JPH09181285A

JPH09181285A - 半導体基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09181285A
Application number: JP7337443A
Authority: JP
Inventors: 智宏 ▲濱▼嶋; Tomohiro Hamashima
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-12-25
Filing date: 1995-12-25
Publication date: 1997-07-11
Anticipated expiration: 2015-12-25
Also published as: JP2918020B2

Abstract

(57)【要約】【課題】赤外線透過像に不要なコントラストが発生す
ること無く高精度に目合わせされた半導体基板を提供す
ること。【解決手段】この半導体基板は、マスク用石英基板６
の目合わせ用マスクパターン１１ａとマスクパターン１
１ｂとに多層構造のＳＯＩ基板のＳＯＩ層１００ａに埋
め込み形成された目合わせ用酸化膜パターン１ａと酸化
膜パターン１ｂとをそれぞれ目合わせして所用の処理を
施すことにより得られる。ＳＯＩ基板では、石英基板６
と目合わせされる一面側における少なくとも目合わせ用
酸化膜パターン１ａを含むフォトレジスト５に関する赤
外線２の透過領域と、一面側とは反対の他面側における
少なくとも目合わせ用酸化膜パターン１ａを含む赤外線
２の透過領域とがそれぞれ平滑面として形成され、他面
側では平滑面が多結晶シリコン膜２０を除去して設けら
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として高精度に
目合わせされたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）構造の半導体基板及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路では微細化，高密
度化の要求が一層増しており、これに対してデバイスや
配線等を多層集積させる技術が検討されている。最近で
は半導体基板における多層集積技術の一分野として、シ
リコン酸化物等の誘電体層を埋め込み層として形成し、
その上に単結晶シリコンの薄膜を形成するＳＯＩ構造が
注目されている。

【０００３】特に、このような埋め込み層においてＳＯ
Ｉ層表面に形成するデバイスと対応したパターンが形成
されているとき、ＳＯＩ層表面の最初のパターニングに
際して埋め込み層との目合わせが必要となっている。と
ころが、埋め込み層は上部のＳＯＩ層に隠れているた
め、可視光で観察することができない。

【０００４】そこで、このような埋設構造を観察する手
段として、赤外線による透過像を利用する方法が知られ
ている。例えば特開平２−３１２２２０号公報には、こ
の方法を適用した目合わせ装置が開示されている。この
目合わせ装置は、２枚か或いはそれ以上のデバイス層が
形成された複数の基板同士の目合わせを行うものであ
る。

【０００５】図５は、この目合わせ装置による埋め込み
酸化膜パターンとマスクパターンとの目合わせ方法を説
明するために示した半導体基板の側面断面図である。因
みに、ここではＳＯＩ基板の最初の目合わせ・露光工程
における構成を示すが、ウェーハチャック等の装置は略
図してある。

【０００６】このＳＯＩ基板では、表面上に絶縁膜が形
成された第１の単結晶シリコン基板から研磨，パターン
形成を経て形成されたＳＯＩ層１００ａが第２の単結晶
シリコン基板２００と貼り合わされており、貼り合わせ
面においてはＳＯＩ層１００ａ表面にデバイスの絶縁分
離に用いられる酸化膜パターン１ｂと目合わせ用酸化膜
パターン１ａとが形成されてＳＯＩ構造を成している。
又、ＳＯＩ層１００ａの表面にはフォトレジスト５が塗
布されており、その反対側の第２の単結晶シリコン基板
２００の表面には多結晶シリコン膜２０が形成されてい
る。更に、貼り合わせ用基板であるＳＯＩ基板の上方に
は、目合わせ用マスクパターン１１ａ及びマスクパター
ン１１ｂを有するマスク用石英基板６が位置されてお
り、この石英基板６を用いてＳＯＩ基板に所用の処理を
施すことによって多層構造の半導体基板が得られる。

