JPH0917936A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH0917936A JPH0917936A JP7163495A JP16349595A JPH0917936A JP H0917936 A JPH0917936 A JP H0917936A JP 7163495 A JP7163495 A JP 7163495A JP 16349595 A JP16349595 A JP 16349595A JP H0917936 A JPH0917936 A JP H0917936A
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームの半導体素子搭載予定領域に、
絶縁厚さを十分に確保でき、かつ半導体素子との接着力
も十分高い接着剤を形成する。 【構成】リードフレーム２の半導体素子搭載予定領域２
ａに絶縁性高温軟化型接着剤８ａ、８ｂを２層に塗布す
る。最初にリードフレーム２に塗布する接着剤をフィラ
ー入りの接着剤８ａとし、その上にさらにフィラーを含
まない接着剤８ｂを塗布する。この接着剤８ａ、８ｂと
してはポリイミド、ポリエーテルアミドあるいはポリエ
ーテルアミドイミドから成る熱可塑性接着剤、あるいは
これらの組合せから成る接着剤であることが好ましく、
フィラーとしてはＳｉＯ2 であることが好ましい。
絶縁厚さを十分に確保でき、かつ半導体素子との接着力
も十分高い接着剤を形成する。 【構成】リードフレーム２の半導体素子搭載予定領域２
ａに絶縁性高温軟化型接着剤８ａ、８ｂを２層に塗布す
る。最初にリードフレーム２に塗布する接着剤をフィラ
ー入りの接着剤８ａとし、その上にさらにフィラーを含
まない接着剤８ｂを塗布する。この接着剤８ａ、８ｂと
してはポリイミド、ポリエーテルアミドあるいはポリエ
ーテルアミドイミドから成る熱可塑性接着剤、あるいは
これらの組合せから成る接着剤であることが好ましく、
フィラーとしてはＳｉＯ2 であることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに半導
体素子を接合する接着技術を改善した半導体装置用リー
ドフレーム及びその製造方法に関する。
体素子を接合する接着技術を改善した半導体装置用リー
ドフレーム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームに半導体素子を搭載する
方法として、図４、図５に示すように、リードフレーム
２の半導体素子３が搭載されるべき場所（半導体素子搭
載予定領域）に、両面に接着剤１５ａ、１５ｂを塗布し
たポリイミドテープ１５を予め接着しておき、その接着
剤付きテープ１５を利用して半導体素子３をリードフレ
ーム２に接合する方法があり、ＣＯＬ (Chip on Lead)
、ＬＯＣ (Lead on Chip) は、その代表例である。
方法として、図４、図５に示すように、リードフレーム
２の半導体素子３が搭載されるべき場所（半導体素子搭
載予定領域）に、両面に接着剤１５ａ、１５ｂを塗布し
たポリイミドテープ１５を予め接着しておき、その接着
剤付きテープ１５を利用して半導体素子３をリードフレ
ーム２に接合する方法があり、ＣＯＬ (Chip on Lead)
、ＬＯＣ (Lead on Chip) は、その代表例である。
【０００３】リードフレーム２へのテープ１５の接着方
法としては、接着剤付きテープ１５を所定の形状に打抜
き、その打抜かれたテープ１５をリードフレーム２の半
導体素子搭載予定領域へ貼合わせる方法が一般的であ
る。この方法は、テープを打抜いて使用するためテープ
の使用量が多くなり、コストアップにつながるという欠
点がある。また、ポリイミドテープの吸湿のためにパッ
ケージ実装する際のリフロー工程で、パッケージクラッ
クが発生する危険性がある。
法としては、接着剤付きテープ１５を所定の形状に打抜
き、その打抜かれたテープ１５をリードフレーム２の半
導体素子搭載予定領域へ貼合わせる方法が一般的であ
る。この方法は、テープを打抜いて使用するためテープ
の使用量が多くなり、コストアップにつながるという欠
点がある。また、ポリイミドテープの吸湿のためにパッ
ケージ実装する際のリフロー工程で、パッケージクラッ
クが発生する危険性がある。
【０００４】このような欠点を解消するために、リード
フレームの半導体素子搭載予定領域に接着剤を滴下し、
その接着剤で半導体素子とリードフレームとを接合する
方法が提案されている（たとえば特開平４−７５３５５
号公報）。しかし、この方法では、接着剤の塗布厚さが
十分に厚くできず、半導体素子とリードフレームとの絶
縁が不十分となる可能性がある。
フレームの半導体素子搭載予定領域に接着剤を滴下し、
その接着剤で半導体素子とリードフレームとを接合する
