JPH09180926A - 低損失酸化物磁性材料 - Google Patents
低損失酸化物磁性材料Info
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- JPH09180926A JPH09180926A JP7350402A JP35040295A JPH09180926A JP H09180926 A JPH09180926 A JP H09180926A JP 7350402 A JP7350402 A JP 7350402A JP 35040295 A JP35040295 A JP 35040295A JP H09180926 A JPH09180926 A JP H09180926A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い振幅透磁率を有する低損失酸化物磁性材
料を提供すること。 【解決手段】 主成分として５２〜５４ｍｏｌ％の酸化
鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、３３〜３７ｍｏｌ％の酸化マンガン
（ＭｎＯ）及び残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなり、副成
分として０.００１〜０.００８ｗｔ％の二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）及び０.０２〜０.１０ｗｔ％の酸化カルシウム
（ＣａＯ）を含有させ、更に、０〜０.０６ｗｔ％（０
を含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、又は０〜０.
０２ｗｔ％（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を
含有させ、かつ、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の総量で０〜
０.０６ｗｔ％（０を含まず）含有させる。
料を提供すること。 【解決手段】 主成分として５２〜５４ｍｏｌ％の酸化
鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、３３〜３７ｍｏｌ％の酸化マンガン
（ＭｎＯ）及び残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなり、副成
分として０.００１〜０.００８ｗｔ％の二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）及び０.０２〜０.１０ｗｔ％の酸化カルシウム
（ＣａＯ）を含有させ、更に、０〜０.０６ｗｔ％（０
を含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、又は０〜０.
０２ｗｔ％（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を
含有させ、かつ、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の総量で０〜
０.０６ｗｔ％（０を含まず）含有させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
等の各種電源用トランス材として用いられる低損失酸化
物磁性材料に関し、特に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに関
するものである。
等の各種電源用トランス材として用いられる低損失酸化
物磁性材料に関し、特に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電源機器の高性能化、かつ、
軽量小型化の進展が著しい。それ故、この各種電源機器
に搭載されるスイッチング電源用トランス材の、より一
層の高性能化が求められている。
軽量小型化の進展が著しい。それ故、この各種電源機器
に搭載されるスイッチング電源用トランス材の、より一
層の高性能化が求められている。
【０００３】トランス材の高性能化に必要な代表的項目
としては、高磁束密度、高振幅透磁率、低電力損失（低
損失）が挙げられる。なお、以下においては、振幅透磁
率をμa、電力損失をＰcvと称する。
としては、高磁束密度、高振幅透磁率、低電力損失（低
損失）が挙げられる。なお、以下においては、振幅透磁
率をμa、電力損失をＰcvと称する。
【０００４】ところで、一般に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
トは、粉末冶金法により、混合、予焼、解砕、造粒、成
形、焼成の工程を経て製造され、この製造プロセス条件
の適切なコントロールにより、高性能化が図られてい
る。又、更に、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＺｎＯというマトリ
ックス相を形成する主成分組成と、ＳｉＯ2、ＣａＯ、
Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5等の粒界相を形成する副成分組成の
厳密なコントロールにより、高性能化が図られている。
トは、粉末冶金法により、混合、予焼、解砕、造粒、成
形、焼成の工程を経て製造され、この製造プロセス条件
