき領域の
少なくとも一部に対して前記第１の方向とは直交する第
２の方向に走査させる第２の走査ミラー手段とを含むこ
とを特徴とする。

【０１７０】また、請求項５記載の発明は、請求項４記
載の発明の装置において、前記被覆線の絶縁被膜を除去
すべき領域の少なくとも一部に所定温度の熱風を吹き付
ける熱風供給手段をさらに有することを特徴とする。

【０１８０】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
一実施例を説明する。

【０１９０】本発明の絶縁被膜除去方法は、パルスレー
ザ光照射工程および連続波レーザ光照射工程の２段階の
工程からなる。第１段階のパルスレーザ光照射工程で
は、ピーク出力（尖頭値）の極めて高いＱスイッチ方式
のパルスレーザ光を用いてレーザエネルギーにより直接
的にレーザ光照射領域の絶縁被膜を除去する。そして、
第２段階の連続波レーザ光照射工程では、連続波レーザ
光を用いて熱伝導による加熱でレーザ光非照射領域の絶
縁被膜を除去する。

【０２００】本発明の絶縁被膜除去方法の具体例を図１
および図２を参照して説明する。図１に示す被処理対象
（被加工物）は、図９のソレノイド・コイル１０の被覆
線１４の巻き付け部２６である。

【０２１０】図１に示すように、本実施例においては、
被覆線巻き付け部２６の外側面の一部の領域（この例で
は上面部）に適当な面積（広がり）を有するレーザ光照
射領域３０を設定する。そして、第１段階のパルスレー
ザ光照射工程では尖頭値の高いＱスイッチ方式のパルス
レーザ光ＬＢQPを該レーザ光照射領域３０にスキャン照
射してレーザ光照射部分付近の絶縁被膜１４ｂをレーザ
エネルギーで直接破壊して剥離する。次に、第２段階の
連続波レーザ光照射工程では、連続波レーザ光ＬＢCWを
該レーザ光照射領域３０に所定時間持続的にスキャン照
射して導体１４ａを介してレーザ光照射領域３０の周囲
のレーザ光非照射領域へ熱を伝えてその領域の絶縁被膜
１４ｂまでも加熱で剥離するようにしている。

【０２２０】このように、本実施例では、レーザ光ＬＢ
QP，ＬＢCWをレーザ光照射領域３０に対してＸ−Ｙ方向
に走査させている。したがって、相当の広がりを有する
レーザ光照射領域３０をスキャン照射するため、被覆線
巻き付け部２６（２８）の位置合わせに多少の誤差があ
っても、被覆線巻き付け部２６（２８）の外側面の相当
の部分にレーザ光ＬＢQP，ＬＢCWを照射することが可能
であり、安定確実に絶縁被膜除去処理を行うことができ
る。

【０２３０】ここで、図２につき、本実施例におけるレ
ーザ光照射工程の作用をより詳しく説明する。

【０２４０】図２の(A) に示すように、第１段階のパル
スレーザ光照射工程では、Ｑスイッチを用いてパルス発
振出力させた尖頭値の高いパルスレーザ光ＬＢQPを、被
覆線巻き付け部２６のレーザ光照射領域３０にＸ−Ｙ方
向でスキャン照射する。このスキャン照射は、通常は１
回で足りるが、絶縁被膜１４ｂの材質や膜厚およびレー
ザ出力、パルス周期等に応じて複数回繰り返されてもよ
い。この結果、パルスレーザ光ＬＢQPが入射した部分３
２では、絶縁被膜１４ｂがレーザ・エネルギーにより直
接破壊されて剥がれ、導体１４ａが露出する。

【０２５０】このように、被覆線１４の巻き付け部２６
に対するパルスレーザ光ＬＢQPのスキャン照射は、巻き
付け部２６の導体１４ａを露出させる罫描きの作用があ
る。

