JPH09180183A

JPH09180183A - 磁気記録媒体用基板の製造方法

Info

Publication number: JPH09180183A
Application number: JP35222995A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Yamamoto; 裕三山本; Akira Noda; 章野田; Manabu Shibata; 学柴田
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-12-28
Filing date: 1995-12-28
Publication date: 1997-07-11

Abstract

(57)【要約】【目的】基板本体の内外周端面の砥石による研削抵抗
を軽減し、砥石の寿命向上、砥石の研削速度向上、内外
周端面の表面粗さ低減を図ること。【構成】非磁性基板本体１Ａの内外周端面を砥石２２
により研削加工する磁気記録媒体用基板１の製造方法に
おいて、基板本体１Ａに電場を印加した状態で上記砥石
２２による研削加工を行なうもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体用基板
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク（ＨＤ）用基板に代表さ
れる記録媒体用基板は、基板本体の表面を粗研磨するラ
ッピング工程、内外周端面を研削して面取りするチャン
ファ加工工程、表面を仕上げ研磨するポリッシング工程
を経て製造されている。そして、この基板は、更に、基
板本体の表面にテクスチャー層を形成してその表面を適
度に粗面化するテクスチャー工程、表面に下地層を形成
する下地層形成工程、表面に磁性層を成膜する磁性層形
成工程、磁性層上に保護層を形成する保護層形成工程、
保護層の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程等にて基
板本体の表面に成膜し、更にその膜表面の異常突起を除
去するバーニッシュ工程を施されて製品となる。

【０００３】然るに、ハードディスク基板における高記
録密度化のニーズ等が、基板本体の表面及び内外周端面
の鏡面化を要請している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】然しながら、砥石を用
いて基板本体の内外周端面を研削加工する従来技術で
は、以下の如くの問題点がある。砥石による研削抵抗が大きい。このため、砥石の摩耗
が激しく砥石の低寿命を招く。また、砥石の研削速度
（材料除去速度）を上げることができず、生産コスト高
となる。

【０００５】砥石による研削抵抗が大きいので、基板
本体にクラック及びそれに起因するピット（凹凸疵）を
生じ易く、鏡面化に困難がある。基板本体の内外周端面
の鏡面化が悪く、表面粗さがあまりにも粗いと、記録層
を成膜した後の膜密着耐久性が悪く、膜剥れを生ずる。

【０００６】本発明は、基板本体の内外周端面の砥石に
よる研削抵抗を軽減し、砥石の寿命向上、砥石の研削速
度向上、内外周端面の表面粗さ低減を図ることを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
は、非磁性基板本体の内外周端面を砥石により研削加工
する磁気記録媒体用基板の製造方法において、基板本体
に電場を印加した状態で上記砥石による研削加工を行な
うようにしたものである。

【０００８】請求項２に記載の本発明は、請求項１に記
載の本発明において更に、前記砥石による研削加工時に
供給するクーラントとして、電解質溶液を用いるように
したものである。

【０００９】請求項３に記載の本発明は、請求項１又は
２に記載の本発明において更に、前記基板本体がカーボ
ンからなるようにしたものである。

【００１０】請求項１〜３の本発明によれば下記〜
の作用がある。基板本体を陽極とし、クーラントに電解質を含有せし
めるとき、 (a) 基板本体に電解処理（陽極溶出酸化分解、エッチン
グ、分極化）が施され、基板本体の表層が溶解する結
果、研削抵抗が小となる。尚、ここでいう分極現象と
は、基板本体の構成原子（例えばＣ原子）の原子間距離
が大きくなり、原子間結合が切れ易くなる現象をいう
（図３）。

【００１１】(b) 基板本体の酸化分解により生ずる親水
成分が基板本体の表面に表われて基板本体のぬれ性（親
水性）ひいては潤滑性が増し、研削抵抗が小となる。

【００１２】(c) 陽極での水の電気分解、或いは基板本
体の構成原子（例えばＣ原子）が酸化分解により溶出又
はガス化し、これらのガスが基板本体表面の切屑除去を
行ない研削抵抗が小となる。

【００１３】基板本体を陽極とし、クーラントに電解
質を含有せしめないとき、 (a) 基板本体に分極現象を生じ、研削抵抗小となる。 (b）上記(b) と同じ。 (c) 上記(c) と同じ。

