JPH09180907A - 積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子 - Google Patents
積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子Info
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 428
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 29
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般的に安価で調達しやすい材料を用いて、
各々の特性を適正に発揮し、セラミックと電極の熱膨張
係数の差に起因する不具合を解決し、ＰＴＣセラミック
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子と電極を積層一体化した積層複合セラミックとそれ
を用いた積層複合セラミック素子を提供することであ
る。 【解決手段】 ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミッ
ク素子または固定抵抗セラミック素子とが積層一体化さ
れた積層セラミック体からなり、ＰＴＣセラミック素子
はチタン酸バリウムを主成分とするＰＴＣセラミックか
らなり、ＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミッ
ク素子はチタン酸バリウムを主成分とするＮＴＣ−Ｒセ
ラミックからなり、少なくともＰＴＣセラミック素子と
ＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック素子と
が一体化された積層セラミック体の内部に内部電極を有
している積層複合セラミックである。
各々の特性を適正に発揮し、セラミックと電極の熱膨張
係数の差に起因する不具合を解決し、ＰＴＣセラミック
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子と電極を積層一体化した積層複合セラミックとそれ
を用いた積層複合セラミック素子を提供することであ
る。 【解決手段】 ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミッ
ク素子または固定抵抗セラミック素子とが積層一体化さ
れた積層セラミック体からなり、ＰＴＣセラミック素子
はチタン酸バリウムを主成分とするＰＴＣセラミックか
らなり、ＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミッ
ク素子はチタン酸バリウムを主成分とするＮＴＣ−Ｒセ
ラミックからなり、少なくともＰＴＣセラミック素子と
ＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック素子と
が一体化された積層セラミック体の内部に内部電極を有
している積層複合セラミックである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＰＴＣセラミッ
ク素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミッ
ク素子とを一体化した積層複合セラミックとそれを用い
た積層複合セラミック素子に関する。
ク素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミッ
ク素子とを一体化した積層複合セラミックとそれを用い
た積層複合セラミック素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】正の抵抗温度特性を有する半導体セラミ
ック（以下、ＰＴＣセラミックという）は、温度上昇に
伴いキュリー点以上で抵抗値が急激に増加する特性（以
下、ＰＴＣ特性という）を有している。一方、ＰＴＣセ
ラミックとは逆に負の抵抗温度特性を有する半導体セラ
ミック（以下、ＮＴＣセラミックという）は、温度上昇
に伴い、抵抗値が急激に減少する特性（以下、ＮＴＣ特
性という）を有している。
ック（以下、ＰＴＣセラミックという）は、温度上昇に
伴いキュリー点以上で抵抗値が急激に増加する特性（以
下、ＰＴＣ特性という）を有している。一方、ＰＴＣセ
ラミックとは逆に負の抵抗温度特性を有する半導体セラ
ミック（以下、ＮＴＣセラミックという）は、温度上昇
に伴い、抵抗値が急激に減少する特性（以下、ＮＴＣ特
性という）を有している。
【０００３】このＰＴＣ特性を有する素子（以下、ＰＴ
Ｃ素子という）とＮＴＣ特性を有する素子（以下、ＮＴ
Ｃ素子という）とを一体化する試みとして、特開平４−
２８０６０１号公報に記載されているＰＴＣ・ＮＴＣ一
体化素子がある。特開平４−２８０６０１号公報に記載
されているＰＴＣ・ＮＴＣ一体化素子は、Ｖ2Ｏ3を主成
分とするＰＴＣ素子とＶ2Ｏ3を主成分とするＮＴＣ素子
と電極とを積層状態に一体化したものである。
Ｃ素子という）とＮＴＣ特性を有する素子（以下、ＮＴ
Ｃ素子という）とを一体化する試みとして、特開平４−
２８０６０１号公報に記載されているＰＴＣ・ＮＴＣ一
体化素子がある。特開平４−２８０６０１号公報に記載
されているＰＴＣ・ＮＴＣ一体化素子は、Ｖ2Ｏ3を主成
分とするＰＴＣ素子とＶ2Ｏ3を主成分とするＮＴＣ素子
と電極とを積層状態に一体化したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平４−２８０
６０１号公報に記載されているＰＴＣ・ＮＴＣ一体化素
子は、ＰＴＣ素子、ＮＴＣ素子、タングステン又はモリ
ブデン製で板状の電極（以下、電極という）を、次の
（１），（２），（３）の方法で接合している。 （１）ＰＴＣ素子、ＮＴＣ素子、電極を銀ろう付して接
合する。 （２）タングステンまたはモリブデン等の金属粉を添加
したＰＴＣセラミック成形体とＮＴＣセラミック成形
体、電極を一体焼成する。 （３）タングステンまたはモリブデン等の金属粉をペー
スト化し、ＰＴＣセラミック成形体、ＮＴＣセラミック
成形体と電極に塗布し、一体焼成する。
６０１号公報に記載されているＰＴＣ・ＮＴＣ一体化素
子は、ＰＴＣ素子、ＮＴＣ素子、タングステン又はモリ
ブデン製で板状の電極（以下、電極という）を、次の
（１），（２），（３）の方法で接合している。 （１）ＰＴＣ素子、ＮＴＣ素子、電極を銀ろう付して接
合する。 （２）タングステンまたはモリブデン等の金属粉を添加
したＰＴＣセラミック成形体とＮＴＣセラミック成形
体、電極を一体焼成する。 （３）タングステンまたはモリブデン等の金属粉をペー
スト化し、ＰＴＣセラミック成形体、ＮＴＣセラミック
成形体と電極に塗布し、一体焼成する。
【０００５】これらの接合方法では下記のような問題を
含んでいる。
含んでいる。
【０００６】（１）の接合方法では、ＰＴＣ素子、ＮＴ
Ｃ素子、電極を焼成後に接合するため、ＰＴＣ素子とＮ
ＴＣ素子の熱結合が悪く、しかも焼成工程と接合工程が
必要となり量産性が悪い。 （２）の接合方法では、ＰＴＣセラミック成形体、ＮＴ
Ｃセラミック成形体にタングステンまたはモリブデンが
混入しているため、ＰＴＣ特性、ＮＴＣ特性が低下す
る。 （２）、（３）の接合方法では、電極とＰＴＣ、ＮＴＣ
セラミックとの熱膨張係数が異なることから、焼結時に
電極とＰＴＣ、ＮＴＣセラミックがはがれたり、ＰＴ
Ｃ、ＮＴＣセラミックに余分な力が加わりクラックが生
じる。
Ｃ素子、電極を焼成後に接合するため、ＰＴＣ素子とＮ
ＴＣ素子の熱結合が悪く、しかも焼成工程と接合工程が
必要となり量産性が悪い。 （２）の接合方法では、ＰＴＣセラミック成形体、ＮＴ
Ｃセラミック成形体にタングステンまたはモリブデンが
混入しているため、ＰＴＣ特性、ＮＴＣ特性が低下す
る。 （２）、（３）の接合方法では、電極とＰＴＣ、ＮＴＣ
セラミックとの熱膨張係数が異なることから、焼結時に
電極とＰＴＣ、ＮＴＣセラミックがはがれたり、ＰＴ
Ｃ、ＮＴＣセラミックに余分な力が加わりクラックが生
じる。
【０００７】また、ＰＴＣ素子とＮＴＣ素子と電極の接
合領域がずれやすい。さらに、酸化バナジウム、タング
ステン、モリブデンなどの金属は、特殊な金属であるこ
とから、原料コストが高くなり、一体化素子全体のコス
トダウンを阻む要因の一つとなっていた。
合領域がずれやすい。さらに、酸化バナジウム、タング
ステン、モリブデンなどの金属は、特殊な金属であるこ
とから、原料コストが高くなり、一体化素子全体のコス
トダウンを阻む要因の一つとなっていた。
【０００８】この発明の目的は、一般的に安価で調達し
やすい材料を用いて、各々の特性を適正に発揮し、セラ
ミックと電極の熱膨張係数の差に起因する不具合を解決
し、ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミック素子また
は固定抵抗セラミック素子と電極を積層一体化した積層
複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子
を提供することである。
やすい材料を用いて、各々の特性を適正に発揮し、セラ
ミックと電極の熱膨張係数の差に起因する不具合を解決
し、ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミック素子また
は固定抵抗セラミック素子と電極を積層一体化した積層
複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミック素子または固
定抵抗セラミック素子とが積層一体化された積層セラミ
ック体からなり、前記ＰＴＣセラミック素子はチタン酸
バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有するセラ
ミック半導体からなり、前記ＮＴＣセラミック素子はチ
タン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体からなり、前記固定抵抗セラミック
素子はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗
体からなり、少なくとも前記ＰＴＣセラミック素子と前
記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック
素子とが一体化された積層セラミック体の内部に内部電
極を有している積層複合セラミックである。
ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミック素子または固
定抵抗セラミック素子とが積層一体化された積層セラミ
ック体からなり、前記ＰＴＣセラミック素子はチタン酸
バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有するセラ
ミック半導体からなり、前記ＮＴＣセラミック素子はチ
タン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体からなり、前記固定抵抗セラミック
素子はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗
体からなり、少なくとも前記ＰＴＣセラミック素子と前