【０２６０】この例では、線径０．５ｍｍφのエナメル
線からなる被覆線１４を１ｍｍ角の端子２２に巻き付け
た被覆線巻き付け部２６に対して、Ｘ方向の長さ２ｍ
ｍ、Ｙ方向の長さ１．５ｍｍのレーザ光照射領域３０を
設定し、平均出力５Ｗ、繰返し周波数２ｋＨｚのＱスイ
ッチパルスレーザ光ＬＢQPを走査速度を７５ｍｍ／ｓで
照射した。

【０２７０】次に、図２の(A) に示すように、第２段階
の連続波レーザ光照射工程では、連続波レーザ光ＬＢCW
を被覆線巻き付け部２６のレーザ光照射領域３０にスキ
ャン照射させる。このスキャン照射は、連続波レーザ光
ＬＢCWをＸ−Ｙ方向に走査することで行われる。このス
キャン照射では、連続波レーザ光ＬＢCWがレーザ光照射
領域３０に継続的に照射されることにより、被覆線巻き
付け部２６においてレーザ・エネルギーの熱が導体１４
ａを伝わってレーザ光照射領域３０の周囲または裏側の
レーザ光非照射領域３４に回り、レーザ光非照射領域３
４でも絶縁被膜１４ｂが熱で剥がれ、導体１４ａが露出
する。

【０２８０】この例では、連続波レーザ光ＬＢCWのレー
ザ出力を１７Ｗ、走査速度を７５ｍｍ／ｓとした。

【０２９０】このようにして、被覆線巻き付け部２６の
レーザ光照射領域３０およびその周囲のレーザ光非照射
領域３４から絶縁被膜１４ｂを剥離する。他方の被覆線
巻き付け部２８についても、上記と同様の処理を施すこ
とで、絶縁被膜１４ｂを除去する。

【０３００】上記のような絶縁被膜除去処理を終了した
後に、両被覆線巻き付け部２６，２８をフラックス槽お
よび半田槽に順次浸漬する。半田漕から引き上げると、
両被覆線巻き付け部２６，２８の露出した導体１４ａ，
１４ａと端子２４，２６との間に半田が覆い被さるよう
にして接合し、半田付けが出来上がる。

【０３１０】本実施例の絶縁被膜除去方法によれば、被
覆線巻き付け部２６においてレーザ光ＬＢQP，ＬＢCWが
照射されない内側領域（端子２２の外周面と対向する領
域）でも絶縁被膜１４ｂが効果的に除去されて導体１４
ａが露出するため、半田付け工程において被覆線巻き付
け部２６，２８を半田槽に浸漬した際に巻き付け部２６
の内側領域の露出導体１４ａと端子２４，２６との間に
相当な量の半田が付着し、良好な半田接合が得られる。

【０３２０】本実施例における被覆線の絶縁被膜除去処
理において、上記したようなレーザ光ＬＢQP，ＬＢCWの
スキャン照射と併せて熱風の吹き付けを行うと、絶縁被
膜の除去効果が一層高められる。たとえば絶縁被膜除去
工程の始めから、図３に示すように、被覆線巻き付け部
２６（２８）のレーザ光照射領域３０付近に熱風３６を
吹き付けると、被覆線巻き付け部２６（２８）における
熱引きが少なくなり、軟化または溶解した絶縁被膜１４
ｂの剥離が促進され、一層効果的に絶縁被膜１４ｂが除
去される。

【０３３０】本実施例における熱風の吹き付けは、絶縁
被膜を熱分解させるには至らず、軟化させる程度に止め
るのが肝要である。絶縁被膜が熱分解すると、有機化合
物が炭化したりして、却って除去し難くなるからであ
る。絶縁被膜が熱分解する温度は被膜の組成によって異
なるが、安全を見て熱風の温度を５０゜Ｃ〜１５０゜に
選ぶのが望ましい。

【０３４０】熱風は、絶縁被覆除去作業の全期間に亘っ
て吹き付けるのが好ましいが、作業期間中の一部の期間
に吹き付けても効果がある。また、熱風の吹き付けをパ
ルスレーザ光ＬＢQPのスキャン照射工程の前から開始し
て、被覆線巻き付け部２６（２８）を予熱しておくと、
温風効果を一層高めることができる。

