JPH09181501A - ストリップラインフィルタ - Google Patents

ストリップラインフィルタ

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JPH09181501A
JPH09181501A JP7334702A JP33470295A JPH09181501A JP H09181501 A JPH09181501 A JP H09181501A JP 7334702 A JP7334702 A JP 7334702A JP 33470295 A JP33470295 A JP 33470295A JP H09181501 A JPH09181501 A JP H09181501A
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JP
Japan
Prior art keywords
dielectric substrate
stripline
filter
ground
ground pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP7334702A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehisa Jinnai
健寿 神内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高域の減衰特性の劣化を改善したバンドパス
フィルタとしてのストリップラインフィルタを得るこ
と。 【解決手段】 誘電体基板31の一方の面には、ストリ
ップライン共振器33とグランドパターン34Aが形成
されており、他方の面全面にはグランドパターン34B
が構成されている。他の誘電体基板32の一方の面に
は、グランドパターン34Aに対応するグランドパター
ン34Cが形成されており、反対側の面全面にはグラン
ドパターン34Dが形成されている。グランドパターン
34A、34Bあるいは34C、34Dは、スルーホー
ル35A、35Bを介して接続されている。両誘電体基
板31、32は半田付けによって貼り合わされ、バンド
パスフィルタが構成されている。グランドパターンが誘
電体基板31、32の外側両面を覆うので、マイクロ波
が外部に伝搬しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波周波数帯
で使用されるストリップラインフィルタに係わり、詳細
にはストリップライン共振器でバンドパスフィルタを構
成したストリップラインフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波集積回路基板では、マイクロ
波集積回路がストリップラインを用いて構成される場合
がある。このようして構成されたフィルタはストリップ
ラインフィルタと呼ばれている。
【0003】図6は従来のストリップラインフィルタの
構成の一例を表わしたものである。例えば特開昭61−
19203号公報に開示されているこのストリップライ
ンフィルタを構成する誘電体基板11の一方の面には、
保護カバー12がガラスグレーズや接着剤によって貼り
合わされている。この保護カバー12の存在する側の誘
電体基板11の面上にはストリップライン共振器13が
形成されており、他方の面および側面にはアース電極と
してのグランドパターン14が形成されている。保護カ
バー12はストリップライン共振器13自体を外部から
保護するだけでなく、外部への電磁エネルギの放射をも
防止する役割をもっている。
【0004】図7は、従来のストリップラインフィルタ
の構成の他の例を表わしたものである。例えば特開昭6
3−59103号公報に開示されているこのストリップ
ラインフィルタの第1の誘電体基板21の一方の面(図
で表側の面)には、2本のストリップライン22、23
が形成されており、他方の面(図で裏側の面)には一面
にグランドパターン24が形成されている。第1の誘電
体基板21の上には、これよりもサイズの小さな第2の
誘電体基板26が対向配置されている。第2の誘電体基
板26における第1の誘電体基板21に対向する面(図
で裏側の面)には、それぞれストリップライン27、2
8が形成されている。また、これらのストリップライン
27、28の間には、飛び石状に半波長ストリップ線路
29が2本形成されている。第1および第2の誘電体基
板21、22は貼り合わされ、ストリップライン22と
ストリップライン27、およびストリップライン23と
ストリップライン28が互いに接続されている。
【0005】図8は、図7に示したストリップラインフ
ィルタにおけるストリップライン23の位置でこれを長