【００１４】基板本体を陰極とするとき、クーラント
に電解質を含有していても含有していなくても、 (a) クーラントのカチオン成分が基板本体の表面に侵入
して基板本体の表面のぬれ性（親水性）ひいては潤滑性
が増し、研削抵抗が小となる。

【００１５】(b) クーラントを構成している水の電気分
解により発生するガスが基板本体表面の切屑除去を行な
い研削抵抗が小となる。

【００１６】カーボン基板等の脆性材料からなる基板
においては、基板本体の加工時にクラックや欠け等の欠
陥を生じ易い。本発明によれば、このような脆性材料か
らなる基板にあっても、上記〜により研削抵抗を小
とし、砥石の寿命向上、砥石の研削速度向上、基板本体
の内外周端面の表面粗さ低減を図ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明による基板の研削加
工方式を示す模式図、図２は図１の電解処理原理図、図
３は分極現象を示す模式図、図４は樹脂合成工程からコ
ア抜き工程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図、
図５は焼成前ラッピング工程から焼成炭素化工程までの
ＧＣ基板製造プロセスを示す模式図、図６は焼成後ラッ
ピング工程から基板完成までのＧＣ基板製造プロセスを
示す模式図、図７は本発明の実施例に係るハードディス
クの膜構成を示す模式図、図８は電解電流特性を示す模
式図である。

【００１８】磁気ディスク用ガラス状カーボン基板（Ｇ
Ｃ基板）１は、下記(A) の製造工程で基板本体１Ａを加
工され、この加工後の基板本体１Ａに下記(B) の成膜を
施されて製品となる。

【００１９】(A) ＧＣ基板の製造工程図４〜図６はＧＣ基板製造プロセスを示し、(1) 樹脂合
成工程、(2) 樹脂硬化工程、(3) コア抜き工程、(4) 焼
成前ラッピング工程、(5) 焼成炭素化工程、(6) 焼成後
ラッピング工程、(7) チャンファ加工工程、(8) ポリッ
シング工程の順で行なわれる。但し、(4) の焼成前ラッ
ピング工程でのラッピングの程度により、(6) の焼成後
ラッピング工程は省略可能である。また、(6) の焼成後
ラッピング工程と(7) のチャンファ加工工程の順序は入
れ替わっても特に問題はない。更には、(4) の焼成前ラ
ッピングは省略してもよい。

【００２０】樹脂合成工程では、反応槽１１にて、フェ
ノール変性フラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の
樹脂は濾過器１２により濾過する。

【００２１】樹脂硬化工程では、一対のガラス板１３、
１３間に、硬化剤を添加・混合した液状の樹脂を注入
し、高温状態で放置して反応させることにより、硬化さ
せ、この後、ガラス板１３、１３から取出して、板状の
硬化樹脂を得る。

【００２２】コア抜き工程では、例えばレーザーカッタ
ー（或いはルーター、旋盤、プレス等）を用いて、板状
の硬化樹脂１４から、外径88mm、内径25mmのディスク状
の硬化樹脂（硬化樹脂基板）１５を多数切り抜く。

【００２３】焼成前ラッピング工程では、両面研磨機１
６を用いて、コア抜きされた硬化樹脂基板２の表面を遊
離砥粒により研磨する。

【００２４】ここで使用する砥粒は、焼成後ラッピング
工程を省略することを前提とすれば、平均粒径 1.0〜
6.0μの範囲の砥粒とする。そして、ラッピング後の表
面粗さをＲａ＝ 0.4μ以下にする。尚、ラッピング後の
厚さは、この後の焼成時の収縮率が75％程度で、焼成後
に得る厚さを0.65mm〜 0.7mm程度とすると、0.9mm 〜0.
95mm程度にする。

【００２５】また、焼成後ラッピング工程を実施するこ
とを前提として、焼成前ラッピング工程にて厚みを揃え
ることのみを目的とすれば、平均砥粒 1.0〜30.0μの範
囲の砥粒を使用する。そして、ラッピング後の表面粗さ
をＲａ＝ 2.0μ以下（0.02〜2.0μの範囲）にする。

