JPH09176473A - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学用材料に適した芳香族ポリカーボネート
樹脂の優れた透明性、機械物性を保持しつつ、低複屈折
の成形品を与え、かつ成形性および離型性の改善された
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンの特定割合で構成された芳香族ポリカー
ボネート共重合体に、特定量の一価または多価アルコー
ルと高級脂肪酸とのエステルが配合された芳香族ポリカ
ーボネート樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物に関する。さらに詳しくは成形性およ
び離型性の改善された芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物および低複屈折のそれからの成形品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂
はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従
って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求
められている。またより溶融流動性に優れ、より転写性
や離型性の良い樹脂が求められている。

【０００３】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれ
からの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載され
ている。この公報に開示されている代表的例は、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２
モル％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的
には、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル
％の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネート
が示され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビ
スフェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使
用されている。

【０００４】上記公報には、得られた前記芳香族ポリカ
ーボネートは、従来のポリカーボネートの用途、例えば
電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用
され、高い耐熱性において優れていることが開示されて
いる。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネート
は、溶融流動性が悪く良好な成形品が得られ難い。ま
た、他の種々の共重合体に関する記載はあるが、その具
体的事例は示されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適した芳香族ポリカーボネート樹脂の優れた透
明性、機械物性を保持しつつ、成形性および離型性など
を向上した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物ならびに
低複屈折のそれからの成形品を提供することにある。本
発明者はこの目的を達成せんとして鋭意研究を重ねた結
果、特定の２種の二価フェノールを使用することにより
得られた芳香族ポリカーボネート共重合体に特定の脂肪
族アルコールと特定の飽和脂肪酸とのエステルが配合さ
れた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が光学用材料と
して好適であることを見出し、本発明に到達した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％
が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および
（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（成分ｂ）であり、且つ成分ａと成分ｂ
の割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲で構成さ
れた芳香族ポリカーボネート共重合体に、その共重合体
に対して０.０１〜２重量％の割合の炭素原子数１〜２
０の一価または多価アルコールと炭素原子数１０〜３０
の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルが配合
された芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が提供され
る。

【０００７】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、それを構成する芳香族ジヒドロキシ成分として、
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および２,２−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（成分ｂ）が全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８
０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％であるのが
有利であり、典型的には、成分ａおよび成分ｂによって
実質的に形成された芳香族ポリカーボネート共重合体で
あるのが望ましい。この成分ａおよび成分ｂの割合が８
０モル％未満の場合、本発明の目的である光学用材料と
して不満足な性質となり好ましくない。

【０００８】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
において、成分ａと成分ｂとの割合がモル比で９９：１
〜２０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：８０の
範囲が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲がさら
に好ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、成分
ｂの割合が１モル％より少なくなると、得られた共重合
体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な
成形品が得られ難くなる。また成分ａの割合が２０モル
％より少なく、成分ｂの割合が８０モル％より多くなる
と、得られた共重合体の光弾性定数が大きくなり、また
ガラス転移温度も低下する傾向にあるので好ましくな
い。また、成分ａと成分ｂの合計量に対して、成分ｂの
割合が４０モル％以上、殊に５０モル％以上のものは成
形性に優れている。

【０００９】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
において、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ
成分の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９
０モル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ
成分（成分ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モ
ル％以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特
に差支えない。

【００１０】かかる成分ｃとしては、通常芳香族ポリカ
ーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、
成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハ
イドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノー
ル、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペン
タン、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソ
プロピリデン）ジフェノール、９,９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、１,１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンな
どが挙げられ、なかでも２,２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、４,４’−（ｍ−フェニレンジイ
ソプロピリデン）ジフェノールおよび９,９−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレンが好ましい。

【００１１】芳香族ポリカーボネート共重合体はそのポ
リマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、
２０℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のものが好まし
く、０.２５〜０.４の範囲のものがより好ましい。比粘
度が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くな
ると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好
な成形品が得られ難くなる。

【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、ＡSＴM Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.
２重量％以下であることが好ましく、０.１８量％以下
であることがより好ましい。吸水率が０.２重量％を超
えると、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が
好適に用いられる光ディスク基板の表面上に金属膜を形
成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くな
り、トラッキングエラーを起こし易くなるので好ましく
ない。特に好ましい吸水率は０.１５重量％以下であ
る。

