JPH09179042A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 - Google Patents
Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法Info
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- JPH09179042A JPH09179042A JP8338098A JP33809896A JPH09179042A JP H09179042 A JPH09179042 A JP H09179042A JP 8338098 A JP8338098 A JP 8338098A JP 33809896 A JP33809896 A JP 33809896A JP H09179042 A JPH09179042 A JP H09179042A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最適の光効率を有する、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、能動マトリック
スの上部に薄膜犠牲層２２０を形成し、薄膜犠牲層２２
０の上部に、変形可能薄膜部２５５、第２薄膜電極２４
５及び弾性部２３５を有するＭ×Ｎ個の各未完成の駆動
構造２０１を形成し、各未完成の駆動構造２０１の側面
にポリマー層２７０を形成し、各未完成の駆動構造の上
部に第１薄膜層を被着する第４過程と、ポリマー層２７
０を取り除いて、各未完成の駆動構造２０１の上部に形
成された第１薄膜電極２４５を備えるＭ×Ｎ個の駆動構
造２００のアレイを形成し、薄膜犠牲層２２０を取り除
いて、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１
のアレイ３００を形成する。
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、能動マトリック
スの上部に薄膜犠牲層２２０を形成し、薄膜犠牲層２２
０の上部に、変形可能薄膜部２５５、第２薄膜電極２４
５及び弾性部２３５を有するＭ×Ｎ個の各未完成の駆動
構造２０１を形成し、各未完成の駆動構造２０１の側面
にポリマー層２７０を形成し、各未完成の駆動構造の上
部に第１薄膜層を被着する第４過程と、ポリマー層２７
０を取り除いて、各未完成の駆動構造２０１の上部に形
成された第１薄膜電極２４５を備えるＭ×Ｎ個の駆動構
造２００のアレイを形成し、薄膜犠牲層２２０を取り除
いて、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１
のアレイ３００を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光投射システムに関
し、特に、光投射システムで用いられ、最適の光効率を
有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーからな
るアレイの改善された製造方法に関する。
し、特に、光投射システムで用いられ、最適の光効率を
有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーからな
るアレイの改善された製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多様なビデオディスプレイシステ
ムのうち、光投射システムは大画面で高画質の映像を提
供し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、ランプから発せられる光線は、例え
ば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレ
イ（以下、「アクチュエーテッドミラーアレイ」と称
す）上に一様に入射される。ここで、各ミラーは各アク
チュエータに接続されている。これらのアクチュエータ
は、供給された電界信号に応じて変形を起こす、例え
ば、電歪物質または圧電物質のような電気的に変形可能
な物質でできている。
ムのうち、光投射システムは大画面で高画質の映像を提
供し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、ランプから発せられる光線は、例え
ば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレ
イ（以下、「アクチュエーテッドミラーアレイ」と称
す）上に一様に入射される。ここで、各ミラーは各アク
チュエータに接続されている。これらのアクチュエータ
は、供給された電界信号に応じて変形を起こす、例え
ば、電歪物質または圧電物質のような電気的に変形可能
な物質でできている。
【０００３】各ミラーから反射された光線（以下、「反
射光線」と称す）は開口（例えば、光学バッフル）へ入
射される。入射光線に対する各ミラーの相対的な位置は
電気信号を各アクチュエータへ供給することによって変
更され、よって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向
される。各反射光線の光路が変更されるため、開口を通
じて各ミラーから反射された光線の量が変化することに
よって、該当光線の強さが調節される。開口を通った調
節光線は適切な光学デバイス（例えば、投射レンズ）を
介して投射スクリーン上に入射されて、その上に像をデ