【００２６】焼成炭素化工程では、黒鉛板（炭素板）１
７上に多数の硬化樹脂基板１５を並べ、その上に更に黒
鉛板１７、多数の硬化樹脂基板１５を順次積層し、これ
らを焼成炉内に入れて、不活性ガス雰囲気下、黒鉛ヒー
タにより、1200℃で焼成することにより、硬化樹脂を炭
素化して、焼成されたＧＣ基板本体１Ａを得る。

【００２７】尚、詳しくは、焼成の温度パターンに沿っ
て、ある温度範囲では不活性ガス雰囲気下、また別の温
度範囲では真空にてという具合に、不活性ガス雰囲気下
と真空とを温度範囲にあわせて制御している。不活性ガ
スとしては、具体的には、窒素、アルゴン等を用いる。

【００２８】このときの収縮率は75％程度であり、焼成
前の厚さが 0.9mm〜0.95mm程度であるとすると、焼成後
の厚さは0.65mm〜 0.7mm程度となる。

【００２９】焼成後ラッピング工程では、両面研磨機２
１を用いて、焼成されたＧＣ基板本体１Ａの表面を遊離
砥粒により研磨する。

【００３０】ここで使用する両面研磨機２１は焼成前ラ
ッピング工程で用いたものと同じものでよい。

【００３１】また、使用する砥粒は、平均粒径 1.0〜
6.0μの範囲の砥粒とする。但し、焼成前ラッピング工
程において平均粒径 1.0〜 6.0μの範囲の砥粒を用い
て、焼成後に所望の厚さと平坦度／面粗さとを得ている
場合は、焼成後ラッピング工程を省略可能である。

【００３２】チャンファ加工工程では、ＧＣ基板本体１
Ａの外周面及び内周面を砥石２２、２３により研削して
径を揃えるとともに角部の面取りを行なう。

【００３３】最後のポリッシング工程では、最終研磨の
ため、両面研磨機２４を用いて、研磨する。以上の工程
を経て、ＧＣ基板本体１Ａが得られる。

【００３４】(B) ＧＣ基板への成膜工程（図７）Ａｒガス圧 2mTorr 条件下ＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより厚さ30nm、平均表面粗さ9.2 オングストロ
ームのＡｌ−10wt％Ｓｉ合金テクスチャー層を設けた。

【００３５】次いで、Ａｒガス圧 2mTorr 、基板加熱
温度250 ℃の条件でＤＣマグネトロンスパッタリングに
より厚さ20nmのガラス状炭素からなる第１の下地層を設
けた。

【００３６】更に、基板加熱温度を180 ℃としてＡｒ
ガス圧10mTorr 下で厚さ50nmのＴｉからなる第２の下地
層、40nmのＣｒよりなる第３の下地層、その上に厚さ30
nmのＣｏ−15wt％Ｃｒ−10wt％Ｐｔ層（磁性層）を連続
して成膜した。

【００３７】次いで、上記基板をインライン型スパッ
タ装置のチャンバー内に配置し、該チャンバー内を真空
にした後にＡｒ（分圧1.6mTorr) 及び酸素（分圧0.4mTo
rr）を導入し、黒鉛をターゲットとしてスパッタリング
を行ない、磁性層上に15nmの保護層を設けた。

【００３８】最後にバーニッシュ後、上記保護層上に
潤滑剤（アオジモント社製のフォンブリンAM2001）を厚
さ 2nmになるように浸漬、塗布した。

【００３９】然るに、本発明では、前述した基板本体１
Ａのチャンファ加工工程を図１、図２の如く、基板本体
１Ａに電場を印加する状態で、砥石２２、２３による研
削加工を下記(1) 、(2) により行なうものである。

【００４０】(1) チャンファ加工装置３０は、チャック
ステージ３１、クランプ３２、ダイヤモンド砥石２２、
２３を有して構成される。

【００４１】チャックステージ３１は、基板本体１Ａを
支持する同心状の凸部３１Ａと、凸部３１Ａまわりで基
板本体１Ａを真空吸引する真空吸引溝３１Ｂと、真空吸
引溝３１Ｂに真空圧を付与する真空供給路３１Ｃとを備
える。これにより、チャックステージ３１は基板本体１
Ａを真空吸着可能とする。

【００４２】クランプ３２は、チャックステージ３１上
の基板本体１Ａに高圧水を印加する高圧水噴射口３２Ａ
を備え、基板本体１Ａをチャックステージ３１に押圧保
持可能とする。

