JPH0917836A

JPH0917836A - 半導体製造システム

Info

Publication number: JPH0917836A
Application number: JP16215495A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Watabe; 知行渡部; Nobuaki Miyagawa; 宜明宮川
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1995-06-28
Filing date: 1995-06-28
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】安価で、振動に強い、真空一貫型の半導体製造
システムを提供することを目的とする。【構成】半導体ウエハを処理する複数のプロセス装置１
１，１２と、これらのプロセス装置１１，１２間を移動
する半導体ウエハが通過するウエハ搬送路１３とを備え
た半導体製造システム１０において、ウエハ搬送路１３
が、少なくとも、半導体ウエハがそのウエハ搬送路１３
を通過している間、所定の真空度に保持される気密構造
を有し、上記複数のプロセス装置１１，１２のうちの少
なくとも１つのプロセス装置が上記所定の真空度を超え
る高真空下で半導体ウエハを処理する高真空プロセス装
置１１であって、高真空プロセス装置１１とウエハ搬送
路１３との間に配設された、半導体ウエハがウエハ搬送
路１３側から運び込まれ真空度を上げてその半導体ウエ
ハを高真空プロセス装置１１に受け渡すロードロック装
置４０を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを処理す
る複数のプロセス装置より成る、いわゆる真空一貫化さ
れた半導体製造システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を製
造する半導体製造システムは複数のプロセス装置、例え
ば、酸化装置、リソグラフィ装置、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃ
ｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｉａｌ）装置、イオ
ン注入装置、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等から構成されている。

【０００３】半導体ウエハがこれらのプロセス装置間を
搬送される間に、半導体ウエハが塵埃等で汚染されるの
を防止するため、これらのプロセス装置全体をクリーン
ルーム内に収納することが広く行われている。図３は、
従来の、クリーンルームに収納された半導体製造システ
ムの構成図である。

【０００４】図３に示すように、半導体製造システム１
０には、高真空下で半導体ウエハを処理するＭＢＥ装
置、リソグラフィ装置等の高真空プロセス装置１１と、
大気圧下もしくは低真空下で半導体ウエハを処理するイ
オン注入装置、ＣＶＤ装置、酸化装置、アニール装置等
の低真空プロセス装置１２と、これら複数のプロセス装
置１１，１２を集中制御するためのワークステーション
１５が備えられ、これらの装置全体がクリーンルーム３
０内に収納されている。

【０００５】半導体ウエハは、ワークステーション１５
の制御の下にクリーンルーム３０内の複数のプロセス装
置１１，１２間を搬送され、それぞれのプロセス装置１
１，１２による処理が施されて所望の半導体集積回路が
製造される。ここで、高真空プロセス装置、例えば、Ｍ
ＢＥ装置は３×１０^-10 Ｔｏｒｒ以下程度、リソグラフ
ィ装置は１×１０^-9Ｔｏｒｒ以下程度の真空度が主とし
て用いられるので、高真空度とはほぼ１０^-9Ｔｏｒｒ以
下の真空度を目安とし、また、低真空プロセス装置、例
えば、イオン注入装置、Ａｌ蒸着装置は１０^-6Ｔｏｒｒ
程度の真空度が主として用いられるので、低真空度とは
ほぼ１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度を目安とする。

【０００６】図３では、このような目安で高真空プロセ
ス装置１１と低真空プロセス装置１２とに分類し、高真
空プロセス装置１１は太線で示し、低真空プロセス装置
１２は細線で示してある。なお、図３には、リソグラフ
ィ装置が高真空プロセス装置１１の一つとして示されて
いる。従来のリソグラフィ装置は、ホトレジストレーシ
ョンや感光等に用いられる湿式装置が主流であり、大気
圧下で使用されるものが殆どであったが、最近の微細化
技術の進歩により電子線リソグラフィが多用されるよう
になってきたので、ここではリソグラフィ装置を高真空
プロセス装置１１の一つに分類してある。