方法が提案されている（たとえば特開平４−７５３５５
号公報）。しかし、この方法では、接着剤の塗布厚さが
十分に厚くできず、半導体素子とリードフレームとの絶
縁が不十分となる可能性がある。
【０００５】絶縁厚さを十分に取るためには、(1) 接着
剤の粘度を高くしてリード上の接着剤塗布量を多くする
方法、(2) フィラー入りの接着剤を使用し、フィラーに
よって絶縁厚さを確保する方法（たとえば特開平５−２
１８１１１号公報）が考えられる。
剤の粘度を高くしてリード上の接着剤塗布量を多くする
方法、(2) フィラー入りの接着剤を使用し、フィラーに
よって絶縁厚さを確保する方法（たとえば特開平５−２
１８１１１号公報）が考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、(1) の方法に
ついては、接着剤の粘度を高くすることによって、接着
剤のリードフレーム上への塗布が困難になる欠点があ
る。(2) の方法については、絶縁厚さの確保は可能であ
るが、フィラーの存在のために半導体素子を接合する際
の接着力が低下する欠点をもつ。
ついては、接着剤の粘度を高くすることによって、接着
剤のリードフレーム上への塗布が困難になる欠点があ
る。(2) の方法については、絶縁厚さの確保は可能であ
るが、フィラーの存在のために半導体素子を接合する際
の接着力が低下する欠点をもつ。
【０００７】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を解消し、絶縁厚さを十分に確保でき、かつ半導体素子
との接着力の高い接着剤をもった半導体装置用リードフ
レームを提供することにある。また、本発明の目的は、
接着剤を簡単に塗布することが可能な半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を提供することにある。
を解消し、絶縁厚さを十分に確保でき、かつ半導体素子
との接着力の高い接着剤をもった半導体装置用リードフ
レームを提供することにある。また、本発明の目的は、
接着剤を簡単に塗布することが可能な半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、リードフレームの半導体素子搭載予定領域に絶縁性
高温軟化型接着剤を介在して半導体素子を接合した半導
体装置用リードフレームにおいて、絶縁性高温軟化型接
着剤を２層構造とし、リードフレーム側に絶縁性のフィ
ラーを含んだ接着剤を介在させ、半導体素子側にフィラ
ーを含まない接着剤を介在させたものである。この場
合、絶縁性高温軟化型接着剤に含まれる絶縁性フィラー
としては、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣなどがよく、特に
安価で入手しやすく、粒度のそろった粒子が得やすいと
いう理由から、ＳｉＯ2 が好ましい。
は、リードフレームの半導体素子搭載予定領域に絶縁性
高温軟化型接着剤を介在して半導体素子を接合した半導
体装置用リードフレームにおいて、絶縁性高温軟化型接
着剤を２層構造とし、リードフレーム側に絶縁性のフィ
ラーを含んだ接着剤を介在させ、半導体素子側にフィラ
ーを含まない接着剤を介在させたものである。この場
合、絶縁性高温軟化型接着剤に含まれる絶縁性フィラー
としては、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、ＳｉＣなどがよく、特に
安価で入手しやすく、粒度のそろった粒子が得やすいと
いう理由から、ＳｉＯ2 が好ましい。
【０００９】本発明のリードフレームの製造方法は、リ
ードフレームの半導体素子搭載予定領域に絶縁性高温軟
化型接着剤を直接塗布し、この塗布した接着剤の上に半
導体素子を載せて接合する半導体装置用リードフレーム
の製造方法において、絶縁性高温軟化型接着剤をパッド
印刷法で塗布するようにし、最初に絶縁性のフィラーを
含んだ接着剤を塗布、乾燥し、次にフィラーを含まない
接着剤を塗布、乾燥したものである。
ードフレームの半導体素子搭載予定領域に絶縁性高温軟
化型接着剤を直接塗布し、この塗布した接着剤の上に半
導体素子を載せて接合する半導体装置用リードフレーム
の製造方法において、絶縁性高温軟化型接着剤をパッド
印刷法で塗布するようにし、最初に絶縁性のフィラーを
含んだ接着剤を塗布、乾燥し、次にフィラーを含まない
接着剤を塗布、乾燥したものである。
【００１０】この場合、パッド印刷法に代えてディスペ
ンサ法で塗布するようにしてもよい。また、絶縁性高温
軟化型接着剤がポリイミド、ポリエーテルアミドあるい
はポリエーテルアミドイミドからなる熱可塑性接着剤、
またはこれらの組合わせからなる接着剤を用いるとよ
い。
ンサ法で塗布するようにしてもよい。また、絶縁性高温
軟化型接着剤がポリイミド、ポリエーテルアミドあるい