【００４３】ダイヤモンド砥石２２は基板本体１Ａの外
周端面を外径研削及び面取り研削可能とし、ダイヤモン
ド砥石２３は基板本体１Ａの内周端面を内径研削及び面
取り研削可能とする。このとき、砥石２２（砥石２３も
同じ）は、メタルボンドホイール（ストレートホイール
の外周上の砥粒をメタルバインダーで固定したもの）と
する。

【００４４】(2) ＤＣ電源４０のプラス側を基板本体１
Ａに結線して陽極電場を印加し、マイナス側を砥石２２
（２３）近傍の電極４１に結線して陰極電場を印加す
る。但し、マイナス側の配線は砥石２２（２３）に直接
的に結線してもよい。そして、砥石２２（２３）の外周
と基板本体１Ａの間に電解質を含んだ水溶液クーラント
を供給する。これにより、基板本体１Ａに陽極電場、砥
石２２（２３）にクーラントを介して陰極電場を印加す
るものとなる。

【００４５】このように、電解質溶液中で導電性の基板
を陽極として電解を行なうと、電解質の種類や電解条件
に応じて電解エッチング、電解研磨、陽極酸化などの現
象が生じる。即ち、導電性の基板を電解液中で陽極分極
すると、図８に示す如く、一般に、以下の三つの領域に
分類される（金属電気化学、沖猛雄、共立出版、1969
年、p170）。

【００４６】の領域（Ａ−Ｃ）：陽極分極（Ｖ）を行
なうと、オームの法則に従って陽極電流（Ｉ）は放物線
的に増加する。

【００４７】の領域（Ｃ−Ｄ）：電位（電場）を増加
しても、電流増加せず、飽和する領域。

【００４８】の領域（Ｄ−Ｅ）：更に陽極分極を増加
すると、再び電流が放物線的に増加する。

【００４９】各々の領域で行なわれている現象は次の通
りである。：電解エッチング領域。初期の陽極溶解が生じてお
り、金属イオンが陽極電場に促進されて直接電解液中に
溶出する。陽極表面の溶け易い部分から自由に溶け去っ
て行くので、金属表面はエッチング（腐食）面が形成さ
れる。

【００５０】：電解研磨領域。金属の溶解／表面近傍
での蓄積、陽極酸化皮膜の形成が混在し、金属表面の凸
部が優先的に溶解し、結果的に鏡面化する領域。

【００５１】：ガス発生／放電領域：陽極より酸素ガ
スの発生、皮膜の破壊や皮膜を通しての放電等が生じる
領域。

【００５２】基板がカーボンの場合は、金属の場合と全
く同じ挙動を示さないが、類似した挙動・現象が生じ
る。

【００５３】尚、電解質溶液は酸或いはアルカリの水溶
液であれば良く、0.1 〜80wt％、好ましくは1 〜60wt％
の濃度のものが用いられる。用いられる電解質成分とし
ては、酸は硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、フッ酸、過塩素
酸などの無機酸、或いは、蓚酸、蟻酸などの有機酸或い
はアルカノールアミン類が挙げられる。アルカリはＮａ
ＯＨ、ＫＯＨ等が挙げられる。これらは二種以上のもの
をブレンドして使用しても構わない。市販のクーラント
にこれらの電解質をブレンドして用いてもよい。

【００５４】陽極材としては通常の電極、例えばＰｔ、
Ａｕ、Ｐｂ、カーボン電極を使用できる。用いる電極波
形は、例えば直流、単相交流や３相交流などの交流、矩
形波、三角波などのパルス波、単相半波、２相半波、３
相半波、６相半波、単相全波、３相全波などの特殊波形
が用いられる。これらの波形を組合わせて用いても良
い。生産性の点から考慮すると３相交流が望ましい。

【００５５】電解時の電流密度に関しては、電解処理の
均一性、生産性、設備負荷を考慮すると、1 〜200mA/cm
² が好ましい。更に好ましくは 5〜100mA/cm² である。
即ち、電流密度が低過ぎると、生産性が低下し、逆に20
0A/cm²を越えて高過ぎる場合には、電解処理の均一性が
低下する傾向がある。