記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック
素子とが一体化された積層セラミック体の内部に内部電
極を有している積層複合セラミックである。
【００１０】請求項２に係る発明は、前記ＰＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
とチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５
にする積層複合セラミックである。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
とチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５
にする積層複合セラミックである。
【００１１】請求項３に係る発明は、前記ＰＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
の５〜２５モル％をカルシウムで置換されている積層複
合セラミックである。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
の５〜２５モル％をカルシウムで置換されている積層複
合セラミックである。
【００１２】請求項４に係る発明は、前記ＮＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記固
定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とするセラミック抵抗体が、バリウムとチタンのモ
ル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９５〜１．０１にする積層複
合セラミックである。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記固
定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とするセラミック抵抗体が、バリウムとチタンのモ
ル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９５〜１．０１にする積層複
合セラミックである。
【００１３】請求項５に係る発明は、前記ＮＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記固
定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とするセラミック抵抗体が、酸化マンガンをＭｎに
換算して０．０１〜１モル％含有している積層複合セラ
ミックである。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記固
定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とするセラミック抵抗体が、酸化マンガンをＭｎに
換算して０．０１〜１モル％含有している積層複合セラ
ミックである。
【００１４】請求項６に係る発明は、前記ＰＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体、または前記
ＮＴＣセラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体、あるいは前記固定抵抗セラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗体が、Ｓ
ｉＯ2を０．０５〜５モル％含有している積層複合セラ
ミックである。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体、または前記
ＮＴＣセラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主
成分とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体、あるいは前記固定抵抗セラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗体が、Ｓ
ｉＯ2を０．０５〜５モル％含有している積層複合セラ
ミックである。
【００１５】請求項７に係る発明は、ＰＴＣセラミック
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子とが等価的に直列接続された回路構成からなる積層
複合セラミック素子であって、前記ＰＴＣセラミック素
子はチタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性
を有するセラミック半導体からなり、前記ＮＴＣセラミ
ック素子はチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温
度特性を有するセラミック半導体からなり、前記固定抵
抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分とするセ
ラミック抵抗体からなり、前記ＰＴＣセラミック素子と
前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミッ
ク素子とが積層一体化された積層セラミック体からな
り、前記積層セラミック体の表面には、前記ＰＴＣセラ
ミック素子用の第１の電極と、前記ＮＴＣセラミック素
子用または前記固定抵抗セラミック素子用の第２の電極
と、および前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラ
ミック素子または前記固定抵抗セラミック素子との間に
形成された内部電極と電気的に接続される第３の電極と
が形成されている積層複合セラミック素子である。
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子とが等価的に直列接続された回路構成からなる積層
複合セラミック素子であって、前記ＰＴＣセラミック素
子はチタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性
を有するセラミック半導体からなり、前記ＮＴＣセラミ
ック素子はチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温
度特性を有するセラミック半導体からなり、前記固定抵
抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分とするセ
ラミック抵抗体からなり、前記ＰＴＣセラミック素子と
前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミッ
ク素子とが積層一体化された積層セラミック体からな
り、前記積層セラミック体の表面には、前記ＰＴＣセラ
ミック素子用の第１の電極と、前記ＮＴＣセラミック素
子用または前記固定抵抗セラミック素子用の第２の電極
と、および前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラ
ミック素子または前記固定抵抗セラミック素子との間に
形成された内部電極と電気的に接続される第３の電極と
が形成されている積層複合セラミック素子である。
【００１６】請求項８に係る発明は、ＰＴＣセラミック
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子が直列接続され、前記ＰＴＣセラミック素子と前記
ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック素
子との中間接続点から中間電極が導出される回路を備え
た積層複合セラミック素子であって、前記ＰＴＣセラミ
ック素子はチタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温
度特性を有するセラミック半導体からなり、前記ＮＴＣ
セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分とする負の
抵抗温度特性を有するセラミック半導体からなり、前記
固定抵抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分と
するセラミック抵抗体からなり、前記ＰＴＣセラミック
素子と前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セ
ラミック素子とが積層一体化された積層セラミック体か
らなり、前記ＰＴＣセラミック素子の領域には、前記積
層セラミック体の第１の側面、第２の側面に形成された
外部電極に接続される内部電極がそれぞれ形成され、前
記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック
素子の領域には、前記積層セラミック体の前記第２の側
面に形成された外部電極に接続される内部電極が形成さ
れ、前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラ
ミック素子の領域に、または前記ＰＴＣセラミック素子
と前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミ
ック素子との間に、前記積層セラミック体の第３の側面
に形成された外部電極に接続される内部電極が形成さ
れ、前記積層セラミック体の前記第２の側面に形成され
た外部電極が前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセ
ラミック素子または前記固定抵抗セラミック素子との直
列接続回路の中間電極である積層複合セラミック素子で
ある。
素子とＮＴＣセラミック素子または固定抵抗セラミック
素子が直列接続され、前記ＰＴＣセラミック素子と前記
ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック素
子との中間接続点から中間電極が導出される回路を備え
た積層複合セラミック素子であって、前記ＰＴＣセラミ
ック素子はチタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温
度特性を有するセラミック半導体からなり、前記ＮＴＣ
セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分とする負の
抵抗温度特性を有するセラミック半導体からなり、前記
固定抵抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成分と
するセラミック抵抗体からなり、前記ＰＴＣセラミック
素子と前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セ
ラミック素子とが積層一体化された積層セラミック体か
らなり、前記ＰＴＣセラミック素子の領域には、前記積
層セラミック体の第１の側面、第２の側面に形成された
外部電極に接続される内部電極がそれぞれ形成され、前
記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック
素子の領域には、前記積層セラミック体の前記第２の側
面に形成された外部電極に接続される内部電極が形成さ