【０００７】ここで、石英基板６及びＳＯＩ基板は何れ
も水平方向に移動できるようになっている。これより、
図示されない目合わせ装置では、ＳＯＩ基板下方の赤外
線光源から照射した赤外線２による酸化膜パターン１ａ
の透過像と目合わせ用マスクパターン１１ａとを２台の
赤外線顕微鏡で観察しながら目合わせを行う。

【０００８】ところで、上述したＳＯＩ基板の構成で
は、デバイスを形成しない側の表面（ＳＯＩ基板の裏
面）に多結晶シリコン膜２０を設けた場合を説明した
が、このようなＥＧ（ＥｘｔｒｉｎｓｉｃＧｅｔｔｅ
ｒｉｎｇ）膜は例えばデバイスプロセスにおける重金属
等の汚染物の捕獲場として機能させるために設けられて
いる。又、このような多結晶シリコン膜２０に代えて他
の用途としてＳＯＩ基板の反りを補正するために酸化膜
等が設けられる場合がある。更に、このような薄膜を形
成せずにエッチングによる凹凸の形成や、サンドブラス
トによる歪み層の導入等によってＳＯＩ基板の裏面を意
図的に荒らす場合がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した半導体基板で
は石英基板及びＳＯＩ基板の目合わせにおいて、ＳＯＩ
基板内部の埋め込み層である目合わせ用酸化膜パターン
がＳＯＩ基板を透過した赤外線の明暗像（コントラス
ト）として捉えられるが、赤外線顕微鏡の視野には埋め
込み層の赤外線透過像の他に上述したような基板裏面の
多結晶シリコン膜，凹凸，歪み層に起因する不要なコン
トラストが発生（多結晶シリコン膜の場合は捕獲された
汚染物等による影響が大となる）し、これが埋め込み層
の赤外線透過像に重なって目合わせ用酸化膜パターンの
形状を明瞭に観察できなくするため、目合わせ精度が低
下して目ずれによる特性不良の発生を回避できないとい
う問題がある。

【００１０】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、赤外線透過像に不
要なコントラストが発生すること無く高精度に目合わせ
された半導体基板及びその製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、目合わ
せ用マスクパターンとマスクパターンとが描かれたマス
ク用基板に対して一面側で該目合わせ用マスクパターン
と該マスクパターンとにそれぞれ位置合わせされる目合
わせ用酸化膜パターンと酸化膜パターンとが埋め込み形
成された多層構造の半導体基板において、一面側とは反
対の他面側における少なくとも目合わせ用酸化膜パター
ンを含む赤外線透過領域が平滑面として形成された半導
体基板が得られる。

【００１２】この半導体基板において、一面側における
少なくとも目合わせ用酸化膜パターンを含む赤外線透過
領域が平滑面として形成されたこと、一面側及び他面側
の全面が平滑面として形成されたこと、多層構造が絶縁
膜を形成した第１の単結晶シリコン基板に第２の単結晶
シリコン基板を貼り合わせて成ることは好ましい。

【００１３】一方、本発明によれば、第１の単結晶シリ
コン基板の一面上に部分的に絶縁膜パターンを形成する
膜形成工程と、絶縁膜パターンを除去して該除去部分に
酸化膜を埋め込んで酸化膜パターンと目合わせ用酸化膜
パターンとを形成するパターン形成工程と、第１の単結
晶シリコン基板におけるパターン形成された一面に第２
の単結晶シリコン基板の一面を対向させて接合すること
で多層構造の単結晶シリコン基板を得る基板接合工程
と、多層構造の単結晶シリコン基板の接合強度を増大さ
せるために熱処理する熱処理工程と、多層構造の単結晶
シリコン基板のうちの第１の単結晶シリコン基板の表面
を研削して所用の厚さの活性層を形成する第１の研削工
程と、多層構造の単結晶シリコン基板のうちの第２の単
結晶シリコン基板の表面を研削して平滑となるように研
磨する第２の研磨工程とを含む半導体基板の製造方法が
得られる。

