JPH09176064A - 光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方法 - Google Patents

光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方法

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JPH09176064A
JPH09176064A JP7343199A JP34319995A JPH09176064A JP H09176064 A JPH09176064 A JP H09176064A JP 7343199 A JP7343199 A JP 7343199A JP 34319995 A JP34319995 A JP 34319995A JP H09176064 A JPH09176064 A JP H09176064A
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 ベンゾフェノン化合物（１）を遷移金属
錯体、塩基及び光学活性ジアミン化合物からなる不斉水
素化触媒の存在下に水素化するベンズヒドロール化合物
（２）の製造方法。 【化１】 （Ｒ1 〜Ｒ10は例えばＨ、ＯＨ、Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル
基、Ｃ1 〜Ｃ4 のアルコキシ基、Ｃ1 〜Ｃ4 のアルカノ
イル基を示し、Ｒ2 とＲ3 及びＲ8 とＲ9 は基−ＣＨ＝
ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−を形成してもよく、Ｒ1 〜Ｒ9 の隣
あうものが結合して基−ＯＣＨ2Ｏ−又は基−（ＣＨ2）
−を形成してもよい） 【効果】 簡単な操作で、医薬合成中間体等として有用
な光学活性ベンズヒドロール化合物を高純度で製造する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学活性ベンズヒ
ドロール化合物の製造方法に関し、より詳細には医薬品
の合成中間体や液晶材料等の各種用途において有用な、
光学活性ベンズヒドロール化合物の実用性に優れた新規
な製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光学活性アルコール類を合成
する方法としては、１）パン酵母などの酵素を用いる方
法や、２）金属錯体を用いてカルボニル化合物を不斉水
素化する方法などが知られている。特に、後者の不斉水
素化方法については以下のように多くの方法が提案され
ている。例えば、「（１）Asymmetric Catalysis In Or
ganic Synthesis, ５６ー８２頁（１９９４）Ed. R. No
yori」に詳細に記載されている光学活性ルテニウム触媒
による官能基を有するカルボニル化合物の不斉水素化方
法、（２）「Chem. Rev., Vol. ９２, １０５１ー１０
６９頁（１９９２）」に記載されているルテニウム、ロ
ジウム、イリジウムの不斉錯体触媒による水素移動型還
元反応、（３）「油化学,８２８ー８３１頁（１９８
０）及び Advances in Catalysis, Vol. ３２,２１５頁
（１９８３） Ed. Y. Izumi 」に記載されている酒石酸
を修飾したニッケル触媒を用いて不斉水素化する方法、
（４）「Asymmetric Synthesis, Vol.５, Chap.４（１
９８５）Ed. J. D. Morrison」及び「 J. Organomet. C
hem., Vol.３４６,４１３ー４２４頁（１９８８）」に
記載されている不斉ヒドロシリル化による方法、（５）
「J. Chem. Soc., Perkin Trans. I, ２０３９ー２０４
４頁（１９８５）」及び「J. Am. Chem. Soc., Vol.
１０９,５５５１ー５５５３頁（１９８７）」に記載さ
れている不斉配位子の存在下にボラン還元する方法、
（６）「J. Am. Chem. Soc., Vol. １１７,２６７５ー
２６７６頁（１９９５）」に記載されている水酸化カリ
ウム、光学活性ジアミン、ルテニウムの不斉錯体触媒に
よるアセトフェノン類を不斉水素化する方法が知られて
いる。
【０００３】しかしながら、上記光学活性アルコールの
合成方法のうち、酵素を用いる合成方法は操作が繁雑
で、反応基質の種類に制約があり、しかも、得られるア
ルコール類の絶対配置も特定のものに限られるという難
点がある。また、遷移金属の不斉水素化触媒を用いる合
成方法の場合には、反応速度の点で難点があったり、し
かも意外に、比較的単純なカルボニル化合物に対しては
有効でないというような基質特異性を考慮しなければな
らない。
【０００４】また、カルボニル化合物の不斉水素化にお
ける様々な遷移金属触媒が報告されているにもかかわら
ず、これらの触媒は、一般にカルボニル化合物の不斉水
素化反応においては、反応基質がアセトフェノン誘導体
のような、芳香環基と脂肪族基を持つケトン類である場
合には比較的良好であるが、反応基質が芳香環基を２つ
持つケトン類である場合には水素化自体が起こりにくい
ことが知られている。
【０００５】一方、医薬品の合成中間体や液晶材料等の
各種用途において有用なベンズヒドロール化合物の製造
法として、ベンゾフェノン化合物を遷移金属触媒を用い
て水素化する方法が考えられるが、これは上述のような
ケースに相当し良好な結果が得られるものではなかっ
た。
【０００６】特に、医薬の分野のように、特定の絶対配
置のものだけが医薬として有用であるような場合には、
たとえ水素化はうまく行われたとしても、得られたもの
が光学活性体でなければ利用できず、これら特定のケト
ン類には上記方法の応用は期待できるものではなかっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、簡便な操作でベンゾフェノン化合物を不斉水素化
し、所望する絶対配置の光学活性ベンズヒドロール化合
物を高い光学純度で得ることのできる新規な製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような実情におい
て、本発明者らは鋭意研究を行った結果、遷移金属錯
体、塩基及び光学活性アミン化合物からなる不斉水素化
触媒の存在下に、ベンゾフェノン化合物を水素化するこ
とにより、上記目的が達成できることを見出し、本発明
を完成した。
【０００９】すなわち、本発明は、次の一般式（１）
【００１０】
【化１０】
【００１１】（式中、Ｒ1 、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ10はそれ
ぞれ同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、ヒド
ロキシ基、炭素数１〜４個の低級アルキル基、炭素数１
〜４個の低級アルコキシ基又は炭素数１〜５個の低級ア
ルカノイル基を示し、Ｒ2 、Ｒ 3 、Ｒ4 、Ｒ7 、Ｒ8 及
びＲ9 はそれぞれ同一又は異なって水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４個の低級アルキル
基、炭素数１〜４個の低級アルコキシ基、炭素数１〜５
個の低級アルカノイル基、アミノ基、又は低級アルキル
基、低級アルカノイル基若しくは低級アルコキシカルボ
ニル基により置換されたアミノ基を示し、Ｒ2 とＲ3 及
びＲ8 とＲ9 はそれぞれともに結合して基−ＣＨ＝ＣＨ
−ＣＨ＝ＣＨ−を形成してもよく、Ｒ1 〜Ｒ9 の隣あう
ものがともに結合して基−ＯＣＨ2Ｏ−又は基−（Ｃ
Ｈ2）3−を形成してもよい）で表わされるベンゾフェノ
ン化合物を遷移金属錯体、塩基及び光学活性ジアミン化
合物からなる不斉水素化触媒の存在下に水素化すること
を特徴とする次の一般式（２）
【００１２】
【化１１】
【００１３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 及びＲ10は前記と同様の意味を