ィスプレイする。
射光線」と称す）は開口（例えば、光学バッフル）へ入
射される。入射光線に対する各ミラーの相対的な位置は
電気信号を各アクチュエータへ供給することによって変
更され、よって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向
される。各反射光線の光路が変更されるため、開口を通
じて各ミラーから反射された光線の量が変化することに
よって、該当光線の強さが調節される。開口を通った調
節光線は適切な光学デバイス（例えば、投射レンズ）を
介して投射スクリーン上に入射されて、その上に像をデ
ィスプレイする。
【０００４】図１〜図６には、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法を説
明するための断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。この製造方法は、本特許出願と
出願人を同じくする係属中の日本特許出願平成８−８４
６２０号明細書に、「薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法」との名称で開示されている。
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法を説
明するための断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。この製造方法は、本特許出願と
出願人を同じくする係属中の日本特許出願平成８−８４
６２０号明細書に、「薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法」との名称で開示されている。
【０００５】アレイ１００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個
の接続端子１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ（図示せず）が設けられている基板１２を有する
能動マトリックス１０の準備から始まる。ここで、各接
続端子１４はトランジスタのアレイでの対応するトラン
ジスタに電気的に接続されている。
の接続端子１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ（図示せず）が設けられている基板１２を有する
能動マトリックス１０の準備から始まる。ここで、各接
続端子１４はトランジスタのアレイでの対応するトラン
ジスタに電気的に接続されている。
【０００６】しかる後、０．１〜２μｍの厚さを有し、
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）またはポリシリコン
からなる薄膜犠牲層２０が能動マトリックス１０の上部
に被着される。この薄膜犠牲層２０の能動マトリックス
１０上への被着は、薄膜犠牲層２０が金属からなる場合
はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる場
合は化学気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティン
グ法を、またはポリシリコンからなる場合はＣＶＤ法を
各々用いることによって行われる。
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）またはポリシリコン
からなる薄膜犠牲層２０が能動マトリックス１０の上部
に被着される。この薄膜犠牲層２０の能動マトリックス
１０上への被着は、薄膜犠牲層２０が金属からなる場合
はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧからなる場
合は化学気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティン
グ法を、またはポリシリコンからなる場合はＣＶＤ法を
各々用いることによって行われる。
【０００７】その後、図１に示したように、エッチング
法を用いて薄膜犠牲層２０上にＭ×Ｎ対の空スロットの
アレイ（図示せず）が形成される。各対における１つの
空スロットは１つの接続端子１４を取り囲む。
法を用いて薄膜犠牲層２０上にＭ×Ｎ対の空スロットの
アレイ（図示せず）が形成される。各対における１つの
空スロットは１つの接続端子１４を取り囲む。
【０００８】続いて、絶縁性物質ででき、０．１〜２μ
ｍの厚さを有する弾性層３０がＣＶＤ法を用いて、空ス
ロットを有する薄膜犠牲層２０の上部に被着される。
ｍの厚さを有する弾性層３０がＣＶＤ法を用いて、空ス
ロットを有する薄膜犠牲層２０の上部に被着される。
【０００９】その後は、エッチング法を用いて弾性層３
０上にＭ×Ｎ個の接触孔３７からなるアレイが形成され
る。図２に示したように、各接触孔３７は内面（図示せ
ず）を有する接続端子１４の１つの上部を露出させる。
０上にＭ×Ｎ個の接触孔３７からなるアレイが形成され
る。図２に示したように、各接触孔３７は内面（図示せ
ず）を有する接続端子１４の１つの上部を露出させる。
【００１０】次に、導電性物質ででき、０．１〜２μｍ
の厚さを有する第２薄膜層４０がスパッタリング法また
は真空蒸着法を用いて、各接触孔３７の内面を有する弾
性層３０の上部に被着される。
の厚さを有する第２薄膜層４０がスパッタリング法また
は真空蒸着法を用いて、各接触孔３７の内面を有する弾