【００１４】この半導体基板の製造方法において、第１
の研磨工程で多層構造の単結晶シリコン基板のうちの第
１の単結晶シリコン基板の表面側における少なくとも目
合わせ用酸化膜パターンを含む赤外線透過領域を平滑面
として研磨形成すること、或いは第２の研磨工程で多層
構造の単結晶シリコン基板のうちの第２の単結晶シリコ
ン基板の表面側における少なくとも目合わせ用酸化膜パ
ターンを含む赤外線透過領域を平滑面として研磨形成す
ることは好ましい。

【００１５】又、本発明によれば、上記何れかの半導体
基板の製造方法において、更に、第２の研磨工程を経て
得られた半導体基板に目合わせ用マスクパターンとマス
クパターンとが描かれたマスク用基板を赤外線透過によ
り目合わせ用酸化膜パターンの赤外線透過像が目合わせ
用マスクパターンと合致するように位置合わせして所用
の処理を施すことで半導体基板を得る基板形成工程を含
む半導体基板の製造方法が得られる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の半
導体基板及びその製造方法について、図面を参照して詳
細に説明する。

【００１７】最初に、本発明の半導体基板の概要を図１
を参照して簡単に説明する。この半導体基板も、図５で
説明した従来のものと同様に、マスク用基板である石英
基板６の目合わせ用マスクパターン１１ａとマスクパタ
ーン１１ｂとに多層構造のＳＯＩ基板のＳＯＩ層１００
ａに埋め込み形成された目合わせ用酸化膜パターン１ａ
と酸化膜パターン１ｂとをそれぞれ目合わせして所用の
処理を施すことにより得られるが、この半導体基板では
ＳＯＩ基板の構造が改良されている。

【００１８】即ち、ＳＯＩ基板では、石英基板６と目合
わせされる一面側における少なくとも目合わせ用酸化膜
パターン１ａを含むフォトレジスト５に関する赤外線２
の透過領域と、一面側とは反対の他面側における少なく
とも目合わせ用酸化膜パターン１ａを含む赤外線２の透
過領域とがそれぞれ平滑面として形成され、他面側では
平滑面が多結晶シリコン膜２０を除去して設けられてい
る。このＳＯＩ基板の場合も、表面上に絶縁膜が形成さ
れた第１の単結晶シリコン基板から研磨，パターン形成
を経て形成されたＳＯＩ層１００ａが第２の単結晶シリ
コン基板２００と貼り合わされており、貼り合わせ面に
おいてはＳＯＩ層１００ａ表面にデバイスの絶縁分離に
用いられる酸化膜パターン１ｂと目合わせ用酸化膜パタ
ーン１ａとが形成されてＳＯＩ構造を成している。

【００１９】このような半導体基板の場合、ＳＯＩ基板
の表面における赤外線２の透過領域が何れも平滑になっ
ているため、ＳＯＩ基板の目合わせ用酸化膜パターン１
ａに関する赤外線透過像に基づいて目合わせを行うと、
赤外線透過像に不要なコントラストが発生すること無い
ため、酸化膜パターン１ｂを赤外線透過像によって捉え
てマスクパターン１１ｂとの目合わせを高精度に目合わ
せを行うことができる。この結果、酸化膜パターン１ｂ
及びマスクパターン１１ｂが精度良く一致されて特性の
優れた多層構造の半導体基板が得られる。

【００２０】因みに、ここでのＳＯＩ基板は、その表面
における赤外線２の透過領域が何れも平滑であるとした
が、その一面側及び他面側の全面を平滑面として形成し
ても同等な効果が得られる。