示し、＊は不斉炭素の位置を示す）で表わされる光学活
性ベンズヒドロール化合物の製造方法を提供するもので
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】反応基質である上記ベンゾフェノ
ン化合物（１）において、Ｒ1 、Ｒ5 、Ｒ6及びＲ10の
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ塩素及び臭素が好ましく、塩素がさらに好まし
い。炭素数１〜４個の低級アルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、
特にメチル基が好ましい。炭素数１〜４個の低級アルコ
キシ基しとては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオ
キシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、
イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基が挙げ
られ、特にメトキシ基が好ましい。炭素数１〜５個の低
級アルカノイル基としては、ホルミル基、アセチル基、
エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロ
ピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカ
ルボニル基、ピバロイル基が挙げられ、アセチル基、ピ
バロイル基が好ましい。
【００１５】Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 の
ハロゲン原子、炭素数１〜４個の低級アルキル基、炭素
数１〜４個の低級アルコキシ基、炭素数１〜５個の低級
アルカノイル基、アミノ基の置換基である低級アルキル
基及び低級アルカノイル基としては、上記と同様の基が
挙げられ、上記と同様のものが好ましい。アミノ基の置
換基である低級アルコキシカルボニル基としては炭素数
１〜４個の低級アルコキシカルボニル基が挙げられ、具
体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、イソプロピルオキシカル
ボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基が挙げら
れ、特にｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基が好まし
い。また、置換されたアミノ基としては、置換基が１つ
置換したモノ置換アミノ基と、置換基が２つ置換したジ
置換アミノ基が挙げられるが、前者の方が好ましい。
【００１６】本発明における出発化合物であるベンゾフ
ェノン化合物（１）としては次の表１に示すものが挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。なお、以
下において、Ｍｅはメチル基を示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】ベンゾフェノン化合物（１）としては、フ
ェニル基の２位にハロゲン原子又は炭素数１〜４個の低
級アルキル基が置換したものが好ましく、さらには塩素
原子又はメチル基が置換したものが好ましい。
【００１９】なお、ベンゾフェノン化合物（１）は、
「D. A. Walsh, シンセシス(Synthesis)1980, P677」に
記載の合成方法又はそれに準じる方法により合成するこ
とができる。
【００２０】本発明で用いる遷移金属錯体として具体的
には、周期表第８族の遷移金属の錯体、さらに具体的に
はルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白
金等の錯体が挙げられ、このうち特にルテニウム錯体が
好ましい。ルテニウム錯体としては、例えば次の式
（３）〜（６）で示すものが挙げられる。
【００２１】
【化１２】
【００２２】（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌは光
学活性ホスフィン配位子を示し、Ａは３級アミンを示
す）
【００２３】
【化１３】
【００２４】（式中、Ｘ及びＬは前記と同じ意味を示
し、Ｅは置換基を有していてもよいベンゼン又はｐ−サ
イメンを示す）
【００２５】
【化１４】
【００２６】（式中、Ｌは前記と同じ意味を示し、Ｇは
ハロゲン原子又はアセトキシを示す）
【００２７】
【化１５】
【００２８】（式中、Ｘ及びＬは前記と同じ意味を示
し、Ｊ- はＢＦ4 -、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -又はＢＰｈ4 -（Ｐ
ｈはフェニル基を示す）を示す）
【００２９】上記錯体中のハロゲン原子としてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、このうち塩素、臭
素、ヨウ素が好ましく、特に塩素が好ましい。３級アミ
ンとしてはトリ低級アルキルアミン、具体的にはトリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等
が挙げられ、トリエチルアミンが好ましい。また、置換
基を有していてもよいベンゼンの置換基としては、炭素
数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子が挙げ
られ、特に炭素数１〜４の低級アルキル基が好ましい。
置換基を有するベンゼンの具体例としては、トルエン、
キシレン、トリメチルベンゼン（特にメシチレン）、ジ
ュレン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、ｔｅ
ｒｔ−ブチルベンゼン、シメン（特にｐ−シメン）、ク
メン、安息香酸メチル、メチル安息香酸メチル、クロロ
安息香酸メチル、アニソール、メチルアニソール、クロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、
ブロモベンゼン、フルオロベンゼン等が挙げられる。
【００３０】錯体（３）〜（６）としては、次のものが
例示される。 錯体（３）：［Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｌ）2］ＮＥｔ3、［Ｒｕ2
Ｂｒ4（Ｌ）2］ＮＥｔ3、［Ｒｕ2Ｉ4（Ｌ）2］ＮＥｔ3 錯体（４）：［ＲｕＩ（ｐ−サイメン）（Ｌ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ｐ−サイメン）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ
（ｐ−サイメン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ベンゼン）
（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（Ｌ）］Ｃｌ、
［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（トル
エン）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（キシレン）（Ｌ）］Ｃ
ｌ、［ＲｕＢｒ（メシチレン）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ
（ヘキサメチルベンゼン）（Ｌ）］Ｉ 錯体（５）：［ＲｕＢｒ2（Ｌ）］、［Ｒｕ（ＯＡｃ）2
（Ｌ）］（Ａｃはアセチル基を示す） 錯体（６）：［ＲｕＣｌ（Ｌ）］+ＢＦ4 - 、［ＲｕＣｌ
（Ｌ）］+ＣｌＯ4−、［ＲｕＣｌ（Ｌ）］+ＰＦ6 -、
［ＲｕＣｌ（Ｌ）］+ＢＰｈ4 -
【００３１】上記錯体（３）〜（６）の中で、錯体
（３）、（４）が好ましく、特に錯体（３）が好まし
い。
【００３２】また、上記錯体においてＬは光学活性ホス
フィン配位子を示すが、具体的には次の一般式（７）又
は（８）で表わされる化合物が挙げられる。