はポリエーテルアミドイミドからなる熱可塑性接着剤、
またはこれらの組合わせからなる接着剤を用いるとよ
い。
【００１１】
【作用】本発明のリードフレームのように半導体素子は
フィラーを含まない接着剤と接合されるため十分な接着
力をもち、かつその接着剤とリードフレームの間にはフ
ィラーを含んだ接着剤が存在するために絶縁厚さの確保
ができる。フィラーをＳｉＯ2 とした場合には、半導体
素子を接着する際の加熱、加圧によってもＳｉＯ2 はつ
ぶれることがないため、ので、絶縁厚さを十分に確保す
ることができる。
フィラーを含まない接着剤と接合されるため十分な接着
力をもち、かつその接着剤とリードフレームの間にはフ
ィラーを含んだ接着剤が存在するために絶縁厚さの確保
ができる。フィラーをＳｉＯ2 とした場合には、半導体
素子を接着する際の加熱、加圧によってもＳｉＯ2 はつ
ぶれることがないため、ので、絶縁厚さを十分に確保す
ることができる。
【００１２】また本発明のリードフレームの製造方法の
ように、接着剤をパッド印刷法で塗布する場合には転写
するだけで塗布が行えるので、塗布に時間を要さない。
またディスペンサ法で塗布する場合には接着剤の厚みの
制御が容易である。
ように、接着剤をパッド印刷法で塗布する場合には転写
するだけで塗布が行えるので、塗布に時間を要さない。
またディスペンサ法で塗布する場合には接着剤の厚みの
制御が容易である。
【００１３】絶縁性高温軟化型接着剤をポリイミド、ポ
リエーテルアミドあるいはポリエーテルアミドイミドか
らなる熱可塑性接着剤、またはこれらの組合わせとした
場合には、比較的低温で塗布することができるので、リ
ードフレーム材表面が酸化することがない。
リエーテルアミドあるいはポリエーテルアミドイミドか
らなる熱可塑性接着剤、またはこれらの組合わせとした
場合には、比較的低温で塗布することができるので、リ
ードフレーム材表面が酸化することがない。
【００１４】
（実施例）以下に、本発明の一実施例を添付図面を用い
て説明する。図１は本発明の一実施例であるリードフレ
ームを用いて構成された半導体装置の断面図、図２はそ
のリードフレームの部分的拡大平面図、図３はその要部
拡大斜視図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例であるリードフレ
ームを用いて構成された半導体装置の断面図、図２はそ
のリードフレームの部分的拡大平面図、図３はその要部
拡大斜視図である。
【００１５】図１において、１は半導体装置で、この半
導体装置１はタブを持たないリードフレーム２を用いて
構成されている。このリードフレーム２は、半導体素子
３を固定してモールド成型により樹脂封入されるインナ
ーリード５と、パッケージ４の外に延出されるアウター
リード６とから主に構成されている。なお、リードフレ
ーム２は図２に示すように枠７に一体形成されている
が、半導体素子３を固定等した後に、対のインナーリー
ド５及びアウターリード６ごとに枠７から切り離され
る。また、この場合のリードフレーム２は、厚さが０．
１２５ｍｍで４２Ｎｉ−Ｆｅ合金製の２４ピンＴＳＯＰ
（Thin Small Outline Package）用に構成されている。
導体装置１はタブを持たないリードフレーム２を用いて
構成されている。このリードフレーム２は、半導体素子
３を固定してモールド成型により樹脂封入されるインナ
ーリード５と、パッケージ４の外に延出されるアウター
リード６とから主に構成されている。なお、リードフレ
ーム２は図２に示すように枠７に一体形成されている
が、半導体素子３を固定等した後に、対のインナーリー
ド５及びアウターリード６ごとに枠７から切り離され
る。また、この場合のリードフレーム２は、厚さが０．
１２５ｍｍで４２Ｎｉ−Ｆｅ合金製の２４ピンＴＳＯＰ
（Thin Small Outline Package）用に構成されている。
【００１６】そして上記リードフレーム２のインナーリ
ード５における半導体素子搭載予定領域２ａには、図３
に示すように、絶縁性を有する２層の接着剤８ａ、８ｂ
が形成されている。そのうちのインナーリード５に近い
層、すなわちインナーリード５と接する接着剤１８ａ
は、ＳｉＯ2 を主成分とするフィラーを含んだ熱可塑性
ポリエーテルアミドイミドによって厚さ２０μｍ程度に
形成され、インナーリード５から遠い層、すなわち半導
体素子３と接する接着剤８ｂは、フィラーを含まない熱
可塑性ポリエーテルアミドイミドによって厚さ１０μｍ
程度に形成されている。なお、ＳｉＯ2 は、形状として
は球状が好ましく、その大きさは直径５μｍ以下、より
好ましくは３μｍ以下で、均一に含ませるとよい。
ード５における半導体素子搭載予定領域２ａには、図３
に示すように、絶縁性を有する２層の接着剤８ａ、８ｂ
が形成されている。そのうちのインナーリード５に近い