【０００７】ところで、このようなクリーンルーム方式
による半導体製造システムでは、各プロセス装置を含む
環境全体を清浄に保つため、大きなクリーンルームが必
要であり、そのため半導体製造設備の建設コストがかさ
み、半導体ウエハの製造コストがアップするという問題
がある。その上、クリーンルーム方式では、空気中の塵
埃による汚染の問題は解決できても、半導体ウエハがプ
ロセス装置間を搬送される間、半導体ウエハが空気に曝
されるのを防ぐことはできない。半導体ウエハが空気に
曝されると、半導体ウエハ上に自然酸化膜が形成され
る。最近の半導体加工精度の微細化に伴い、この半導体
ウエハ上の自然酸化膜がプロセス上の障害の原因となる
ことが多くなってきた。

【０００８】そこで、自然酸化膜の形成を防止するた
め、半導体ウエハを真空中で搬送する方法が提案されて
いる。その一例として、特公平６−５８９３２号公報に
は、手提げ式の真空カセットの中に半導体ウエハを格納
し、真空状態のまま半導体ウエハを持ち運ぶ方法が提案
されている。この方法では、各プロセス装置の半導体ウ
エハ出入口には、ロードロック室が設けられ、真空カセ
ットと各プロセス装置との間で真空を保ちながら半導体
ウエハの受け渡しが行われる。各プロセス装置には、真
空カセットを外部から搬入するための、外形が共通化さ
れたロードロック室及び半導体ウエハの受け渡し動作を
行うウエハハンドラが備えられている。

【０００９】この方法によれば、半導体ウエハを大気に
曝さずに一連の処理を行うことができるので、自然酸化
膜による半導体ウエハ表面の劣化が防止される。しか
し、この方法には、全てのプロセス装置に真空カセット
を受け渡しするロードロック室を設けそれを高真空下で
制御する必要があるため、設備コストが割高となるとい
う問題がある。

【００１０】そこで、これらの従来法に代わり、「半導
体真空一貫プロセス」（権田俊一、電子情報通信学会
誌、第７７巻第３号１９９４年３月第２７１〜２７６
頁）には、全てのプロセス装置をウエハ自動搬送路で連
結し、半導体ウエハを大気に曝さずに処理する、いわゆ
る真空一貫プロセスが開示されている。図４は、上記の
半導体真空一貫プロセスの概要図である。

【００１１】図４に示すように、この半導体製造システ
ム１０には、ＭＢＥ装置、及びリソグラフィ装置の高真
空プロセス装置１１と、ウエハクリーン装置、ＣＶＤ装
置、酸化装置、イオン注入装置、アニール装置等の低真
空プロセス装置１２と、これらのプロセス装置１１，１
２を連結し、真空下で半導体ウエハ（図示せず）を自動
搬送するウエハ搬送路３３と、半導体ウエハを系外から
ウエハ搬送路３３内に取り込み系外に取り出す試料挿入
装置１６と、これらの装置全体を集中制御するワークス
テーション１５と、ワークステーション１５と各プロセ
ス装置間の制御信号を伝送するネットワーク１４とが備
えられている。なお、各プロセス装置１１，１２とウエ
ハ搬送路３３との連結部にはロードロック室（図示せ
ず）が設けられ、各プロセス装置１１，１２とウエハ搬
送路３３との雰囲気は互いに遮断されている。

【００１２】この半導体製造システム１０では、半導体
ウエハは、プロセス装置１１，１２、ウエハ搬送路３３
若しくはロードロック室内にあるため、半導体ウエハは
外気から遮断され自然酸化膜による半導体ウエハ表面の
劣化が防止される。従って、半導体製造システム全体を
クリーンルームに収納する必要がない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す従来の真空一貫プロセスには種々の問題がある。即
ち、これらの複数のプロセス装置１１，１２では、さま
ざまなガス、例えば、ＳｉＯ₂ 用ＣＶＤ装置ではＳｉ系
ガスとＯ₂ ガス、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 用ＣＶＤ装置ではＳｉ系ガ
スとＮ₂ ガス、エッチング装置ではＡｒガスや塩素ガス
等が使用される。

【００１４】このようなさまざまなガスを使用するプロ
セス装置１１，１２が、ウエハ搬送路３３を介して互い
に連結されているので、これらのガスがそれぞれのロー
ドロック室を通り抜けてウエハ搬送路３３内に漏れ出
し、他のプロセス装置１１，１２に流入してそのプロセ
スに悪影響を及ぼすことがある。特に、高真空プロセス
装置１１のロードロック室では、他のプロセス装置１
１，１２からのガスを完全に除去する必要があるが、ロ
ードロック室によってガスを完全に清浄化するにはロー
ドロック室の負担が大きい。