【０３５０】以上説明したように、本実施例による絶縁
被膜除去方法によれば、被覆線巻き付け部２６（２８）
に対して一方向からレーザ光ＬＢQP，ＬＢCWを照射すれ
ばよく、処理時間は短く、人手による作業は不要であ
り、自動化を容易に実現することができる。

【０３６０】次に、本発明の一実施例による絶縁被膜除
去装置について説明する。

【０３７０】図４に、この実施例による絶縁被膜除去装
置の外観を示す。この絶縁被膜除去装置は、制御ユニッ
ト４０とレーザ発振ユニット４２とスキャニングユニッ
ト４４と熱風供給ユニット６１とから構成される。

【０３８０】制御ユニット４０において、上部室４６に
は制御用ディスプレイ４８が取り付けられ、中間室（前
扉５０の奥）には制御基板が内蔵され、下部室（前扉５
２の奥）にはレーザ電源回路やレーザ冷却装置等が内蔵
されている。レーザ発振ユニット４２内には、後述する
ようなＱスイッチ方式のパルスレーザ光ＬＢQPと連続発
振レーザ光ＬＢCWとを切り換えて選択的に出力できるＹ
ＡＧレーザ発振器が設けられている。スキャニングユニ
ット４４内には、後述するような光学スキャニング機構
およびスキャニング駆動部が設けられている。熱風供給
ユニット６１はスキャニングユニット４４の側方に配置
され、ノズル６３の熱風吐出口を加工位置に向けてい
る。

【０３９０】スキャニングユニット４４の下には作業台
５４が配置されている。ワーク（ソレノイド・コイル）
１０は、図示しない搬送装置により搬送されてきて、ス
キャニングユニット４４のほぼ真下の作業台５４上の所
定位置で位置合わせされる。

【０４００】図５に、本絶縁被膜除去装置の内部の要部
の構成を示す。この絶縁被膜除去装置において、ＹＡＧ
ロッド６０、励起ランプ６２、光共振器ミラー６４，６
６、Ｑスイッチ６８は、ＹＡＧレーザ発振器を構成して
いる。電源回路７２、制御部７４、設定部７６、Ｑスイ
ッチ駆動回路７８およびインタフェース回路７９は、制
御ユニット４０内に設けられ、ＹＡＧレーザ電源／制御
部を構成している。

【０４１０】熱風供給ユニット６１は、ブロア６７，ヒ
ータ６５およびノズル６３を有し、ブロア６７で空気流
を生成し、ヒータ６５で該空気流を加熱し、高温の空気
流をノズル６３より熱風として 被加工物１０の被処理
部（２６，２８）に吹き付けるようになっている。制御
部７４は、ブロア６７、ヒータ６５を制御して、熱風の
風量と風温を制御する。

【０４２０】本絶縁被膜除去装置において、ＹＡＧレー
ザ光を発振出力するときは、制御部７４の制御の下で電
源回路７２が電流を励起ランプ６２に供給し、励起ラン
プ６２が連続発光する。ＹＡＧロッド６０は、励起ラン
プ６２からの連続光を励起エネルギとして受け取ってロ
ッド端面より軸方向に連続的にレーザ光を出す。

【０４３０】制御部７４は、マイクロコンピュータから
なり、所定のソフトウェアにしたがって動作して、装置
内の各部を制御する。Ｑスイッチ６８には、たとえば超
音波によるブラック回析を利用する音響光学Ｑスイッチ
を用いてよい。

【０４４０】制御部７４の制御の下で、Ｑスイッチ駆動
回路７８より一定周波数を有するパルス状の変調信号で
変調された高周波電気信号ＥＳがＱスイッチ６８に供給
されることにより、図７に示すように、変調周波数に等
しい繰返し周波数（周期ＴS）で尖頭出力ＰM の高いＱ
スイッチパルスレーザ光ＬＢQPが光共振器の出力ミラー
６６より出力される。なお、Ｑスイッチパルスレーザ光
ＬＢQPの繰返し周波数（周期ＴS ）は、設定部７６によ
り所望の値に設定することができる。

