JPH09176208A - 包接化合物およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】水などの溶剤を使用しないでシクロデキストリ
ンの包接化合物を製法と、該製法で作られた溶剤使用に
伴う変質劣化の恐れのないシクロデキストリン包接化合
物とを提供する。 【構成】加圧された二酸化炭素ガスとシクロデキストリ
ンとを接触させ、両者の集合体を作った後、該二酸化炭
素とシクロデキストリン集合体と、ゲスト成分とを混合
接触させ、該ゲスト成分とシクロデキストリンとの包接
化合物を製造する。このシクロデキストリン包接化合物
の製法は水などの溶剤を使用しないので、溶剤除去ある
いは乾燥のような工程を必要としないので工程の簡易化
ができる。また、該製法による製品は、乾燥などによる
変質劣化の恐れのない包接化合物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】 本発明は、シクロデキストリン
包接化合物の製法、およびその製法で得られた包接化合
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、シクロデキストリン包接化合物
（以下、単に「包接化合物」という）は、食品、医薬
品、化粧品の分野のみならず、衣食住全般に亘って利用
されるようになっている。 また、シクロデキストリン
の包接作用を使って卵や乳製品からコレステロールを抽
出除去するなど、食品などの加工の分野にも利用されて
いる。

【０００３】包接化合物を製造する従来の方法として
は、いわゆる飽和溶液法、混練法、乾燥粉砕法（例え
ば、日化協月報，１，２６〜３７頁，１９８２年、月刊
フードケミカル，１１，４６〜５１頁，１９９１年）な
どがある。これらの包接化合物の製造方法では、シクロ
デキストリンと、水または水を含む溶剤などの溶液との
混合物に、ゲスト成分またはゲスト成分の溶液とを混合
し、水分存在下でシクロデキストリンをゲスト成分と接
触させることが共通している。なお、乾燥粉砕法では特
に水の添加しないが、シクロデキスロリンまたはゲスト
成分を含む原料中に含まれる水分が包接物を形成するの
に作用すると考えられている。

【０００４】上記の製法では、包接化合物を形成するに
際し、溶剤を使うため、包接物単体として取得するに
は、溶剤分離又は乾燥のような処理が必要である。すな
わち、この工程のための設備、操作、費用などが必要で
あるばかりでなく、工業的に一般的なスプレー乾燥法よ
うな溶剤除去や乾燥方法では、その処理によりゲスト成
分或いは包接化合物が変質劣化する場合がある。

【０００５】現在この包接化合物は、食品、医薬品、化
粧品、樹脂などの工業製品、農薬などの広範な分野で実
用されているが、これらはゲスト成分と包接化合物形成
による特異で、優れた特性を利用したものである。 こ
の特性には、揮発性物質の揮発制御、悪臭などのマスキ
ング、易分解物質の安定化、液体の粉末化、経皮吸収の
制御、水溶性の改善、乳化促進、外観改善、食品からコ
レステロールなどの抽出などが含まれる。これらの利用
例の多くは包接工程で使用された溶剤を除去又は減じ
て、該溶剤がほとんど又は全く無い状態で使用されてい
る。 又、取扱量を少なくするため、溶剤除去が必要と
される場合が多い。以上のような理由で水のような溶剤
を実質的に使用しない包接化合物の製法、及び溶剤除去
や乾燥などの工程を経ないで作られた実質的無溶媒の包
接化合物の開発が望まれてきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、その課題とするところは、水の
ような溶剤を実質的に使用しない包接化合物の製法なら
びに溶剤除去や乾燥などの工程を経ないで作られた実質
的に無溶剤の包接化合物を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は従来
技術における以上のような現状に鑑み、鋭意研究を重ね
た結果、シクロデキストリンにゲスト成分を包接させる
に先立ち、加圧した二酸化炭素ガスをシクロデキストリ
ンに接触させ、吸着体、または両者の集合体（以下、単
に「集合体」という）を形成後、集合体を加圧二酸化炭
素雰囲気から大気圧に戻して後、目的とするゲスト成分
と接触混合して該ゲスト成分とシクロデキストリンとの
包接化合物を製造すると、水などの溶剤を使用しないに
もかかわらず、包接化合物を効率的に作ることができ、
さらにこの包接化合物が溶剤除去や乾燥など行うことな
く実用に供せることとを見い出し、本発明を完成した。

【０００８】 〔発明の詳細な説明〕まず、本発明の製法での第一工程
である二酸化炭素ガスとシクロデキストリンとの集合体
を形成させるには、シクロデキストリンを圧力容器に封
入後、二酸化炭素を１気圧以上に、液化又は超臨界の状
態をも含めて、加圧し、シクロデキストリンに接触させ
る。この場合の圧力は、５〜１５気圧が好ましい。ま
た、この処理時の温度は２０℃以下が好ましい。なお、
集合体形成後の二酸化炭素の含有量は集合体１００ｇあ
たり２ｇ以上が好ましい。

【０００９】集合体形成後、該圧力容器のガスを降圧し
該集合体取り出す。この所定量を秤量し、所定量のゲス
ト成分と均一になるよう混ぜ合せる。さらに、これを混
合機で混合する。混合機の型式としては、ボールミル、
ポットミル、ディスパーミル、らいかい機など回分式の
のものほか、一軸エクスルダー、多軸エクスルダーなど
ような連続的な処理が可能な型式の混合機にも適用でき
る。混合型式としては、混練機のようにで混合時にせん
だん応力がかかる型式が好ましい。また、混合時の見か
けの粘度を調整するため、溶剤を使用できる。