【００１５】そこで、ウエハ搬送路３３をできるだけ高
真空度に保持して、ウエハ搬送路３３中のガスをできる
だけ除去することにより、高真空プロセス装置１１のロ
ードロック室の負担を軽くする方法が考えられる。しか
し、ウエハ搬送路３３を高真空度に保持するためには、
ウエハ搬送路３３全体を気密性の高い強固な構造物とし
て形成する必要がある。通常、このような構造物は、厚
さが１０ｍｍ程度の肉厚のステンレス管を用いて構築さ
れ、管相互の接続部は同様な肉厚を持つ大型のフランジ
により強固に連結されなければならない。

【００１６】また、ウエハ搬送路３３だけでなくロード
ロック室も高真空度に耐えられる強固な構造物として形
成する必要がある。従って、半導体製造システム全体が
一体化された大規模な剛体構造とならざるを得ない。そ
のため、構造物の施工や機器類の設置に際しては、僅か
な床の歪等も許されない高度の施工精度、設置精度が要
求され、建設コストが割高になるという問題がある。

【００１７】また、半導体製造システム全体が一体化さ
れた剛体構造となるため、外部からの僅かな振動により
構造物が共振を起こし易く、そのため、振動の影響を受
け易い精密なプロセス装置をシステム内に組み込むこと
が難しいという問題もある。本発明は、上記の事情に鑑
み、建設コストが安く、振動に強い真空一貫型の半導体
製造システムを提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の半導体製造システムは、半導体ウエハを処理する
複数のプロセス装置と、これら複数のプロセス装置間を
移動する半導体ウエハが通過するウエハ搬送路とを備え
た半導体製造システムにおいて、上記ウエハ搬送路が、
少なくとも、半導体ウエハがそのウエハ搬送路を通過し
ている間、所定の真空度に保持される気密構造を有し、
上記複数のプロセス装置のうちの少なくとも１つのプロ
セス装置が上記所定の真空度を超える高真空下で半導体
ウエハを処理する高真空プロセス装置であって、上記高
真空プロセス装置と上記ウエハ搬送路との間に配設され
た、半導体ウエハが上記ウエハ搬送路側から運び込まれ
真空度を上げてその半導体ウエハを上記高真空プロセス
装置に受け渡すロードロック装置を備えたことを特徴と
する。

【００１９】ここで、上記ロードロック装置と上記ウエ
ハ搬送路との間に配設された、半導体ウエハが上記ウエ
ハ搬送路側から運び込まれ雰囲気を調整してその半導体
ウエハを上記ロードロック装置に受け渡す第２のロード
ロック装置を備えたものであることが好ましい。

【００２０】

【作用】本発明の半導体製造システムは、上記のように
構成したことにより、高真空プロセス装置に設けられた
高真空のロードロック装置により高真空プロセス装置と
ウエハ搬送路との真空度の相違が調整されるので、ウエ
ハ搬送路を高真空度に保持する必要がない。そのため、
ウエハ搬送路の構造を簡略化することができ、半導体製
造システム全体の構造が小型化、軽量化され、建設コス
トが大幅に低減する。

【００２１】また、本発明では、高真空プロセス装置に
のみ高真空のロードロック装置を設ければよく、それ以
外の低真空プロセス装置には、真空度の相違を調整する
ための高真空のロードロック装置を設ける必要がないた
め、建設コスト及び操業コストが低減する。また、本発
明では、ウエハ搬送路は上記の所定真空度に保持される
気密構造として構成されている。即ち、ウエハ搬送路は
上記の所定の真空度を超える高真空度に保持する必要が
ないため、ウエハ搬送路の連結部等にベローズ等の気密
性の低い柔軟材料を使用することが可能となり、設備全
体を柔構造とすることができる。そのため、床の歪み等
に対する適応性の高い半導体製造システムが得られる。
また同様に、設備自体が外部からの振動を吸収し、共振
を防止することができるため、振動の影響を受け易い精
密なプロセス装置をシステム内に組み込むことができ
る。