手方向に切断した状態を表わしたものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のスト
リップラインフィルタのうち図6に示したものは、スト
リップライン共振器13でバンドパスフィルタ(BP
F)を構成している。また、図7に示した例では、第2
の誘電体基板26における第1の誘電体基板21に対向
する面上に形成されたストリップライン27、28およ
び半波長ストリップ線路29がストリップライン共振器
であり、バンドパスフィルタを構成している。上述のよ
うなストリップラインフィルタの構成では、両ストリッ
プラインフィルタ共に高域の減衰量が劣化するという問
題があった。これは、通過帯域よりも高域の周波数がバ
ンドパスフィルタを通過せずに空間を伝搬してしまい、
入力端子から出力端子に直接出力されるようになるから
である。すなわち、この種のストリップラインフィルタ
は、ケースに入れて使用されるため、これらケースのカ
ットオフによって低域側の減衰特性は改善されるが、高
域側の減衰特性の劣化を改善することはできなかった。
【0007】このように高域の減衰特性が劣化すると、
バンドパスフィルタの段数を多段構成にしても所要の減
衰量を実現することができない。そこで、従来のストリ
ップラインフィルタでは所要の減衰量を実現するため
に、もう1台、同じ通過帯域のバンドパスフィルタを追
加した構成にするか、あるいは送出する帯域にバンド・
エリミネーション・フィルタ(BEF)を追加すること
になった。このため、ストリップラインフィルタ全体の
構成が複雑かつ高価となるといった問題があった。
【0008】そこで本発明の目的は、高域の減衰特性の
劣化を改善したバンドパスフィルタとしてのストリップ
ラインフィルタを提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、保護カバーが不要な
ストリップラインフィルタを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明のス
トリップラインフィルタは、第1の誘電体基板とこれと
貼り合わされた第2の誘電体基板とから構成されてお
り、第1の誘電体基板は第2の誘電体基板と向かい合う
面上にストリップライン共振器からなるバンドパスフィ
ルタおよび接地導体を有し、これと反対の面上に前記接
地導体と電気的に接続された接地導体を有している。ま
た、第2の誘電体基板は第1の誘電体基板と向かい合う
面上の接地導体と対向する位置に接地導体を有し、これ
と反対の面上に電気的に接続された接地導体を有してい
ることを特徴としている。
【0011】また、請求項2記載のストリップラインフ
ィルタでは、一方の面にストリップライン共振器でバン
ドパスフィルタを形成し、他方の面をグランドパターン
とした第1の誘電体基板と、前記したストリップライン
共振器と対向する側の面と反対側の面をグランドパター
ンとした第2の誘電体基板との対向する面を半田によっ
て貼り合わせたことを特徴としている。
【0012】請求項3記載の発明では、これら請求項1
記載あるいは請求項2記載の第2の誘電体基板を周辺回
路と一体にしたことを特徴としている。
【0013】また、請求項4記載の発明では、第1ある
いは第2の誘電体基板における接地導体あるいはグラン
ドパターンはそれぞれの基板に設けられたスルーホール
で電気的に接続されていることを特徴としている。
【0014】すなわち請求項1あるいは請求項2記載の
発明では、第1および第2の誘電体基板を貼り合わせ、
その両外側を接地することで電気的なシールドを行って
いる。このため、バンドパスフィルタの内部以外にマイ
クロ波が伝搬する経路が存在せず、通過帯域よりも高域
の周波数がバンドパスフィルタを通過せずに空間を伝搬
するという従来の問題が解消するので、高域において高
い減衰量を得ることができる。
【0015】また、請求項3記載の発明では第2の誘電
体基板を周辺回路と一体にしたので、構成部品の削減
と、構成の簡略化によるコスト削減が可能になる。更に
請求項4記載の発明でも、一般的に用いられるスルーホ
ールを使用するので、工程が簡単で価格も安くなること
になる。
【0016】
【発明の実施の形態】
【0017】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【0018】第1の実施例
【0019】図1および図2は本発明の第1の実施例に
おけるストリップラインフィルタの構成を表わしたもの
である。このうち図1はこのストリップラインフィルタ
を横から見た断面図であり、図2はストリップラインフ
ィルタを上下に分解した状態を示した斜視図である。こ