【０４５０】制御部７４の制御の下で、Ｑスイッチ駆動
回路７８の動作を止め、高周波電気信号ＥＳを停止する
と、Ｑスイッチ駆動回路７８はオフ状態となり、図８に
示すようなレーザ出力Ｐm の連続波レーザ光ＬＢCWが光
共振器の出力ミラー６６より出力される。連続波レーザ
光ＬＢCWのレーザ出力Ｐm は設定部７６により所望の値
に設定することができる。

【０４６０】図６に、スキャニングユニット４４内の光
学スキャニング機構およびスキャニング駆動部の構成例
を示す。光学的スキャニング機構は、互いに直交した回
転軸を有するＸ軸回転ミラー９０およびＹ軸回転ミラー
９２から構成されている。スキャニング駆動部は、Ｘ軸
回転ミラー９０およびＹ軸回転ミラー９２の回転軸にそ
れぞれ連結されたＸ軸ガルバノメータ・スキャナ９４お
よびＹ軸ガルバノメータ・スキャナ９６から構成されて
いる。

【０４７０】レーザ発振ユニット４２からの平行光のレ
ーザ光ＬＢ（ＬＢQP，ＬＢCW）は、先ずＸ軸回転ミラー
９０に入射して、そこで全反射してからＹ軸回転ミラー
９２に入射し、このミラー９２で全反射してのちｆθレ
ンズ１００を通って被加工物（ソレノイド・コイル１
０）の加工点（被膜線巻き付け部２６，２８のスキャン
照射領域３０）に集光照射する。スキャン照射領域３０
上のレーザスポットの位置は、Ｘ方向においてはＸ軸回
転ミラー９０の振れ角によって決まり、Ｙ方向において
はＹ軸回転ミラー９２の振れ角によって決まる。

【０４８０】Ｘ軸回転ミラー９０は、Ｘ軸ガルバノメー
タ・スキャナ９４によって矢印Ａ，Ａ’方向に回転振動
する。一方、Ｙ軸回転ミラー９２は、Ｙ軸ガルバノメー
タ・スキャナ９６によって矢印Ｂ，Ｂ’方向に回転振動
する。両スキャナ９４，９６には、制御ユニット４０内
の制御部７４よりインタフェース回路７９および電気ケ
ーブル１０６，１０８を介してＸ方向およびＹ方向スキ
ャニング制御信号がそれぞれ供給される。

【０４９０】したがって、レーザ発振ユニット４２より
レーザ光ＬＢがスキャニングユニット４４内に所定のタ
イミングで入ってくる度毎に、それと同期して両スキャ
ナ９４，９６がＸ方向およびＹ方向スキャニング制御信
号に応じてＸ軸およびＹ軸回転ミラー９０，９２をそれ
ぞれ所定の角度で振ることにより、レーザ光ＬＢのビー
ムスポットが被加工物１０のレーザ光照射領域３０内で
スキャンされる。

【０５００】上記した実施例の絶縁被膜除去装置を使用
すると、１台のレーザ装置でＱスイッチ方式のパルスレ
ーザ光ＬＢQPと連続発振レーザ光ＬＢCWとを切り換えて
発生できるため、装置全体のサイズ、コスト、スペース
等で大きな利点があり、被覆線の絶縁被膜除去処理をＱ
スイッチの操作のみで連続操業できるという利点もあ
る。もっとも、本発明による被覆線の絶縁被膜除去方法
は、パルスレーザ装置と連続波レーザ装置の２台を使用
しても実施できることはもちろんである。

【０５１０】上記実施例における被加工物（ソレノイド
・コイル）１０および被覆線巻き付け部２６，２８の構
成は一例にすぎず、本発明は種々の形状の被加工物、種
々の型の被覆線および種々の形態の被覆線巻き付け部に
適用可能である。

【０５２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による被覆
線の絶縁被膜除去方法または装置によれば、レーザ光の
スキャン照射により被覆線の巻き付け部から絶縁被膜を
効率良く除去することが可能であり、自動化と生産性お
よび加工品質の向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による被膜線の絶縁被覆除去
方法を説明するための略平面図である。