の適切なコントロールにより、高性能化が図られてい
る。又、更に、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＺｎＯというマトリ
ックス相を形成する主成分組成と、ＳｉＯ2、ＣａＯ、
Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5等の粒界相を形成する副成分組成の
厳密なコントロールにより、高性能化が図られている。
【０００５】Ｐcvを下げるためには、粒界相の厚みを大
きくして、より高抵抗化を図ることが最も効果的であ
る。一方、μaを大きくするためには、粒界相の厚さを
極力薄くする、あるいは、マトリックス相中に残存する
不純物量を低減することが必要である。
きくして、より高抵抗化を図ることが最も効果的であ
る。一方、μaを大きくするためには、粒界相の厚さを
極力薄くする、あるいは、マトリックス相中に残存する
不純物量を低減することが必要である。
【０００６】このように、μa、Ｐcvにおける高性能化
のための原理は、二律背反の関係にあり、従来は、両者
を満足させる高性能なＭｎ−Ｚｎ系フェライトが得難
く、１００ｋＨｚ、２０００Ｇ、１００℃の条件におい
て、Ｐcvで３５０〜５００（ｋＷ／ｍ3）程度のもの
か、あるいは、μaで３０００〜５０００程度のものし
か得られなかった。
のための原理は、二律背反の関係にあり、従来は、両者
を満足させる高性能なＭｎ−Ｚｎ系フェライトが得難
く、１００ｋＨｚ、２０００Ｇ、１００℃の条件におい
て、Ｐcvで３５０〜５００（ｋＷ／ｍ3）程度のもの
か、あるいは、μaで３０００〜５０００程度のものし
か得られなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の問題
点を解決し、より高性能な、高いμaを有する低損失酸
化物磁性材料を提供することにある。
点を解決し、より高性能な、高いμaを有する低損失酸
化物磁性材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述した如く、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトは、ＳｉＯ2、ＣａＯ等を主成分とした
粒界相が存在しており、この粒界相により、フェライト
焼結体の高抵抗化が図られ、渦電流損失が低減され、低
損失化が実現できるものである。
ｎ系フェライトは、ＳｉＯ2、ＣａＯ等を主成分とした
粒界相が存在しており、この粒界相により、フェライト
焼結体の高抵抗化が図られ、渦電流損失が低減され、低
損失化が実現できるものである。
【０００９】ところが、高抵抗化により渦電流損失を低
減させるために、ＳｉＯ2、ＣａＯ等の副成分量を増加
させ、粒界相を厚くし過ぎると、逆に粒界相による応力
が大きくなり、磁性を担うマトリックス相の磁気特性、
例えば、μaの劣化、Ｈｃの増大を招き、高性能化を図
ることがきない。
減させるために、ＳｉＯ2、ＣａＯ等の副成分量を増加
させ、粒界相を厚くし過ぎると、逆に粒界相による応力
が大きくなり、磁性を担うマトリックス相の磁気特性、
例えば、μaの劣化、Ｈｃの増大を招き、高性能化を図
ることがきない。
【００１０】又、マトリックス相中に残存する空隙中に
は、ＳｉＯ2、ＣａＯ等の副成分が高濃度に残留する。
このため、これらの副成分量の増加は、磁壁の滑らかな
移動の妨げとなり、μa、μi等の劣化を引き起こす原因
ともなっている。
は、ＳｉＯ2、ＣａＯ等の副成分が高濃度に残留する。
このため、これらの副成分量の増加は、磁壁の滑らかな
移動の妨げとなり、μa、μi等の劣化を引き起こす原因
ともなっている。
【００１１】逆に、ＳｉＯ2、ＣａＯ等の副成分の量を
減少させ、粒界相を、例えば、全く存在しないような状
態にすると、μa、μi等は、著しく高い値が得られる。
しかし、電気抵抗が著しく小さくなるため、渦電流損失
が大きくなり、Ｐcvの低下は図れない上、μa、μiの周
波数特性も著しく劣化する欠点が生じる。
減少させ、粒界相を、例えば、全く存在しないような状
態にすると、μa、μi等は、著しく高い値が得られる。
しかし、電気抵抗が著しく小さくなるため、渦電流損失
が大きくなり、Ｐcvの低下は図れない上、μa、μiの周
波数特性も著しく劣化する欠点が生じる。
【００１２】本発明者は、種々検討を行った結果、Ｓ
ｉＯ2量を極力少なく含有せしめる、Ｔａ2Ｏ5あるい
はＮｂ2Ｏ5を含有するＣａＯを主成分とする粒界相を形
成させる、ことにより、前述した二律背反の関係による
影響を極力小さくし、低いＰcvで、かつ、高いμaを有
する高性能なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを提供できること
を見い出したものである。
ｉＯ2量を極力少なく含有せしめる、Ｔａ2Ｏ5あるい
はＮｂ2Ｏ5を含有するＣａＯを主成分とする粒界相を形
成させる、ことにより、前述した二律背反の関係による
影響を極力小さくし、低いＰcvで、かつ、高いμaを有
する高性能なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを提供できること
を見い出したものである。
【００１３】即ち、本発明は、主成分として５２〜５４
ｍｏｌ％の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、３３〜３７ｍｏｌ％の