のストリップラインフィルタは、第1および第2の誘電
体基板31、32を備えている。第1の誘電体基板31
の一方の面(これらの図で上方の面)には、ストリップ
ライン共振器33とこれが存在しない箇所にアース電極
としてのグランドパターン34Aが形成されている。ま
た、この第1の誘電体基板31の他方の面(これらの図
で下方の面)には、その全面にグランドパターン34B
が構成されている。これらのグランドパターン34A、
34Bは、スルーホール35Aを介して電気的に接続さ
れている。
【0020】一方、これらの図で第1の誘電体基板31
の上側に配置される第2の誘電体基板32の第1の誘電
体基板31と対向する側の面(これらの図で下側の面)
には、第1の誘電体基板31上に形成されたグランドパ
ターン34Aに対応するパターンのグランドパターン3
4Cが形成されており、その反対側の面(これらの図で
上側の面)には、その全面にグランドパターン34Dが
形成されている。これらのグランドパターン34C、3
4Dは、スルーホール35Bを介して電気的に接続され
ている。
【0021】以上の構成の第1および第2の誘電体基板
31、32は半田付けによって貼り合わされ、バンドパ
スフィルタが構成されている。このようなバンドパスフ
ィルタは、1/4波長の共振器を用いたインターデジタ
ルタイプあるいはコムラインタイプ、または1/2波長
の共振器を用いた側結合型フィルタでも適用できる。
【0022】次に本実施例のストリップラインフィルタ
の動作について説明する。このストリップラインフィル
タからなるバンドパスフィルタは、ストリップライン共
振器33のそれぞれの長さを1/4波長とし、このスト
リップライン共振器33の一方を開放し、他方を短絡し
ている。そして、これらのストリップライン共振器33
を互いに反平行に並べたインターデジタル型バンドパス
フィルタとしている。バンドパスフィルタの中心周波数
をf0 とすると、次の共振モードの周波数3f 0 は通過
するが、周波数2f0 は60dB(デシベル)以上の減
衰量が得られる。従来の構成のストリップラインフィル
タでバンドパスフィルタを構成すると、高域側が20d
B程度劣化してしまい、40dBの減衰量しか得られな
いので、大幅な改善となる。
【0023】本実施例のストリップラインフィルタの場
合には、第1および第2の誘電体基板31、32を貼り
合わせて、その両外側をグランドパターン34B、34
Dで電気的にシールドしているので、ストリップライン
フィルタの内部以外にマイクロ波が伝搬する経路が存在
しないことによる。また、接地するスルーホール35
A、35Bによってストリップラインフィルタ内のマイ
クロ波をできるだけ狭い領域、すなわちストリップライ
ン共振器33のごく近傍に閉じ込めることができ、より
高い減衰量を得ることができる。
【0024】第2の実施例
【0025】図3および図4は、本発明の第2の実施例
におけるストリップラインフィルタの構成を表わしたも
のである。このうち図3はストリップラインフィルタを
上から見たものであり、図4は横から見た断面図であ
る。ストリップラインフィルタは第1の誘電体基板41
とこれを配置した第2の誘電体基板32から構成されて
いる。第1の誘電体基板41は、その一方の面(図で下
側の面)に、ストリップライン共振器43とグランドパ
ターン44A、44Bを形成している。また、他方の面
(図で上側の面)には、グランドパターン45を形成し
ている。このグランドパターン45とグランドパターン
44A、44Bとは、スルーホール46を介して電気的
に接続されている。
【0026】第2の誘電体基板42は、第1の誘電体基
板41を実装する面(図で上側の面)上に、第1の誘電
体基板と接続するためのストリップライン47A、47
Bで構成される接続回路と、周辺回路を有している。第
2の誘電体基板42の他方の面(図で下側の面)は、グ
ランドパターン48を形成している。第1および第2の
誘電体基板41、42は、対向するグランドパターン4
4A、47Aおよび44B、47Bを半田付けすること
によって貼り合わされている。
【0027】この第2の実施例の場合でも、第1の実施
例の場合と同様にストリップラインフィルタの両外側を
グランドパターン45、48で電気的にシールドしてい
るので、ストリップラインフィルタの内部以外にマイク
ロ波が伝搬する経路が存在しない。また、接地するスル
ーホール46によってストリップラインフィルタ内のマ
イクロ波をできるだけ狭い領域、すなわちストリップラ
イン共振器43のごく近傍に閉じ込めて、高い減衰量を
得るようにしている。
【0028】図5は、本実施例のストリップラインフィ
ルタの場合の減衰量と周波数の関係を従来のストリップ