【００２１】ところで、このような多層構造のＳＯＩ基
板及びそれを用いた半導体基板を製造する場合、以下に
説明するような各工程の手順を実施すれば良い。

【００２２】即ち、ＳＯＩ基板を製造する場合には、第
１の単結晶シリコン基板の一面上に部分的に絶縁膜パタ
ーンを形成する膜形成工程と、絶縁膜パターンを除去し
て該除去部分に酸化膜を埋め込んで酸化膜パターンと目
合わせ用酸化膜パターンとを形成するパターン形成工程
と、第１の単結晶シリコン基板におけるパターン形成さ
れた一面に第２の単結晶シリコン基板の一面を対向させ
て接合することで多層構造の単結晶シリコン基板を得る
基板接合工程と、多層構造の単結晶シリコン基板の接合
強度を増大させるために熱処理する熱処理工程と、多層
構造の単結晶シリコン基板のうちの第１の単結晶シリコ
ン基板の表面を研削して所用の厚さの活性層を形成する
第１の研削工程と、多層構造の単結晶シリコン基板のう
ちの第２の単結晶シリコン基板の表面を研削して平滑と
なるように研磨する第２の研磨工程とを実施すれば良
い。

【００２３】但し、第１の研磨工程では多層構造の単結
晶シリコン基板のうちの第１の単結晶シリコン基板の表
面側における少なくとも目合わせ用酸化膜パターンを含
む赤外線透過領域を平滑面として研磨形成し、第２の研
磨工程では多層構造の単結晶シリコン基板のうちの第２
の単結晶シリコン基板の表面側における少なくとも目合
わせ用酸化膜パターンを含む赤外線透過領域を平滑面と
して研磨形成するようにする。

【００２４】又、半導体基板として製造する場合には、
上述した従来の目合わせ装置を適用し、ＳＯＩ基板に目
合わせ用マスクパターン１１ａ及びマスクパターン１１
ｂが描かれた石英基板６を赤外線透過により目合わせ用
酸化膜パターン１ａの赤外線透過像が目合わせ用マスク
パターン１１ａと合致するように位置合わせして所用の
処理を施すことで半導体基板を得る基板形成工程を実施
すれば良い。

【００２５】そこで、以下は幾つかの実施例により本発
明の半導体基板及びその製造方法を具体的に説明する。［実施例１］実施例１では、図１に示されるようなＳＯ
Ｉ基板及び石英基板６を得た。ＳＯＩ基板では、第２の
単結晶シリコン基板に基づくＳＯＩ層１００ａと第２の
単結晶シリコン基板２００とが接合されてＳＯＩ構造と
なっている。この基板の貼り合わせ界面には、目合わせ
用酸化膜パターン１ａ及び酸化膜パターン１ｂが部分的
に複数個形成されている。このうち、目合わせ用酸化膜
パターン１ａは周縁部に配置され、酸化膜パターン１ｂ
はその形状が任意であり、ＳＯＩ層１００ａの表面に形
成される素子の分離絶縁膜として機能する。尚、目合わ
せ用酸化膜パターン１ａの大きさは通常のフォトリソグ
ラフィ法で用いられる酸化膜パターン１ｂと同程度に微
細であるが、ここではその位置を明確化するために幾分
大き目に描いている。

【００２６】図２は、ＳＯＩ基板を裏面から観察して示
した平面図である。ＳＯＩ基板は中央部分にＥＧ用の多
結晶シリコン膜２０が設けられ、その目合わせ領域４０
を含む周縁部は平滑面３０となるように研磨されてい
る。

【００２７】次に、ＳＯＩ基板の目合わせ用酸化膜パタ
ーン１ａと石英基板６の目合わせ用マスクパターン１１
ａとの目合わせ方法を説明する。因みに、ここでＳＯＩ
基板のＳＯＩ層１００ａの表面に塗布されたフォトレジ
スト５と石英基板６とはフォトリソグラフィ用として使
用される。

【００２８】ＳＯＩ基板の裏面の平滑に加工された目合
わせ領域４０に波長約１．２μｍの赤外線２を照射し、
酸化膜パターン１ａの赤外線２の透過像を赤外線顕微鏡
で観察する。この透過像と石英基板６の周縁部に配置さ
れた目合わせ用マスクパターン１１ａとを同一視野内に
導き、目合わせを行う。