【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、オリゴマー含量が１０％以下であることが好まし
く、７％以下がより好ましく、特に５％以下が好まし
い。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを
使用して測定された値である。すなわち、東ソー（株）
製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬ
カラム各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホル
ムを用い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該芳香
族ポリカーボネート共重合体のクロロホルム溶液を注入
する方法で測定したＧＰＣチャートのリテンションタイ
ムが１９分以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピー
ク面積に対する割合がオリゴマー含量であり、この値が
１０％以下であることが好ましく、７％以下であること
がより好ましい。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を
越えると、成形時に金型表面を汚染することがあるので
望ましくなく、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程
顕著になる傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポリ
カーボネート共重合体の製造過程で生じるものであり、
完全に零（０）にすることはできない。

【００１４】オリゴマーは、前記した含量以下であれば
よく、その値を満足する限り、少割合含有されていても
差支えない。０.１％以上、より好ましくは０.１５％以
上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下
のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に
好ましくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲であ
る。

【００１５】芳香族ポリカーボネート共重合体中のオリ
ゴマー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴマ
ーが共重合体中に含まれないように重合を充分に完結す
ることが必要であり、また触媒および重合条件を適宣選
択することが要求される。もしオリゴマー含量が前記範
囲を越えている場合には、例えばオリゴマーを抽出など
の手段により除去する処置が採用される。この抽出は芳
香族ポリカーボネート共重合体の溶液（例えば塩化メチ
レン溶液）を、その共重合体の貧溶剤または非溶剤（例
えばアセトンまたはメタノール）中に滴下する方法、或
いはその共重合体を貧溶媒または非溶媒に浸漬して、オ
リゴマーを抽出する方法などの手段によって実施するこ
とができる。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、光学的材料、殊に光ディスク基板として好適に使用
されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存在
しないことが望ましい。

【００１７】すなわち、かかる芳香族ポリカーボネート
共重合体は、その２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した
溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンタ
ーモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて、散
乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた
径０.５μｍ以上の未溶解粒子が、該芳香族ポリカーボ
ネート共重合体１ｇ当り２５,０００個以下、且つ１μ
ｍ以上の未溶解粒子が５００個以下であることが好まし
い。０.５μｍ以上の未溶解粒子が２５,０００個を超え
るか、または１μｍ以上の未溶解粒子が５００個を超え
ると光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響を及
ぼしエラーレートが大きくなるので好ましくない。さら
に好ましくは、０.５μｍ以上の未溶解粒子が２０,００
０個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が２００個以下
である。また、１０μｍ以上の未溶解粒子は実質的に存
在すべきでない。

【００１８】芳香族ポリカーボネート共重合体中におけ
る未溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過程
および造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか或
いは除去し得る手段を採用すべきである。そのような手
段としては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、
未溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること
（具体的例としては、軸受け部に異物取り出し口を有す
る隔離室を設けたニーダーなど）或いは摺動部分に樹脂
粒子が触れない構造の装置（例えばスプレードライヤー
形式の造粒機）で造粒することなどがある。また、未溶
解粒子を除去する他の手段として、樹脂の溶液を目開き
の小さいフィルター（０.５〜１μｍ）によりろ過する
方法或いは樹脂を溶融して後、金属フィルター（１０〜
４０μｍ）により固体粒子を除去する方法などが採用さ
れる。

【００１９】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ
自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分に
ホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質
を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造
方法について基本的な手段を簡単に説明する。

【００２０】カーボネート前駆物質として、例えばホス
ゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存
在下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物
またはピリジンなどのアミン化合物が用いられる。溶媒
としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼンなどの
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のため
に例えば第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩など
の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常
０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。

【００２１】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら攪拌して、生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生
成するアルコールまたはフェノール類の沸点などにより
異なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応は
その初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェ
ノール類を留出させながら反応を完結させる。また反応
を促進するために通常エステル交換反応に使用される触
媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使
用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカ
ーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニ
ル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられる。
これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、成
分ａと成分ｂ、必要であれば成分ｃの混合物を使用し、
それ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従って製
造することができる。

【００２３】その重合反応において、末端停止剤として
通常使用される単官能フェノール類を使用することがで
きる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤とし
て分子量調節のために一般的に使用され、また得られた
芳香族ポリカーボネート共重合体は、末端が単官能フェ
ノール類に基づく基によって封鎖されているので、そう
でないものと比べて熱安定性に優れている。

