JPH0917705A

JPH0917705A - 連続熱処理方法

Info

Publication number: JPH0917705A
Application number: JP18472195A
Authority: JP
Inventors: Kimihiro Matsuse; 公裕松瀬
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1995-06-28
Filing date: 1995-06-28
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】自然酸化膜の発生を略完全になくすことがで
きる連続処理方法を提供する。【構成】被処理体Ｗに対して異なる複数の熱処理を施
す連続熱処理方法において、前記異なる複数の熱処理を
同一の処理炉３８内で前記被処理体の温度を高く維持し
た状態で、連続的に行なうように構成する。これによ
り、１つの熱処理後に被処理体を炉外へ搬送することな
く次の熱処理も行なうので自然酸化膜の発生を抑制する
ことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理体に対して異なる処理を連続的に行なう連続熱処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である半導体ウエハやガラス基板等に
成膜とパターンエッチング等を繰り返し施すことにより
所望の素子を得るようになっている。例えば半導体ウエ
ハを用いてＭＯＳＦＥＴのゲート素子を表面に作る場合
には、図６（Ａ）に示すように、ウエハＷの表面にソー
ス２とドレイン４となるべき位置に不純物を拡散させ
て、これらの間の表面に例えばＳｉＯ₂ よりなるゲート
酸化膜６を形成し、この下方にソース−ドレイン間のチ
ャネルを形成する。そして、ゲート酸化膜６上に、導電
性膜のゲート電極８を積層させて、１つのトランジスタ
が構成される。ゲート電極８としては、単層ではなく、
最近においては導電性等を考慮して、２層構造になされ
ている。例えば、ゲート酸化膜６の上にリンドープのポ
リシリコン層１０と金属シリサイド、例えばタングステ
ンシリサイド層１２を順次積層してゲート電極８を形成
している。

【０００３】ところで、半導体集積回路の微細化及び高
集積化に伴って、加工線幅やゲート幅もより狭くなさ
れ、また、多層化の要求に従って膜厚も薄くなる傾向に
あり、従って、各層或いは各層間の電気的特性は、線幅
等が狭くなっても従来通り、或いはそれ以上の高い性能
が要求される。このような要求に応じて、例えば前述の
ようにゲート電極８もポリシリコンとタングステンシリ
サイドの２層構造が採用されることになった。ところ
で、シリコン材料よりなる成膜、例えばポリシリコン層
１０の表面には、これが大気や水分等に晒されると容易
に自然酸化膜が付着する傾向にあり、この自然酸化膜が
付着したまま、次の層であるタングステンシリサイド層
１２を積層すると、両者の密着性が劣化したり或いは両
者間の導電性を十分に確保できず、電気的特性が劣化す
るという問題が発生する。また、このポリシリコン層１
０は、通常、多数枚、例えば１５０枚を一単位とするバ
ッチ処理で膜付けが行なわれるのに対して、タングステ
ンシリサイド層１２は、１枚毎に膜付けを行なう枚葉式
処理により膜付けされることから、当然、ウエハ毎に大
気等に晒される時間も異なり、自然酸化膜の厚さも異な
ってくる。そのため、タングステンシリサイド層１２を
積層する直前に、例えばＨＦ系ベーパを用いたウェット
洗浄を行い、図６（Ｂ）に示すようにポリシリコン層１
０上に付着してしまった自然酸化膜１４を剥ぐようにな
っている。