【００３３】
【化１６】
【００３４】（式中、Ｒ12は炭素数１〜４個の低級アル
キル基を示し、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ 16、Ｒ17及びＲ18
はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１〜４
個の低級アルキル基、炭素数１〜４個の低級アルコキシ
基、ハロゲン原子を示し、又はＲ14とＲ15、Ｒ16とＲ17
はそれぞれ結合して環を形成してもよい）
【００３５】
【化１７】
【００３６】（式中、Ｒ19は水素原子又は炭素数１〜４
個の低級アルキル基を示す） 上記配位子（７）及び（８）において、Ｒ12〜Ｒ19の炭
素数１〜４個の低級アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、特にメ
チル基が好ましい。置換基である炭素数１〜４個の低級
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキ
シ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基
が挙げられ、特にメトキシ基が好ましい。置換基である
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ特に塩素及び臭素が好ましい。
【００３７】配位子（７）において、Ｒ14とＲ15、Ｒ16
とＲ17はそれぞれ結合して環を形成してもよく、例えば
基−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、基−（ＣＨ2）4−等で
６員環を形成してもよい。
【００３８】配位子（７）として具体的には、次の一般
式（９）、（１０）で表わされる光学活性ホスフィン配
位子が挙げられる。
【００３９】
【化１８】
【００４０】（式中、Ｒ12は前記と同様の意味を示し、
Ｒ20及びＲ21はそれぞれ水素原子又はメチル基を示し、
又はＲ20及びＲ21はともに結合して基−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−を形成してもよい）
【００４１】
【化１９】
【００４２】（式中、Ｒ12は前記と同様の意味を示す）
【００４３】以上のような光学活性ホスフィン配位子の
リン原子に結合する置換フェニルの置換基の位置に関し
ては、配位子（７）、（９）、（１０）の基−Ｒ12のよ
うに、メタ位に置換するものが好ましく、この位置の選
択によって光学純度（％ee）が良好な目的化合物を得る
ことができる。
【００４４】また、光学活性ホスフィン配位子として
は、配位子（９）のようなビナフチル骨格のものと、配
位子（８）のようにオクタヒドロビナフチル骨格のもの
が挙げられるが、ビナフチル骨格のものが好ましく、こ
れを用いることによって反応転化率及び光学純度（％e
e）が良好な目的化合物を得ることができる。従って、
光学活性ホスフィン配位子としてはメタ位に置換基を有
するフェニル基及びビナフチル骨格を持つものが最も好
ましい。
【００４５】上記配位子（７）〜（１０）は公知の方法
により合成することができる。例えばＲ14とＲ15、Ｒ16
とＲ17が環を形成しないビフェニル型の光学活性配位子
（７）に関しては、特開昭５９−６５０５１号公報に記
載されているように、次の反応式に従って反応させ、光
学分割することにより得ることができる。
【００４６】
【化２０】
【００４７】（式中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、
Ｒ17及びＲ18は前記と同様の意味を示し、Ｄは離脱性基
を示す） すなわち、２，２’−リチウム−１，１’−ビフェニル
化合物（１１）をジ（３，５−ジ置換フェニル）ホスフ
ィン化合物（１２）と反応させ、得られた化合物を光学
分割することにより配位子（７）を得ることができる。
【００４８】配位子（８）及び配位子（１０）に関して
は特開平４−１３９１４０号公報に記載されるように、
例えば次の反応式に従って合成することができる。
【００４９】
【化２１】
【００５０】（式中、Ｒ19は前記と同様の意味を示し、
Ｘ1及びＸ2はそれぞれハロゲン原子を示す）
【００５１】すなわち、２，２’−ハロゲノ−１，１’
−ビナフチル（１３）をルテニウム−炭素触媒の存在下
に水素化して２，２’−ハロゲノ−５，５’，６，
６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−
ビナフチル（１４）とした後、金属マグネシウムと反応
させてグリニヤール試薬（１５）とし、これにジフェニ
ルホスフィノハライド化合物（１６）又は（１７）を縮
合させ得られた化合物を光学分割することにより、配位
子（８）又は（１０）を得ることができる。
【００５２】以上のように光学活性ホスフィン配位子と
しては、配位子（７）又は（８）が好ましく、特に配位
子（７）のうちの配位子（９）が好ましく、次いで配位
子（８）及び配位子（７）のうちの配位子（１０）が好
ましい。
【００５３】配位子（７）としてはＲ14とＲ15、Ｒ16と
Ｒ17が環を形成しないビフェニル型の配位子と、環を形
成した配位子に大別されるが、環を形成した配位子が好
ましい。この環を形成した配位子としては、配位子
（９）及び（１０）が挙げられ、特に配位子（９）が好
ましい。
【００５４】配位子（７）においてＲ14とＲ15、Ｒ16と
Ｒ17が環を形成しないビフェニル型の配位子（７）とし
て具体的には、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチル
フェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、５，
５’−ジメチル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチ
ルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、
４，４’−ジメチル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジ
メチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル
等が挙げられる。
【００５５】配位子（７）においてＲ14とＲ15、Ｒ16と
Ｒ17が環を形成した配位子（９）としては、２，２’−
ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−
１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）等の２，
２’−ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキルフェニル）ホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル；７，７’−ジメチ
ル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）
ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル等の７，７’−ジ
メチル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキル
フェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル；８，
８’−ジメチル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチ
ルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル等の
８，８’−ジメチル−２，２’−ビス（ジ（３，５−ジ
低級アルキルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナ
フチル；３，３’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニ
ル）ホスフィノ）−４，４’−ビフェナントリル等の
３，３’−ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキルフェニ
ル）ホスフィノ）−４，４’−ビフェナントリルが挙げ
られ、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキルフ
ェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチルが好まし
く、この中でも特に２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメ
チルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）が好ましい。なお、ここに言う低
級アルキルとは、炭素数１〜４個の低級アルキル基を示
すものである。
【００５６】配位子（８）、及び配位子（７）において
Ｒ14とＲ15、Ｒ16とＲ17が環を形成する配位子（１０）
としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒド
ロ−１，１’−ビナフチル（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）、
２，２’−ビス（ジ（ｐ−トリル）ホスフィノ）−５，
５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−
１，１’−ビナフチル（ＯｃＨ−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ）
及び２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）
ホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，
８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル（ＯｃＨ−
ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）等の２，２’−ビス（ジ（３，５−
ジ低級アルキルフェニル）ホスフィノ）−５，５’，
６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，
１’−ビナフチルなどが挙げられ、このうちＯｃＨ−Ｂ
ＩＮＡＰ及び２，２’−ビス（ジ（３，５−ジ低級アル
キルフェニル）ホスフィノ）−５，５’，６，６’，
７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフ
チルが好ましい。なお、ここに言う低級アルキルとは炭
素数１〜４個の低級アルキル基を示すものである。
【００５７】これらの配位子にはおのおの（Ｒ）−体と
（Ｓ）−体が存在するが、目的に応じて適宜選択するこ
とができる。また、以下に示すような前記以外の光学活
性ホスフィン配位子も使用することが可能である。
【００５８】２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）
−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビ
ス（ジ（ｐ−トリル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフ
チル（Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジシク
ロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，
１’−ビナフチル（ＢＩＣＨＥＰ）、１−（１，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル）エチルジア
ミン（ＢＰＰＦＡ）、２，３−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ブタン（ＣＨＩＲＡＨＯＳ）、１−シクロヘキシ
ル−１，２−ビス（ジフェニル）エタン（ＣＹＣＰＨＯ
Ｓ）、１−置換−３，４−ビス（ジフェニル）ピロリジ
ン（ＤＥＧＰＨＯＳ）、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ｏ−イソ
プロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス
（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＤＩＯＰ）、（Ｒ，
Ｒ）−１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニル）フェニ
ルホスフィノ］エタン（ＤＩＰＡＭＰ）、置換−１，２
−ビス（ホスホラノ）ベンゼン（ＤＵＰＨＯＳ）、
（Ｒ，Ｒ）−５，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
２−ノルボルネン（ＮＯＲＰＨＯＳ）、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［（Ｒ）−
１−フェニルエチル］エチレンジアミン（ＰＮＮＰ）、
（Ｓ）−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパ
ン（ＰＲＯＰＨＯＳ）、（Ｓ，Ｓ）−２，４−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ペンタン（ＳＫＥＷＰＨＯＳ）
【００５９】本発明で用いる遷移金属錯体のより具体的
な例としては、［Ｒｕ2Ｃｌ4（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］
ＮＥｔ3（Ｅｔはエチル基を示す）、［Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｏ
ｃＨ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［Ｒｕ2Ｃｌ4（ＯｃＨ
−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［ＲｕＩ（ｐ−サイ
メン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−サ
イメン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ
−サイメン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ
（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ
（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ
（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ
（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［Ｒｕ
Ｃｌ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、
［ＲｕＢｒ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｂｒ、［ＲｕＩ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｉ、［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＤＭ
−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−サイメン）（Ｏ
ｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−サ