【００２４】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アル
キル置換フェノールであって、下記一般式で表される単
官能フェノール類を示すことができる。

【００２５】

【化１】

【００２６】［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜
９、好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは
１〜５、好ましくは１〜３の整数を示す。］ 前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェ
ノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミル
フェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられ
る。

【００２７】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基
として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いて芳香族ポリカーボ
ネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止
剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂
の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかり
でなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸
水率を低くする効果があり、好ましく使用される。これ
らは下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される。

【００２８】

【化２】

【００２９】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合
または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪
族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の
結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロゲ
ン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価
の脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、
Ｙは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族
炭化水素基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−Ｒ²またはＲ³である、ここでＲ¹、Ｒ²およびＲ
³は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一
価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜
６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好
ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。ｌ
は４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１
〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５
０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１０、好
ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ²
は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価
の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６
の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ま
しくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。］

【００３０】これらのうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］お
よび［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−
ａ］の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特
に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては、
例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデ
シルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシ
ルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノ
ールおよびトリアコンチルフェノールなどを挙げること
ができる。

【００３１】また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類とし
てはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化
合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６の
ものが好適であって、その具体例としては、例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。

【００３２】前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示さ
れる置換フェノール類または置換安息香酸クロライドに
おいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ま
しく、その両者の混合物が好ましい。

【００３３】前記単官能フェノール類は、得られた芳香
族ポリカーボネート共重合体の全末端に対して少なくと
も５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導
入されることが望ましく、また単官能フェノール類は単
独でもしくは２種以上混合して使用してもよい。

【００３４】また、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂において、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンが、全芳香族ヒ
ドロキシ成分の８０モル％以上である場合は、樹脂の流
動性が低下することがあり、そのため前記一般式［Ｉ−
ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類または置
換安息香酸クロライド類を末端停止剤として使用するこ
とが好ましい。

【００３５】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、その光弾性定数の値が６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ
以下、好ましくは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下のも
のが有利に利用される。光弾性定数の値が前記値よりも
大きい場合、光学用材料、殊に光ディスクとして適さな
くなる。芳香族ポリカーボネート共重合体は、そのガラ
ス転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がよ
り好ましく、１４５℃以上がさらに好ましい。ガラス転
移点が低くなると光学用材料、殊にディスク基板として
の耐熱性が不足する。

【００３６】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、ま
た溶媒として塩化メチレンなどの塩素系溶媒を使用した
場合、塩素が少なからず残存している。この塩素の含有
量が多いと成形金型が腐蝕したり、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物の熱安定性が低下したり、また光ディス
ク基板として用いた場合、その金属膜の腐蝕が起こった
りするので望ましくない。従って、塩素の含量は１０ｐ
ｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは５
ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここで云う塩素含量
とは、芳香族ポリカーボネート共重合体を三菱化学製全
有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて燃焼法によ
り測定された値を意味するものとする。

【００３７】本発明において、前記芳香族ポリカーボネ
ート共重合体に対して０.０１〜２重量％の割合の炭素
原子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子
数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エ
ステルが配合される。この一価または多価アルコールの
高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記芳香族
ポリカーボネート共重合体の成形時の金型からの離型性
が改良され、ディスク基板の成形においては、離型荷重
が少なく離型不良によるディスク基板の変形、ピットず
れを防止できる。また、芳香族ポリカーボネート共重合
体の熱安定性が向上し、さらに溶融流動性が改善される
利点もある。かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素
原子数１〜２０、好ましくは２〜１５の一価または多価
アルコールと炭素原子数１０〜３０、好ましくは１２〜
２０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルで
ある。

【００３８】かかる一価または多価アルコールとして
は、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルア
ルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコー
ル、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、２−エ
チル−１−ヘキサノール、デシルアルコール、ラウリル
アルコール、ミリスチルアルコール、パルミチルアルコ
ール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、グリセロール、ペンタエリスリト
ール、トリメチロールプロパン、ソルビトールなどが挙
げられ、飽和脂肪酸としては、カプリン酸、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘ
ニン酸などの飽和脂肪族モノカルボン酸が挙げられる。