【００２９】ここではＳＯＩ基板の裏面における赤外線
照射領域は平滑に研磨されているので、従来技術で説明
したような不要なコントラストが発生せず、赤外線顕微
鏡視野内に目合わせパターンの赤外線透過像のみが明瞭
に観察される。このため、精度の良い目合わせが可能と
なる。このＳＯＩ基板及び石英基板６に関して目合わせ
を行った結果、位置合わせ精度は約±１μｍであった。

【００３０】ところで、比較として赤外線２が照射され
るＳＯＩ基板の裏面がエッチングによって凹凸の付けら
れているＳＯＩ基板に関しても、実際に目合わせを行っ
たところ、位置合わせ精度は約±３μｍとなった。

【００３１】このように、本発明による半導体基板（Ｓ
ＯＩ基板）を用いることにより、目合わせ精度を著しく
向上させることができる。

【００３２】この後、ＳＯＩ層１００ａの表面に塗布し
たフォトリソグラフィ用のフォトレジスト５を例えば波
長４００ｎｍの紫外線で露光し、マスクパターン１１ｂ
をフォトレジスト５に転写する。このようにして製品と
しての半導体基板を得ることができるが、ここまでの目
合わせ作業は従来の目合わせ装置としての目合わせ露光
機を使用できる。

【００３３】図３は、ＳＯＩ基板の製造方法を説明する
ために示した各製造工程における側面断面図であり、同
図（ａ）は膜形成工程に関するもの，同図（ｂ）はパタ
ーン形成前期工程に関するもの，同図（ｃ）はパターン
形成後期工程に関するもの，同図（ｄ）は基板接合工程
に関するもの，同図（ｅ）は第１の研磨工程に関するも
の，同図（ｆ）は第２の研磨工程に関するものである。

【００３４】このＳＯＩ基板を製造する場合、予め５イ
ンチ径の面方位（１００）の第１の単結晶シリコン基板
１００と、第２の単結晶シリコン基板２００とをそれぞ
れ用意する。

【００３５】最初に、図３（ａ）に示されるように、膜
形成工程として第１の単結晶シリコン基板１００の表面
上に熱酸化法等によりシリコン酸化膜１０を形成した
後、その面にフォトリソグラフィ法及びドライエッチン
グ法を適用して所定の部分のシリコン酸化膜１０を除い
て開口部を作り、その部分の単結晶シリコンを露出させ
る。

【００３６】次に、パターン形成前期工程として、シリ
コン酸化膜１０をマスクとして開口部の単結晶シリコン
をドライエッチング法等でエッチングし、図３（ｂ）に
示されるように約１μｍの深さの段差２２を形成する。
引き続き、マスクしたシリコン酸化膜１０を除去した
後、熱酸化又は低温ＣＶＤ等によって段差２２を埋め合
わせる程度に一様の膜厚の酸化膜を形成してから段差２
２に埋め込まれた酸化膜を残すように研削・研磨し、図
３（ｃ）に示されるように、パターン形成後期工程とし
て目合わせ用酸化膜パターン１ａ及び酸化膜パターン１
ｂを形成する。このように、目合わせ用酸化膜パターン
１ａ及び酸化膜パターン１ｂは、一つのマスクパターン
を用いて同時にパターニングされる。

【００３７】尚、各酸化膜パターン１ａ，１ｂは、ここ
で説明した方法の他にＬＯＣＯＳ酸化膜を利用しても形
成できる。

【００３８】次に、基板接合工程として図３（ｄ）に示
されるように、第１の単結晶シリコン基板１００を目合
わせ用酸化膜パターン１ａ及び酸化膜パターン１ｂ側で
第２の単結晶シリコン基板２００と貼り合わせて貼り合
わせ面５０を有する多層構造の単結晶シリコン基板を得
る。引き続いて、この多層構造の単結晶シリコン基板の
接合強度を増大させるために熱処理工程として、単結晶
シリコン基板を酸化性雰囲気で１１００℃〜１２００
℃，２時間の条件下で熱処理を行って接合を強固なもの
とする。