イメン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［Ｒｕ
Ｉ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−
ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［ＲｕＢｒ2（ＤＭ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］、［ＲｕＢｒ2（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］、［Ｒ
ｕＢｒ2（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］、［Ｒｕ（Ｏ
Ａｃ）2（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］、［Ｒｕ（ＯＡｃ）
2（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］、［Ｒｕ（ＯＡｃ）2（Ｏｃ
Ｈ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］、［ＲｕＣｌ（ＤＭ−ＢＩＮ
ＡＰ）］＋ＢＦ4 -、［ＲｕＣｌ（ＯｃＨ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］+ＢＦ4 -、［ＲｕＣｌ（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］+ＢＦ4 -、［ＲｕＣｌ（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］+Ｃ
ｌＯ4 -、［ＲｕＣｌ（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］+ＣｌＯ4
-、［ＲｕＣｌ（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］+ＣｌＯ
4 -、［ＲｕＣｌ（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］+ＰＦ6 -、［Ｒ
ｕＣｌ（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］+ＰＦ6 -、［ＲｕＣｌ
（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］+ＰＦ6 -等が挙げられ
る。
【００６０】このうち好ましいものとしては、［Ｒｕ2
Ｃｌ4（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［Ｒｕ2Ｃｌ4
（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｏ
ｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［ＲｕＩ（ｐ−
サイメン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ
−サイメン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ
（ｐ−サイメン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［Ｒｕ
Ｉ（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ
（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ
（ベンゼン）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ
（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［Ｒｕ
Ｃｌ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、
［ＲｕＢｒ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｂｒ、［ＲｕＩ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｉ、［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）］
Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−サイメン）（ＯｃＨ−ＤＭ
−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−サイメン）（Ｏ
ｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−サ
イメン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ、［Ｒｕ
Ｉ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ、
［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＯｃＨ−ＤＭ−
ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒが挙げられ、特に好ましいものとし
ては、［Ｒｕ2Ｃｌ4（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、
［Ｒｕ2Ｃｌ4（ＯｃＨ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3、［Ｒ
ｕ2Ｃｌ4（ＯｃＨ−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2］ＮＥｔ3が挙
げられる。
【００６１】本発明における遷移金属錯体の使用量は、
反応容器、反応の形式あるいは経済性によっても異なる
が、反応基質であるベンゾフェノン化合物（１）に対し
てモル比で１／１００〜１／１００，０００、好ましく
は１／５００〜１／１０，０００の範囲で使用すること
ができる。
【００６２】また、本発明において不斉水素化触媒に用
いられる塩基としては、例えば一般式（１８）
【００６３】
【化２２】
【００６４】（式中、Ｍはアルカリ金属原子又はアルカ
リ土類金属原子を示し、Ｙはヒドロキシ基、アルコキシ
基又はメルカプト基を示し、ｎは１又は２である）で表
わされる化合物又は４級アンモニウム塩等が挙げられ、
特に制限はないが、特に化合物（１８）が好ましい。
【００６５】塩基（１８）において、アルカリ金属原子
としてはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウ
ム、セシウムが挙げられ、ナトリウム、カリウムが好ま
しく、特にカリウムが好ましい。アルカリ土類金属原子
としてはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、
バリウムが挙げられ、カルシウムが好ましい。また、ア
ルカリ金属原子とアルカリ土類金属原子とではアルカリ
金属原子の方が好ましい。
【００６６】アルコキシ基としては、炭素数１〜４個の
アルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、
ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基等が挙げられメトキシ基、イ
ソプロピルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基が好ま
しい。
【００６７】塩基（１８）として具体的には、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウム、水酸化セシウム、メトキシ
リチウム、メトキシナトリウム、メトキシカリウム、エ