【００２２】更に、本発明の好ましい一態様として、ロ
ードロック装置とウエハ搬送路との間に第２のロードロ
ック装置を備えた場合は、ウエハ搬送路内に混入した不
純物ガスを第２のロードロック装置で除去することがで
きるので、ロードロック装置本来の真空度調整機能を十
分に発揮させることができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の半導体製造システムの一実施例の構成図
である。図１に示すように、半導体製造システム１０
は、高真空下で半導体ウエハを処理するＭＢＥ装置、リ
ソグラフィクラスタの２つの高真空プロセス装置１１
と、低真空下で半導体ウエハを処理するウエハクリーン
装置、ＣＶＤ装置、酸化装置、イオン注入装置、アニー
ル装置等の複数の低真空プロセス装置１２と、これらプ
ロセス装置１１，１２間を移動する半導体ウエハが通過
するウエハ搬送路１３と、半導体ウエハを系外からウエ
ハ搬送路３３内に取り込み系外に取り出す試料挿入装置
１６と、これらの装置全体を集中制御するワークステー
ション１５と、ワークステーション１５と各プロセス装
置間の制御信号を伝送するネットワーク１４とを備えて
いる。

【００２４】上記の高真空プロセス装置１１のうち、Ｍ
ＢＥ装置の真空度はほぼ３×１０^-1 ⁰ Ｔｏｒｒ以下、リ
ソグラフィ装置の真空度はほぼ１×１０^-9Ｔｏｒｒ以下
である。ウエハ搬送路１３は、半導体ウエハがこのウエ
ハ搬送路１３を通過している間、所定の真空度に保持さ
れる気密構造として構成されている。その真空度は、半
導体ウエハの表面に自然酸化膜を発生しない程度の低真
空度であって、本実施例では、１０^-6Ｔｏｒｒに設定さ
れている。

【００２５】低真空度プロセス装置１２とウエハ搬送路
１３は、上記ウエハ搬送路１３の真空度とほぼ同じ真空
度の低真空度のロードロック装置（図示せず）を介して
接続されている。この低真空度のロードロック装置は、
各プロセス装置１２とウエハ搬送路１３との間の雰囲気
の相違を調整する。こうすることにより、低真空度のロ
ードロック装置は各低真空度プロセス装置１２相互間の
ガスの混入を防止する。

【００２６】複数のプロセス装置１１，１２のうち、Ｍ
ＢＥ装置とリソグラフィクラスタは、上記ウエハ搬送路
１３の真空度、即ち１０^-6Ｔｏｒｒを超える高真空下で
半導体ウエハを処理する高真空プロセス装置１１であ
り、それら高真空プロセス装置１１とウエハ搬送路１３
との間には、高真空度のロードロック装置４０が備えら
れており、更に、高真空度のロードロック装置４０とウ
エハ搬送路１３との間には、上記低真空度プロセス装置
１２におけると同様の低真空度のロードロック装置（図
示せず）が備えられている。高真空度のロードロック装
置４０は、半導体ウエハが高真空プロセス装置１１と低
真空度のロードロック装置との間で受け渡しされる際
に、高真空度のロードロック装置４０と低真空度のロー
ドロック装置との真空度の相違を調整する。

【００２７】図１において、太線で示した部分、即ち、
高真空プロセス装置１１及びロードロック装置４０は肉
厚約１０ｍｍのステンレスを主体として構成されてい
る。一方、細線で示した部分、即ち、低真空プロセス装
置１２及びウエハ搬送路１３等の低真空度系の構造物に
用いられる構造材料は上記高真空度の構造材料の数分の
１の肉厚で十分である。また、低真空度のウエハ搬送路
１３の一部には、柔らかいベローズが用いられており、
こうすることにより除震性を高めた構造としている。

【００２８】このように構成された半導体製造システム
１０において、半導体ウエハは、ワークステーション１
５による集中制御により、所定の順序でウエハ搬送路１
３を経由して各プロセス装置１１，１２間を搬送され、
各プロセス装置１１，１２による所定の処理を受けて半
導体集積回路が製造される。図２は、本発明の半導体製
造システムの一実施例における高真空プロセス装置に用
いられるロードロック装置の模式図である。