【００５６】従って、本実施形態によれば、基板本体１
Ａを陽極とし、クーラントに電解質を含有せしめたの
で、下記(a) 〜(c) の作用がある。 (a) 基板本体１Ａに電解処理（酸化分解、エッチング、
分極）を施された、基板本体１Ａの表層が溶解する結
果、研削抵抗が小となる。尚、分極現象は、基板本体１
Ａの構成原子（例えばＣ原子）の原子間距離が大きくな
り、原子間結合が切れ易くなる現象をいう（図３）。

【００５７】(b) 基板本体１Ａの酸化分解により生ずる
親水成分が基板本体１Ａの表面に表われて基板本体１Ａ
のぬれ性（親水性）ひいては潤滑性が増し、研削抵抗が
小となる。

【００５８】(c) 基板本体１Ａの構成原子（例えばＣ原
子）が酸化分解によりガス化し、このガスが基板本体表
面の切屑除去を行ない研削抵抗が小となる。

【００５９】即ち、上記(a) 〜(c) により、基板本体１
Ａの内外周端面の砥石２２、２３による研削抵抗を低減
し、砥石２２、２３の寿命向上、砥石２２、２３の研削
速度向上、基板本体１Ａの内外周端面の表面粗さ低減を
図ることができる。

【００６０】尚、本発明は、下記(1) の如くに基板本体
１Ａを陽極とし、クーラントに電解質を含有せしめな
い、或いは下記(2) の如くに基板本体１Ａを陰極とす
る、の変形態様を採用することもでき、それぞれ以下の
如くの作用がある。

【００６１】(1) 基板本体１Ａを陽極とし、クーラント
に電解質を含有せしめないとき、 (a) 基板本体１Ａに分極現象を生じ、研削抵抗小とな
る。

【００６２】(b）基板本体１Ａの酸化分解により生ずる
親水成分が基板本体１Ａの表面に表われて基板本体１Ａ
のぬれ性（親水性）ひいては潤滑性が増し、研削抵抗が
小となる。

【００６３】(c) 基板本体１Ａの構成原子（例えばＣ原
子）が酸化分解によりガス化し、このガスが基板本体表
面の切屑除去を行ない研削抵抗が小となる。

【００６４】(2) 基板本体１Ａを陰極とするとき、クー
ラントに電解質を含有していても含有していなくても、 (a) クーラントのカチオン成分が基板本体１Ａの表面に
侵入して基板本体１Ａの表面のぬれ性（親水性）ひいて
は潤滑性が増し、研削抵抗が小となる。

【００６５】(b) クーラントを構成している水の電気分
解により発生するガスが基板本体１Ａ表面の切屑除去を
行ない研削抵抗が小となる。

【００６６】尚、本発明は、好ましくは、基板本体１Ａ
を陽極とする電解処理法を採用することにより最大の効
果が達成される。

【００６７】

【実施例】本発明例を比較例とともに説明する。但し、
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。（基板本体の焼成）フルフリルアルコール樹脂を公知の
方法である成形、予備焼成処理によりカーボン基板を製
造した。より具体的には、次のようにして製造した。フ
ルフリルアルコール 500重量部、92％ホルムアルデヒド
400重量部及び水30重量部を80℃で攪拌して溶解した。
次いで、攪拌下でフェノール 520重量部、水酸化カルシ
ウム9.5 重量部及び水45重量部の混合液を滴下し、80℃
で 3時間反応させた。その後フェノール30重量部、上記
のフェノール／水酸化カルシウム／水混合液を更に滴下
し、80℃で 2時間反応させた。30℃に冷却後、30％パラ
トルエンスルホン酸水溶液で中和した。この中和物を減
圧化で脱水し、 170重量部の水を除去し、フルフリルア
ルコール 500重量部を添加混合し、樹脂中の不溶分をメ
ンブランフィルターで濾過した。この樹脂が含むことの
できる水の量を測定したところ、35重量％であった。

【００６８】この熱硬化性樹脂 100重量部に対し、パラ
トルエンスルホン酸70重量％、水20重量％、セルソルブ
10重量％の混合液0.5 重量部を添加し、充分攪拌後、厚
さ2mm の円盤状の型に注入し、減圧脱泡した。次いで、
50℃で 3時間、80℃で 2日間加熱硬化した。この熱硬化
物を所定のドーナツ形状に加工し、このあと有機物焼成
炉で窒素雰囲気下で2 〜5 ℃／時の昇温速度で700 ℃ま
で加熱し、次いで5 〜20℃／時の昇温速度で1200℃まで
加熱焼成し、この温度で 2時間保持した後、冷却し、直
径1.8 インチのカーボン基板を得た。このようにして得
られたカーボン基板は、Ｒａ350 オングストローム、密
度1.5g/cm²、ビッカース硬度650 、構造はアモルファス
状であった。