性層３０の上部に被着される。
【００１１】続いて、図３に示したように、圧電物質ま
たは電歪物質ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する電
気的に変形可能な薄膜層（以下、「変形可能薄膜層」と
称す）５０がＣＶＤ法、蒸着法、ゾル−ゲル法またはス
パッタリング法を用いて、第２薄膜層４０の上部に被着
される。しかる後、変形可能薄膜層５０は、相転位を起
こすように熱処理される。
たは電歪物質ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する電
気的に変形可能な薄膜層（以下、「変形可能薄膜層」と
称す）５０がＣＶＤ法、蒸着法、ゾル−ゲル法またはス
パッタリング法を用いて、第２薄膜層４０の上部に被着
される。しかる後、変形可能薄膜層５０は、相転位を起
こすように熱処理される。
【００１２】その後、図４に示したように、導電性及び
光反射性物質ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第
１薄膜層６０がスパッタリング法または真空蒸着法を用
いて変形可能薄膜層５０の上部に被着される。
光反射性物質ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第
１薄膜層６０がスパッタリング法または真空蒸着法を用
いて変形可能薄膜層５０の上部に被着される。
【００１３】しかる後、第１薄膜層６０、変形可能薄膜
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、薄膜犠牲層
２０の上部が露出されるまで、エッチング法（例えば、
フォトリソグラフィ法またはレーザ切断法）を用いて各
々パターニングされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構
造９０からなるアレイを形成することになる。ここで、
図５に示したように、各駆動構造９０は第１薄膜電極６
５、電気的に変形可能な薄膜部（以下、「変形可能薄膜
部」と称す）５５、第２薄膜電極４５及び弾性部３５か
らなる。第２薄膜電極４５の各々は対応する接続端子１
４に電気的に接続されることによって、各駆動構造９０
において信号電極としての機能をする。各第１薄膜電極
６５は接地されることによって、各駆動構造９０におい
てミラーだけでなく共通バイアス電極としても働きを果
たす。
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、薄膜犠牲層
２０の上部が露出されるまで、エッチング法（例えば、
フォトリソグラフィ法またはレーザ切断法）を用いて各
々パターニングされることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構
造９０からなるアレイを形成することになる。ここで、
図５に示したように、各駆動構造９０は第１薄膜電極６
５、電気的に変形可能な薄膜部（以下、「変形可能薄膜
部」と称す）５５、第２薄膜電極４５及び弾性部３５か
らなる。第２薄膜電極４５の各々は対応する接続端子１
４に電気的に接続されることによって、各駆動構造９０
において信号電極としての機能をする。各第１薄膜電極
６５は接地されることによって、各駆動構造９０におい
てミラーだけでなく共通バイアス電極としても働きを果
たす。
【００１４】ここで、各変形可能薄膜部５５の厚さが十
分に薄くなっているため、薄膜部５５が圧電物質からな
る場合は別に分極される必要がない。これは、薄膜アク
チュエーテッドミラー１０１の作動の際に供給された電
気信号で分極されるためである。
分に薄くなっているため、薄膜部５５が圧電物質からな
る場合は別に分極される必要がない。これは、薄膜アク
チュエーテッドミラー１０１の作動の際に供給された電
気信号で分極されるためである。
【００１５】続いて、各駆動構造９０は薄膜保護層（図
示せず）で完全に覆われる。
示せず）で完全に覆われる。
【００１６】次に、図６に示したように、薄膜犠牲層２
０がエッチング法を用いて取り除かれる。最後に、薄膜
保護層が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００が形成さ
れる。
０がエッチング法を用いて取り除かれる。最後に、薄膜
保護層が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー１０１のアレイ１００が形成さ
れる。
【００１７】しかしながら、従来のＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法
は多くの短所を有する。その中の１つが、アレイ１００
における全体的な光効率に関する。
チュエーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法
は多くの短所を有する。その中の１つが、アレイ１００
における全体的な光効率に関する。
【００１８】第１薄膜電極６５を形成するための第１薄
膜層６０の被着及びパターニング過程が、変形可能薄膜
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０がエッチング法
を用いてパターニングされた後に行われるため、各駆動
構造９０で上層に位置し、且つミラーとして働きをする
第１薄膜電極６５はそのパターニングの際に、化学的ま