れ、前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラ
ミック素子の領域に、または前記ＰＴＣセラミック素子
と前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミ
ック素子との間に、前記積層セラミック体の第３の側面
に形成された外部電極に接続される内部電極が形成さ
れ、前記積層セラミック体の前記第２の側面に形成され
た外部電極が前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセ
ラミック素子または前記固定抵抗セラミック素子との直
列接続回路の中間電極である積層複合セラミック素子で
ある。
【００１７】請求項９に係る発明は、前記ＰＴＣセラミ
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
とチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５
にする積層複合セラミック素子である。
ック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする正
の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウム
とチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５
にする積層複合セラミック素子である。
【００１８】請求項１０に係る発明は、前記ＰＴＣセラ
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウ
ムの５〜２５モル％をカルシウムにより置換されている
積層複合セラミック素子である。
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体が、バリウ
ムの５〜２５モル％をカルシウムにより置換されている
積層複合セラミック素子である。
【００１９】請求項１１に係る発明は、前記ＮＴＣセラ
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記
固定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とするセラミック抵抗体が、バリウムとチタンの
モル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９５〜１．０１にする積層
複合セラミック素子である。
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記
固定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とするセラミック抵抗体が、バリウムとチタンの
モル比（Ｂａ／Ｔｉ）を０．９５〜１．０１にする積層
複合セラミック素子である。
【００２０】請求項１２に係る発明は、前記ＮＴＣセラ
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記
固定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とするセラミック抵抗体が、酸化マンガンをマン
ガンに換算して０．０１〜１モル％含有している積層複
合セラミック素子である。
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体または前記
固定抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とするセラミック抵抗体が、酸化マンガンをマン
ガンに換算して０．０１〜１モル％含有している積層複
合セラミック素子である。
【００２１】請求項１３に係る発明は、前記ＰＴＣセラ
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体、または前
記ＮＴＣセラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体、あるいは前記固定抵抗セラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗体が、Ｓ
ｉＯ2を０．０５〜５モル％含有している積層複合セラ
ミック素子である。
ミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする
正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体、または前
記ＮＴＣセラミック素子を構成するチタン酸バリウムを
主成分とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体、あるいは前記固定抵抗セラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とするセラミック抵抗体が、Ｓ
ｉＯ2を０．０５〜５モル％含有している積層複合セラ
ミック素子である。
【００２２】なお、ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ
／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５に限定した理由は、０．
９９未満ではＮＴＣ特性となり、１．０５以上では室温
抵抗が高くなりすぎて出力制御が不十分となってしまう
ためである。
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ
／Ｔｉ）を０．９９〜１．０５に限定した理由は、０．
９９未満ではＮＴＣ特性となり、１．０５以上では室温
抵抗が高くなりすぎて出力制御が不十分となってしまう
ためである。
【００２３】また、ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体のカルシウムの含有量を５〜２５モ
ル％に限定した理由は、５モル％未満ではＰＴＣ特性を
示さず、２５モル％を越えると高抵抗化するため、出力
制御が十分できなくなるためである。
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体のカルシウムの含有量を５〜２５モ
ル％に限定した理由は、５モル％未満ではＰＴＣ特性を
示さず、２５モル％を越えると高抵抗化するため、出力
制御が十分できなくなるためである。
【００２４】さらに、ＮＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素
子を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミッ
ク抵抗体のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を
０．９５〜１．０３に限定した理由は、０．９５未満で
は高抵抗であり、１．０３を越えるとＰＴＣ特性となる
ため出力制御ができ難くなるためである。
チタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素
子を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミッ
ク抵抗体のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を
０．９５〜１．０３に限定した理由は、０．９５未満で
は高抵抗であり、１．０３を越えるとＰＴＣ特性となる
ため出力制御ができ難くなるためである。
【００２５】また、ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体の酸化マンガンをマンガンに換算し
て０．０１〜１モル％に限定した理由は、０．０１モル
％未満ではＰＴＣ特性が小さいため顕著な効果はなく、
１モル％を越えると高抵抗化してしまうためである。
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体の酸化マンガンをマンガンに換算し
て０．０１〜１モル％に限定した理由は、０．０１モル
％未満ではＰＴＣ特性が小さいため顕著な効果はなく、
１モル％を越えると高抵抗化してしまうためである。
【００２６】さらに、ＰＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体、ＮＴＣセラミック素子を構成す
るチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を
有するセラミック半導体または固定抵抗セラミック素子
を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック
抵抗体のＳｉＯ2含有量を０．０５〜５モル％に限定し
た理由は、０．０５モル％未満ではＰＴＣ特性が小さい
ため顕著な効果はなく、５モル％を越えると高抵抗化し
てしまい、しかも、０．０５モル％未満では機械的強度
も弱くはがれなどの不良が多数発生するためである。
チタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体、ＮＴＣセラミック素子を構成す
るチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を
有するセラミック半導体または固定抵抗セラミック素子
を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック
抵抗体のＳｉＯ2含有量を０．０５〜５モル％に限定し
た理由は、０．０５モル％未満ではＰＴＣ特性が小さい
ため顕著な効果はなく、５モル％を越えると高抵抗化し
てしまい、しかも、０．０５モル％未満では機械的強度
も弱くはがれなどの不良が多数発生するためである。
【００２７】
【発明の実施の形態】この発明で得られる積層複合セラ
ミックを用いた積層複合セラミック素子の構造を説明す
る。図１は第１の実施例の積層複合セラミック素子を示
す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線での断
面図である。積層複合セラミック素子４は、負の抵抗温
度特性を有する半導体セラミック素子または固定抵抗セ
ラミック素子（以下、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子とい
う）１と、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック
素子（以下、ＰＴＣセラミック素子という）２と、内部
電極３と、ＰＴＣセラミック素子用の第１の外部電極５
と、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子用の第２の外部電極６
と、内部電極３と電気的に接続される第３の外部電極７
とからなる。
ミックを用いた積層複合セラミック素子の構造を説明す
る。図１は第１の実施例の積層複合セラミック素子を示
す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線での断
面図である。積層複合セラミック素子４は、負の抵抗温
度特性を有する半導体セラミック素子または固定抵抗セ