【００６９】（基板本体の加工）焼成されたカーボン基
板を、ＳＰＥＥＤＦＡＭ社製 9Ｂ 5Ｌ型両面研磨機を
使用し、紛砕炭化ケイ素砥粒のひとつであるＧＣ（緑色
炭化ケイ素研磨材）＃800 を用い、濃度 4重量％の遊離
砥粒方式によるラッピング加工を行なった。定盤には鋳
鉄定盤を用いた。研磨しろは、片面当たり200 μm とし
た。得られたカーボン基板のＲａは 2μm であった。こ
の後、芝技研製チャンファー加工機ＳＧ−Ｔにより、内
・外径を所定の寸法に切揃え、面取り加工（45°）（チ
ャンファー加工）を行なった。

【００７０】然るに、上述のチャンファー加工におい
て、表１に記載の如く、本発明例である実施例１〜５で
は直流電源（高砂製作所製）を用いてカーボン基板に陽
極電場を、実施例６ではカーボン基板に陰極電極を印加
した電解処理を伴う研削加工を行ない、比較例１、２で
はカーボン基板に電場を印加することなく研削加工を行
なった。

【００７１】尚、実施例１〜７、比較例１、２におい
て、砥石は、新東ブレータ（株）製、鉄ファイバーボン
ド砥石ＳＤ400 Ｎ100 Ｆ×3 〜ＳＤ800 Ｎ100 Ｆ×3 を
用いた。また、クーラントはユシロ化学製ＥＬＩＤNo.3
5 の 3％水溶液に 3％ＮａＯＨを添加したものを用い
た。また、電解処理の電流密度、クーラント温度、砥石
送り速度は表１の通りとした。

【００７２】表１の実施結果（砥石寿命、平均表面粗
さ）によれば、本発明例（実施例１〜６）において、砥
石の寿命向上、基板本体の内外周端面の表面粗さをそれ
ぞれ格段に向上できることが認められる。

【００７３】尚、加工後の表面粗さＲａは、触針式表面
粗さ計（Ｔｅｎｃｏｒ（株）製：型式Ｐ2 ）を用いて下
記条件で測定して得た値である。

【００７４】測定条件触針先端半径： 5μm （針曲率半径）触針押し付け圧力： 7mg 測定長： 250μm × 8箇所トレース速度：2.5 μm / 秒カットオフ：1.25μm （ローパスフィルター）

【００７５】

【表１】

【００７６】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述したが、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があっても本発明に含まれる。例えば、本
発明が適用される基板本体の材質はカーボンに限らず、
Ａｌ合金、Ｔｉ等であっても良い。

【００７７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板本体
の内外周端面の砥石による研削抵抗を軽減し、砥石の寿
命向上、砥石の研削速度向上、内外周端面の表面粗さ低
減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明による基板の研削加工方式を示す
模式図である。

【図２】図２は図１の電解処理原理図である。

【図３】図３は分極現象を示す模式図である。

【図４】図４は樹脂合成工程からコア抜き工程までのＧ
Ｃ基板製造プロセスを示す模式図である。

【図５】図５は焼成前ラッピング工程から焼成炭素化工
程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。

【図６】図６は焼成後ラッピング工程から基板完成まで
のＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。

【図７】図７は本発明の実施例に係るハードディスクの
膜構成を示す模式図である。

【図８】図８は電解電流特性を示す模式図である。

【符号の説明】

１基板１Ａ基板本体２２、２３砥石

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板本体の内外周端面を砥石によ
り研削加工する磁気記録媒体用基板の製造方法におい
て、基板本体に電場を印加した状態で上記砥石による研削加
工を行なうことを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造
方法。
【請求項２】前記砥石による研削加工時に供給するク
ーラントとして、電解質溶液を用いる請求項１記載の磁
気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】前記基板本体がカーボンからなる請求項
１又は２記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。