たは物理的に影響されることによって、薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の光効率を
低下させる不都合がある。
膜層６０の被着及びパターニング過程が、変形可能薄膜
層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０がエッチング法
を用いてパターニングされた後に行われるため、各駆動
構造９０で上層に位置し、且つミラーとして働きをする
第１薄膜電極６５はそのパターニングの際に、化学的ま
たは物理的に影響されることによって、薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１からなるアレイ１００の光効率を
低下させる不都合がある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、光投射システムに用いられ、最適の光効率を有
するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
製造方法を提供することにある。
目的は、光投射システムに用いられ、最適の光効率を有
するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラーからなるアレイの製造方法（Ｍ及びＮは正
の整数）であって、能動マトリックスの上部に薄膜犠牲
層を形成する第１過程と、前記薄膜犠牲層の上部に、前
記薄膜犠牲層の部分を露出させることによって一定に隔
てられており、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電
極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の各未完成の駆動構造を
形成する第２過程と、前記薄膜犠牲層の露出部分を有す
る、前記未完成の駆動構造の側面にポリマー層を形成す
る第３過程と、前記各未完成の駆動構造の上部に第１薄
膜層を被着する第４過程と、前記ポリマー層を取り除い
て、前記各未完成の駆動構造の上部に形成された第１薄
膜電極を備えるＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイを形成する
第５過程と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する
第６過程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
めに、本発明によれば、 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラーからなるアレイの製造方法（Ｍ及びＮは正
の整数）であって、能動マトリックスの上部に薄膜犠牲
層を形成する第１過程と、前記薄膜犠牲層の上部に、前
記薄膜犠牲層の部分を露出させることによって一定に隔
てられており、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電
極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の各未完成の駆動構造を
形成する第２過程と、前記薄膜犠牲層の露出部分を有す
る、前記未完成の駆動構造の側面にポリマー層を形成す
る第３過程と、前記各未完成の駆動構造の上部に第１薄
膜層を被着する第４過程と、前記ポリマー層を取り除い
て、前記各未完成の駆動構造の上部に形成された第１薄
膜電極を備えるＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイを形成する
第５過程と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する
第６過程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施例につい
て図面を参照しながらより詳しく説明する。
て図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００２２】図７〜図１２には、本発明による、光投射
システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラー３０１のアレイ３００の製造方法を説明するた
めの概略的な断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。図７〜図１２中で、同一部分は
同一の参照符号を付して表示したことに注目されたい。
システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラー３０１のアレイ３００の製造方法を説明するた
めの概略的な断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及
びＮは正の整数である。図７〜図１２中で、同一部分は
同一の参照符号を付して表示したことに注目されたい。
【００２３】アレイ３００の製造プロセスは、Ｍ×Ｎ個
の接続端子２１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタ
のアレイ(図示せず)が設けられている基板２１２を備え
る能動マトリックス２１０の準備から始まる。ここで、
各接続端子２１４はトランジスタのアレイでの対応する
トランジスタに電気的に接続されている。
の接続端子２１４のアレイ及びＭ×Ｎ個のトランジスタ
のアレイ(図示せず)が設けられている基板２１２を備え