【０００４】しかしながら、このウェット洗浄により自
然酸化膜は除去できるのであるが、膜厚等が薄くなる
と、ウェット洗浄の乾きムラ（ウォータマーク）の影響
が無視し得なくなり、その部分に不純物が固まったり、
或いはそこを起点として膜が剥がれ易くなるといった新
たな問題が発生するようになった。そこで、ポリシリコ
ン層１０を形成した後に、これを空気に晒すことなくタ
ングステンシリサイド層を形成する方法として図７に示
すような処理装置が提案された。図７において、真空状
態になされた比較的大きなトランスファーチャンバ１６
の周囲に、２つのロードロックロック室１８Ａ、１８
Ｂ、２つのポリシリコン用処理炉２０Ａ、２０Ｂ及び２
つのタングステンシリサイド用処理炉２２Ａ、２２Ｂを
ゲートバルブ（図示せず）を介して連結し、搬送アーム
２４を用いてウエハＷを破線の矢印に示すように流し、
ポリシリコン層１０及びタングステンシリサイド層１２
を順次積層するようになっている。尚、図示例では、各
ロードロックロック室や処理炉をそれぞれ一対設けた
が、これらをそれぞれ１つのみ設けてもよいのは勿論で
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、真空状
態に維持されたトランスファーチャンバ１６を介してウ
エハＷを移送するようにしたので、従来のようにウエハ
Ｗを大気に晒す場合と比較して自然酸化膜の発生を抑制
することができる。しかしながら、トランスファーチャ
ンバ１６内が真空状態であるとはいえ、期待される程の
自然酸化膜の抑制効果を発揮し得ないのが現状である。
その理由は、トランスファーチャンバ１６内を真空引き
しても、質量が軽くてポンプ引きされ易い窒素ガスが先
に多く真空引きされ、逆に、水蒸気成分や酸素等の質量
の重いガスが比較的多く残留する傾向となり、このため
残留した水蒸気や酸素が反応して自然酸化膜を形成して
しまうので、十分な自然酸化膜の抑制効果を発揮できな
いのである。

【０００６】また、各処理炉で処理を行なう毎に加熱と
昇温を繰り返し、しかも、有害な残留処理ガスがトラン
スファーチャンバ１６内へ流れ込むことを防止するため
にガスパージも十分に行なわなければならないことから
昇降温に要する時間やパージ時間が長くなり、スループ
ットがかなり低下してしまうという問題がある。更に
は、複数ある処理炉の内、１つでも処理炉がダウンする
と、その処理炉を使用して流れている系が完全にストッ
プしてしまい、処理自体ができなくなるという問題もあ
った。また更には、図から明らかなように１つの処理炉
では１つの処理しか実施していないことから、設置処理
炉の数が多くなり、設備投資が増大するのみならず、占
有スペースも大きくなるという問題もあった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、自然酸化
膜の発生を略完全になくすことができる連続熱処理方法
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体に対して異なる複数の熱処理
を施す連続熱処理方法において、前記異なる複数の熱処
理を同一の処理炉内で前記被処理体の温度を高く維持し
た状態で、連続的に行なうように構成したものである。

【０００８】

【作用】本発明は、以上のように複数の熱処理を同一の
処理炉内で連続的に行なうようにしたので、例えばポリ
シリコンの成膜処理が行なわれた被処理体には、これを
処理炉から出すことなく同一処理炉内で続けて、例えば
タングステンシリサイドの成膜処理が行なわれる。従っ
て、ポリシリコン層に自然酸化膜が付着することがな
く、素子の電気的特性を高めることが可能となる。ま
た、同一処理炉内で連続処理を行なうことから被処理体
を移載するために炉内温度の降温及び次の処理のための
昇温操作を行なう必要がなくなり、被処理体を高温状態
に維持したまま連続処理が行なわれ、従って、昇降温に
伴う時間損失をなくすことができ、スループットを向上
させることが可能となる。更に、異なる処理へ移行する
場合でも、炉を開放することがないことから、高温処理
ガスが有害なものでも厳密なパージを行なう必要がな
く、従って、パージ時間も短縮することが可能となる。
また、ある程度の枚数の被処理体を熱処理したならば、
例えばＣｌＦ₃ ガス等を用いてクリーニング処理を行な
えばパーティクル等の発生も抑制することが可能とな
る。

【０００９】

【実施例】以下に、本発明に係る連続熱処理方法の一実
施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明方法
を実施するために用いるクラスタツール装置を示す概略
平面図、図２は図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面
図、図３はクラスタツール装置に用いる１つの処理炉を
示す断面図である。まず、本発明方法の説明に先立っ
て、クラスタツール装置について説明する。このクラス
タツール装置２６は、１つのトランスファーチャンバ３
２に対して３つの処理炉２８と１つのロードロック室３
０を連結して構成され、チャンバ３２と各炉及びロード
ロック室３０との間にはこれらを開閉するゲートバルブ
Ｇ１〜Ｇ４が介設されている。各処理炉２８は全く同様
に構成され、後述するように各処理炉２８において異な
る複数の熱処理、例えばポリシリコンの成膜処理とタン
グステンシリサイドの成膜処理を連続的に行なうことか
ら、被処理体である半導体ウエハＷの搬送は、トランス
ファーチャンバ３２内の多関節の搬送アーム３４を用い
てロードロック室３０と各処理炉２８との間で矢印３６
に示すように直接的に行なわれ、処理炉２８間で行なわ
れることはない。尚、図示例では実際の装置例に基づい
て３基の処理炉２８が連結されているが、１基或いは２
基でもよいのは勿論である。