ラミック素子（以下、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子とい
う）１と、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック
素子（以下、ＰＴＣセラミック素子という）２と、内部
電極３と、ＰＴＣセラミック素子用の第１の外部電極５
と、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子用の第２の外部電極６
と、内部電極３と電気的に接続される第３の外部電極７
とからなる。
【００２８】内部電極３は、一端が図面上積層複合セラ
ミック素子４の前面に引き出されていて、第３の外部電
極７と電気的に接続されており、他端は積層複合セラミ
ック素子４本体の中に埋設されている。第１の外部電極
５は、第３の外部電極７が形成された面と隣合う２つの
面に形成され、ＰＴＣセラミック素子２と接続されてい
る。第２の外部電極６は、第１の外部電極５と対向する
２つの面に形成され、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１と接
続されている。
ミック素子４の前面に引き出されていて、第３の外部電
極７と電気的に接続されており、他端は積層複合セラミ
ック素子４本体の中に埋設されている。第１の外部電極
５は、第３の外部電極７が形成された面と隣合う２つの
面に形成され、ＰＴＣセラミック素子２と接続されてい
る。第２の外部電極６は、第１の外部電極５と対向する
２つの面に形成され、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１と接
続されている。
【００２９】ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１とＰＴＣセラ
ミック素子２は、チタン酸バリウムを主成分とするセラ
ミックからなり、内部電極３はニッケルを主成分とし、
第１の外部電極５と第２の外部電極６と第３の外部電極
７は銀を主成分とする。
ミック素子２は、チタン酸バリウムを主成分とするセラ
ミックからなり、内部電極３はニッケルを主成分とし、
第１の外部電極５と第２の外部電極６と第３の外部電極
７は銀を主成分とする。
【００３０】この実施例は、未焼成セラミックであるセ
ラミックグリーンシートを用いた例にもとづいて説明す
る。原料として、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化
チタン、酸化ランタン、酸化マンガン、酸化珪素を準備
し、これを一般式（１）（Ｂａ0.797Ｃａ0.20Ｌ
ａ0.003）1.005ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2＋０．０００
５Ｍｎと、一般式（２）（Ｂａ0.997Ｌａ0.003）0.995
ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2の割合となるように調合し、
この調合原料を、純水およびジルコニアボールとともに
ポリエチレン製ポットにいれて、５時間湿式混合粉砕
し、乾燥後、空気中１１００℃で２時間仮焼した。
ラミックグリーンシートを用いた例にもとづいて説明す
る。原料として、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化
チタン、酸化ランタン、酸化マンガン、酸化珪素を準備
し、これを一般式（１）（Ｂａ0.797Ｃａ0.20Ｌ
ａ0.003）1.005ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2＋０．０００
５Ｍｎと、一般式（２）（Ｂａ0.997Ｌａ0.003）0.995
ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2の割合となるように調合し、
この調合原料を、純水およびジルコニアボールとともに
ポリエチレン製ポットにいれて、５時間湿式混合粉砕
し、乾燥後、空気中１１００℃で２時間仮焼した。
【００３１】この仮焼粉に水、バインダーおよび分散剤
を添加し、ジルコニアボールとともに１２時間湿式混合
粉砕し、セラミックスラリーとした。このセラミックス
ラリーをドクターブレード法によりセラミックグリーン
シートに成形する。一般式（１）からはＰＴＣセラミッ
ク素子２、一般式（２）からはＮＴＣ−Ｒセラミック素
子１が得られる。
を添加し、ジルコニアボールとともに１２時間湿式混合
粉砕し、セラミックスラリーとした。このセラミックス
ラリーをドクターブレード法によりセラミックグリーン
シートに成形する。一般式（１）からはＰＴＣセラミッ
ク素子２、一般式（２）からはＮＴＣ−Ｒセラミック素
子１が得られる。
【００３２】図２は積層複合セラミック素子４の製造方
法を説明するための分解斜視図であり、上記の方法で得
られたＮＴＣ−Ｒセラミック素子１となるセラミックグ
リーンシート（以下、ＮＴＣ−Ｒシートという）１ａ、
ＰＴＣセラミック素子２となるセラミックグリーンシー
ト（以下、ＰＴＣシートという）２ａを準備し、ＰＴＣ
シート２ａの片主面に内部電極３となる導体パターン３
ａをニッケル粉末とワニスを混合した導電性ペーストで
スクリーン印刷する。この導体パターン３ａが形成され
ているＰＴＣシート２ａの上層にＮＴＣ−Ｒシート１ａ
を積層し、圧着して、積層体とした。
法を説明するための分解斜視図であり、上記の方法で得
られたＮＴＣ−Ｒセラミック素子１となるセラミックグ
リーンシート（以下、ＮＴＣ−Ｒシートという）１ａ、
ＰＴＣセラミック素子２となるセラミックグリーンシー
ト（以下、ＰＴＣシートという）２ａを準備し、ＰＴＣ
シート２ａの片主面に内部電極３となる導体パターン３
ａをニッケル粉末とワニスを混合した導電性ペーストで
スクリーン印刷する。この導体パターン３ａが形成され
ているＰＴＣシート２ａの上層にＮＴＣ−Ｒシート１ａ
を積層し、圧着して、積層体とした。
【００３３】このようにして得られた積層体を大気中で
バインダー燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2雰囲気中、１３５０
℃で２時間焼成して積層複合セラミックを得る。得られ
た積層複合セラミックの表面に銀ペーストを塗布して、
大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極５，６，７
を形成した。銀ペースト焼き付けは、積層複合セラミッ
クの再酸化処理を兼ねている。図１では、ＰＴＣセラミ
ック素子２とＮＴＣ−Ｒセラミック素子１の２層を、図
２では、ＰＴＣシート２ａの１枚と、ＮＴＣーＲシート
１ａの１枚の２枚のシートを用いて説明してきたが、得
ようとする特性に応じて積層数を選択してもよい。
バインダー燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2雰囲気中、１３５０
℃で２時間焼成して積層複合セラミックを得る。得られ
た積層複合セラミックの表面に銀ペーストを塗布して、
大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極５，６，７
を形成した。銀ペースト焼き付けは、積層複合セラミッ
クの再酸化処理を兼ねている。図１では、ＰＴＣセラミ
ック素子２とＮＴＣ−Ｒセラミック素子１の２層を、図
２では、ＰＴＣシート２ａの１枚と、ＮＴＣーＲシート
１ａの１枚の２枚のシートを用いて説明してきたが、得
ようとする特性に応じて積層数を選択してもよい。
【００３４】図３は第２の実施例の積層複合セラミック
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線での断面図である。積層複合セラミック素子４１は、
ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１と、ＰＴＣセラミック素
子２１とが積層一体化された積層セラミック体により構
成され、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１の領域に内部電
極３１，３２が形成され、ＰＴＣセラミック素子２１の
領域に内部電極３３，３４が形成されている。
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線での断面図である。積層複合セラミック素子４１は、
ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１と、ＰＴＣセラミック素
子２１とが積層一体化された積層セラミック体により構
成され、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１の領域に内部電
極３１，３２が形成され、ＰＴＣセラミック素子２１の
領域に内部電極３３，３４が形成されている。
【００３５】内部電極３１〜３４のうち内部電極３１
は、一端が図面上積層複合セラミック素子４１の前面に
当たる第３の側面４１ｃに引き出されていて、この第３
の側面４１ｃに形成された外部電極７１と電気的に接続
されており、他端は積層複合セラミック素子４１本体の
中に埋設されている。
は、一端が図面上積層複合セラミック素子４１の前面に
当たる第３の側面４１ｃに引き出されていて、この第３
の側面４１ｃに形成された外部電極７１と電気的に接続
されており、他端は積層複合セラミック素子４１本体の
中に埋設されている。
【００３６】次に内部電極３２は、ＮＴＣ−Ｒセラミッ
ク素子１１の領域に形成され、その一端は積層複合セラ
ミック素子４１の第２の側面４１ｂに引き出されてお
り、この第２の側面４１ｂに形成された外部電極６１と
電気的に接続されており、他端はＮＴＣ−Ｒセラミック
素子１１の領域の中に埋設されている。
ク素子１１の領域に形成され、その一端は積層複合セラ
ミック素子４１の第２の側面４１ｂに引き出されてお
り、この第２の側面４１ｂに形成された外部電極６１と
電気的に接続されており、他端はＮＴＣ−Ｒセラミック
素子１１の領域の中に埋設されている。
【００３７】さらに内部電極３３，３４は、ＰＴＣセラ
ミック素子２１の領域に形成され、このうち内部電極３
３はその一端が積層複合セラミック素子４１の第２の側
面４１ｂに引き出されており、この第２の側面４１ｂに
形成された外部電極６１と電気的に接続されており、他
端はＰＴＣセラミック素子２１の領域に埋設されてい
る。
ミック素子２１の領域に形成され、このうち内部電極３
３はその一端が積層複合セラミック素子４１の第２の側
面４１ｂに引き出されており、この第２の側面４１ｂに
形成された外部電極６１と電気的に接続されており、他
端はＰＴＣセラミック素子２１の領域に埋設されてい
る。
【００３８】また、内部電極３４はその一端が積層複合
セラミック素子４１の第１の側面４１ａに引き出されて
おり、この第１の側面４１ａに形成された外部電極５１
と電気的に接続されており、他端はＰＴＣセラミック素
子２１の領域に埋設されている。ここで、ＮＴＣ−Ｒセ
ラミック素子１１の内部電極３２とＰＴＣセラミック素
子２１の内部電極３３とは外部電極６１により互いに電
気的に接続されることになる。
セラミック素子４１の第１の側面４１ａに引き出されて
おり、この第１の側面４１ａに形成された外部電極５１