酸化マンガン（ＭｎＯ）及び残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）か
らなり、副成分として０.００１〜０.００８ｗｔ％の二
酸化珪素（ＳｉＯ2）及び０.０２〜０.１０ｗｔ％の酸
化カルシウム（ＣａＯ）を含有し、更に、０〜０.０６
ｗｔ％（０を含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、又
は０〜０.０２ｗｔ％（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎ
ｂ2Ｏ5）を含有し、かつ、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の総量
で０〜０.０６ｗｔ％（０を含まず）含有することを特
徴とする低損失酸化物磁性材料である。
ｍｏｌ％の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、３３〜３７ｍｏｌ％の
酸化マンガン（ＭｎＯ）及び残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）か
らなり、副成分として０.００１〜０.００８ｗｔ％の二
酸化珪素（ＳｉＯ2）及び０.０２〜０.１０ｗｔ％の酸
化カルシウム（ＣａＯ）を含有し、更に、０〜０.０６
ｗｔ％（０を含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、又
は０〜０.０２ｗｔ％（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎ
ｂ2Ｏ5）を含有し、かつ、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の総量
で０〜０.０６ｗｔ％（０を含まず）含有することを特
徴とする低損失酸化物磁性材料である。
【００１４】本発明において、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5を
用いたのは、上述した問題点を解決できる上、異常粒成
長等の組織不整のない結晶粒径の均一な組織が得られる
ため、ヒステリシス損失の低減が可能となり、更に、Ｔ
ａ2Ｏ5及び、あるいはＮｂ2Ｏ5を含有するＣａＯを主成
分とする粒界相が形成され、渦電流損失の低減が可能と
なるためである。従って、ＳｉＯ2を極力少なく含有さ
せた場合においても、これまで達成できなかった低いＰ
cvで、かつ、高いμaを含有するＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トを得ることができる。
用いたのは、上述した問題点を解決できる上、異常粒成
長等の組織不整のない結晶粒径の均一な組織が得られる
ため、ヒステリシス損失の低減が可能となり、更に、Ｔ
ａ2Ｏ5及び、あるいはＮｂ2Ｏ5を含有するＣａＯを主成
分とする粒界相が形成され、渦電流損失の低減が可能と
なるためである。従って、ＳｉＯ2を極力少なく含有さ
せた場合においても、これまで達成できなかった低いＰ
cvで、かつ、高いμaを含有するＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トを得ることができる。
【００１５】又、本発明において、Ｆｅ2Ｏ3を５２〜５
４ｍｏｌ％、ＭｎＯを３３〜３７ｍｏｌ％の組成範囲と
したのは、通常、電源トランス材が使用される環境下で
ある、６０〜１００℃程度の温度範囲では、主成分であ
るＦｅ2Ｏ3及びＭｎＯの組成に強く依存するＰcvの温度
特性が負であり、かつ、Ｐcvが低いからである。
４ｍｏｌ％、ＭｎＯを３３〜３７ｍｏｌ％の組成範囲と
したのは、通常、電源トランス材が使用される環境下で
ある、６０〜１００℃程度の温度範囲では、主成分であ
るＦｅ2Ｏ3及びＭｎＯの組成に強く依存するＰcvの温度
特性が負であり、かつ、Ｐcvが低いからである。
【００１６】更に、ＳｉＯ2を０.００１〜０.００８ｗ
ｔ％、ＣａＯを０.０２〜０.１０ｗｔ％としたのは、下
限値以下では、粒界相がほとんど形成されず、渦電流損
失が著しく増大し、低いＰcvが得られないためであり、
又、上限値を越えた領域においては、高いμaが得られ
ないためである。
ｔ％、ＣａＯを０.０２〜０.１０ｗｔ％としたのは、下
限値以下では、粒界相がほとんど形成されず、渦電流損
失が著しく増大し、低いＰcvが得られないためであり、
又、上限値を越えた領域においては、高いμaが得られ
ないためである。
【００１７】Ｔａ2Ｏ5を０〜０.０６ｗｔ％（０を除
く）、Ｎｂ2Ｏ5を０〜０.０２ｗｔ％（０を除く）とし
た理由は、各添加物共に上限値を越えても、高抵抗化に
より渦電流損失が低減でき、低いＰcvが得られる領域も
あるが、マトリックス中の空隙が多くなる等、組織制御
が困難となり、高いμaが得られないためである。
く）、Ｎｂ2Ｏ5を０〜０.０２ｗｔ％（０を除く）とし
た理由は、各添加物共に上限値を越えても、高抵抗化に
より渦電流損失が低減でき、低いＰcvが得られる領域も
あるが、マトリックス中の空隙が多くなる等、組織制御
が困難となり、高いμaが得られないためである。
【００１８】又、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5の総量を０〜０.