【００１０】次に、処理炉２８の具体的構成を図３に基
づいて説明する。本実施例では、処理炉２８として加熱
ランプを用いた高速昇温が可能な枚葉式熱処理炉を例に
とって説明する。この処理炉２８は、例えばアルミニウ
ム等により円筒状或いは箱状に成形された処理室３８を
有しており、この処理室３８内には、処理室底部より起
立させた支柱４０上に、例えば断面Ｌ字状の保持部材４
２を介して被処理体としての半導体ウエハＷを載置する
ための載置台４４が設けられている。この支柱４０及び
保持部材４２は、熱線透過性の材料、例えば石英により
構成されており、また、載置台４４は、厚さ１ｍｍ程度
の例えばカーボン素材、アルミ化合物等により構成され
ている。この載置台４４の下方には、複数本、例えば３
本のリフタピン４６が支持部材４８に対して上方へ起立
させて設けられており、この支持部材４８を処理室底部
に貫通して設けられた押し上げ棒５０により上下動させ
ることにより、上記リフタピン４６を載置台４４に貫通
させて設けたリフタピン穴５２に挿通させてウエハＷを
持ち上げ得るようになっている。

【００１１】上記押し上げ棒５０の下端は、処理室３８
内の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ５４
を介してアクチュエータ５６に接続されている。上記載
置台４４の周縁部には、ウエハＷの周縁部を保持してこ
れを載置台４４側へ固定するためのリング状のセラミッ
ク製クランプリング５８が設けられており、このクラン
プリング５８は、上記保持部材４２を遊嵌状態で貫通し
た支持棒６０を介して上記支持部材４８に連結されてお
り、リフタピン４６と一体的に昇降するようになってい
る。ここで保持部材４２と支持部材４８との間の支持棒
６０にはコイルバネ６２が介設されており、クランプリ
ング５８等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実
ならしめている。これらのリフタピン４６、支持部材４
８及び保持部材４２も石英等の熱線透過部材により構成
されている。

【００１２】また、載置台４４の直下の処理室底部に
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓６４が気密に
設けられており、この下方には、透過窓６４を囲むよう
に箱状の加熱室６６が設けられている。この加熱室６６
内には加熱手段として複数の加熱ランプ６８が反射鏡も
兼ねる回転台７０に取り付けられており、この回転台７
０は、回転軸を介して加熱室６６の底部に設けた回転モ
ータ７２により回転される。従って、この加熱ランプ６
８より放出された熱線は、透過窓６４を透過して載置台
４４の下面を照射してこれを加熱し得るようになってい
る。この加熱室６６の側壁には、この室内や透過窓６４
を冷却するための冷却エアを導入する冷却エア導入口７
４及びこのエアを排出する冷却エア排出口７６が設けら
れている。

【００１３】また、載置台４４の外周側には、多数の整
流孔７８を有するリング状の整流板８０が、上下方向に
環状に成形された支持コラム８２により支持させて設け
られている。整流板８０の内周側には、クランプリング
５８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント８４が設けられ
る。整流板８０の下方の底部には排気口８６が設けら
れ、この排気口８６には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路８８が接続されており、処理室３８内を所定
の真空度（例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０^-6Ｔｏｒｒ）に
維持し得るようになっている。

【００１４】一方、上記載置台４４と対向する処理室天
井部には、処理ガスやクリーニングガス等の必要ガスを
処理室３８内へ導入するためのガス供給部９０が設けら
れている。具体的には、このガス供給部（シャワーヘッ
ド）９０は、シャワーヘッド構造になされており、例え
ばアルミニウム等により円形箱状に成形されたヘッド本
体９２を有し、この天井部にはガス導入口９４が設けら
れている。このガス導入口９４には、ガス通路９６及び
複数の分岐路を介してそれぞれＮ₂，ＰＨ₃ ，ＷＦ₆ ，
ＳｉＨ₄等のガス源９８、１００、１０２、１０４及び
ＣｌＦ₃ のクリーニングガス源１０６に接続されてお
り、また、各分岐路にはそれぞれ流量制御弁１０８及び
開閉弁１１０が介設されている。