と電気的に接続されており、他端はＰＴＣセラミック素
子２１の領域に埋設されている。ここで、ＮＴＣ−Ｒセ
ラミック素子１１の内部電極３２とＰＴＣセラミック素
子２１の内部電極３３とは外部電極６１により互いに電
気的に接続されることになる。
【００３９】なお、内部電極３１はＮＴＣ−Ｒセラミッ
ク素子１１の領域に形成されている例を示したが、ＮＴ
Ｃ−Ｒセラミック素子１１とＰＴＣセラミック素子２１
の間に形成してもよい。
ク素子１１の領域に形成されている例を示したが、ＮＴ
Ｃ−Ｒセラミック素子１１とＰＴＣセラミック素子２１
の間に形成してもよい。
【００４０】ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１と、ＰＴＣ
セラミック素子２１はチタン酸バリウムを主成分とする
セラミックからなり、内部電極３１〜３４はニッケルを
主成分とし、積層複合セラミック素子４１の第１の側面
４１ａに形成された外部電極５１と第２の側面４１ｂに
形成された外部電極６１と第３の側面４１ｃに形成され
た外部電極７１は銀を主成分とする。
セラミック素子２１はチタン酸バリウムを主成分とする
セラミックからなり、内部電極３１〜３４はニッケルを
主成分とし、積層複合セラミック素子４１の第１の側面
４１ａに形成された外部電極５１と第２の側面４１ｂに
形成された外部電極６１と第３の側面４１ｃに形成され
た外部電極７１は銀を主成分とする。
【００４１】図４は積層複合セラミック素子４１の製造
方法を説明するための分解斜視図であり、第１の実施例
と同じ材料、同じ製造方法で得られたＮＴＣ−Ｒシート
１１ａ〜１１ｄ、ＰＴＣシート２１ａ〜２１ｅを準備す
る。
方法を説明するための分解斜視図であり、第１の実施例
と同じ材料、同じ製造方法で得られたＮＴＣ−Ｒシート
１１ａ〜１１ｄ、ＰＴＣシート２１ａ〜２１ｅを準備す
る。
【００４２】ＮＴＣーＲシート１１ｂの片主面に第１の
内部電極３１となる導体パターン３１ａを、ＮＴＣーＲ
シート１１ｄの片主面に第２の内部電極３２となる導体
パターン３２ａを、ＰＴＣシート２１ｂ，２１ｄの片主
面に第３の内部電極３３となる導体パターン３３ａと第
４の内部電極３４となる導体パターン３４ａをニッケル
粉末とワニスを混合した導電性ペーストでスクリーン印
刷する。前記導体パターン３１ａ，３２ａ，３３ａ，３
４ａを形成したＮＴＣ−Ｒシート１１ｂ，１１ｄとＰＴ
Ｃシート２１ｂ，２１ｄと導体パターンの形成されてい
ないＮＴＣ−Ｒシート１１ａ，１１ｃと導体パターンの
形成されていないＰＴＣシート２１ａ，２１ｃ，２１ｅ
を積層し、圧着して、積層体とした。
内部電極３１となる導体パターン３１ａを、ＮＴＣーＲ
シート１１ｄの片主面に第２の内部電極３２となる導体
パターン３２ａを、ＰＴＣシート２１ｂ，２１ｄの片主
面に第３の内部電極３３となる導体パターン３３ａと第
４の内部電極３４となる導体パターン３４ａをニッケル
粉末とワニスを混合した導電性ペーストでスクリーン印
刷する。前記導体パターン３１ａ，３２ａ，３３ａ，３
４ａを形成したＮＴＣ−Ｒシート１１ｂ，１１ｄとＰＴ
Ｃシート２１ｂ，２１ｄと導体パターンの形成されてい
ないＮＴＣ−Ｒシート１１ａ，１１ｃと導体パターンの
形成されていないＰＴＣシート２１ａ，２１ｃ，２１ｅ
を積層し、圧着して、積層体とした。
【００４３】このようにして得られた積層体を大気中で
バインダー燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2雰囲気中、１３５０
℃で２時間焼成して積層複合セラミックを得る。得られ
た積層複合セラミックの表面に銀ペーストを塗布して、
大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極５１，６
１，７１を形成した。銀ペースト焼き付けは、積層複合
セラミックの再酸化処理を兼ねている。
バインダー燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2雰囲気中、１３５０
℃で２時間焼成して積層複合セラミックを得る。得られ
た積層複合セラミックの表面に銀ペーストを塗布して、
大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極５１，６
１，７１を形成した。銀ペースト焼き付けは、積層複合
セラミックの再酸化処理を兼ねている。
【００４４】積層順は図４に示した以外に、ＰＴＣシー
ト２１ｅが最上層、ＮＴＣ−Ｒシート１１ａが最下層に
なるよう積層順を逆にしても良い。図３ではＰＴＣセラ
ミック素子２１が５層とＮＴＣ−Ｒセラミック素子が４
層の９層を、図４ではＰＴＣシート２１ａ〜２１ｅの５
枚とＮＴＣ−Ｒシート１１ａ〜１１ｄの４枚のシートを
用いて説明してきたが、得ようとする特性に応じて積層
数を選択してもよい。また、ＰＴＣセラミック素子２１
の領域に形成する内部電極３３，３４の数も任意に選択
すればよい。
ト２１ｅが最上層、ＮＴＣ−Ｒシート１１ａが最下層に
なるよう積層順を逆にしても良い。図３ではＰＴＣセラ
ミック素子２１が５層とＮＴＣ−Ｒセラミック素子が４
層の９層を、図４ではＰＴＣシート２１ａ〜２１ｅの５
枚とＮＴＣ−Ｒシート１１ａ〜１１ｄの４枚のシートを
用いて説明してきたが、得ようとする特性に応じて積層
数を選択してもよい。また、ＰＴＣセラミック素子２１
の領域に形成する内部電極３３，３４の数も任意に選択
すればよい。
【００４５】さらに、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１の
領域に形成される内部電極３１，３２は、ＮＴＣ−Ｒセ
ラミックシート１１ｂ，１１ｄの２枚のシートに別々に
形成しているが、ＮＴＣ−Ｒセラミックシート１１ｂ，
１１ｄのどちらか１枚のシートにつきあわせの形状で形
成してもよい。
領域に形成される内部電極３１，３２は、ＮＴＣ−Ｒセ
ラミックシート１１ｂ，１１ｄの２枚のシートに別々に
形成しているが、ＮＴＣ−Ｒセラミックシート１１ｂ，
１１ｄのどちらか１枚のシートにつきあわせの形状で形
成してもよい。
【００４６】図５（ａ），（ｂ）は内部電極３１，３２
のつきあわせ形状の例として、ＮＴＣ−Ｒセラミックシ
ート１１ｄの片主面に導体パターン３１ａ，３２ａを形
成した斜視図である。内部電極３１は一端が図面上積層
複合セラミック素子４１の前面に当たる第３の側面４１
ｃに形成された外部電極７１と電気的に接続され、他端
は積層複合セラミック素子４１本体の中に埋設されてい
る。内部電極３２は一端が図面上積層複合セラミック４
１の第２の側面に４１ｂに引き出されており、この第２
の側面４１ｂに形成された外部電極６１と電気的に接続
されて、他端は積層複合セラミック４１本体の中に埋設
されている。積層複合セラミック素子４１本体の中に埋
設された内部電極３１，３２の他端どうしは接したり、
交わったりしないように形成されている。つきあわせ形
状は図５の（ａ），（ｂ）に限らず、上記した条件に合
致すればどのような形状でも構わない。
のつきあわせ形状の例として、ＮＴＣ−Ｒセラミックシ
ート１１ｄの片主面に導体パターン３１ａ，３２ａを形
成した斜視図である。内部電極３１は一端が図面上積層
複合セラミック素子４１の前面に当たる第３の側面４１
ｃに形成された外部電極７１と電気的に接続され、他端
は積層複合セラミック素子４１本体の中に埋設されてい
る。内部電極３２は一端が図面上積層複合セラミック４
１の第２の側面に４１ｂに引き出されており、この第２
の側面４１ｂに形成された外部電極６１と電気的に接続
されて、他端は積層複合セラミック４１本体の中に埋設
されている。積層複合セラミック素子４１本体の中に埋
設された内部電極３１，３２の他端どうしは接したり、
交わったりしないように形成されている。つきあわせ形
状は図５の（ａ），（ｂ）に限らず、上記した条件に合
致すればどのような形状でも構わない。
【００４７】また、ＰＴＣセラミック素子２１の領域に
導体パターンが内部電極３１，３２に相当するものをＮ
ＴＣ−Ｒセラミック素子１１の領域に導体パターンが内
部電極３３，３４に相当するものを形成してもよい。こ
のような例によれば、積層複合セラミック素子４１のう
ち４１ｃが第１の側面、４１ｂが第２の側面、４１ａが
第３の側面となり、各側面に電極７１，６１，５１が形
成される。
導体パターンが内部電極３１，３２に相当するものをＮ
ＴＣ−Ｒセラミック素子１１の領域に導体パターンが内
部電極３３，３４に相当するものを形成してもよい。こ
のような例によれば、積層複合セラミック素子４１のう
ち４１ｃが第１の側面、４１ｂが第２の側面、４１ａが
第３の側面となり、各側面に電極７１，６１，５１が形
成される。
【００４８】第２の実施例で得られた積層複合セラミッ
ク素子４１を用いて入力電圧（Ｖin）をＰＴＣセラミッ
ク素子２１とＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１で電圧分割
し、出力電圧（Ｖout）を出力する図６の回路を構成
し、図７の出力電圧比−温度特性を示す曲線を得た。図
７は縦軸が出力電圧比、横軸が温度（℃）である。出力
電圧比とは出力電圧値（Ｖout）を２５℃の出力電圧値
（Ｖout-25）で除したものである。図７に示すとおり、
ある温度により急速に出力電圧比が上昇しており、この
発明の積層複合セラミック素子４１はトランジスタのオ
ーバーヒート検知が可能であることがわかる。
ク素子４１を用いて入力電圧（Ｖin）をＰＴＣセラミッ
ク素子２１とＮＴＣ−Ｒセラミック素子１１で電圧分割
し、出力電圧（Ｖout）を出力する図６の回路を構成
し、図７の出力電圧比−温度特性を示す曲線を得た。図
７は縦軸が出力電圧比、横軸が温度（℃）である。出力
電圧比とは出力電圧値（Ｖout）を２５℃の出力電圧値
（Ｖout-25）で除したものである。図７に示すとおり、
ある温度により急速に出力電圧比が上昇しており、この
発明の積層複合セラミック素子４１はトランジスタのオ
ーバーヒート検知が可能であることがわかる。
【００４９】次に、積層複合セラミック素子４，４１の
ＰＴＣセラミック素子、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子と若
干組成の異なる積層複合セラミック素子について説明す
る。 （ａ）一般式（１）に示したＰＴＣセラミック素子のバ
リウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を、表１に示す
割合で変化させ、第２の実施例と同じ方法で積層複合セ
ラミック素子を得た。得られた積層複合セラミック素子
で、図６の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の室温
抵抗（Ω）、ＰＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比
を測定した。その結果を表１に示す。この出力電圧比
は、１５０℃の出力電圧値（Ｖout-150）を１００℃の
出力電圧値（Ｖout-100）で除したものである。
ＰＴＣセラミック素子、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子と若
干組成の異なる積層複合セラミック素子について説明す
る。 （ａ）一般式（１）に示したＰＴＣセラミック素子のバ
リウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を、表１に示す
割合で変化させ、第２の実施例と同じ方法で積層複合セ
ラミック素子を得た。得られた積層複合セラミック素子
で、図６の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の室温
抵抗（Ω）、ＰＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比
を測定した。その結果を表１に示す。この出力電圧比
は、１５０℃の出力電圧値（Ｖout-150）を１００℃の
出力電圧値（Ｖout-100）で除したものである。
【００５０】Ｂａ／Ｔｉのモル比が０．９９〜１．０５
の範囲内であれば、十分な出力制御が可能であることが
分かる。Ｂａ／Ｔｉのモル比が０．９９未満ではＰＴＣ
セラミック素子がＮＴＣ特性となり、１．０５以上では
室温抵抗が高くなりすぎて出力制御が不十分となってい
る。
の範囲内であれば、十分な出力制御が可能であることが
分かる。Ｂａ／Ｔｉのモル比が０．９９未満ではＰＴＣ
セラミック素子がＮＴＣ特性となり、１．０５以上では
室温抵抗が高くなりすぎて出力制御が不十分となってい
る。
【００５１】
【表１】
【００５２】（ｂ）一般式（１）に示したＰＴＣセラミ
ック素子のバリウムとカルシウムの比率を表２に示す割
合とし、第２の実施例と同じ方法で積層複合セラミック
素子を得た。得られた積層複合セラミック素子で、図６
の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の室温抵抗、Ｐ
ＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比を測定した。そ
の結果を表２に示す。この出力電圧比は、上記した
（ａ）の項で記載したものと同じものである。
ック素子のバリウムとカルシウムの比率を表２に示す割
合とし、第２の実施例と同じ方法で積層複合セラミック
素子を得た。得られた積層複合セラミック素子で、図６
の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の室温抵抗、Ｐ
ＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比を測定した。そ
の結果を表２に示す。この出力電圧比は、上記した
（ａ）の項で記載したものと同じものである。
【００５３】カルシウムの置換量を５〜２５モル％の範
囲内とすることで、十分な出力制御が可能であることが
分かる。カルシウムの置換量が５モル％未満ではＰＴＣ
特性を示さず、２５モル％を越えると高抵抗化するた
め、出力制御が十分できなくなる。
囲内とすることで、十分な出力制御が可能であることが
分かる。カルシウムの置換量が５モル％未満ではＰＴＣ
特性を示さず、２５モル％を越えると高抵抗化するた
め、出力制御が十分できなくなる。
【００５４】
【表２】
【００５５】（ｃ）一般式（２）に示したＮＴＣ−Ｒセ
ラミック素子のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔ
ｉ）を表３に示す割合で変化させて、第２の実施例と同
じ方法で積層複合セラミック素子を得た。得られた積層
複合セラミック素子で、図６の回路を構成し、ＮＴＣ−
Ｒセラミック素子の室温抵抗、ＮＴＣ−Ｒセラミック素
子の特性、出力電圧比を測定した。その結果を表３に示
す。この出力電圧比は、上記した（ａ）の項で記載した
ものと同じものである。表中の特性の欄に示した−印
は、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子がＮＴＣ特性を示さなか
ったことを示している。
ラミック素子のバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔ
ｉ）を表３に示す割合で変化させて、第２の実施例と同
じ方法で積層複合セラミック素子を得た。得られた積層
複合セラミック素子で、図６の回路を構成し、ＮＴＣ−
Ｒセラミック素子の室温抵抗、ＮＴＣ−Ｒセラミック素
子の特性、出力電圧比を測定した。その結果を表３に示
す。この出力電圧比は、上記した（ａ）の項で記載した
ものと同じものである。表中の特性の欄に示した−印
は、ＮＴＣ−Ｒセラミック素子がＮＴＣ特性を示さなか
ったことを示している。
【００５６】Ｂａ／Ｔｉのモル比を０．９５〜１．０１
の範囲内とすることで、十分な出力制御が可能であるこ
とが分かる。Ｂａ／Ｔｉのモル比が０．９５未満では高
抵抗であり、１．０３を越えるとＰＴＣ特性となるため
出力制御ができ難くなる。
の範囲内とすることで、十分な出力制御が可能であるこ
とが分かる。Ｂａ／Ｔｉのモル比が０．９５未満では高
抵抗であり、１．０３を越えるとＰＴＣ特性となるため
出力制御ができ難くなる。
【００５７】
【表３】
【００５８】（ｄ）一般式（１）に示したＰＴＣセラミ
ック素子に酸化マンガンをマンガンに換算して表４に示
す割合で含有させて、第２の実施例と同じ方法で積層複
合セラミック素子を得た。得られた積層複合セラミック
素子で、図６の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の
室温抵抗、ＰＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比を
測定した。その結果を表４に示す。この出力電圧比は、
上記した（ａ）の項で記載したものと同じものである。
ック素子に酸化マンガンをマンガンに換算して表４に示
す割合で含有させて、第２の実施例と同じ方法で積層複
合セラミック素子を得た。得られた積層複合セラミック
素子で、図６の回路を構成し、ＰＴＣセラミック素子の
室温抵抗、ＰＴＣセラミック素子の特性、出力電圧比を
測定した。その結果を表４に示す。この出力電圧比は、
上記した（ａ）の項で記載したものと同じものである。
【００５９】マンガンの含有量を０．０１〜１モル％の
範囲内とすることで、十分な出力制御が可能であること
が分かる。マンガンの含有量が０．０１モル％未満では
ＰＴＣ特性が小さいため顕著な効果がなく、１モル％を
越えると高抵抗化してしまう。
範囲内とすることで、十分な出力制御が可能であること
が分かる。マンガンの含有量が０．０１モル％未満では
ＰＴＣ特性が小さいため顕著な効果がなく、１モル％を
越えると高抵抗化してしまう。
【００６０】
【表４】
【００６１】（ｅ）一般式（１）に示したＰＴＣセラミ
ック素子、一般式（２）に示したＮＴＣ−Ｒセラミック
素子にＳｉＯ2を表５に示す割合で含有させて、第２の
実施例と同じ方法で積層複合セラミック素子を得た。得
られた積層複合セラミック素子で、図６の回路を構成
し、ＰＴＣセラミック素子の室温抵抗、ＮＴＣ−Ｒセラ
ミック素子の室温抵抗、出力電圧比を測定した。その結
果を表５に示す。出力電圧比は、上記した（ａ）の項で
記載したものと同じものである。
ック素子、一般式（２）に示したＮＴＣ−Ｒセラミック
素子にＳｉＯ2を表５に示す割合で含有させて、第２の
実施例と同じ方法で積層複合セラミック素子を得た。得
られた積層複合セラミック素子で、図６の回路を構成
し、ＰＴＣセラミック素子の室温抵抗、ＮＴＣ−Ｒセラ
ミック素子の室温抵抗、出力電圧比を測定した。その結
果を表５に示す。出力電圧比は、上記した（ａ）の項で
記載したものと同じものである。
【００６２】ＳｉＯ2含有量を０．０５〜５モル％の範
囲内とすることで、十分な出力制御が可能であることが
分かる。ＳｉＯ2含有量が０．０５モル％未満ではＰＴ
Ｃ特性が小さいため顕著な効果がなく、５モル％を越え
ると高抵抗化してしまう。また、０．０５モル％未満で
は機械的強度も弱くはがれなどの不良が多数発生する。
囲内とすることで、十分な出力制御が可能であることが
分かる。ＳｉＯ2含有量が０．０５モル％未満ではＰＴ
Ｃ特性が小さいため顕著な効果がなく、５モル％を越え
ると高抵抗化してしまう。また、０．０５モル％未満で
は機械的強度も弱くはがれなどの不良が多数発生する。
【００６３】
【表５】
【００６４】以上は、主に温度検知の例を説明したが、
ＰＴＣセラミック素子のバリウムをストロンチウムで２
０％置換し、一般式（Ｂａ0.597Ｓｒ0.20Ｃａ0.20Ｌａ
0.003）1.005ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2＋０．０００５
Ｍｎで示す割合に調合し、第２の実施例と同じ方法で積
層複合セラミック素子を得た。得られた積層複合セラミ
ック素子で、図６の回路を構成し、図８の出力電圧比−
温度特性を示す直線を得た。図８は縦軸が出力電圧比、
横軸が温度（℃）である。この出力電圧比は、第２の実
施例で記載したものと同じものである。図８に示すとお
り、室温から徐々に出力が変化していることから、温度
補償用特性を示し、温度補償用として用いることができ
る。
ＰＴＣセラミック素子のバリウムをストロンチウムで２
０％置換し、一般式（Ｂａ0.597Ｓｒ0.20Ｃａ0.20Ｌａ
0.003）1.005ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2＋０．０００５
Ｍｎで示す割合に調合し、第２の実施例と同じ方法で積
層複合セラミック素子を得た。得られた積層複合セラミ
ック素子で、図６の回路を構成し、図８の出力電圧比−
温度特性を示す直線を得た。図８は縦軸が出力電圧比、
横軸が温度（℃）である。この出力電圧比は、第２の実
施例で記載したものと同じものである。図８に示すとお
り、室温から徐々に出力が変化していることから、温度
補償用特性を示し、温度補償用として用いることができ
る。
【００６５】なお、本発明でいう固定抵抗特性とは、室
温から２００℃の範囲での抵抗変化が１．５倍以下のも
のをいい、抵抗変化が１．５倍を越えると、負の抵抗温
度特性を示すものはＮＴＣ特性、正の抵抗温度特性を示
すものはＰＴＣ特性としている。
温から２００℃の範囲での抵抗変化が１．５倍以下のも
のをいい、抵抗変化が１．５倍を越えると、負の抵抗温
度特性を示すものはＮＴＣ特性、正の抵抗温度特性を示
すものはＰＴＣ特性としている。
【００６６】
【発明の効果】この発明の積層複合セラミックは、正の
抵抗温度特性を有するセラミック半導体、負の抵抗温度
特性を有するセラミック半導体またはセラミック抵抗体
と内部電極とを一体焼成しており、各々のセラミックと
内部電極がずれることなく一体化でき、しかも一体化し
たセラミックの形状を小さくすることができる。さらに
工程の省略によるコストダウンが図れる。
抵抗温度特性を有するセラミック半導体、負の抵抗温度
特性を有するセラミック半導体またはセラミック抵抗体
と内部電極とを一体焼成しており、各々のセラミックと
内部電極がずれることなく一体化でき、しかも一体化し
たセラミックの形状を小さくすることができる。さらに
工程の省略によるコストダウンが図れる。
【００６７】また、正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク半導体、負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体
またはセラミック抵抗体は、チタン酸バリウムを主成分
としており、内部電極はニッケルから構成されるなど、