【００３９】また、かかる一価または多価アルコールと
飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとして
は、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソ
ルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリス
リトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテト
ラステアレート、プロピレングリコールモノステアレー
ト、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテー
ト、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロ
ピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートな
どが挙げられ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、
ペンタエリスリトールテトラステアレート、プロピレン
グリコールモノステアレートが好ましく用いられる。

【００４０】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート共重合体に対
して０.０１〜２重量％であり、０.０１５〜０.５重量
％が好ましく、０.０２〜０.２重量％が特に好ましい。
配合量が０.０１重量％未満では上記効果が得られず、
２重量％を越えると金型表面の汚れの原因となるので好
ましくない。また、これらのアルコールと高級脂肪酸と
のエステルは単独でもしくは２種以上混合して使用して
もよい。

【００４１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、全光線透過率が少なくとも８５％、好ましくは少
なくとも９０％であることが望ましい。全光線透過率が
８５％よりも低くなると、光学用材料、殊に光ディスク
基板として不適当であり好ましくない。また、芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物の斜め入射複屈折位相差の値
が６０ｎｍ以下、好ましくは４０ｎｍ以下であるのが適
当である。この斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍを
越えると、光ディスク基板として使用した場合記録の読
み取りに支障を来すことになり不適当である。また芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物の流動性はＭＦＲの値で
２５ｇ／１０分以上が好ましく、３０ｇ／１０分以上が
より好ましく、４５ｇ／１０分以上がさらに好ましい。
溶融流動性が低くなると成形性に劣り光学的に良好な成
形品が得られ難くなる。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、必要に応じて燐系熱安定剤を加えることができ
る。燐系熱安定剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸
エステルが好ましく使用される。亜燐酸エステルとして
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス
（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペ
ンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペン
タエリスリトールジホスファイト、テトラキス（２,４
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニ
レンホスホナイトなどの亜燐酸のトリエステル、ジエス
テル、モノエステルが挙げられる。これらのうち、トリ
スノニルフェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリトールジホスファイトが好ましい。

【００４３】一方、熱安定剤として使用される燐酸エス
テルとしては、例えばトリブチルホスフェート、トリメ
チルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフ
ェニルホスフェート、トリクロルフェニルホスフェー
ト、トリエチルホスフェート、ジフェニルクレジルホス
フェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェー
ト、トリブトキシエチルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェートなどが挙げられ、なかでもトリメチルホスフェ
ート、トリフェニルホスフェートが好ましい。

【００４４】前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよ
く、また二種以上を組合せて使用してもよい。燐系熱安
定剤は、芳香族ポリカーボネート共重合体に基づいて
０.０００１〜０.０５重量％の範囲で使用するのが適当
である。

【００４５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添
加することができる。その例としてはフェノール系酸化
防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレ
ングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３
−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−ト
リス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、
トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−
ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］
エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,
５）ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の
好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート共重合
体に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。

【００４６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤な
どの添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることがで
きる。また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂
を本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加すること
もできる。

【００４７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物を製造するには、任意の方法で行うことができる。例
えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、
バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混合す
る方法が適宜用いられる。この芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成
形法、溶液キャスティング法など任意の方法により成形
される。

【００４８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、複屈折性、成形性および離型性に特に優れている
ので種々の成形品として利用することができる。殊に光
学ディスク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シー
ト、フィルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラス
チック反射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料
または機能材料用途に適した光学用成形品として有利に
使用することができる。これらのうち、光ディスク基板
として特に有利に使用することができる。

【００４９】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度： ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）： デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）： ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。オリゴマー含量 ：東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ
２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用
い、溶離液としてクロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で
流しながら試料５０ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解し
た溶液を２０μｌ注入する方法で求めたＧＰＣチャート
のリテンションタイムが１９分以降のオリゴマー成分の
ピーク面積の全ピーク面積に対する割合を％で示した。吸水率： ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０によって測定した。

【００５０】塩化メチレン未溶解粒子：該芳香族ポリカ
ーボネート樹脂２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶
液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンター
モデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。全光線透過率： ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数： 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差： オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。離型荷重： 上辺直径７０ｍｍ、底辺直径６３ｍｍ、深さ
２０ｍｍ、厚み４ｍｍの円筒状のカップを射出成形し、
その離型時の突出荷重をストレーンゲージで測定した。ピットずれ： 光ディスク表面にハロゲンランプを照射
し、目視にて曇りを観察し、曇り部分のＳＥＭ写真を８
０００倍にて撮影した。