【００１５】ヘッド本体９２の下面である載置台対向面
には、ヘッド本体９２内へ供給されたガスを放出するた
めの多数のガス孔１１２が面内に均等に配置されてお
り、ウエハ表面に亘って均等にガスを放出するようにな
っている。また、ヘッド本体９２内には、多数のガス分
散孔１１４を有する２枚の拡散板１１６が上下２段に配
設されており、ウエハ面に、より均等にガスを供給する
ようになっている。

【００１６】次に、以上のように構成された装置例に基
づいて行なわれる本発明は方法について説明する。図４
（Ａ）は、本発明方法のプロセスを示すタイムチャート
である。本発明の特徴は、同一の処理炉内で異なる複数
の熱処理を連続的に行なう点にあり、ここではポリシリ
コン膜とタングステンシリサイドを連続的に成膜する場
合について説明する。まず、ロードロックロック室３０
内に収容されている未処理の半導体ウエハＷは予め真空
状態になされているトランスファーチャンバ３２内の搬
送アーム３４により取り出され、このウエハＷを空き状
態となっている処理炉２８内にゲートバルブを介して搬
入し、リフタピン４６を押し上げることによりウエハＷ
をリフタピン４６側に受け渡す。そして、リフタピン４
６を、押し上げ棒５０を下げることによって降下させ、
ウエハＷを載置台４４上に載置すると共に更に押し上げ
棒５０を下げることによってウエハＷの周縁部をクラン
プリング５８で押圧してこれを固定する。尚、未処理の
半導体ウエハＷとは、ここでは図６においてゲート酸化
膜６まで他の処理炉で成膜されたものをいう。まず、ポ
リシリコン成膜処理を行なう。処理室３８内を真空排気
しつつ加熱室６６内の加熱ランプ６８を駆動しながら回
転させ、熱エネルギを放射する。

【００１７】放射された熱線は、透過窓６４を透過した
後、石英製の支持部材４８等も透過して載置台４４の裏
面を照射してこれを加熱する。この載置台４４は、前述
のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱さ
れ、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所
定の温度まで加熱することができる。ウエハＷがプロセ
ス温度、例えば略６３０℃に達したならば、ガス源９
８、１００、１０４からＮ₂ のキャリアガスに乗せてＰ
Ｈ₃ （ホスフィン）とＳｉＨ₄（シラン）を搬送してこ
のガスを処理室３８内にシャワーヘッドを介して供給す
る。ホスフィン及びシランの供給量は、それぞれ略１０
ＳＣＣＭ及び略２００ＳＣＣＭ程度である。供給された
混合ガスは所定の化学反応を生じ、ウエハＷのゲート酸
化膜６上に不純物としてＰ（リン）のドープされたポリ
シリコン層１０（図６参照）が成膜される。尚、ドーパ
ントとしてはリンの外に、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ等を用いるこ
とができる。この成膜処理は、所定の膜厚例えば２００
０Åを得るために例えば４分程度行なわれる。尚、この
時のプロセス圧力は略数Ｔｏｒｒ程度であり、成膜速度
は略５００Å／分である。

【００１８】このようにして、ポリシリコン層の成膜処
理が完了したならば、次に、タングステンシリサイドの
成膜処理へ移行する。まず、ＰＨ₃ 及びＳｉＨ₄ の供給
を停止し、Ｎ₂ ガスを流して処理室２８から有害なホス
フィンをパージすると共に加熱ランプ６８の電力を調整
してウエハＷをタングステンシリサイドのプロセス温
度、例えば５２０℃まで僅かな温度だけ降温させる。こ
のＮ₂ パージ期間は、略数分程度である。プロセス温度
に達したならば、次に、タングステンシリサイド用の処
理ガスとしてシランとＷＦ₆ を、キャリアガスを用い
て、或いは用いないで処理室３８内へ供給する。シラン
とＷＦ₆ の流量は、それぞれ略３００ＳＣＣＭと略３Ｓ
ＣＣＭ程度である。処理ガスとしてシランに替えてジク
ロルシラン等を用いることもでき、また、キャリアガス
としてはＮ₂ ガスに替えてアルゴンやヘリウムも用いる
ことができる。供給された混合ガスは、所定の化学反応
を生じ、タングステンシリサイド膜がポリシリコン層上
に形成されることになる。この成膜処理は、所定の膜
厚、例えば１５００Åを得るために例えば２分程度行な
われる。この時のプロセス圧力も、先のポリシリコンの
成膜処理と略同じ数ＴＯＲＲ程度であり、成膜速度は略
７５０Å／分である。