ラインフィルタの場合と対比して示したものである。破
線51で示した従来例と比較すると、実線52で示した
本発明の場合には前記したように高域の減衰量を20d
B程度改善することができる。先の第1の実施例のスト
リップラインフィルタでも同様にバンドパスフィルタと
して良好な特性を得ることができる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように請求項1および請求
項2記載の発明によれば、第1および第2の誘電体基板
を貼り合わせ、その両外側を接地することで電気的なシ
ールドを行っている。このため、バンドパスフィルタの
内部以外にマイクロ波が伝搬する経路が存在せず、通過
帯域よりも高域の周波数の高い帯域の減衰量を確保する
ことができるばかりでなく、ストリップラインから外部
への電磁エネルギの放射も防止することができる。した
がって、従来このような電磁エネルギ対策として用いら
れた保護カバーを必要としないという利点がある。
【0030】また、請求項3記載の発明によれば、第2
の誘電体基板を周辺回路と一体にしたので、構成部品の
削減と、構成の簡略化によるコスト削減が可能になると
いう利点がある。
【0031】更に請求項4記載の発明によれば、第1あ
るいは第2の誘電体基板における接地導体あるいはグラ
ンドパターンはそれぞれの基板に設けられたスルーホー
ルで電気的に接続されているので、製造工程も簡単で価
格も安くなるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるストリップライ
ンフィルタの平面図である。
【図2】図1に示したストリップラインフィルタの分解
斜視図である。
【図3】本発明の第2の実施例におけるストリップライ
ンフィルタの平面図である。
【図4】図3に示したストリップラインフィルタを横か
ら見た断面図である。
【図5】第2の実施例のストリップラインフィルタの減
衰量と周波数の関係を従来のストリップラインフィルタ
の場合と対比して示した特性図である。
【図6】従来のストリップラインフィルタの構成の一例
を表わした断面図である。
【図7】従来のストリップラインフィルタの構成の他の
例を示す平面図である。
【図8】図7に示した従来のストリップラインフィルタ
の断面図である。
【符号の説明】
31、41 第1の誘電体基板 32、42 第2の誘電体基板 33、43 ストリップライン共振器 34、45、48 グランドパターン 35、46 スルーホール

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の誘電体基板とこれと貼り合わされ
    た第2の誘電体基板とから構成され、第1の誘電体基板
    は第2の誘電体基板と向かい合う面上にストリップライ
    ン共振器からなるバンドパスフィルタおよび接地導体を
    有し、これと反対の面上に前記接地導体と電気的に接続
    された接地導体を有しており、第2の誘電体基板は第1
    の誘電体基板と向かい合う面上の接地導体と対向する位
    置に接地導体を有し、これと反対の面上に電気的に接続
    された接地導体を有することを特徴とするストリップラ
    インフィルタ。
  2. 【請求項2】 一方の面にストリップライン共振器でバ
    ンドパスフィルタを形成し、他方の面をグランドパター
    ンとした第1の誘電体基板と、 前記ストリップライン共振器と対向する側の面と反対側
    の面をグランドパターンとした第2の誘電体基板と、 これら第1および第2の誘電体基板の対向する面を貼り
    合わせた半田部材とを具備することを特徴とするストリ
    ップラインフィルタ。
  3. 【請求項3】 前記第2の誘電体基板を周辺回路と一体
    にしたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の
    ストリップラインフィルタ。
  4. 【請求項4】 前記第1および第2の誘電体基板のそれ
    ぞれの面に形成された接地導体あるいはグランドパター
    ンはそれぞれの誘電体基板のスルーホールで電気的に接
    続されていることを特徴とする請求項1または請求項2
    記載のストリップラインフィルタ。
JP7334702A 1995-12-22 1995-12-22 ストリップラインフィルタ Pending JPH09181501A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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