【００５１】実施例１ 温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
９６５.１部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６３.６部
を入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノ
ールＴＭＣ”と略称することがある）２４.３部、２,２
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン（以下“ビスフェノールＣ”と略称することがある）
４６.９部およびハイドロサルファイト０.１８部を溶解
した後、塩化メチレン６６２.５部を加え、攪拌下１５
〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込
んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール２部と４８％水酸化ナトリウム水溶液１６.
２部を加え乳化後、トリエチルアミン０.０９部を加え
て２８〜３３℃で約１時間攪拌して反応を終了した。反
応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したの
ち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水
と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し
口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを
蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの
比がモル比で３０：７０であるポリマー７５.７部を得
た（収率９７％）。

【００５２】このポリマーの比粘度は０.３０４、オリ
ゴマー含量は３.８％、Ｔｇは１５３℃、ＭＦＲは５０
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１６重量％であ
った。このポリマーにトリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイトを０.００３％、トリメ
チルホスフェートを０.００５％、ペンタエリスリトー
ルテトラステアレートを０.０５％加えてペレット化
し、住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌｌを用いて１２０ｍｍ
φ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。こ
のものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１
４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１５０個／ｇであっ
た。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４８×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２３ｎ
ｍ、離型荷重は５０ｋｇで曇りの発生は見られなかっ
た。

【００５３】実施例２ 実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４８.７部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを２６.８部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ルの代わりに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアル
キルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０
％の混合物）を５部用いた以外は実施例１と同様にし
て、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモ
ル比で６０：４０であるポリマー８３.８部を得た（収
率９６％）。

【００５４】このポリマーの比粘度は０.２９３、オリ
ゴマー含量は３.７％、Ｔｇは１４８℃、ＭＦＲは４５
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１８重量％であ
った。このポリマーをペンタエリスリトールテトラステ
アレートに代えてプロピレングリコールモノステアレー
トとした以外は実施例１と同様に成形し、実施例１と同
様に評価したところ、このものの塩化メチレン未溶解粒
子は０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が
１７０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光
弾性定数は４０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈
折位相差は２３ｎｍ、離型荷重は４５ｋｇで曇りの発生
は見られなかった。

【００５５】実施例３ 実施例１と同様の装置にイオン交換水９４５部と４８.
５％水酸化ナトリウム水溶液６２.５部を仕込み、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサン１５.９部、９,９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン４.５部（以下、“ビスフ
ェノールフルオレン”と略称することがある）、２,２
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン４９.３部を溶解させた後塩化メチレン６４９部を加
え、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.１５部とトリ
エチルアミン０.０９部を加えて激しく攪拌しながら２
０℃でホスゲン３３部を約４０分を要して吹き込み反応
せしめた。次いで内温を３０℃に上げ４８.５％水酸化
ナトリウム水溶液１５.８部を加えて１時間攪拌を続け
て反応を終了した。

【００５６】このものを実施例１と同様に精製してビス
フェノールＴＭＣとビスフェノールＣとビスフェノール
フルオレンの比がモル比で２０：７５：５であるポリマ
ーを得た。このポリマーの比粘度は０.２８６、オリゴ
マー含量は３.５％、ＭＦＲは６０ｇ／１０分、Ｔｇは
１５１℃であった。また吸水率は０.１４重量％であっ
た。

【００５７】このポリマーに、トリス（ノニルフェニ
ル）ホスファイトを０.００３％、トリメチルホスフェ
ートを０.００５％、炭素原子数１０〜２０の脂肪族モ
ノカルボン酸のトリグリセリド７０％と炭素原子数１３
〜２０の脂肪族アルコールの高級脂肪酸エステル３０％
の混合物（理研ビタミン（株）製リケマールＳ−９０
０）を０.０６％加えて、実施例１と同様に成形し評価
したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上
が１３,０００個／ｇ、１μｍ以上が１１０個／ｇであ
った。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４９×
１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は４４ｎ
ｍ、離型荷重は４０ｋｇで曇りの発生は見られなかっ
た。