【００１９】このようにしてタングステンシリサイドの
成膜が終了したならば、残留する処理ガスをＮ₂ ガスに
よりパージしつつウエハＷの温度を搬送に適した温度、
例えば３００℃程度まで降温し、ゲートバルブを開いて
処理済みのウエハを搬出し、搬出が終了したならば未処
理のウエハを前述したと同様にして搬入する。以後同様
にして、ウエハＷに対する連続成膜熱処理が繰り返し行
なわれることになる。そして、所定の枚数、例えば２５
枚のウエハの処理が終了すると、処理室の内壁面や内部
構造物の表面にもある程度の成膜が付着することから、
これを除去する目的でクリーニングガスとしてＣｌＦ₃
ガスを供給し、温度例えば２００℃程度でクリーニング
処理を数分間程度行なう。これにより、処理室内に付着
した不要な成膜を除去することができることから、成膜
の剥離によるパーティクル等の発生を抑制することがで
きる。このクリーニング操作は、成膜量に応じて行なえ
ばよく、例えば、１枚のウエハの処理毎に行なってもよ
く、その回数はスループットとパーティクルの発生量と
を勘案して行なえばよい。また、クリーニングガスとし
ては、ポリシリコンに対してもタングステンシリサイド
に対しても同様に効果的に除去が可能なＣｌＦ₃ 系ガス
を用いるのが好ましいが、これに限定されるものではな
い。

【００２０】このように、本発明方法においては、リン
ドープのポリシリコン層１０を形成した後に、同一処理
炉内で、すなわちウエハＷを炉から搬出することなく、
僅かに温度調整しただけでそのまま次のタングステンシ
リサイド層１２の成膜処理へ移行するようにしたので、
ポリシリコン層１０上に自然酸化膜が形成される恐れが
ほとんどない。従って、両層間の密着性が良好となり、
また、この電気的特性も大幅に改善することが可能とな
る。尚、他の２つの処理炉２８でも同様な連続処理が、
独立して個別に行なわれているのは勿論である。また、
図４（Ｂ）は図７に示す装置を用いて行なわれる従来の
成膜方法を示すタイムチャートであるが、この場合に
は、前述したように１つの成膜処理を施す毎に、ウエハ
Ｗを別の処理炉へ搬送することとしているので、その都
度、ウエハ温度の降温操作及び昇温操作を行なわなけれ
ばならず、スループットを低下させる原因となっていた
が、図４（Ａ）に示すように本発明方法の場合には、両
プロセス温度の相異に伴う僅かな量の温度変更はあるも
のの、基本的には１回の降温及び昇温操作を省略するこ
とができ、その分、この降温及び昇温操作に要する時間
だけスループットを向上させることが可能となる。ま
た、連続プロセスを終了してウエハＷを搬出・搬入させ
る場合には、前述のように一旦ウエハ温度を搬送可能温
度まで低下させるが、この種の処理炉のようにランプ加
熱方式を採用することにより、昇温速度は高くなり、無
駄な時間を省いてこの点よりもスループットを向上させ
ることができる。

【００２１】また、ポリシリコン層の成膜処理にシラン
に替えてジクロルシランを用いれば、このプロセス温度
は、タングステンシラン層のプロセス温度を略同じ５２
０℃程度であることから、温度変更をほとんど行なうこ
となく、連続プロセスが可能となり、スループットを一
層向上させることができる。更に、従来の処理方法で
は、図７にて説明したように例えば１つの処理炉が何ら
かの理由でダウンした場合には、その処理炉が組み込ま
れている成膜ルートは、停止せざるを得ないが、本発明
方法のように同一処理炉内で複数の異なる成膜処理を行
なうようにした場合には、その処理炉だけ停止すればよ
く、他の処理炉は単独で動作させて成膜処理を行なうこ
とができるので、その分、稼働率を向上させることが可
能となる。