【００２９】図２に示すロードロック装置は、互いに直
列に接続された高真空度のロードロック装置４０と低真
空度のロードロック装置２０とから成る。高真空度のロ
ードロック装置４０は、高真空プロセス装置１１（図１
参照）と低真空度のロードロック装置２０との間の真空
度の相違を調整する機能及び高真空プロセス装置１１と
低真空度のロードロック装置２０との間で半導体ウエハ
を受け渡しする機能を有する。そのため、高真空度のロ
ードロック装置４０には、高真空ロードロック室４１
と、高真空ロードロック室４１の両端に設けられた開閉
自在の高真空気密シャッタ４２と、高真空度のロードロ
ック装置４０の高真空プロセス装置１１側に設けられた
半導体ウエハを受け渡しする高真空ウエハ搬送部４３
と、高真空ウエハ搬送部４３と高真空プロセス装置１１
とを接続する高真空フランジ４４と、高真空ロードロッ
ク室４１を真空ポンプ（図示せず）に接続する排気管４
５とが備えられている。

【００３０】また、低真空度のロードロック装置２０
は、高真空度のロードロック装置４０とウエハ搬送路１
３との間の雰囲気の相違を調整する機能及び高真空度の
ロードロック装置４０とウエハ搬送路１３との間で半導
体ウエハを受け渡しする機能を有する。そのため、低真
空度のロードロック装置２０には、低真空ロードロック
室２１と、低真空ロードロック室２１の両端に設けられ
た開閉自在の低真空気密シャッタ２２と、低真空度のロ
ードロック装置２０のウエハ搬送路１３側に設けられた
半導体ウエハを受け渡しする低真空ウエハ搬送部２３
と、低真空ウエハ搬送部２３とウエハ搬送路１３とを接
続する低真空フランジ２４と、低真空ロードロック室２
１を真空ポンプ（図示せず）に接続する排気管２５とが
備えられている。

【００３１】このように構成された低真空度のロードロ
ック装置２０及び高真空度のロードロック装置４０の動
作について、半導体ウエハが、ウエハ搬送路１３から高
真空プロセス装置１１に渡される場合と高真空プロセス
装置１１からウエハ搬送路１３に渡される場合とに分け
て、以下に説明する。（１）半導体ウエハがウエハ搬送路１３から高真空プロ
セス装置１１に渡される場合：先ず、低真空度のロード
ロック装置２０の高真空度のロードロック装置４０側の
シャッタ２２を閉じウエハ搬送路１３側のシャッタ２２
を開いて半導体ウエハをウエハ搬送路１３から低真空ロ
ードロック室２１へ移動させ、ウエハ搬送路１３側のシ
ャッタ２２を閉じた後、排気管２５と真空ポンプを用い
て低真空ロードロック室２１の雰囲気の相違を調整し、
次に、高真空度のロードロック装置４０側のシャッタ２
２を開いて半導体ウエハを低真空ロードロック室２１か
ら高真空ウエハ搬送部４３へ移動させてから高真空度の
ロードロック装置４０側のシャッタ２２を閉じる。

【００３２】次に、高真空度のロードロック装置４０の
高真空プロセス装置１１側のシャッタ４２を閉じ低真空
度のロードロック装置２０側のシャッタ４２を開いて半
導体ウエハを高真空ウエハ搬送部４３から高真空プロセ
ス装置１１へ移動させ、高真空プロセス装置１１側のシ
ャッタ４２を閉じた後、排気管４５と真空ポンプを用い
て高真空ロードロック室４１内の真空度を当該高真空プ
ロセス装置１１の真空度まで上げ、次に、高真空プロセ
ス装置１１側のシャッタ４２を開いて半導体ウエハを高
真空ロードロック室４１から高真空プロセス装置１１へ
移動させてから高真空プロセス装置１１側のシャッタ４
２を閉じる。