トキシリチウム、エトキシナトリウム、エトキシカリウ
ム、プロポキシリチウム、プロポキシナトリウム、プロ
ポキシカリウム、イソプロピルオキシリチウム、イソプ
ロピルオキシナトリウム、イソプロピルオキシカリウ
ム、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカリウム、メチルメルカプ
トナトリウム等が挙げられ、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、イソプロピルオキシカリウム、ｔｅｒｔ−ブ
チルオキシカリウムが好ましく、特に水酸化カリウム及
びｔｅｒｔ−ブチルオキシカリウムが好ましい。
【００６８】また、塩基の使用量に関しては、反応基質
であるベンゾフェノン化合物（１）に対して０．００１
〜０．５モル当量用いることができるが、好ましくは
０．０１〜０．５モル当量、さらに好ましくは０．０３
〜０．１モル当量である。
【００６９】不斉水素化触媒に用いられる光学活性ジア
ミン化合物としては、２つのアミノ基及び／又は置換ア
ミノ基が結合する炭素原子が各々隣り合った化合物（エ
チレンジアミン型）がより好ましい。また、アミノ基及
び／又は置換アミノ基の結合する炭素原子の１個又は２
個が不斉炭素原子である光学活性ジアミン化合物が好ま
しく、その中でも特に不斉炭素原子を２個持つ光学活性
ジアミン化合物がより好ましい。例えば、エチレンジア
ミン系化合物、プロパンジアミン系化合物、ブタンジア
ミン系化合物、環状炭化水素ジアミン系化合物、フェニ
レンジアミン系化合物などが挙げられるが、エチレンジ
アミン系化合物が好ましい。
【００７０】具体的には、例えば次の一般式（１９）
【００７１】
【化２３】
【００７２】（式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25は水素
原子、炭素数１〜４個のアルキル基、ベンジル基、アリ
ール基、炭素数５〜７個のシクロアルキル基を示し、又
は、Ｒ 23及びＲ24はともに結合して環を形成してもよ
く、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28及びＲ29は水素原子、不飽和炭化
水素基、アリール基、スルホニル基を示す。但し、Ｒ22
とＲ23、且つＲ24とＲ25が同時に同じ基となることはな
い。）で表わされる光学活性ジアミン化合物（１９）が
好ましい。
【００７３】この光学活性ジアミン化合物（１９）の置
換基Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28及びＲ
29において、炭素数１〜４個のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基などが挙げられ、メチル基が特に好まし
い。アリール基としては、フェニル基、置換フェニル
基、ナフチル基、置換ナフチル基等が挙げられ、フェニ
ル基、置換フェニル基が好ましく、特にフェニル基が好
ましい。置換フェニル基としては、ｐ−トリル基、３，
５−ジメチルフェニル基などの炭素数１〜４個の低級ア
ルキル基の置換したフェニル基が挙げられ、特にｐ−ト
リル基が好ましい。炭素数５〜７個のシクロアルキル基
としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シク
ロヘプチル基が挙げられ、シクロヘキシル基が好まし
い。Ｒ23及びＲ24はともに結合して環を形成してもよい
が、この環としてはシクロヘキシル環、シクロヘプタン
環などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、アリ
ル基などの鎖状不飽和炭化水素基が挙げられる。
【００７４】以上のような光学活性ジアミン化合物の具
体例としては、例えば１，２−ジフェニルエチレンジア
ミン、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン、２，
３−ジメチルブタンジアミン、１，２−シクロヘキシル
ジアミン、１，２−シクロヘプタジアミン、１−メチル
−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブチ
ル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプ
ロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メ
チル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジ
アミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフ
ェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２
−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−
ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレ
ンジアミン、１−メチル−２，２−ジナフチルエチレン
ジアミン、１−イソブチル−２，２−ジナフチルエチレ
ンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジナフチルエ
チレンジアミンなどが挙げられ、特に１，２−ジフェニ
ルエチレンジアミンが好ましい。
【００７５】また、上記光学活性ジアミン化合物（１
９）において、アミノ基及び／又は置換アミノ基の結合
する炭素原子の２個が不斉炭素原子である場合には、
（Ｒ，Ｒ）−体、（Ｓ，Ｓ）−体、（Ｒ，Ｓ）−体、
（Ｓ，Ｒ）−体の４種類の異性体が考えられるが、この
うち（Ｒ，Ｒ）−体、（Ｓ，Ｓ）−体が好ましく、これ
らを目的に応じて適宜選択して使用することができる。
【００７６】この異性体の選択にあたっては、用いる遷
移金属錯体中の光学活性ホスフィン配位子との組合せが
重要である。この組合せにはいろいろな場合が考えられ
るが、（Ｒ）−体の光学活性ホスフィン配位子と（Ｒ，
Ｒ）−体の光学活性アミン化合物との組合せ、及び
（Ｓ）−体の光学活性ホスフィン配位子と（Ｓ，Ｓ）−
体の光学活性アミン化合物との組合せ、が最良の組合せ
であり、高い不斉収率を得るために重要である。
【００７７】本発明反応における光学活性アミン化合物
の使用量は遷移金属錯体に対し、１〜２０モル当量使用
することができ、好ましくは４〜１２モル当量である。
【００７８】本発明において触媒として使用する遷移金
属錯体、塩基及び光学活性ジアミン化合物の３成分は不
斉水素化反応が円滑に進行し、高い不斉収率を達成する
ために必要不可欠の成分であり、この３成分がそろって
初めて充分な反応活性で高い光学純度の光学活性ベンズ
ヒドロール化合物を得ることができる。
【００７９】ベンゾフェノン化合物（１）を不斉水素化
する際に使用される溶媒としては、反応原料、触媒系を
可溶化するものであれば特に制限なく用いることができ
る。例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶
媒；ヘプタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒；塩化
メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒；ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；メタ
ノール、エタノール、２ープロパノール、ブタノール、
ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトニト
リル；ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジ
メチルスルホキシド）等ヘテロ原子を含む有機溶媒など
が挙げられる。これらの溶媒は単独で又は混合溶媒とし
て用いることができるが、生成物がアルコールであるこ