【００２２】また、ドーパントのリンは、タングステン
シリコン層中に混入したとしても、電気的特性上に悪影
響を与えることはないので、ポリシリコン成膜からタン
グステンシリサイド成膜への移行の際のＮ₂ ガスによる
リンのパージはそれ程厳密に行なう必要がなく、その
分、パージ期間を短くして、スループットの向上に寄与
することができる。尚、上記実施例においては、ヒート
マスが小さいことから高速昇温が可能なランプ加熱式の
処理炉を例にとって説明したが、これに限定されず、例
えば図５に示すように、断熱材１１８上にヒートマスの
大きなサセプタ１２０を設け、このサセプタ１２０に抵
抗加熱ヒータ１２２を設けるようにした、いわゆる抵抗
加熱型の処理炉にも適用することができる。また、この
種の処理炉に限定されず、他の枚葉式ＣＶＤ処理炉、例
えばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型のＣＶＤ装置
にも適用することができる。更には、成膜の種類に関し
ては、タングステンシリサイドに限定されず、タングス
テン、チタン、チタンナイトライド、チタンシリサイド
等の金属或いは金属化合物を成膜する場合にも適用し得
るのは勿論である。また、異なる成膜処理としては、２
層に限定されず、３層或いはそれ以上の連続処理を行な
うようにしてもよい。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の連続熱処
理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮する
ことができる。１つの処理炉内で異なる複数の熱処理を
連続的に行なうようにしたので、１つの処理毎に処理炉
を変える従来方法と異なり、成膜表面等に自然酸化膜が
付着することを大幅に抑制することができ、その分、層
間の接着強度や電気的特性を大幅に向上させることがで
きる。また、上記した理由により高い被処理体温度を維
持したまま処理を行なうようにしたので、成膜操作間に
おける被処理体の温度の降温或いは昇温操作をほとんど
行なう必要がなくなり、その分、スループットを向上さ
せることができる。更に、１つの処理炉がダウンしても
各処理炉は個々において独立的に連続処理が行なわれる
ので、従来方法と比較して、健全な装置を停止する必要
がなく、装置の稼動率を高めることができる。また更
に、設置すべき装置数も略半分にすることができ、その
分、設備コストを削除できるのみならず、占有スペース
も節約することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法を実施するために用いるクラスタツ
ール装置を示す概略平面図である。

【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図であ
る。

【図３】クラスタツール装置に用いる１つの処理炉を示
す断面図である。

【図４】本発明の連続熱処理方法と従来方法のタイムチ
ャートを示す図である。

【図５】抵抗ヒート方式の熱処理炉を示す概略断面図で
ある。

【図６】ＭＯＳ型トランジスタのゲート構造を示す断面
図である。

【図７】従来の連続熱処理方法を行なうクラスタツール
装置を示す概略平面図である。

【符号の説明】

６ゲート酸化膜８ゲート電極１０ポリシリコン層１２タングステンシリサイド層１４自然酸化膜２６クラスタツール装置２８処理炉３０ロードロック室３２トランスファーチャンバ３４搬送アーム３８処理炉４４載置台６４透過窓６８加熱ランプ９０ガス供給部９８Ｎ₂ ガス源１００ＰＨ₃ ガス源１０２ＷＦ₆ ガス源１０４ＳｉＨ₄ ガス源１０６ＣｌＦ₃ ガス源１２２抵抗加熱ヒータＷ半導体ウエハ（被処理体）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に対して異なる複数の熱処理を
施す連続熱処理方法において、前記異なる複数の熱処理
を同一の処理炉内で前記被処理体の温度を高く維持した
状態で、連続的に行なうように構成したことを特徴とす
る連続熱処理方法。
【請求項２】前記異なる複数の熱処理は、異なる膜質
の成膜処理であることを特徴とする請求項１記載の連続
熱処理方法。
【請求項３】前記異なる膜質の成膜処理は、不純物の
ドープされたポリシリコンの成膜処理と、タングステン
シリサイドの成膜処理を含むことを特徴とする請求項２
記載の連続熱処理方法。
【請求項４】所定枚数の前記被処理体に対して前記熱
処理が施されたときには、前記処理炉にはクリーニング
処理が施されることを特徴とする請求項１乃至３記載の
連続熱処理方法。
【請求項５】前記クリーニング処理は、フッ素系のク
リーニングガスを用いることを特徴とする請求項１乃至
４記載の連続熱処理方法。
【請求項６】前記処理炉は、ランプ加熱により高速昇
温が可能な枚葉式の処理炉であるこを特徴とする請求項
１乃至５記載の連続熱処理方法。