【００５８】実施例４ １,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン１６部、９,９−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン１３.５部、２,２−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン４
２.７部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わ
りに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアルキルフェ
ノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０％の混合
物）を３.４部とした以外は実施例３と同様にして、ビ
スフェノールＴＭＣとビスフェノールＣとビスフェノー
ルフルオレンの比がモル比で２０：６５：１５であるポ
リマーを得た。

【００５９】このポリマーの比粘度は０.２７７、オリ
ゴマー含量は３.６％、ＭＦＲは７５ｇ／１０分、Ｔｇ
は１３４℃であった。また吸水率は０.１７重量％であ
った。このポリマーに、トリス（ノニルフェニル）ホス
ファイトを０.００３％、トリメチルホスフェートを０.
００５％、炭素原子数１０〜２０の脂肪族モノカルボン
酸のトリグリセリド７０％と炭素原子数１３〜２０の脂
肪族アルコールの高級脂肪酸エステル３０％の混合物
（理研ビタミン（株）製リケマールＳ−９００）を０.
０６％加えて、実施例１と同様に成形し評価したとこ
ろ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１４,０
００個／ｇ、１μｍ以上が１３０個／ｇであった。また
全光線透過率は８９％、光弾性定数は４１×１０^-13ｃ
ｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は４０ｎｍ、離型
荷重は３５ｋｇで曇りの発生は見られなかった。

【００６０】比較例１ 実施例１において、ペンタエリスリトールテトラステア
レートを０.００５％とした以外は、実施例１と同様に
してディスク基板を成形し、評価した。この基板の全光
線透過率は８９％、光弾性定数は５０×１０^-13ｃｍ²／
ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２６ｎｍ、離型荷重は
２５０ｋｇと大きく、ディスク基板表面に曇りが発生し
ており、その曇り部分のＳＥＭ写真でピットずれが確認
された。

【００６１】比較例２ ビスフェノールＡより得られた比粘度が０.２８３、Ｔ
ｇが１４３℃、ＭＦＲが６５ｇ／１０分であるポリカー
ボネート樹脂をペンタエリスリトールテトラステアレー
トを加えない以外は実施例１と同様にディスク基板を成
形し、実施例１と同様に評価したところ、吸水率は０.
３１重量％、全光線透過率は８９％、光弾性定数は８２
×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は８２
ｎｍ、離型荷重は２８０ｋｇと大きく、ディスク基板表
面に曇りが認められ、その曇り部分のＳＥＭ写真からピ
ットずれが起こっていることが確認された。

【００６２】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物は、低複屈折の成形品を与え、かつ成形性および離
型性に優れているので、光学ディスクのピットのような
微細な成形ずれを生じないため、光学ディスク、光学レ
ンズ、光カードなどの各種光学用成形品として好適に用
いられる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
   ８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
   ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）および（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒド
   ロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）であり、且つ成分
   ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範
   囲で構成された芳香族ポリカーボネート共重合体に、そ
   の共重合体に対して０.０１〜２重量％の割合の炭素原
   子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子数
   １０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エス
   テルが配合された芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
2. 【請求項２】 成分ａと成分ｂの割合がモル比で８０：
   ２０〜２０：８０である請求項１記載の芳香族ポリカー
   ボネート樹脂組成物。
3. 【請求項３】 該芳香族ポリカーボネート共重合体は、
   その０.７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液
   の２０℃において測定された比粘度が０.２〜０.５の範
   囲である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組
   成物。
4. 【請求項４】 該芳香族ポリカーボネート共重合体は、
   本文に定義された吸水率が０.２重量％以下である請求
   項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
5. 【請求項５】 該芳香族ポリカーボネート共重合体は、
   本文に定義された方法によって測定されたオリゴマー含
   量が１０％以下である請求項１記載の芳香族ポリカーボ
   ネート樹脂組成物。
6. 【請求項６】 該芳香族ポリカーボネート共重合体は、
   その塩化メチレン溶液中で測定された未溶解粒子がポリ
   カーボネート共重合体１ｇ当り粒子換算直径０.５μｍ
   以上のものが２５,０００個以下、且つ１μｍ以上のも
   のが５００個以下である請求項１記載の芳香族ポリカー
   ボネート樹脂組成物。
7. 【請求項７】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂組成物より形成された光学用材料。
8. 【請求項８】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂組成物より形成された光ディスク基板。