層、すなわちインナーリード５と接する接着剤１８ａ
は、ＳｉＯ2 を主成分とするフィラーを含んだ熱可塑性
ポリエーテルアミドイミドによって厚さ２０μｍ程度に
形成され、インナーリード５から遠い層、すなわち半導
体素子３と接する接着剤８ｂは、フィラーを含まない熱
可塑性ポリエーテルアミドイミドによって厚さ１０μｍ
程度に形成されている。なお、ＳｉＯ2 は、形状として
は球状が好ましく、その大きさは直径５μｍ以下、より
好ましくは３μｍ以下で、均一に含ませるとよい。
【００１７】このように構成されたリードフレーム２の
インナーリード５に半導体素子３を接合する場合には、
その接着剤８ａ、８ｂを比較的温度の低い２４０〜２７
０℃に加熱し、その接着剤８ａ、８ｂに半導体素子３を
押し付ければよい。これにより接着剤８ｂは溶融して半
導体素子３に強固に接着する。接着剤８ａも一部溶融す
るが、フィラーの存在のためにその厚さが著しく減少す
ることなく、十分な絶縁距離を確保することができる。
インナーリード５に半導体素子３を接合する場合には、
その接着剤８ａ、８ｂを比較的温度の低い２４０〜２７
０℃に加熱し、その接着剤８ａ、８ｂに半導体素子３を
押し付ければよい。これにより接着剤８ｂは溶融して半
導体素子３に強固に接着する。接着剤８ａも一部溶融す
るが、フィラーの存在のためにその厚さが著しく減少す
ることなく、十分な絶縁距離を確保することができる。
【００１８】上記接着剤８ａ、８ｂを塗布形成する方法
として、パッド印刷法やディスペンサ法が用いられる。
パッド印刷法は、ウレタンゴム製のパッドに所定形状及
び所定厚さの接着剤を付着させ、これをインナーリード
に転写する方法である。この場合、接着剤は溶剤で溶か
してワニス状にし、転写部よりも１０〜５０℃高くした
溜め部に収容しておくとよい。また、樹脂を１層塗布す
るごとに、１００〜２５０℃で０．５〜２分の乾燥を行
うことにより２層の接着剤を形成することができる。な
お、２層を連続して塗布し、乾燥を１度で済ませる場合
には、２層の境界で若干の樹脂の混合を生じるが、実用
上問題はない。ディスペンサ法は、空気圧によりニード
ルを通して塗布量をコントロールしながらワニス状の樹
脂をインナーリードに直接塗布する方法である。この方
法は、塗布に時間を有するが、接着剤の厚みの制御が容
易である。
として、パッド印刷法やディスペンサ法が用いられる。
パッド印刷法は、ウレタンゴム製のパッドに所定形状及
び所定厚さの接着剤を付着させ、これをインナーリード
に転写する方法である。この場合、接着剤は溶剤で溶か
してワニス状にし、転写部よりも１０〜５０℃高くした
溜め部に収容しておくとよい。また、樹脂を１層塗布す
るごとに、１００〜２５０℃で０．５〜２分の乾燥を行
うことにより２層の接着剤を形成することができる。な
お、２層を連続して塗布し、乾燥を１度で済ませる場合
には、２層の境界で若干の樹脂の混合を生じるが、実用
上問題はない。ディスペンサ法は、空気圧によりニード
ルを通して塗布量をコントロールしながらワニス状の樹
脂をインナーリードに直接塗布する方法である。この方
法は、塗布に時間を有するが、接着剤の厚みの制御が容
易である。
【００１９】このように構成されたリードフレーム２に
よれば、インナーリード５に半導体素子３を接合するた
めの接着剤が、インナーリード５の半導体素子搭載予定
領域２ａに、絶縁性を有し、接着性の高い接着剤８ｂと
フィラーを含む接着剤８ａを層状に塗布するだけで簡単
に形成され、絶縁性フィルムと比べて、加工が容易で製
造コストがかからない。また、接着剤８ａ、８ｂは薄
く、しかも並設された複数のインナーリード５全体に跨
ることなく最少体積で形成できるため、吸湿量が少な
く、半田リフロー時の加熱等によるパッケージクラック
が生じ難くなり、耐久性が向上する。また、インナーリ
ード５に接着剤８ａ、８ｂを比較的低温で形成すること
ができるので、リードフレーム２材表面が酸化する問題
がなくなる。
よれば、インナーリード５に半導体素子３を接合するた
めの接着剤が、インナーリード５の半導体素子搭載予定
領域２ａに、絶縁性を有し、接着性の高い接着剤８ｂと
フィラーを含む接着剤８ａを層状に塗布するだけで簡単
に形成され、絶縁性フィルムと比べて、加工が容易で製
造コストがかからない。また、接着剤８ａ、８ｂは薄
く、しかも並設された複数のインナーリード５全体に跨
ることなく最少体積で形成できるため、吸湿量が少な
く、半田リフロー時の加熱等によるパッケージクラック
が生じ難くなり、耐久性が向上する。また、インナーリ
ード５に接着剤８ａ、８ｂを比較的低温で形成すること
ができるので、リードフレーム２材表面が酸化する問題
がなくなる。
【００２０】上記リードフレーム２のインナーリード５
には図１に示すように接着剤８ａ、８ｂを介して半導体
素子３が接合され、半導体素子３の電極端子９とインナ