０６ｗｔ％（０を除く）とした理由は、０.０６ｗｔ％
を越えた領域では、同様に、組織制御が困難であり、低
いＰcv、高いμaが得られないためである。
０６ｗｔ％（０を除く）とした理由は、０.０６ｗｔ％
を越えた領域では、同様に、組織制御が困難であり、低
いＰcv、高いμaが得られないためである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる低損失酸化
物磁性材料の実施例について説明する。
物磁性材料の実施例について説明する。
【００２０】（実施例１）高純度のＦｅ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4
及びＺｎＯ原料を用いて、５２.８Ｆｅ2Ｏ3−３６.０Ｍ
ｎＯ−１１.２ＺｎＯ（ｍｏｌ％）となるように秤量
し、ボールミルで混合した後、９００℃の大気中で２時
間仮焼した。
及びＺｎＯ原料を用いて、５２.８Ｆｅ2Ｏ3−３６.０Ｍ
ｎＯ−１１.２ＺｎＯ（ｍｏｌ％）となるように秤量
し、ボールミルで混合した後、９００℃の大気中で２時
間仮焼した。
【００２１】次に、この仮焼粉末に、ＣａＯを０.０５
ｗｔ％添加し、更に、Ｔａ2Ｏ5を０.０３ｗｔ％添加
し、ＳｉＯ2を０.００１〜０.０１２ｗｔ％（０を含ま
ず）の範囲で添加した後、ボールミルにて更に微粉砕
（解砕）を行った。
ｗｔ％添加し、更に、Ｔａ2Ｏ5を０.０３ｗｔ％添加
し、ＳｉＯ2を０.００１〜０.０１２ｗｔ％（０を含ま
ず）の範囲で添加した後、ボールミルにて更に微粉砕
（解砕）を行った。
【００２２】更に、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を
バインダーとして０.５ｗｔ％添加し、スプレードライ
ヤーにて乾燥・造粒した。
バインダーとして０.５ｗｔ％添加し、スプレードライ
ヤーにて乾燥・造粒した。
【００２３】得られた造粒体を、外径３０ｍｍ×内径２
０ｍｍ×高さ１０ｍｍのトロイダル形状に加圧成形した
後、１２００〜１４００℃で窒素と酸素の混合気流中で
酸素分圧が０.５〜１０％となるよう焼成した。
０ｍｍ×高さ１０ｍｍのトロイダル形状に加圧成形した
後、１２００〜１４００℃で窒素と酸素の混合気流中で
酸素分圧が０.５〜１０％となるよう焼成した。
【００２４】図１に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体に
おけるＳｉＯ2含有量を変化させた時のＰcv及びμaの値
の変化を示す。ここで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨ
ｚ，２０００Ｇ，１００℃における値を示した。
おけるＳｉＯ2含有量を変化させた時のＰcv及びμaの値
の変化を示す。ここで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨ
ｚ，２０００Ｇ，１００℃における値を示した。
【００２５】図１に示す如く、ＳｉＯ2含有量が０.００
１〜０.００８ｗｔ％の範囲で低いＰcv、かつ、高いμa
値を示すことがわかる。
１〜０.００８ｗｔ％の範囲で低いＰcv、かつ、高いμa
値を示すことがわかる。
【００２６】（実施例２）実施例１で得られた仮焼粉末
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を０.０１ｗ
ｔ％添加し、ＣａＯを０.０１〜０.１３ｗｔ％の範囲で
添加し、実施例１と同様の製造方法により焼結体を作製
した。
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を０.０１ｗ
ｔ％添加し、ＣａＯを０.０１〜０.１３ｗｔ％の範囲で
添加し、実施例１と同様の製造方法により焼結体を作製
した。
【００２７】図２に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体に
おけるＣａＯ含有量を変化させた時のＰcv値及びμa値
の変化を示す。図２に示す如く、ＣａＯ含有量が０.０
２〜０.１０ｗｔ％の範囲で低いＰcv、かつ、高いμa値
を示すことがわかる。
おけるＣａＯ含有量を変化させた時のＰcv値及びμa値
の変化を示す。図２に示す如く、ＣａＯ含有量が０.０
２〜０.１０ｗｔ％の範囲で低いＰcv、かつ、高いμa値
を示すことがわかる。
【００２８】（実施例３）実施例１で得られた仮焼粉末
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、ＣａＯを０.０６ｗｔ
％添加し、更に、Ｔａ2Ｏ5を０〜０.０９ｗｔ％の範囲
で添加し、実施例１と同一の製造方法により焼結体を作
製した。
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、ＣａＯを０.０６ｗｔ
％添加し、更に、Ｔａ2Ｏ5を０〜０.０９ｗｔ％の範囲
で添加し、実施例１と同一の製造方法により焼結体を作
製した。
【００２９】図３に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体に
おけるＴａ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す。こ
こで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨｚ，２０００Ｇ，１
００℃における値を示した。
おけるＴａ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す。こ
こで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨｚ，２０００Ｇ，１
００℃における値を示した。
【００３０】図３より、Ｔａ2Ｏ5含有量が０〜０.０６
ｗｔ％（０を含まず）の範囲で、低いＰcv、かつ、高い
μa値を示すことがわかる。
ｗｔ％（０を含まず）の範囲で、低いＰcv、かつ、高い
μa値を示すことがわかる。
【００３１】（実施例４）実施例１で得られた仮焼粉末
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、ＣａＯを０.０６ｗｔ
％添加し、更に、Ｎｂ2Ｏ5を０〜０.０３ｗｔ％の範囲
で添加し、実施例１と同一の製造方法により焼結体を作
製した。
に、ＳｉＯ2を０.００４ｗｔ％、ＣａＯを０.０６ｗｔ
％添加し、更に、Ｎｂ2Ｏ5を０〜０.０３ｗｔ％の範囲
で添加し、実施例１と同一の製造方法により焼結体を作
製した。
【００３２】図４に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体に
おけるＮｂ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す。こ
こで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨｚ，２０００Ｇ，１
００℃における値を示した。
おけるＮｂ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す。こ
こで、Ｐcv及びμaは、１００ｋＨｚ，２０００Ｇ，１
００℃における値を示した。
【００３３】図４より、Ｎｂ2Ｏ5含有量が０〜０.０２
ｗｔ％（０を含まず）の範囲で、低いＰcv、かつ、高い