る能動マトリックス２１０の準備から始まる。ここで、
各接続端子２１４はトランジスタのアレイでの対応する
トランジスタに電気的に接続されている。
【００２４】しかる後、０．１〜２μｍの厚さを有し、
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）またはポリシリコン
でできる薄膜犠牲層２２０が能動マトリックス２１０の
上部に被着される。この薄膜犠牲層２２０の能動マトリ
ックス２１０上への被着は、犠牲層２２０が金属からな
る場合はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧから
なる場合はＣＶＤ法またはスピンコーティング法を、ま
たはポリシリコンからなる場合はＣＶＤ法を各々用いる
ことによってなる。
例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ））のような
金属、リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）またはポリシリコン
でできる薄膜犠牲層２２０が能動マトリックス２１０の
上部に被着される。この薄膜犠牲層２２０の能動マトリ
ックス２１０上への被着は、犠牲層２２０が金属からな
る場合はスパッタリング法または蒸着法を、ＰＳＧから
なる場合はＣＶＤ法またはスピンコーティング法を、ま
たはポリシリコンからなる場合はＣＶＤ法を各々用いる
ことによってなる。
【００２５】その後、図７に示したように、エッチング
法を用いて薄膜犠牲層２２０上にＭ×Ｎ対の空スロット
（図示せず）のアレイが形成される。各対における１つ
の空スロットは１つの接続端子２１４を取り囲む。
法を用いて薄膜犠牲層２２０上にＭ×Ｎ対の空スロット
（図示せず）のアレイが形成される。各対における１つ
の空スロットは１つの接続端子２１４を取り囲む。
【００２６】続いて、絶縁性物質（例えば、窒化ケイ
素）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する弾性層２３
０が、ＣＶＤ法を用いて空スロットを備える薄膜犠牲層
２２０の上部に被着される。
素）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する弾性層２３
０が、ＣＶＤ法を用いて空スロットを備える薄膜犠牲層
２２０の上部に被着される。
【００２７】その後は、図８に示したように、エッチン
グ法を用いて弾性層２３０上にＭ×Ｎ個の接触孔２３７
のアレイが形成される。ここで、各接触孔２３７は１つ
の接続端子２１４を露出させる。
グ法を用いて弾性層２３０上にＭ×Ｎ個の接触孔２３７
のアレイが形成される。ここで、各接触孔２３７は１つ
の接続端子２１４を露出させる。
【００２８】しかる後、導電性物質（例えば、Ｐｔ／Ｔ
ａ）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層
２４０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用い
て、各接触孔２３７の内面を備える弾性層２３０の上部
に被着される。
ａ）ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第２薄膜層
２４０が、スパッタリング法または真空蒸着法を用い
て、各接触孔２３７の内面を備える弾性層２３０の上部
に被着される。
【００２９】次に、圧電物質（例えば、ＰＺＴ）または
電歪物質（例えば、ＰＭＮ）ででき、０．１〜２μｍの
厚さを有する変形可能薄膜層２５０がＣＶＤ法、蒸着
法、ゾル−ゲル法またはスパッタリング法を用いて第２
薄膜層２４０の上部に被着される。その後、変形可能薄
膜層２５０は、図９に示したように、相転位を起こすよ
うに熱処理される。
電歪物質（例えば、ＰＭＮ）ででき、０．１〜２μｍの
厚さを有する変形可能薄膜層２５０がＣＶＤ法、蒸着
法、ゾル−ゲル法またはスパッタリング法を用いて第２
薄膜層２４０の上部に被着される。その後、変形可能薄
膜層２５０は、図９に示したように、相転位を起こすよ
うに熱処理される。
【００３０】しかる後に、変形可能薄膜層２５０、第２
薄膜層２４０及び弾性層２３０が、薄膜犠牲層２２０の
上部が露出されるまで、フォトリソグラフィ法またはレ
ーザ切断法のようなエッチング法を用いて各々パターニ
ングされることによって、Ｍ×Ｎ個の未完成の駆動構造
２０１のアレイが形成される。ここで、図１０に示した
ように、各未完成の駆動構造２０１は変形可能薄膜部２
５５、第２薄膜電極２４５及び弾性部２３５を有する。
薄膜層２４０及び弾性層２３０が、薄膜犠牲層２２０の
上部が露出されるまで、フォトリソグラフィ法またはレ
ーザ切断法のようなエッチング法を用いて各々パターニ
ングされることによって、Ｍ×Ｎ個の未完成の駆動構造
２０１のアレイが形成される。ここで、図１０に示した
ように、各未完成の駆動構造２０１は変形可能薄膜部２
５５、第２薄膜電極２４５及び弾性部２３５を有する。
【００３１】ここで、各変形可能薄膜部２５５の厚さが
十分に薄くなっているため、各薄膜部２５５が圧電物質
でできる場合に別に分極される必要がなくなる。これ
は、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の作動の際、
供給された電気信号で分極され得るためである。
十分に薄くなっているため、各薄膜部２５５が圧電物質