安価で調達しやすい材料から構成されていることによ
り、積層複合セラミックの材料からのコストダウンが図
れる。
ク半導体、負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体
またはセラミック抵抗体は、チタン酸バリウムを主成分
としており、内部電極はニッケルから構成されるなど、
安価で調達しやすい材料から構成されていることによ
り、積層複合セラミックの材料からのコストダウンが図
れる。
【００６８】さらに、正の抵抗温度特性を有するセラミ
ック半導体、負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体またはセラミック抵抗体は、それぞれの特性を顕著に
示すことができる。
ック半導体、負の抵抗温度特性を有するセラミック半導
体またはセラミック抵抗体は、それぞれの特性を顕著に
示すことができる。
【００６９】この発明の積層複合セラミック素子は、例
えば、チタン酸バリウムやニッケル等の安価な材料で構
成されており、大量生産によるコストダウンが可能であ
る。
えば、チタン酸バリウムやニッケル等の安価な材料で構
成されており、大量生産によるコストダウンが可能であ
る。
【００７０】また、ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラ
ミック素子または固定抵抗セラミック素子を一体化した
素子であり、積層複合セラミック素子サイズの小型化、
複雑な配線の省略が行え、回路の省スペース化や回路構
成の簡略化が図れ、量産性に優れている。
ミック素子または固定抵抗セラミック素子を一体化した
素子であり、積層複合セラミック素子サイズの小型化、
複雑な配線の省略が行え、回路の省スペース化や回路構
成の簡略化が図れ、量産性に優れている。
【００７１】さらに、正特性、負特性または抵抗特性を
顕著に示すことにより、トランジスタのオーバーヒート
検知が可能であり、温度補償用特性も備えている。
顕著に示すことにより、トランジスタのオーバーヒート
検知が可能であり、温度補償用特性も備えている。
【図１】この発明の第１の実施例の積層複合セラミック
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線における断面図である。
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例の積層複合セラミック
素子の製造方法を説明するための分解斜視図である。
素子の製造方法を説明するための分解斜視図である。
【図３】この発明の第２の実施例の積層複合セラミック
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線における断面図である。
素子を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】この発明の第２の実施例の積層複合セラミック
素子の製造方法を説明するための分解斜視図である。
素子の製造方法を説明するための分解斜視図である。
【図５】内部電極のつきあわせ形状の例を示すセラミッ
クシートの斜視図である。
クシートの斜視図である。
【図６】この発明の実施例で用いた回路図である。
【図７】この発明の積層複合セラミック素子の温度と出
力電圧比を示す特性図である。
力電圧比を示す特性図である。
【図８】この発明の積層複合セラミック素子の温度と出
力電圧比を示す特性図である。
力電圧比を示す特性図である。
【符号の説明】 １ ＮＴＣ−Ｒ
セラミック素子 １ａ ＮＴＣ−Ｒ
シート ２ ＰＴＣセラ
ミック素子 ２ａ ＰＴＣシー
ト ３ 内部電極 ３ａ 導体パター
ン ４ 積層複合セ
ラミック素子 ５ 第１の外部
電極 ６ 第２の外部
電極 ７ 第３の外部
電極 １１ ＮＴＣ−Ｒ
セラミック素子 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ ＮＴＣ−Ｒ
シート ２１ ＰＴＣセラ
ミック素子 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ ＰＴＣシー
ト ３１，３２，３３，３４ 内部電極 ３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ 導体パター
ン ４１ 積層複合セ
ラミック素子 ５１ 第１の側面
に形成された外部電極 ６１ 第２の側面
に形成された外部電極 ７１ 第３の側面
に形成された外部電極
セラミック素子 １ａ ＮＴＣ−Ｒ
シート ２ ＰＴＣセラ
ミック素子 ２ａ ＰＴＣシー
ト ３ 内部電極 ３ａ 導体パター
ン ４ 積層複合セ
ラミック素子 ５ 第１の外部
電極 ６ 第２の外部
電極 ７ 第３の外部
電極 １１ ＮＴＣ−Ｒ
セラミック素子 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ ＮＴＣ−Ｒ
シート ２１ ＰＴＣセラ
ミック素子 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ ＰＴＣシー
ト ３１，３２，３３，３４ 内部電極 ３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ 導体パター
ン ４１ 積層複合セ
ラミック素子 ５１ 第１の側面
に形成された外部電極 ６１ 第２の側面
に形成された外部電極 ７１ 第３の側面
に形成された外部電極
Claims (13)
- 【請求項１】 ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミッ
ク素子または固定抵抗セラミック素子とが積層一体化さ
れた積層セラミック体からなり、 前記ＰＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記ＮＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記固定抵抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成
分とするセラミック抵抗体からなり、 少なくとも前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラ
ミック素子または前記固定抵抗セラミック素子とが一体
化された積層セラミック体の内部に内部電極を有してい
ることを特徴とする積層複合セラミック。 - 【請求項２】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体は、バリウムとチタンのモル比（Ｂ
ａ／Ｔｉ）が０．９９〜１．０５であることを特徴とす
る請求項１に記載の積層複合セラミック。 - 【請求項３】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体は、バリウムの５〜２５モル％がカ
ルシウムに置換されていることを特徴とする請求項１ま
たは２のいずれかに記載の積層複合セラミック。 - 【請求項４】 前記ＮＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素子
を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック
抵抗体は、バリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）が
０．９５〜１．０１であることを特徴とする請求項１に
記載の積層複合セラミック。 - 【請求項５】 前記ＮＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素子
を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミック
抵抗体は、酸化マンガンをＭｎに換算して０．０１〜１
モル％含有していることを特徴とする請求項１または４
のいずれかに記載の積層複合セラミック。 - 【請求項６】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体、または前記ＮＴＣセラミック素子
を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温
度特性を有するセラミック半導体、あるいは前記固定抵
抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成分
とするセラミック抵抗体は、ＳｉＯ2を０．０５〜５モ
ル％含有していることを特徴とする請求項１、２、３、
４または５のいずれかに記載の積層複合セラミック。 - 【請求項７】 ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミッ
ク素子または固定抵抗セラミック素子とが等価的に直列
接続された回路構成からなる積層複合セラミック素子で
あって、 前記ＰＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記ＮＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記固定抵抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成
分とするセラミック抵抗体からなり、 前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラミック素子
または前記固定抵抗セラミック素子とが積層一体化され
た積層セラミック体からなり、 前記積層セラミック体の表面には、前記ＰＴＣセラミッ
ク素子用の第１の電極と、 前記ＮＴＣセラミック素子用または前記固定抵抗セラミ
ック素子用の第２の電極と、 および前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラミッ
ク素子または前記固定抵抗セラミック素子との間に形成
された内部電極と電気的に接続される第３の電極とが形
成されていることを特徴とする積層複合セラミック素
子。 - 【請求項８】 ＰＴＣセラミック素子とＮＴＣセラミッ
ク素子または固定抵抗セラミック素子が直列接続され、
前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラミック素子
または前記固定抵抗セラミック素子との中間接続点から
中間電極が導出される回路を備えた積層複合セラミック
素子であって、 前記ＰＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする正の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記ＮＴＣセラミック素子はチタン酸バリウムを主成分
とする負の抵抗温度特性を有するセラミック半導体から
なり、 前記固定抵抗セラミック素子はチタン酸バリウムを主成
分とするセラミック抵抗体からなり、 前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラミック素子
または前記固定抵抗セラミック素子とが積層一体化され
た積層セラミック体からなり、 前記ＰＴＣセラミック素子の領域には、前記積層セラミ
ック体の第１の側面、第２の側面に形成された外部電極