とからアルコール系溶媒が好ましく、特に２−プロパノ
ールが好ましい。
【００８０】溶媒の使用量は反応基質の溶解度及び経済
性により判断されるが、例えば２−プロパノールを用い
る場合、反応基質によって１容量％以下の低濃度から無
溶媒に近い状態でも反応を行うことができるが、反応基
質に対して２〜５倍（容量）用いることが好ましい。
【００８１】本発明は反応形式がバッチ式又は連続式の
いずれにおいても実施することができる。また、反応は
水素の存在下で行われるものであるが、水素圧は１〜１
００気圧とすることができ、好ましくは２０〜５０気圧
の範囲である。反応温度は２０〜９０℃が好ましく、３
５〜６０℃が特に好ましい。反応時間は２〜４８時間が
好ましく、１６〜３０時間が特に好ましい。
【００８２】
【実施例】以下実施例を示し、さらに詳細に本発明につ
いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。なお、実施例における各スペクトルの測定には次
の機器を用いた。
【００８３】1 H核磁気共鳴スペクトル（1H−NMR）：AM−４００型（ブルッカー社製） 内部基準物質：テトラメチルシラン 溶媒：CDCl3 マススペクトル（ＭＳ）：Ｍ−８０Ｂ 質量分析計（株式会社日立製作所製）
【００８４】また、各実施例における生成物の反応転化
率、光学純度については下記条件の高速液体クロマトグ
ラフィー（ＨＰＬＣ）により確認した。 ・反応転化率 高速液体クロマトグラフィー：HITACHI L-4000 カラム: INERTSIl ODS 4.6×250mm 展開溶媒: アセトニトリル／Ｈ2Ｏ (容量比90/10) 波 長: 254nm 温 度: 室 温 流 量: 0.5ml/min ・光学純度 高速液体クロマトグラフィー：HITACHI 655A カラム: CIRAL CEL OD-H 4.6×250mm 展開溶媒: ヘキサン/２−プロパノール(容量比80/20) 波 長: 254nm 温 度: 室 温 流 量: 1ml/min
【００８５】実施例１ ４−メチルベンゾフェノンの不
斉水素化反応：１００ｍｌのステンレス製オートクレー
ブに０．２Ｍに調製した水酸化カリウムの２−プロパノ
ール溶液（１．４ｍｌ、水酸化カリウムが０．２８ｍｍ
ｏｌ）、（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレン
ジアミン（４．０３ｍｇ、０．０１９ｍｍｏｌ）、４−
メチルベンゾフェノン（０．９８ｇ、５．０ｍｍｏ
ｌ）、２−プロパノール（２．２８ｍｌ）、ベンゼン
（１．２３ｍｌ）、及びＲｕ2Ｃｌ4（（Ｓ）−ＤＭ−Ｂ
ＩＮＡＰ）2ＮＥｔ3（９．０７ｍｇ、０．００４７４ｍ
ｍｏｌ）を窒素雰囲気下で挿入し、次いで水素ガスを５
０気圧まで圧入した。反応温度を５０℃として２０時間
撹拌した後、反応液を常温に戻してから減圧濃縮を行っ
た。
【００８６】得られた残留物１．０１ｇをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチ
ル＝４／１〜２／１（容量比））で精製して油状の光学
活性４−メチルベンズヒドロールを０．８７１ｇ（収率
８８．０％）得た。このものの光学純度を高速液体クロ
マトグラフィーで測定したところ、９８％ｅｅであっ
た。
【００８７】1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，
δｐｐｍ）：２．２１（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ），２．３
３（ｓ，３Ｈ），５．８１（ｂｒｏａｄ ｓ，１Ｈ），
７．１〜７．４（ｍ，９Ｈ） ＭＳ（ｍ／ｅ）：１９８（Ｍ+）
【００８８】実施例２〜６ 出発化合物を表２に示すものに代え、（１Ｓ，２Ｓ）−
１，２−ジフェニルエチレンジアミンを（１Ｒ，２Ｒ）
−１，２−ジフェニルエチレンジアミンに代え、Ｒｕ2
Ｃｌ4（（Ｓ）−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2ＮＥｔ3をＲｕ2Ｃ
ｌ4（（Ｒ）−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2ＮＥｔ3に代えた以
外は実施例１と同様にして反応を行い、それぞれに対応
する水素化物の光学活性体を得た。結果を表２に示す。
【００８９】
【表２】
【００９０】実施例７ ２，４’−ジクロロベンゾフェ
ノンの不斉水素化反応：１００ｍｌのステンレス製オー
トクレーブに０．２Ｍに調製した水酸化カリウムの２−
プロパノール溶液（１．４ｍｌ；０．２８ｍｍｏｌ）、
（Ｒ，Ｒ）−ジフェニルエチレンジアミン（４．０３ｍ
ｇ；０．０１９ｍｍｏｌ）、２，４’−ジクロロベンゾ
フェノン（１．２６ｇ；５．０ｍｍｏｌ）、２−プロパ
ノール（３．３１ｍｌ）、ベンゼン（１．３７ｍｌ）及
びＲｕ2Ｃｌ4（（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ）2ＮＥｔ3（８．４
５ｍｇ；０．００５ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下で挿入
し、次いで水素ガスを５０気圧まで圧入した。反応温度
を５０℃として２０時間攪拌した後、常温に戻してから
減圧濃縮を行った。
【００９１】得られた残渣（１．３０ｇ）をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開液；ヘキサン／酢酸エ
チル＝４／１〜２／１（容量比））で精製して光学活性
２，４’−ジクロロベンズヒドロール（１．１８３ｇ；
収率９３．４％）を得た。得られた光学活性２，４’−
ジクロロベンズヒドロールの光学純度を高速液体クロマ
トグラフィーにより測定したところ、６０．６２％eeで
あった。
【００９２】実施例８ ２，４’−ジクロロベンゾフェ
ノンの不斉水素化反応：１００ｍｌのステンレス製オー
トクレーブに０．２Ｍに調製した水酸化カリウムの２−
プロパノール溶液（１．４ｍｌ；０．２８ｍｍｏｌ）、
（Ｒ，Ｒ）−ジフェニルエチレンジアミン（４．０３ｍ
ｇ；０．０１９ｍｍｏｌ）、２，４’−ジクロロベンゾ
フェノン（１．２６ｇ；５．０ｍｍｏｌ）、２−プロパ
ノール（３．３１ｍｌ）、ベンゼン（１．３７ｍｌ）及
びＲｕ2Ｃｌ4（（Ｒ）−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ）2ＮＥｔ3
（９．０２ｍｇ；０．００５ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下
で挿入し、次いで水素ガスを５０気圧まで圧入した。反
応温度を５０℃として２０時間攪拌した後、常温に戻し
てから減圧濃縮を行った。
【００９３】得られた残渣（１．４１ｇ）をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開液；ヘキサン／酢酸エ
チル＝４／１〜２／１（容量比））で精製して光学活性
２，４’−ジクロロベンズヒドロール（１．１７０ｇ；
収率９２．５％）を得た。得られた光学活性２，４’−
ジクロロベンズヒドロールの光学純度を高速液体クロマ
トグラフィーにより測定したところ、６２．０２％eeで
あった。
【００９４】
【発明の効果】本発明製造方法は、簡単な操作で、医薬
合成中間体等として有用な光学活性ベンズヒドロール化
合物を高純度で製造することのできる工業的に有利な製
造方法である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１２月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【化７】 （式中、Ｒ１２は炭素数１〜４個の低級アルキル基を示
し、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ
１８はそれぞれ同一または異なって水素原子、炭素数１
〜４個の低級アルキル基、炭素数１〜４個の低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子を示し、又はＲ１４とＲ１５、Ｒ