でできる場合に別に分極される必要がなくなる。これ
は、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の作動の際、
供給された電気信号で分極され得るためである。
【００３２】その後、第１薄膜電極２６５は、リフト−
オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方法を用いて各未完成の駆動
構造２０１の上部に形成される。第１薄膜電極２６５を
形成するこのリフト−オフ方法は、薄膜犠牲層２２０の
露出上部を備える各未完成の駆動構造２０１の側面にフ
ォトレジストでできるポリマー層２７０を形成する過程
と、図１１に示したように、導電性及び光反射性物質
（例えば、アルミニューム（Ａｌ）または銀（Ａｇ））
ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜層２６
０を、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、ポ
リマー層２７０の上部を有する各未完成の駆動構造２０
１の上部に被着する過程と、上部に被着された第１薄膜
層２６０の部分を有するポリマー層２７０をエッチング
法を用いて取り除くことによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造
２００のアレイを形成する過程とから構成される。各駆
動構造２００は、第１薄膜電極２６５、変形可能薄膜部
２５５、第２薄膜電極２４５及び弾性部２３５を備え
る。各第２薄膜電極２４５は、対応する接続端子２１４
に電気的に接続されることによって、各駆動構造２００
において信号電極としての機能をする。また、各第１薄
膜電極２６５は接地接続されることによって、各駆動構
造２００においてミラーだけでなく共通バイアス電極と
しても働きを果たす。
オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方法を用いて各未完成の駆動
構造２０１の上部に形成される。第１薄膜電極２６５を
形成するこのリフト−オフ方法は、薄膜犠牲層２２０の
露出上部を備える各未完成の駆動構造２０１の側面にフ
ォトレジストでできるポリマー層２７０を形成する過程
と、図１１に示したように、導電性及び光反射性物質
（例えば、アルミニューム（Ａｌ）または銀（Ａｇ））
ででき、０．１〜２μｍの厚さを有する第１薄膜層２６
０を、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、ポ
リマー層２７０の上部を有する各未完成の駆動構造２０
１の上部に被着する過程と、上部に被着された第１薄膜
層２６０の部分を有するポリマー層２７０をエッチング
法を用いて取り除くことによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造
２００のアレイを形成する過程とから構成される。各駆
動構造２００は、第１薄膜電極２６５、変形可能薄膜部
２５５、第２薄膜電極２４５及び弾性部２３５を備え
る。各第２薄膜電極２４５は、対応する接続端子２１４
に電気的に接続されることによって、各駆動構造２００
において信号電極としての機能をする。また、各第１薄
膜電極２６５は接地接続されることによって、各駆動構
造２００においてミラーだけでなく共通バイアス電極と
しても働きを果たす。
【００３３】最後に、図１２に示したように、薄膜犠牲
層２２０が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個のアク
チュエーテッドミラー３０１のアレイ３００が形成され
る。
層２２０が取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個のアク
チュエーテッドミラー３０１のアレイ３００が形成され
る。
【００３４】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラー１０１のアレイ１００の製造方法とは異なり、本
発明の製造方法においては、第１薄膜層６０の被着及び
パターニング過程が、変形可能薄膜層５０、第２薄膜層
４０及び弾性層３０のパターニング過程後に行われる。
さらに、変形可能薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び
弾性層２３０のパターニング過程が、第１薄膜電極２６
５の形成後に行われるため、ミラーとして機能をする第
１薄膜電極２６５が、その過程の際に化学的または物理
的に傷つけられなくなって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラー３０１のアレイ３００の光効率が増大さ
れる。
ミラー１０１のアレイ１００の製造方法とは異なり、本
発明の製造方法においては、第１薄膜層６０の被着及び
パターニング過程が、変形可能薄膜層５０、第２薄膜層
４０及び弾性層３０のパターニング過程後に行われる。
さらに、変形可能薄膜層２５０、第２薄膜層２４０及び
弾性層２３０のパターニング過程が、第１薄膜電極２６
５の形成後に行われるため、ミラーとして機能をする第
１薄膜電極２６５が、その過程の際に化学的または物理
的に傷つけられなくなって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラー３０１のアレイ３００の光効率が増大さ
れる。
【００３５】上記において、本発明の好適な実施の形態