【００３３】（２）半導体ウエハが高真空プロセス装置
１１からウエハ搬送路１３に渡される場合：先ず、高真
空度のロードロック装置４０の２つのシャッタ４２を閉
じ高真空ロードロック室４１内の真空度を当該高真空プ
ロセス装置１１の真空度まで上げた後、高真空プロセス
装置１１側のシャッタ４２を開き半導体ウエハを高真空
プロセス装置１１から高真空ロードロック室４１へ移動
させ、高真空プロセス装置１１側のシャッタ４２を閉じ
る。次に、低真空度のロードロック装置２０側のシャッ
タ４２を開き半導体ウエハを高真空ロードロック室４１
から高真空ウエハ搬送部４３へ移動させてから低真空度
のロードロック装置２０側のシャッタ４２を閉じる。

【００３４】次に、低真空度のロードロック装置２０の
ウエハ搬送路１３側のシャッタ２２を閉じ高真空度のロ
ードロック装置４０側のシャッタ２２を開いて半導体ウ
エハを高真空ウエハ搬送部４３から低真空ロードロック
室２１へ移動させ、高真空度のロードロック装置４０側
のシャッタ２２を閉じた後、排気管２５と真空ポンプを
用いて低真空ロードロック室２１内の雰囲気の相違を調
整し、次に、ウエハ搬送路１３側のシャッタ２２を開い
て半導体ウエハを低真空ロードロック室２１からウエハ
搬送路１３へ移動させてからウエハ搬送路１３側のシャ
ッタ２２を閉じる。

【００３５】このようにして、互いに直列に接続された
高真空度のロードロック装置４０及び低真空度のロード
ロック装置２０により、高真空プロセス装置１１とウエ
ハ搬送路１３との間の真空度と雰囲気との相違が調整さ
れる。なお、本実施例では、高真空プロセス装置１１と
ウエハ搬送路１３との間に高真空度のロードロック装置
４０と低真空度のロードロック装置２０との双方を備え
た例について説明したが、必ずしも全ての高真空プロセ
ス装置１１に低真空度のロードロック装置２０を備える
必要はなく、高真空度のロードロック装置４０の負荷に
余裕がある場合は、低真空度のロードロック装置２０を
備えずに高真空度のロードロック装置４０によって不純
物ガスを除去してもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造システムによれば、システム全体を簡略化された柔軟
な構造とすることができるため、半導体製造システムを
安価に構成することができる。また、半導体製造システ
ム全体を柔軟な構造とすることができるため、振動の影
響を受け易い精密なプロセス装置をシステム内に組み込
むことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造システムの一実施例の構成
図である。

【図２】本発明の半導体製造システムの一実施例におけ
るロードロック装置の模式図である。

【図３】従来のクリーンルームに納められた半導体製造
システムの構成図である。

【図４】従来の半導体真空一貫プロセスの概要図であ
る。

【符号の説明】

１０半導体製造システム１１高真空プロセス装置１２低真空プロセス装置１３ウエハ搬送路（低真空）１４ネットワーク１５ワークステーション１６試料挿入装置２０低真空ロードロック装置２１低真空ロードロック室２２低真空気密シャッタ２３低真空ウエハ搬送部２４低真空フランジ２５低真空排気管３０クリーンルーム３３ウエハ搬送路（高真空）４０高真空ロードロック装置４１高真空ロードロック室４２高真空気密シャッタ４３高真空ウエハ搬送部４４高真空フランジ４５高真空排気管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハを処理する複数のプロセス
装置と、これら複数のプロセス装置間を移動する半導体
ウエハが通過するウエハ搬送路とを備えた半導体製造シ
ステムにおいて、前記ウエハ搬送路が、少なくとも、半導体ウエハが該ウ
エハ搬送路を通過している間、所定の真空度に保持され
る気密構造を有し、前記複数のプロセス装置のうちの少なくとも１つのプロ
セス装置が前記所定の真空度を超える高真空下で半導体
ウエハを処理する高真空プロセス装置であって、前記高真空プロセス装置と前記ウエハ搬送路との間に配
設された、半導体ウエハが前記ウエハ搬送路側から運び
込まれ真空度を上げて該半導体ウエハを前記高真空プロ
セス装置に受け渡すロードロック装置を備えたことを特
徴とする半導体製造システム。
【請求項２】前記ロードロック装置と前記ウエハ搬送
路との間に配設された、半導体ウエハが前記ウエハ搬送
路側から運び込まれ雰囲気を調整して該半導体ウエハを
前記ロードロック装置に受け渡す第２のロードロック装
置を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体製造
システム。