【００１０】本発明方法においては、シクロデキストリ
ンとゲスト成分との混合比率は、シクロデキストリンの
種類、ゲスト成分の種類、使用する混合機の種類や機種
等によって異なるが、１：０．１〜１：１０ （シクロ
デキストリン：ゲスト成分（モル比））、好ましくは
１：０．３〜１：３（シクロデキストリン：ゲスト成分
（モル比））の比率で混合することができる。

【００１１】本発明に使用しうるシクロデキストリンと
しては、α−シクロデキストリン、β−シクロデキスト
リン、γ−シクロデキストリンはもちろんのこと、これ
らのシクロデキストリンの誘導体（例えば、メチル化シ
クロデキストリン）、ヒドロキシアルキル化シクロデキ
ストリン（例えば、２−ヒドロキシプロピル−β−シク
ロデキストリン）、分岐シクロデキストリン（例えば、
マルトシル−β−シクロデキストリン）、これらのシク
ロデキストリンのポリマー（例えば、シクロデキストリ
ンポリマー）、シクロデキストリン誘導体のポリマーな
どを挙げることができる。

【００１２】本発明に使用しうるゲスト成分としては、
シクロデキストリンで包接される成分であれば特に制限
はなく、例えば、チモール、オイゲノール、レゾルシ
ン、エチレングリコールモノフェニルエーテル、２−ヒ
ドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェノン等のフェノー
ル誘導体、サリチル酸、パラオキシ安息香酸メチル、パ
ラアミノ安息香酸エチル等の安息香酸誘導体及びそのエ
ステル、コレステロール等のステロイド、アスコルビン
酸、レチノール、トコフェロール等のビタミン、リモネ
ン等の炭化水素類、イソチオシアン酸アリル、ソルビン
酸等を挙げることができる。

【００１３】

【実施例】以下に、実施例により本発明を説明するが、
本発明の技術的思想を逸脱しない限りにおいて、この例
に制約されるものではない。

【００１４】

【実施例１】β−シクロデキストリンを１００ｇ計量
し、耐圧容器に入れ、この容器に二酸化炭素ガスを８気
圧になるよう圧入し、約１５℃の温度で、約３０時間処
理した。この二酸化炭素による処理による重量増加は
３．５ｇであった。

【００１５】次に上記の二酸化炭素処理を行ったシクロ
デキストリンを１０．３５ｇを計量し、さらにゲスト成
分としてパラオキシ安息香酸ブチルをシクロデキストリ
ン１モルに対し０．５モル分を計量し、前記のシクロデ
キストリンと混合し、ボールミルに挿入し３時間混練し
た。混練後の試料２．０ｇを秤量し、エチルエーテルで
洗浄後、乾燥した。これを０．１ｇ取り、クロロフォル
ム−水混合液に混合し、９０℃で熱水抽出し、クロロフ
ォルム相及び水相中のパラオキシ安息香酸ブチルの濃度
を高速液体クロマトグラフ法で定量した。分析の結果、
ゲスト成分のホスト成分に対する包接率は２８モル％で
あった。

【００１６】

【比較例１】β−シクロデキストリンを１０ｇ計量し、
実施例１と同様にパラオキシ安息香酸ブチルを計量混合
し、ボールミルで３時間混練した。分析の結果、ゲスト
成分のホスト成分に対する包接率は１モル％であった。

【００１７】

【実施例２】実施例１で調製した二酸化炭素処理を行っ
たシクロデキストリン１０．３５ｇを計量し、レチノー
ルをシクロデキストリン１モルに対して０．５モルの割
合で計量混合し、ボールミルで３時間混練した。実施例
１と同様な方法で分析した結果、ゲスト成分のホスト成
分に対する包接率は３１モル％であった。

【００１８】

【比較例２】β−シクロデキストリンを１０ｇ計量し、
実施例２と同様にレチノールを計量混合後、ボールミル
で３時間混練した。分析の結果、レチノールの包接率は
１モル％であった。

【発明の効果】本発明によれば、加圧された二酸化炭素
ガスとシクロデキストリンとを接触させ、両者の集合体
を作った後、該集合体とゲスト成分とを混合接触させ、
包接化合物を作ると二酸化炭素処理をしないシクロデキ
ストリンの場合に比較して、著しくゲスト成分の包接率
を上昇させた包接化合物が提供される。この包接化合物
は、実質的に溶剤除去や乾燥等の工程による変質劣化の
恐れのない包接化合物である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 加圧された二酸化炭素ガスとシクロデキ
   ストリンとの接触させ、両者の集合体を作る第一工程
   と、前記二酸化炭素・シクロデキストリン集合体とゲス
   ト成分とに混合接触させることにより該ゲスト成分とシ
   クロデキストリンとの包接化合物を製造する第二工程と
   を具備することを特徴とするシクロデキストリンの包接
   化合物の製法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の製法によってゲスト成分
   を包接させて作られたことを特徴とするシクロデキスト
   リン包接化合物。