【００３９】更に、第１の研磨工程として図３（ｅ）に
示されるように、多層構造の単結晶シリコン基板におけ
る第１の単結晶シリコン基板１００の表面側を研削・研
磨によって薄膜化し、第１の単結晶シリコン基板１００
から厚さ約１０μｍの活性層としてのＳＯＩ層１００ａ
を形成する。加えて、多層構造の単結晶シリコン基板の
裏面にＣＶＤ法により多結晶シリコン層２０を約１μｍ
成膜する。

【００４０】最後に、第２の研磨工程として図３（ｅ）
に示されるように、多層構造の単結晶シリコン基板にお
ける裏面側（第２の単結晶シリコン基板２００の表面
側）の目合わせ用酸化膜パターン１ａの透過像の得られ
る領域を含む周縁部を部分的に研磨して、多結晶シリコ
ン層２０を除去することにより図２に示されるような目
合わせ領域４０を含む平滑面３０を形成し、ＳＯＩ基板
を得る。［実施例２］実施例２では、実施例１で用いたＳＯＩ基
板の対比として、ここで得られた図２に示される他のＳ
ＯＩ基板を裏面から示した平面図である。

【００４１】このＳＯＩ基板では裏面において、局部的
に設けられた目合わせ領域４０を含む平滑面３０（口径
数ｍｍ程度のもの）を除く全面に多結晶シリコン膜２０
が形成されている。このように、裏面に形成する多結晶
シリコン膜２０のうち、目合わせを行う領域を局部的に
除去して平滑面３０を露出させても良い。尚、このＳＯ
Ｉ基板を製造する方法も実施例１の場合に準ずる。

【００４２】尚、各実施例では、ＳＯＩ基板の裏面に多
結晶シリコン膜２０を形成した場合に関して、目合わせ
に必要な平滑面３０の領域を説明したが、このようなＳ
ＯＩ基板の裏面に薄膜の形成が不要な場合には裏面を全
面的に平滑に研磨しても同様の効果が得られる。又、本
発明は、例えば縦形パワーＭＯＳ−ＦＥＴ等の高耐圧パ
ワー素子と、ＣＭＯＳＬＳＩやバイポーラＩＣ等の低
耐圧素子とを混載させたＩＰＤ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎ
ｔＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅ）用の部分的に埋め込み
酸化膜が形成された貼り合わせＳＯＩ基板にも適用でき
る。更に、各実施例では貼り合わせ構造のＳＯＩ基板を
説明したが、本発明はＳＯＩ基板の目合わせに限定され
るものではなく、透過像を用いて目合わせを行う多層構
造を有する半導体基板一般に適用できる。加えて、本発
明は例えば３次元ＩＣ等のデバイスを埋設構造に有する
多層構造基板の相互の目合わせにも適用可能である。

【００４３】

【発明の効果】以上に述べた通り、本発明によれば、赤
外線が照射される面を平滑面として赤外線透過像に不要
なコントラストが発生することを防止し、半導体基板の
目合わせ用酸化膜パターンを赤外線透過像によって捉え
てマスク用基板の目合わせ用マスクパターンとの目合わ
せを高精度に行うことができるため、埋設された多層構
造における酸化膜パターンがマスクパターンに精度良く
一致されて特性の優れた半導体基板が得られるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る埋め込み酸化膜パター
ンとマスクパターンとの目合わせ方法を説明するために
示した半導体基板の側面断面図である。

【図２】図１に示した半導体基板に用いられるＳＯＩ基
板を裏面から示した平面図である。

【図３】図１に示した半導体基板に用いられるＳＯＩ基
板の製造方法を説明するための各製造工程における側面
断面図であり、（ａ）は膜形成工程に関するもの，
（ｂ）はパターン形成前期工程に関するもの，（ｃ）は
パターン形成後期工程に関するもの，（ｄ）は基板接合
工程に関するもの，（ｅ）は第１の研磨工程に関するも
の，（ｆ）は第２の研磨工程に関するものである。