【図２】実施例におけるパルスレーザ光照射工程を説明
するための一部断面側面図である。

【図３】実施例における連続波レーザ光照射工程を説明
するための一部断面側面図である。

【図４】実施例における絶縁被覆除去装置の外観を示す
斜視図である。

【図５】実施例における絶縁被覆除去装置の要部の構成
を示すブロック図である。

【図６】実施例の絶縁被覆除去装置のスキャニングユニ
ットの内部の構成を示す斜視図である。

【図７】実施例の絶縁被膜除去装置で得られるＱスイッ
チパルスレーザ光のレーザ出力波形を示す図である。

【図８】実施例の絶縁被膜除去装置で得られる連続波レ
ーザ光のレーザ出力波形を示す図である。

【図９】実施例における絶縁被覆除去処理を受ける被加
工物（ソレノイド・コイル）を示す図である。

【符号の説明】

１０ 被加工物（ソレノイド・コイル） １４ 被膜線 １４ａ 導体 １４ｂ 絶縁被膜 ２２ 端子 ２６，２８ 被膜線巻き付け部 ３０ レーザ光照射領域 ４４ スキャニングユニット ６０ ＹＡＧロッド ６１ 熱風供給ユニット ６３ ノズル ６４，６６ 光共振器ミラー ６８ Ｑスイッチ ７４ 制御部 ７８ Ｑスイッチ駆動回路 ９０ Ｘ軸回転ミラー ９２ Ｙ軸回転ミラー ９４ Ｘ軸ガルバノメータ・スキャナ ９６ Ｙ軸ガルバノメータ・スキャナ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体を絶縁材で被覆してなる被覆線の巻
   き付け部から前記絶縁材を少なくとも部分的に除去する
   被覆線の絶縁被膜除去方法において、 前記被覆線の巻き付け部の絶縁被膜を除去すべき領域の
   少なくとも一部にパルスレーザ光をＸ−Ｙ方向に走査さ
   せて照射するパルスレーザ光照射工程と、 前記パルスレーザ照射工程の終了後に、前記絶縁被膜を
   除去すべき領域の少なくとも一部に連続波レーザ光をＸ
   −Ｙ方向に走査させて照射する連続波レーザ光照射工程
   とを含むことを特徴とする被覆線の絶縁被膜除去方法。
2. 【請求項２】 前記パルスレーザ光がＱスイッチを用い
   て発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光であること
   を特徴とする請求項１に記載の被覆線の絶縁被膜除去方
   法。
3. 【請求項３】 前記被膜線の絶縁被膜除去処理期間の少
   なくとも一部の期間を含む所定の期間中に前記被覆線の
   絶縁被膜を除去すべき領域の少なくとも一部に所定温度
   の熱風を吹き付ける熱風吹付け工程を含むことを特徴と
   する請求項１または２に記載の被覆線の絶縁被膜除去方
   法。
4. 【請求項４】 導体を絶縁材で被覆してなる被覆線の巻
   き付け部から前記絶縁材を少なくとも部分的に除去する
   被覆線の絶縁被膜除去装置において、 Ｑスイッチによるパルス発振出力のパルスレーザ光と連
   続波のレーザ光とを切り換えて選択的に出力するレーザ
   発振手段と、 前記レーザ発振手段からのレーザ光を入射させて、その
   レーザ光を前記被覆線巻き付け部側に向けて反射し、か
   つ前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき領域の少なくとも
   一部に対して第１の方向に走査させる第１の走査ミラー
   手段と、 前記第１の走査ミラー手段からのレーザ光を入射させ
   て、そのレーザ光を前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき
   領域の少なくとも一部に向けて反射し、かつ前記被覆線
   の絶縁被膜を除去すべき領域の少なくとも一部に対して
   前記第１の方向とは直交する第２の方向に走査させる第
   ２の走査ミラー手段とを含むことを特徴とする被覆線の
   絶縁被膜除去装置。
5. 【請求項５】 前記被覆線の絶縁被膜を除去すべき領域
   の少なくとも一部に所定温度の熱風を吹き付ける熱風供
   給手段をさらに有することを特徴とする請求項４に記載
   の被覆線の絶縁被膜除去装置。