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３６】
【発明の効果】従って、本発明によれば、従来の製造方
法に比べて、第１薄膜電極が変形可能薄膜層及び弾性層
をパターニングする前に形成されることによって、アレ
イの全体的な光効率をより一層増大させることができ
る。
法に比べて、第１薄膜電極が変形可能薄膜層及び弾性層
をパターニングする前に形成されることによって、アレ
イの全体的な光効率をより一層増大させることができ
る。
【図１】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図２】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図３】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図４】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図５】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図６】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図７】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図８】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図９】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
ドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な断
面図。
【図１０】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図１１】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
【図１２】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
ッドミラーアレイの製造方法を説明するための概略的な
断面図。
１０ 能動マトリックス １２ 基板 １４ Ｍ×Ｎ個の接続端子 ２０ 薄膜犠牲層 ３０ 弾性層 ３５ 弾性部 ３７ Ｍ×Ｎ個の接触孔 ４０ 第２薄膜層 ４５ 第２薄膜電極 ５０ 変形可能薄膜層 ５５ 変形可能薄膜部 ６０ 第１薄膜層 ６５ 第１薄膜電極 ９０ Ｍ×Ｎ個の駆動構造 １０１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ２００ Ｍ×Ｎ個の駆動構造 ２０１ ポリマー層 ２１０ 能動マトリックス ２１２ 基板 ２１４ Ｍ×Ｎ個の接続端子 ２２０ 薄膜犠牲層 ２３０ 弾性層 ２３５ 弾性部 ２３７ Ｍ×Ｎ個の接触孔 ２４０ 第２薄膜層 ２４５ 第２薄膜電極 ２５０ 変形可能薄膜層 ２５５ 変形可能薄膜部 ２６０ 第１薄膜層 ２６５ 第１薄膜電極 ３００ Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
イ ３０１ Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
イ ３０１ Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーからなるアレイの製造方法（Ｍ及びＮは正の整数）
であって、 能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を形成する第１過
程と、 前記薄膜犠牲層の上部に、前記薄膜犠牲層の部分を露出
させることによって一定に隔てられており、電気的に変
形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×
Ｎ個の各未完成の駆動構造を形成する第２過程と、 前記薄膜犠牲層の露出部分を有する、前記未完成の駆動
構造の側面にポリマー層を形成する第３過程と、 前記各未完成の駆動構造の上部に第１薄膜層を被着する
第４過程と、 前記ポリマー層を取り除いて、前記各未完成の駆動構造
の上部に形成された第１薄膜電極を備えるＭ×Ｎ個の駆
動構造のアレイを形成する第５過程と、 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーのアレイを形成する第６過程とを
含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項２】 前記ポリマー層が、フォトレジストか
らなることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１薄膜層が、ポリマー層の上部
を有する前記各未完成の駆動構造の上部に被着されるこ
とを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項４】 前記ポリマー層の上部に被着された前
記第１薄膜層の部分が、前記ポリマー層と共に取り除か
れることを特徴とする請求項３に記載のＭ×Ｎ個のＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方
法。
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