に接続される内部電極がそれぞれ形成され、 前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミッ
ク素子の領域には、前記積層セラミック体の前記第２の
側面に形成された外部電極に接続される内部電極が形成
され、 前記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミッ
ク素子の領域に、または前記ＰＴＣセラミック素子と前
記ＮＴＣセラミック素子または前記固定抵抗セラミック
素子との間に、前記積層セラミック体の第３の側面に形
成された外部電極に接続される内部電極が形成され、 前記積層セラミック体の前記第２の側面に形成された外
部電極が前記ＰＴＣセラミック素子と前記ＮＴＣセラミ
ック素子または前記固定抵抗セラミック素子との直列接
続回路の中間電極であることを特徴とする積層複合セラ
ミック素子。 - 【請求項９】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成するチ
タン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有す
るセラミック半導体は、バリウムとチタンのモル比（Ｂ
ａ／Ｔｉ）が０．９９〜１．０５であることを特徴とす
る請求項７または８のいずれかに記載の積層複合セラミ
ック素子。 - 【請求項１０】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体は、バリウムの５〜２５モル％が
カルシウムにより置換されていることを特徴とする請求
項７、８または９のいずれかに記載の積層複合セラミッ
ク素子。 - 【請求項１１】 前記ＮＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素
子を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミッ
ク抵抗体は、バリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）
が０．９５〜１．０１であることを特徴とする請求項７
または８のいずれかに記載の積層複合セラミック素子。 - 【請求項１２】 前記ＮＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体または前記固定抵抗セラミック素
子を構成するチタン酸バリウムを主成分とするセラミッ
ク抵抗体は、酸化マンガンをマンガンに換算して０．０
１〜１モル％含有していることを特徴とする請求項７、
８または１１のいずれかに記載の積層複合セラミック素
子。 - 【請求項１３】 前記ＰＴＣセラミック素子を構成する
チタン酸バリウムを主成分とする正の抵抗温度特性を有
するセラミック半導体、または前記ＮＴＣセラミック素
子を構成するチタン酸バリウムを主成分とする負の抵抗
温度特性を有するセラミック半導体、あるいは前記固定
抵抗セラミック素子を構成するチタン酸バリウムを主成
分とするセラミック抵抗体は、ＳｉＯ2を０．０５〜５
モル％含有していることを特徴とする請求項７、８、
９、１０、１１または１２のいずれかに記載の積層複合
セラミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8273667A JPH09180907A (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-16 | 積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28077995 | 1995-10-27 | ||
| JP7-280779 | 1995-10-27 | ||
| JP8273667A JPH09180907A (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-16 | 積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180907A true JPH09180907A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=26550738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8273667A Pending JPH09180907A (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-16 | 積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180907A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521691A (ja) * | 2003-03-27 | 2006-09-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成素子 |
| KR100916135B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-09-08 | 한국세라믹기술원 | 적층형 정특성 서미스터 조성물 및 제조방법 |
| JP2011523174A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | ２ディー ヒート リミテッド | 自己調節電気抵抗発熱体 |
| WO2012035938A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック素子およびその製造方法 |
| WO2015019643A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子 |
| US9321689B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-04-26 | Epcos Ag | Molded object, heating device and method for producing a molded object |
| US9363851B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-06-07 | Epcos Ag | Heating device and method for manufacturing the heating device |
| JP2019512633A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-05-16 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 目標とされた低減温度抵抗特性を有するヒータエレメント |
| CN114477985A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 中国科学技术大学 | 一种精调负温度系数热敏电阻的材料常数的方法 |
-
1996
- 1996-10-16 JP JP8273667A patent/JPH09180907A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006521691A (ja) * | 2003-03-27 | 2006-09-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成素子 |
| US7710233B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-05-04 | Epcos Ag | Electric multilayer component |
| JP2011066439A (ja) * | 2003-03-27 | 2011-03-31 | Epcos Ag | 電気的多層構成素子 |
| KR100916135B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-09-08 | 한국세라믹기술원 | 적층형 정특성 서미스터 조성물 및 제조방법 |
| JP2011523174A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | ２ディー ヒート リミテッド | 自己調節電気抵抗発熱体 |
| US9363851B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-06-07 | Epcos Ag | Heating device and method for manufacturing the heating device |
| US9321689B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-04-26 | Epcos Ag | Molded object, heating device and method for producing a molded object |
| US8624703B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic element and method for producing same |
| WO2012035938A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック素子およびその製造方法 |
| WO2015019643A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子 |
| JPWO2015019643A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子 |
| JP2019512633A (ja) * | 2016-03-02 | 2019-05-16 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 目標とされた低減温度抵抗特性を有するヒータエレメント |
| US11340121B2 (en) | 2016-03-02 | 2022-05-24 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater element having targeted decreasing temperature resistance characteristics |
| JP2022088354A (ja) * | 2016-03-02 | 2022-06-14 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | ヒータシステムの動作方法 |
| CN114477985A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 中国科学技术大学 | 一种精调负温度系数热敏电阻的材料常数的方法 |
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