１６とＲ１７はそれぞれ結合して環を形成してもよい）
で表わされる光学活性ホスフィン配位子である請求項２
記載の光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【化８】 （式中、Ｒ１９は水素原子又は炭素数１〜４個の低級ア
ルキル基を示す）で表わされる光学活性ホスフィン配位
子である請求項２記載の光学活性ベンズヒドロール化合
物の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】
【化１６】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】
【化１７】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】
【化１８】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】
【化１９】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 31/26 Ｂ０１Ｊ 31/26 Ｘ Ｃ０７Ｃ 29/145 9155−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 29/145 33/24 9155−4Ｈ 33/24 33/46 9155−4Ｈ 33/46 39/12 9155−4Ｈ 39/12 67/31 67/31 69/76 69/76 Ａ // Ｃ０７Ｂ 53/00 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｂ 61/00 ３００ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 山崎 哲郎 神奈川県平塚市西八幡一丁目４−11 高砂 香料工業株式会社総合研究所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ10はそれぞれ同一又は
    異なって、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭
    素数１〜４個の低級アルキル基、炭素数１〜４個の低級
    アルコキシ基又は炭素数１〜５個の低級アルカノイル基
    を示し、Ｒ2 、Ｒ 3 、Ｒ4 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 はそれ
    ぞれ同一又は異なって水素原子、ハロゲン原子、ヒドロ
    キシ基、炭素数１〜４個の低級アルキル基、炭素数１〜
    ４個の低級アルコキシ基、炭素数１〜５個の低級アルカ
    ノイル基、アミノ基又は、低級アルキル基、低級アルカ
    ノイル基若しくは低級アルコキシカルボニル基により置
    換されたアミノ基を示し、Ｒ2 とＲ3 及びＲ8 とＲ9 は
    それぞれともに結合して基−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−
    を形成してもよく、Ｒ1 〜Ｒ9 の隣あうものがともに結
    合して基−ＯＣＨ2Ｏ−又は基−（ＣＨ2）3−を形成し
    てもよい）で表わされるベンゾフェノン化合物を遷移金
    属錯体、塩基及び光学活性ジアミン化合物からなる不斉
    水素化触媒の存在下に水素化することを特徴とする次の
    一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、
    Ｒ8 、Ｒ9 及びＲ10は前記と同様の意味を示し、＊は不
    斉炭素の位置を示す）で表わされる光学活性ベンズヒド
    ロール化合物の製造方法。
  2. 【請求項２】 遷移金属錯体が次の一般式（３）、
    （４）、（５）又は（６） 【化３】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌは光学活性ホスフ
    ィン配位子を示し、Ａは３級アミンを示す） 【化４】 （式中、Ｘ及びＬは前記と同じ意味を示し、Ｅは置換基
    を有していてもよいベンゼン又はｐ−サイメンを示す） 【化５】 （式中、Ｌは前記と同じ意味を示し、Ｇはハロゲン原子
    又はアセトキシを示す） 【化６】 （式中、Ｘ及びＬは前記と同じ意味を示し、Ｊ- はＢＦ
    4 -、ＣｌＯ4 -、ＰＦ6 -又はＢＰｈ4 -（Ｐｈはフェニル基
    を示す）を示す）で表わされるルテニウム錯体である請
    求項１記載の光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 光学活性ホスフィン配位子が次の一般式
    （７） 【化７】 （式中、Ｒ12は炭素数１〜４個の低級アルキル基を示
    し、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ 16、Ｒ17及びＲ18はそれぞれ
    同一または異なって水素原子、炭素数１〜４個の低級ア
    ルキル基、炭素数１〜４個の低級アルコキシ基、ハロゲ
    ン原子を示し、又はＲ14とＲ15、Ｒ16とＲ17はそれぞれ
    結合して環を形成してもよい）で表わされる光学活性ホ
    スフィン配位子である請求項２記載の光学活性ベンズヒ
    ドロール化合物の製造方法。
  4. 【請求項４】 光学活性ホスフィン配位子が次の一般式
    （８） 【化８】 （式中、Ｒ19は水素原子又は炭素数１〜４個の低級アル
    キル基を示す）で表わされる光学活性ホスフィン配位子
    である請求項２記載の光学活性ベンズヒドロール化合物
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 光学活性ホスフィン配位子が２，２’−
    ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキルフェニル）ホスフィ
    ノ）−１，１’−ビナフチルである請求項３記載の光学
    活性ベンズヒドロール化合物の製造方法。
  6. 【請求項６】 光学活性ホスフィン配位子が２，２’−
    ビス（ジ（３，５−ジ低級アルキルフェニル）ホスフィ
    ノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オク
    タヒドロ−１，１’−ビナフチルである請求項３記載の
    光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方法。
  7. 【請求項７】 光学活性ホスフィン配位子が２，２’−
    ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，
    ７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフ
    チルである請求項４記載の光学活性ベンズヒドロール化
    合物の製造方法。
  8. 【請求項８】 塩基が次の一般式（１８） 【化９】 （式中、Ｍはアルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原
    子を示し、Ｙはヒドロキシ基、アルコキシ基又はメルカ
    プト基を示し、ｎは１又は２である）で表わされる化合
    物又は第４級アンモニウム塩である請求項１〜７のいず
    れか１項に記載の光学活性ベンズヒドロール誘導体の製
    造方法。
  9. 【請求項９】 光学活性ジアミン化合物の２つのアミノ
    基及び／又は置換アミノ基が結合する炭素原子が、各々
    隣り合っていることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
    か１項に記載の光学活性ベンズヒドロール化合物の製造
    方法。
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