ーリード５との間がボンディングワイヤ１０によって結
線された後、樹脂封入が行われる。上記インナーリード
５は接着剤８ａ、８ｂが形成される半導体素子搭載予定
領域２ａが他の部分よりもプレス加工で下げて形成さ
れ、接着剤８ａ、８ｂが形成されていないインナーリー
ド５と半導体素子３との間に大きな隙間ｓが形成されて
いるが、これは樹脂封入時の流れ込みを容易にするため
である。
には図１に示すように接着剤８ａ、８ｂを介して半導体
素子３が接合され、半導体素子３の電極端子９とインナ
ーリード５との間がボンディングワイヤ１０によって結
線された後、樹脂封入が行われる。上記インナーリード
５は接着剤８ａ、８ｂが形成される半導体素子搭載予定
領域２ａが他の部分よりもプレス加工で下げて形成さ
れ、接着剤８ａ、８ｂが形成されていないインナーリー
ド５と半導体素子３との間に大きな隙間ｓが形成されて
いるが、これは樹脂封入時の流れ込みを容易にするため
である。
【００２１】（比較例１）実施例と同じリードフレーム
を使用し、接着剤として、実施例の接着剤８ｂに使用し
た接着剤のみを厚さ３０μｍに塗布し、同様に半導体素
子を搭載した。この場合には、半導体素子を搭載した後
の接着剤厚さが、搭載時の温度と圧力のために厚さ５μ
ｍまで減少した。これは、リードフレームと半導体素子
の絶縁距離としては不十分である。
を使用し、接着剤として、実施例の接着剤８ｂに使用し
た接着剤のみを厚さ３０μｍに塗布し、同様に半導体素
子を搭載した。この場合には、半導体素子を搭載した後
の接着剤厚さが、搭載時の温度と圧力のために厚さ５μ
ｍまで減少した。これは、リードフレームと半導体素子
の絶縁距離としては不十分である。
【００２２】（比較例２）実施例と同じリードフレーム
を使用し、接着剤として実施例の接着剤８ａに使用した
フィラー入りの接着剤のみを厚さ３０μｍに塗布し、同
様に半導体素子を搭載した。この場合には、半導体素子
と接着剤との接着力が不十分で、その後の実装工程で半
導体素子がリードフレームから剥離するものが発生し
た。
を使用し、接着剤として実施例の接着剤８ａに使用した
フィラー入りの接着剤のみを厚さ３０μｍに塗布し、同
様に半導体素子を搭載した。この場合には、半導体素子
と接着剤との接着力が不十分で、その後の実装工程で半
導体素子がリードフレームから剥離するものが発生し
た。
【００２３】
【発明の効果】請求項１に記載の半導体装置用リードフ
レームによれば、半導体素子はフィラーを含まない接着
剤と接合されるため十分な接着力をもち、かつその接着
剤とリードフレームの間にはフィラーを含んだ接着剤が
存在するために絶縁厚さの確保ができる。
レームによれば、半導体素子はフィラーを含まない接着
剤と接合されるため十分な接着力をもち、かつその接着
剤とリードフレームの間にはフィラーを含んだ接着剤が
存在するために絶縁厚さの確保ができる。
【００２４】請求項２に記載の半導体装置用リードフレ
ームによれば、フィラーをＳｉＯ2としたので、絶縁厚
さを十分に確保することができる。
ームによれば、フィラーをＳｉＯ2としたので、絶縁厚
さを十分に確保することができる。
【００２５】請求項３に記載の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法によれば、リードフレームの半導体素子
搭載予定領域に、フィラーを含む接着剤とフィラーを含
まない接着剤とをパッド印刷法を採用して塗布するよう
にしたので、塗布が簡単で、時間を要さない。
ームの製造方法によれば、リードフレームの半導体素子
搭載予定領域に、フィラーを含む接着剤とフィラーを含
まない接着剤とをパッド印刷法を採用して塗布するよう
にしたので、塗布が簡単で、時間を要さない。
【００２６】請求項４に記載の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法によれば、ディスペンサ法で塗布するよ
うにしたので、接着剤の厚みの制御が容易である。
ームの製造方法によれば、ディスペンサ法で塗布するよ
うにしたので、接着剤の厚みの制御が容易である。
【００２７】請求項５に記載の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法によれば、ポリイミド、ポリエーテルア
ミドあるいはポリエーテルアミドイミドからなる熱可塑
性接着剤、またはこれらの組合わせからなる接着剤を用
いるようにしたので、比較的低温で塗布することがで
き、リードフレーム材表面が酸化することがない。
ームの製造方法によれば、ポリイミド、ポリエーテルア
ミドあるいはポリエーテルアミドイミドからなる熱可塑
性接着剤、またはこれらの組合わせからなる接着剤を用
いるようにしたので、比較的低温で塗布することがで
き、リードフレーム材表面が酸化することがない。