【図４】本発明の実施例２に係る半導体基板に用いられ
る他のＳＯＩ基板を裏面から示した平面図である。

【図５】従来の目合わせ装置による埋め込み酸化膜パタ
ーンとマスクパターンとの目合わせ方法を説明するため
に示した半導体基板の側面断面図である。

【符号の説明】

１ａ目合わせ用酸化膜パターン１ｂ酸化膜パターン２赤外線５フォトレジスト６石英基板１０酸化膜１１ａ目合わせ用マスクパターン１１ｂマスクパターン２０多結晶シリコン膜２２段差３０平滑面４０目合わせ領域５０貼り合わせ面１００第１の単結晶シリコン基板１００ａ活性層２００第２の単結晶シリコン基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】目合わせ用マスクパターンとマスクパタ
ーンとが描かれたマスク用基板に対して一面側で該目合
わせ用マスクパターンと該マスクパターンとにそれぞれ
位置合わせされる目合わせ用酸化膜パターンと酸化膜パ
ターンとが埋め込み形成された多層構造の半導体基板に
おいて、前記一面側とは反対の他面側における少なくと
も前記目合わせ用酸化膜パターンを含む赤外線透過領域
が平滑面として形成されたことを特徴とする半導体基
板。
【請求項２】請求項１記載の半導体基板において、前
記一面側における少なくとも前記目合わせ用酸化膜パタ
ーンを含む赤外線透過領域が平滑面として形成されたこ
とを特徴とする半導体基板。
【請求項３】請求項２記載の半導体基板において、前
記一面側及び前記他面側の全面が平滑面として形成され
たことを特徴とする半導体基板。
【請求項４】請求項１〜３の何れか一つに記載の半導
体基板において、前記多層構造は絶縁膜を形成した第１
の単結晶シリコン基板に第２の単結晶シリコン基板を貼
り合わせて成ることを特徴とする半導体基板。
【請求項５】第１の単結晶シリコン基板の一面上に部
分的に絶縁膜パターンを形成する膜形成工程と、前記絶
縁膜パターンを除去して該除去部分に酸化膜を埋め込ん
で酸化膜パターンと目合わせ用酸化膜パターンとを形成
するパターン形成工程と、前記第１の単結晶シリコン基
板における前記パターン形成された前記一面に第２の単
結晶シリコン基板の一面を対向させて接合することで多
層構造の単結晶シリコン基板を得る基板接合工程と、前
記多層構造の単結晶シリコン基板の接合強度を増大させ
るために熱処理する熱処理工程と、前記多層構造の単結
晶シリコン基板のうちの前記第１の単結晶シリコン基板
の表面を研削して所用の厚さの活性層を形成する第１の
研削工程と、前記多層構造の単結晶シリコン基板のうち
の前記第２の単結晶シリコン基板の表面を研削して平滑
となるように研磨する第２の研磨工程とを含むことを特
徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】請求項５記載の半導体基板の製造方法に
おいて、前記第１の研磨工程では、前記多層構造の単結
晶シリコン基板のうちの前記第１の単結晶シリコン基板
の表面側における少なくとも前記目合わせ用酸化膜パタ
ーンを含む赤外線透過領域を平滑面として研磨形成する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】請求項５又は６記載の半導体基板基板の
製造方法において、前記第２の研磨工程では、前記多層
構造の単結晶シリコン基板のうちの前記第２の単結晶シ
リコン基板の表面側における少なくとも前記目合わせ用
酸化膜パターンを含む赤外線透過領域を平滑面として研
磨形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項８】請求項６又は７記載の半導体基板の製造
方法において、更に、前記第２の研磨工程を経て得られ
た半導体基板に目合わせ用マスクパターンとマスクパタ
ーンとが描かれたマスク用基板を赤外線透過により前記
目合わせ用酸化膜パターンの赤外線透過像が前記目合わ
せ用マスクパターンと合致するように位置合わせして所
用の処理を施して半導体基板を得る基板形成工程を含む
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。