μa値を示すことがわかる。
ｗｔ％（０を含まず）の範囲で、低いＰcv、かつ、高い
μa値を示すことがわかる。
【００３４】（実施例５）実施例１で得られた仮焼粉末
に、ＳｉＯ2を０.００５ｗｔ％、ＣａＯを０.０７ｗｔ
％添加し、更にＴａ2Ｏ5を０〜０.０８ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ
5を０〜０.０３ｗｔ％の範囲で同時添加し、実施例１と
同一の製造方法により焼結体を作製した。
に、ＳｉＯ2を０.００５ｗｔ％、ＣａＯを０.０７ｗｔ
％添加し、更にＴａ2Ｏ5を０〜０.０８ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ
5を０〜０.０３ｗｔ％の範囲で同時添加し、実施例１と
同一の製造方法により焼結体を作製した。
【００３５】表１に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体に
おけるＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5含有量を変化させた時のＰ
cv値及びμa値の変化を示す。
おけるＴａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5含有量を変化させた時のＰ
cv値及びμa値の変化を示す。
【００３６】
【００３７】表１より、Ｔａ2Ｏ5とＮｂ2Ｏ5の総量が０
〜０.０６ｗｔ％（０を含まず）の範囲で含有せしめる
ことにより、低いＰcv、かつ、高いμa値を示すことが
わかる。
〜０.０６ｗｔ％（０を含まず）の範囲で含有せしめる
ことにより、低いＰcv、かつ、高いμa値を示すことが
わかる。
【００３８】
【発明の効果】以上、述べた如く、本発明によれば、よ
り高性能で、高いμaを有する低損失酸化物磁性材料を
提供することができ、工業的にも極めて有益である。
り高性能で、高いμaを有する低損失酸化物磁性材料を
提供することができ、工業的にも極めて有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結
体のＳｉＯ2含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
体のＳｉＯ2含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
【図２】実施例２におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結
体のＣａＯ含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
体のＣａＯ含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
【図３】実施例３におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結
体のＴａ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
体のＴａ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
【図４】実施例４におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結
体のＮｂ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
体のＮｂ2Ｏ5含有量とＰcv、μaとの関係を示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分として５２〜５４ｍｏｌ％の酸化
鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、３３〜３７ｍｏｌ％の酸化マンガン
（ＭｎＯ）及び残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなり、副成
分として０.００１〜０.００８ｗｔ％の二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）及び０.０２〜０.１０ｗｔ％の酸化カルシウム
（ＣａＯ）を含有し、更に、０〜０.０６ｗｔ％（０を
含まず）の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、又は０〜０.０
２ｗｔ％（０を含まず）の酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を含
有し、かつ、Ｔａ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5の総量で０〜０.０
６ｗｔ％（０を含まず）含有することを特徴とする低損
失酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350402A JPH09180926A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 低損失酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350402A JPH09180926A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 低損失酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180926A true JPH09180926A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18410257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7350402A Pending JPH09180926A (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 低損失酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180926A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220146A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-14 | Hitachi Metals Ltd | 低損失フェライトおよびこれを用いた磁心 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP7350402A patent/JPH09180926A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220146A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-14 | Hitachi Metals Ltd | 低損失フェライトおよびこれを用いた磁心 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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