【図１】本発明の一実施例である半導体装置用リードフ
レームを用いて構成された半導体装置の断面図である。
レームを用いて構成された半導体装置の断面図である。
【図２】図１におけるリードフレームの部分的拡大平面
図である。
図である。
【図３】図２のリードフレームの要部拡大斜視図であ
る。
る。
【図４】従来例の半導体装置を示す断面図である。
【図５】図４におけるリードフレームの平面図である。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ２ａ 半導体素子搭載予定領域 ３ 半導体素子 ８ａ フィラーを含んだ接着剤 ８ｂ フィラーを含まない接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 洋 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 鈴村 隆志 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (5)
- 【請求項１】リードフレームの半導体素子搭載予定領域
に絶縁性高温軟化型接着剤を介在して半導体素子を接合
した半導体装置用リードフレームにおいて、絶縁性高温
軟化型接着剤を２層構造とし、リードフレーム側に絶縁
性のフィラーを含んだ接着剤を介在させ、半導体素子側
にフィラーを含まない接着剤を介在させたことを特徴と
する半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体装置用リードフレ
ームにおいて、絶縁性高温軟化型接着剤に含まれる絶縁
性フィラーがＳｉＯ2 からなることを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。 - 【請求項３】リードフレームの半導体素子搭載予定領域
に絶縁性高温軟化型接着剤を直接塗布し、この塗布した
接着剤の上に半導体素子を載せて接合する半導体装置用
リードフレームの製造方法において、絶縁性高温軟化型
接着剤をパッド印刷法で塗布するようにし、最初に絶縁
性のフィラーを含んだ接着剤を塗布、乾燥し、次にフィ
ラーを含まない接着剤を塗布、乾燥したことを特徴とす
る半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項４】請求項３に記載の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法において、パッド印刷法に代えてディス
ペンサ法で塗布するようにした半導体装置用リードフレ
ームの製造方法。 - 【請求項５】請求項３または４に記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造方法において、絶縁性高温軟化型接
着剤がポリイミド、ポリエーテルアミドあるいはポリエ
ーテルアミドイミドからなる熱可塑性接着剤、またはこ
れらの組合わせからなることを特徴とする半導体装置用
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163495A JPH0917936A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163495A JPH0917936A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917936A true JPH0917936A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15774959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163495A Pending JPH0917936A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246324A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Powertech Technology Inc | 半導体パッケージ構造 |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP7163495A patent/JPH0917936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246324A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Powertech Technology Inc | 半導体パッケージ構造 |
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